TW201805620A - 缺陷檢查裝置 - Google Patents

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山本比佐史
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Abstract

本發明提供一種能夠抑制缺陷之漏檢、或缺陷之誤檢之缺陷檢查裝置。 該缺陷檢查裝置100包含控制部50，該控制部50基於由攝像部40拍攝所得之元件晶片70之圖像，而檢測元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74及有效區域71，基於所檢測出之周緣區域72之外側之邊緣74及有效區域71，而決定用以檢查元件晶片70之缺陷之檢查區域75，並將元件晶片70之檢查區域75之對應圖像與預先所記憶之良品之元件晶片70之圖像加以比較，藉此檢測元件晶片70之缺陷。

Description

缺陷檢查裝置
本發明係關於一種缺陷檢查裝置，尤其關於一種包含藉由與良品之元件晶片之圖像進行比較而檢測元件晶片之缺陷之缺陷檢測部的缺陷檢查裝置。
先前，已知有一種包含藉由與良品之元件晶片之圖像進行比較而檢測元件晶片之缺陷之缺陷檢測部的缺陷檢查裝置(例如參照專利文獻1)。 於上述專利文獻1中揭示有一種缺陷檢查方法，該缺陷檢查方法係求出標準圖像與檢查圖像之差，然後基於標準圖像與檢查圖像之差來檢查工件之缺陷。於該檢查方法中，於教導過程中對多個良品之工件進行拍攝，求出圖像之每一像素之濃淡值之平均值(標準圖像)。又，於檢查過程中，對檢查對象之工件進行拍攝。再者，於拍攝檢查對象之工件時，拍攝與已被拍攝之良品之工件相同之部分作為檢查圖像。然後，基於良品之工件之標準圖像與檢查對象之工件之檢查圖像之比較，判定缺陷之有無。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平10-123064號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，於上述專利文獻1所記載之缺陷檢查方法中，於拍攝檢查對象之工件時，拍攝與已被拍攝之良品之工件相同之部分(以下稱為有效區域)作為檢查圖像。即，被拍攝之檢查對象之工件之部分(有效區域)與標準圖像相對應而固定。因此，存在無法檢測出於工件之有效區域外產生之缺陷之缺點。再者，就於工件之有效區域外產生之缺陷而言，存在缺陷發展(變大)從而於未來對工件之功能產生不良影響之情形。又，存在如下缺點：雖不包含缺陷，但於將檢查對象之工件之端部切斷之情形時，基於位於有效區域內之已被切斷之端部之圖像與標準圖像之差異，而誤識別為於檢查對象之工件產生缺陷。即，於上述專利文獻1所記載之缺陷檢查方法中，存在發生缺陷之漏檢、或缺陷之誤檢之問題。 本發明係為了解決如上所述之問題而完成者，本發明之目的之一在於提供一種能夠抑制缺陷之漏檢、或缺陷之誤檢之缺陷檢查裝置。 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明之一態樣之缺陷檢查裝置包含：攝像部，其對包含形成有元件之有效區域、及設置於有效區域之周緣之周緣區域之元件晶片進行拍攝；邊緣檢測部，其基於由攝像部拍攝所得之元件晶片之圖像，檢測元件晶片之周緣區域之外側之邊緣；有效區域檢測部，其基於由攝像部拍攝所得之元件晶片之圖像，檢測元件晶片之有效區域；檢查區域決定部，其基於所檢測出之周緣區域之外側之邊緣及有效區域，決定用以檢查元件晶片之缺陷之檢查區域；以及缺陷檢測部，其藉由將元件晶片之檢查區域之對應圖像與預先所記憶之良品之元件晶片之圖像加以比較，而檢測元件晶片之缺陷。 於本發明之一態樣之缺陷檢查裝置中，如上所述，包含檢查區域決定部，其基於所檢測出之周緣區域之外側之邊緣及有效區域，決定用以檢查元件晶片之缺陷之檢查區域。藉此，能夠使檢查區域與元件晶片之周緣區域之外側之邊緣(元件晶片之大小)相對應地變化，故而與檢查區域固定之情形時不同，能夠抑制缺陷之漏檢。又，藉由使檢查區域與元件晶片之大小相對應地變化，即便於元件晶片之端部被切斷之情形時，被切斷部分亦成為檢查區域外。藉此，能夠抑制因端部被切斷後之元件晶片之圖像與預先所記憶之良品之元件晶片之圖像不同而引起之缺陷誤檢。如此，能夠抑制缺陷之漏檢、或缺陷之誤檢。 於上述一態樣之缺陷檢查裝置中，較佳為：良品之元件晶片之圖像係切斷前之切斷前元件晶片之與1個元件晶片對應之部分之圖像；上述切斷前元件晶片包括複數個有效區域、及包含設置於複數個有效區域之間之周緣區域之切斷區域，上述1個元件晶片於有效區域及周緣區域兩者中至少包含周緣區域。此處，於使檢查區域與元件晶片之周緣區域之外側之邊緣(元件晶片之大小)相對應地變化之情形時，於使用切斷後之元件晶片之圖像作為良品之元件晶片之圖像時，存在檢查區域之大小(成為檢查對象之元件晶片之大小)與切斷後之元件晶片之大小不同之情形。於此情形時，即便將成為檢查對象之元件晶片之檢查區域之對應圖像與切斷後之良品之元件晶片之圖像加以比較，亦難以準確地判斷缺陷之有無。因此，藉由如上所述，使用切斷前之切斷前元件晶片之、與於有效區域及周緣區域兩者中至少包含周緣區域之1個元件晶片對應之部分之圖像作為良品之元件晶片之圖像，能夠將與成為檢查對象之元件晶片之檢查區域之大小相對應之切斷前元件晶片之圖像用作良品之元件晶片之圖像。其結果，能夠準確地判斷缺陷之有無。 又，於使用切斷後之元件晶片之圖像作為良品之元件晶片之圖像之情形時，存在於切斷後之元件晶片包含缺陷之情形。又，於將切斷前元件晶片切斷之情形時，存在由於切斷裝置(切晶裝置等)之精度而導致元件晶片之切斷位置有所偏差之情形。即，於使用切斷後之元件晶片之圖像作為良品之元件晶片之圖像之情形時，存在作為與成為檢查對象之元件晶片進行比較之良品之圖像不合適之情形。因此，藉由使用切斷前元件晶片之圖像作為良品之元件晶片之圖像，能夠容易地獲得適當之良品之圖像。 於上述一態樣之缺陷檢查裝置中，較佳為進而包含：缺陷種類判別部，其基於所檢測出之缺陷之形狀，判別缺陷之種類；及良品判定部，其基於由缺陷種類判別部所判別出之缺陷之種類、及缺陷相對於有效區域之位置，判定元件晶片為良品抑或為不良品。此處，存在即便於存在缺陷之情形時亦將元件晶片視為良品之情形。因此，藉由基於缺陷之種類、及缺陷相對於有效區域之位置來判定元件晶片為良品抑或為不良品，能夠抑制僅因存在缺陷便將良品之元件晶片判定為不良品之情況。 於此情形時，較佳為以如下方式構成：於缺陷種類判別部基於缺陷之形狀而判別出缺陷為元件晶片之缺損之情形時，良品判定部於缺損到達有效區域之情形時將元件晶片判定為不良品，於缺損未達有效區域之情形時將元件晶片判定為良品。此處，缺損未來變大(缺損自周緣區域逐漸發展至有效區域)之可能性相對較小。因此，藉由若缺損未達有效區域則將元件晶片判定為良品，能夠抑制僅因存在缺損便將良品之元件晶片判定為不良品之情況。 於包含上述缺陷種類判別部之缺陷檢查裝置中，較佳為以如下方式構成：於缺陷種類判別部基於缺陷之形狀而判別出缺陷為元件晶片之龜裂之情形時，良品判定部無論龜裂是否到達有效區域，均將元件晶片判定為不良品。此處，龜裂未來變大(龜裂自周緣區域逐漸發展至有效區域)之可能性相對較大。因此，藉由無論龜裂是否到達有效區域均將元件晶片判定為不良品，能夠預先將儘管當前為良品但未來會成為不良品之元件晶片排除。 [發明之效果] 根據本發明，如上所述，能夠抑制缺陷之漏檢、或缺陷之誤檢。
以下，基於圖式對將本發明具體化之實施形態進行說明。 [本實施形態] (缺陷檢查裝置之構造) 參照圖1及圖2，對本實施形態之缺陷檢查裝置100之構造進行說明。 如圖1所示，缺陷檢查裝置100包含移動台10。移動台10包含X軸滑塊11及Y軸滑塊12。X軸滑塊11配置於台部20上。又，Y軸滑塊12配置於X軸滑塊11上。 又，缺陷檢查裝置100包含載置台30。載置台30配置於Y軸滑塊12上。而且，載置台30係以藉由移動台10而沿X方向及Y方向移動之方式構成。又，載置台30係為了載置切斷前元件晶片83(參照圖4)、或切斷後之元件晶片70(參照圖5)而構成。 又，缺陷檢查裝置100包含攝像部40。攝像部40係為了對包含形成有元件之有效區域71及設置於有效區域71之周緣之周緣區域72的元件晶片70(參照圖4及圖5)進行拍攝而構成。攝像部40包含鏡筒41、半反射鏡42、物鏡43、及攝像機44。攝像機44包含受光元件44a。而且，攝像機44係以將拍攝所得之元件晶片70之圖像輸出至下述控制部50之方式構成。 又，如圖2所示，攝像部40係以依序拍攝相對於攝像部40相對性地移動之複數個元件晶片70之方式構成。具體而言，元件晶片70藉由移動台10而相對於攝像部40相對性地移動。 又，如圖1所示，缺陷檢查裝置100包含控制部50。此處，於本實施形態中，控制部50係以如下方式構成：將元件晶片70之檢查區域75之對應圖像(參照圖5)與預先記憶之良品之元件晶片70之圖像(參照圖4)加以比較，藉此檢測元件晶片70之缺陷90，並且判定元件晶片70為良品抑或為不良品。再者，關於控制部50之詳細動作將於下文加以敍述。 又，缺陷檢查裝置100包含記憶部60。於記憶部60記憶有良品之元件晶片70之圖像。 (元件晶片之製造方法) 參照圖3及圖4，對元件晶片70之製造方法進行說明。 首先，如圖3所示，於包含SUS等之台部80之表面上，配置具有柔軟性之膜狀之片狀構件81。然後，於片狀構件81之表面上配置基板(晶圓)82。再者，藉由於基板(晶圓)82之表面上形成包含半導體等之元件，而構成切斷前元件晶片83。 又，如圖4所示，元件形成於基板81之表面上之特定區域(有效區域71)。有效區域71設置有複數個，且配置為矩陣狀。再者，複數個有效區域71之間為未形成元件之區域(周緣區域72、切斷區域73)。又，有效區域71具有大致矩形形狀。 然後，沿著通過鄰接之有效區域71之大致中央(切斷區域73之大致中央)之切斷線(劃線)C而將基板81切斷(切晶步驟)。藉此，如圖5所示，形成元件晶片70(70a～70d)。 於元件晶片70a(參照圖5之左上方)中，於中央部配置有形成有元件之有效區域71。又，於有效區域71之周緣(外周)配置有周緣區域72。周緣區域72係元件晶片70中之除有效區域71以外之部分。又，周緣區域72係藉由切晶步驟被切斷(切掉)之切斷區域73中未被切斷而殘留之部分。再者，元件晶片70(周緣區域72之外形)具有大致矩形形狀。 又，於切晶步驟中，基板81係藉由切刀等而切斷，因此存在如元件晶片70b(參照圖5之左下方)般於周緣區域72產生缺陷90之情形。例如，產生缺損90a(缺口)、及龜裂90b(裂痕)。再者，於元件晶片70b中，實線所示之缺損90a及龜裂90b表示未達有效區域71之例。又，虛線所示之缺損90a表示到達有效區域71之例。 又，雖基板81係沿著切斷線C而切斷，但存在由於切晶裝置之精度而導致元件晶片70之切斷位置有所偏差之情形。因此，存在沿著大致矩形形狀之有效區域71之各邊而設置之周緣區域72之寬度互不相同之情形。例如，於元件晶片70c(參照圖5之右上方)中，周緣區域72中配置於有效區域71之Y2方向側之部分72b之沿著Y方向的寬度W2大於配置於有效區域71之Y1方向側之部分72a之沿著Y方向的寬度W1。即，寬度W2大於被準確切斷之周緣區域72之寬度W3(參照元件晶片70a、圖5之左上方)。又，於元件晶片70c中，表示於周緣區域72產生缺損90a及龜裂90b之例。又，元件晶片70c之缺損90a及龜裂90b未達有效區域71。 又，於元件晶片70d(參照圖5之右下方)中，周緣區域72中配置於有效區域71之Y1方向側之部分72c之沿著Y方向的寬度W4小於配置於有效區域71之Y2方向側之部分72d之沿著Y方向的寬度W5。即，寬度W4小於被準確切斷之周緣區域72之寬度W3(參照元件晶片70a、圖5之左上方)。 繼而，於切晶步驟後，擴張片狀構件81，藉此使各元件晶片70間之間隔擴大(擴張步驟)。 (良品之元件晶片之圖像) 其次，參照圖4，對與成為檢查對象之元件晶片70進行比較之良品之元件晶片70之圖像進行說明。 此處，於本實施形態中，良品之元件晶片70之圖像係切斷前之切斷前元件晶片83之、與1個元件晶片70對應之部分之圖像(圖4之粗虛線所包圍之元件晶片70之圖像)；上述切斷前元件晶片83包括複數個有效區域71、及包含設置於複數個有效區域71之間之周緣區域72之切斷區域73，上述1個元件晶片70於有效區域71及周緣區域72兩者中至少包含周緣區域72(於本實施形態中包含有效區域71及周緣區域72兩者)。即，良品之元件晶片70之圖像係切晶步驟之前之切斷前元件晶片83之圖像。具體而言，切斷前元件晶片83包含複數個有效區域71、及有效區域71之間之切斷區域73(周緣區域72)。而且，良品之元件晶片70之圖像係與包含1個有效區域71、及包圍該有效區域71外周之切斷區域73(具有寬度W5之切斷區域73)之1個元件晶片70對應之部分之圖像。即，良品之元件晶片70之圖像之周緣區域72係自良品之元件晶片70之圖像中所包含之有效區域71至鄰接之有效區域71為止之區域。即，良品之元件晶片70之圖像之周緣區域72係周緣區域72所能達到之寬度中最大之寬度。 (缺陷檢查裝置之檢查前之動作) 其次，參照圖6～圖8，對缺陷檢查裝置100(控制部50)之檢查前之動作進行說明。 ＜切斷前元件晶片之搬送＞ 首先，如圖6所示，於步驟S1中，將切斷前元件晶片83自特定位置搬送至缺陷檢查裝置100之載置台30上(參照圖1)。 ＜全域對準＞ 繼而，於步驟S2中，進行切斷前元件晶片83之全域對準。即，決定切斷前元件晶片83之角度及中心位置。 ＜良品之元件晶片之圖像之製作準備＞ 繼而，於步驟S3中，進行良品之元件晶片70之圖像之製作。具體而言，如圖7所示，於步驟S31中，藉由攝像部40，而拍攝切斷前元件晶片83整體。繼而，於步驟S32中，設定切斷前元件晶片83整體之圖像之有效區域71。 繼而，於步驟S33中，設定禁止進入區域。再者，所謂禁止進入區域係與有效區域71大致相同之區域，且係絕不可容缺陷90進入之區域。即，於禁止進入區域侵入有缺陷90之元件晶片70為不良品。 繼而，於步驟S34中，設定周緣區域72(切斷區域73)。 繼而，於步驟S35中，設定用以檢測有效區域71(禁止進入區域)之、有效區域71內之元件等之對準標記。繼而，於步驟S36中，設定並保存檢測周緣區域72之外側之邊緣74之參數、及其他參數。 ＜良品之元件晶片之圖像之製作＞ 繼而，如圖6所示，於步驟S4中，進行良品之元件晶片70之圖像之製作。具體而言，如圖8所示，於步驟S41中，叫出各種參數。 繼而，於步驟S42中，使攝像部40移動至切斷前元件晶片83中之目標元件晶片70(有效區域71、周緣區域72)之上方。繼而，於步驟S43中，拍攝目標元件晶片70(有效區域71、周緣區域72)。 繼而，於步驟S44中，基於所登記之有效區域71內之元件等之對準標記，而對準有效區域71及周緣區域72。具體而言，於基於對準標記檢測出有效區域71後，基於所檢測出之有效區域71之座標來檢測周緣區域72(參照具有寬度W5之周緣區域、圖4)。繼而，於步驟S45中，將有效區域71之圖像記憶於記憶部60。又，於步驟S46中，將周緣區域72之圖像記憶於記憶部60。再者，步驟S42～S46係以與目標元件晶片70(有效區域71、周緣區域72)之個數相等之次數反覆進行。 繼而，於步驟S47中，製作良品之有效區域71之圖像。具體而言，將於步驟S42～S46中複數個被記憶之有效區域71之圖像之各者之每一像素的亮度平均。繼而，藉由以平均之亮度構成之像素，製作良品之有效區域71之圖像。 繼而，於步驟S48中，製作良品之周緣區域72之圖像。具體而言，將於步驟S42～S46中記憶之複數個周緣區域72之圖像各自之每一像素的亮度平均。繼而，藉由以平均之亮度構成之像素，製作良品之周緣區域72之圖像。 繼而，於步驟S49中，將良品之有效區域71之圖像、及良品之周緣區域72之圖像作為良品之元件晶片70之圖像而保存於記憶部60。 繼而，如圖6所示，於步驟S5中，將切斷前元件晶片83收納於特定位置。 (缺陷檢查裝置之檢查時之動作) 其次，參照圖9～圖11，對缺陷檢查裝置100(控制部50)之檢查時之動作進行說明。再者，控制部50係申請專利範圍之「邊緣檢測部」、「有效區域檢測部」、「檢查區域決定部」、「缺陷檢測部」、「缺陷種類判別部」及「良品判定部」之一例。 ＜元件晶片之搬送＞ 首先，如圖9所示，於步驟S11中，將成為檢查對象之元件晶片70(切晶步驟後、或擴張步驟後之元件晶片70)自特定位置搬送至缺陷檢查裝置100之載置台30上(參照圖1)。 ＜全域對準＞ 繼而，於步驟S12中，進行元件晶片70之全域對準。即，決定元件晶片70之角度及中心位置。 ＜元件晶片之檢查＞ 繼而，於步驟S13中，進行元件晶片70之檢查。具體而言，如圖10所示，於步驟S131中，叫出各種參數。 繼而，於步驟S132中，讀出良品之有效區域71之圖像。又，於步驟S133中，讀出良品之周緣區域72之圖像。 繼而，於步驟S134中，使攝像部40移動至成為檢查對象之元件晶片70之上方。繼而，於步驟S135中，藉由攝像部40，而拍攝成為檢查對象之元件晶片70。 繼而，於步驟S136中，基於所登記之有效區域71內之元件等之對準標記，而對準成為檢查對象之元件晶片70之有效區域71。即，於本實施形態中，將周緣區域72及有效區域71作為用以檢查元件晶片70之缺陷之檢查區域75。 繼而，於步驟S137中，進行有效區域71之檢查。具體而言，將良品之有效區域71之圖像之每一像素的亮度與成為檢查對象之元件晶片70之有效區域71之圖像之每一像素的亮度加以比較。 繼而，於步驟S138中，進行周緣區域72之檢查。具體而言，如圖11所示，於本實施形態中，於步驟S141中，基於由攝像部40拍攝所得之元件晶片70之圖像，檢測元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74(參照圖5)。具體而言，求出圖像之每一像素之亮度。繼而，於像素中，沿著X方向(及Y方向)掃描亮度，而檢測出亮度急遽變化之像素附近作為元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74。 繼而，於步驟S142中，除去於步驟S141中檢測出之邊緣74之雜訊。具體而言，於切晶步驟後之元件晶片70中，存在於邊緣74附近產生缺損90a或龜裂90b之情形。於此情形時，所檢測出之邊緣74於缺損90a或龜裂90b之部分不成為直線狀。因此，將缺損90a或龜裂90b之部分自邊緣74之資料除去。繼而，於步驟S143中，根據除去雜訊後之邊緣74之資料，以邊緣74成為大致直線狀之方式，再次檢測邊緣74。 繼而，於本實施形態中，基於所檢測出之周緣區域72之外側之邊緣74及有效區域71，決定用以檢查元件晶片70之缺陷之檢查區域75。例如，將較於像素中檢測出之元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74的像素向內側靠2或3像素之像素決定為檢查區域75(參照圖5)。 藉由如此地基於元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74來決定檢查區域75，即便於如圖5(參照右上方)所示之元件晶片70c般周緣區域72之部分72b之寬度W2較大之情形時，元件晶片70c之大致整個區域亦均成為檢查區域75。即，如檢查區域75a固定之情形(參照圖5之虛線)般周緣區域72之部分72b之Y2方向側之端部成為檢查區域75外之情況得到抑制。即，缺損90a及龜裂90b之部分亦成為檢查區域75內。 又，即便於如圖5(參照右下方)所示之元件晶片70d般周緣區域72之部分72c之寬度W4較小之情形時，元件晶片70d之大致整個區域亦成為檢查區域75。即，如檢查區域75a為固定之情形(參照圖5之虛線)般超出周緣區域72之部分72c之Y1方向側之端部(邊緣74)的部分包含於檢查區域75之情況得到抑制。 繼而，於步驟S144中，進行缺陷90之檢測。具體而言，將良品之周緣區域72之圖像之每一像素的亮度與成為檢查對象之元件晶片70之周緣區域72之圖像之每一像素的亮度加以比較。然後，檢測元件晶片70之缺陷90。例如，算出良品之周緣區域72之圖像之每一像素的亮度與成為檢查對象之元件晶片70之圖像之每一像素的亮度之差，若該差(絕對值)大於特定閾值，則判定為缺陷90。再者，亦檢測缺陷90之位置(座標)。 此處，存在良品之元件晶片70之圖像與成為檢查對象之元件晶片70之圖像大小互不相同之情形。另一方面，於良品之元件晶片70之圖像與成為檢查對象之元件晶片70之圖像中，兩者之有效區域71之大小大致相同。即，周緣區域72互不相同。因此，於成為檢查對象之元件晶片70之圖像中，以有效區域71為基準而檢測周緣區域72之大小(範圍)，並以與該大小(範圍)對應之方式，決定良品之元件晶片70之圖像中之周緣區域72之大小(範圍)。藉此，能夠使良品之元件晶片70之圖像之大小與成為檢查對象之元件晶片70之圖像之大小相對應。 繼而，於步驟S145中，判斷所檢測出之缺陷90是否已進入至禁止進入區域(有效區域71)。又，判斷所檢測出之缺陷90是否涉及邊緣74(是否自邊緣74延伸)。 繼而，於步驟S146中，基於所檢測出之缺陷90之形狀(長度、縱橫比、面積、亮度等)，判別缺陷90之種類。例如，基於所檢測出之缺陷90之形狀，判別是否為缺損90a、或是否為龜裂90b。 此處，於本實施形態中，於判別出缺陷90為元件晶片70之缺損90a之情形時，若缺損90a(自邊緣74延伸之缺損90a)到達有效區域71(圖5左下方之元件晶片70b之虛線所示之缺損90a)，則判定元件晶片70為不良品。另一方面，若缺損90a未達有效區域71(圖5左下方之元件晶片70b之實線所示之缺損90a、圖5右上方之元件晶片70c之缺損90a)，則將元件晶片70判定為良品。其原因在於：未達有效區域71之缺損90a未來發展至有效區域71之可能性較小。 又，於本實施形態中，於判別出缺陷90為元件晶片70之龜裂90b之情形時，無論龜裂90b(自邊緣74延伸之龜裂90b)是否到達有效區域71，均判定元件晶片70為不良品。即，圖5左下方之元件晶片70b及圖5右上方之元件晶片70c因產生龜裂90b，而被判定為不良品。其原因在於：儘管龜裂90b未達有效區域71，但龜裂90b未來發展至有效區域71之可能性較高。 又，圖5右下方之元件晶片70d雖然周緣區域72之Y1方向側之部分72c以寬度W4變小之方式被切斷但未產生缺陷90，故而被判定為良品。 再者，於缺陷90未自邊緣74延伸之情形時，判定元件晶片70為良品。即，將缺陷90判別為元件晶片70上之異物。 再者，步驟S134～步驟S138係以與成為檢查對象之元件晶片70之個數相等之次數反覆進行。繼而，於步驟S139中，將檢查結果保存於記憶部60。 最後，如圖9所示，於步驟S15中，將元件晶片70收納於特定位置。 (本實施形態之效果) 其次，對本實施形態之效果進行說明。 於本實施形態中，如上所述，包含控制部50，其基於所檢測出之周緣區域72之外側之邊緣74及有效區域71，決定用以檢查元件晶片70之缺陷90之檢查區域75。藉此，能夠使檢查區域75與元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74(元件晶片70之大小)相對應地變化，故而與檢查區域75固定之情形時不同，能夠抑制缺陷90之漏檢。又，藉由使檢查區域75與元件晶片70之大小相對應地變化，即便於元件晶片70之端部被切斷之情形時，被切斷部分亦成為檢查區域75外。藉此，能夠抑制因端部被切斷後之元件晶片70之圖像與預先所記憶之良品之元件晶片70之圖像不同而引起之缺陷90誤檢。如此，能夠抑制缺陷90之漏檢、或缺陷90之誤檢。 又，於本實施形態中，如上所述，良品之元件晶片70之圖像係切斷前之切斷前元件晶片83之、與1個元件晶片70對應之部分之圖像；上述切斷前元件晶片83包括複數個有效區域71、及包含設置於複數個有效區域71之間之周緣區域72之切斷區域73，上述1個元件晶片70於有效區域71及周緣區域72兩者中至少包含周緣區域72(於本實施形態中包含有效區域71及周緣區域72兩者)。此處，於使檢查區域75與元件晶片70之周緣區域72之外側之邊緣74(元件晶片70之大小)相對應地變化之情形時，於使用切斷後之元件晶片70之圖像作為良品之元件晶片70之圖像時，存在檢查區域75之大小(成為檢查對象之元件晶片70之大小)與切斷後之元件晶片70之大小不同之情形。於此情形時，即便將成為檢查對象之元件晶片70之檢查區域75之對應圖像與切斷後之良品之元件晶片70之圖像加以比較，亦難以準確地判斷缺陷90之有無。因此，藉由如上所述，使用切斷前之切斷前元件晶片83之、與包含有效區域71及周緣區域72之1個元件晶片70對應之部分之圖像作為良品之元件晶片70之圖像，能夠將與成為檢查對象之元件晶片70之檢查區域75之大小相對應之切斷前元件晶片83之圖像(與包含有效區域71及周緣區域72之1個元件晶片70對應之部分之圖像)用作良品之元件晶片70之圖像。其結果，能夠準確地判斷缺陷90之有無。 又，於使用切斷後之元件晶片70之圖像作為良品之元件晶片70之圖像之情形時，存在於切斷後之元件晶片70包含缺陷90之情形。又，於將切斷前元件晶片83切斷之情形時，存在由於切斷裝置(切晶裝置等)之精度而導致元件晶片70之切斷位置有所偏差之情形。即，於使用切斷後之元件晶片70之圖像作為良品之元件晶片70之圖像之情形時，存在作為與成為檢查對象之元件晶片70進行比較之良品之圖像不合適之情形。因此，藉由使用切斷前元件晶片83之圖像作為良品之元件晶片70之圖像，能夠容易地獲得適當之良品之圖像。 又，於本實施形態中，如上所述，控制部50基於所檢測出之缺陷90之形狀而判別缺陷90之種類，並且基於所判別出之缺陷90之種類、及缺陷90相對於有效區域71之位置，而判定元件晶片70為良品抑或為不良品。此處，存在即便於存在缺陷90之情形時亦將元件晶片70視為良品之情形。因此，藉由基於缺陷90之種類、及缺陷90相對於有效區域71之位置來判定元件晶片70為良品抑或為不良品，能夠抑制僅因存在缺陷90便將良品之元件晶片70判定為不良品之情況。 又，於本實施形態中，如上所述，於控制部50基於缺陷90之形狀而判別出缺陷90為元件晶片70之缺損90a之情形時，若缺損90a到達有效區域71，則將元件晶片70判定為不良品，若缺損90a未達有效區域71，則將元件晶片70判定為良品。此處，缺損90a未來變大(缺損90a自周緣區域72逐漸發展至有效區域71)之可能性相對較小。因此，藉由若缺損90a未達有效區域71則將元件晶片70判定為良品，能夠抑制僅因存在缺損90a便將良品之元件晶片70判定為不良品之情況。 又，於本實施形態中，如上所述，於控制部50基於缺陷90之形狀而判別出缺陷90為元件晶片70之龜裂90b之情形時，無論龜裂90b是否到達有效區域71，均將元件晶片70判定為不良品。此處，龜裂90b未來變大(龜裂90b自周緣區域72逐漸發展至有效區域71)之可能性相對較大。因此，藉由無論龜裂90b是否到達有效區域71均將元件晶片70判定為不良品，能夠預先將儘管當前為良品但未來會成為不良品之元件晶片70排除。 [變化例] 再者，應認為此次所揭示之實施形態及實施例於所有方面均為例示而並非限制性者。本發明之範圍並非由上述實施形態及實施例之說明表示而由申請專利範圍表示，進而包含與申請專利範圍均等之意義及範圍內之所有變更(變化例)。 例如，於上述實施形態中，表示了控制部進行邊緣之檢測、有效區域之檢測、檢查區域之決定、缺陷之檢測、缺陷種類之判別、及良品之判定之例，但本發明並不限於此。例如，亦可藉由控制部以外之部分，分別進行邊緣之檢測、有效區域之檢測、檢查區域之決定、缺陷之檢測、缺陷種類之判別、及良品之判定。 又，於上述實施形態中，表示了藉由將元件晶片之檢查區域之對應圖像(亮度)與良品之元件晶片之圖像(亮度)之差是否大於特定閾值加以比較而檢測元件晶片之缺陷之例，但本發明並不限於此。例如，亦可藉由除將亮度之差是否大於特定閾值加以比較之方法以外之方法，檢測元件晶片之缺陷。 又，於上述實施形態中，表示了檢測缺損及龜裂作為缺陷之例，但本發明並不限於此。例如，亦可檢測除缺損及龜裂以外之缺陷(膜剝離等)。 又，於上述實施形態中，表示了無論龜裂是否到達有效區域均將元件晶片判定為不良品之例，但本發明並不限於此。例如，亦可為只要龜裂之延長線不涉及有效區域便將元件晶片判定為良品。 又，於上述實施形態中，表示了禁止進入區域與有效區域大致相同之例，但本發明並不限於此。例如，亦可使禁止進入區域與有效區域不同。 又，於上述實施形態中，表示了將有效區域與周緣區域兩者作為檢查區域之例，但本發明並不限於此。例如，亦可如圖12所示，不將有效區域171作為檢查區域，而僅將周緣區域172作為檢查區域175(圖12之斜線所示之部分)。於此情形時，良品之元件晶片之圖像成為僅包含周緣區域之切斷前的切斷前元件晶片之圖像。
10‧‧‧移動台
11‧‧‧X軸滑塊
12‧‧‧Y軸滑塊
20‧‧‧台部
30‧‧‧載置台
40‧‧‧攝像部
41‧‧‧鏡筒
42‧‧‧半反射鏡
43‧‧‧物鏡
44‧‧‧攝像機
44a‧‧‧受光元件
50‧‧‧控制部(邊緣檢測部、有效區域檢測部、檢查區域決定部、缺陷檢測部、缺陷種類判別部、良品判定部)
60‧‧‧記憶部
70‧‧‧元件晶片
70a‧‧‧元件晶片
70b‧‧‧元件晶片
70c‧‧‧元件晶片
70d‧‧‧元件晶片
71‧‧‧有效區域
72‧‧‧周緣區域
72a‧‧‧配置於有效區域之Y1方向側之部分
72b‧‧‧配置於有效區域之Y2方向側之部分
72c‧‧‧配置於有效區域之Y1方向側之部分
72d‧‧‧配置於有效區域之Y2方向側之部分
73‧‧‧切斷區域
74‧‧‧邊緣
75‧‧‧檢查區域
75a‧‧‧檢查區域
80‧‧‧台部
81‧‧‧片狀構件
82‧‧‧基板(晶圓)
83‧‧‧切斷前元件晶片
90‧‧‧缺陷
90a‧‧‧缺損
90b‧‧‧龜裂
100‧‧‧缺陷檢查裝置
171‧‧‧有效區域
172‧‧‧周緣區域
175‧‧‧檢查區域
C‧‧‧切斷線
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
W5‧‧‧寬度
圖1係本發明之一實施形態之缺陷檢查裝置之整體圖。 圖2係用以說明本發明之一實施形態之缺陷檢查裝置之攝像部之動作之圖。 圖3係表示切斷前元件晶片之圖。 圖4係圖3之局部放大圖(表示良品之元件晶片之圖)。 圖5係表示切斷後之元件晶片之圖。 圖6係用以說明本發明之一實施形態之缺陷檢查裝置之檢查前之動作之流程圖。 圖7係用以說明良品之元件晶片之圖像之製作之準備之流程圖。 圖8係用以說明良品之元件晶片之圖像之製作之流程圖。 圖9係用以說明本發明之一實施形態之缺陷檢查裝置之檢查時之動作之流程圖。 圖10係用以說明成為檢查對象之元件晶片之檢查之流程圖。 圖11係用以說明周緣區域之檢查之流程圖。 圖12係表示本實施形態之變化例之檢查區域之圖。
70‧‧‧元件晶片
70a‧‧‧元件晶片
70b‧‧‧元件晶片
70c‧‧‧元件晶片
70d‧‧‧元件晶片
71‧‧‧有效區域
72‧‧‧周緣區域
72a‧‧‧配置於有效區域之Y1方向側之部分
72b‧‧‧配置於有效區域之Y2方向側之部分
72c‧‧‧配置於有效區域之Y1方向側之部分
72d‧‧‧配置於有效區域之Y2方向側之部分
74‧‧‧邊緣
75‧‧‧檢查區域
75a‧‧‧檢查區域
90‧‧‧缺陷
90a‧‧‧缺損
90b‧‧‧龜裂
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
W5‧‧‧寬度

Claims (6)

  1. 一種缺陷檢查裝置，其包含：攝像部，其對包含形成有元件之有效區域、及設置於上述有效區域之周緣之周緣區域之元件晶片進行拍攝； 邊緣檢測部，其基於由上述攝像部拍攝所得之上述元件晶片之圖像，檢測上述元件晶片之上述周緣區域之外側之邊緣； 有效區域檢測部，其基於由上述攝像部拍攝所得之上述元件晶片之圖像，檢測上述元件晶片之上述有效區域； 檢查區域決定部，其基於所檢測出之上述周緣區域之外側之邊緣及上述有效區域，決定用以檢查上述元件晶片之缺陷之檢查區域；以及 缺陷檢測部，其藉由將上述元件晶片之上述檢查區域之對應圖像與預先所記憶之良品之上述元件晶片之圖像加以比較，而檢測上述元件晶片之缺陷。
  2. 如請求項1之缺陷檢查裝置，其中良品之上述元件晶片之圖像係切斷前之切斷前元件晶片之與1個上述元件晶片對應之部分之圖像；上述切斷前元件晶片包括複數個上述有效區域、及包含設置於複數個上述有效區域之間之上述周緣區域之切斷區域，上述1個上述元件晶片於上述有效區域及上述周緣區域兩者中至少包含上述周緣區域。
  3. 如請求項1或2之缺陷檢查裝置，其進而包含：缺陷種類判別部，其基於所檢測出之上述缺陷之形狀，判別上述缺陷之種類；及 良品判定部，其基於由上述缺陷種類判別部所判別出之上述缺陷之種類、及上述缺陷相對於上述有效區域之位置，判定上述元件晶片為良品抑或為不良品。
  4. 如請求項3之缺陷檢查裝置，其以如下方式構成：於上述缺陷種類判別部基於上述缺陷之形狀而判別出上述缺陷為上述元件晶片之缺損之情形時，上述良品判定部於上述缺損到達上述有效區域之情形時將上述元件晶片判定為不良品，於上述缺損未達上述有效區域之情形時將上述元件晶片判定為良品。
  5. 如請求項3之缺陷檢查裝置，其以如下方式構成：於上述缺陷種類判別部基於上述缺陷之形狀而判別出上述缺陷為上述元件晶片之龜裂之情形時，上述良品判定部無論上述龜裂是否到達上述有效區域，均將上述元件晶片判定為不良品。
  6. 如請求項4之缺陷檢查裝置，其以如下方式構成：於上述缺陷種類判別部基於上述缺陷之形狀而判別出上述缺陷為上述元件晶片之龜裂之情形時，上述良品判定部無論上述龜裂是否到達上述有效區域，均將上述元件晶片判定為不良品。
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