JPH09293761A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

半導体チップの製造方法

Info

Publication number
JPH09293761A
JPH09293761A JP10260296A JP10260296A JPH09293761A JP H09293761 A JPH09293761 A JP H09293761A JP 10260296 A JP10260296 A JP 10260296A JP 10260296 A JP10260296 A JP 10260296A JP H09293761 A JPH09293761 A JP H09293761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor chips
semiconductor chip
defective semiconductor
wafer sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10260296A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuaki Oka
光明 岡
Akira Akamatsu
あきら 赤松
Takahito Odawara
崇人 小田原
Yoshio Murakami
義夫 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP10260296A priority Critical patent/JPH09293761A/ja
Publication of JPH09293761A publication Critical patent/JPH09293761A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 略円形のウエハー1を、その裏面にウエハー
シート3を貼着した状態で碁盤目状に切断して各半導体
チップ2ごとに分割すると言う半導体チップの製造方法
において、ウエハー1の外周等に発生する不良品の半導
体チップを、前記ウエハーシートから取り除くことが、
良品の半導体チップを損傷することなく、容易にできる
ようにする。 【手段】 前記ウエハー1の周囲等における不良品の半
導体チップに紫外線硬化樹脂を塗布し、この紫外線硬化
樹脂を、紫外線の照射にて硬化したのち前記ウエハーシ
ート3から剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード又はト
ランジスター等の電子部品に使用される半導体チップ
を、略円形のウエハーを使用して製造する方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種の半導体チップは、従来
から良く知られているように、略円形状のウエハーの表
面のうち各半導体チップの箇所に回路素子を、適宜の薄
膜形成方法等にて形成し、次いで、このウエハーを、そ
の裏面にウエハーシートを貼着したのち、回転するダイ
シングカッターで碁盤目状に切断することによって、各
半導体チップごとに分割し、そして、各半導体チップ
を、その各々の性能を検査したのち、前記ウエハーシー
トから剥離すると言うようにして製造される。
【0003】このように半導体チップは、略円形状のウ
エハーをその裏面にウエハーシートを貼着した状態で碁
盤目状に切断することによって製造されるものであるか
ら、前記ウエハーにおける周囲の部分には、所定の形状
になっていない不良品の半導体チップが多数個できるこ
とになるばかりか、前記ウエハーの表面のうち一部の領
域には、所定の性能に達していない不良品の半導体チッ
プがまとまって発生する場合があるから、従来は、これ
ら所定の形状になっていないか、所定の性能に達してい
ない不良品の半導体チップを、ウエハーシートから取り
除いたのち、良品の半導体チップを、ウエハーシートか
ら剥離するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来は、ウエ
ハーシートからの前記不良品半導体チップの取り除き
を、作業者がピンセットを使用して、一個ずつ取り除く
ようにしていることにより、これに多大の手数を必要と
するばかりか、不良品半導体チップをピンセットにて取
り除くに際して、これに隣接の良品の半導体チップを損
傷することが多発し、歩留り率の低下を招来するから、
コストが大幅にアップすると言う問題があった。
【0005】また、前記ウエハーにて半導体チップの多
数個を製造する場合には、各半導体チップの各々の性能
が所定に達している場合でも、ウエハーのうち或る領域
における各半導体チップと、他の領域における半導体チ
ップとの間で、性能のランクが相違する場合がある。こ
のような場合にも、従来は、各ランク領域の境界に位置
する半導体チップを、作業者がピンセットを使用して、
一個ずつ取り除いて、各ランク領域ごとに分けるように
していることにより、これまた、多大の手数を必要とす
るばかりか、良品の半導体チップを損傷することが多発
し、歩留り率の低下を招来するから、コストが大幅なア
ップすると言う問題があった。
【0006】本発明は、これらの問題を解消した製造方
法を提供することを技術的課題とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の「請求項1」は、「略円形のウエハーの
表面のうち各半導体チップの箇所に回路素子を形成し、
次いで、このウエハーを、その裏面にウエハーシートを
貼着し、この状態で碁盤目状に切断して各半導体チップ
ごとに分割し、次いで、前記ウエハーにおける各半導体
チップのうち、ウエハーの周囲において所定の形状にな
っていない不良品の半導体チップ、及び、所定の性能に
なっていない不良品の半導体チップに、紫外線硬化樹脂
を塗布し、この紫外線硬化樹脂を、紫外線の照射にて硬
化したのち前記ウエハーシートから剥離することを特徴
とする。」ものである。
【0008】また、本発明の「請求項2」は、「略円形
のウエハーの表面のうち各半導体チップの箇所に回路素
子を形成し、次いで、このウエハーを、その裏面にウエ
ハーシートを貼着し、この状態で碁盤目状に切断して各
半導体チップごとに分割し、次いで、前記ウエハーにお
ける各半導体チップのうち、ウエハーの周囲において所
定の形状になっていない不良品の半導体チップ、及び、
性能のランクが相違する領域の境界に位置する半導体チ
ップに、紫外線硬化樹脂を塗布し、この紫外線硬化樹脂
を、紫外線の照射にて硬化したのち前記ウエハーシート
から剥離することを特徴とする。」ものである。
【0009】
【発明の作用・効果】このように、ウエハーにおける各
半導体チップのうち、ウエハーの周囲において所定の形
状になっていない不良品の半導体チップ、及び、所定の
性能になっていない不良品の半導体チップ、又は性能の
ランクが相違する領域の境界に位置する半導体チップ
に、紫外線硬化樹脂を塗布し、この紫外線硬化樹脂を、
紫外線の照射にて硬化したのち前記ウエハーシートから
剥離することにより、ウエハーの周囲において所定の形
状になっていない不良品の半導体チップ、及び、所定の
性能になっていない不良品の半導体チップ、又は性能の
ランクが相違する領域の境界に位置する半導体チップ
を、ウエハーシートから一挙に取り除くことができる。
【0010】従って、本発明によると、ウエハーシート
から不良品の半導体チップを取り除くことを、良品の半
導体チップを損傷することなく、容易に能率良く行うこ
とができるから、コストを大幅に提言できる効果を有す
る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
について説明する。図1〜図4は、「請求項1」に対す
る実施形態を示す。この図1において、符号1は、シリ
コンウエハーを示し、このシリコンウエハー1の表面の
うち各半導体チップ2の箇所に回路素子を各々形成した
のち、このシリコンウエハー1の裏面に、ウエハーシー
ト3を貼着する。
【0012】次いで、前記シリコンウハエー1を、回転
するダイシングカッターで碁盤目状に切断したのち、前
記ウエハーシート3を、図2に示すように、X方向とY
方向とに延伸することにより、各半導体チップ2ごとに
分割したのち、各半導体チップ2の性能を検査する。そ
して、次の工程において、前記シリコンウハエー1の外
周形状をカメラにて認識して、前記シリコンウハエー1
の外周において所定の形状になっていない不良品の半導
体チップ及び、前記性能検査において所定の性能に達し
ていないと判別された不良品の半導体チップに対して、
図3に示すように、紫外線硬化樹脂A1,A2,A3を
塗布する。
【0013】次いで、前記紫外線硬化樹脂A1,A2,
A3を、紫外線の照射によって硬化したのち、この紫外
線硬化樹脂A1,A2,A3を、前記ウエハーシート3
から剥離することにより、図4に示すように、ウエハー
シート3に良品の半導体チップ2のみを残して、前記不
良品の半導体チップの全てを、ウエハーシート3から一
挙に取り除くことができるのである。
【0014】次に、図5〜図7は、「請求項1」に対す
る実施形態を示す。図5において、シリコンウエハー1
のうち、平行斜線を施した領域と、平行斜線を施してい
ない領域とでは、各半導体チップ2における性能のラン
クが相違する場合である。この場合には、前記シリコン
ウハエー1の外周形状をカメラにて認識して、前記シリ
コンウハエー1の外周において所定の形状になっていな
い不良品の半導体チップ、及び、前記平行斜線を施した
領域と平行斜線を施していない領域との境界に位置する
各半導体チップに対して、図6に示すように、紫外線硬
化樹脂A1,A4を塗布する。
【0015】そして、前記紫外線硬化樹脂A1,A4
を、紫外線の照射によって硬化したのち、この紫外線硬
化樹脂A1,A4を、前記ウエハーシート3から剥離す
ることにより、図7に示すように、前記不良品の半導体
チップ、及び、前記平行斜線を施した領域と平行斜線を
施していない領域との境界に位置する各半導体チップの
全てを、ウエハーシート3から一挙に取り除くことがで
き、これによって、ウエハーシート3に良品の半導体チ
ップ2のみを残すことができると共に、各ランク領域ご
とに分けることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における第1の実施形態を示すシリコン
ウエハーの斜視図である。
【図2】前記シリコンウエハーを各半導体チップごとに
分割した状態の斜視図である。
【図3】前記シリコンウエハーに紫外線硬化樹脂を塗布
した状態の斜視図である。
【図4】前記紫外線硬化樹脂を除去した状態の斜視図で
ある。
【図5】本発明における第2の実施形態を示すシリコン
ウエハーの平面図である。
【図6】前記シリコンウエハーに紫外線硬化樹脂を塗布
した状態の平面図である。
【図7】前記紫外線硬化樹脂を除去した状態の平面図で
ある。
【符号の説明】
1 シリコンウエハー 2 半導体チップ 3 ウエハーシート A1,A2,A3,A4 紫外線硬化樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年4月25日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 義夫 岡山県笠岡市富岡100番地 ワコー電器株 式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】略円形のウエハーの表面のうち各半導体チ
    ップの箇所に回路素子を形成し、次いで、このウエハー
    を、その裏面にウエハーシートを貼着し、この状態で碁
    盤目状に切断して各半導体チップごとに分割し、次い
    で、前記ウエハーにおける各半導体チップのうち、ウエ
    ハーの周囲において所定の形状になっていない不良品の
    半導体チップ、及び、所定の性能になっていない不良品
    の半導体チップに、紫外線硬化樹脂を塗布し、この紫外
    線硬化樹脂を、紫外線の照射にて硬化したのち前記ウエ
    ハーシートから剥離することを特徴とする半導体チップ
    の製造方法。
  2. 【請求項2】略円形のウエハーの表面のうち各半導体チ
    ップの箇所に回路素子を形成し、次いで、このウエハー
    を、その裏面にウエハーシートを貼着し、この状態で碁
    盤目状に切断して各半導体チップごとに分割し、次い
    で、前記ウエハーにおける各半導体チップのうち、ウエ
    ハーの周囲において所定の形状になっていない不良品の
    半導体チップ、及び、性能のランクが相違する領域の境
    界に位置する半導体チップに、紫外線硬化樹脂を塗布
    し、この紫外線硬化樹脂を、紫外線の照射にて硬化した
    のち前記ウエハーシートから剥離することを特徴とする
    半導体チップの製造方法。
JP10260296A 1996-04-24 1996-04-24 半導体チップの製造方法 Pending JPH09293761A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10260296A JPH09293761A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 半導体チップの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10260296A JPH09293761A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 半導体チップの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09293761A true JPH09293761A (ja) 1997-11-11

Family

ID=14331791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10260296A Pending JPH09293761A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 半導体チップの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09293761A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108700531A (zh) * 2016-03-07 2018-10-23 东丽工程株式会社 缺陷检查装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108700531A (zh) * 2016-03-07 2018-10-23 东丽工程株式会社 缺陷检查装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6426275B1 (en) Method for manufacturing semiconductor chips using protecting pricing and separating sheets
US6140151A (en) Semiconductor wafer processing method
US20070190749A1 (en) Method for producing semiconductor chip
US7195988B2 (en) Semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device using a separation portion on a peripheral area of the semiconductor wafer
US20040142284A1 (en) Method for dicing wafer
DE102013212440A1 (de) Harzversiegelungsverfahren für Halbleiterchips
JP2007214268A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09293761A (ja) 半導体チップの製造方法
JPH01260451A (ja) ダイシングラインの形成方法
US11791225B2 (en) Semiconductor structure and fabrication method thereof
JP2007036129A5 (ja)
WO2021088378A1 (zh) 半导体结构及其制备方法
JP7050658B2 (ja) 半導体チップの製造方法
CN210575904U (zh) 半导体结构
JP7040146B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20150087207A1 (en) Device wafer processing method
JPH097975A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04249343A (ja) 基板分断方法
DE102023210678A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
JP2005191334A (ja) 半導体ウェーハ
JP2890851B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03187242A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003007743A (ja) Uvテープ及び半導体集積回路パッケージの製造方法
JPH03177050A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07201784A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040406