TW201802991A - 半導體處理腔室 - Google Patents

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Abstract

描述了一種半導體處理裝置，該半導體處理裝置具有：一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室；一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合；一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶；一氣體活化器，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該氣體活化器具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口；一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區，各加熱區具有一嵌式加熱構件；一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。

Description

半導體處理腔室
此發明關於半導體處理腔室。
半導體設備在尺寸上持續縮小。隨著半導體設備的臨界尺度縮小到10 nm以下，正在研究克服在使用如此尺度下的矽的情況下變得明顯的效能問題的新的半導體材料。鍺與矽越來越常被包括作為改良設備之各種部件之半導性質的合金。例如，通道區域、源極汲極區域及用於源極及汲極區域的接點越來越常以矽鍺合金製造。對於邏輯結構來說典型的是，這些區域通常摻有導電性強化材料，例如硼。亦為典型的是，摻雜程序之後是活化程序以減少各種結構的電阻及接取摻雜物的導電性強化特徵。通道及源極/汲極區域一般是在單獨的步驟中摻雜及活化，雖然在某些程序中，這些區域是在一個摻雜步驟及一個熱處理步驟中摻雜及活化。接點區域一般是在後續的步驟中摻雜及活化。這些區域的小尺寸造成了在後續的熱處理期間降解的高可能性。已發現的是，在常用的熱程序是用以活化摻硼的矽鍺（SiGe:B）接點時，通道區域中所誘發的應變可能鬆解，且通道及源極/汲極中的摻雜物剖面可能降解。需要可活化10 nm及更小設備中的經摻雜接點的熱程序。
本文中所述的實施例提供了一種半導體處理裝置，該半導體處理裝置包括：一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室；一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合；一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶；一氣體活化器，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該氣體活化器具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口；一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區；一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
其他實施例提供了一種半導體處理裝置，該半導體處理裝置包括：一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室；一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合；一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶；一氣體活化器，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該氣體活化器具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口；一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區及一基板支撐區域，該基板支撐區域包括從該基板支撐區域延伸的複數個基板支撐面；一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
其他實施例提供了一種半導體處理裝置，該半導體處理裝置包括：一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室；一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合；一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶；一遠端電漿單元，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該遠端電漿單元具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口；一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區及一基板支撐區域，該基板支撐區域包括從該基板支撐區域延伸的複數個基板支撐面；一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
圖1為依據一個實施例之半導體處理裝置100的透視橫截面圖。裝置100包括主體102，該主體具有兩個側壁104及將兩個側壁104耦合在一起的底板108。蓋106可移除地耦合至與底板108相對的主體102。主體102亦具有定義主體內之兩個處理腔室112及114的隔壁110。半導體裝置100可因此被描述為雙腔室裝置。氣體活化器116耦合至蓋106以供向處理腔室112、114提供經活化氣體。通路118經由壁110將處理腔室112、114流體耦合在一起，而氣體活化器116的出口120經由形成於蓋106中的門戶122與該通路流體連通。
各腔室112、114具有基板支架124，為了簡化起見，在圖1中僅圖示該等基板支架中的一者。基板支架124在腔室的中心位置處安置在該腔室裡面。基板支架124具有至少兩個加熱區126及128，各者具有嵌式加熱構件131，該加熱構件可為電阻式構件或流體導管。各基板支架124具有基板支撐區域130。基板支撐區域130的特徵為與要在其上處理的基板相容及與腔室中的處理環境相容的表面材料。示例性材料包括石英及陶瓷，例如氧化鋁及氮化鋁。基板支撐區域130是由圍繞基板支撐區域130的壁132所定義的。基板一般靠在基板支撐區域130上，且可在基板周邊的全部或部分周圍接觸壁。複數個位置特徵134從壁延伸，且在基板被供應至基板支架124時幫助將基板定位至基板支撐區域130上。壁132亦定義基板支架的輪緣136。壁132可具有約1 µm至約500 µm的高度，例如約5 µm至約50 µm，例如約10 µm。
基板支撐區域130具有從基板支撐區域130延伸的複數個基板支撐面138。基板支撐面138被升高至基板支撐區域130上方以提供基板支架124及靠在其上之基板之間的最小接觸。基板支撐面138可具有從約1 µm至約500 µm的高度，例如從約5 µm至約50 µm，例如約25 µm。基板支撐面138可為圓柱形的柱或圓頭的凸緣。
基板支撐區域130亦具有形成於其上的複數個溝槽140。周邊溝槽142在基板支撐區域130的周邊周圍前行，而複數個直線溝槽144從周邊溝槽142朝向基板支撐區域130的中心區域前行。一或更多個門戶146（在圖1的實施例中存在兩個門戶146）被提供在基板支撐區域130的中心區域中以供施加真空。基板支架124為真空夾具，但可使用靜電夾具或另一固定機構。門戶144提供真空源（未圖示）及基板支撐區域130之間的流體連通，以向與基板支撐面138接觸之基板的側施加減少的壓力。氣體在基板支撐面138周圍及沿溝槽140在基板支撐區域130上方流動。在圖1的實施例中，兩個直線溝槽144從各門戶146前行，且一個直線溝槽144從周邊溝槽142的一側向另一側沿基板支架124的直徑前行而接觸兩個門戶146。應注意的是，可使用任何方便的溝槽佈置。
在一個實施例中，基板支架124可在高達450ºC的溫度下運作。此類基板支架124可以可抵擋如此高溫的材料（或複數個材料）製造。在基板支架124以複數個材料製造的情況下，該等材料以可在不降解或分離的情況下抵擋高溫的方式接合。使基板支架的材料能抵抗來自可能由經歷熱處理之基板發射之物質的化學腐蝕，在某些情況下亦是有幫助的。石英及陶瓷（例如氧化鋁及氮化鋁）適用於許多情況。在一個實施例中，基板支架124為單塊的氮化鋁。
基板支架124可具有嵌在基板支架124中的一或更多個溫度感測器以及基板支架124外部的一或更多個溫度感測器。例如，一或更多個熱電耦（未圖示）可嵌在基板支架124中以直接感測基板支架的溫度。替代性或附加性地，電阻式溫度感測器可耦合至用於加熱構件1xx的電源電路。在一個實施例中，熱電耦嵌在基板支架124中以感測外加熱區的溫度，而電阻式溫度感測器用以監測內加熱區的溫度。此類佈置藉由僅在基板支架124的外緣處允許嵌入的熱電耦而簡化了基板支架124，在該外緣處，該等熱電耦可被輕易接取維護。
氣體活化器116在某些情況下可為遠端電漿單元。進氣口150允許氣體流進外殼152且被活化器154供能，這在本質上可能是熱、電氣或輻射的。可使用標準活化器（例如微波、RF及UV活化器）。氣體活化器116為遠端電漿單元，該遠端電漿單元產生流進通路122及流進處理腔室112及114的自由基。氣體活化器116的出口120是高流量出口，以最小化自由基的去活化，使得流進處理腔室的氣體具有高自由基含量。通風道155朝向出口120引導外殼152中之自由基氣體的流動。通風道155可為化學上不起作用的材料，例如石英或陶瓷，例如氧化鋁。
化學上不起作用的襯墊156可安置在通路122中，以在自由基流進處理腔室112、114時最小化壁的重組。襯墊156可為石英，且可附接至通路122的壁或是可移除的。襯墊156具有與氣體活化器116的出口120對準的入口158，以維持從氣體活化器116的外殼152經由通路122（及襯墊156）進入處理腔室112及114的流體連通。若襯墊156是可移除的，則對準特徵可被提供為定位襯墊156，使得入口158與氣體活化器116的出口對準。在圖1的實施例中，可沿襯墊156的外表面提供定位特徵157。在此情況下，定位特徵157是圓形的，但定位特徵157可為用於縱向定位襯墊156的任何方便的形狀。定位特徵157匹配通路122之表面中的凹口159。在圖1的實施例中，襯墊156及通路122兩者在橫截面上是矩形的，使得保證了旋轉對準。在通路122及襯墊156在橫截面上是圓形的實施例中，定位特徵可為從襯墊156的外表面延伸且匹配通路122之表面中的相對應凹口的標籤。
襯墊156可中途沿通路122延伸，或沿通路122的整個長度延伸。在某些情況下，襯墊156可延伸於通路156下方而進入處理腔室112、114。在氣體活化器116用以活化用於基板處理之氣體的實例中，襯底156的末端可定位在基板支架124的邊緣附近，例如在基板支撐區域130的邊緣附近。襯墊156具有從襯墊156的中心到末端的恆定區域流徑。然而，在其他實施例中，襯墊156可具有從中心到末端的擴展的流徑。在圖1的實施例中，通路122的形狀匹配襯墊156的形狀。在襯墊具有擴展的流徑的情況下，通路122可具有從中心向末端擴展的匹配形狀或在襯墊末端處契合襯墊的恆定區域橫截面。
裝置100具有安置在蓋106中的熱控制構件160。熱控制構件160包括經由蓋106而安置的導管（在圖1中是不可見的），該導管在門戶162中結束以供向蓋提供熱控制。導管可收容用於加熱的電阻式構件，或可允許用於加熱或冷卻的傳熱媒質流動。在氣體活化器116產生熱的情況下，可在熱控制構件160中使用冷卻媒質以控制蓋106處的溫度。類似的熱控制構件160圖示於裝置100的底板108中。
基板支架124的特徵為用於向基板支架124中的電氣構件（例如加熱器、溫度感測器及夾持構件）供應電力的導管170。導管170亦可用以向基板支架124供應真空。導管契合進各處理腔室112、114之底板中的開口172以提供外部的接取。基板支架124面向各處理腔室112、114中的蓮蓬頭190，該蓮蓬頭耦合至蓋106。
各處理腔室112、114具有一或更多個襯墊以防止處理腔室112、114之壁處的化學反應及改良腔室的熱均勻性。壁襯墊180（其如圖1中所示地可為圓柱形的）大致保護腔室壁免於化學腐蝕及減少基板支架124周圍的腔室容積。底板襯墊182保護腔室底板108免於化學腐蝕。熱襯墊184亦可被提供為允許加熱襯墊180及182以減少腔室中的熱不均勻性。熱襯墊184可安裝在腔室底板108及底板襯墊182之間，或底板襯墊182可安裝在腔室底板108及熱襯墊184之間。熱襯墊184可包括電阻式加熱構件，且經由處理腔室112、114之底板的連接可向熱襯墊184提供電力。注意，僅裝置100的一個腔室被圖示為具有熱襯墊184，但兩個腔室皆可具有此類熱襯墊。
主體102可被一體地形成為單式物體，或各腔室112、114可具有可耦合在一起的側壁（例如藉由螺栓連接來耦合在一起）以作出具有隔壁的雙腔室佈置。如此實施例中的個別腔室將各具有在腔室耦合在一起時將一起形成通路122的通路。
圖2為裝置100之底板區域的細節圖。圖2包括耦合至裝置100之底板108的特徵，該等特徵未圖示於圖1中。如上所述，開口172允許基板支架124的導管170延伸通過裝置100的底板108。各處理腔室112、114由伸縮管202密封，該等伸縮管由泵送塊204耦合至底板108。泵送塊204具有匹配腔室底板108之開口172的開口203。開口203具有有著複數個泵送門戶207的壁205，該等泵送門戶將氣體接納進入經由泵送塊204的環狀泵送通道。出口206耦合至泵送通道209以供從處理腔室112移除氣體。泵送塊204的結構在基板支架124的導管170周圍提供對稱的中心泵送。
氣體流進處理腔室112、在基板支架124周圍流動且朝向開口172流動。氣體經由基板支架124（圖1）之導管170周圍的開口172離開腔室112。氣體流過泵送塊204的出口206而進入耦合至泵送塊204的腔室排氣管線208。加熱器210可被提供在腔室排氣管線208的部分或全部上以防止腔室排氣管線208中的沉積。各腔室112、114的腔室排氣管線208耦合至腔室泵送管線212，該腔室泵送管線藉由密封的凸緣216連接至真空泵（未圖示），提供高傳導性的泵送路徑。沖洗氣體門戶218可被提供至腔室泵送管線212。
伸縮管202具有用於將沖洗氣體提供進基板支架124之導管170周圍之伸縮管202的沖洗氣體門戶214。沖洗氣體源（未圖示）可耦合至沖洗氣體門戶214以將沖洗氣體流進伸縮管202及向上朝向出口206流動以防止腔室處理氣體在伸縮管202的內表面上形成沉積物。在氣體活化器116（圖1）用以活化清潔氣體的情況下，可中斷流進伸縮管202的沖洗氣體以允許清潔氣體接觸伸縮管202的內表面及移除其上的任何不想要的沉積物。或者，在不需要清潔氣體及伸縮管202間之交互作用的情況下，可維持沖洗氣體流以防止清潔氣體進入伸縮管202。腔室112及114中的各者具有有著上述構件的排氣系統。
圖3為用於裝置100之排氣泵送流的示意圖。管線302將各基板支架124的基板支撐區域130（圖1）連接至作為真空源的腔室泵。管線302被安置通過導管170且連接至腔室泵送管線212。壓力控制器304監控腔壓及基板夾持壓力（在使用真空夾持時）。壓力控制氣體306（一般是非反應性氣體，例如氮、氦或氬）耦合進腔室泵送管線212以針對一致的夾持力而控制安置在基板支架124上之基板的兩個主要面之間的壓力差。流量限制器316提供回壓以允許流量控制。壓力控制器調整管線302中的閥308、腔室泵送管線212中的閥310及312及通往壓力控制氣體306的閥314，以控制壓力差。壓力控制器304在某些情況下可包括閥314。如此，壓力控制器不暴露於離開處理腔室112、114的處理氣體。
圖4為裝置100之處理腔室114之蓋區域的詳細圖。圖4圖示固定至蓋106的蓮蓬頭190（在此情況下是使用螺栓來固定）。O形環404密封蓮蓬頭及蓋之間的介面。經由蓮蓬頭190的孔402允許氣體流過蓮蓬頭而進入腔室114。氣體經由入口門戶406流進蓋而進入擴散器408，該擴散器藉由O形環410抵著蓋106而密封。擴散器408可具有充氣部412及複數個開口414以分佈氣體，因此避免蓮蓬頭190之中心處的流量集中，該流量集中可能造成來自氣體噴流的熱不均勻性。或者，擴散器408可具有多孔表面來將氣體流至蓮蓬頭190。如上所述，處理腔室112、114中的各者具有如圖4中所示的蓮蓬頭。
圖5為裝置100的部分分解圖，其中蓋106及其所有附件被移除以圖示裝置100的內部特徵。通路122及凹口159是可見的，壁襯墊180、底板襯墊182及熱襯墊184亦是如此。處理腔室112被圖示為襯墊180、182被安裝了，而處理腔室114為了明確起見是被圖示為襯墊是被隔開的。基板支架124被圖示為與處理腔室112隔開，且未針對處理腔室114而被圖示。底板襯墊182具有開口506以接納基板支架124的導管170。壁襯墊180具有用以允許基板進入及離開各腔室的開口502，及用於將氣體從通路122（及襯墊156，未圖示於圖5中）流進各腔室的切口504。底板襯墊182亦具有複數個開口508以允許升降銷512向及自基板支撐區域130輸送基板。基板支架124具有與底板襯墊182中之開口508套合的開口510。
圖5的視角相對於圖1的視角是來自裝置100的相對側，且圖示基板接取開口522，處理腔室112、114中的各者有一個基板接取開口。基板接取開口522中的各者的特徵為以複數個群組514群集在一起的複數個沖洗氣體端口516。各沖洗氣體端口516具有相對應的導管518及沖洗氣體入口端口520。沖洗氣體入口端口520定位在主體102的底緣處，且提供用以將沖洗氣體源耦合至主體102的位置。如圖5中所示，主體102具有有著蓋附近的第一邊緣及與第一邊緣相對的第二邊緣的外壁，沖洗氣體門戶形成於外壁的第二邊緣中，且經由外壁的通路將各基板接取開口流體耦合至相對應的沖洗氣體門戶。在處理期間，門覆蓋及密封基板接取開口522，使得流過沖洗氣體入口端口520、導管518及端口516的沖洗氣體流進基板接取開口522及朝向腔室中心處的腔室排氣件流動。這防止了處理氣體累積在基板接取開口522中及在其上沉積材料。
雖然上文是針對本發明的實施例，可自行設計本發明之其他的及進一步的實施例而不脫離本發明的基本範圍，且本發明的範圍是由隨後的請求項所決定的。
1xx‧‧‧加熱構件
100‧‧‧裝置/半導體裝置/半導體處理裝置
102‧‧‧主體
104‧‧‧兩個側壁
106‧‧‧蓋
108‧‧‧腔室底板/底板
110‧‧‧隔壁/壁
112‧‧‧腔室/定義的兩個處理腔室/處理腔室
114‧‧‧腔室/定義的兩個處理腔室/處理腔室
116‧‧‧氣體活化器
118‧‧‧通路
120‧‧‧出口
122‧‧‧通路/門戶
124‧‧‧基板支架
126‧‧‧至少兩個加熱區
128‧‧‧至少兩個加熱區
130‧‧‧基板支撐區域
131‧‧‧嵌式加熱構件
132‧‧‧壁
134‧‧‧位置特徵
136‧‧‧輪緣
138‧‧‧複數個基板支撐面/基板支撐面
140‧‧‧溝槽
142‧‧‧周邊溝槽
144‧‧‧一個直線溝槽/門戶/直線溝槽
146‧‧‧門戶/兩個門戶
150‧‧‧進氣口
152‧‧‧外殼
154‧‧‧活化器
155‧‧‧通風道
156‧‧‧通路
157‧‧‧定位特徵
158‧‧‧入口
159‧‧‧凹口
160‧‧‧熱控制構件
162‧‧‧門戶
170‧‧‧導管
172‧‧‧開口
180‧‧‧襯墊/壁襯墊
182‧‧‧底板襯墊/襯墊
184‧‧‧熱襯墊
190‧‧‧蓮蓬頭
202‧‧‧伸縮管
203‧‧‧開口
204‧‧‧泵送塊
205‧‧‧壁
206‧‧‧出口
207‧‧‧泵送門戶
208‧‧‧腔室排氣管線
209‧‧‧環狀泵送通道/泵送通道
210‧‧‧加熱器
212‧‧‧腔室泵送管線
214‧‧‧沖洗氣體門戶
216‧‧‧密封的凸緣
218‧‧‧沖洗氣體門戶
302‧‧‧管線
304‧‧‧壓力控制器
306‧‧‧壓力控制氣體
308‧‧‧閥
310‧‧‧閥
312‧‧‧閥
314‧‧‧閥
316‧‧‧流量限制器
402‧‧‧孔洞
404‧‧‧O形環
406‧‧‧入口門戶
408‧‧‧擴散器
410‧‧‧O形環
412‧‧‧充氣部
414‧‧‧開口
502‧‧‧開口
504‧‧‧切口
506‧‧‧開口
508‧‧‧開口
510‧‧‧開口
512‧‧‧升降銷
514‧‧‧群組
516‧‧‧端口/沖洗氣體端口
518‧‧‧導管
520‧‧‧沖洗氣體入口端口
522‧‧‧基板接取開口
可藉由參照實施例（其中的某些部分繪示於隨附的繪圖中）來擁有本揭示案的更具體描述，使得可使用詳細的方式來了解（以上所簡要概述的）以上所載之本揭示案特徵。然而，要注意的是，隨附的繪圖僅繪示示例性實施例且因此並不被視為其範圍的限制，可容許其他等效的實施例。
圖1為依據一個實施例之半導體處理裝置的透視橫截面圖。
圖2為圖1之裝置之底板區域的細節圖。
圖3為用於圖1之裝置之排氣泵送流的示意圖。
圖4為圖1之裝置之處理腔室之蓋區域的細節圖。
圖5為圖1之裝置的部分分解圖，圖示裝置的內部特徵。
為了促進了解，已使用了相同參考標號（於可能處）以指定普遍用於該等圖式的相同構件。設想的是，可在不進一步重述的情況下有益地將一個實施例的構件及特徵併入其他實施例。
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100‧‧‧裝置/半導體裝置/半導體處理裝置
102‧‧‧主體
104‧‧‧兩個側壁
106‧‧‧蓋
108‧‧‧腔室底板/底板
110‧‧‧隔壁/壁
112‧‧‧腔室/定義的兩個處理腔室/處理腔室
114‧‧‧腔室/定義的兩個處理腔室/處理腔室
116‧‧‧氣體活化器
118‧‧‧通路
120‧‧‧出口
122‧‧‧通路/門戶
124‧‧‧基板支架
126‧‧‧至少兩個加熱區
128‧‧‧至少兩個加熱區
130‧‧‧基板支撐區域
132‧‧‧壁
134‧‧‧位置特徵
136‧‧‧輪緣
138‧‧‧複數個基板支撐面/基板支撐面
140‧‧‧溝槽
142‧‧‧周邊溝槽
144‧‧‧一個直線溝槽/門戶/直線溝槽
146‧‧‧門戶/兩個門戶
150‧‧‧進氣口
152‧‧‧外殼
154‧‧‧活化器
155‧‧‧通風道
156‧‧‧通路
157‧‧‧定位特徵
158‧‧‧入口
159‧‧‧凹口
160‧‧‧熱控制構件
162‧‧‧門戶
170‧‧‧導管
172‧‧‧開口
180‧‧‧襯墊/壁襯墊
182‧‧‧底板襯墊/襯墊
184‧‧‧熱襯墊
190‧‧‧蓮蓬頭

Claims (20)

  1. 一種半導體處理裝置，包括： 一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室； 一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合； 一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶； 一氣體活化器，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該氣體活化器具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口； 一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區； 一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及 一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
  2. 如請求項1所述之半導體處理裝置，更包括該通路中的一化學上不起作用的襯墊，該化學上不起作用的襯墊具有與該蓋的該門戶套合的一開口。
  3. 如請求項2所述之半導體處理裝置，其中該化學上不起作用的襯墊為石英。
  4. 如請求項1所述之半導體處理裝置，更包括耦合至該氣體活化器之一入口的一活化氣體源、一含氧氣體源、一含氮氣體源及一延長氣體源。
  5. 如請求項4所述之半導體處理裝置，其中該活化氣體為Ar或He，該含氧氣體為O2 、CO或CO2 ，該含氮氣體為N2 、NF3 或NH3 ，而該延長氣體為N2 或He。
  6. 如請求項1所述之半導體處理裝置，其中該氣體活化器為一遠端電漿單元，且該氣體活化器的該出口為一高流量出口。
  7. 如請求項1所述之半導體處理裝置，其中該基板支架具有一基板支撐區域及一壁，該基板支撐區域包括從該基板支撐區域延伸的複數個基板支撐面，該壁具有從圍繞該基板支撐區域的該壁延伸的複數個位置特徵。
  8. 如請求項7所述之半導體處理裝置，其中各處理腔室具有一底板，該底板具有耦合至該底板的一排氣口及一泵送塊，其中該泵送塊具有匹配該排氣口的一開口，該泵送塊具有藉由複數個泵送門戶耦合至該泵送塊之該開口的一環狀泵送通道，該泵送塊具有流體耦合至該環狀泵送通道的一出口，且該基板支架具有被安置通過該排氣口及該泵送塊之該開口的一導管。
  9. 如請求項1所述之半導體處理裝置，其中該主體具有經由該主體之一外壁之用於各處理腔室的一基板接取開口，且該外壁具有與各基板接取開口流體連通的一沖洗氣體門戶。
  10. 如請求項9所述之半導體處理裝置，其中該外壁具有該蓋附近的一第一邊緣及與該第一邊緣相對的一第二邊緣，該沖洗氣體門戶形成於該外壁的該第一邊緣中，且經由該外壁的一通路將各基板接取開口流體耦合至一相對應的沖洗氣體門戶。
  11. 如請求項10所述之半導體處理裝置，其中各基板接取開口具有以複數個群組佈置的複數個沖洗氣體門戶。
  12. 一種半導體處理裝置，包括： 一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室； 一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合； 一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶； 一氣體活化器，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該氣體活化器具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口； 一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區及一基板支撐區域，該基板支撐區域包括從該基板支撐區域延伸的複數個基板支撐面； 一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及 一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
  13. 如請求項12所述之半導體處理裝置，其中該基板支架具有一壁，該壁具有從圍繞該基板支撐區域的該壁延伸的複數個位置特徵。
  14. 如請求項13所述之半導體處理裝置，其中各處理腔室具有一底板，該底板具有耦合至該底板的一排氣口及一泵送塊，其中該泵送塊具有匹配該排氣口的一開口，該泵送塊具有藉由複數個泵送門戶耦合至該泵送塊之該開口的一環狀泵送通道，該泵送塊具有流體耦合至該環狀泵送通道的一出口，且該基板支架具有被安置通過該排氣口及該泵送塊之該開口的一導管。
  15. 如請求項12所述之半導體處理裝置，更包括該通路中的一石英襯墊，該石英襯墊具有與該蓋的該門戶套合的一開口。
  16. 如請求項12所述之半導體處理裝置，其中該主體具有經由該主體之一外壁之用於各處理腔室的一基板接取開口，且該外壁具有與各基板接取開口流體連通的一沖洗氣體門戶。
  17. 如請求項16所述之半導體處理裝置，其中該外壁具有該蓋附近的一第一邊緣及與該第一邊緣相對的一第二邊緣，該沖洗氣體門戶形成於該外壁的該第一邊緣中，且經由該外壁的一通路將各基板接取開口流體耦合至一相對應的沖洗氣體門戶。
  18. 一種半導體處理裝置，包括： 一主體，具有一壁，該壁定義該主體內的兩個處理腔室； 一通路，經由該壁而在該兩個處理腔室之間形成一流體耦合； 一蓋，可移除地耦合至該主體，該蓋具有與該通路流體連通的一門戶； 一遠端電漿單元，在該等處理腔室外面耦合至該蓋，該遠端電漿單元具有與該蓋的該門戶流體連通的一出口； 一基板支架，安置在各處理腔室中，各基板支架具有至少兩個加熱區及一基板支撐區域，該基板支撐區域包括從該基板支撐區域延伸的複數個基板支撐面； 一氣體分佈器，面向各基板支架地耦合至該蓋；及 一熱控制構件，在各氣體分佈器的一邊緣處耦合至該蓋。
  19. 如請求項18所述之半導體處理裝置，其中各處理腔室具有一底板，該底板具有耦合至該底板的一排氣口及一泵送塊，其中該泵送塊具有匹配該排氣口的一開口，該泵送塊具有藉由複數個泵送門戶耦合至該泵送塊之該開口的一環狀泵送通道，該泵送塊具有流體耦合至該環狀泵送通道的一出口，且該基板支架具有被安置通過該排氣口及該泵送塊之該開口的一導管。
  20. 如請求項19所述之半導體處理裝置，更包括該通路中的一石英襯墊，該石英襯墊具有與該蓋的該門戶套合的一開口。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6388182B1 (ja) * 2017-07-25 2018-09-12 Smc株式会社 ゲートバルブの取付構造
TWI781346B (zh) * 2018-09-29 2022-10-21 美商應用材料股份有限公司 具有精確溫度和流量控制的多站腔室蓋
US11629409B2 (en) * 2019-05-28 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Inline microwave batch degas chamber
KR102312364B1 (ko) * 2019-12-24 2021-10-13 주식회사 테스 기판처리장치
US20220064797A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-03 Applied Materials, Inc. Showerhead design to control stray deposition
US11584993B2 (en) 2020-10-19 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Thermally uniform deposition station
US11851761B2 (en) * 2021-04-16 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300255B1 (en) 1999-02-24 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing semiconductive wafers
US6402848B1 (en) * 1999-04-23 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Single-substrate-treating apparatus for semiconductor processing system
US6617553B2 (en) 1999-05-19 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6495233B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system
US6251195B1 (en) * 1999-07-12 2001-06-26 Fsi International, Inc. Method for transferring a microelectronic device to and from a processing chamber
JP2004128019A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Applied Materials Inc プラズマ処理方法及び装置
JP5257424B2 (ja) 2004-04-27 2013-08-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置
US7622005B2 (en) 2004-05-26 2009-11-24 Applied Materials, Inc. Uniformity control for low flow process and chamber to chamber matching
US7628863B2 (en) 2004-08-03 2009-12-08 Applied Materials, Inc. Heated gas box for PECVD applications
KR100761687B1 (ko) * 2005-06-10 2007-09-28 주식회사 뉴파워 프라즈마 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치
CN100358099C (zh) * 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
KR100726791B1 (ko) * 2005-12-07 2007-06-11 주식회사 뉴파워 프라즈마 복수의 기판을 병렬 배치 처리하기 위한 플라즈마 처리장치
KR20080012628A (ko) * 2006-08-04 2008-02-12 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
KR20090001030A (ko) 2007-06-29 2009-01-08 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
US8197636B2 (en) * 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
US20100006032A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Applied Materials, Inc. Chamber components for cvd applications
KR101089391B1 (ko) 2009-09-23 2011-12-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 기판처리챔버
JP2011077147A (ja) 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US8274017B2 (en) * 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
KR101013492B1 (ko) * 2010-10-28 2011-02-10 (주)세미머티리얼즈 화학기상증착장치 및 이의 제어방법
KR101327458B1 (ko) 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101387518B1 (ko) 2012-08-28 2014-05-07 주식회사 유진테크 기판처리장치
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
KR101734821B1 (ko) * 2013-03-15 2017-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
KR20210003959A (ko) 2013-03-15 2021-01-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱을 위한 챔버 디자인
JP2014220046A (ja) 2013-05-02 2014-11-20 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ源
US10672591B2 (en) 2013-06-21 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing particles from a twin chamber processing system
US20150211114A1 (en) 2014-01-30 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects
JP6541374B2 (ja) 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment

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