JP6709855B2 - 半導体処理チャンバ - Google Patents

半導体処理チャンバ Download PDF

Info

Publication number
JP6709855B2
JP6709855B2 JP2018553098A JP2018553098A JP6709855B2 JP 6709855 B2 JP6709855 B2 JP 6709855B2 JP 2018553098 A JP2018553098 A JP 2018553098A JP 2018553098 A JP2018553098 A JP 2018553098A JP 6709855 B2 JP6709855 B2 JP 6709855B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate support
lid
opening
pumping
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018553098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019514214A (ja
Inventor
アーロン ミューア ハンター，
アーロン ミューア ハンター，
メヘラン ベジャット，
メヘラン ベジャット，
ニラージ マーチャント，
ニラージ マーチャント，
ダグラス アール． マカリスター，
ダグラス アール． マカリスター，
トンミン イウ，
トンミン イウ，
コン ラン サミュエル チャン，
コン ラン サミュエル チャン，
ララ ハウリルチャック，
ララ ハウリルチャック，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2019514214A publication Critical patent/JP2019514214A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6709855B2 publication Critical patent/JP6709855B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

半導体デバイスのサイズは縮小を続けている。半導体デバイスの限界寸法は10nm未満にまで縮小しているため、かかるスケールでシリコンを使用するにあたって明らかになりつつある性能上の問題を克服するために、新たな半導体材料が研究されている。デバイスの様々な部分の半導体特性を改善するための合金として、シリコンと共にゲルマニウムが含まれることが多くなっている。例えば、チャネルエリア、ソース・ドレインエリア、及び、ソースエリアとドレインエリアとの接点は、シリコン−ゲルマニウム合金で作られることが多くなっている。論理上の構造の典型であるように、上記のエリアは、一般的に、ホウ素などの導電性強化材料でドープされる。同じく典型的であるように、ドーピングプロセスには、様々な構造物の抵抗を低減し、かつドーパントの導電性を強化する特徴を利用するための、活性化プロセスが続く。チャネル及びソース／ドレインのエリアは、典型的には別個のステップで、ドープされ、活性化される。ただし、一部のプロセスでは、これらの領域は、１つのドーピングステップと１つの熱処理ステップにおいて、ドープされ、活性化される。接点領域は、典型的には、後続のステップでドープされ、活性化される。これらの領域のサイズが小さいことにより、後続の熱処理中に劣化する可能性が高まる。ホウ素でドープされたシリコンゲルマニウム（SiGe:B）の接点を活性化させるために、一般的に使用されている熱処理が使用される場合、チャネル領域に誘起された張力（strain）が緩み、チャネル領域及びソース／ドレイン領域におけるドーパントプロファイルが劣化しうることが、見いだされている。10nm以下のデバイスにおけるドープされた接点を活性化させうる熱処理が、必要とされている。
本書に記載の実施形態は、壁を伴う本体であって、この本体の内部で壁が２つの処理チャンバを画定している、本体と、２つの処理チャンバの間に流体的な連結を形成している、壁を通る通路と、本体に取り外し可能に連結されたリッドであって、通路と流体連結している入口を有するリッドと、処理チャンバの外部でリッドに連結されたガス活性装置であって、リッドの入口と流体連結している出口を有する、ガス活性装置と、各処理チャンバ内に配置された基板支持体であって、各々が少なくとも２つの加熱ゾーンを有する、基板支持体と、各基板支持体に面している、リッドに連結されたガス分配装置と、各ガス分配装置のエッジにおいてリッドに連結された熱制御部材とを備える、半導体処理装置を提供する。
他の実施形態は、壁を伴う本体であって、この本体の内部で壁が２つの処理チャンバを画定している、本体と、２つの処理チャンバの間に流体的な連結を形成している、壁を通る通路と、本体に取り外し可能に連結されたリッドであって、通路と流体連結している入口を有するリッドと、処理チャンバの外部でリッドに連結されたガス活性装置であって、リッドの入口と流体連結している出口を有する、ガス活性装置と、各処理チャンバ内に配置された基板支持体であって、各々が、少なくとも２つの加熱ゾーンと１つの基板支持エリアとを有し、基板支持エリアは、基板支持エリアから延在する複数の基板支持面を備える、基板支持体と、各基板支持体に面している、リッドに連結されたガス分配装置と、各ガス分配装置のエッジにおいてリッドに連結された熱制御部材とを備える、半導体処理装置を提供する。
他の実施形態は、壁を伴う本体であって、この本体の内部で壁が２つの処理チャンバを画定している、本体と、２つの処理チャンバの間に流体的な連結を形成している、壁を通る通路と、本体に取り外し可能に連結されたリッドであって、通路と流体連結している入口を有するリッドと、処理チャンバの外部でリッドに連結された遠隔プラズマユニットであって、リッドの入口と流体連結している出口を有する、遠隔プラズマユニットと、各処理チャンバ内に配置された基板支持体であって、各々が、少なくとも２つの加熱ゾーンと１つの基板支持エリアとを有し、基板支持エリアは、基板支持エリアから延在する複数の基板支持面を備える、基板支持体と、各基板支持体に面している、リッドに連結されたガス分配装置と、各ガス分配装置のエッジにおいてリッドに連結された熱制御部材とを備える、半導体処理装置を提供する。
本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られる。一部の実施形態は、付随する図面に示されている。しかし、付随する図面は、例示的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定すると見なすべきではなく、他の等しく有効な実施形態を許容しうることに、留意されたい。
一実施形態による半導体処理装置の断面斜視図である。 図1の装置のフロアエリアの詳細図である。 図1の装置の排気ポンピング流の概略図である。 図1の装置の処理チャンバのリッドエリアの詳細図である。 装置の内部フィーチャを示している、図１の装置の部分分解図である。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると、想定されている。
図１は、一実施形態による半導体処理装置１００の断面斜視図である。装置100は、２つの側壁１０４と、２つの側壁１０４をひとつに連結しているフロア１０８とを有する、本体１０２を含む。リッド１０６は、フロア１０８の反対側で、本体１０２に取り外し可能に連結されている。本体１０２は、本体内部に２つの処理チャンバ112及び114を画定する、仕切り壁１１０も有する。ゆえに、半導体装置１００はツインチャンバ装置であると言える。処理チャンバ112、１１４に活性ガスを提供するために、ガス活性装置116がリッド１０６に連結される。壁１１０を通る通路１１８が、処理チャンバ112、114を流体的にひとつに連結し、ガス活性装置１１６の出口１２０が、リッド１０６に形成された入口１２２を通じて、通路と流体連結している。
チャンバ112、114の各々は基板支持体１２４を有する（分かりやすくするために、そのうちの１つだけを図１に示している）。基板支持体１２４は、チャンバ内部の中心位置に配置される。基板支持体１２４は、各々に加熱素子１３１が埋め込まれている、少なくとも２つの加熱ゾーン１２６及び１２８を有し、加熱素子１３１は、抵抗性素子又は流体導管でありうる。各基板支持体１２４は、基板支持エリア１３０を有する。基板支持エリア１３０の特徴は、基板支持エリア１３０上で処理される基板とチャンバ内の処理環境とに適応可能な、表面材料である。例示的な材料は、石英、並びに、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムなどのセラミックを含む。基板支持エリア１３０は、基板支持エリア１３０を取り囲む壁１３２によって画定される。基板は、典型的には、基板支持エリア１３０に置かれ、かつ、基板の周縁部の全部または一部の周囲が壁に接触しうる。複数の位置特定（location）フィーチャ１３４が、壁から延在しており、かつ、基板が基板支持体１２４に運ばれた時の、基板支持エリア１３０上での基板の位置特定を支援する。壁１３２は、基板支持体のふち１３６も画定する。壁132は、約1μm〜約500μm（例えば約5μm〜約50μm、例としては約10μm）の高さを有しうる。
基板支持エリア１３０は、基板支持エリア１３０から延在している、複数の基板支持面１３８を有する。基板支持面１３８は、基板支持体１２４とその上に置かれている基板との間の接触を最小限にするよう、基板支持エリア１３０の上に上昇する。基板支持面138は、約1μm〜約500μm（例えば約5μm〜約50μm、例としては約25μm）の高さを有しうる。基板支持面１３８は、円柱状ポスト又は丸み付けされた突起でありうる。
基板支持エリア１３０は、その上に形成された複数の溝１４０も有する。周縁溝１４２が基板支持エリア１３０の周縁部に沿って巡っている一方、複数の直線溝１４４は、周縁溝１４２から基板支持エリア１３０の中心領域に向かって走っている。一又は複数の入口１４６（図１の実施形態では２つの入口１４６が存在している）が、真空を適用するために、基板支持エリア１３０の中心領域に設けられる。基板支持体１２４は真空チャックであるが、静電チャック又はその他の固定機構も使用されうる。入口１４６は、基板の基板支持面１３８と接触している側の圧力を低くするために、真空源（図示せず）と基板支持エリア１３０との間の流体連結を提供する。ガスは、基板支持エリア１３０の上方の基板支持面１３８の周囲を、溝１４０に沿って流れる。図１の実施形態では、各入口１４６から２つの直線溝１４４が走っており、１つの直線溝１４４は、周縁溝１４２の一方の側からもう一方の側まで、両方の入口１４６に接触して、基板支持体１２４の直径に沿って走っている。任意の便宜的な溝の構成が使用されうることに、留意すべきである。
一実施形態では、基板支持体１２４は、450oCまでの温度において動作しうる。かかる基板支持体１２４は、かかる高温に耐えうる材料又は複数の材料で作られうる。基板支持体１２４が複数の材料で作られる場合、これらの材料は、劣化も分離もなく高温に耐えうる方式で、統合される。場合によっては、基板支持体の材料が、熱処理を受けている基板によって放出されうる物質による化学的浸食に耐性を有することも、有用である。多くの場合、石英、並びに、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムなどのセラミックが適している。一実施形態では、基板支持体124はモノリシックな（monolithic）窒化アルミニウムである。
基板支持体１２４は、基板支持体１２４に埋め込まれた一又は複数の温度センサと、基板支持体１２４の外部にある一又は複数の温度センサとを有しうる。例えば、基板支持体の温度を直接感知するために、一又は複数の熱電対（図示せず）が、基板支持体１２４に埋め込まれうる。代替的又は追加的に、抵抗性温度センサが、加熱素子用の電力回路に連結されうる。一実施形態では、１つの熱電対が、外側加熱ゾーンの温度を感知するために基板支持体１２４に埋め込まれると共に、抵抗性温度センサが、内側加熱ゾーンの温度をモニタするために使用される。かかる構成により、基板支持体１２４の外側エッジにだけ熱電対を埋め込むことが可能になる（かかる熱電対には、メンテナンスのために容易にアクセスしうる）ことで、基板支持体１２４が単純化される。
ガス活性装置１１６は、場合によっては、遠隔プラズマユニットでありうる。ガス注入口１５０により、ガスが、囲われた区域１５２に流入すること、及び、性質が熱的、電気的、又は照射性でありうる活性部１５４によって励起されることが、可能になる。マイクロ波、RF、及びUVの活性部といった、標準的な活性部が使用されうる。ガス活性装置１１６は、通路１２２並びに処理チャンバ112及び114に流入するラジカルを生成する、遠隔プラズマユニットである。ガス活性装置１１６の出口１２０は、ラジカル不活性化を最小化するための大流量出口であるので、処理チャンバに流入するガスのラジカル含有量が高くなる。漏斗部１５５により、囲われた区域１５２内のラジカルガスの流れが、出口１２０に向かって導かれる。漏斗部１５５は、石英や、酸化アルミニウムなどのセラミックといった、化学的に不活性な材料でありうる。
処理チャンバ112、114にラジカルが流入する際の壁との再結合を最小化するために、化学的に不活性なライナ１５６が通路１２２内に配置されうる。ライナ１５６は、石英であってよく、かつ、通路１２２の壁に取り付けられうるか、又は取り外し可能でありうる。ライナ１５６は、ガス活性装置１１６の囲われた区域１５２から通路１２２（及びライナ１５６）を通り、処理チャンバ112及び114内に至る流体連結を維持するよう、ガス活性装置１１６の出口１２０と位置合わせされている、注入口１５８を有する。ライナ１５６が取り外し可能である場合、ライナ１５６を位置付けるための位置合わせフィーチャが設けられてよく、それにより、注入口１５８とガス活性装置１１６の出口の位置が合う。図１の実施形態では、位置付けフィーチャ１５７がライナ１５６の外側面に沿って設けられうる。この場合、位置付けフィーチャ１５７は円形であるが、位置付けフィーチャ１５７は、ライナ１５６を長手方向に位置付けるのに都合が良い、任意の形状でありうる。位置付けフィーチャ１５７は、通路１２２の表面の凹部１５９と整合する。図１の実施形態では、ライナ１５６と通路１２２とは、両方とも断面が長方形であるので、回転方向の位置合わせが確保される。通路１２２及びライナ１５６の断面が円形である実施形態では、位置付けフィーチャは、ライナ１５６の外側面から延在し、かつ通路１２２の表面の対応する凹部と整合する、タブでありうる。
ライナ１５６は、通路１２２に部分的に沿って、又は通路１２２の全長分だけ、延在しうる。場合によっては、ライナ１５６は、通路１２２を越えて処理チャンバ112、114の中まで延在しうる。基板処理向けにガスを活性化させるためにガス活性装置１１６が使用される一例では、ライナ１５６の端部は、基板支持体１２４のエッジの近傍（例えば、基板支持エリア１３０のエッジの近傍）に配置されうる。ライナ１５６は、ライナ１５６の中心から端部まで面積が一定の、流路を有する。しかし、他の実施形態では、ライナ１５６は、中心から端部に向かって広くなっている、流路を有しうる。図１の実施形態では、通路１２２の形状はライナ１５６の形状と一致している。広がっている流路をライナが有する場合、通路１２２は、それに一致した、中心から端部に向かって広がっている形状を有しうるか、又は、通路の端部においてライナに適合している、面積が一定の断面を有しうる。
装置１００は、リッド１０６内に配置された、熱制御部材１６０を有する。熱制御部材１６０は、リッドの熱制御を行うために、入口１６２で終端する、リッド１０６を通して配置された導管（図１では視認不可）を含む。この導管は、抵抗性の加熱用素子を収納しうるか、又は、加熱と冷却のいずれかのための熱伝達媒体の流れを可能にしうる。ガス活性装置１１６が熱を生成する場合、リッド１０６の温度を制御するために、冷却媒体が熱制御部材１６０内で使用されうる。同様の熱制御部材１６０が、装置１００のフロア１０８に図示されている。
基板支持体１２４の特徴は、基板支持体１２４において、ヒータ、温度センサ、及びチャック素子といった電気的素子に電力を供給するための、導管１７０である。導管１７０は、基板支持体１２４に真空を供給するためにも使用されうる。導管は、処理チャンバ112、114の各々のフロアの開口１７２に挿入されて、外部へのアクセスを提供する。基板支持体１２４は、リッド１０６に連結されている、処理チャンバ112、114の各々野中のシャワーヘッド１９０に面している。
処理チャンバ112、114の各々は、処理チャンバ112、114の壁における化学反応を防止するため、かつチャンバの熱均一性を向上させるために、一又は複数のライナを有する。壁ライナ１８０（図１に示しているように円筒形でありうる）は、通常、チャンバ壁を化学的浸食から保護し、かつ、基板支持体１２４の周囲のチャンバ空間を減少させる。フロアライナ１８２は、チャンバフロア１０８を化学的浸食から保護する。ライナ１８０及び１８２を加熱することでチャンバ内の熱不均一性を低下させることが可能になるよう、熱ライナ１８４も設けられうる。熱ライナ１８４がチャンバフロア１０８とフロアライナ１８２との間に設置されうるか、又は、フロアライナ１８２がチャンバフロア１０８と熱ライナ１８４との間に設置されうる。熱ライナ１８４は抵抗性加熱素子を含んでよく、処理チャンバ112、114のフロアを通る接続部により、熱ライナ１８４に電力が提供されうる。装置１００の１つのチャンバのみが熱ライナ１８４を伴って図示されているが、両方のチャンバがかかる熱ライナを有しうることに、留意されたい。
本体102は、単一物体として一体的に形成されうるか、又は、各チャンバ112、114は、仕切り壁を伴うツインチャンバ構成になるよう、例えばひとつにボルト留めされることによってひとつに連結されうる、複数の側壁を有しうる。かかる実施形態における個々のチャンバはそれぞれ１つの通路を有し、この通路は、チャンバ同士がひとつに連結されると、まとまって通路１２２を形成することになる。
図2は、装置１００のフロアエリアの詳細図である。図２は、図１には示していない、装置１００のフロア１０８に連結されたフィーチャを含んでいる。上述したように、開口１７２により、基板支持体１２４の導管１７０が、装置１００のフロア１０８を通って延在することが可能になる。処理チャンバ112、114の各々は、ポンピングブロック２０４によりフロア１０８に連結されているベローズ２０２によって、密封される。ポンピングブロック２０４は、チャンバフロア１０８の開口１７２と整合している開口２０３を有する。開口２０３は、複数のポンピング入口２０７を伴う壁２０５を有し、ポンピング入口２０７により、ガスが、ポンピングブロック２０４を通って環状ポンピングチャネル２０９内に入る。ガスを処理チャンバ１１２から除去するために、出口２０６がポンピングチャネル２０９に連結される。ポンピングブロック２０４のこの構造により、基板支持体１２４の導管１７０を中心とする、対称なポンピングがもたらされる。
ガスは、処理チャンバ112に流入し、基板支持体124の周囲を、開口172に向かって流れる。ガスは、開口１７２の、基板支持体１２４の導管１７０（図１）の周囲を通って、チャンバ１１２から出る。ガスは、ポンピングブロック２０４の出口２０６を通って、ポンピングブロック２０４に連結されたチャンバ排気ライン２０８に流入する。チャンバ排気ライン２０８内での堆積を防止するために、チャンバ排気ライン２０８の一部又は全体に、ヒータ２１０が設けられうる。チャンバ112、114の各々のチャンバ排気ライン２０８は、密封フランジ２１６によって、真空ポンプ（図示せず）に接続されているチャンバポンピングライン２１２に連結され、高コンダクタンスのポンピング経路を提供する。チャンバポンピングライン２１２には、パージガス入口２１８が設けられうる。
ベローズ２０２は、ベローズ２０２内の基板支持体１２４の導管１７０の周囲にパージガスを提供するための、パージガス入口２１４を有する。チャンバプロセスガスがベローズ２０２の内表面に堆積を形成することを防止するために、パージガスを、ベローズ２０２に流入させ、かつ、出口２０６に向かって上へと流すよう、パージガス源（図示せず）がパージガス入口２１４に連結されうる。ガス活性装置１１６（図１）が洗浄ガスを活性化させるために使用される場合、洗浄ガスがベローズ２０２の内表面に接触し、そこに望ましくない堆積があればそれを除去することを可能にするために、ベローズ２０２へのパージガスの流入は中断されうる。あるいは、洗浄ガスとベローズ２０２との間の相互作用が望ましくない場合には、洗浄ガスがベローズ２０２に進入することを防止するために、パージガス流が維持されうる。チャンバ112及び114の各々が、上述の素子を伴う排気システムを有する。
図３は、装置１００の排気ポンピング流の概略図である。ライン３０２は、各基板支持体１２４の基板支持エリア１３０（図１）と、真空源であるチャンバポンプとを接続する。ライン３０２は、導管１７０を通るように配置され、かつ、チャンバポンピングライン２１２に接続される。真空チャックが使用される場合、圧力コントローラ３０４がチャンバ圧と基板チャック圧とをモニタする。チャック力が一定になるよう、基板支持体１２４に配置された１つの基板の２つの主要面の間の圧力差を制御するために、圧力制御ガス３０６（典型的には、窒素、ヘリウム、又はアルゴンなどの非反応性ガス）が、チャンバポンピングライン２１２内に連結される。制流器３１６が背圧を提供して、流量制御を可能にする。圧力コントローラは、圧力差を制御するために、ライン３０２におけるバルブ３０８、チャンバポンピングライン２１２におけるバルブ310及び312、並びに、圧力制御ガス３０６のためのバルブ３１４を、調整する。圧力コントローラ３０４は、場合によっては、バルブ３１４を含みうる。この方式であれば、圧力コントローラは、処理チャンバ112、114から出るプロセスガスに暴露されない。
図4は、装置１００の処理チャンバ１１４のリッドエリアの詳細図である。図４は、リッド１０６に（この場合はボルトを使用して）留め付けられた、シャワーヘッド１９０を示している。Ｏリング４０４が、シャワーヘッドとリッドとの間の界面を密封している。シャワーヘッド１９０を通る孔４０２により、ガスが、シャワーヘッドを通ってチャンバ１１４に流入することが可能になる。ガスは、注入用入口４０６を通ってリッドに流入してディフューザー４０８に至り、ディフューザー４０８は、Ｏリング４１０によってリッド１０６に密封されている。ディフューザー４０８は、プレナム４１２と、ガスを分散させるための複数の開口４１４とを有してよく、ゆえに、ガスの噴出による熱不均一性を引き起こしうる、シャワーヘッド１９０の中央へのガス流の集中が、回避される。あるいは、ディフューザー４０８は、シャワーヘッド１９０の方にガスを流すために、多孔性の表面を有しうる。上述のように、処理チャンバ112、114の各々が、図４に示しているようなシャワーヘッドを有する。
図５は、リッド１０６及びその全ての付属物を伴う装置１００の、部分分解図であるが、リッド１０６及びその全ての付属物は、装置１００の内部フィーチャを図示するために除去されている。通路１２２及び凹部１５９が、壁ライナ１８０、フロアライナ１８２、及び熱ライナ１８４と同様に、視認可能である。処理チャンバ１１２は、ライナ180、182が設置されている状態で示されているが、処理チャンバ１１４は、分かりやすくするために、これらのライナが離間している状態で示されている。基板支持体１２４は、処理チャンバ１１２から離間して図示されており、処理チャンバ１１４については図示されていない。フロアライナ182は、基板支持体１２４の導管１７０を入れるための、開口５０６を有する。壁ライナ１８０は、各チャンバの基板の出入りを可能にするための開口５０２と、通路１２２（及び、図５には図示していないライナ１５６）から各チャンバ内へとガスを流すためのノッチ５０４とを有する。フロアライナ１８２も、リフトピン５１２が、基板支持エリア１３０まで又は基板支持エリア１３０から基板を搬送することを可能にするための、複数の開口５０８を有する。基板支持体１２４は、フロアライナ１８２の開口５０８と位置が合っている、開口５１０を有する。
図５の図は、装置１００の、図１の図とは反対の側であり、処理チャンバ112、114の各々につき１つの、基板アクセス開口５２２を示している。基板アクセス開口５２２の各々の特徴は、複数のパージガスポート５１６がまとめられて、複数のグループ５１４になっていることである。各パージガスポート５１６は、対応する導管５１８及びパージガス注入ポート５２０を有する。パージガス注入ポート５２０は、本体１０２の底部エッジに配置されており、パージガスのソースと本体１０２とが連結される場所を提供する。図５に示しているように、本体１０２は、リッドの近位の第１エッジと、第１エッジの反対側の第２エッジとを伴う外部壁を有し、パージガス入口は外部壁の第２エッジに形成され、かつ、外部壁を通る通路が、各基板アクセス開口と対応するパージガス入口とを流体的に連結している。処理中には、ドアが基板アクセス開口５２２を覆い、密封するので、パージガス注入ポート５２０と、導管５１８と、ポート５１６とを通って流れるパージガスが、基板アクセス開口５２２に流入し、チャンバの中央のチャンバ排気部に向かって流れる。これにより、プロセスガスが基板アクセス開口５２２に集積すること、及びそこに物質を堆積させることが、防止される。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決まる。

Claims (13)

  1. 壁を伴う本体であって、前記本体の内部で前記壁が２つの処理チャンバを画定している、本体と、
    前記２つの処理チャンバの間に流体的な連結を形成している、前記壁を通る通路と、
    前記本体に取り外し可能に連結されたリッドであって、前記通路と流体連結している入口を有するリッドと、
    前記処理チャンバの外部で前記リッドに連結されたガス活性装置であって、前記リッドの前記入口と流体連結している出口を有する、ガス活性装置と、
    各処理チャンバ内に配置された基板支持体であって、各々が少なくとも２つの加熱ゾーンを有する、基板支持体と、
    各基板支持体に面している、前記リッドに連結されたガス分配装置と、
    各ガス分配装置のエッジにおいて前記リッドに連結された熱制御部材とを備える、半導体処理装置。
  2. 前記通路内に化学的に不活性なライナを更に備え、前記化学的に不活性なライナが、前記リッドの前記入口と位置が合っている開口を有する、請求項１に記載の半導体処理装置。
  3. 前記基板支持体が、複数の基板支持面を備える基板支持エリアであって、前記複数の基板支持面は前記基板支持エリアから延在している、基板支持エリアと、複数の位置特定フィーチャを伴う壁であって、複数の位置特定フィーチャは前記基板支持エリアを取り囲む前記壁から延在している、壁とを有する、請求項１に記載の半導体処理装置。
  4. 各処理チャンバが、排気開口を伴うフロアと、前記フロアに連結されたポンピングブロックとを有し、前記ポンピングブロックは、前記排気開口と整合している開口と、複数のポンピング入口によって前記ポンピングブロックの前記開口に連結された環状ポンピングチャネルと、前記環状ポンピングチャネルに流体的に連結された出口とを有し、前記基板支持体は、前記排気開口及び前記ポンピングブロックの開口を通るように配置された導管を有する、請求項３に記載の半導体処理装置。
  5. 前記本体が前記本体の外部壁を通る、各処理チャンバのための基板アクセス開口を有し、前記外部壁が、各基板アクセス開口と流体連結しているパージガス入口を有する、請求項１に記載の半導体処理装置。
  6. 前記外部壁が、リッドの近位の第１エッジと、前記第１エッジの反対側の第２エッジとを有し、前記パージガス入口は前記外部壁の前記第２エッジに形成され、前記外部壁を通る通路が、各基板アクセス開口と対応するパージガス入口とを流体的に連結している、請求項５に記載の半導体処理装置。
  7. 各基板アクセス開口が、複数のグループになるよう配置された複数のパージガス入口を有する、請求項６に記載の半導体処理装置。
  8. 壁を伴う本体であって、前記本体の内部で前記壁が２つの処理チャンバを画定している、本体と、
    前記２つの処理チャンバの間に流体的な連結を形成している、前記壁を通る通路と、
    前記本体に取り外し可能に連結されたリッドであって、前記通路と流体連結している入口を有するリッドと、
    前記処理チャンバの外部で前記リッドに連結されたガス活性装置であって、前記リッドの前記入口と流体連結している出口を有する、ガス活性装置と、
    各処理チャンバ内に配置された基板支持体であって、各々が、少なくとも２つの加熱ゾーンと１つの基板支持エリアとを有し、前記基板支持エリアは、前記基板支持エリアから延在している複数の基板支持面を備える、基板支持体と、
    各基板支持体に面している、前記リッドに連結されたガス分配装置と、
    各ガス分配装置のエッジにおいて前記リッドに連結された熱制御部材とを備える、半導体処理装置。
  9. 前記基板支持体が、複数の位置特定フィーチャを伴う壁であって、前記複数の位置特定フィーチャは前記基板支持エリアを取り囲む前記壁から延在している、壁を有する、請求項８に記載の半導体処理装置。
  10. 各処理チャンバが、排気開口を伴うフロアと、前記フロアに連結されたポンピングブロックとを有し、前記ポンピングブロックは、前記排気開口と整合している開口と、複数のポンピング入口によって前記ポンピングブロックの前記開口に連結された環状ポンピングチャネルと、前記環状ポンピングチャネルに流体的に連結された出口とを有し、前記基板支持体は、前記排気開口及び前記ポンピングブロックの開口を通るように配置された導管を有する、請求項９に記載の半導体処理装置。
  11. 前記通路内に石英ライナを更に備え、前記石英ライナは、前記リッドの前記入口と位置が合っている開口を有する、請求項８に記載の半導体処理装置。
  12. 壁を伴う本体であって、前記本体の内部で前記壁が２つの処理チャンバを画定している、本体と、
    前記２つの処理チャンバの間に流体的な連結を形成している、前記壁を通る通路と、
    前記本体に取り外し可能に連結されたリッドであって、前記通路と流体連結している入口を有するリッドと、
    前記処理チャンバの外部で前記リッドに連結された遠隔プラズマユニットであって、前記リッドの前記入口と流体連結している出口を有する、遠隔プラズマユニットと、
    各処理チャンバ内に配置された基板支持体であって、各々が、少なくとも２つの加熱ゾーンと１つの基板支持エリアとを有し、前記基板支持エリアは、前記基板支持エリアから延在している複数の基板支持面を備える、基板支持体と、
    各基板支持体に面している、前記リッドに連結されたガス分配装置と、
    各ガス分配装置のエッジにおいて前記リッドに連結された熱制御部材とを備える、半導体処理装置。
  13. 各処理チャンバが、排気開口を伴うフロアと、前記フロアに連結されたポンピングブロックとを有し、前記ポンピングブロックは、前記排気開口と整合している開口と、複数のポンピング入口によって前記ポンピングブロックの前記開口に連結された環状ポンピングチャネルと、前記環状ポンピングチャネルに流体的に連結された出口とを有し、前記基板支持体は、前記排気開口及び前記ポンピングブロックの開口を通るように配置された導管を有する、請求項１２に記載の半導体処理装置。
JP2018553098A 2016-04-11 2017-03-15 半導体処理チャンバ Active JP6709855B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662320861P 2016-04-11 2016-04-11
US62/320,861 2016-04-11
US15/417,865 US10741428B2 (en) 2016-04-11 2017-01-27 Semiconductor processing chamber
US15/417,865 2017-01-27
PCT/US2017/022468 WO2017180283A2 (en) 2016-04-11 2017-03-15 Semiconductor processing chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019514214A JP2019514214A (ja) 2019-05-30
JP6709855B2 true JP6709855B2 (ja) 2020-06-17

Family

ID=59998274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018553098A Active JP6709855B2 (ja) 2016-04-11 2017-03-15 半導体処理チャンバ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10741428B2 (ja)
JP (1) JP6709855B2 (ja)
KR (1) KR102147782B1 (ja)
CN (1) CN109075108B (ja)
TW (1) TWI707420B (ja)
WO (1) WO2017180283A2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6388182B1 (ja) * 2017-07-25 2018-09-12 Smc株式会社 ゲートバルブの取付構造
TWI781346B (zh) * 2018-09-29 2022-10-21 美商應用材料股份有限公司 具有精確溫度和流量控制的多站腔室蓋
US11373890B2 (en) * 2018-12-17 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Wireless in-situ real-time measurement of electrostatic chucking force in semiconductor wafer processing
US11629409B2 (en) * 2019-05-28 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Inline microwave batch degas chamber
KR102312364B1 (ko) * 2019-12-24 2021-10-13 주식회사 테스 기판처리장치
TW202212618A (zh) * 2020-09-02 2022-04-01 美商應用材料股份有限公司 控制偶然沉積的噴頭設計
US11584993B2 (en) 2020-10-19 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Thermally uniform deposition station
US11851761B2 (en) 2021-04-16 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300255B1 (en) 1999-02-24 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing semiconductive wafers
US6402848B1 (en) * 1999-04-23 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Single-substrate-treating apparatus for semiconductor processing system
US6617553B2 (en) 1999-05-19 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6495233B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system
US6251195B1 (en) * 1999-07-12 2001-06-26 Fsi International, Inc. Method for transferring a microelectronic device to and from a processing chamber
JP2004128019A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Applied Materials Inc プラズマ処理方法及び装置
JP5257424B2 (ja) 2004-04-27 2013-08-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置
US7622005B2 (en) 2004-05-26 2009-11-24 Applied Materials, Inc. Uniformity control for low flow process and chamber to chamber matching
US7628863B2 (en) 2004-08-03 2009-12-08 Applied Materials, Inc. Heated gas box for PECVD applications
KR100761687B1 (ko) * 2005-06-10 2007-09-28 주식회사 뉴파워 프라즈마 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치
CN100358099C (zh) * 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
KR100726791B1 (ko) * 2005-12-07 2007-06-11 주식회사 뉴파워 프라즈마 복수의 기판을 병렬 배치 처리하기 위한 플라즈마 처리장치
KR20080012628A (ko) * 2006-08-04 2008-02-12 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
KR20090001030A (ko) 2007-06-29 2009-01-08 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
US8197636B2 (en) * 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
KR20110036933A (ko) * 2008-07-11 2011-04-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｃｖｄ 적용을 위한 챔버 구성요소
KR101089391B1 (ko) 2009-09-23 2011-12-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 기판처리챔버
JP2011077147A (ja) 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US8274017B2 (en) * 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
KR101013492B1 (ko) * 2010-10-28 2011-02-10 (주)세미머티리얼즈 화학기상증착장치 및 이의 제어방법
KR101327458B1 (ko) 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101387518B1 (ko) 2012-08-28 2014-05-07 주식회사 유진테크 기판처리장치
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
JP6178488B2 (ja) * 2013-03-15 2017-08-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 電子デバイス製造における基板の処理に適合される処理システム、装置、及び方法
WO2014149883A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Chamber design for semiconductor processing
JP2014220046A (ja) 2013-05-02 2014-11-20 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ源
US10672591B2 (en) 2013-06-21 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing particles from a twin chamber processing system
US20150211114A1 (en) 2014-01-30 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects
JP6541374B2 (ja) 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019514214A (ja) 2019-05-30
TWI707420B (zh) 2020-10-11
KR102147782B1 (ko) 2020-08-25
WO2017180283A3 (en) 2018-08-23
WO2017180283A2 (en) 2017-10-19
CN109075108B (zh) 2022-04-01
KR20180123588A (ko) 2018-11-16
US20170294325A1 (en) 2017-10-12
CN109075108A (zh) 2018-12-21
TW201802991A (zh) 2018-01-16
US10741428B2 (en) 2020-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6709855B2 (ja) 半導体処理チャンバ
JP5826353B2 (ja) 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ
TWI722725B (zh) 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件
KR101508026B1 (ko) 컴포넌트 바디와 액체 냉각제 사이의 열 전도도를 제어하기 위해 가스 압력을 이용하는 온도 제어 모듈
CN102027587B (zh) 一种半导体设备的晶片座
KR102451499B1 (ko) 샤워헤드 설계
KR100901892B1 (ko) 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 구조체
JP6268095B2 (ja) 半導体処理におけるエッジリングの熱管理
KR20100103627A (ko) 기판의 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치
JP6974169B2 (ja) 複数の加熱ゾーンを有する基板支持体
TW201529879A (zh) 用於改善之氟利用及整合對稱前級管線之托架底部清洗
JP2009016832A (ja) 除去可能なサセプタを伴う熱バッチリアクタ
KR20010113558A (ko) 세라믹 기판 지지체
KR20150060860A (ko) 기판 프로세싱 시스템들에서의 온도 제어
KR20210004056A (ko) 샤워 헤드 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
TW202121580A (zh) 具有多區加熱的托座
WO2019204125A1 (en) Ceramic wafer heater having cooling channels with minimum fluid drag
JP7349832B2 (ja) セラミックハイブリッド絶縁プレート
KR100521373B1 (ko) 냉각 장치 및 반도체 소자 제조 장치
KR100942067B1 (ko) 고온 퍼니스

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181210

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200525

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6709855

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250