JP6974169B2 - 複数の加熱ゾーンを有する基板支持体 - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、一般に半導体処理設備に関する。

本発明者は、化学気相堆積（ＣＶＤ）および原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ内の多くの従来の基板支持体ヒータが、高温（例えば、約３５０℃よりも高い）で動作しているときに、基板支持体の底部面および側面ならびに支持軸における放射のために高い熱損失を示すことに気づいた。本発明者はさらに、熱損失が結果として基板支持体上に配置された基板の不均一な処理につながることに気づいた。
したがって、本発明者は、より均一な加熱作用を有する基板支持体の実施形態を提供した。

基板支持体の実施形態が本明細書で提供される。一部の実施形態では、基板支持体は、支持面を有する本体と、本体内部に配置された、第１の加熱コイルおよび複数の加熱ゾーンを有する第１のヒータであって、複数の加熱ゾーン間の所定の加熱比を規定するために、第１の加熱コイルの巻線のピッチが複数の加熱ゾーン間で変わる、第１のヒータと、を含むことができる。
一部の実施形態では、処理チャンバは、内部容積を画成するチャンバ本体と、内部容積の中に配置された基板支持体と、を含むことができる。基板支持体は、支持面を有する本体と、本体内部に配置された、第１の加熱コイルおよび複数の加熱ゾーンを有する第１のヒータであって、複数の加熱ゾーン間の所定の加熱比を規定するために、第１の加熱コイルの巻線のピッチが複数の加熱ゾーン間で変わる、第１のヒータと、を含むことができる。
一部の実施形態では、基板支持体は、支持面を有する本体と、本体内部に配置された、第１の加熱コイルおよび複数の加熱ゾーンを有する第１のヒータであって、複数の加熱ゾーン間の所定の加熱比を規定するために、第１の加熱コイルの巻線のピッチが複数の加熱ゾーン間で変わり、複数の加熱ゾーンが第１の加熱ゾーン、第２の加熱ゾーン、および第３の加熱ゾーンを含む、第１のヒータと、第２の加熱コイルを有する第２のヒータであって、処理される基板の直径の外側に配置されている第２のヒータと、を含むことができる。
本開示の他のおよびさらなる実施形態が以下に記載される。
上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じられる本開示の実施形態は、添付図面に表される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためである。

本開示の一部の実施形態による基板支持体と共に使用するのに適切な処理チャンバの概略図である。 本開示の一部の実施形態による基板支持体の一部の概略上面図である。 本開示の一部の実施形態による基板支持体の一部の裏側図である。 本開示の一部の実施形態による基板支持体の上面図である。 本開示の一部の実施形態による基板支持体の等角断面図である。 本開示の一部の実施形態による基板支持体の一部の側部断面図である。

理解を容易にするために、可能な場合は同一の参照数字を使用して各図に共通の同一の要素を指定している。図は、縮尺通りには描かれておらず、明瞭にするために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳説することなく他の実施形態において有益に組み込まれてもよい。

改善された加熱作用を提供する基板支持体の実施形態が本明細書で提供される。発明性のある基板支持体の実施形態は、有利に、処理される基板のより均一な加熱作用を提供し、それにより処理の均一性（例えば、堆積プロセスにおける堆積膜の均一性）を改善する。本開示の範囲を限定する意図はないが、本明細書に開示された発明性のある基板支持体は、化学気相堆積（ＣＶＤ）のために構成された、任意選択で高周波（ＲＦ）能力を有する処理チャンバ、例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍの直径の基板、（矩形などの）他の幾何学形状を有する基板などを処理するのに適したＣＶＤ処理チャンバなどにおいて、特に有利な場合がある。

図１は、本開示の一部の実施形態によるヒータを有する基板支持体と共に使用するのに適した処理チャンバ１００を表す。処理チャンバ１００は、１つまたは複数の基板プロセス、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）などの堆積プロセスを行うのに適した任意の処理チャンバであってもよい。一部の実施形態では、処理チャンバは、ＣＶＤ処理チャンバである。処理チャンバは、スタンドアロンの処理チャンバ、またはクラスタツール、例えば、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）、もしくはＥＮＤＵＲＡ（登録商標）クラスタツールのうちの１つの一部であってもよい。
一部の実施形態では、処理チャンバ１００は、一般に、チャンバ本体１０２、基板１０８を支持するための基板支持体１０３、およびチャンバ本体１０２の内部容積１１９に１つまたは複数のプロセスガスを提供するための１つまたは複数のガス入り口（例えば、シャワーヘッド１０１）を含むことができる。

一部の実施形態では、チャンバ本体１０２は、基板１０８を処理チャンバ１００に提供し、処理チャンバ１００から取り出すことができる１つまたは複数の開口部（図示する１つの開口部１０９）を備えることができる。開口部１０９は、スリットバルブ１１０、または開口部１０９を通してチャンバ本体１０２の内部容積１１９へのアクセスを選択的に提供するための他の機構によって選択的に密閉されてもよい。一部の実施形態では、基板支持体１０３は、開口部１０９を介してチャンバの中におよびチャンバの外に基板を移送するのに適した（図示するような）下方位置と、処理に適した選択可能な上方位置との間で基板支持体１０３の位置を制御することができるリフト機構１１７に結合されてもよい。処理位置は、特定のプロセスのためにプロセス均一性を最大限にするように選択されてもよい。持ち上げられた処理位置の少なくとも１つにあるとき、基板支持体１０３は、対称的な処理領域を提供するために開口部１０９の上方に配置されてもよい。

１つまたは複数のガス入り口（例えば、シャワーヘッド１０１）は、処理チャンバ１００内でプロセスを実行するために１つまたは複数のプロセスガスを提供するための第１のガス源１２８に結合されてもよい。シャワーヘッド１０１が示されているが、処理チャンバ１００の天井もしくは側壁に、または例えば、チャンバ本体１０２の基部、基板支持体１０３の周辺部などのガスを処理チャンバ１００に提供するのに適した他の位置に配置されたノズルもしくは入り口などのさらなるガス入り口または代替のガス入り口が設けられてもよい。
一部の実施形態では、処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２の内部容積１１９を排気部１３０と流体結合する１つまたは複数の開口部１３８を介して、例えば、プロセスガス、パージガス、処理副産物などを処理チャンバ１００から取り出すためのポンプ１２６に結合された排気部１３０をさらに含む。一部の実施形態では、排気部１３０は、チャンバ本体１０２の壁のまわりに配置されてもよく、上方排気部１３２および下方排気部１３４にさらに分割されてもよく、１つまたは複数の開口部１３６が、上方排気部１３２と下方排気部１３４との間に配置され、排気部１３０を通る、ポンプ１２６へのプロセスガスの流れなどを制御する（例えば、非対称のポンプ構成により、基板の上方の処理チャンバの処理領域から排気部１３０への方位角的により均一な流れを提供する）。

基板支持体１０３は、一般に、所与のサイズ（例えば、直径、長さ、および幅など）を有する基板１０８を支持面１２２上で支持するための第１のプレート１０５、および第１のプレート１０５を支持するように構成された第２のプレート１０６（ヒータープレート）を有する本体１２０を備える。支持軸１０７は、第２のプレート１０６を支持する。基板支持体１０３は、複数の加熱ゾーンに配置された１つまたは複数の加熱素子を含む。一部の実施形態では、１つまたは複数の加熱素子１１８は、第２のプレート１０６内部に埋め込まれていても、またははめ込まれていてもよく、それにより第２のプレート１０６をヒータとして機能させることができる。電源１１１は、支持軸１０７内部に配置された導管１１３を介して１つまたは複数の加熱素子１１８に電力を提供する。一部の実施形態では、加熱素子１１８は、第２のプレート１０６内部に埋め込まれていても、またははめ込まれていてもよく、複数の加熱ゾーンが第２のプレート１０６全体にわたって設けられるように構成されてもよい。

一部の実施形態では、反射性熱シールド１４０が基板支持体１０３の下の支持軸１０７に結合されてもよい。反射性熱シールド１４０は、本体１２０の底部面１１２から放射されたいかなる熱も有利に本体１２０の方へ反射して戻すように、例えば、アルミニウムなどの反射性金属から形成されてもよい。一部の実施形態では、反射性熱シールド１４０は、任意の適切なやり方（例えば、ボルト、ねじ、留め金など）で互いに結合された第１の区域１４１および第２の区域１４２を含むことができる。反射性熱シールド１４０の正しい配置が容易に行えるように、支持軸１０７は、第１および第２の区域１４１、１４２が互いに結合される前に挿入される（図５に示す）スロット５０６を含んでもよい。

一部の実施形態では、パージガス（例えば、アルゴンなどの不活性ガス）が、第２のガス源１１４によって導管１１６を介して基板１０８の裏側に提供されてもよい。一部の実施形態では、導管１１６は、支持軸１０７の側壁に、または支持軸１０７の中央開口部内部に配置される。（下記の）１つまたは複数の導管は、基板１０８のエッジのすぐ近くにパージガスを送出するために設けられている。
図２は、本体１２０の第２のプレート１０６の概略図を表す。一部の実施形態では、１つまたは複数の加熱素子１１８は、第１のヒータ２１０および第２のヒータ２１８を含む。一部の実施形態では、第１および第２のヒータ２１０、２１８は、加熱コイル（例えば、抵抗加熱コイル）であってもよい。一部の実施形態では、第１のヒータ２１０は、複数の加熱ゾーンを有する内側ヒータであってもよい。例えば、一部の実施形態では、複数の加熱ゾーンは、第１の加熱ゾーン２０２、第２の加熱ゾーン２０４、および第３の加熱ゾーン２０６を含むことができる。

一部の実施形態では、複数の加熱ゾーンは、固定された所定の比率で設けられている。一部の実施形態では、複数の加熱ゾーンは、それぞれのゾーン内で加熱コイルの巻線のピッチを変えることによって、単一導体または加熱コイル内部に設けられている。例えば、第１の加熱ゾーンは、第１のピッチの巻線の加熱コイルを有することができ、第２の加熱ゾーンは、第２のピッチの巻線の加熱コイルを有することができ、第２のピッチは第１のピッチとは異なる。それぞれのゾーン間で所定の加熱比を実現するために、第１のピッチまたは第２のピッチと同じであっても、または異なっていてもよいそれぞれの巻線ピッチを有するさらなるゾーンが設けられてもよい。本発明者は、複数のゾーンのそれぞれで第１のヒータ２１０の巻線のピッチを変えることによって、有利にゾーン間の所定の加熱比を実現することができ、それにより基板１０８全体にわたって温度プロファイルを制御できることを発見した。

一部の実施形態では、例えば、第１の加熱ゾーン２０２内部の巻線２１２の第１のピッチは、第２の加熱ゾーン２０４内部の巻線２１４の第２のピッチよりも大きく、第２の加熱ゾーン２０４内部の巻線２１４の第２のピッチは、第３の加熱ゾーン２０６内部の巻線２１６の第３のピッチよりも大きい。一部の実施形態では、第１の加熱ゾーン２０２、第２の加熱ゾーン２０４、および第３の加熱ゾーン２０６の所定の加熱比は、約１対約０．４対約０．３（例えば、約１：０．４：０．３）であってもよい。上述の記載は３つの加熱ゾーンに関して行われたが、所定の加熱比を規定するコイル巻線の比を有する任意数の加熱ゾーンを利用して、基板全体にわたって所定の温度プロファイルを実現することができる。

一部の実施形態では、第２のヒータ２１８は、外側加熱ゾーン２０８に配置された外側ヒータであってもよい。一部の実施形態では、外側加熱ゾーンは、基板１０８の直径の外側にある第２のプレート１０６の領域に配置されている。例えば、処理チャンバ１００を使用して３００ｍｍの基板を処理する場合、第２のヒータ２１８は、基板の３００ｍｍの直径の外側に配置されてもよい。本発明者は、第２のヒータ２１８を基板１０８の直径の外側に配置することによって、有利に、基板へのいかなる悪影響も最小限にすると同時に、基板支持体の側面からの熱損失が軽減されることを発見した。一部の実施形態では、第２のヒータ２１８の巻線のピッチと巻線２１２の第１のピッチの比は、約０．５対約１（例えば、約０．５：１）であってもよい。第１のヒータ２１０と同様に、第２のヒータ２１８は、基板１０８全体にわたって所定の温度プロファイルを実現するのに適切な任意のピッチのコイル巻線を有することができる。

図３は、本開示の一部の実施形態による第１のプレート１０５の裏側を表す。本発明者は、従来の基板支持体の基板のまわりのパージガスの非対称な流れが、結果として基板のエッジに沿って非対称パターンの冷却領域を生じることを発見した。そのため、本発明者は、軸対称で、有利に基板１０８のより均一な加熱に寄与するパージガスチャネルパターンを実施した。一部の実施形態では、第１のプレート１０５は、有利に、従来の基板支持体と比較して、第１のプレート１０５の周辺部から出るパージガスのより均一な分布を提供することができる。図３に示すように、複数のパージガスチャネル３０４Ａ、３０４Ｂは、第１のプレート１０５の中央部分の単一の入り口３０３から第１のプレート１０５の周辺部の複数の出口３０５に広がることができる。一部の実施形態では、パージガスチャネル３０４Ａ、３０４Ｂは、複数の通路を介して複数の出口３０５に再帰的に広がってもよい。

一部の実施形態では、複数のパージガスチャネルは、実質的に等しい流動コンダクタンスを有してもよい。本明細書で使用される場合、実質的に同等の、または実質的に等しいという用語は、互いから約１０パーセント以内を意味する。上記に定義した、実質的に同等の、または実質的に等しいという用語は、本開示の他の態様、例えば、導管（またはチャネル）の長さ、流動長、断面積、流量などを記述するために使用されることがある。
一部の実施形態では、複数のパージガスチャネルは、実質的に等しい流動長を有してもよい。一部の実施形態では、複数のパージガスチャネルは、それぞれのパージガスチャネルに沿った同等の位置に沿って実質的に等しい断面積を有してもよい（例えば、断面積は、各通路の長さに沿って変わることがあるが、複数のパージガスチャネルの各チャネルは実質的に同等のやり方で変わる）。一部の実施形態では、複数のパージガスチャネルは、第１のプレート１０５に対して対称に配置されてもよい。一部の実施形態では、複数のパージガスチャネル３０４Ａそれぞれの第１の断面積は、複数のパージガスチャネル３０４Ｂそれぞれの第２の断面積よりも大きい。第１のプレート１０５の周辺部のすぐ近くの断面積を低減させた結果、チョークドフロー条件が生成される。したがって、パージガスは、すべての出口３０５から実質的に同等の流量で出る。

例えば、一部の実施形態では、単一の入り口３０３は、支持軸１０７の導管１１６と位置合わせされるように、トッププレートの中心のすぐ近くに設けられている。単一の入り口３０３から、複数のパージガスチャネルは、半径方向に外に向かって、ならびにトッププレート（および一般には基板支持体）と共通の中心を有する半径の円弧に沿って交互に延在する。パージガスチャネルが半径方向に外に向かって延在する毎に、パージガスチャネルは、半径方向に外に向かって延在する最後のチャネルが第１のプレート１０５を出るまで、円弧の中点と交差する。

図３に示すように、真空溝３０２も第１のプレート１０５内に機械加工されている。開口部３０１は、真空溝３０２を第１のプレート１０５の上の複数の真空チャネル（図４の４０２）と流体結合するために、第１のプレート１０５を貫いて延在する。真空チャック備品（図示せず）は、第１のプレート１０５の上に配置されたときに基板１０８をチャックするための真空溝３０２と通じる。また、第１のプレート１０５は、リフトピン（図示せず）が第１のプレート１０５を貫通し、基板１０８を第１のプレート１０５から持ち上げる／第１のプレート１０５上に下ろすことができるように複数のリフトピン孔３０６を含むことができる。
図４は、本開示の一部の実施形態による第１のプレート１０５の上面図を表す。本発明者は、従来の基板支持体の中心からはずれた単一の開口部から延在する非対称パターンの真空チャネルが、結果として基板の不均一な加熱を生じることを発見した。そのため、本発明者は、結果として有利に基板１０８のより均一な加熱を生じる、複数の軸対称の開口部３０１から延在する軸対称パターンの真空チャネル４０２を実施した。

一部の実施形態では、複数の真空チャネル４０２は、互いに同心の第１の円形の真空チャネル４０４、第２の円形の真空チャネル４０６、および第３の円形の真空チャネル４０８を含む。第１の複数の半径方向のチャネル４１０は、第１の円形の真空チャネル４０４と第２の円形の真空チャネル４０６との間に延在する。第２の複数の半径方向のチャネル４１２は、第２の円形の真空チャネル４０６と第３の円形の真空チャネル４０８との間に延在する。第１の複数の半径方向のチャネル４１０は、第１の複数の交点４０９で第２の円形の真空チャネル４０６と交差する。第２の複数の半径方向のチャネル４１２は、第１の複数の交点４０９とは異なる第２の複数の交点４１１で第２の円形の真空チャネル４０６と交差する。一部の実施形態では、開口部３０１は、第１の円形の真空チャネル４０４に配置されている。

一部の実施形態では、第１のプレート１０５は、複数の接点要素４１４、エッジ密閉バンド４１６、および複数のリフトピン孔３０６に対応する複数のリフトピン密閉バンド４１８も含む。複数の接点要素４１４、エッジ密閉バンド４１６、および複数のリフトピン密閉バンド４１８は、基板１０８の裏側を支持する。一部の実施形態では、接点要素４１４の数を増加させ、接点要素４１４のそれぞれの直径を減少させて、基板１０８の裏側との接点面積を最小化することができる。同様に、基板１０８の裏側との接点面積を最小化するために、エッジ密閉バンド４１６および複数のリフトピン密閉バンド４１８の厚さも減少させることができる。
図５は、本開示の一部の実施形態による基板支持体１０３の断面等角図を表す。図５でわかるように、導管５０２は、一方の端部で真空チャック備品５０３に結合され、反対側の端部で真空溝３０２内へ開口している。真空溝３０２は、第１のプレート１０５上に配置された基板１０８をチャックするために、開口部３０１を介して第１のプレート１０５の上の複数の真空チャネル４０２と通じる。一部の実施形態では、第１のプレート１０５は、第１のプレート１０５上に配置されたときに基板１０８の裏側にパーティクルが発生するのを防ぐための複数の接点要素４１４（例えば、サファイアボール）を含んでもよい。一部の実施形態では、基板支持体１０３は、反射性熱シールド１４０を受けるための、支持軸１０７に形成されたスロット５０６を含んでもよい。

図６は、第１および第２のプレート１０５、１０６の周辺部の側部断面図を表す。一部の実施形態では、基板支持体１０３は、第２のプレート１０６の上方に配置された、第１のプレート１０５を取り囲むエッジリング６０２を含むことができる。エッジリング６０２は、図６の矢印によって示されるように、出口３０５から流れ出るパージガスが第１のプレート１０５とエッジリング６０２との間を流れることができるように、第１のプレート１０５とから離隔されている。一部の実施形態では、第１のプレート１０５の周辺部は、エッジリング６０２の内側部分に一致するように成形される。一部の実施形態では、エッジリング６０２、および第１のプレート１０５の周辺部が、エッジリング６０２と第１のプレート１０５との間のチョークドフロー経路を画成する。その結果、基板１０８を取り囲むパージガスのより均一な流れが実現される。

したがって、改善された加熱均一性を提供することができる基板支持体の実施形態が本明細書で提供された。発明性のある基板支持体は、処理される基板の加熱の均一性を改善し、それにより堆積の均一性を改善することができる。

前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよい。

Claims (14)

1. 支持面を有する本体と、
   前記本体内部に配置された、第１の加熱コイルおよび複数の加熱ゾーンを有する第１のヒータであって、前記第１の加熱コイルの巻線のピッチが、前記複数の加熱ゾーン間の所定の加熱比を規定するように、前記複数の加熱ゾーン間で変わる、第１のヒータと、
   前記本体内の複数の真空チャネルであって、第１の円形の真空チャネル、第２の円形の真空チャネル及び第３の円形の真空チャネルを含み、前記第１の円形の真空チャネル、前記第２の円形の真空チャネル、および前記第３の円形の真空チャネルが同心である、前記複数の真空チャネルと、
   前記第１の円形の真空チャネルと前記第２の円形の真空チャネルとの間に延在する第１の複数の半径方向のチャネルであって、第１の複数の交点で前記第２の円形の真空チャネルと交差する、第１の複数の半径方向のチャネルと、
   前記第２の円形の真空チャネルと前記第３の円形の真空チャネルとの間に延在する第２の複数の半径方向のチャネルであって、前記第１の複数の交点とは異なる第２の複数の交点で前記第２の円形の真空チャネルと交差する、第２の複数の半径方向のチャネルと、
   真空チャック部品を前記複数の真空チャネルに流体結合するために前記第２の円形の真空チャネルに配置された複数の開口部と、
   を備える、基板支持体。
2. 第２の加熱コイルを有する第２のヒータであって、処理される基板の直径の外側に配置されている、第２のヒータ
   をさらに備える、請求項１に記載の基板支持体。
3. 第１のヒータが前記第２のヒータの半径方向内側に配置されている、請求項２に記載の基板支持体。
4. 前記第１のヒータおよび前記第２のヒータが独立して制御可能である、請求項２に記載の基板支持体。
5. 前記複数の加熱ゾーンが、第１の加熱ゾーン、第２の加熱ゾーン、および第３の加熱ゾーンを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の基板支持体。
6. 前記第１の加熱ゾーン、前記第２の加熱ゾーン、および前記第３の加熱ゾーンの前記所定の加熱比が１：０．４：０．３である、請求項５に記載の基板支持体。
7. 前記第１の加熱ゾーン内部の巻線の第１のピッチが前記第２の加熱ゾーン内部の巻線の第２のピッチよりも大きく、前記第２の加熱ゾーン内部の巻線の前記第２のピッチが前記第３の加熱ゾーン内部の巻線の第３のピッチよりも大きい、請求項５に記載の基板支持体。
8. 前記本体を支持する支持軸と、
   前記本体の底部から放射された熱を反射して前記本体の方へ戻すように、前記支持軸に結合され、前記本体の下に配置された反射性熱シールドと、
   をさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の基板支持体。
9. 内部容積を画成するチャンバ本体と、
   前記内部容積の中に配置された基板支持体であって、
   支持面を有する本体、ならびに
   前記支持面を有する前記本体内部に配置された、第１の加熱コイルおよび複数の加熱ゾーンを有する第１のヒータであり、前記複数の加熱ゾーン間の所定の加熱比を規定するために、前記第１の加熱コイルの巻線のピッチが前記複数の加熱ゾーン間で変わる、第１のヒータ
   を備える、基板支持体と、
   前記支持面における複数の真空チャネルであって、第１の円形の真空チャネル、第２の円形の真空チャネル及び第３の円形の真空チャネルを含み、前記第１の円形の真空チャネル、前記第２の円形の真空チャネル、および前記第３の円形の真空チャネルが同心である、前記複数の真空チャネルと、
   前記第１の円形の真空チャネルと前記第２の円形の真空チャネルとの間に延在する第１の複数の半径方向のチャネルであって、第１の複数の交点で前記第２の円形の真空チャネルと交差する、第１の複数の半径方向のチャネルと、
   前記第２の円形の真空チャネルと前記第３の円形の真空チャネルとの間に延在する第２の複数の半径方向のチャネルであって、前記第１の複数の交点とは異なる第２の複数の交点で前記第２の円形の真空チャネルと交差する、第２の複数の半径方向のチャネルと、
   真空チャック部品を前記複数の真空チャネルに流体結合するために前記第２の円形の真空チャネルに配置された複数の開口部と、
   を備える、処理チャンバ。
10. 前記基板支持体が、
    第２の加熱コイルを有する第２のヒータであって、処理される基板の直径の外側に配置され、第１のヒータが前記第２のヒータの半径方向内側に配置されている、第２のヒータをさらに備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
11. 前記第１のヒータおよび前記第２のヒータが独立して制御可能である、請求項１０に記載の処理チャンバ。
12. 前記複数の加熱ゾーンが、第１の加熱ゾーン、第２の加熱ゾーン、および第３の加熱ゾーンを含む、請求項９から１１までのいずれか１項に記載の処理チャンバ。
13. 前記第１の加熱ゾーン内部の巻線の第１のピッチが前記第２の加熱ゾーン内部の巻線の第２のピッチよりも大きく、前記第２の加熱ゾーン内部の巻線の前記第２のピッチが前記第３の加熱ゾーン内部の巻線の第３のピッチよりも大きい、請求項１２に記載の処理チャンバ。
14. 前記基板支持体の前記本体を支持する支持軸と、
    前記本体の底部から放射された熱を反射して前記本体の方へ戻すように、前記支持軸に結合され、前記本体の下に配置された反射性熱シールドと、
    をさらに備える、請求項９から１１までのいずれか１項に記載の処理チャンバ。

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