TW201739528A - 基板處理裝置、基板處理方法及程式記錄媒體 - Google Patents

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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置(1)，其包含：基板保持旋轉機構(41)，其以水平姿勢保持基板(W)，使上述基板(W)圍繞通過上述基板(W)之主面之鉛垂旋轉軸線(AX)旋轉；刷子(30)，其抵接於由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面對上述基板(W)之上述主面進行洗淨；第1噴嘴(10)，其向由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面吐出處理液；及第2噴嘴(20)，其於由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面，向下游鄰接區域(DR)吐出處理液，該下游鄰接區域(DR)自上述基板(W)之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之抵接區域(AR)。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及程式記錄媒體
本發明係關於一種用於對處理對象之基板使用處理液實施處理之基板處理裝置、基板處理方法及程式記錄媒體。處理對象之基板包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光罩用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。
基板之處理步驟之一包括對基板之主面進行洗淨之步驟。於對基板之主面進行洗淨之步驟中，例如通過吐出處理液之噴嘴向基板之主面供給處理液。於僅藉由處理液之供給而無法充分洗淨基板之主面之情形時，進行藉由刷子對基板之主面進行洗淨之刷子洗淨步驟。
根據經驗已知：於刷子洗淨步驟中，藉由刷子對基板之主面之污垢等之作用與處理液對基板之主面之污垢等之作用協作，而有效率地洗淨基板之主面。
刷子洗淨步驟可於單片型洗淨裝置中實施。於單片型洗淨裝置中，在向以水平姿勢旋轉之基板之主面供給處理液之狀態下，藉由刷子洗淨該基板之主面。執行此種處理之構造之基板處理裝置之一例揭示於專利文獻1之圖12。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-123800號公報
於刷子洗淨步驟中存在如下情形：於基板之主面之刷子周圍，形成處理液未覆蓋之區域、或處理液之液膜之膜厚變小之區域(以下稱為「膜厚降低區域」)。
於刷子周圍形成有膜厚降低區域之情形時，存在藉由刷子去除之污垢未被排出至基板之外側而滯留於該膜厚降低區域內之情形。又，於刷子周圍形成有膜厚降低區域之情形時，會產生利用刷子去除之微粒等再次附著於基板之主面等問題。
尤其是自基板之旋轉方向之上游側之區域流出之處理液由刷子之上游側之周緣阻擋。因此，於基板之主面的較刷子更靠下游側之區域，處理液之液膜之膜厚變小，結果易產生上述問題。
鑒於以上情況，處理液之液膜於基板之主面、尤其是刷子周圍必須保持可抑制膜厚降低區域之形成之程度之特定厚度。
因此，本發明之目的之一在於：於較基板之主面之刷子更靠基板之旋轉方向之下游側之區域，抑制處理液之缺液或處理液之液膜之膜厚之降低。
本發明提供一種基板處理裝置(1)，其包含：基板保持旋轉機構(41)，其以水平姿勢保持基板(W)，且使上述基板(W)圍繞通過上述基板(W)之主面之鉛垂旋轉軸線(AX)旋轉；第1噴嘴(10)， 其向由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面吐出處理液；刷子(30)，其抵接於由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面對上述基板(W)之上述主面進行洗淨；及第2噴嘴(20)，其於由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面向下游鄰接區域(DR)吐出處理液，該下游鄰接區域(DR)自上述基板(W)之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之抵接區域(AR)。
再者，括弧內之英文數字表示下述實施形態中之對應構成元件等，並非旨在將申請專利範圍限定於實施形態。以下均與本項相同。
根據該基板處理裝置(1)，自第2噴嘴(20)向下游鄰接區域(DR)吐出處理液。藉此，向下游鄰接區域(DR)補充處理液。
藉此，可提供一種可抑制於下游鄰接區域(DR)內處理液之液膜之膜厚變小的基板處理裝置(1)。根據該基板處理裝置(1)，可藉由處理液恰當地排出利用刷子(30)去除之微粒等污垢，故而可抑制微粒等污垢再次附著於基板(W)之主面。
上述基板處理裝置(1)亦可進而包含移動機構(60)：其使上述刷子(30)沿由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板(W)之上述主面移動。
於上述基板處理裝置(1)中，上述第2噴嘴(20)亦可以與上述刷子(30)一體地移動之方式構成。
於上述基板處理裝置(1)中，上述第2噴嘴(20)亦可以於上述基板(W)之上述主面向上述抵接區域(AR)及上述下游鄰接區域(DR)之間之區域(B)吐出處理液之方式構成。
於上述基板處理裝置(1)中，自上述第2噴嘴(20)吐出之處理液之流量亦可以根據上述抵接區域(AR)相對於上述基板(W)之上述主面之位置變化之方式構成。
根據該基板處理裝置(1)，可根據沿基板(W)之主面的處理液之液膜之膜厚之尺寸使自第2噴嘴(20)吐出之處理液之流量變化。藉此，可恰當地抑制產生處理液之液膜之膜厚降低之區域。
於上述基板處理裝置(1)中，上述第2噴嘴(20)亦可於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之周緣部之狀態下，於較上述抵接區域(AR)更靠上述基板(W)之中央部側具有處理液之吐出位置(20A)。
於上述基板處理裝置(1)中，上述第1噴嘴(10)亦可以向上述基板(W)之上述主面之中央部吐出處理液之方式構成。
本發明又提供一種基板處理方法，其包括：基板保持旋轉步驟，其以水平姿勢保持基板(W)，且使上述基板(W)圍繞通過上述基板(W)之主面之鉛垂旋轉軸線(AX)旋轉；第1吐出步驟，其自第1噴嘴(10)向旋轉之上述基板(W)之上述主面吐出處理液；刷子抵接步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，使刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面；及第2吐出步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，於上述基板(W)之上述主面，自第2噴嘴(20)向下游鄰接區域(DR)吐出處理液，該下游鄰接區域(DR)自上述基板(W)之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之抵接區域(AR)。
根據該基板處理方法，與自第1噴嘴(10)向基板(W)之主面吐出處理液之第1吐出步驟並行地，自第2噴嘴(20)向下游 鄰接區域(DR)吐出處理液。藉此，向下游鄰接區域(DR)補充處理液。
因此，可提供一種可抑制於下游鄰接區域(DR)內處理液之液膜之膜厚變小的基板處理方法。根據該基板處理方法，可藉由處理液恰當地排出利用刷子(30)去除之微粒等污垢，故而可抑制微粒等污垢再次附著於基板(W)之主面。
上述基板處理方法亦可進而包括刷子移動步驟：其於上述刷子抵接步驟之後與上述第1吐出步驟並行執行，於使上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之狀態下，使上述刷子(30)沿上述基板(W)之上述主面移動。
於上述基板處理方法中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：與上述刷子移動步驟並行執行，且一面與上述刷子(30)一體地移動一面自上述第2噴嘴(20)吐出處理液。
於上述基板處理方法中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：自上述第2噴嘴(20)向上述抵接區域(AR)及上述下游鄰接區域(DR)之間之區域(B)吐出處理液。
於上述基板處理方法中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：根據上述抵接區域(AR)相對於上述基板(W)之上述主面之位置，使自上述第2噴嘴(20)吐出之處理液之流量變化。
根據該基板處理方法，可根據沿基板(W)之主面的處理液之液膜之膜厚之尺寸使自第2噴嘴(20)吐出之處理液之流量變化。藉此，可恰當地抑制產生處理液之液膜之膜厚降低之區域。
於上述基板處理方法中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之周緣部之狀態下，自於較上述抵接區域(AR)更靠上述基板(W)之中央 部側具有處理液之吐出位置(20A)的上述第2噴嘴(20)向上述下游鄰接區域(DR)吐出處理液。
於上述基板處理方法中，上述第1吐出步驟亦可進而包括如下步驟：自上述第1噴嘴(10)向上述基板(W)之上述主面之中央部吐出處理液。
本發明進而提供一種程式記錄媒體，其可由電腦讀取且記錄有用於執行使用刷子(30)對基板(W)之主面進行洗淨之基板處理方法的程式，上述基板處理方法包括：基板保持旋轉步驟，其以水平姿勢保持基板(W)，且使上述基板(W)圍繞通過上述基板(W)之主面之鉛垂旋轉軸線(AX)旋轉；第1吐出步驟，其自第1噴嘴(10)向旋轉之上述基板(W)之上述主面吐出處理液；刷子抵接步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，使刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面；及第2吐出步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，於上述基板(W)之上述主面，自第2噴嘴(20)向下游鄰接區域(DR)吐出處理液，該下游鄰接區域(DR)自上述基板(W)之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之抵接區域(AR)。
根據應用該程式記錄媒體之基板處理方法，與自第1噴嘴(10)向基板(W)之主面吐出處理液之第1吐出步驟並行地執行自第2噴嘴(20)向下游鄰接區域(DR)吐出處理液之第2吐出步驟。藉由該第2吐出步驟，可向下游鄰接區域(DR)補充處理液。
因此，可提供如下程式記錄媒體：其可由電腦讀取且記錄有用於執行可抑制於下游鄰接區域(DR)內處理液之液膜之膜厚變小之基板處理方法的程式。根據使用該程式記錄媒體之基板處 理方法，可藉由處理液恰當地排出利用刷子(30)去除之微粒等污垢，故而可抑制微粒等污垢再次附著於基板(W)之主面。
上述程式記錄媒體亦可進而包括刷子移動步驟：其於上述刷子抵接步驟之後與上述第1吐出步驟並行執行，於使上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之狀態下使上述刷子(30)沿上述基板(W)之上述主面移動。
於上述程式記錄媒體中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：與上述刷子移動步驟並行執行，且一面與上述刷子(30)一體地移動一面自上述第2噴嘴(20)吐出處理液。
於上述程式記錄媒體中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：自上述第2噴嘴(20)向上述抵接區域(AR)及上述下游鄰接區域(DR)之間之區域(B)吐出處理液。
於上述程式記錄媒體中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：根據上述抵接區域(AR)相對於上述基板(W)之上述主面之位置，使自上述第2噴嘴(20)吐出之處理液之流量變化。
根據應用該程式記錄媒體之基板處理方法，可根據沿基板(W)之主面的處理液之液膜之膜厚之尺寸使自第2噴嘴(20)吐出之處理液之流量變化。藉此，可恰當地抑制產生處理液之液膜之膜厚降低之區域。
於上述程式記錄媒體中，上述第2吐出步驟亦可進而包括如下步驟：於上述刷子(30)抵接於上述基板(W)之上述主面之周緣部之狀態下，自於較上述抵接區域(AR)更靠上述基板(W)之中央部側具有處理液之吐出位置(20A)的上述第2噴嘴(20)向上述下游鄰接區域(DR)吐出處理液。
於上述程式記錄媒體中，上述第1吐出步驟亦可進而包括如下步驟：自上述第1噴嘴(10)向上述基板(W)之上述主面之中央部吐出處理液。
本發明中之上述或進而其他目的、特徵及效果可參照隨附圖式並藉由以下敍述之實施形態之說明而明確。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧第1噴嘴
10A‧‧‧第1噴嘴之吐出口
20‧‧‧第2噴嘴
20A‧‧‧第2噴嘴之吐出口
25‧‧‧連結構件
30‧‧‧刷子
30B‧‧‧刷子之邊緣
40‧‧‧夾盤銷移動機構
41‧‧‧旋轉夾盤(基板保持旋轉機構)
43‧‧‧支軸
47‧‧‧夾盤銷
47A‧‧‧夾盤銷之載置部
47B‧‧‧夾盤銷之抵接部
51‧‧‧頭部
52‧‧‧支臂
55‧‧‧旋轉底座旋轉機構
60‧‧‧支臂移動機構
61‧‧‧可動部
61A‧‧‧軸旋轉機構
61B‧‧‧上下移動機構
62‧‧‧罩蓋
100‧‧‧控制機構
110‧‧‧記憶部
115‧‧‧旋轉底座
120‧‧‧CPU
121‧‧‧處理液供給機構控制部
122‧‧‧支臂驅動機構控制部
123‧‧‧夾盤銷驅動機構控制部
124‧‧‧旋轉底座旋轉機構控制部
125‧‧‧控制部
200‧‧‧處理液供給機構
210、220‧‧‧配管
211、221‧‧‧調整閥
215、225‧‧‧開閉閥
250‧‧‧處理液罐
AR‧‧‧抵接區域
AX‧‧‧旋轉軸線
B‧‧‧邊界線
DR‧‧‧旋轉下游鄰接區域
L‧‧‧流量
P1、P2‧‧‧泵
R‧‧‧膜厚降低區域
W‧‧‧基板
X‧‧‧目標位置
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成之示意圖。
圖2係表示上述基板處理裝置之處理液供給機構之構成之示意圖。
圖3係用於說明上述基板處理裝置之控制機構之構成之概念圖。
圖4係用於說明膜厚降低區域產生之結構之示意俯視圖。
圖5係用於說明利用上述基板處理裝置的基板之處理步驟的流程圖。
圖6係用於說明處理液補充之效果之示意側視圖。
以下依序說明基板處理裝置1之構成及動作。於圖式中，對具有同樣構成及功能之部分附註相同之參照符號，以下省略可重複之說明。
<基板處理裝置1之構成>
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之構成之示 意圖。
基板處理裝置1係對半導體晶圓等大致圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式基板處理裝置。基板處理裝置1包含旋轉夾盤41，該旋轉夾盤41以水平姿勢保持基板W並使基板W圍繞通過基板W之主面之中央部的鉛垂旋轉軸線AX旋轉。
旋轉夾盤41包含大致圓板狀之旋轉底座115、連結於旋轉底座115之下方之圓柱狀之支軸43、及連結於支軸43之旋轉底座旋轉機構55。旋轉底座旋轉機構55亦可進而包含電動馬達。
旋轉底座115之上表面之周緣部配設有數個夾盤銷47。數個夾盤銷47沿旋轉底座115之圓周方向大致等間隔配設。數個夾盤銷47自基板W之周緣保持基板W。數個夾盤銷47分別具有載置有基板W之載置部47A、及壓接基板W之周緣且賦予保持基板W之保持力之抵接部47B。
旋轉底座115之內部設有夾盤銷移動機構40。夾盤銷移動機構40連結於夾盤銷47。於圖1中，夾盤銷移動機構40以虛線表示。夾盤銷移動機構40使夾盤銷47沿旋轉底座115之徑方向移位。藉此，夾盤銷47於開位置及閉位置之間移位。
夾盤銷47之開位置係夾盤銷47向旋轉底座115之徑方向外側之方向移動，且抵接部47B遠離基板W之周緣之位置。夾盤銷47之閉位置係夾盤銷47向旋轉底座115之徑方向內側之方向移動，且抵接部47B與基板W之周緣相接之位置。
基板處理裝置1包含配置於旋轉夾盤41周圍之支臂移動機構60。支臂移動機構60包含支臂52、連結於支臂52且使支臂52移動之可動部61、及覆蓋可動部61之罩蓋62。罩蓋62屏 蔽可動部61所產生之微粒等污染物向外部漏出。
支臂52形成為具有一端及另一端之略長軸狀。支臂52之一端連結於支臂移動機構60之可動部61。支臂52之另一端連結有頭部51。頭部51之下方安裝有用於對基板W進行洗淨之刷子30。刷子30具有作為抵接於基板W之主面(此處為基板W之上表面，以下相同)之抵接部的下表面。刷子30之下表面亦為對基板W之主面進行洗淨之洗淨面。
作為將刷子30固定於頭部51之形態，能夠採取多樣形態。例如，刷子30亦可固定於頭部51之前端或側面。頭部51於刷子30固定之狀態下藉由支臂移動機構60而移動。藉此，能夠使刷子30適當移動。
支臂移動機構60之可動部61包含軸旋轉機構61A及上下移動機構61B。藉由軸旋轉機構61A，頭部51及刷子30相對於旋轉底座115之上表面平行擺動。又，藉由上下移動機構61B，頭部51及刷子30相對於旋轉底座115之上表面上下移動。
支臂移動機構60之可動部61可包含未圖示之前後移動機構61C代替軸旋轉機構61A或亦可除軸旋轉機構61A以外還包含未圖示之前後移動機構61C。頭部51及刷子30能夠藉由前後移動機構61C而於支臂52之長軸方向前後移動。
基板處理裝置1包含：第1噴嘴10，其向保持於旋轉夾盤41上之基板W之主面供給處理液；第2噴嘴20，其向保持於旋轉夾盤41上之基板W之主面供給處理液；及處理液供給機構200，其連接於第1噴嘴10及第2噴嘴20。
除圖1以外適當參照圖2說明第1噴嘴10、第2噴 嘴20及處理液供給機構200之配置及構成。圖2係表示基板處理裝置1之處理液供給機構200之構成之示意圖。
第1噴嘴10於本實施形態中藉由未圖示之連結構件固定於基板W之主面之上方。未圖示之連結構件亦可為將第1噴嘴10固定於基板W之主面之上方的固定具。第1噴嘴10向基板W之主面之中央部吐出處理液。第1噴嘴10以不干涉第2噴嘴20及頭部51之高度配置。
第1噴嘴10包含吐出處理液之吐出口10A。第1噴嘴10通過配管210連接於處理液供給機構200。第1噴嘴10自吐出口10A吐出自處理液供給機構200供給之處理液。
更具體而言，處理液供給機構200藉由泵P1將貯存於處理液罐250中之處理液通過配管210供給至第1噴嘴10。於配管210介裝有調整流量處理液之流量之調整閥211與使配管210開閉之開閉閥215。
自第1噴嘴10吐出之處理液之流量可藉由泵P1之驅動輸出及調整閥211之開度而調節。利用第1噴嘴10的處理液之吐出開始及停止可藉由對開閉閥215進行開閉而執行。
第1噴嘴10之上述配置及構成僅為一例。作為自第1噴嘴10之吐出口10A向基板W之主面之中央部吐出處理液之構成，可採用各種形態。例如，亦可包含以與基板W之主面對向之方式配置於基板W之上方的所謂遮斷板，第1噴嘴10之吐出口10A配置於該遮斷板之中央部。
又，第1噴嘴10亦可具有能夠藉由與各種移動機構組合而沿基板W之主面移動之構成。例如，第1噴嘴10亦可具有 於向基板W之主面之中央部吐出處理液時配置於基板W之旋轉軸線AX上，除此以外時退避至不與基板W之主面對向之退避位置之構成。
又，第1噴嘴10亦可具有包含配置於基板W之旋轉軸線AX上外之區域之吐出口10A，自吐出口10A向基板W之主面之中央部斜向吐出處理液之構成。
第2噴嘴20以與頭部51及刷子30一體地移動之方式設置。第2噴嘴20於本實施形態中介由連結構件25固定於頭部51。連結構件25亦可為將第2噴嘴20固定於頭部51之固定具。
第2噴嘴20相對於基板W之旋轉軸線AX保持特定角度而固定於頭部51之側面。第2噴嘴20相對於基板W之主面向鉛直斜下方吐出處理液。第2噴嘴20相對於基板W之旋轉軸線AX的角度例如係相對於基板W之旋轉軸線AX之下方為45度~80度。
第2噴嘴20包含吐出處理液之吐出口20A。於本實施形態中，於刷子30抵接於基板W之主面之周緣部時，第2噴嘴20之吐出口20A相對於刷子30位於基板W之旋轉軸線AX側。第2噴嘴20通過配管220連接於處理液供給機構200。第2噴嘴20將自處理液供給機構200供給之處理液自吐出口20A吐出。
更具體而言，處理液供給機構200藉由泵P2將貯存於處理液罐250中之處理液通過配管220供給至第2噴嘴20。於配管220介裝有調整處理液之流量之調整閥221與使配管220開閉之開閉閥225。
參照圖2，配管210及配管220亦可以相互獨立之態 樣連結於共同之處理液罐250。亦可進而包含連結於處理液罐250之共同配管230(未圖示)，且配管210及配管220介由共同配管230(未圖示)連結於處理液罐250。
又，處理液罐250亦可具有第1噴嘴10用之處理液罐250A(未圖示)及第2噴嘴20用之處理液罐250B(未圖示)。於該情形時，第1噴嘴10亦可藉由配管210連結於處理液罐250A(未圖示)。又，第2噴嘴20亦可藉由配管220連結於處理液罐250B(未圖示)。
自第2噴嘴20吐出之處理液之流量可藉由泵P2之驅動輸出及調整閥221之開度而調節。利用第2噴嘴20的處理液之吐出開始及停止可藉由對開閉閥225進行開閉而執行。
除圖1以外適當參照圖3說明控制機構100之構成。圖3係用於說明基板處理裝置1之控制機構100之構成的概念圖。
參照圖1及圖3，基板處理裝置1包含控制機構100。控制機構100控制夾盤銷移動機構40、旋轉底座旋轉機構55、支臂移動機構60之可動部61、連結於處理液供給機構200之泵P1、P2、調整閥211、221、開閉閥215、225等。
控制機構100包含中央處理器(CPU，Central Processing Unit)120、處理液供給機構控制部121、支臂驅動機構控制部122、夾盤銷驅動機構控制部123、旋轉底座旋轉機構控制部124、其他控制部125。控制機構100連接有記憶部110。
處理液供給機構控制部121驅動控制連結於處理液供給機構200之泵P1、P2、調整閥211、221、開閉閥215、225等。處理液供給機構控制部121亦可包含控制第1噴嘴10側之第1噴 嘴控制部(未圖示)與控制第2噴嘴20側之第2噴嘴控制部(未圖示)。
支臂驅動機構控制部122驅動控制支臂移動機構60之可動部61。夾盤銷驅動機構控制部123驅動控制夾盤銷移動機構40。旋轉底座旋轉機構控制部124驅動控制旋轉底座旋轉機構55。
記憶部110係儲存程序或各種運算法之記錄媒體。程序中儲存處理步驟之順序或處理步驟實施時所需之裝置控制參數等。各種運算法用於算出操作者指示資訊、各步驟之裝置控制參數或控制信號之值。
上述之各控制部與記憶部110聯合算出控制信號之值，將與裝置之處理步驟之進行狀況相應之控制信號發送至連接目標。
雖未圖示，但旋轉底座115周圍亦可設置間隔壁，其用於控制伴隨基板W之處理而產生的處理液之飛沫或環境之污染等。於該情形時，控制機構100亦可配置於上述間隔壁之外部、即隔著上述間隔壁而與旋轉底座115為相反側之區域。控制機構100亦可具有通過用於收發控制信號之配線而與上述各種機構進行通信之構成。
參照圖4說明膜厚降低區域R產生之結構。圖4係用於說明膜厚降低區域R產生之結構之示意俯視圖。於圖4中，簡單起見省略第1噴嘴10及連接於其之配管210或連接於第2噴嘴20之配管220等的圖示。
膜厚降低區域R係指於基板W之主面發生處理液之缺液之區域、或處理液之液膜之膜厚超過容許範圍而變小之區域。
利用第2噴嘴20對基板W之主面之處理液之供給於 如下狀態下進行：自第1噴嘴10向旋轉之基板W之主面供給處理液，且刷子30抵接於基板W之主面。
自第1噴嘴10向基板W之主面供給之處理液藉由因基板W之旋轉所產生之離心力而自基板W之徑方向內側之區域流向基板W之徑方向外側之區域。基板W之徑方向內側之區域亦可為基板W之中央部側之區域。基板W之徑方向外側之區域亦可為基板W之周緣部側之區域。
參照圖4，於基板W之主面的、自基板W之旋轉方向之上游側鄰接於刷子30及基板W抵接之抵接區域AR的區域，刷子30之上游側之側面與基板W之旋轉及處理液之流動對向。因此，處理液被刷子30之上游側之側面阻擋。
於抵接於基板W之主面之狀態下，刷子30之下表面並非嚴密地密接於基板W之主面。因此，處理液通過刷子30之下表面及基板W之主面之間之區域。
然而，刷子30之下表面及基板W之主面之間僅形成有微細之凹凸或間隙，故而通過刷子30之下表面之處理液之流量受限。因此，於基板W之主面的、較刷子30更靠上游側之區域，與刷子30不抵接於基板W之情形相比，處理液之液膜之膜厚變大。
另一方面，於基板W之主面的、自基板W之旋轉方向之下游側鄰接於刷子30及基板W抵接之抵接區域AR的特定區域DR(以下稱為「旋轉下游鄰接區域DR」)，與刷子30不抵接於基板W之情形相比處理液之液膜之膜厚變小。結果形成發生處理液之缺液、或處理液之液膜之膜厚超過容許範圍而變小的區域即膜厚降低區域R。
即，典型情況下，膜厚降低區域R產生於旋轉下游鄰接區域DR。膜厚降低區域R於刷子30之下表面之端面(邊緣)，發端於基板W之旋轉方向之下游側之邊緣30B(以下稱為「刷子30之下游側邊緣30B」)，成為自該下游側邊緣30B向旋轉下游鄰接區域DR略微延伸之形狀。
因此，第2噴嘴20較佳為以自吐出口20A向旋轉下游鄰接區域DR之任意位置吐出處理液之方式固定於頭部51。
又，自第2噴嘴20吐出之處理液觸液之目標位置X較佳為設定於基板W之主面的、旋轉下游鄰接區域DR之刷子30之側面附近。上述目標位置X進而較佳為設定於藉由第2噴嘴20補充之處理液流向膜厚降低區域R之全域之位置。
旋轉下游鄰接區域DR之中處理液之液膜之膜厚最低之區域係抵接區域AR及旋轉下游鄰接區域DR之間之邊界線B附近的區域。因此，較佳為自第2噴嘴20向上述邊界線B附近之區域吐出處理液。
如此，本實施形態之第2噴嘴20發揮於利用刷子30對基板W之主面進行洗淨時抑制膜厚降低區域R之形成的作用。更具體而言，第2噴嘴20發揮向鄰接於抵接區域AR之旋轉下游鄰接區域DR補充處理液，抑制於旋轉下游鄰接區域DR形成膜厚降低區域R的作用。
<基板處理裝置1之動作>
其次，說明基板處理裝置1之動作。圖5係用於說明利用本實施形態之基板處理裝置1的基板W之處理步驟的流程圖。
<STEP1：基板W之搬入>
首先，藉由未圖示之基板搬送機構將基板W搬入至基板處理裝置1內。此時，夾盤銷47位於開位置。被搬入至基板處理裝置1內後，基板W載置於夾盤銷47之載置部47A。
基板W載置於載置部47A後，夾盤銷47自開位置向閉位置移動。藉此，基板W之周緣由夾盤銷47之抵接部47B壓接，基板W由夾盤銷47保持。夾盤銷47由控制機構100之夾盤銷驅動機構控制部123驅動控制。
其次，驅動旋轉底座旋轉機構55。旋轉底座旋轉機構55之旋轉驅動力介隔支軸43傳遞至旋轉底座115。藉此，基板W與旋轉底座115一起旋轉。旋轉底座旋轉機構55由控制機構100之旋轉底座旋轉機構控制部124驅動控制。
<STEP2：利用第1噴嘴10的處理液之供給>
其次，自第1噴嘴10向基板W之主面吐出處理液。此處之處理例如包括基板W之主面之污染物的去除、或附著於基板W之主面之抗蝕劑等殘渣的去除等廣義之洗淨處理。
處理液可根據洗淨之目的或性質而選擇。作為處理液之例，較佳為選擇適合利用刷子30對基板W進行洗淨之處理液。作為此種處理液，例如可使用去離子水(DIW，Deionized Water)、弱酸性、弱鹼性藥液等，根據污垢或殘渣去除之性質或狀態，亦可使用1號標準清洗溶液(SC1，Standard Cleaning Solution 1)、2號標準清洗溶液(SC2，Standard Cleaning Solution 2)等。又，根據抗蝕 劑殘渣之性質或狀態，亦可使用硫酸過氧化氫混合物等。
第1噴嘴10向基板W之主面之中央部吐出處理液。若自第1噴嘴10向基板W之中央部吐出處理液，則該處理液受到因基板W之旋轉所產生之離心力，向基板W之徑方向外側之方向擴展。
作為一形態，亦可自具有配置於基板W之主面之中央部上方之吐出口10A的第1噴嘴10向基板W之主面之中央部吐出處理液。作為另一形態，亦可自具有配置於基板W之主面之中央部外之區域的與基板W之主面對向之位置之吐出口10A的第1噴嘴10，向基板W之主面之中央部吐出處理液。於該情形時，亦可以處理液於基板W之中央部觸液之方式，自第1噴嘴10之吐出口10A於相對基板W之主面傾斜之狀態下吐出處理液。
<STEP3：刷子30向洗淨開始位置之移動>
於第1噴嘴10開始吐出處理液後或與其並行地，刷子30自旋轉底座115外之退避位置向基板W之主面之洗淨開始位置移動。
更具體而言，首先刷子30藉由支臂移動機構60向上方移動微小距離(數mm至數cm左右)。刷子30與頭部51一體地移動。又，刷子30藉由支臂移動機構60自退避位置向基板W之主面之特定洗淨開始位置移動。藉此，刷子30配置於基板W之主面之洗淨開始位置。
於對基板W之主面之全區域執行刷子洗淨之情形時，刷子30之洗淨開始位置為基板W之中央部附近。基板W之中央部附近之區域亦可為基板W之主面及基板W之旋轉軸線AX交 叉之交叉位置附近的區域。
於僅對基板W之周緣部執行刷子洗淨之情形時，刷子30之洗淨開始位置為於基板W之周緣部之中進行刷子洗淨之區域中的、於基板W之徑方向上最靠近基板W之中央部的位置。
<STEP4：利用第2噴嘴20的處理液之供給>
如上所述，於自下游側鄰接於抵接區域AR之旋轉下游鄰接區域DR，有產生膜厚降低區域R之虞(亦一併參照圖4)。於膜厚降低區域R中，發生處理液之缺液、或處理液之液膜之膜厚超過容許範圍而變小。於STEP4中，藉由自第2噴嘴20向特定位置吐出處理液而抑制膜厚降低區域R之產生。
參照圖6，說明利用第2噴嘴20之處理液補充之效果。圖6係用於模式性地說明將第2噴嘴20所吐出之處理液補充至旋轉下游鄰接區域DR之效果的裝置側視圖。圖6包括圖6(A)~圖6(C)。
圖6(A)中示有於刷子30遠離基板W之主面之狀態下，自第1噴嘴10供給至基板W之主面的處理液之液膜之膜厚分佈。
圖6(B)中示有於刷子30抵接於基板W之狀態下，自第1噴嘴10供給至基板W之主面的處理液之液膜之膜厚分佈。
圖6(C)中示有於自第1噴嘴10向基板W之主面供給處理液之狀態下，自第2噴嘴20向膜厚降低區域R供給處理液之狀態下的膜厚分佈。圖6(A)~圖6(C)中示有於基板W之主面中的旋轉下游鄰接區域DR側之膜厚分佈。
參照圖6(A)，於STEP4中，基板W旋轉，自第1噴嘴10向該基板W之主面之中央部吐出處理液。所吐出之處理液藉由因基板W之旋轉所產生之離心力自基板W之徑方向內側之區域流向基板W之徑方向外側之區域。
就離心力之作用而言，基板W之徑方向外側之區域的離心力之作用強於基板W之徑方向內側之區域的離心力之作用。進而，就應由處理液覆蓋之基板W之圓周方向面積而言，基板W之徑方向外側之區域的該面積大於基板W之徑方向內側之區域的該面積。因此，存在形成於基板W之周緣部的處理液之液膜之膜厚變得比形成於基板W之中央部的處理液之液膜之膜厚小之傾向。
參照圖6(B)，於STEP4中，若開始利用刷子30進行洗淨，則於刷子30及基板W抵接之抵接區域AR去除微粒等污垢。所去除之微粒等藉由處理液自基板W之徑方向內側被沖向基板W之徑方向外側。
於基板W之主面的、自基板W之旋轉方向之上游側鄰接於抵接區域AR之區域，刷子30之上游側之側面與基板W之旋轉及處理液之流動對向。因此，處理液由刷子30之上游側之側面阻擋。其結果為，於基板W之主面的較刷子30更靠上游側之區域，與刷子30不抵接於基板W之情形相比，處理液之液膜之膜厚變大。
另一方面，於旋轉下游鄰接區域DR，與刷子30不抵接於基板W之情形相比，處理液之液膜之膜厚變小。其結果為，於旋轉下游鄰接區域DR形成膜厚降低區域R。
參照圖6(C)，於STEP4中，為了抑制此種問題，自第2噴嘴20向刷子30之下游側邊緣30B附近之區域吐出處理液。藉此，於刷子30之下游側邊緣30B附近，向自第1噴嘴10吐出之處理液補充自第2噴嘴20吐出之處理液。
因此，於基板W之主面的刷子30之下游側邊緣30B附近，可抑制形成膜厚降低區域R。藉此，如圖6(C)所示，藉由來自第2噴嘴20之處理液之補充可抑制液膜之膜厚之極端降低。
即，第2噴嘴20以向旋轉下游鄰接區域DR補充處理液之方式構成。因此，藉由第2噴嘴20，能夠向旋轉下游鄰接區域DR之任意位置、例如膜厚降低區域R中所包含之目標位置X(參照圖4)補充處理液。向目標位置X(參照圖4)吐出之處理液向目標位置X(參照圖4)周圍稍擴展後，排出至基板W之外側。
於刷子30之下表面及基板W之主面之間之區域未介有處理液之情形時，基板W之主面產生不希望發生之損傷的風險較高。於本實施形態中，亦可藉由自第2噴嘴20供給之處理液向刷子30之下表面及基板W之主面之間之區域補充處理液。因此，藉由第2噴嘴20補充處理液於抑制因膜厚降低區域R等之形成所致的基板W之主面之損傷方面亦有效。
<STEP5：刷子30之滑動>
於STEP5中，刷子30於抵接於基板W之主面之狀態下自洗淨開始位置沿基板W之徑方向移動。刷子30於基板W之特定範圍內滑動。基板W之特定範圍係指基板W中預定進行洗淨之區域。
於該步驟中，基板W於保持於夾盤銷47上之狀態下 與旋轉底座115一體地旋轉。又，於該步驟中，自第1噴嘴10及第2噴嘴20向基板W之主面吐出處理液。又，於該步驟中，刷子30於洗淨開始位置滑動接觸於基板W。
於該步驟中，刷子30藉由支臂移動機構60而於基板W之主面上沿基板W之徑方向移動。藉此，刷子30及基板W抵接之抵接區域AR移動，對基板W之主面之不同區域進行洗淨。
更具體而言，第2噴嘴20固定於頭部51，故而與頭部51一體地於基板W之主面上移動。於本實施形態中，刷子30及第2噴嘴20於維持相互之相對位置關係之狀態下，與頭部51一體地沿基板W之徑方向移動。
第2噴嘴20至少於刷子30為了對基板W之主面進行洗淨而移動期間向旋轉下游鄰接區域DR補充處理液。藉此，於相對於基板W之主面之位置與刷子30一起移位之旋轉下游鄰接區域DR，可抑制形成膜厚降低區域R。
亦可藉由具備使第2噴嘴20之移動、及頭部51之移動同步之控制及驅動機構的實施形態實現相同之動作。
於第2噴嘴20等沿基板W之徑方向移動期間，自第1噴嘴10對基板W之主面之中央部持續吐出處理液。自第1噴嘴10吐出之處理液之流量預先設定於程序中。自第1噴嘴10吐出之處理液之流量之資訊儲存於記憶部110中。
處理液供給機構200之泵P1、調整閥211及開閉閥215藉由處理液供給機構控制部121(例如未圖示之第1噴嘴控制部)控制。處理液供給機構控制部121於STEP2及STEP4之間之步驟中，以自第1噴嘴10吐出之處理液成為固定流量之方式控制處理 液供給機構200之泵P1、調整閥211及開閉閥215。
如此，於STEP5中，即便於刷子30及第2噴嘴20沿基板W之徑方向移動期間，亦可抑制膜厚降低區域R之產生。
如圖4或圖6所述，膜厚降低區域R存在較之基板W之徑方向內側之區域更易形成於基板W之徑方向外側之區域的傾向。因此，於刷子30及第2噴嘴20沿基板W之徑方向移動之情形時，較佳為根據抵接區域AR相對於基板W之徑方向之位置，使自第2噴嘴20吐出之處理液之流量發生變化。
更具體而言，自第2噴嘴20吐出之處理液之流量較佳為以如下方式進行調整：抵接區域AR(刷子30)位於基板W之周緣部時之處理液之流量變得大於抵接區域AR(刷子30)位於基板W之中央部時之處理液之流量。
與恰當之初始流量及其控制資料相關之資訊、及用於根據基板W之徑方向使流量發生變化之關係式之資料，按照基板W之處理程序儲存於記憶部110中。而且，與刷子30相對於基板W之主面之位置對應的流量藉由運算部(未圖示)算出。
於流量根據基板W之徑方向發生變化之情形時，自第2噴嘴20吐出之處理液之流量L亦可根據下述之式(1)或(2)算出。
流量L=C0 ＊(C1+C2 ＊ D ＊ D)…(1)
流量L=C0 ＊(C1+C2 ＊ D)…(2)
於上述之式(1)及(2)中，「D」亦可為俯視時基板W之旋轉中心及刷子30之間之距離(「D」≧0)。於該情形時，基板W之旋轉中心為零點。
於上述之式(1)及(2)中，「C0」例如亦可為根據基板W 之旋轉數而設定之特定值(「C0」≧0)。「C0」例如亦可為，基板W之旋轉數越大則設定為越大的值，基板W之旋轉數越小則設定為越小的值。
於上述之式(1)及(2)中，「C1」例如亦可為根據形成於旋轉下游鄰接區域DR之膜厚降低區域R之液膜之厚度而設定之特定值(「C1」≧0)。「C1」例如亦可為與應向膜厚降低區域R填補之處理液之流量對應的特定值。
「C1」例如亦可為，形成於膜厚降低區域R之液膜之厚度越大則設定為越小的值，形成於膜厚降低區域R之液膜之厚度越小則設定為越大的值。當然，若刷子30之尺寸變大則膜厚降低區域R亦變大，故而「C1」亦可為根據刷子30之尺寸而設定之特定值。
於上述之式(1)及(2)中，例如於不存在膜厚降低區域R之情形時，「C2」亦可為根據形成於基板W之任意位置的處理液之液膜之厚度而設定之特定值(「C2」≧0)。
例如於不存在膜厚降低區域R，且形成於基板W之周緣部之處理液之液膜之厚度比形成於基板W之中央部的處理液之液膜之厚度小之情形時，「C2」亦可為與應向基板W之周緣部填補的處理液之流量對應之特定值。
「C2」例如亦可為，形成於基板W之周緣部的處理液之液膜之厚度越大則設定為越小值，形成於基板W之周緣部的處理液之液膜之厚度越小值則設定為越大值。「C0」、「C1」及「C2」之較佳值例如可預先通過實驗求出。
與刷子30相對於基板W之主面之徑方向之位置對應 的來自第2噴嘴20之處理液之流量之值亦可按照程序指定於查找表中。於該情形時，成為處理後之微粒污染較低之較佳處理結果的值指定為自第2噴嘴20吐出之處理液之流量。成為較佳處理結果之值例如可預先通過實驗求出。
處理液供給機構200之泵P2、調整閥221及開閉閥225藉由處理液供給機構控制部121(例如未圖示之第2噴嘴控制部)控制。處理液供給機構控制部121基於上述運算值、第2噴嘴20之位置資訊等，控制處理液供給機構200之泵P2、調整閥221、開閉閥225。
<STEP6：刷子30向退避位置之移動>
於利用刷子30之洗淨結束後，刷子30移動至設置於旋轉底座115周圍之退避位置。更具體而言，刷子30藉由支臂移動機構60自基板W之主面向上方僅移動微小距離(數mm至數cm)。其後，刷子30移動至退避位置。
該等動作係藉由支臂驅動機構控制部122控制支臂移動機構60而執行。支臂驅動機構控制部122發送與儲存於記憶部110中之程序對應的控制信號，控制支臂移動機構60。
與刷子30之開始移動同時或與刷子30之移動並行地，停止來自第1噴嘴10及第2噴嘴20之處理液之吐出。
來自第1噴嘴10之處理液之吐出停止係藉由處理液供給機構控制部121(未圖示之第1噴嘴控制部)控制處理液供給機構200之泵P1、調整閥211、及開閉閥215而執行。處理液供給機構控制部121發送與儲存於記憶部110中之程序對應的控制信號， 控制處理液供給機構200之泵P1、調整閥211、及開閉閥215。
來自第2噴嘴20之處理液之吐出停止係藉由處理液供給機構控制部121(未圖示之第2噴嘴控制部)控制處理液供給機構200之泵P2、調整閥221、及開閉閥225而執行。處理液供給機構控制部121發送與儲存於記憶部110種之程序對應的控制信號，控制處理液供給機構200之泵P2、調整閥221、及開閉閥225。
<STEP7：基板W之搬出>
於刷子30移動至退避位置後，將基板W搬出至基板處理裝置1外。於基板W之搬出步驟中，例如於刷子30移動至退避位置後，夾盤銷47自閉位置移動至開位置。
於夾盤銷47移動至開位置後、或與夾盤銷47自閉位置成為開位置之動作並行地，未圖示之基板搬送機構之手形部進入旋轉底座115及基板W之間之區域。
於夾盤銷47移動至開位置後，基板搬送機構之手形部上升。藉此，基板W藉由手形部提起。其後，基板W在載置於基板搬送機構之手形部之狀態下被搬出至基板處理裝置1之外部。藉此，對基板W進行洗淨之一系列之步驟結束。
以上說明了本發明之實施形態，但本發明亦可進而以其他形態實施。
例如，作為上述實施形態中之支臂驅動機構、夾盤旋轉機構、夾盤銷控制機構、自轉機構等各種驅動機構之構成，可採用公知之多樣形態。本領域技術人員能夠不採用上述實施形態中之支臂驅動機構、夾盤旋轉機構、夾盤銷控制機構、自轉機構等各種 驅動機構之構成，而實施各種設計變更。
又，作為上述實施形態中之支臂之構造、頭部之構造、旋轉夾盤之構造、及夾盤銷之構造等，可採用公知之多樣形態。本領域技術人員能夠不採用上述實施形態中之支臂之構造、頭部之構造、旋轉夾盤之構造、及夾盤銷之構造等，而實施各種設計變更。
又，亦能夠對用於進行夾盤銷之開閉或頭部之高度及水平移動等的控制資訊之儲存或控制之具體態樣實施各種設計變更。
該申請案對應於2016年3月30日向日本專利廳提出之日本專利特願2016-068582號及2017年2月20日向日本專利廳提出之日本專利特願2017-29336號，該等申請之全部揭示係以引用之方式併入本文中。
雖詳細地對本發明之實施形態進行了說明，但其等僅為用於明確本發明之技術內容之具體例，本發明不應限定性地解釋為該等具體例，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧第1噴嘴
10A‧‧‧第1噴嘴之吐出口
20‧‧‧第2噴嘴
20A‧‧‧第2噴嘴之吐出口
25‧‧‧連結構件
30‧‧‧刷子
30B‧‧‧刷子之邊緣
40‧‧‧夾盤銷移動機構
41‧‧‧旋轉夾盤(基板保持旋轉機構)
43‧‧‧支軸
47‧‧‧夾盤銷
47A‧‧‧夾盤銷之載置部
47B‧‧‧夾盤銷之抵接部
51‧‧‧頭部
52‧‧‧支臂
55‧‧‧旋轉底座旋轉機構
60‧‧‧支臂移動機構
61‧‧‧可動部
61A‧‧‧軸旋轉機構
61B‧‧‧上下移動機構
62‧‧‧罩蓋
100‧‧‧控制機構
110‧‧‧記憶部
115‧‧‧旋轉底座
200‧‧‧處理液供給機構
210、220‧‧‧配管
AX‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧基板

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持旋轉機構，其以水平姿勢保持基板，且使上述基板圍繞通過上述基板之主面之鉛垂旋轉軸線旋轉；第1噴嘴，其對由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板之上述主面吐出處理液；刷子，其抵接於由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板之上述主面並對上述基板之上述主面進行洗淨；及第2噴嘴，其於由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板之上述主面向下游鄰接區域吐出處理液，該下游鄰接區域係自上述基板之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子抵接於上述基板之上述主面之抵接區域。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其進而包含移動機構：其使上述刷子沿由上述基板保持旋轉機構保持之上述基板之上述主面移動。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述第2噴嘴係與上述刷子一體地移動。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述第2噴嘴係於上述基板之上述主面，對上述抵接區域及上述下游鄰接區域之間之區域吐出處理液。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，自上述第2噴嘴吐出之處理液之流量係根據上述抵接區域相對於上述基板之上述主面之位置而改變。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，於上述刷子抵接於上述基板之上述主面之周緣部之狀態下，上述第2噴嘴係於 較上述抵接區域更靠上述基板之中央部側具有處理液之吐出位置。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述第1噴嘴係對上述基板之上述主面之中央部吐出處理液。
  8. 一種基板處理方法，其包括：基板保持旋轉步驟，其以水平姿勢保持基板，且使上述基板圍繞通過上述基板之主面之鉛垂旋轉軸線旋轉；第1吐出步驟，其自第1噴嘴對旋轉之上述基板之上述主面吐出處理液；刷子抵接步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，使刷子抵接於上述基板之上述主面；及第2吐出步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，於上述基板之上述主面，自第2噴嘴對下游鄰接區域吐出處理液，該下游鄰接區域係自上述基板之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子抵接於上述基板之上述主面的抵接區域。
  9. 如請求項8之基板處理方法，其進而包括刷子移動步驟：其於上述刷子抵接步驟之後與上述第1吐出步驟並行執行，於使上述刷子抵接於上述基板之上述主面之狀態下，使上述刷子沿上述基板之上述主面移動。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中，上述第2吐出步驟包括：與上述刷子移動步驟並行執行，且一面與上述刷子一體地移動、一面自上述第2噴嘴吐出處理液之步驟。
  11. 如請求項8至10中任一項之基板處理方法，其中，上述第2吐出步驟包括：自上述第2噴嘴對上述抵接區域及上述下游鄰接區域之間的區域吐出處理液之步驟。
  12. 如請求項8至10中任一項之基板處理方法，其中，上述第2吐出步驟包括：根據上述抵接區域相對於上述基板之上述主面之位置，使自上述第2噴嘴吐出之處理液之流量改變之步驟。
  13. 如請求項8至10中任一項之基板處理方法，其中，上述第2吐出步驟包括：於上述刷子抵接於上述基板之上述主面之周緣部之狀態下，自於較上述抵接區域更靠上述基板之中央部側具有處理液之吐出位置的上述第2噴嘴，對上述下游鄰接區域吐出處理液之步驟。
  14. 如請求項8至10中任一項之基板處理方法，其中，上述第1吐出步驟包括：自上述第1噴嘴對上述基板之上述主面之中央部吐出處理液之步驟。
  15. 一種程式記錄媒體，其可由電腦讀取且記錄有用於執行使用刷子對基板之主面進行洗淨之基板處理方法的程式，上述基板處理方法包括：基板保持旋轉步驟，其以水平姿勢保持基板，且使上述基板圍繞通過上述基板之主面之鉛垂旋轉軸線旋轉；第1吐出步驟，其自第1噴嘴對旋轉之上述基板之上述主面吐出處理液；刷子抵接步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，使刷子抵接於上述基板之上述主面；及第2吐出步驟，其與上述第1吐出步驟並行執行，於上述基板之上述主面，自第2噴嘴向下游鄰接區域吐出處理液，該下游鄰接區域係自上述基板之旋轉方向之下游側鄰接於上述刷子抵接於上述基板之上述主面之抵接區域。
  16. 如請求項15之程式記錄媒體，其進而包括刷子移動步驟：其於上述刷子抵接步驟之後與上述第1吐出步驟並行執行，於使上述刷子抵接於上述基板之上述主面之狀態下，使上述刷子沿上述基板之上述主面移動。
  17. 如請求項16之程式記錄媒體，其中，上述第2吐出步驟包括：其與上述刷子移動步驟並行執行，且一面與上述刷子一體地移動、一面自上述第2噴嘴吐出處理液之步驟。
  18. 如請求項15至17中任一項之程式記錄媒體，其中，上述第2吐出步驟包括：自上述第2噴嘴對上述抵接區域及上述下游鄰接區域之間的區域吐出處理液之步驟。
  19. 如請求項15至17中任一項之程式記錄媒體，其中，上述第2吐出步驟包括：根據上述抵接區域相對於上述基板之上述主面之位置，使自上述第2噴嘴吐出之處理液之流量改變之步驟。
  20. 如請求項15至17中任一項之程式記錄媒體，其中，上述第2吐出步驟包括：於上述刷子抵接於上述基板之上述主面之周緣部之狀態下，自於較上述抵接區域更靠上述基板之中央部側具有處理液之吐出位置的上述第2噴嘴對上述下游鄰接區域吐出處理液之步驟。
  21. 如請求項15至17中任一項之程式記錄媒體，其中，上述第1吐出步驟包括：自上述第1噴嘴對上述基板之上述主面之中央部吐出處理液之步驟。
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