TW201727325A - 陣列基板及顯示裝置 - Google Patents

陣列基板及顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201727325A
TW201727325A TW106100038A TW106100038A TW201727325A TW 201727325 A TW201727325 A TW 201727325A TW 106100038 A TW106100038 A TW 106100038A TW 106100038 A TW106100038 A TW 106100038A TW 201727325 A TW201727325 A TW 201727325A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
metal layer
substrate
array substrate
storage electrode
Prior art date
Application number
TW106100038A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI664472B (zh
Inventor
xue-guang Hao
Hong-Fei Cheng
Yong Qiao
Xin-Yin Wu
Original Assignee
Boe Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Boe Technology Group Co Ltd filed Critical Boe Technology Group Co Ltd
Publication of TW201727325A publication Critical patent/TW201727325A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI664472B publication Critical patent/TWI664472B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1237—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a different composition, shape, layout or thickness of the gate insulator in different devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種陣列基板及顯示裝置。陣列基板包括基板和在所述基板上設置的閘極金屬層、主動層和源汲金屬層；所述閘極金屬層包括閘極線和與所述閘極線平行延伸的儲存電極線；所述主動層包括作為薄膜電晶體通道區域的第一圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，或者所述源汲金屬層包括資料線圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。

Description

陣列基板及顯示裝置
本發明係有關於一種陣列基板及顯示裝置。
顯示裝置的顯示模式包括扭曲向列型(TN)、垂直配向(VA)、面內轉換(IPS)和邊緣場轉換(FFS)等。畫素結構通常根據不同的顯示模式採用不同的儲存電容結構。例如，TN和VA模式通常採用共通電極線與畫素電極之間形成儲存電容。IPS和FFS通常採用在共通電極和畫素電極之間形成儲存電容。
儲存電容的結構關係畫素電壓的穩定性，因此直接影響顯示螢幕的品質和良率。
針對上述問題，本揭露的至少一個實施例涉及一種陣列基板和顯示裝置，用於降低顯示裝置的串擾和顯示不良。
本揭露的一個方面提供了一種陣列基板，包括基板和在所述基板上設置的閘極金屬層、主動層和源汲金屬層；所述閘極金屬層包括閘極線和與所述閘極線平行延伸的儲存電極線；所述主動層包括作為TFT通道區域的第一圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的第二 圖案，或者所述源汲金屬層包括資料線圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。
在一個實施例中，例如，所述主動層包括作為TFT通道區域的第一圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，並且所述源汲金屬層包括資料線圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。
在一個實施例中，例如，所述主動層設置於所述基板和所述閘極金屬層之間。
在一個實施例中，例如，所述閘極金屬層設置於所述基板和所述主動層之間。
在一個實施例中，例如，所述第二圖案與所述第一圖案連接。
在一個實施例中，例如，所述第二圖案包括連接部和與所述連接部連接的重疊部；所述連接部與所述第一圖案連接，所述重疊部與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上重疊。
在一個實施例中，例如，所述重疊部設置於所述儲存電極線與所述資料線的交叉位置。
在一個實施例中，例如，所述連接部與所述資料線的延伸方向相同，且所述連接部在所述基板的第一主表面的正投影位於所述資料線在所述基板的第一主表面的正投影之內。
在一個實施例中，例如，在所述資料線的寬度方 向上，所述重疊部的尺寸大於所述連接部的尺寸。
在一個實施例中，例如，所述重疊部為板狀結構。
在一個實施例中，例如，所述儲存電極線在與所述資料線交叉的位置包括加寬部。
在一個實施例中，例如，所述加寬部在所述基板的第一主表面上的正投影與所述重疊部在所述基板的第一主表面上的正投影重合。
在一個實施例中，例如，所述金屬層圖案設置於所述儲存電極線和所述資料線的交叉位置。
在一個實施例中，例如，所述金屬層圖案與所述資料線為一體結構。
在一個實施例中，例如，所述金屬層圖案為板狀結構。
在一個實施例中，例如，所述金屬層圖案在所述資料線寬度方向上的尺寸大於所述資料線的寬度。
在一個實施例中，例如，所述金屬層圖案在所述儲存電極線寬度方向上的尺寸不大於所述儲存電極線的寬度。
在一個實施例中，例如，所述儲存電極線在與所述資料線交叉的位置包括加寬部。
在一個實施例中，例如，所述加寬部在所述基板的第一主表面上的正投影與所述金屬層圖案在所述基板的第一主表面上的正投影重合。
本揭露的另一個方面提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一主表面
12‧‧‧第二主表面
102‧‧‧閘極線
106‧‧‧主動層
108‧‧‧資料線
109‧‧‧畫素電極
100‧‧‧儲存電極線
112‧‧‧閘極
118‧‧‧源極
119‧‧‧汲極
1061‧‧‧通道區域
1062‧‧‧連接部
1063‧‧‧重疊部
1001‧‧‧加寬部
第1圖為基板的結構示意圖；第2a圖為本揭露實施例的陣列基板通過主動層與儲存電極線形成儲存電容的俯視示意圖；第2b圖為本揭露實施例的主動層結構示意圖；第3a圖為本揭露實施例的主動層的結構示意圖；第3b圖為包括第3a圖的主動層結構的陣列基板的俯視示意圖；第4a圖為本揭露實施例的儲存電極線包括加寬部的示意圖；第4b圖為本揭露實施例的儲存電極線包括加寬部且該加寬部與主動層形成儲存電容的結構示意圖；第5圖為本揭露實施例的陣列基板通過源汲金屬層與儲存電極線形成儲存電容的俯視示意圖；第6圖為本揭露的金屬層圖案與資料線在資料線寬度方向上的尺寸關係示意圖；第7圖為本揭露實施例的金屬層圖案與儲存電極線在儲存電極線寬度方向上的尺寸關係示意圖；第8圖為本揭露的實施例包括加寬部的儲存電極線的示意圖；第9圖為本揭露實施例的儲存電極線的加寬部與金屬層圖案形成儲存電容的示意圖。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出實施例，並配合所附圖式，做詳細之說明。本發明說明書提供不同的實施例來說明本發明不同實施方式的技術特徵。其中，實施例中的各元件之配置係為說明之用，並非用以限制本發明。另外，實施例中圖式標號之部分重覆，係為了簡化說明，並非意指不同實施例之間的關聯性。
液晶顯示裝置通常包括背光模組、下基板、上基板以及週邊驅動電路等部分。下基板通常為陣列基板，上基板通常為彩膜基板。陣列基板進一步包括基板(通常為玻璃基板)以及設置於基板之上的閘極線、主動層、資料線、共通電極線以及畫素電極等結構。第1圖為基板的結構示意圖。參照第1圖，基板10包括彼此相對的第一主表面11和第二主表面12。例如，閘極線、主動層、資料線、共通電極線以及畫素電極等結構設置在基板10的第一主表面11一側。
在液晶顯示裝置中，通常採用薄膜電晶體(TFT)作為控制畫素電極上施加的資料信號的開關。TFT包括源極、汲極、閘極以及將源汲極分開的通道區域。TFT的通道區域的特點是在被施加一定的導通電壓時可將TFT的源汲極導通。例如，通道區域可以由半導體材料(例如非晶矽、多晶矽、氧化物半導體等)製備。例如，TFT的連接方式如下：閘極與閘極線連接以接收閘極線施加的導通電壓信號，導通電壓信號透過TFT的閘極施加至通道區域，以控制該通道區域的導通與截止；源極與資料線連接，以接收來自資料線的電壓信號；汲極與畫素電極連接，以在TFT的源汲極透過通道區域導通後，向 畫素電極充電。也就是說，在TFT的源汲極導通後，資料線上的信號即可透過TFT的源汲極施加至畫素電極，從而可用于控制液晶分子的偏轉。
在液晶顯示裝置中，由於畫素電極的充電時間遠遠小於液晶分子的回應時間，因此，液晶分子的偏轉一般是在畫素電極充電結束後的保持時間內進行並完成的。也就是說，在畫素電極結束充電後，需要一個穩定的充電電壓來持續驅動液晶分子轉動。承載這個持續充電電壓的就是畫素負荷電容，該負荷電容主要包括液晶電容和儲存電容。儲存電容的作用例如是保持畫素電壓的穩定，提高顯示品質。在不同的顯示模式中，儲存電容的形成方式不同。例如，TN和VA模式通常採用共通電極線與畫素電極之間形成儲存電容；IPS、FFS和ADS通常採用在共通電極和畫素電極之間形成儲存電容。儲存電容的結構將直接影響到顯示螢幕的品質和良率。
本揭露的實施例提供了一種陣列基板，包括基板和在所述基板上設置的閘極金屬層、主動層和源汲金屬層；其中，閘極金屬層包括閘極線和與所述閘極線平行延伸的儲存電極線；主動層包括作為TFT通道區域的第一圖案和與儲存電極線在基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，或者源汲金屬層包括資料線圖案和與儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。本揭露實施例的陣列基板可以獲得較大的儲存電容，提高顯示裝置的顯示品質。
需要說明的是，本揭露的實施例透過儲存電極線(也可稱為共通電極線，以下稱為儲存電極線)與源汲金屬層 和/或主動層形成儲存電容。如果源汲金屬層與儲存電極線形成儲存電容結構，則金屬層圖案例如可以是與資料線直接相連的一體結構。該金屬層圖案例如還可以是與資料線彼此不相連，即源汲金屬層包括在資料線之外單獨設置與儲存電極線在陣列基板厚度方向上彼此重疊的金屬層圖案。如果主動層與儲存電極線形成儲存電容結構，則主動層至少包括兩個圖案部分。其中一個圖案部分例如是作為TFT通道區域的圖案；另一個圖案部分例如至少包括與儲存電極線在陣列基板厚度方向上彼此重疊的部分，以形成儲存電容。同樣，主動層的上述兩個圖案例如可以彼此連接或者不連接。
在一個實施例中，主動層包括作為TFT通道區域的第一圖案和與儲存電極線在基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案。
圖2a為本揭露實施例的陣列基板透過主動層與儲存電極線形成儲存電容的俯視示意圖。第2b圖為本揭露實施例的主動層結構示意圖。
參照第2a及2b圖，陣列基板包括基板和在該基板上設置的閘極金屬層、主動層(第2a及2b圖中帶陰影線的圖案)、源汲金屬層。閘極金屬層包括閘極線102(以及從閘極線分出來的閘極112)和與該閘極線平行延伸的儲存電極線100。閘極金屬層的上方設置主動層(下閘極結構)，主動層106包括作為TFT通道區域的第一圖案，和包括與儲存電極線在基板厚度方向上至少部分彼此重疊的第二圖案。這裡需要指出，主動層位於畫素電極層之下的部分在第2a圖中以低可視度示意；主 動層在資料線正下方的部分不可見，但為了清楚的示意主動層在陣列基板中的設置方式，故在第2a圖中也對主動層的該部分採用了低可視處理。類似地，下面的第3b和第5圖中也對主動層進行了相同處理，在此一併指出。參照第2b圖，主動層在虛線所包圍的部分例如為第二圖案，主動層在虛線之外的部分例如為第一圖案。結合參考第2a圖，該第一圖案的一部分(位於閘極上方的部分)作為TFT通道區域，該第二圖案在基板厚度方向上與儲存電極線100至少部分重疊。例如第二圖案中的基本上為正方形的部分與儲存電極線100在基板厚度方向上彼此重疊，以形成儲存電容(即第2a圖中虛線所包圍的部分)。
需要說明的是，主動層之上還進一步設置有源汲金屬層。參照第2a圖，源汲金屬層包括與閘極線102交叉的資料線108，並且形成TFT的源極118和汲極119。可在源汲金屬層之上設置畫素電極109。如上所述，TFT的源極118連接資料線108，汲極119例如透過形成在絕緣層中的貫孔(圖中未示出)連接畫素電極109，閘極連接閘極線102。
在該實施例中，例如，主動層可以設置於基板和閘極金屬層之間。也就是說，本揭露實施例陣列基板可以為上閘極結構。對於上閘極結構，在基板上首先形成至少包括第一圖案和第二圖案的主動層，然後在主動層上形成閘極絕緣層，在閘極絕緣層之上形成閘極金屬層。如上所述，閘極金屬層包括平行延伸的閘極線和儲存電極線。上述第二圖案與儲存電極線在基板厚度方向上至少部分重疊，以形成儲存電容。
在該實施例中，例如，所述閘極金屬層設置於所 述基板和所述主動層之間。也就是說，本揭露的實施例的陣列基板可以為下閘極結構。例如，第2a圖所示即為具有下閘極結構的陣列基板的實施例。對於下閘極結構，在基板上首先形成包括平行延伸的閘極線和儲存電極線的閘極金屬層，然後在閘極金屬層之上形成閘極絕緣層，在閘極絕緣層之上形成至少包括第一圖案和第二圖案主動層。上述第二圖案與儲存電極線在基板厚度方向上至少部分重疊，以形成儲存電容。
在該實施例中，例如，第二圖案與第一圖案連接。第3a圖示出了本揭露實施例主動層的一種結構。第3b圖為包括第3a圖所示主動層結構的陣列基板的俯視示意圖。參照第3a圖，主動層包括第一圖案(未包含在圖中虛線之內的部分)和第二圖案(包含在圖中虛線範圍之內的部分)。第二圖案與第一圖案直接相連，也就是說，第二圖案與第一圖案為一體結構。例如，第二圖案也可以與第二圖案彼此分開，即在主動層上形成兩個彼此分離的圖案。
在該實施例中，例如，第二圖案包括連接部和與連接部連接的重疊部；連接部與所述第一圖案連接，重疊部與儲存電極線在基板的厚度方向上重疊。繼續參照第3a圖，第二圖案(圖中虛線包圍的部分)包括連接部1062和重疊部1063。連接部1062連接到第一圖案，重疊部1063用於與儲存電極線100在基板厚度方向上彼此重疊，以形成儲存電容。
第3a圖所示的第一圖案包括TFT的通道區域1061。參照第3b圖，第一圖案的通道區域1061在接收到來自閘極112的導通電壓時，通道區域1061導通。資料線的電壓信號 從TFT的源極通過通道區域1061傳輸到TFT的汲極，以對畫素電極充電。需要說明的是，主動層的第一圖案的形狀並不限於第3a圖所示的結構，例如該第一圖案也可以為其它形狀。另外，重疊部例如可以為長方形、正方形、圓形、橢圓形或者其它規則或者不規則的板狀結構。第3a圖中所示的具體結構並非構成對本揭露的限制。
在該實施例中，例如，重疊部設置於儲存電極線與資料線的交叉位置。參照第3b圖，重疊部1063設置於儲存電極線100與資料線108的交叉位置。採用在儲存電極線與資料線的交叉位置設置重疊部，可以防止降低開口率。
在該實施例中，例如，連接部與資料線的延伸方向相同，且連接部在基板的第一主表面的正投影位於資料線在該基板的第一主表面的正投影之內。繼續參照第3b圖，連接部1062與資料線108的延伸方向相同，且連接部1062在基板的第一主表面的正投影位於資料線108在該基板的第一主表面的正投影之內。通過設置連接部的延伸方向及尺寸，可以避免降低顯示裝置的開口率。
在該實施例中，例如，在資料線108的寬度方向上，重疊部1063的尺寸大於連接部1062的尺寸，以獲得較大的儲存電容。
在該實施例中，例如，所述重疊部為板狀結構。一方面，儲存電容的大小決定於彼此相對的金屬板的正對面積；另一方面取決於金屬板之間的距離。通過將重疊部設置為板狀，可以增大重疊部與儲存電極線對應位置的正對面積，進 而增大儲存電容，以有效防止閃爍和串擾。這裡所說的板狀結構的形狀例如為長方形、正方形、圓形以及其它規則或不規則的形狀。
在該實施例中，例如，所述儲存電極線在與所述資料線交叉的位置包括加寬部。第4a圖為本揭露實施例的儲存電極線包括加寬部的示意圖。第4b圖為本揭露的實施例包括加寬部的儲存電極線與主動層形成儲存電容的結構示意圖。
參照第4a圖，例如，儲存電極線100在與資料線108交叉的位置均設置加寬部1001(圖中僅示出一個加寬部)。該加寬部1001的作用是增大與重疊部1063的正對面積，以增大儲存電容，提高顯示效果。例如，進一步地，可以將該加寬部1001設置為長方形、正方形、圓形或其它形狀。例如，加寬部1001設置為具有與前文所述的主動層的重疊部1063相同的形狀，以提高儲存電容。例如，加寬部1001與重疊部1063的形狀和面積均相同，且彼此正對設置。參照第4b圖，例如，加寬部1001在基板的第一主表面上的正投影與重疊部1063在該基板的第一主表面上的正投影重合。透過限定加寬部和重疊部的形狀和面積，可以有效利用重疊部以及加寬部的面積以獲得較大的儲存電容，提高顯示裝置的顯示效果。
需要說明的是，一般來說，儲存電極線的加寬部設置需要與上述重疊部配合。例如，如上文所述，透過將加寬部與重疊部設置為大小相等，形狀相同，可以使加寬部與重疊部彼此正對的面積最大，進而獲得較大的儲存電容。
在一個實施例中，源汲金屬層包括資料線圖案和 與儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。
第5圖為本揭露實施例的陣列基板透過源汲金屬層與儲存電極線形成儲存電容的俯視示意圖。參照第5圖，陣列基板包括基板和在該陣列基板上設置的閘極金屬層、主動層、源汲金屬層。閘極金屬層包括平行延伸的閘極線102(以及閘極)和儲存電極線100。主動層設置有TFT的通道區。源汲金屬層包括資料線圖案以及與儲存電極線100在基板厚度方向重疊的金屬層圖案110(即源汲金屬層在第5圖中虛線包圍的部分)。從而金屬層圖案110與儲存電極線100形成儲存電容。這種透過源汲金屬層與儲存電極線形成儲存電容的方式，可以獲得較大的儲存電容，提高顯示裝置的顯示效果。
在該實施例中，例如，主動層可以設置於基板和閘極金屬層之間。也就是說，陣列基板可以為上閘極結構。對於上閘極結構，在基板上首先形成主動層，然後在主動層之上形成覆蓋主動層的閘極絕緣層，在閘極絕緣層上形成閘極金屬層。如上所述，閘極金屬層包括平行延伸的閘極線和儲存電極線。之後，例如，在閘極金屬層形成層間絕緣層，在層間絕緣層形成上述源汲金屬層。源汲金屬層應當至少包括資料線圖案和上述金屬層圖案。
在該實施例中，例如，閘極金屬層設置於基板和主動層之間。也就是說，陣列基板可以為下閘極結構。對於下閘極結構，在基板上首先形成包括平行延伸的閘極線和儲存電極線的閘極金屬層，然後在閘極金屬層之上形成閘極絕緣層， 在閘極絕緣層上形成主動層。之後在主動層之上形成源汲金屬層。源汲金屬層應當至少包括資料線圖案和上述金屬層圖案。
需要說明的是，在該實施例中，主動層還可以包括作為TFT通道區域的第一圖案和與儲存電極線在基板厚度方向至少部分重疊的第二圖案。即主動層包括如前文所述的結構及相關變形結構。儲存電極線同時與源汲金屬層和主動層形成儲存電容，可以進一步提高儲存電容，從而更好的避免顯示裝置的串擾和顯示不良。
在該實施例中，例如，金屬層圖案設置於儲存電極線和資料線的交叉位置，防止降低開口率。繼續參照第5圖，金屬層圖案110設置在儲存電極線100與資料線108彼此交叉的位置。該金屬層圖案110例如與資料線108為一體結構，例如二者由同一個金屬層透過構圖工藝得到。例如，金屬層圖案110包括資料線的與儲存電極線交叉的部分以及從資料線的該部分向資料線兩側凸出的部分。資料線與金屬層圖案採用一體的設置結構，可以避免降低顯示裝置的開口率。
在該實施例中，例如，金屬層圖案為板狀結構。例如，金屬層圖案的形狀可以為長方形、正方形或其它規則或不規則的形狀。
在該實施例中，例如，金屬層圖案在資料線寬度方向上的尺寸大於資料線的寬度。第6圖為本揭露實施例的金屬層圖案與資料線在資料線寬度方向上尺寸關係示意圖。參照第6圖，資料線108上設置有金屬層圖案110，即圖中陰影線所示的部分。如前所述，資料線108與該金屬層圖案110均設置於 源汲金屬層。該金屬層圖案110在資料線108的寬度方向上(如第6圖中箭頭所示的方向)的尺寸大於資料線108的寬度。例如，如前文所述，該金屬層圖案110與該資料線108可以為一體結構，二者如由同一金屬層透過構圖工藝得到。透過使金屬層圖案的寬度大於資料線的寬度，可以獲得較大的儲存電容，防止顯示裝置的串擾和顯示不良。
在該實施例中，例如，金屬層圖案在儲存電極線的寬度方向上的尺寸不大於儲存電極線的寬度。第7圖為本揭露實施例的金屬層圖案與儲存電極線在儲存電極線寬度方向的尺寸關係示意圖。參照第7圖，如前所述，資料線108與儲存電極線100彼此交叉設置。金屬層圖案110設置於資料線108與儲存電極線100的交叉位置。在儲存電極線100的寬度方向上(即如第7圖中箭頭所示的方向)，金屬層圖案110的尺寸不大於儲存電極線100的寬度，例如可以等於或者略小於儲存電極線100的寬度。以防止降低顯示裝置的開口率。
在該實施例中，例如，儲存電極線在與資料線交叉的位置包括加寬部。第8圖為本揭露實施例的儲存電極線包括加寬部的示意圖。第9圖為本揭露實施例的儲存電極線的加寬部與金屬層圖案形成儲存電容的示意圖。參照第8圖，例如，儲存電極線100在與資料線108交叉的位置(圖中僅示意出一個交叉位置)均設置加寬部1001。該加寬部1001的作用是增大與例如金屬層圖案的正對面積，以增大儲存電容。例如，進一步的，可以將該加寬部1001設置為長方形或正方形或其它規則或不規則的形狀。例如，與前文所述的金屬層圖案相同的形狀， 提高儲存電容。進一步的，參照第9圖，加寬部1001在基板的第一主表面11上的正投影與金屬層圖案110在基板的第一主表面11上的正投影重合，進一步增大儲存電容。通過在儲存電極線與資料線交叉的位置設置加寬部，可以獲得較大的儲存電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。
需要說明，一般來說，儲存電極線設置的加寬部需要與上述金屬層圖案配合設置，以獲得較大的儲存電容。例如，如上文所述，將加寬部與金屬層圖案設置為大小相等，形狀相同，可以使加寬部與金屬層圖案的正對面積最大，進而獲得較大的儲存電容。
以上具體實施例之間可相互組合，並不超出本揭露公開的範圍，且能夠帶來更好的組合效果。
針對上述實施例的陣列基板，本揭露的實施例提供了陣列基板製備方法，但本揭露的陣列基板製備方法不限於以下方法。
下面僅以製備主動層包括作為TFT通道的第一圖案和與儲存電極線在基板厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，且具有上閘極結構的陣列基板為例說明本揭露的陣列基板的製備方法，例如具體如下：在基板上透過例如濺射的方法形成一層金屬層，然後採用第一光罩進行蝕刻得到閘極線和與所述閘極線連接的閘極，以及與閘極線和閘極同時形成且與閘極線平行延伸的儲存電極線。該金屬層例如可以包括鋁、鋁合金，以及銅或其它適合材料。進行第一次光罩工藝以進行構圖後，陣列基板上 即形成有閘極線、與閘極線連接的閘極和與閘極線平行延伸的儲存電極線。
在形成有閘極線和閘極的陣列基板上，形成一層絕緣層以作為閘極絕緣層。隨後在絕緣層之上形成一層半導體層，並透過構圖工藝以形成TFT的主動層。該主動層設置於絕緣層之上，且包括與閘極對應的第一圖案。主動層的製備例如可以採用光蝕刻法，將光罩設計為與主動層對應的圖案，並透過例如光蝕刻方法去除其它區域中的主動層，從而得到包括與閘極對應的第一圖案和與儲存電極線在基板厚度方向上至少部分重疊的第二圖案的主動層。用於形成主動層的材料例如可以為非晶矽、多晶矽、氧化物半導體或其它適合的材料。
需要說明的是，形成的主動層例如至少包括作為TFT通道的第一圖案和與儲存電極線在基板厚度方向上至少部分重疊的第二圖案。光罩上的圖案至少包括與上述第一圖案和第二圖案對應的部分。如上所述，第一圖案和第二圖案例如可以彼此連接或者彼此分離。
此後，在形成有主動層的基板上，進一步形成一層金屬層。該金屬層的材料例如可以為鋁、鋁合金、銅或其它適合材料。形成金屬層的方法例如可以為CVD或濺射法。採用具有源極、汲極以及資料線圖案的光罩進行光蝕刻工藝以對該金屬層構圖，進而在主動層的上方形成與閘極線和儲存電極線交叉的資料線、彼此間隔的源極、汲極。
之後，可以形成進一步在源極、汲極、資料線之上形成鈍化層、鈍化層貫孔等結構。
隨後，在鈍化層上方繼續覆蓋一層透明導電層(例如ITO)，並透過光罩進行光蝕刻，獲得本揭露的一個實施例的陣列基板結構。
對於本揭露上述其它的實施例，可相應的改變光罩圖案或者光蝕刻步驟進行光蝕刻，在此不再贅述。
本揭露的另一個方面提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
該顯示裝置的一個示例為液晶顯示裝置，其中，陣列基板與對置基板彼此對置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個畫素單元的畫素電極用於施加電場對液晶材料的旋轉的程度進行控制從而進行顯示操作。在一些示例中，該液晶顯示裝置還包括為陣列基板提供背光的背光源。
該顯示裝置的另一個示例為有機電致發光顯示裝置(OLED)，其中，陣列基板上形成有有機發光材料疊層，每個畫素單元的畫素電極作為陽極或陰極用於驅動有機發光材料發光以進行顯示操作。
該顯示裝置的再一個實施例為電子紙顯示裝置，其中，陣列基板上形成有電子墨水層，每個畫素單元的畫素電極作為用於施加驅動電子墨水中的帶電微顆粒移動以進行顯示操作的電壓。
在本文中，諸如“第一”、“第二”等術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何關係或者順序。術 語“包括”、“包含”這些表述為開放式的，並不排除所包括的過程、方法、物品，還存在其他要素。還需要說明的是，“上”、“下”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本揭露和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本揭露的限制。除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本揭露中的具體含義。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾。舉例來，本發明實施例所系統、裝置或是方法可以硬體、軟體或硬體以及軟體的組合的實體實施例加以實現。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
102‧‧‧閘極線
106‧‧‧主動層
108‧‧‧資料線
109‧‧‧畫素電極
100‧‧‧儲存電極線
112‧‧‧閘極
118‧‧‧源極
119‧‧‧汲極

Claims (20)

  1. 一種陣列基板，包括基板和在所述基板上設置的閘極金屬層、主動層和源汲金屬層；所述閘極金屬層包括閘極線和與所述閘極線平行延伸的儲存電極線，所述主動層包括作為薄膜電晶體通道區域的第一圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，或者所述源汲金屬層包括資料線圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中所述主動層包括作為薄膜電晶體通道區域的所述第一圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的所述第二圖案，並且所述源汲金屬層包括資料線圖案和與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的所述金屬層圖案。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之陣列基板，其中所述主動層設置於所述基板和所述閘極金屬層之間。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之陣列基板，其中所述閘極金屬層設置於所述基板和所述主動層之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中所述第二圖案與所述第一圖案連接。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之陣列基板，其中所述第二圖案包括連接部和與所述連接部連接的重疊部；所述連接部與所述第一圖案連接，所述重疊部與所述儲存電極線在所述基板的厚度方向上重疊。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之陣列基板，其中所述重疊部設置於所述儲存電極線與所述資料線的交叉位置。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之陣列基板，其中所述連接部與所述資料線的延伸方向相同，且所述連接部在所述基板的第一主表面的正投影位於所述資料線在所述基板的第一主表面的正投影之內。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之陣列基板，其中在所述資料線的寬度方向上，所述重疊部的尺寸大於所述連接部的尺寸。
  10. 如申請專利範圍第6至9項中任一項所述之陣列基板，其中所述重疊部為板狀結構。
  11. 如申請專利範圍第6至9項中任一項所述之陣列基板，其中所述儲存電極線在與所述資料線交叉的位置包括加寬部。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之陣列基板，其中所述加寬部在所述基板的第一主表面上的正投影與所述重疊部在所述基板的第一主表面上的正投影重合。
  13. 如申請專利範圍第1項及第6至9項中任一項所述之陣列基板，其中所述金屬層圖案設置於所述儲存電極線和所述資料線的交叉位置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之陣列基板，其中所述金屬層圖案與所述資料線為一體結構。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之陣列基板，其中所述金屬層圖案為板狀結構。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之陣列基板，其中所述金屬層圖案在所述資料線寬度方向上的尺寸大於所述資料線的寬 度。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之陣列基板，其中所述金屬層圖案在所述儲存電極線寬度方向上的尺寸不大於所述儲存電極線的寬度。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之陣列基板，其中所述儲存電極線在與所述資料線交叉的位置包括加寬部。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之陣列基板，其中所述加寬部在所述基板的第一主表面上的正投影與所述金屬層圖案在所述基板的第一主表面上的正投影重合。
  20. 一種顯示裝置，包括如申請專利範圍第1-19項任一項所述的陣列基板。
TW106100038A 2016-01-27 2017-01-03 Array substrate and display device TWI664472B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620080097.6U CN205318071U (zh) 2016-01-27 2016-01-27 阵列基板及显示装置
??201620080097.6 2016-01-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201727325A true TW201727325A (zh) 2017-08-01
TWI664472B TWI664472B (zh) 2019-07-01

Family

ID=56206895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106100038A TWI664472B (zh) 2016-01-27 2017-01-03 Array substrate and display device

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10158024B2 (zh)
EP (1) EP3410181B1 (zh)
JP (1) JP6827929B2 (zh)
KR (1) KR102003359B1 (zh)
CN (1) CN205318071U (zh)
TW (1) TWI664472B (zh)
WO (1) WO2017128711A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205318071U (zh) * 2016-01-27 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN105895639A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示器件
CN108133686A (zh) * 2018-01-05 2018-06-08 上海和辉光电有限公司 一种像素电路、驱动方法、像素结构及显示面板
KR20220067659A (ko) 2020-11-17 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114185215B (zh) * 2022-02-17 2022-04-12 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW495635B (en) * 1997-07-11 2002-07-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
TW594653B (en) * 2003-06-02 2004-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp Low leakage thin film transistor circuit
KR20050063016A (ko) * 2003-12-19 2005-06-28 삼성전자주식회사 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
KR20060066356A (ko) 2004-12-13 2006-06-16 삼성전자주식회사 표시 장치와 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그제조 방법
KR20060082105A (ko) * 2005-01-11 2006-07-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101240642B1 (ko) 2005-02-11 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4341570B2 (ja) 2005-03-25 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR20060111265A (ko) 2005-04-22 2006-10-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치
KR101261606B1 (ko) * 2006-05-09 2013-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시판의 제조 장치 및 제조 방법
KR101430610B1 (ko) * 2006-09-18 2014-09-23 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 이의 제조 방법
KR101820032B1 (ko) * 2010-09-30 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법
KR102296945B1 (ko) * 2014-07-04 2021-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102430575B1 (ko) * 2015-08-26 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102527218B1 (ko) * 2016-01-08 2023-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN205318071U (zh) * 2016-01-27 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN205318071U (zh) 2016-06-15
TWI664472B (zh) 2019-07-01
US10158024B2 (en) 2018-12-18
EP3410181A1 (en) 2018-12-05
JP2019510246A (ja) 2019-04-11
WO2017128711A1 (zh) 2017-08-03
US20180108773A1 (en) 2018-04-19
EP3410181A4 (en) 2019-10-09
KR102003359B1 (ko) 2019-07-24
KR20170103786A (ko) 2017-09-13
JP6827929B2 (ja) 2021-02-10
EP3410181B1 (en) 2024-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201727325A (zh) 陣列基板及顯示裝置
KR101309777B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101749146B1 (ko) 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR20160145121A (ko) 어레이 기판, 그 제조 방법 및 구동 방법, 및 디스플레이 디바이스
US9530807B2 (en) Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof, and display device
WO2015090005A1 (zh) 阵列基板及其制造方法和触摸屏
CN104423107A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
KR101622655B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2015039389A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104280951A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN102929060B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US20160377945A1 (en) Array Substrate, Manufacture Method Thereof, and Display Device
WO2015010397A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103824865A (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN102867823A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US9110340B2 (en) Array substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device comprising protrusion electrode parts
WO2016065798A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
JP5936839B2 (ja) アレイ基板およびその製造方法、並びに液晶ディスプレー
WO2014187104A1 (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN104465672A (zh) 阵列基板和显示装置
KR102092844B1 (ko) 액정 디스플레이 장치와 이의 제조 방법
CN104409462A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2015180302A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN202126557U (zh) 一种阵列基板
US20210327917A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device