TW201725372A - 檢查裝置及檢查方法 - Google Patents

Abstract

本發明之檢查裝置1具備：光輸出部3，其輸出具有第1波長之第1光及具有第2波長之第2光；磁性光學結晶6，其以反射膜13與計測對象物D對向之方式配置；光檢測部7，其檢測第1光及上述第2光；及導光光學系統4A，其將第1光及第2光導向磁性光學結晶6及計測對象物D，且將以磁性光學結晶6反射之第1光、與以計測對象物D反射之第2光導向光檢測部7；且導光光學系統4A具有以第1光及第2光選擇性地入射至光檢測部7之方式，切換由複數個光學元件形成之光路之光路切換元件M。

Description

檢查裝置及檢查方法

本發明係關於一種使用光探測技術之檢查裝置及檢查方法。

於檢查半導體器件等計測對象物之光探測技術中，將自光源出射之光照射於計測對象物，並以光感測器檢測來自計測對象物之計測光(反射光)而取得檢測信號。於作為光探測技術之一種之MOFM(Magneto-Optical Frequency Mapping：磁光頻率映射)法中，將磁性光學結晶與計測對象物對向配置，且以光感測器檢測根據磁性光學結晶之磁性光學效應而偏光狀態變化之反射光。以該方法，基於在計測對象物產生之磁場之分佈，而完成計測對象物有無異常之檢測。例如於專利文獻1中，揭示有一種方法，其係對樣品配置磁性光學薄膜，並以相機取得照射於磁性光學薄膜之直線偏光之光之反射光之圖像而對樣品之磁場及電流之流動進行映射。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特表2013-544352號公報

[發明所欲解決之問題] 於計測對象物之檢查中，有對計測對象物亦照射自光源出射之光，而取得計測對象物之圖案(電路圖案等)之情形。於該情形時，例如藉由將於計測對象物產生之磁場之分佈、與計測對象物之圖案重疊，而容易掌握產生異常之位置。 然而，磁性光學結晶之偏光相對於磁場之旋轉角一般具有波長依存性。例如於入射之光之波長短於1 μm之情形時，隨著波長變短而偏光之旋轉角變大。另一方面，亦考慮對所需之計測對象物較佳之光之波長域與於磁性光學結晶中具有較高感度之波長域不同之情形。例如於以半導體器件為計測對象物之情形時，對矽具有充分之透過性之光之波長域為長於1 μm之紅外域。若該等波長之差變大，則有由光學元件之特性或光檢測部之檢測感度之波長依存性引起而使計測之精度下降之虞。然而，若針對波長不同之光設置個別之光路，則需要多個光學元件，而有裝置構成複雜化之問題。 本發明係為了解決上述課題而完成者，目的在於提供一種一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存之檢查裝置及檢查方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之檢查裝置係進行計測對象物之檢查者，且具備：光輸出部，其輸出具有第1波長之第1光、及具有與第1波長不同之第2波長之第2光；磁性光學結晶，其具有反射第1光之反射面，且以該反射面與計測對象物對向之方式配置；光檢測部，其檢測第1光及第2光；及導光光學系統，其係由複數個光學元件構成，並將第1光及第2光導向磁性光學結晶及計測對象物，且將以磁性光學結晶反射之第1光、與以計測對象物反射之第2光導向光檢測部；且導光光學系統具有以第1光及第2光選擇性地入射至光檢測部之方式，切換由複數個光學元件形成之光路之光路切換元件。 於該檢查裝置中，基於以磁性光學結晶反射之第1光之檢測結果而檢測計測對象物有無異常，且可基於以計測對象物反射之第2光之檢測結果而取得計測對象物之圖案。引導第1光及第2光之導光光學系統具有選擇性地使第1光及第2光入射至光檢測部之光路切換元件。藉由該光路切換元件，一方面於導光光學系統使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 又，光輸出部亦可具有出射第1光之第1光源、與出射第2光之第2光源。於該情形時，可以充分之強度輸出波長不同之第1光及第2光，而可提高光源之SN比。 又，光檢測部亦可具有檢測第1光之第1光感測器、與檢測第2光之第2光感測器。於該情形時，可使光檢測部對第1光及第2光具有充分之感度，而可使計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 又，導光光學系統亦可具有將第1光之一偏光成分導向光檢測部之偏光控制元件。藉此，可較佳地檢測於磁性光學結晶之第1光之偏光之變化。 又，導光光學系統亦可進而具有將第1光之另一偏光成分導向光檢測部之偏光控制元件。於該情形時，於光檢測部中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動之檢測。 又，導光光學系統亦可具有將第2光之一偏光成分導向光檢測部之偏光控制元件。藉此，於導光光學系統中，可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分進而共通化。 又，光路切換元件亦可由法拉第轉子及波長板構成。於該情形時，可以簡單之構成構成光路切換元件。 又，光路切換元件亦可由分色鏡構成。於該情形時，可以簡單之構成構成光路切換元件。 又，光路切換元件亦可由檢流鏡構成。於該情形時，可以簡單之構成構成光路切換元件。 又，光路切換元件亦可由光學鏡構成。於該情形時，可以簡單之構成構成光路切換元件。 又，亦可為導光光學系統包含分色鏡而構成，且分色鏡配置於偏光控制元件之前段側。於該情形時，可藉由分色鏡之後段之偏光控制元件使光之偏光方向一致。因此，可於分色鏡之反射側及透過側之任一側形成第1光之光路及第2光之光路，而可擔保導光光學系統之設計之自由度。 又，計測對象物亦可為半導體器件。根據該檢查裝置，可使半導體器件之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 又，第1波長亦可為短於第2波長之波長。藉由使用對磁性光學結晶或計測對象物更佳之波長，可使計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 又，本發明之一態樣之檢查方法係使用以與計測對象物對向之方式配置之磁性光學結晶而進行計測對象物之檢查之檢查方法，且具備如下步驟：將具有第1波長之第1光、及具有與第1波長不同之第2波長之第2光藉由導光光學系統導向磁性光學結晶及計測對象物，且檢測以磁性光學結晶或計測對象物反射之第1光及第2光；且該步驟包含以下步驟：自光輸出部輸出第1光，且經由導光光學系統以光檢測部檢測第1光；以第2光入射至光檢測部之方式選擇性切換導光光學系統之光路；及自光輸出部輸出第2光，且經由導光光學系統以光檢測部檢測第2光。 以該檢查方法，例如基於以磁性光學結晶反射之第1光之檢測結果而檢測計測對象物有無異常，且可基於以計測對象物反射之第2光之檢測結果而取得計測對象物之圖案。於引導第1光及第2光之導光光學系統中，藉由切換選擇性地使第1光及第2光入射至光檢測部之光路，可使計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 [發明之效果] 以該檢查裝置及檢查方法，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之一態樣之檢查裝置及檢查方法之較佳實施形態進行詳細說明。 [第1實施形態] 圖1係顯示第1實施形態之檢查裝置之概略圖。第1實施形態之檢查裝置1係進行計測對象物D之檢查之裝置。檢查裝置1係包含測試器單元2、光輸出部3、導光光學系統4A、物鏡5、磁性光學結晶6、及光檢測部7而構成。光輸出部3、導光光學系統4A、物鏡5、磁性光學結晶6、及光檢測部7係光學耦合。計測對象物D於本實施形態中例如為半導體器件。作為半導體器件，列舉例如電晶體等具有PN結之積體電路、大電流用/高壓用MOS(Metal Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體)電晶體及雙極電晶體等。 於積體電路中，例如包含小規模積體電路(SSI：Small Scale Integration)、中規模積體電路(MSI：Middle Scale Integration)、大規模積體電路(LSI：Large Scale Integration)、超大規模積體電路(VLSI：Very Large Scale Integration)、特大規模積體電路(ULSI：Ultra Large Scale Integration)、巨大規模積體電路(GSI：Giga Scale Integration)等。計測對象物D並未限於半導體器件，亦可為形成於玻璃面上之非晶質電晶體、多晶矽電晶體、有機電晶體之類薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)等。 於計測對象物D，電性連接有測試器單元2。測試器單元2係電性連接於頻率解析部8。測試器單元2接收來自電源(未圖示)之電力供給而動作，從而對計測對象物D反復施加調變電流信號。於計測對象物D，伴隨調變電流信號而產生調變磁場。藉由利用後述之光檢測部7檢測與調變磁場相應之光信號，而進行於特定頻率之計測光之檢測。另，測試器單元2並非必須施加調變電流信號，亦可施加使與檢測頻率相應之脈衝光產生之CW(Continuous Wave：連續波)電流信號。 光輸出部3係輸出具有第1波長之第1光、及具有與第1波長不同之第2波長之第2光之部分。第1光及第2光既可為CW光，亦可為脈衝光。又，第1光及第2光亦可為非相干光及相干光之任一者。作為輸出非相干光之光源，可列舉SLD(Superluminescent Light-emitting Diode：超輻射發光二極體)、ASE(Amplified Spontaneous Emission：放大自發性發射)光源、LED(Light Emitting Diode：發光二極體)等。又，作為輸出相干光之光源，可列舉固體雷射光源或半導體雷射光源等。自光輸出部3輸出之光入射至導光光學系統4A。 於本實施形態中，第1光之波長係磁性光學結晶6之感度充分高之1 μm以下之波長。第1光之波長例如為530 nm以下之波長較佳。又，第2光之波長係對計測對象物D較佳之波長。於計測對象物D為半導體器件之情形時，第2光之波長為對矽具有充分之透過性，且可以半導體器件內之內部構造反射之1 μm以上之波長較佳。 光輸出部3既可個別地具備輸出第1光之第1光源、與輸出第2光之第2光源，亦可由單一之光源構成。於光輸出部3具備個別之光源之情形時，於進行計測對象物D有無異常之檢測時，自光輸出部3輸出第1光，於進行計測對象物D之圖案之取得時，自光輸出部3輸出第2光。於由單一之光源構成光輸出部3之情形時，例如以YAG(Yttrium Aluminium Garnet：釔鋁石榴石)雷射作為光源，藉由非線性光學結晶自基波(波長1064 nm)產生第2高諧波(波長532 nm)。其等之中，將基波用作第2光，將第2高諧波選擇性地用作第1光。 導光光學系統4A係引導第1光及第2光之部分。導光光學系統4A係由複數個光學元件構成。導光光學系統4A將第1光及第2光朝向磁性光學結晶6及計測對象物D引導。又，導光光學系統4A將以磁性光學結晶6之反射膜13(參照圖2)反射之第1光、與通過計測對象物D之內部以計測對象物D之背面(與磁性光學結晶6相反側之面)反射之第2光朝向光檢測部7引導。導光光學系統4A之詳細構成見後述。 物鏡5係將由導光光學系統4A引導之第1光聚光至磁性光學結晶6之部分。物鏡5可藉由轉盤等，切換例如倍率5倍之低倍率物鏡、與例如倍率50倍之高倍率物鏡。於物鏡5，例如安裝有保持磁性光學結晶6之固持器。物鏡5係藉由物鏡驅動部9於第1光及第2光之光軸方向上移動，而調整相對於磁性光學結晶6之焦點位置。 磁性光學結晶6係藉由磁性光學效應，根據於計測對象物D產生之磁場，使輸入之光之偏光狀態變化之部分。如圖2所示，磁性光學結晶6具備結晶生長基板11、磁性光學效應層12、及反射膜(反射面)13。結晶生長基板11之一面11a側成為第1光及第2光之入射面。磁性光學效應層12係包含磁性石榴石等之薄膜。作為磁性石榴石，例如可列舉釓鎵石榴石(GGG：Gadolinium Gallium Garnet)、釔鐵石榴石(YIG：Yttrium Iron Garnet)、稀土類鐵石榴石(RIG：Rare-earth Iron Garnet)等。磁性光學效應層12係於結晶生長基板11之另一面11b側以1 μm左右之厚度成膜。 反射膜13係例如介電質多層膜。反射膜13設置於磁性光學效應層12之與結晶生長基板11相反側之面。反射膜13具有反射第1光、且使第2光透過之光學特性。如圖1所示，磁性光學結晶6係以反射膜13側朝向計測對象物D側之方式與計測對象物D對向配置。第1光係自結晶生長基板11之一面11a側入射至磁性光學結晶6，並於反射膜13反射而再次入射至導光光學系統4A。第2光透過磁性光學結晶6，且通過計測對象物D之內部於計測對象物D之背面反射，而再次透過磁性光學結晶6入射至導光光學系統4A。 光檢測部7係檢測第1光及第2光之部分。作為構成光檢測部7之光感測器，例如可列舉光電二極體、雪崩光電二極體、光電子倍增管、區域影像感測器等。光檢測部7亦可個別地具備對第1光具有感度之第1光感測器、與對第2光具有感度之第2光感測器。又，光檢測部7亦可由對第1光與第2光之兩者具有感度之單獨之光感測器構成。 自光檢測部7輸出之檢測信號係利用放大器21放大，而作為放大信號輸入至頻率解析部8。頻率解析部8係擷取放大信號之計測頻率成分，並將該擷取信號作為解析信號輸出之部分。作為頻率解析部8，例如使用鎖定放大器、頻譜分析器、數位板、跨域分析器(註冊商標)、網路分析器等。計測頻率係例如基於藉由測試器單元2對計測對象物D施加之調變電流信號之調變頻率而設定。頻率解析部8亦可輸出表示自測試器單元2輸出之調變電流信號與檢測信號或解析信號之相位差之相位信號。 由頻率解析部8輸出之解析信號係輸入至電腦22。電腦22係包含處理器、記憶體等而構成。於電腦22，連接有監視器等顯示裝置23、與鍵盤、滑鼠之類輸入裝置24。電腦22執行控制測試器單元2、光輸出部3、導光光學系統4A、物鏡驅動部9、光檢測部7、及頻率解析部8等之功能及如下各功能：基於自頻率解析部8輸入之解析信號或相位信號，對磁性分佈圖像(磁性強度圖像、磁性相位圖像)之製作，對顯示基於磁性頻率映射、磁性分佈之電流路徑、電流方向的電流圖像之製作，對計測對象物D之電路圖案等圖案圖像之製作。電腦22係藉由處理器而執行該等各功能。 藉由掃描第1光及第2光對磁性光學結晶6及計測對象物D之照射位置，可獲得顯示計測對象物D之2維磁場強度分佈之磁性強度圖像及圖案圖像。藉由將該等圖像顯示於顯示裝置23，可對計測對象物D進行有無異常之檢測及異常部位之特定。於檢測在特定位置之磁場之頻率特性之情形時，切換計測頻率而執行磁性頻率映射即可。又，亦可將以電腦22製作之磁性相位像或電流圖像等顯示於顯示裝置23而進行相同之特定。又，於獲得高解析度之磁性強度圖像及圖案圖像之情形時，縮小第1光及第2光之徑或掃描範圍而執行處理即可。 另，於不進行鎖定檢測之情形時，無須輸出特定之頻率成分之信號，將利用放大器21放大之放大信號原狀作為解析信號自頻率解析部8輸出即可。於顯示裝置23，亦可將磁性分佈圖像、電流圖像、及圖案圖像重疊顯示。 接著，一面參照圖3及圖4，一面對上述之導光光學系統4A之構成更詳細地進行說明。 如圖3所示，導光光學系統4A係作為複數個光學元件，由平行光管31A～31C、分色鏡32、偏光分光器33、法拉第轉子34、λ/4波長板35、及檢流鏡36構成。該等複數個光學元件係光學耦合。偏光分光器33及法拉第轉子34構成將第1光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K。偏光分光器33及λ/4波長板35構成將第2光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件L。 法拉第轉子34及λ/4波長板35構成以第1光及第2光選擇性地入射至光檢測部7之方式，切換由上述光學元件形成之光路之光路切換元件M。法拉第轉子34及λ/4波長板35例如藉由缸體等驅動機構而一者進入光路，另一者自光路退避。又，分色鏡32於導光光學系統4A之光路上，配置於偏光控制元件K之前段側。 於本實施形態中，分色鏡32使第1光透過，且將第2光大致直角地反射。偏光分光器33使偏光面為0°之偏光成分之光透過，將偏光面為90°之偏光成分之光反射。法拉第轉子34使輸入之光之偏光面旋轉22.5°。 使用檢查裝置1之計測對象物D之檢查方法具備如下步驟：將具有第1波長之第1光、及具有與第1波長不同之第2波長之第2光藉由導光光學系統4A導向磁性光學結晶6及計測對象物D，且檢測以磁性光學結晶6或計測對象物D反射之第1光及第2光。該步驟更詳細而言包含以下步驟：自光輸出部3輸出第1光，並經由導光光學系統4A以光檢測部7檢測第1光；以第2光入射至光檢測部7之方式選擇性切換導光光學系統4A之光路；及自光輸出部3輸出第2光，並經由導光光學系統4A以光檢測部7檢測第2光。 於自光輸出部3輸出第1光之情形時，如圖3所示，於光路切換元件M中，法拉第轉子34進入導光光學系統4A之光路。第1光於初始狀態下為0°之直線偏光。第1光係由平行光管31A平行光化，並透過分色鏡32而入射至偏光分光器33。第1光透過偏光分光器33，且以藉由法拉第轉子34使偏光面旋轉22.5°之狀態，被導向物鏡5。藉由檢流鏡36掃描第1光對物鏡5之入射位置、即第1光對磁性光學結晶6之入射位置。 於磁性光學結晶6之反射膜13反射之第1光係根據與在計測對象物D產生之磁場(磁場強度)相應之磁性光學效應(克爾效應及法拉第效應等)，其偏光面旋轉α°，且再次通過物鏡5入射至導光光學系統4A。第1光係藉由法拉第轉子34而偏光面進而旋轉22.5°。藉由使法拉第轉子34往復，而將偏光面合計旋轉45+α°之第1光中僅90°之偏光成分藉由偏光分光器33反射，且以藉由平行光管31C聚光之狀態輸出至光檢測部7。光檢測部7係檢測偏光面根據磁性光學效應旋轉α°而產生之強度調變。 於自光輸出部3輸出第2光之情形時，如圖4所示，於光路切換元件M中，λ/4波長板35進入導光光學系統4A之光路。第2光於初始狀態下為0°之直線偏光。第2光係由平行光管31B予以平行光化，且以分色鏡32反射而入射至偏光分光器33。第2光透過偏光分光器33，以藉由λ/4波長板35變成圓偏光之狀態被導向物鏡5。藉由檢流鏡36掃描第2光對物鏡5之入射位置、即第2光對計測對象物D之入射位置。 通過計測對象物D之內部且反射之第2光係再次通過物鏡5而入射至導光光學系統4A。第2光係藉由使λ/4波長板35往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光，且藉由偏光分光器33反射，以藉由平行光管31C予以聚光之狀態輸出至光檢測部7。 如以上所述，於該檢查裝置1中，基於以磁性光學結晶6之反射膜13反射之第1光之檢測結果而檢測計測對象物D有無異常，且可基於通過計測對象物D之內部且反射之第2光之檢測結果而取得計測對象物D之電路圖案等。引導第1光及第2光之導光光學系統4A具有選擇性地使第1光及第2光入射至光檢測部7之光路切換元件M。藉由該光路切換元件M，一方面於導光光學系統4A使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 於本實施形態中，構成導光光學系統4A之光學元件之中，可將分色鏡32、偏光分光器33、檢流鏡36、及平行光管31C於第1光之光路與第2光之光路共通化。又，於本實施形態中，光輸出部3具有出射第1光之第1光源、與出射第2光之第2光源較佳。於該情形時，可以充分之強度輸出波長不同之第1光及第2光，而可提高計測結果之SN比。 另，於使用單獨之光感測器之情形時，有根據波長依存性，而對第1光之感度與對第2光之感度不同之情況。於該情形時，較佳使用優先對第1光之感度，具有對第1光之感度高於對第2光之感度之特性之光感測器。又，於檢查裝置1中，藉由法拉第轉子34及λ/4波長板35而構成光路切換元件M。於該情形時，可以簡單之構成構成光路切換元件M。 [第2實施形態] 第2實施形態之檢查裝置係於光檢測部7中個別地具備檢測第1光之第1光感測器7A與檢測第2光之第2光感測器7B。又，伴隨於此，導光光學系統4B之構成與第1實施形態不同。更具體而言，於導光光學系統4B中，如圖5所示，除導光光學系統4A之構成以外，於光路之後段側進而配置有分色鏡41、與平行光管31D。 如圖5所示，第1光之光路直至於磁性光學結晶6之反射膜13反射且以偏光分光器33反射為止，與第1實施形態相同。以偏光分光器33反射之第1光係透過分色鏡41，而以藉由平行光管31C聚光之狀態輸出至光檢測部7之第1光感測器7A。 如圖6所示，第2光之光路直至於計測對象物D反射且以偏光分光器33反射為止，與第1實施形態相同。以偏光分光器33反射之第2光係以分色鏡41反射，而以藉由平行光管31D聚光之狀態輸出至光檢測部7之第2光感測器7B。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4B使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 又，於本實施形態中，光檢測部7具有檢測第1光之第1光感測器7A、與檢測第2光之第2光感測器7B。於該情形時，藉由分別配置對第1光具有較高感度之第1光感測器7A、與對第2光具有較高感度之第2光感測器7B，而可精度良好地實施計測對象物之有無異常之檢測與圖案之取得。 再者，於本實施形態中，將分色鏡41配置於偏光控制元件K、L之前段側。藉此，可藉由分色鏡41之後段之偏光控制元件K、L使光之偏光方向一致。因此，可於分色鏡41之反射側及透過側之任一側形成第1光之光路及第2光之光路，而可擔保導光光學系統4B之設計之自由度。 另，於本實施形態中，亦可取代分色鏡41及平行光管31C、31D，配置單獨之平行光管與光耦合器。藉由使用依每個波長將輸出分支之光纖，可實現與上述實施形態同等之構成。作為光耦合器，較佳使用偏光保存單模光耦合器，作為光纖，較佳使用偏光保存單模光纖。 [第3實施形態] 第3實施形態之檢查裝置與上述實施形態之不同點在於，於導光光學系統4C中，藉由檢流鏡56而構成光路切換元件M，及光檢測部7之第1光感測器7A具有各自獨立之光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b。又，第3實施形態之檢查裝置與第1實施形態之不同點在於，於導光光學系統4C中，配置有將第1光之一偏光成分導向光檢測部7之光感測器(i)7a之偏光控制元件K1、與將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之光感測器(ii)7b之偏光控制元件K2。 更具體而言，導光光學系統4C係作為複數個光學元件，由平行光管51A～51E、可視域用之偏光分光器52A、52B、法拉第轉子53A、53B、近紅外域用之偏光分光器54、λ/4波長板55、及檢流鏡56構成。 偏光分光器52B及法拉第轉子53B構成將第1光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K1。偏光分光器52A及法拉第轉子53A構成將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K2。偏光分光器54及λ/4波長板55構成將第2光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件L。 檢流鏡56係藉由對掃描範圍之中心角度加以第1偏移或第2偏移，而作為光路切換元件M發揮功能。於本實施形態中，例如檢流鏡56之掃描範圍為±3°，第1偏移為+10°，第2偏移為-10°。檢流鏡56於自光輸出部3輸出第1光之情形時，於+10°±3°之範圍旋動，於自光輸出部3輸出第2光之情形時，於-10°±3°之範圍運轉。 法拉第轉子53A使輸入之光之偏光面旋轉45°。又，法拉第轉子53B使輸入之光之偏光面旋轉22.5°。偏光分光器52A使偏光面為0°之偏光成分之光透過，將偏光面為90°之偏光成分之光反射。偏光分光器52B使偏光面為45°之偏光成分之光透過，將偏光面為135°之偏光成分之光反射。 於自光輸出部3輸出第1光之情形時，於光路切換元件M中，對檢流鏡56賦予第1偏移。第1光於初始狀態下為0°之直線偏光。如圖7所示，第1光係藉由平行光管51A平行光化，並透過偏光分光器52A，而藉由法拉第轉子53A使偏光面旋轉45°。又，第1光透過偏光分光器52B，且藉由法拉第轉子53B使偏光面進而旋轉22.5°之後，被導向物鏡5。藉由檢流鏡56掃描第1光對物鏡5之入射位置、即第1光對磁性光學結晶6之入射位置。 於磁性光學結晶6之反射膜13反射之第1光係根據與在計測對象物D產生之磁場(磁場強度)相應之磁性光學效應(克爾效應及法拉第效應等)而偏光面旋轉α°，並再次通過物鏡5入射至導光光學系統4C。第1光係藉由法拉第轉子53B而偏光面進而旋轉22.5°。於使法拉第轉子53B往復之時點，將偏光面合計旋轉90+α°之第1光中之僅135°之偏光成分藉由偏光分光器52B反射，並以藉由平行光管51C聚光之狀態輸出至光檢測部7之第1光感測器7A之光感測器(i)7a。 又，第1光中之透過偏光分光器52B之偏光成分係藉由法拉第轉子53A而偏光面進而旋轉45°，並以偏光分光器52A反射之後，以藉由平行光管51D聚光之狀態輸出至光檢測部7之第1光感測器7A之光感測器(ii)7b。於光檢測部7中，檢測輸入至第1光感測器7A之光之差動。第1光感測器7A檢測藉由根據磁性光學效應偏光面旋轉α°而產生之強度調變。另，光感測器7A亦可使用構成為取代具有獨立之光感測器，而具有複數個受光面者。 於自光輸出部3輸出第2光之情形時，於光路切換元件M中，對檢流鏡56賦予第2偏移。第2光於初始狀態下為0°之直線偏光。如圖8所示，第2光係藉由平行光管51E平行光化，並透過偏光分光器54，且以藉由λ/4波長板55變成圓偏光之狀態，被導向物鏡5。藉由檢流鏡56掃描第2光對物鏡5之入射位置、即第2光對計測對象物D之入射位置。 通過計測對象物D之內部並反射之第2光係再次通過物鏡5而入射至導光光學系統4C。第2光係藉由使λ/4波長板55往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光，且藉由偏光分光器54反射，並以藉由平行光管51E聚光之狀態輸出至光檢測部7之第2光感測器7B。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4C使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。又，因僅以檢流鏡56構成光路切換元件M，故可簡單地構成光路切換元件M。 於本實施形態中，構成導光光學系統4C之光學元件之中，可將檢流鏡56於第1光之光路與第2光之光路共通化。又，於光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。 另，於本實施形態中，亦可取代偏光分光器54及平行光管51B、51E，配置單獨之平行光管、與具有將光分成正交之偏光成分之光耦合器之光纖。藉由使用將各偏光成分之輸出分支之光纖，可實現與上述實施形態同等之構成。作為光纖，較佳使用偏光保存單模光纖。 [第4實施形態] 第4實施形態之檢查裝置係第3實施形態之變化例，且如圖9及圖10所示，與第3實施形態之不同點在於，於導光光學系統4D中，省略將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K2、及平行光管51D之配置。又，與第3實施形態之不同點在於，導光光學系統4D之偏光分光器52B使偏光面為0°之偏光成分之光透過，且將偏光面為90°之偏光成分之光反射。其他點與第3實施形態相同。 如圖9所示，對光檢測部7之第1光感測器7A，僅輸出偏光面合計旋轉90°之第1光中之由偏光分光器52B反射之90°之偏光成分。又，如圖10所示，對光檢測部7之第2光感測器7B，輸出藉由使λ/4波長板55往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光之第2光。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4D使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。此種形態於可充分地確保光源之SN比之情形時有用，可削減使用於導光光學系統4D之光學元件之件數，而簡化構成。 [第5實施形態] 如圖11及圖12所示，第5實施形態之檢查裝置與上述實施形態之不同點在於，於導光光學系統4E中，藉由分色鏡61而構成光路切換元件M。導光光學系統4E具有與第3實施形態之導光光學系統4C類似之構成，與第3實施形態之不同點在於，於法拉第轉子53B與檢流鏡56之間配置有分色鏡61。 分色鏡61使第1光透過。如圖11所示，第1光之光路與第3實施形態實質上相同。對光檢測部7之第1光感測器7A之光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b，藉由偏光控制元件K1及偏光控制元件K2，分別輸出第1光之相互正交之偏光成分，而檢測差動。又，分色鏡61反射第2光。如圖12所示，第2光之光路除偏光分光器54及λ/4波長板55對分色鏡61光學耦合之點以外與第3實施形態實質上相同。對光檢測部7之第2光感測器7B，輸出藉由使λ/4波長板55往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光之第2光。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4E使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。又，因僅以分色鏡61構成光路切換元件M，不需要物理動作，故可簡單地構成光路切換元件M。 於本實施形態中，構成導光光學系統4E之光學元件之中，可將分色鏡61及檢流鏡56於第1光之光路與第2光之光路共通化。又，於光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動之檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。另，雖然可檢測之光量下降，但於本實施形態中，亦可取代分色鏡61而使用半反射鏡。 [第6實施形態] 第6實施形態之檢查裝置係第5實施形態之變化例，且如圖13及圖14所示，與第5實施形態之不同點在於，於導光光學系統4F中，省略將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K2之配置。又，與第5實施形態之不同點在於，導光光學系統4F之偏光分光器52B使偏光面為0°之偏光成分之光透過，且將偏光面為90°之偏光成分之光反射。其他點與第5實施形態相同。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4F使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。此種形態於可充分地確保光源之SN比之情形時有用，可削減使用於導光光學系統4F之光學元件之件數，而簡化構成。 [第7實施形態] 如圖15及圖16所示，第7實施形態之檢查裝置與上述實施形態之不同點在於，於導光光學系統4G中，藉由光學鏡71而構成光路切換元件M。導光光學系統4G具有與第5實施形態之導光光學系統4E類似之構成，與第5實施形態之不同點在於，取代分色鏡61而配置有光學鏡71。 光學鏡71例如藉由缸體等驅動機構而切換對光路之進入、退避。於自光輸出部3輸出第1光之情形時，如圖15所示，光學鏡71自光路退避。第1光之光路與第5實施形態實質上相同。對光檢測部7之第1光感測器7A之光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b，藉由偏光控制元件K1及偏光控制元件K2，分別輸出第1光之相互正交之偏光成分，而檢測差動。 於自光輸出部3輸出第2光之情形時，光學鏡71進入光路。光學鏡71反射第2光。如圖16所示，第2光之光路除偏光分光器54及λ/4波長板55對光學鏡71光學耦合之點以外與第5實施形態實質上相同。對光檢測部7之第2光感測器7B，輸出藉由使λ/4波長板55往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光之第2光。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4G使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。又，因僅藉由光學鏡71之進退而構成光路切換元件M，故可簡單地構成光路切換元件M。 於本實施形態中，構成導光光學系統4G之光學元件之中，可將光學鏡71及檢流鏡56於第1光之光路與第2光之光路共通化。又，於光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。 [第8實施形態] 第8實施形態之檢查裝置係第7實施形態之變化例，且如圖17及圖18所示，與第7實施形態之不同點在於，於導光光學系統4H中，省略將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K2之配置。又，與第7實施形態之不同點在於，導光光學系統4H之偏光分光器52B使偏光面為0°之偏光成分之光透過，且將偏光面為90°之偏光成分之光反射。其他點與第7實施形態相同。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4H使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。此種形態於可充分地確保光源之SN比之情形時有用，可削減使用於導光光學系統4H之光學元件之件數，而簡化構成。 [第9實施形態] 第9實施形態之檢查裝置係導光光學系統4I之構成與上述實施形態不同。於導光光學系統4I中，與第1實施形態同樣，藉由法拉第轉子及λ/4波長板而構成光路切換元件M。導光光學系統4I之構成與第5實施形態類似，將法拉第轉子53B及λ/4波長板55作為光路切換元件M而配置於檢流鏡56之前段側。法拉第轉子53B及λ/4波長板55係例如藉由缸體等驅動機構而一者進入光路，另一者自光路退避。 分色鏡61配置於偏光分光器52B與光路切換元件M之間。法拉第轉子53B除構成光路切換元件M以外，亦與偏光分光器52B協動，而構成將第1光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K1。λ/4波長板55除構成光路切換元件M以外，亦與偏光分光器54協動，而構成將第2光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件L。 於自光輸出部3輸出第1光之情形時，如圖19所示，於光路切換元件M中，法拉第轉子53B進入導光光學系統4I之光路。分色鏡61使第1光透過。第1光之光路除分色鏡61與法拉第轉子53B之位置關係成為相反之點以外與第5實施形態實質上相同。對光檢測部7之第1光感測器7A之光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b，藉由偏光控制元件K1及偏光控制元件K2，分別輸出第1光之相互正交之偏光成分，而檢測差動。 於自光輸出部3輸出第2光之情形時，如圖20所示，於光路切換元件M中，λ/4波長板55進入導光光學系統4I之光路。第2光之光路除分色鏡61與λ/4波長板55之位置關係成為相反之點以外與第5實施形態實質上相同。對光檢測部7之第2光感測器7B，輸出藉由使λ/4波長板55往復而成為90°之直線偏光之第2光。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4I使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 於本實施形態中，構成導光光學系統4I之光學元件之中，可將分色鏡61及檢流鏡56於第1光之光路與第2光之光路共通化。又，於光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。 [第10實施形態] 第10實施形態之檢查裝置係第9實施形態之變化例，且如圖21及圖22所示，與第9實施形態之不同點在於，於導光光學系統4J中，省略將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K2之配置。又，與第9實施形態之不同點在於，導光光學系統4J之偏光分光器52B使偏光面為0°之偏光成分之光透過，且將偏光面為90°之偏光成分之光反射。其他點與第9實施形態相同。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4J使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。此種形態於可充分地確保光源之SN比之情形時有用，可削減使用於導光光學系統4J之光學元件之件數，而簡化構成。 [第11實施形態] 第11實施形態之檢查裝置係第1實施形態之變化例，且如圖23及圖24所示，與第1實施形態之不同點在於，於導光光學系統4K中，配置有將第1光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K1、與將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件K2。又，與第1實施形態之不同點在於，配置有將第2光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件L1、與將第2光之另一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件L2。 更具體而言，導光光學系統4K係由作為複數個光學元件之平行光管81A～81D、分色鏡82、偏光分光器83A、83B、法拉第轉子84A、84B、λ/4波長板85、及檢流鏡86而構成。又，光檢測部7具有光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b。 法拉第轉子84B及λ/4波長板85係作為光路切換元件M而配置於檢流鏡86之前段側。法拉第轉子84B及λ/4波長板85與第1實施形態同樣，藉由缸體等驅動機構，其一者進入光路，另一者自光路退避。 偏光分光器83B及法拉第轉子84B構成將第1光之一偏光成分導向光檢測部7之光感測器(i)7a之偏光控制元件K1。偏光分光器83A及法拉第轉子84A配置於偏光控制元件K1之前段側，構成將第1光之另一偏光成分導向光檢測部7之光感測器(ii)7b之偏光控制元件K2。 偏光分光器83B及λ/4波長板85構成將第2光之一偏光成分導向光檢測部7之光感測器(i)7a之偏光控制元件L1。偏光分光器83A及法拉第轉子84A構成將第2光之另一偏光成分導向光檢測部7之光感測器(ii)7b之偏光控制元件L2。分色鏡82配置於偏光控制元件K2、L2之前段側。 於自光輸出部3輸出第1光之情形時，如圖23所示，於光路切換元件M中，法拉第轉子84B進入導光光學系統4K之光路。第1光於初始狀態下為0°之直線偏光。第1光係藉由平行光管81A予以平行光化，且透過分色鏡82及偏光分光器83A，藉由法拉第轉子84A使偏光面旋轉45°。又，第1光透過偏光分光器83B，且藉由法拉第轉子84B使偏光面旋轉22.5°之後，被導向物鏡5。藉由檢流鏡86掃描第1光對物鏡5之入射位置、即第1光對磁性光學結晶6之入射位置。 於磁性光學結晶6之反射膜13反射之第1光係根據與在計測對象物D產生之磁場(磁場強度)相應之磁性光學效應(克爾效應及法拉第效應等)而偏光面旋轉α°，並再次通過物鏡5入射至導光光學系統4K。第1光係藉由法拉第轉子84B而偏光面進而旋轉22.5°。藉由使法拉第轉子84B往復，而將偏光面旋轉90+α°之第1光中之僅135°之偏光成分藉由偏光分光器83B反射，並以藉由平行光管81C聚光之狀態輸出至光檢測部7之光感測器(i)7a。 又，第1光中之透過偏光分光器83B之偏光成分係藉由法拉第轉子84A而偏光面進而旋轉45°，並以偏光分光器83A反射之後，以藉由平行光管81D聚光之狀態輸出至光檢測部7之光感測器(ii)7b。於光檢測部7中，檢測輸入之光之差動。光檢測部7檢測藉由根據磁性光學效應偏光面旋轉α°而產生之強度調變。 於自光輸出部3輸出第2光之情形時，如圖24所示，於光路切換元件M中，λ/4波長板85進入導光光學系統4K之光路。第2光於初始狀態下為0°之直線偏光。第2光係由平行光管81B平行光化，並以分色鏡82反射。以分色鏡82反射之第2光透過偏光分光器83A，且藉由法拉第轉子84A使偏光面旋轉。又，第2光透過偏光分光器83B，且以藉由λ/4波長板85變成圓偏光之狀態，被導向物鏡5。藉由檢流鏡86掃描第2光對物鏡5之入射位置、即第2光對計測對象物D之入射位置。 通過計測對象物D之內部並反射之第2光係再次通過物鏡5而入射至導光光學系統4K。第2光藉由使λ/4波長板85往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光。將第2光中之僅135°之偏光成分藉由偏光分光器83B反射，並以藉由平行光管31C聚光之狀態輸出至光檢測部7之光感測器(i)7a。 又，第2光中之透過偏光分光器83B之偏光成分係藉由法拉第轉子84A而偏光面進而旋轉。將第2光中之僅90°之偏光成分藉由偏光分光器83A反射之後，以藉由平行光管81D聚光之狀態輸出至光檢測部7之光感測器(ii)7b。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，一方面於導光光學系統4K使用具有適於第1波長及第2波長之波長依存性之光學元件，另一方面可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 於本實施形態中，構成導光光學系統4K之光學元件之中，可將分色鏡82、偏光分光器83A、83B、法拉第轉子84A、及檢流鏡86於第1光之光路與第2光之光路共通化。此種形態於該等光學元件之波長特性及光檢測部之檢測感度可適用於第1光之波長及第2光之波長之兩者之情形時有用。又，於本實施形態中，於光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。 又，於本實施形態中，於光路切換元件M中，亦可以法拉第轉子84B進入導光光學系統4K之光路之狀態，就此以光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b之兩者同時檢測第2光。於該情形時，於光路切換元件M中，λ/4波長板85進入導光光學系統4K之光路，而可以光檢測部7檢測與僅以光感測器(i)7a檢測第2光之情形同等之光量。 [第12實施形態] 第12實施形態之檢查裝置係第11實施形態之變化例，且如圖25及圖26所示，於導光光學系統4L中，使第2光輸出至光檢測部7之構成與第11實施形態不同。更具體而言，於導光光學系統4L中，於偏光分光器83B之輸出側進而配置有分色鏡91及平行光管81E。又，於導光光學系統4L中，偏光分光器83B及λ/4波長板85構成將第2光之一偏光成分導向光檢測部7之偏光控制元件L。 如圖25所示，第1光之光路除了以偏光分光器83B反射之偏光成分透過分色鏡91而輸出至光檢測部7之第1光感測器7A之點以外與第11實施形態相同。如圖26所示，第2光之光路係將以偏光分光器83B反射之偏光成分以分色鏡91進而反射而輸出至光檢測部7之第2光感測器7B。對光檢測部7之第2光感測器7B，經由平行光管81E輸出藉由使λ/4波長板85往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光之第2光。 於此種形態中，亦與上述之實施形態同樣，藉由光路切換元件M，可將形成第1光之光路之光學元件、與形成第2光之光路之光學元件於一部分共通化。因此，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 於本實施形態中，構成導光光學系統4L之光學元件之中，可將分色鏡82、偏光分光器83A、83B、法拉第轉子84A、及檢流鏡86於第1光之光路與第2光之光路共通化。此種形態於該等光學元件之波長特性可適用於第1光之波長及第2光之波長之兩者之情形時有用。又，於本實施形態中，於具有光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b之光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動之檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。 再者，於本實施形態中，將分色鏡91配置於偏光控制元件K1、K2、L之前段側。藉此，可藉由分色鏡91之後段之偏光控制元件K1、K2、L使光之偏光方向一致。因此，可於分色鏡91之反射側及透過側之任一側形成第1光之光路及第2光之光路，而可擔保導光光學系統4L之設計之自由度。 [第13實施形態] 第13實施形態之檢查裝置係第7實施形態之變化例，且如圖27及圖28所示，與第7實施形態之不同點在於，於導光光學系統4M中，於構成為光路切換元件M之光學鏡71之前段具有複數個檢流鏡(檢流鏡56A、56B)。 更具體而言，於導光光學系統4M中，藉由光學鏡71自光路退避而使第1光通過。如圖27所示，第1光之光路與第7實施形態實質上相同。對光檢測部7之第1光感測器7A之光感測器(i)7a及光感測器(ii)7b，藉由偏光控制元件K1及偏光控制元件K2，分別輸出第1光之相互正交之偏光成分，而檢測差動。又，於導光光學系統4M中，藉由光學鏡71進入光路而反射第2光。如圖28所示，第2光之光路與第7實施形態實質上相同。對光檢測部7之第2光感測器7B，輸出藉由使λ/4波長板55往復而成為偏光面旋轉90°之直線偏光之第2光。 於此種形態中，亦因僅藉由光學鏡71之進退而構成光路切換元件M，故一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。 於本實施形態中，於光檢測部7中，可進行第1光之一偏光成分、與第1光之另一偏光成分之差動之檢測。因此，即使於光源之SN比相對較低之情形時，亦可精度良好地實施計測對象物D有無異常之檢測。另，光路切換元件M亦可由分色鏡或半反射鏡構成。於該情形時，因不需要物理動作，故可更簡單地構成光路切換元件M。 [第14實施形態] 第14實施形態之檢查裝置係第8實施形態之變化例，且如圖29及圖30所示，與第8實施形態之不同點在於，於導光光學系統4N中，於構成為光路切換元件M之光學鏡71之前段具有複數個檢流鏡(檢流鏡56A、56B)。 於此種形態中，亦藉由光路切換元件M，一面避免構成之複雜化，一面可使計測對象物D之有無異常之檢測與圖案之取得精度良好地並存。此種形態於可充分地確保光源之SN比之情形時有用，可削減使用於導光光學系統4N之光學元件之件數，而簡化構成。 以上，雖已就本發明之各實施形態進行說明，但本發明並非限定於上述實施形態。例如，亦可取代上述實施形態所使用之法拉第轉子，而使用可變偏光轉子(可變旋轉器(Variable rotator))等。

1‧‧‧檢查裝置 2‧‧‧測試器單元 3‧‧‧光輸出部 4A～4N‧‧‧導光光學系統 5‧‧‧物鏡 6‧‧‧磁性光學結晶 7‧‧‧光檢測部 7A‧‧‧第1光感測器 7a‧‧‧光感測器(i) 7B‧‧‧第2光感測器 7b‧‧‧光感測器(ii) 8‧‧‧頻率解析部 9‧‧‧物鏡驅動部 11‧‧‧結晶生長基板 11a‧‧‧結晶生長基板之一面 11b‧‧‧結晶生長基板之另一面 12‧‧‧磁性光學效應層 13‧‧‧反射膜(反射面) 21‧‧‧放大器 22‧‧‧電腦 23‧‧‧顯示裝置 24‧‧‧輸入裝置 31A～31D‧‧‧平行光管 32‧‧‧分色鏡 33‧‧‧偏光分光器 34‧‧‧法拉第轉子(光路切換元件) 35‧‧‧λ/4波長板(光路切換元件) 36‧‧‧檢流鏡 41‧‧‧分色鏡 51A～51E‧‧‧平行光管 52A‧‧‧偏光分光器 52B‧‧‧偏光分光器 53A‧‧‧法拉第轉子 53B‧‧‧法拉第轉子 54‧‧‧偏光分光器 55‧‧‧λ/4波長板 56‧‧‧檢流鏡(光路切換元件) 56A‧‧‧檢流鏡 56B‧‧‧檢流鏡 61‧‧‧分色鏡(光路切換元件) 71‧‧‧光學鏡(光路切換元件) 81A～81E‧‧‧平行光管 82‧‧‧分色鏡 83A‧‧‧偏光分光器 83B‧‧‧偏光分光器 84A‧‧‧法拉第轉子 84B‧‧‧法拉第轉子 85‧‧‧λ/4波長板 86‧‧‧檢流鏡 91‧‧‧分色鏡 D‧‧‧計測對象物 K‧‧‧偏光控制元件 K1‧‧‧偏光控制元件 K2‧‧‧偏光控制元件 L‧‧‧偏光控制元件 L1‧‧‧偏光控制元件 L2‧‧‧偏光控制元件 M‧‧‧光路切換元件

圖1係顯示第1實施形態之檢查裝置之概略圖。 圖2係顯示磁性光學結晶之一例之概略圖。 圖3係顯示圖1所示之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖4係顯示圖1所示之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖5係顯示第2實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖6係顯示第2實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖7係顯示第3實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖8係顯示第3實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖9係顯示第4實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖10係顯示第4實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖11係顯示第5實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖12係顯示第5實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖13係顯示第6實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖14係顯示第6實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖15係顯示第7實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖16係顯示第7實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖17係顯示第8實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖18係顯示第8實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖19係顯示第9實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖20係顯示第9實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖21係顯示第10實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖22係顯示第10實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖23係顯示第11實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖24係顯示第11實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖25係顯示第12實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖26係顯示第12實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖27係顯示第13實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖28係顯示第13實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。 圖29係顯示第14實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第1光之光路之圖。 圖30係顯示第14實施形態之檢查裝置之於導光光學系統之第2光之光路之圖。

1‧‧‧檢查裝置

2‧‧‧測試器單元

3‧‧‧光輸出部

4A‧‧‧導光光學系統

5‧‧‧物鏡

6‧‧‧磁性光學結晶

7‧‧‧光檢測部

8‧‧‧頻率解析部

9‧‧‧物鏡驅動部

21‧‧‧放大器

22‧‧‧電腦

23‧‧‧顯示裝置

24‧‧‧輸入裝置

D‧‧‧計測對象物

Claims (14)

1. 一種檢查裝置，其係進行計測對象物之檢查者，且具備： 光輸出部，其輸出具有第1波長之第1光、及具有與上述第1波長不同之第2波長之第2光； 磁性光學結晶，其具有反射上述第1光之反射面，且以該反射面與上述計測對象物對向之方式配置； 光檢測部，其檢測上述第1光及上述第2光；及 導光光學系統，其係由複數個光學元件構成，將上述第1光及上述第2光導向上述磁性光學結晶及上述計測對象物，且將以上述磁性光學結晶反射之上述第1光、與以上述計測對象物反射之上述第2光導向上述光檢測部；且 上述導光光學系統具有以上述第1光及上述第2光選擇性地入射至上述光檢測部之方式，切換由上述複數個光學元件形成之光路之光路切換元件。
2. 如請求項1之檢查裝置，其中上述光輸出部具有出射上述第1光之第1光源、與出射上述第2光之第2光源。
3. 如請求項1或2之檢查裝置，其中上述光檢測部具有檢測上述第1光之第1光感測器、與檢測上述第2光之第2光感測器。
4. 如請求項1至3中任一項之檢查裝置，其中上述導光光學系統具有將上述第1光之一偏光成分導向上述光檢測部之偏光控制元件。
5. 如請求項4之檢查裝置，其中上述導光光學系統進而具有將上述第1光之另一偏光成分導向上述光檢測部之偏光控制元件。
6. 如請求項1至5中任一項之檢查裝置，其中上述導光光學系統具有將上述第2光之一偏光成分導向上述光檢測部之偏光控制元件。
7. 如請求項4至6中任一項之檢查裝置，其中上述光路切換元件係由法拉第轉子及波長板構成。
8. 如請求項4至6中任一項之檢查裝置，其中上述光路切換元件係由分色鏡構成。
9. 如請求項4至6中任一項之檢查裝置，其中上述光路切換元件係由檢流鏡構成。
10. 如請求項4至6中任一項之檢查裝置，其中上述光路切換元件係由光學鏡構成。
11. 如請求項7之檢查裝置，其中上述導光光學系統係包含分色鏡而構成；且 上述分色鏡配置於上述偏光控制元件之前段側。
12. 如請求項1至11中任一項之檢查裝置，其中上述計測對象物係半導體器件。
13. 如請求項1至12中任一項之檢查裝置，其中上述第1波長係短於上述第2波長之波長。
14. 一種檢查方法，其係使用以與計測對象物對向之方式配置之磁性光學結晶而進行上述計測對象物之檢查之檢查方法，且具備如下步驟： 將具有第1波長之第1光、及具有與上述第1波長不同之第2波長之第2光藉由導光光學系統導向上述磁性光學結晶及上述計測對象物，且檢測以上述磁性光學結晶或上述計測對象物反射之上述第1光及上述第2光；且 上述步驟包含以下步驟： 自光輸出部輸出上述第1光，且經由上述導光光學系統以光檢測部檢測上述第1光； 以上述第2光入射至上述光檢測部之方式選擇性切換上述導光光學系統之光路；及 自上述光輸出部輸出上述第2光，且經由上述導光光學系統以上述光檢測部檢測上述第2光。