TW201724326A - 板元件、晶片舟及電漿處理設備 - Google Patents

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Abstract

一種板元件、晶片舟及電漿處理設備。板元件導電且在每一面上皆具用於將晶片容置在晶片容置區域中的容置單元。板元件具有處於板元件之面中的凹部及/或處於板元件中的開口，其中凹部及/或開口在板元件中至少部分徑向地處於晶片容置區域外部且與其緊鄰。晶片舟具有數個彼此平行配置的板元件，其中相鄰的板元件彼此電絕緣。電漿處理設備具有用於容置晶片舟的製程腔以及用於控制或調節製程腔中之製程氣體氣氛的構件及電壓源，電壓源可以合適的方式與晶片舟之導電容置元件連接，以便在緊鄰之容置在晶片舟中的晶片之間施加電壓。

Description

用於晶片的晶片舟及電漿處理設備
本發明是有關於用於晶片的一種晶片舟及一種處理設備，所述晶片舟及所述處理設備適於在容置於其中的晶片之間產生電漿。
在半導體技術及太陽能電池技術中已為吾人所知的是，對由不同材料構成的片狀基板實施不同製程，下面將此等基板以與其幾何形狀及其材料無關的方式稱為晶片。
在此，通常除對晶片實施單個處理製程外，亦對其實施批量製程，即同時處理數個晶片的製程。在單個製程及批量製程中皆須將晶片移至期望的處理位置。在批量製程中，此點通常透過將晶片插入所謂的具有用於數個晶片的插口之舟件而實現。在此等舟件中，晶片通常彼此平行配置。此類舟件可採用不同構造，其通常僅容置相應晶片之下沿，使得晶片朝上曝露。此類舟件通常是被動的，亦即，除保持功能外，此等舟件在處理晶片期間不具有其他功能。
就例如用來在半導體或太陽能電池技術中對晶片進行電漿處理的一種類型之晶片舟而言，此晶片舟由數個導電板件構成，此等板件通常由石墨構成。此等板件大體彼此平行配置，且在相鄰的板件之間形成用於容置晶片的容置縫。此等板件之朝向彼此的各面分別具有用於晶片的相應容置元件，以便將晶片容置在每一面上。通常在每個朝向另一板件之板件面上設有銷件作為容置元件，此等銷件容置晶片。因此，在每個容置縫中，可將至少兩個晶片以某種方式完全容置在板件之間，使得此等晶片彼此相對。晶片舟之相鄰板件彼此電絕緣，在製程中，在緊鄰的板件之間施加通常處於千赫茲(KHz)範圍或兆赫(MHz)範圍內的交流電壓。如此便能在板件之間以及特別是在保持在各板件上的晶片之間形成電漿，以便設置電漿處理，如電漿之沈澱或層之電漿氮化。為相對配置板件而採用間隔元件，其具有用於調整板件之間的預設距離之預設長度。DE 10 2011 109 444 A1例如描述此種由板件及間隔元件構成的晶片舟。
如前所述，電漿除產生於相鄰的晶片之間外，亦產生於相鄰的板件之間。由於板件的傳導性通常高於晶片，板件間的電漿密度可大於晶片間的電漿密度，此點對於晶片處理的製程及均勻性而言較為不利。特別是與在晶片之其他區域中相比，在晶片之邊緣區域中可能出現更大的效應。此外，可能產生晶片之底面處理（特別是底面塗佈）之問題，此種底面處理亦稱作塗佈之纏繞（wrap-around）且因緊鄰晶片邊緣的電漿而引發。
為克服此問題，過去的方案是用絕緣層，如SiN，對板件進行預覆蓋，以便抑制板件間的電漿形成。但此種預覆蓋又可能導致其他問題，且特別是在蝕刻槽中對板件進行濕式清潔後，還必須定期對預覆蓋進行再生，從而增大成本。
有鑒於此，本發明之目的在於設置用於晶片的一種晶片舟及一種電漿處理設備，所述晶片舟及所述電漿處理設備克服或緩解上述纏繞問題。
本發明用以達成上述目的之解決方案為如申請專利範圍第1項所述的一種板元件、如申請專利範圍第6項所述的一種晶片舟以及如申請專利範圍第8項所述的一種電漿處理設備。本發明之其他設計方案參閱附屬項。
特定言之，本發明提出一種用於晶片舟的板元件，晶片舟用於對片狀晶片進行電漿處理，其中板元件導電且在每一面上具有用於將晶片容置在晶片容置區域中的至少一容置單元。根據本發明，板元件具有處於板元件之至少一面中的至少一凹部及/或處於板元件中的至少一開口，其中凹部及/或開口在板元件中至少部分徑向地處於晶片容置區域外部且與其緊鄰。本文將通常被晶片遮蓋的區域視為晶片容置區域。在容置狀態下，凹部(或開口)與晶片可能較小程度地重疊，但並非必然之舉。這種板元件的優點在於，在使用中在所容置的晶片之邊緣區域中產生有所削弱的電漿，進而阻止或至少減輕邊緣效應及特別是電漿之纏繞。
板元件在雙面上皆具相應凹部。
在一種實施方式中，板元件具有的凹部大體上完全包圍晶片容置區域。這個概念基本上應將至少80%，較佳大於90%或95%包含在內。從而確保大體上全面地產生有所削弱的電漿之效應。
在一種替代實施方式中，板元件具有數個開口，開口至少部分徑向地處於晶片容置區域外部且與其相鄰。在具有足夠穩定性的情況下，透過數個開口便能包圍晶片容置區域之較大的周向區域。板元件中的開口較佳應徑向包圍晶片容置區域之至少50%，較佳至少80%。
用於對片狀晶片進行電漿處理的晶片舟，具有數個彼此平行配置的前述之板元件，其中相鄰配置的板元件彼此電絕緣。這種晶片舟又能在使用中在所容置的晶片之邊緣區域中產生有所削弱的電漿，進而阻止或至少減輕邊緣效應及特別是電漿之纏繞。
在採用具有開口的板元件時，開口可在相鄰板元件中彼此錯開配置，以便在晶片容置區域的邊緣區域中大體上全面地實現削弱效應。
用於片狀晶片的電漿處理設備具有用於容置前述之晶片舟的製程腔、用於控制或調節製程腔中之製程氣體氣氛的構件及至少一電壓源，電壓源可以合適的方式與晶片舟之導電容置元件連接，以便在緊鄰之容置在晶片舟中的晶片之間施加電壓。
用於晶片的電漿處理設備具有用於容置前述之晶片舟的製程腔。亦設有用於控制或調節製程腔中之製程氣體氣氛的構件及至少一電壓源，電壓源可以合適的方式與晶片舟之導電容置元件連接，以便在緊鄰之容置在晶片舟中的晶片之間施加電壓。
描述中所用之概念，如上、下、左及右，皆以附圖所示為準且不對本申請構成任何限制。但上述概念可對較佳實施例進行描述。主要關於平行、垂直或角度數據的表述應將±3°（較佳±2°）的偏差包含在內，否則，基本上應將所給出之值的至少80%，較佳至少90%或95%包含在內。下文中將晶片之概念應用於片狀基板，所述基板較佳為針對半導體或光伏用途的半導體晶片，其中亦可設置其他材料的基板並對其進行處理。
下面結合圖1至圖4對應用於電漿處理設備之晶片舟1的基本結構進行詳細說明，其中圖1為晶片舟1之板元件的側視示意圖，圖2及圖3為俯視圖及前視圖，圖4(a)及圖4(b)為所述晶片舟的兩個相鄰板元件間之分區的透視放大圖。相同或類似元件在附圖中用同一元件符號表示。
晶片舟1由數個板件6構成，所述板件6被接觸與夾緊單元聚集在一起且皆適於容置數個晶片7。所示晶片舟1特別適於電漿之層沈積，如Si3 N4 、SiNx 、a-Si、Al2 O3 、AlOx 、摻雜及非摻雜多晶矽或者非晶矽等等，特定言之，適於對晶片進行電漿氮化。
板件6皆由導電材料構成，且特別是構建為石墨板，其中具體視製程而定地，可設有板件基本材料之塗佈或表面處理。板件6分別具有六個凹槽8，所述凹槽8在製程中被晶片遮蓋，下文將對此進行詳細說明。儘管在所示方案中，每個板件6設有六個凹槽，但需要注意的是，亦可設有數目更多或更少之凹槽，或者可完全不設置凹槽。板件6分別具有平行的上沿及下沿，（其中如DE 10 2010 025 483所述，在上沿中例如可構建有數個缺口，以便對板件進行位置識別）。
在圖2所示實施方式中，總共設有二十三個板件6，其透過相應的接觸單元及夾緊單元大體上彼此平行配置，以便在其間形成容置縫11。因此，在採用二十三個板件6時，形成二十二個容置縫11。但在實踐中亦常常使用25、19或21個板件，且本發明並不侷限於某個數目之板件6。亦可使用偶數個板件（如20、22、24、26、…）。
板件6至少分別在其朝向相鄰板件6之一面上具有各三個容置元件9的若干群組，所述容置元件9以某種方式配置，以便其將晶片7容置於其間。在此，圖1示出兩個晶片7，其中所述晶片7容置在兩個位於左邊的容置元件9群組中。其他群組中未容置晶片。如圖1示意性所示，容置元件9之群組分別圍繞每個凹槽8配置。容置元件9之群組各定義一晶片容置區域，其中晶片容置區域指的是板件（包括凹槽8在內）之通常被容置於容置元件之各群組中的晶片7遮蓋的區域。可以某種方式容置晶片7，使得容置元件9分別接觸晶片7之不同側沿。在此情況下，沿板元件6之縱向（對應於凹槽8）總共設有六個容置元件9的群組，各用於容置一個晶片。
在板元件6之每一面上設有數個凹部10，其分別徑向包圍一相應的晶片容置區域。凹部10可完全包圍晶片容置區域，如圖所示，凹部10亦可僅部分包圍晶片容置區域。特別是在容置元件9之區域中，可出於穩定性考慮而不設置凹部10。但凹部10較佳應分別大體上完全包圍晶片容置區域，其中基本上應將至少90%，較佳95%以上之徑向包圍包含在內，其中在此情況下，視情況可為每個晶片容置區域設置數個凹部10。凹部10較佳徑向朝外地緊鄰各晶片容置區域，但在使用中，在容許偏差內亦可在晶片容置區域與凹部10間產生較小距離，或者在晶片容置區域與凹部10間產生較小程度的重疊。
如特別是圖4(a)及圖4(b)所示，晶片舟1中的相鄰板件6之間具有距離a，其在凹部10之區域內被增大至更大的距離b。在此情況下，相鄰板件6的凹部10以某種方式配置，使得所述凹部正好彼此對準。藉此，距離b較距離a增大凹部10之深度的兩倍。
儘管在上述說明中，凹部10構建在所述板件6之雙面上，亦可僅在一面上設有相應凹部10，其中在晶片舟中，具有凹部10的板件面會朝向無凹部的相鄰板件面。如此，所述距離局部地增大所述凹部之深度的一倍。
板件6在其末端上各具一用於板件6的電接觸之突出的接觸凸緣13，下文將對此進行詳細說明。在此情況下，設有板件6之兩種實施方式，其在接觸凸緣13的位置方面有所不同。在一種實施方式中，接觸凸緣13以直接連接所述下沿的方式實施，而在另一實施方式中，所述接觸凸緣與所述下沿間隔一定距離，其中距下沿之距離大於該另一實施方式之板件的接觸凸緣13之高度。在晶片舟1中交替配置板件6之兩種實施方式。因此，如（最佳）圖2所示，接觸凸緣13與緊鄰之板件6在晶片舟1之配置方案中處於不同平面。但在每個第二板件6中，接觸凸緣13處於同一平面內。藉此，由接觸凸緣13形成兩個相鄰的接觸平面。所述配置方案能夠對緊鄰之板件6施加不同電位，而對每個第二板件施加相同電位。
透過由導電良好的材料（特別是石墨或鈦）構成之接觸塊15來將處於相應接觸平面內的接觸凸緣13電連接並以彼此間隔預設距離的方式配置。在接觸凸緣13之區域中以及在每個接觸塊15中皆設有至少一通孔。在彼此對準的狀態下，所述至少一通孔可供具有桿件（不可見）及頭部件的夾緊元件16，如螺釘，穿過。在此情況下，透過作用於所述桿件之自由末端的配對元件，如螺母17，便能將板件6彼此固定住。其中將所述板件相對地固定在不同群組中並且以某種方式固定，使得不同群組之板件交替配置。夾緊元件16可由導電材料構成，但此點是非必要的。接觸塊15（在定義板件6之接觸凸緣13間的距離之方向上）較佳具有相同長度，即相當於兩個容置縫11之寬度加上一個板件6之寬度。
在所述板件中，亦在鄰近上沿及下沿之處設有其他通孔，以供具有桿件（不可見）及頭部件的夾緊元件19，如夾緊單元之螺釘，穿過。所述螺釘又可與相應的對配元件20，如螺母，共同作用。在所示實施方式中，分別設有七個鄰近上沿之通孔及七個鄰近下沿之通孔。其中，圍繞每個凹槽8皆以彼此基本對稱的方式配置有四個通孔。作為夾緊單元之其他部件，設有數個間隔元件22，所述間隔元件例如構建為具體大體相同之長度的間隔套。間隔元件22分別配置在緊鄰之板件6間的各通孔之區域中。
夾緊元件19之桿件以某種方式設定，使得所述桿件可穿過板件6之相應開口以及處於所述板件間的各間隔元件22而延伸。在此情況下，透過該至少一對配元件20便能將所有板件6大體彼此平行固定住。在此，亦可採用其他具有間隔元件22的夾緊單元，所述夾緊單元藉由處於所述板件間的間隔元件22而大體平行地配置板件6並將其夾住。在所示實施方式中，在採用22個容置縫以及每個縫隙總共14個間隔元件22（七個鄰近上沿，七個鄰近下沿）時，設有308個間隔元件。所述夾緊元件較佳由電絕緣材料（特別是氧化陶瓷）構成，此點亦適用於間隔元件22。
圖6至圖8示出板件6之替代實施方式，所述板件6可用於形成晶片舟1。其中，圖6為側視示意圖，圖8為替代板件的局部剖面透視放大圖，圖7為板件之另一替代方案的側視示意圖。如同所述第一實施方式那般，在圖6及圖7所示側視圖中，分別示出兩個容置在板件6上的晶片7。圖8同樣示出容置在板件6上的晶片7，其中晶片7容置在板件6之雙面上。
板件6在材料以及具有凹槽8、容置元件9及凸緣13的基本結構方面與前述板件6（如圖1至圖4所示）相似。但板件6之不同之處在於，其不具有凹部10。確切而言，在板件6之替代實施方式中，作為凹部10的替代方案設有數個開口25。在此情況下，數個開口25分別包圍板件6的一相應晶片容置區域。開口25較佳徑向朝外緊鄰各晶片容置區域，但在使用中，在容許偏差內亦可產生晶片容置區域與開口25間之較小距離，或者產生晶片容置區域與開口25間之較少重疊.
在每個板件6中設有數個開口25，所述開口25徑向包圍相應之晶片容置區域。如同採用凹部10那般，開口25無法完全包圍所述晶片容置區域，否則所述晶片無法抵靠至所述板件6。但開口25較佳應徑向包圍所述晶片容置區域之至少90%。透過開口25產生以下效應：在晶片舟內的相鄰板件6中，在緊鄰晶片容置區域的區域中大體上不存在相對之板件材料（較佳在小於所述晶片容置區域的周長之10%內）。
具體而言，在圖6及圖8所示實施方式中，沿晶片容置區域之相應側沿設有四個大小相同的開口25。所述開口25皆等距，從而在其間產生連接板。在所述實施方式中，連接板亦以鄰近所述晶片容置區域之邊沿區域的方式產生。所述連接板與容置元件9之固定點對齊，其中所述容置元件亦可徑向地在被開口25圍繞的區域外部固定在所述板件上。當然，各開口25之數目可發生變化，特別是在鄰近所述晶片容置區域的上沿之處亦可設有唯一之開口。
在圖7所示實施方式中，示出開口25之另一構造。特定言之，在鄰近所述晶片容置區域的上沿之處設有唯一之長條形的開口25，其大體上在所述上沿之總長度內延伸。在鄰近所述晶片容置區域的其他側沿之處設有兩個長條形的開口25，所述開口具有不同長度。開口25之間所形成的連接板與容置元件9之固定點對齊。在鄰近所述晶片容置區域的角部之處設有其他三角形的開口25。
如相關領域通常知識者所知，可改變所述開口之配置方案及數目，亦可將不同類型之開口相結合以及在不同板件6（所述板件在晶片舟中彼此緊鄰）上設置不同的開口類型。但開口25較佳應徑向包圍所述晶片容置區域之至少90%。
在一種未繪示的特殊實施方式中，開口25可較小程度地包圍所述晶片容置區域，其中亦可徑向包圍至少50%，特別是80%。在所述特殊實施方式中，在晶片舟1中緊鄰彼此的不同板件6（具有處於上方/下方之接觸凸緣13）以某種方式構建，使得一板件6之開口25與另一板件之開口25錯開。如此便亦能在開口25相對所述晶片容置區域之徑向包圍的百分率較低時達到以下內容：在晶片舟內的相鄰板件6中，在緊鄰晶片容置區域的區域中大體上不存在相對之板件材料（較佳在小於所述晶片容置區域的周長之10%內）。
下面結合示出處理設備30的側視示意圖之圖5，對可供上述類型之晶片舟1插入的電漿處理設備30的基本構造進行詳細說明。
電漿處理設備30由製程室部件32及控制件34構成。製程室部件32由單側打開之管元件36構成，所述管元件36在內部形成製程室38。如先前技術所揭露，管元件36之曝露的末端用於對製程室38進行裝料，可透過未繪示之閉合機構封閉並氣密密封所述末端。所述管元件36由合適的材料構成，所述材料不將雜質帶入製程、電絕緣且在溫度及壓力（真空）方面承受製程條件，例如為石英。管元件36在其閉合末端上具有用於輸入及排出氣體及流體之氣密套管，所述套管可採用習知構建方案。但相應輸入管及排出管亦可設置在另一末端上或者側向地設置在所述末端間的合適位置上。
管元件36被護套40包圍，所述護套將管元件38與環境熱絕緣。在護套40與管元件36之間設有未詳細繪示之加熱裝置，如電阻加熱器，其適於加熱管元件36。但這種加熱裝置例如亦可設置在管元件36內部或者管元件36自身可實施為加熱裝置。但目前較佳採用外置加熱裝置，特別是這種具有可單獨控制的不同加熱迴路之加熱裝置
在管元件36內部設有未詳細繪示之容置元件，所述容置元件形成用於容置例如可為上述類型之晶片舟1（僅在圖5中部分示出）的容置平面。但亦可以某種方式將所述晶片舟插入管元件36，使得所述晶片舟豎立在管元件36之壁部上。在此情況下，將所述晶片舟大體上保持在所述容置平面上方，所述晶片舟大約居中配置在管元件中。因此，透過相應容置元件及或透過直接放置至所述管元件，以與所述晶片舟之尺寸相結合的方式定義了供晶片舟正常插入的容置空間。在裝料狀態下，可透過合適之未繪示的操作機構將所述晶片舟整體插入製程室38並自所述製程室38取出。根據習知方案，在對所述晶片舟進行裝料時，自動地與板件6之群組中的每個之至少一接觸塊15建立電接觸。
還設有通向管元件36內部的下氣體導送裝置44及上氣體導送裝置46，其分別能夠導入及/或抽吸氣體。氣體導送裝置44、46設置在所述管元件之徑向相對的末端上，以便氣體流過所容置之晶片舟的容置縫。
下面對處理設備30的控制件34進行詳細說明。控制件34具有氣體控制單元60、負壓控制單元62、電控制單元64及未詳細繪示的溫度控制單元，所有這些元件皆可透過上級控制裝置，如處理器，而共同受到控制。所述溫度控制單元與所述未繪示之加熱單元存在連接，以便主要對管元件36或製程室38的溫度進行控制或調節。
氣體控制單元60與數個不同氣體源66、67、68，如包含不同氣體之氣瓶，存在連接。在所示方式中，示出三個氣體源，其中當然亦可設有任一其他數目。所述氣體源例如可在氣體控制單元60之相應入口上提供二氯矽烷、三氯矽烷、SiH4 、磷化氫、硼烷、二硼烷、鍺烷（GeH4）、Ar、H2 、三甲基鋁(Trimethylaluminium, TMA)、NH3 、N2 及各種其他氣體。氣體控制單元60具有兩個出口，其中所述出口中之一者與下氣體導送裝置44連接，所述另一出口與負壓控制單元62之泵70連接。如先前技術所揭露，氣體控制單元60可將所述氣體源以合適的方式與所述出口連接在一起並對氣體之通流進行調節。氣體控制單元60如此便能特別是透過下氣體導送裝置44將不同氣體導入所述製程室。
負壓控制單元62大體上由泵70與壓力調節閥72構成。泵70透過壓力調節閥72與上氣體導送裝置46連接且由此可將所述製程室泵抽至預設壓力。氣體控制單元60與泵之連接用於視情況用N2 稀釋自所述製程室泵出的製程氣體。
電控制單元64具有至少一電壓源，所述電壓源適於在電控制單元之出口上施加至少一高頻電壓。電控制單元64之出口透過管道與用於製程室中之晶片舟的接觸單元存在連接。所述管道透過相應真空及溫度適宜的套管穿過護套40並插入管元件36。
下面參照附圖對電漿處理設備30之操作進行詳細說明，其中示例性地，將在透過40 KHz激發的電漿中之由電漿支持的氮化矽或氧化鋁沈積描述為處理。但亦可將處理設備30用於其他由電漿支持的沈積製程，其中亦可透過其他頻率，如20 KHz至450 KHz範圍內的頻率或更高的頻率，來激發所述電漿。
首先自以下情形出發：上述類型之裝料後的晶片舟1（如圖1所示）裝入製程室38，且所述製程室38透過未繪示的閉合機構而被封閉。在此情況下，晶片舟1以某種方式裝料，使得在每個容置縫11中共設有十二個晶片，在本示例中特別是矽晶片，其中在板件6中之每個上各設有六個晶片。其中，如先前技術所揭露，所述晶片以某種方式容置，使得所述晶片成對地相對配置。
在此狀態下，所述內部空間處於環境壓力下，例如可透過氣體控制單元60（在與負壓控制單元62相結合的情況下）用N2 對所述內部空間進行沖洗或灌洗。
透過未繪示的加熱裝置來將管元件36及製程室38升溫，以便將晶片舟1及容置於其中的晶片升溫至預設之有利於所述製程的製程溫度。
在晶片舟1及所述整個單元（晶片舟1、晶片及管元件36）達到預設溫度時，可透過負壓控制單元62將所述製程室泵抽至預設負壓。在達到所述預設負壓時，透過氣體控制單元60根據所要求的層特性以明確的混合比例導入用於氮化矽沈積之期望的製程氣體，如SiH4 /NH3 ，而進一步透過負壓控制單元62透過抽吸所導入的製程氣體而維持所述負壓。如先前技術所揭露，在此時間點上，可用N2 稀釋透過泵70所抽吸的製程氣體。為此，透過氣體控制單元60及所述泵之相應管道輸送N2 。
透過電控制單元64將頻率為40 KHz的HF電壓施加至晶片舟1。這個HF電壓在板件6間及特別是容置在晶片舟1中的晶片間引發製程氣體的電漿點火，且在所述晶片上產生由電漿支持的氮化矽沈積。在此情況下，在板元件6中的凹部10之區域中透過距離增大而局部地削弱所述板件之間所形成的電漿。因此，削弱緊鄰所述晶片之邊緣區域之處（徑向處於所述晶片外部）的電漿，亦即，密度局部地小於板件6間之其他區域。如此便能防止或至少減輕邊緣效應及特別是底面沈積（纏繞）。
在採用具有開口25的板件6時，亦產生所述電漿削弱之相應效應，因為在所述板件間的開口25之區域中產生顯著削弱的電漿。在此情況下，與採用所述凹部相比，所述效應可有所增強。
在沈積製程中維持所述氣流，以免就活性成分而言發生製程氣體之局部耗盡。在針對期望的層厚度之充分的沈積時間結束後，再次停用電控制單元64並中止所述氣體輸送或者重新轉換N2 ，以便沖洗製程室38並視情況同時進行通風（與大氣壓力匹配）。隨後可使得製程室38再次達到環境壓力。
如由上述說明所得出的那般，上述類型的晶片舟1之優點在於，在所述晶片的邊緣區域（徑向處於外部）中產生有所削弱的電漿。
上文結合本發明之某些實施方式參照附圖對板件6、處理設備30及晶片舟1進行了詳細說明，但本發明不僅侷限於所述具體實施方式。特定言之，晶片舟1的板件6可具有其他尺寸且可為容置其他數目的晶片而定尺寸。
1‧‧‧晶片舟
6‧‧‧板件、板元件、第二板件
7‧‧‧晶片
8‧‧‧凹槽
9‧‧‧容置元件
10‧‧‧凹部
11‧‧‧容置縫
13‧‧‧接觸凸緣、凸緣
15‧‧‧接觸塊
16‧‧‧夾緊元件
17‧‧‧螺母
19‧‧‧夾緊元件
20‧‧‧對配元件
22‧‧‧間隔元件
25‧‧‧開口
30‧‧‧電漿處理設備、處理設備
32‧‧‧製程室部件
34‧‧‧控制件
36‧‧‧管元件
38‧‧‧製程室
40‧‧‧護套
44‧‧‧氣體導送裝置
46‧‧‧氣體導送裝置
60‧‧‧氣體控制單元
62‧‧‧負壓控制單元
64‧‧‧電控制單元
66、67、68‧‧‧氣體源
70‧‧‧泵
72‧‧‧壓力調節閥
a‧‧‧距離
b‧‧‧距離
下面參照附圖對本發明進行詳細說明；其中： 圖1為用於晶片舟之板元件的側視示意圖。 圖2為圖1所示晶片舟的俯視示意圖。 圖3為圖1所示晶片舟的前視示意圖。 圖4(a)及圖4(b)為圖1所示晶片舟的板元件之分區的透視放大圖。 圖5為圖1所示晶片舟容置於其中的電漿處理設備的示意圖。 圖6為替代之板元件的側視示意圖。 圖7為板元件之另一替代方案的側視示意圖。 圖8為圖6所示板元件之分區的局部剖面透視放大圖。
6‧‧‧板件、板元件
7‧‧‧晶片
8‧‧‧凹槽
9‧‧‧容置元件
10‧‧‧凹部
13‧‧‧接觸凸緣、凸緣
16‧‧‧夾緊元件
19‧‧‧夾緊元件

Claims (8)

  1. 一種用於晶片舟的板元件，所述晶片舟用於對片狀晶片，特別是針對半導體或光伏用途的半導體晶片，進行電漿處理，其中所述板元件導電且在每一面上皆具有用於將晶片容置在晶片容置區域中的至少一容置單元，處於所述板元件之至少一面中的至少一凹部及/或處於所述板元件中的至少一開口，其中至少一所述凹部及/或至少一所述開口在所述板元件中至少部分徑向地處於所述晶片容置區域外部且與所述晶片容置區域緊鄰。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的板元件，其中所述板元件的雙面具相應的所述凹部。
  3. 如前述申請專利範圍中任一項所述的板元件，其中所述凹部大體上完全包圍所述晶片容置區域。
  4. 如前述申請專利範圍中任一項所述的板元件，其中所述開口具有數個，所述開口至少部分徑向地處於所述晶片容置區域外部且與其相鄰。
  5. 如前述申請專利範圍中任一項所述的板元件，其中所述板元件中的所述開口徑向包圍所述晶片容置區域之至少50%，較佳至少80%。
  6. 一種用於對片狀晶片，特別是針對半導體或光伏用途的半導體晶片，進行電漿處理的晶片舟，所述晶片舟具有： 數個彼此平行配置之如前述申請專利範圍中任一項所述的板元件，其中相鄰配置的所述板元件彼此電絕緣。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的晶片舟，其中若干開口在相鄰的所述板元件中彼此錯開配置。
  8. 一種用於片狀晶片，特別是半導體晶片的電漿處理設備，所述電漿處理設備具有以下： 用於容置如前述申請專利範圍中任一項所述的晶片舟之製程腔； 用於控制或調節所述製程腔中之製程氣體氣氛的構件；以及 至少一電壓源，所述電壓源可以合適的方式與所述晶片舟之導電容置元件連接，以便在緊鄰之容置在所述晶片舟中的晶片之間施加電壓。
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