KR102251678B1 - 절연 구조체가 구비된 보트 장치 - Google Patents

절연 구조체가 구비된 보트 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102251678B1
KR102251678B1 KR1020200139562A KR20200139562A KR102251678B1 KR 102251678 B1 KR102251678 B1 KR 102251678B1 KR 1020200139562 A KR1020200139562 A KR 1020200139562A KR 20200139562 A KR20200139562 A KR 20200139562A KR 102251678 B1 KR102251678 B1 KR 102251678B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating
support
support member
substrate
plate
Prior art date
Application number
KR1020200139562A
Other languages
English (en)
Inventor
임재용
정아름
장재환
김경민
Original Assignee
주식회사 한화
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 한화 filed Critical 주식회사 한화
Priority to KR1020200139562A priority Critical patent/KR102251678B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102251678B1 publication Critical patent/KR102251678B1/ko
Priority to CN202110894775.8A priority patent/CN114203602A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

본 발명은 절연 구조체가 구비된 보트 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판을 적층하는 서포트; 상기 서포트의 양 측면에 마련되는 절연 구조체; 를 포함하여 상기 챔버의 내부에서 상기 기판의 증착 공정 수행시, 통전이 되지 않도록 하는 보트 장치가 제공될 수 있다.

Description

절연 구조체가 구비된 보트 장치{Boat Apparatus with Insulated Structure}
본 발명은 절연 구조체가 구비된 보트 장치에 관한 것이다.
솔라셀 제조 장치는 다수의 기판을 챔버 내에 투입하고 PECVD 등의 플라즈마 공정을 거쳐 기판에 P-N 접합을 형성하는 것이다.
보트 장치는 챔버 내에서 솔라셀 기판을 지지할 수 있다.
챔버 내에 ICP 방식 또는 CCP 방식의 플라즈마를 형성하거나 기판을 보트 장치에 정전기적으로 척킹(chucking)하는 등의 목적을 위하여 보트 장치에 전기를 인가하고 기판을 지지할 수 있다.
이때, 보트 장치에 전기적 쇼트가 발생하면 플라즈마 형성에 불량이 발생하거나 기판 박막 형성에 불량이 발생할 수 있다.
본 발명은 솔라셀 제조 장치의 보트 장치에 있어서, 절연 구조체를 구비하여 챔버 내부의 플라즈마 형성시 보트 장치의 전기적 쇼트로 인하여 기판 박막 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있는 보트 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 해결 수단은 기판을 적층하도록 플레이트를 지지하는 서포트; 상기 서포트의 양 측면에 마련되는 절연 구조체를 포함하고,
상기 챔버의 내부에서 상기 기판의 증착 공정 수행시, 통전이 되지 않도록 하는 보트 장치가 제공될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 챔버 내부에 배치 타입 보트 장치가 위치하고, 보트 장치의 플레이트 사이에 각각의 기판이 안착될 수 있으며, 챔버의 내부에 가스가 투입되고, 플레이트간 플라즈마가 유지된 상태에서 플레이트에 안착된 기판에 원하는 막질을 증착하는데, 이때 전도성 막을 증착시 보트 전체가 증착될 수 있어 플레이트간에 절연을 유지시켜주는 부재로서 절연 스페이서가 마련되지만, 절연 스페이서의 외부에 전도성 막이 증착되기 때문에 통전이 이루어져서 정상적인 플라즈마 방전이 불가능해질 수 있다.
한편, 플레이트 사이에 플라즈마 발생시 거리가 가까운 부분으로 플라즈마가 집중되는 현상을 고려하면, 플라즈마가 기판에 집중되지 않고 플레이트의 연결 부위에 해당하는 절연부에 집중되면 기판에 박막 증착시 두께 균일도 저하와 증착막의 품질을 떨어뜨릴 수 있다.
또한, 플라즈마 형성을 위하여 제1 플레이트 및 제2 플레이트에 인가되는 전류가 플레이트의 절연부에서 차단되지 않고 절연부가 쇼트되어 제1 플레이트 및 제2 플레이트에 전기 통로가 형성되면 플라즈마 품질이 문제될 수 있고 아크 발생(arcing) 원인이 될 수 있다.
본 발명은 보트 장치 내에서 플레이트 연결 부위에 위치한 절연 스페이서에 박막이 증착되는 현상을 억제할 수 있다. 절연 스페이서에 증착되는 원하지 않는 박막으로 인하여 인접한 두 플레이트가 전기적으로 쇼트(short)되는 현상을 억제할 수 있다. 박막으로 인해 절연부의 쇼트가 발생하지 않도록 할 수 있고, 절연 스페이서의 쇼트로 인하여 서로 다른 극성을 가지는 한쪽 플레이트로부터 다른쪽 플레이트로 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 절연 스페이서의 쇼트로 인하여 절연부에서 플라즈마 불량이 발생하거나 아크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명은 플라즈마 집중 현상 및 아킹(arcing) 발생을 억제할 수 있다. 기판에 증착되는 박막의 균일도 향상 및 품질 개선이 가능하고, 아킹이 억제되어 장비 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명은 기판이 안착되는 전극 플레이트를 지지하는 서포트에 절연 구조체를 마련하고, 이러한 서포트를 챔버내에서 컨택하여 지지하더라도 기판 증착 공정 수행과정에서 통전에 의한 증착막 불량을 방지할 수 있다.
본 발명은 서포트의 양측에 형성되는 제1 지지 부재에 절연 부재를 결합하고, 절연 부재의 하부에 제2 지지 부재를 결합한 구조이며, 절연 부재는 제1 삽입홈과 제1 결합편에 의해 제1 지지 부재의 끼움홈 및 결합 돌기에 록킹되어서 확실한 결합 상태를 유지할 수 있다.
또한, 본 발명의 절연 구조체는 챔버내의 하부면에 지지되는 제2 지지 부재와 절연 부재가 결합되는데, 절연 부재의 제2 삽입홈 및 제3 결합편이 제2 지지 부재의 끼움홈 및 결합 돌기에 록킹되어서 확실한 결합 상태를 유지할 수 있다.
더욱이, 본 발명은 제1 지지 부재, 절연 부재 및 제2 지지 부재에 걸쳐서 결합 부재가 삽입되어 결합된 구조로서, 절연 구조체의 조립 상태가 변형되려고 하더라도 삽입된 결합 부재에 의해 지탱해주므로 변형을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 결합 부재는 제2 지지 부재와 나사결합된 구조이므로, 제2 지지 부재가 절연 부재로부터 쉽게 이탈되지 않고 견고하게 결합된 상태를 유지하면서 챔버 내의 하부면에 안정되게 컨택되어 지지될 수 있다.
본 발명의 절연 부재를 구성하는 제2 결합편의 외주면에는 소정 깊이의 갭이 형성되어 있으므로, 보다 복잡한 구조를 이루게 되고, 그에 따라 챔버의 내부에서 기판의 증착 공정시 형성되는 증착막에 의해 쉽게 통전되지 않게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 절연 구조체는 분해 조립이 가능하도록 결합되어 있으므로, 필요시 결착 부재를 간편하게 분해하여 교체할 수 있다.
도 1은 본 발명의 보트 장치가 설치되는 솔라셀 제조 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 보트 장치를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 보트 장치에 마련되는 전극 플레이트의 배치 구조를 나타낸 일부 확대 사시도이다.
도 4는 도 2의 A부 측면도이다.
도 5는 도 2의 A부 확대 분리 사시도이다.
도 6은 도 5의 결합 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 첨부된 예시 도면에 의거 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 보트 장치가 설치되는 솔라셀 제조 장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반응 가스나 불활성 가스를 챔버(210) 내에 투입하는 노즐부(214)가 마련된다. 일정한 반응 온도나 압력을 유지하는 챔버(210) 내에 각 공정별로 다양한 종류의 반응 가스나 불활성 가스가 노즐부(214)를 통하여 투입될 수 있다. 반응 가스나 불활성 가스의 종류에 따라 챔버(210) 내부에서 기판(100)에 도핑층, 패시베이션층, 캡핑층, 반사 방지층 등이 증착될 수 있다.
복수의 기판(100)을 한꺼번에 가공하는 것이 생산성 향상에 유리하므로, 다수의 기판(100)이 보트 장치(220)에 의하여 한꺼번에 투입될 수 있다. 챔버(210)에는 기판(100)이 적재된 보트(220)가 챔버 입구(211)를 통하여 투입되고, 챔버(210)의 내부 또는 외부에는 챔버(210)에 열을 공급하는 히터(205)가 설치될 수 있다.
챔버(210) 내에서 플라즈마 공정 뿐만 아니라 열처리 공정도 수행될 수 있다. 예를 들면 PDA(Post-deposition annealing) 공정 수행을 위하여 일정한 온도로 유지되는 챔버(210)의 내부에 노즐부(214)는 산화제, 반응 가스 등을 분사할 수 있다. 챔버(210) 내부의 산화제 분위기에서 챔버(210) 내부의 온도를 200 ~ 500℃로 유지하며 열처리 공정을 수행할 수 있다.
도 2는 본 발명의 보트 장치(220)를 도시한 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 전극 플레이트(221)는 서로 인접한 여러 개의 플레이트로서, 설명의 편의상 예를 들어 제1 플레이트(221a), 제2 플레이트(221b), 제3 플레이트(221c)를 포함할 수 있다. 각 플레이트 사이의 빈 틈에 기판(100)이 착탈될 수 있다. 기판(100)은 플레이트와 플레이트 사이에 여러 개가 장착될 수 있으며, 하나의 플레이트의 길이 방향을 따라 여러 개가 장착될 수 있다.
전극 플레이트(221)는 복수의 기판(100)이 적재된 상태로 챔버(210)의 내부 또는 외부로 이동될 수 있다. 보트 장치(220)가 챔버 입구(211)를 통하여 외부로 인출된 상태에서 가공 완료된 기판(100)이 언로딩되거나 새로운 기판(100)이 챔버안으로 로딩될 수 있다.
보트 장치(220)는 복수의 기판(100)을 적재한 상태로 챔버(210) 내에 투입될 수 있다. 챔버(210) 내에 플라즈마가 형성되면 보트 장치(220)에 적재된 복수의 기판(100)이 한꺼번에 가공된다.
제1 플레이트(221a) 및 제2 플레이트(221b)가 적층되는 전극 플레이트(221)의 가로 방향을 제1 방향이라 정의하고, 제1 플레이트(221a) 또는 제2 플레이트(221b)가 연장되는 전극 플레이트(221)의 길이 방향을 제2 방향이라 정의한다. 기판(100)은 각각의 플레이트의 길이 방향인 제2 방향을 따라 복수 개가 적재되며, 플레이트의 갯수에 대응되는 제2 방향을 따라 복수 개가 적재된다. 복수의 기판(100)은 한번에 챔버(210)에 투입되어 한번에 가공될 수 있다.
각각의 플레이트는 각 플레이트를 부분적으로 천공한 플레이트 포켓을 구비하며, 플레이트 포켓을 통하여 노출된 기판(100)은 플라즈마 또는 반응 가스와 대면되고 가공이 이루어진다.
솔라셀 제조 장치를 구현하기 위해서 챔버(210)는 열처리를 수행하는 퍼니스(furnace)가 될 수 있다. 챔버(210)가 도 1과 같이 수평으로 길게 연장되는 포리젠털 퍼니스(horizontal furnace)의 경우 플라즈마 형성 전원을 기판(100)에 인가하기 위하여 전도성 물체인 그라파이트 재질의 핀을 이용하여 플라즈마 전원 공급 및 기판(100) 지지하는 홀더로 사용할 수 있다.
한편, 기판(100)에 인가하는 플라즈마의 전원이 비대칭적으로 공급되는 경우, 플라즈마 파워의 특정 지역으로의 쏠림이 발생될 수 있고, 이로 인해 박막의 두께가 국부적으로 증가하는 불량이 발생할 수 있으며, 양산시 균일한 박막 두께 제어가 어려운 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 플라즈마 밀도가 챔버(210) 내에서 균일하게 형성되게 하여 박막 균일도를 개선하고, 추가되는 부품없이 보트 장치(220) 내에서 플레이트의 간격을 균일하게 유지하는 구조를 채용하여 품질 향상과 원가 절감을 도모한다.
복수의 기판(100)을 한꺼번에 챔버(210)에 출입시키는 배치(batch) 방식으로 기판(100)을 이송하거나, 기판(100)에 대하여 플라즈마를 유도할 수 있는 전극의 역할을 하는 보트 장치(220)에 있어서, 기판(100)의 외곽에 접촉되는 핀 구조물은 플레이트보다 돌출될 수 있다.
일 실시 예로서, 플레이트 자체가 전극이 되거나 핀 보다 낮은 전극이 보트 장치(220)에 설치되는 경우, 기판(100)을 지지하는 핀 구조물은 플레이트나 전극보다 돌출될 수 있다. 따라서, 보트 장치(220)에서, 기판(100)의 지지 구조물에 해당하는 핀이 플레이트나 전극보다 돌출되면, 전극간 거리보다 핀 사이의 거리가 상대적으로 더 가까와질 수 있다.
이러한 구조는 플라즈마 발생시 거리가 가까운 부분으로 플라즈마가 집중되는 현상을 고려하면, 기판(100)에 박막 증착시 두께 균일도 저하와 증착막의 품질을 떨어뜨릴 수 있다. 또한, 플라즈마 형성을 위한 전류가 기판(100)의 지지 구조물에 해당하는 핀에 집중되기 때문에 아크 발생(arcing) 원인이 된다.
따라서, 본 발명은 보트 장치(220) 내에서 기판(100)의 지지 구조물인 핀을 지그재그로 배치하여 지지 구조물끼리의 거리를 전극간 거리보다 멀리함으로써, 플라즈마 집중 현상 및 아킹(arcing) 발생을 억제할 수 있다.
보트 장치(220)는 전극 역할을 하는 플레이트를 구비하고, 플레이트에 기판(100)을 고정하는 지지 구조물인 핀이 지그재그 구조로 배치될 수 있다. 핀은 기판(100)을 플레이트의 전극면에 고정하거나, 플레이트에 인가된 전원을 기판(100)에 전달하는 기능을 할 수 있다.
도 3은 챔버(210)안에 삽입되는 보트 장치(220)의 정면도로서, 보트 장치(220)는 서포트(230), 서포트(230)에 간격을 두고 복수로 마련되는 전극 플레이트(221), 전극 플레이트(221)를 관통하여 지지하는 절연성을 가지는 체결 부재(300)를 포함할 수 있다.
전극 플레이트(221)는 예를 들어 제1 플레이트(221a), 제2 플레이트(221b), 제3 플레이트(221c)로 이루어질 수 있다.
제1 플레이트(221a), 제2 플레이트(221b), 제3 플레이트(221c)는 체결 부재(300)에 의해 결합되어 지지될 수 있고, 이때 제1 플레이트(221a), 제2 플레이트(221b), 제3 플레이트(221c) 각각의 사이에는 절연 스페이서가 끼워질 수 있다.
도 2를 참조하면, 서포트(230)의 상부에는 또 다른 서포트(240)가 구비될 수 있다. 각 서포트(230)(240)는 서로 다른 극성을 가지는 플레이트를 지지할 수 있다. 따라서, 각 서포트(230)(240)는 서로 다른 극성을 가질 수 있다.
서로 다른 극성을 가지는 복수의 플레이트는 체결 부재(300)에 결합되는 플레이트와, 체결 부재(300)와 갭을 두고 마련되는 플레이트로 이루어질 수 있다.
체결 부재(300)에 결합되는 플레이트는 서로 동일 극성을 가질 수 있고, 마찬가지로 체결 부재(300)와 갭을 두고 마련되는 플레이트도 서로 동일 극성을 가질 수 있다.
보트 장치(220)의 서포트(230)는 챔버(210)의 내부 하부면에 접촉되어 지지될 수 있다.
따라서, 기판(100)의 증착 공정시, 챔버(210)내에서 서포트(230)와 챔버(210)의 내부 하부면과의 접촉 부분은 절연을 유지하지 못하고 통전될 수 있다.
이에 본 발명은 보트 장치(220)의 서포트(230) 측면에 챔버(210)의 내부 하부면에 접촉하면서 지지하는 절연 구조체(400)를 마련하여 기판(100)의 박막 증착 공정시, 증착막에 의해 전극 플레이트간의 통전이 이루어지게 함으로써 플라즈마 방전이 양호하게 발생하도록 할 수 있다.
도 4는 도 2의 A부 측면도, 도 5는 도 2의 A부 확대 분리 사시도, 도 6은 도 5의 결합 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 보트 장치(220)의 서포트(230)의 양 측면에는 절연 구조체(400)가 조립될 수 있다.
절연 구조체(400)는 보트 장치(220)의 양 측면에 형성되는 서포트(230)의 양측에 형성되는 제1 지지부재(231), 제1 지지 부재(231)에 결합되는 절연 부재(410)와, 절연 부재(410)의 하부에 결합되는 제2 지지 부재(232)로 이루어질 수 있다.
또한, 제1 지지 부재(231), 절연 부재(410) 및 제2 지지 부재(232)는 볼트 또는 나사와 같은 결합 부재(420)에 의해 분리 가능하게 결합될 수 있다.
결합 부재(420)는 단부측에 나사부가 형성되어서 제1 결합편(411)과 제2 결합편(412)은 관통하고, 제3 결합편(413)과는 나사결합되어 고정될 수 있다. 그러나 이러한 결합 구조에 한정되지 않고 전체적으로 나사결합될 수 있다.
제1 지지 부재(231)와 제2 지지 부재(232)는 그래파이트(graphite)재로 이루어질 수 있고, 절연 부재(410)는 예를 들어 절연성을 가지는 세라믹재로 이루어질 수 있다.
절연 부재(410)는 제1 결합편(411), 제1 결합편(411)의 하부에 제1 삽입홈(d1)을 두고 형성되는 제2 결합편(412), 제2 결합편(412)의 하부에 제2 삽입홈(d2)을 두고 형성되는 제3 결합편(413)으로 이루어질 수 있다.
제2 결합편(412)은 둘레면을 따라 소정 깊이의 갭(g1)이 형성될 수 있다.
기판의 증착막 공정에 의해 절연 부재(410)의 표면을 통해 통전이 이루어질 수 있고, 따라서 갭(g1)을 형성함으로써 갭(g1)에 의한 표면 길이가 늘어나서 증착 공정시 통전되는 시간을 연장시킬 수 있기 때문에 쉽게 통전되지 않도록 하는 효과를 발휘할 수 있다.
제1 지지 부재(231)에는 제1 결합편(411)이 끼워지는 끼움홈(231a)이 형성되고, 제2 지지 부재(232)에는 제3 결합편(413)이 끼워지는 끼움홈(231a)이 형성될 수 있다.
또한, 제1 지지 부재(231)와 제2 지지 부재(232)에는 각각 결합 돌기(231b)(232b)가 돌출되어 형성될 수 있고, 각각 삽입홈인 제1 삽입홈(d1)과 제2 삽입홈(d2)에 끼워져서 걸림이 이루어질 수 있다.
본 발명의 절연 구조체(400)는 분해 조립되는 구조로서, 조립후에는 쉽게 분리되지 않아야 한다.
따라서, 본 발명의 절연 부재(410)는 제2 결합편(412)의 상부 양측에 삽입홈(d1)이 형성되어 있고, 이러한 삽입홈(d1))에 의해 제1 결합편(411)이 마련되어 있는 구조로서, 제1 결합편(411)은 제1 지지 부재(231)의 양측면에 형성된 끼움홈(231a)에 끼워져서 걸림이 이루어질 수 있으므로, 자중에 의해 쉽게 하부로 분리되지 않고 결합된 상태를 유지할 수 있다.
이때, 절연 부재(410)의 제1 삽입홈(d1)은 제1 지지 부재(231)의 결합 돌기(231b)에 결합되어 걸림이 이루어지므로, 절연 부재(410)는 보다 확실한 결합 상태를 유지할 수 있다.
절연 부재(410)의 하부에 결합되는 제2 지지 부재(232)는 챔버(210)의 내부 하부면에 안착되어 안정되게 지지되는 다리 역할을 하기 때문에, 하단면에 경사면으로 형성되어서 챔버(210)의 내부 곡면으로 형성된 하부면에 확실하게 지지될 수 있다.
제2 지지 부재(232)는 절연 부재(410)와 확실한 결합 상태를 유지할 수 있는 결합 구조를 이룰 수 있다.
즉, 절연 부재(410)의 제2 삽입홈(d2)에 의해 형성되는 제3 결합편(413)은 제2 지지 부재(232)의 끼움홈(232a)에 끼워져서 걸림이 이루어지고, 이와 동시에, 제2 삽입홈(d2)은 제2 지지 부재(232)의 결합 돌기(232b)에 끼워지므로, 절연 부재(410)와 제2 지지 부재(232)는 확실한 결합 상태를 유지할 수 있다.
더욱이, 본 발명은 절연 부재(410)의 하부에 위치하는 제2 지지 부재(232)의 결합 상태가 보다 확실하게 유지되도록 함과 동시에, 절연 부재(410)의 결합에 의한 조립 상태가 변형되지 않고 강고한 강성을 유지하도록 결합 부재(420)를 체결한 구조를 가질 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 결합 부재(420)는 제1 지지 부재(231), 절연 부재(410)를 관통하여 제2 지지 부재(232)에 나사 결합되어 록킹된 상태이므로, 제2 지지 부재(232)가 절연 부재(410)로부터 쉽게 분리되지 않고 결합된 상태를 유지할 수 있다.
더욱이, 소정의 길이를 가지는 결합 부재(420)는 절연 구조체(400)의 수직 방향 길이에 걸쳐서 삽입되어 지지된 상태이므로, 절연 구조체(400)의 조립 상태가 변형되려고 하는 경우, 이러한 조립 상태의 변형을 방지해줄 수 있다.
다시 말해서, 절연 구조체(400)의 내부로 결합 부재(420)가 삽입되어 결합된 상태이므로, 절연 구조체(400)의 조립 상태가 변형되려는 힘이 작용하더라도 결합 부재(420)에 의해 지탱주므로, 변형되지 않고 조립된 상태를 유지해줄 수 있다.
또한, 본 발명의 절연 부재(410)를 이루는 제2 결합편(412)의 외주면에는 소정 깊이의 갭(g1)이 형성되어 있으므로 보다 복잡한 구조를 이루게 되고, 그에 따라 챔버(210)의 내부에서 기판의 증착 공정시 형성되는 증착막에 의해 쉽게 통전되지 않게 할 수 있다.
본 발명의 절연 구조체(400)는 보트 장치(220)의 서포트(230)의 양 측면에 하부 방향으로 돌출되게 형성됨으로써, 챔버(210) 내부 하부면에 접촉되어 지지되더라도, 기판(100)의 증착 공정시 통전이 되지 않기 때문에 정상적인 플라즈마 방전이 이루어질 수 있다.
100... 기판(wafer) 205... 히터(heater)
210... 챔버(chamber) 211... 챔버 입구
214... 노즐부 220... 보트 장치(boat device)
221... 전극 플레이트 221a...제1 플레이트(plate)
221b... 제2 플레이트 221c...제3 플레이트
221d... 제3 플레이트 221e... 제4 플레이트
230... 서포트 231... 제1 지지 부재
231a,232a... 끼움홈 231b,232b... 결합 돌기
232... 제2 지지 부재 232c... 경사면
240... 서포트
300... 체결 부재 400... 절연 구조체
410... 절연 부재 411... 제1 결합편
412... 제2 결합편 413... 제3 결합편
420... 결합 부재 d1... 제1 삽입홈
d2... 제2 삽입홈 g1... 갭

Claims (8)

  1. 기판을 적층하도록 플레이트를 지지하는 서포트;
    상기 서포트의 양 측면에 마련되는 절연 구조체; 를 포함하고,
    상기 절연 구조체는,
    상기 서포트의 양 측면에 형성되는 제1 지지부재;
    상기 제1 지지 부재에 결합되는 절연 부재;
    상기 절연 부재의 하부에 결합되고 챔버내에 대면되면서 지지되는 제2 지지 부재; 를 포함하며,
    챔버의 내부에서 상기 기판의 증착 공정 수행시, 통전이 되지 않도록 하는 보트 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재, 절연 부재 및 제2 지지 부재는 결착 부재에 의해 착탈 가능하게 결합되는 보트 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재와 제2 지지 부재는 그래파이트재로 이루어지고,
    상기 절연 부재는 절연성을 가지는 세라믹재로 이루어지는 보트 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 절연 부재는,
    제1 결합편,
    상기 제1 결합편의 하부에 제1 삽입홈을 두고 형성되는 제2 결합편,
    상기 제2 결합편의 하부에 제2 삽입홈을 두고 형성되는 제3 결합편으로 이루어지는 보트 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 결합편의 외주면에는 기판의 증착 공정시 증착막에 의해 통전이 되지 않도록 하는 갭이 형성되는 보트 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재에는 상기 절연 부재의 제1 결합편이 끼워지는 끼움홈이 형성되고,
    상기 제2 지지 부재에는 상기 절연 부재의 제3 결합편이 끼워지는 끼움홈이 형성되는 보트 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재와 제2 지지 부재에는 각각 결합 돌기가 돌출되게 형성되고, 상기 결합 돌기는 각각 상기 절연 부재의 제1 삽입홈과 제2 삽입홈에 끼워지서 걸림되는 보트 장치.
KR1020200139562A 2020-09-17 2020-10-26 절연 구조체가 구비된 보트 장치 KR102251678B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200139562A KR102251678B1 (ko) 2020-10-26 2020-10-26 절연 구조체가 구비된 보트 장치
CN202110894775.8A CN114203602A (zh) 2020-09-17 2021-08-04 晶舟装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200139562A KR102251678B1 (ko) 2020-10-26 2020-10-26 절연 구조체가 구비된 보트 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102251678B1 true KR102251678B1 (ko) 2021-05-13

Family

ID=75913292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200139562A KR102251678B1 (ko) 2020-09-17 2020-10-26 절연 구조체가 구비된 보트 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102251678B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03150840A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ成膜装置
KR20180084926A (ko) * 2015-11-18 2018-07-25 센트로테에름 인터내셔널 아게 웨이퍼들을 위한 웨이퍼 보트 및 플라즈마 처리 디바이스

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03150840A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ成膜装置
KR20180084926A (ko) * 2015-11-18 2018-07-25 센트로테에름 인터내셔널 아게 웨이퍼들을 위한 웨이퍼 보트 및 플라즈마 처리 디바이스

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210319982A1 (en) Gas supply unit and substrate processing apparatus including the same
US11393729B2 (en) Systems and methods for controlling plasma instability in semiconductor fabrication
US10358721B2 (en) Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
JP6386519B2 (ja) Ｃｖｄ装置、及び、ｃｖｄ膜の製造方法
US8758550B2 (en) Shower head and plasma processing apparatus having same
KR20180054366A (ko) 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20010043913A (ko) 플라스마 방전 기체가 처리 챔버로 주입되는 고전력 ｒｆ전극을 절연시키는 방법 및 장치
KR102275905B1 (ko) 전극 플레이트가 분리된 보트 장치
CN111041458A (zh) 一种连续式pecvd设备
US7722738B2 (en) Semiconductor device manufacturing unit and semiconductor device manufacturing method
KR101181222B1 (ko) 기판이송용 보트
KR102251672B1 (ko) 강성이 보강된 보트 장치
KR102251678B1 (ko) 절연 구조체가 구비된 보트 장치
KR102507991B1 (ko) 절연부를 구비하는 보트 장치
CN110387539B (zh) 晶片保持装置
KR102006435B1 (ko) 보트 장치
US8398775B2 (en) Electrode and arrangement with movable shield
US20130200170A1 (en) Gas Dispersion Plate for Plasma Reactor Having Extended Lifetime
JP2006331664A (ja) プラズマ処理装置
KR101152598B1 (ko) 기판처리장치
KR101703768B1 (ko) 기판처리장치
KR101775361B1 (ko) 플라즈마 처리장치
CN114203602A (zh) 晶舟装置
KR101138609B1 (ko) 효율적인 라디칼 생성을 위한 플라즈마 발생장치
CN111742401A (zh) 用于原子层沉积（ald）温度均匀性的热解氮化硼（pbn）加热器

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant