CN108475653A - 用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于晶片舟的板组件，晶片舟用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理。板组件导电且在每一面上皆具至少一用于将晶片容置在晶片容置区域中的容置单元。板组件具有至少一处于板组件的至少一面中的凹部和/或至少一处于板组件中的开口，其中至少一凹部和/或至少一开口在板组件中至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其紧邻。本文也描述了一种晶片舟，其具有数个彼此平行配置的上述的板组件，其中相邻配置的板组件彼此电绝缘。本发明也涉及以与等离子体处理设备相结合的晶片舟，等离子体处理设备具有用于容置晶片舟的制程腔，用于以开环或闭环方式控制制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电板组件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。

Description

用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备
本发明涉及用于晶片的一种晶片舟及一种处理设备，所述晶片舟及所述处理设备适于在容置于其中的晶片之间产生等离子体。
在半导体技术及太阳能电池技术中已为吾人所知的是，对由不同材料构成的片状基板实施不同制程，下面将此等基板以与其几何形状及其材料无关的方式称为晶片。
在此，通常除对晶片实施单个处理制程外，也对其实施批量制程，即同时处理数个晶片的制程。在单个制程及批量制程中皆须将晶片移至期望的处理位置。在批量制程中，此点通常通过将晶片插入所谓的具有用于数个晶片的插口的舟件而实现。在此等舟件中，晶片通常彼此平行配置。此类舟件可采用不同构造，其通常仅容置相应晶片的下沿，使得晶片朝上曝露。此类舟件通常是被动的，也即，除保持功能外，此等舟件在处理晶片期间不具有其他功能。
就例如用来在半导体或太阳能电池技术中对晶片进行等离子体处理的一种类型的晶片舟而言，此晶片舟由数个导电板件构成，此等板件通常由石墨构成。此等板件大体彼此平行配置，且在相邻的板件之间形成用于容置晶片的容置缝。此等板件的朝向彼此的各面分别具有用于晶片的相应容置元件，以便将晶片容置在每一面上。通常在每个朝向另一板件的板件面上设有销件作为容置元件，此等销件容置晶片。因此，在每个容置缝中，可将至少两个晶片以某种方式完全容置在板件之间，使得此等晶片彼此相对。晶片舟的相邻板件彼此电绝缘，在制程中，在紧邻的板件之间施加通常处于千赫兹范围或兆赫范围内的交流电压。如此便能在板件之间以及特别是在保持在各板件上的晶片之间形成等离子体，以便设置等离子体处理，如等离子体的沉淀或层的等离子体氮化。为相对配置板件而采用间隔元件，其具有用于调整板件之间的预设距离的预设长度。DE 10 2011 109 444 A1例如描述此种由板件及间隔元件构成的晶片舟。
如前所述，等离子体除产生于相邻的晶片之间外，也产生于相邻的板件之间。由于板件的传导性通常高于晶片，板件间的等离子体密度可大于晶片间的等离子体密度，此点对于晶片处理的制程及均匀性而言较为不利。特别是与在晶片的其他区域中相比，在晶片的边缘区域中可能出现更大的效应。此外，可能产生晶片的底面处理(特别是底面涂布)的问题，此种底面处理也称作涂布的缠绕且因紧邻晶片边缘的等离子体而引发。
为克服此问题，过去的方案是用绝缘层，如SiN，对板件进行预覆盖，以便抑制板件间的等离子体形成。但此种预覆盖又可能导致其他问题，且特别是在蚀刻槽中对板件进行湿式清洁后，还必须定期对预覆盖进行再生，从而增大成本。
有鉴于此，本发明的目的在于设置用于晶片的一种晶片舟及一种等离子体处理设备，所述晶片舟及所述等离子体处理设备克服或缓解上述缠绕问题。
本发明用以达成上述目的的解决方案为根据权利要求1所述的一种板元件、根据权利要求6所述的一种晶片舟以及根据权利要求8所述的一种等离子体处理设备。本发明的其他设计方案参阅附属项。
特定言之，本发明提出一种用于晶片舟的板元件，晶片舟用于对片状晶片进行等离子体处理，其中板元件导电且在每一面上具有用于将晶片容置在晶片容置区域中的至少一容置单元。根据本发明，板元件具有处于板元件的至少一面中的至少一凹部和/或处于板元件中的至少一开口，其中凹部和/或开口在板元件中至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其紧邻。本文将通常被晶片遮盖的区域视为晶片容置区域。在容置状态下，凹部(或开口)与晶片可能较小程度地重叠，但并非必然之举。这种板元件的优点在于，在使用中在所容置的晶片的边缘区域中产生有所削弱的等离子体，进而阻止或至少减轻边缘效应及特别是等离子体的缠绕。
板元件在双面上皆具相应凹部。
在一种实施方式中，板元件具有的凹部大体上完全包围晶片容置区域。这个概念基本上应将至少80％，较佳大于90％或95％包含在内。从而确保大体上全面地产生有所削弱的等离子体的效应。)
在一种替代实施方式中，板元件具有数个开口，开口至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其相邻。在具有足够稳定性的情况下，通过数个开口便能包围晶片容置区域的较大的周向区域。板元件中的开口较佳应径向包围晶片容置区域的至少50％，较佳至少80％。
用于对片状晶片进行等离子体处理的晶片舟，具有数个彼此平行配置的前述的板元件，其中相邻配置的板元件彼此电绝缘。这种晶片舟又能在使用中在所容置的晶片的边缘区域中产生有所削弱的等离子体，进而阻止或至少减轻边缘效应及特别是等离子体的缠绕。
在采用具有开口的板元件时，开口可在相邻板元件中彼此错开配置，以便在晶片容置区域的边缘区域中大体上全面地实现削弱效应。
用于片状晶片的等离子体处理设备具有用于容置前述的晶片舟的制程腔、用于控制或调节制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电容置元件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。
用于晶片的等离子体处理设备具有用于容置前述的晶片舟的制程腔。也设有用于控制或调节制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电容置元件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。
下面参照附图对本发明进行详细说明；其中：
图1为用于晶片舟的板元件的侧视示意图。
图2为图1所示晶片舟的俯视示意图。
图3为图1所示晶片舟的前视示意图。
图4a及图4b为图1所示晶片舟的板元件的分区的透视放大图。
图5为图1所示晶片舟容置于其中的等离子体处理设备的示意图。
图6为替代的板元件的侧视示意图。
图7为板元件的另一替代方案的侧视示意图。
图8为图6所示板元件的分区的局部剖面透视放大图。
描述中所用的概念，如上、下、左及右，皆以附图所示为准且不对本申请构成任何限制。但上述概念可对较佳实施例进行描述。主要关于平行、垂直或角度数据的表述应将±3°(较佳±2°)的偏差包含在内，否则，基本上应将所给出的值的至少80％，较佳至少90％或95％包含在内。下文中将晶片的概念应用于片状基板，所述基板较佳为针对半导体或光伏用途的半导体晶片，其中也可设置其他材料的基板并对其进行处理。
下面结合图1至图4对应用于等离子体处理设备的晶片舟1的基本结构进行详细说明，其中图1为晶片舟1的板元件的侧视示意图，图2及图3为俯视图及前视图，图4a及图4b为所述晶片舟的两个相邻板元件间的分区的透视放大图。相同或类似元件在附图中用同一元件符号表示。
晶片舟1由数个板件6构成，所述板件6被接触与夹紧单元聚集在一起且皆适于容置数个晶片7。所示晶片舟1特别适于等离子体的层沉积，如Si3N4、SiNx、a-Si、Al2O3、AlOx、掺杂及非掺杂多晶硅或者非晶硅等等，特定言之，适于对晶片进行等离子体氮化。
板件6皆由导电材料构成，且特别是构建为石墨板，其中具体视制程而定地，可设有板件基本材料的涂布或表面处理。板件6分别具有六个凹槽8，所述凹槽8在制程中被晶片遮盖，下文将对此进行详细说明。尽管在所示方案中，每个板件6设有六个凹槽，但需要注意的是，也可设有数目更多或更少的凹槽，或者可完全不设置凹槽。板件6分别具有平行的上沿及下沿，(其中如DE 10 2010 025 483所述，在上沿中例如可构建有数个缺口，以便对板件进行位置识别)。
在图2所示实施方式中，总共设有二十三个板件6，其通过相应的接触单元及夹紧单元大体上彼此平行配置，以便在其间形成容置缝11。因此，在采用二十三个板件6时，形成二十二个容置缝11。但在实践中也常常使用25、19或21个板件，且本发明并不局限于某个数目的板件6。也可使用偶数个板件(如20、22、24、26、…)。
板件6至少分别在其朝向相邻板件6的一面上具有各三个容置元件9的若干群组，所述容置元件9以某种方式配置，以便其将晶片7容置于其间。在此，图1示出两个晶片7，其中所述晶片7容置在两个位于左边的容置元件9群组中。其他群组中未容置晶片。如图1示意性所示，容置元件9的群组分别围绕每个凹槽8配置。容置元件9的群组各定义一晶片容置区域，其中晶片容置区域指的是板件(包括凹槽8在内)的通常被容置于容置元件的各群组中的晶片7遮盖的区域。可以某种方式容置晶片7，使得容置元件9分别接触晶片7的不同侧沿。在此情况下，沿板元件6的纵向(对应于凹槽8)总共设有六个容置元件9的群组，各用于容置一个晶片。
在板元件6的每一面上设有数个凹部10，其分别径向包围一相应的晶片容置区域。凹部10可完全包围晶片容置区域，如图所示，凹部10也可仅部分包围晶片容置区域。特别是在容置元件9的区域中，可出于稳定性考虑而不设置凹部10。但凹部10较佳应分别大体上完全包围晶片容置区域，其中基本上应将至少90％，较佳95％以上的径向包围包含在内，其中在此情况下，视情况可为每个晶片容置区域设置数个凹部10。凹部10较佳径向朝外地紧邻各晶片容置区域，但在使用中，在容许偏差内也可在晶片容置区域与凹部10间产生较小距离，或者在晶片容置区域与凹部10间产生较小程度的重叠。
如特别是图4a及图4b所示，晶片舟1中的相邻板件6之间具有距离a，其在凹部10的区域内被增大至更大的距离b。在此情况下，相邻板件6的凹部10以某种方式配置，使得所述凹部正好彼此对准。藉此，距离b较距离a增大凹部10的深度的两倍。
尽管在上述说明中，凹部10构建在所述板件的双面上，也可仅在一面上设有相应凹部10，其中在晶片舟中，具有凹部10的板件面会朝向无凹部的相邻板件面。如此，所述距离局部地增大所述凹部的深度的一倍。
板件6在其末端上各具一用于板件6的电接触的突出的接触凸缘13，下文将对此进行详细说明。在此情况下，设有板件6的两种实施方式，其在接触凸缘13的位置方面有所不同。在一种实施方式中，接触凸缘13以直接连接所述下沿的方式实施，而在另一实施方式中，所述接触凸缘与所述下沿间隔一定距离，其中距下沿的距离大于该另一实施方式的板件的接触凸缘13的高度。在晶片舟1中交替配置板件6的两种实施方式。因此，如(最佳)图2所示，接触凸缘13与紧邻的板件6在晶片舟1的配置方案中处于不同平面。但在每个第二板件6中，接触凸缘13处于同一平面内。藉此，由接触凸缘13形成两个相邻的接触平面。所述配置方案能够对紧邻的板件6施加不同电位，而对每个第二板件施加相同电位。
通过由导电良好的材料(特别是石墨或钛)构成的接触块15来将处于相应接触平面内的接触凸缘13电连接并以彼此间隔预设距离的方式配置。在接触凸缘13的区域中以及在每个接触块15中皆设有至少一通孔。在彼此对准的状态下，所述至少一通孔可供具有杆件(不可见)及头部件的夹紧元件16，如螺钉，穿过。在此情况下，通过作用于所述杆件的自由末端的配对元件，如螺母17，便能将板件6彼此固定住。其中将所述板件相对地固定在不同群组中并且以某种方式固定，使得不同群组的板件交替配置。夹紧元件16可由导电材料构成，但此点是非必要的。接触块15(在定义板件6的接触凸缘13间的距离的方向上)较佳具有相同长度，即相当于两个容置缝11的宽度加上一个板件6的宽度。
在所述板件中，也在邻近上沿及下沿的处设有其他通孔，以供具有杆件(不可见)及头部件的夹紧元件19，如夹紧单元的螺钉，穿过。所述螺钉又可与相应的对配元件20，如螺母，共同作用。在所示实施方式中，分别设有七个邻近上沿的通孔及七个邻近下沿的通孔。其中，围绕每个凹槽8皆以彼此基本对称的方式配置有四个通孔。作为夹紧单元的其他部件，设有数个间隔元件22，所述间隔元件例如构建为具体大体相同的长度的间隔套。间隔元件22分别配置在紧邻的板件6间的各通孔的区域中。
夹紧元件19的杆件以某种方式设定，使得所述杆件可穿过板件6的相应开口以及处于所述板件间的各间隔元件22而延伸。在此情况下，通过该至少一对配元件20便能将所有板件6大体彼此平行固定住。在此，也可采用其他具有间隔元件22的夹紧单元，所述夹紧单元通过处于所述板件间的间隔元件22而大体平行地配置板件6并将其夹住。在所示实施方式中，在采用22个容置缝以及每个缝隙总共14个间隔元件22(七个邻近上沿，七个邻近下沿)时，设有308个间隔元件。所述夹紧元件较佳由电绝缘材料(特别是氧化陶瓷)构成，此点也适用于间隔元件22。
图6至图8示出板件6的替代实施方式，所述板件6可用于形成晶片舟1。其中，图6为侧视示意图，图8为替代板件的局部剖面透视放大图，图7为板件的另一替代方案的侧视示意图。如同所述第一实施方式那般，在图6及图7所示侧视图中，分别示出两个容置在板件6上的晶片7。图8同样示出容置在板件6上的晶片7，其中晶片7容置在板件6的双面上。
板件6在材料以及具有凹槽8、容置元件9及凸缘13的基本结构方面与前述板件6(如图1至图4所示)相似。但板件6的不同之处在于，其不具有凹部10。确切而言，在板件6的替代实施方式中，作为凹部10的替代方案设有数个开口25。在此情况下，数个开口25分别包围板件6的一相应晶片容置区域。开口25较佳径向朝外紧邻各晶片容置区域，但在使用中，在容许偏差内也可产生晶片容置区域与开口25间的较小距离，或者产生晶片容置区域与开口25间的较少重叠.
在每个板件6中设有数个开口25，所述开口25径向包围相应的晶片容置区域。如同采用凹部10那般，开口25无法完全包围所述晶片容置区域，否则所述晶片无法抵靠至所述板件6。但开口25较佳应径向包围所述晶片容置区域的至少90％。通过开口25产生以下效应：在晶片舟内的相邻板件6中，在紧邻晶片容置区域的区域中大体上不存在相对的板件材料(较佳在小于所述晶片容置区域的周长的10％内)。
具体而言，在图6及图8所示实施方式中，沿晶片容置区域的相应侧沿设有四个大小相同的开口25。所述开口25皆等距，从而在其间产生连接板。在所述实施方式中，连接板也以邻近所述晶片容置区域的边沿区域的方式产生。所述连接板与容置元件9的固定点对齐，其中所述容置元件也可径向地在被开口25围绕的区域外部固定在所述板件上。当然，各开口25的数目可发生变化，特别是在邻近所述晶片容置区域的上沿之处也可设有唯一的开口。
在图7所示实施方式中，示出开口25的另一构造。特定言之，在邻近所述晶片容置区域的上沿之处设有唯一的长条形的开口25，其大体上在所述上沿的总长度内延伸。在邻近所述晶片容置区域的其他侧沿之处设有两个长条形的开口25，所述开口具有不同长度。开口25之间所形成的连接板与容置元件9的固定点对齐。在邻近所述晶片容置区域的角部之处设有其他三角形的开口25。
如本领域技术人员所知，可改变所述开口的配置方案及数目，也可将不同类型的开口相结合以及在不同板件6(所述板件在晶片舟中彼此紧邻)上设置不同的开口类型。但开口25较佳应径向包围所述晶片容置区域的至少90％。
在一种未示出的特殊实施方式中，开口25可较小程度地包围所述晶片容置区域，其中也可径向包围至少50％，特别是80％。在所述特殊实施方式中，在晶片舟1中紧邻彼此的不同板件6(具有处于上方/下方的接触凸缘13)以某种方式构建，使得一板件6的开口25与另一板件的开口25错开。如此便也能在开口25相对所述晶片容置区域的径向包围的百分率较低时达到以下内容：在晶片舟内的相邻板件6中，在紧邻晶片容置区域的区域中大体上不存在相对的板件材料(较佳在小于所述晶片容置区域的周长的10％内)。
下面结合示出处理设备30的侧视示意图的图5，对可供上述类型的晶片舟1插入的等离子体处理设备30的基本构造进行详细说明。
等离子体处理设备30由制程室部件32及控制件34构成。制程室部件32由单侧打开的管元件36构成，所述管元件36在内部形成制程室38。如现有技术所揭示，管元件36的曝露的末端用于对制程室38进行装料，可通过未示出的闭合机构封闭并气密密封所述末端。所述管元件36由合适的材料构成，所述材料不将杂质带入制程、电绝缘且在温度及压力(真空)方面承受制程条件，例如为石英。管元件36在其闭合末端上具有用于输入及排出气体及流体的气密套管，所述套管可采用现有构建方案。但相应输入管及排出管也可设置在另一末端上或者侧向地设置在所述末端间的合适位置上。
管元件36被护套40包围，所述护套将管元件38与环境热绝缘。在护套40与管元件36之间设有未详细示出的加热装置，如电阻加热器，其适于加热管元件36。但这种加热装置例如也可设置在管元件36内部或者管元件36自身可实施为加热装置。但目前较佳采用外置加热装置，特别是这种具有可单独控制的不同加热回路的加热装置
在管元件36内部设有未详细示出的容置元件，所述容置元件形成用于容置例如可为上述类型的晶片舟1(仅在图5中部分示出)的容置平面。但也可以某种方式将所述晶片舟插入管元件36，使得所述晶片舟竖立在管元件36的壁部上。在此情况下，将所述晶片舟大体上保持在所述容置平面上方，所述晶片舟大约居中配置在管元件中。因此，通过相应容置元件及或通过直接放置至所述管元件，以与所述晶片舟的尺寸相结合的方式定义了供晶片舟正常插入的容置空间。在装料状态下，可通过合适的未示出的操作机构将所述晶片舟整体插入制程室38并自所述制程室38取出。根据现有方案，在对所述晶片舟进行装料时，自动地与板件6的群组中的每个的至少一接触块15建立电接触。
还设有通向管元件36内部的下气体导送装置44及上气体导送装置46，其分别能够导入和/或抽吸气体。气体导送装置44、46设置在所述管元件的径向相对的末端上，以便气体流过所容置的晶片舟的容置缝。
下面对处理设备30的控制件34进行详细说明。控制件34具有气体控制单元60、负压控制单元62、电控制单元64及未详细示出的温度控制单元，所有这些元件皆可通过上级控制装置，如处理器，而共同受到控制。所述温度控制单元与所述未示出的加热单元存在连接，以便主要对管元件36或制程室38的温度进行控制或调节。
气体控制单元60与数个不同气体源66、67、68，如包含不同气体的气瓶，存在连接。在所示方式中，示出三个气体源，其中当然也可设有任一其他数目。所述气体源例如可在气体控制单元60的相应入口上提供二氯硅烷、三氯硅烷、SiH4、磷化氢、硼烷、二硼烷、锗烷(GeH4)、Ar、H2、三甲基铝(Trimethylaluminium，TMA)、NH3、N2及各种其他气体。气体控制单元60具有两个出口，其中所述出口中的一者与下气体导送装置44连接，所述另一出口与负压控制单元62的泵70连接。如现有技术所揭示，气体控制单元60可将所述气体源以合适的方式与所述出口连接在一起并对气体的通流进行调节。气体控制单元60如此便能特别是通过下气体导送装置44将不同气体导入所述制程室。
负压控制单元62大体上由泵70与压力调节阀72构成。泵70通过压力调节阀72与上气体导送装置46连接且由此可将所述制程室泵抽至预设压力。气体控制单元60与泵的连接用于视情况用N2稀释自所述制程室泵出的制程气体。
电控制单元64具有至少一电压源，所述电压源适于在电控制单元的出口上施加至少一高频电压。电控制单元64的出口通过管道与用于制程室中的晶片舟的接触单元存在连接。所述管道通过相应真空及温度适宜的套管穿过护套40并插入管元件36。
下面参照附图对等离子体处理设备30的操作进行详细说明，其中示例性地，将在通过40KHz激发的等离子体中的由等离子体支持的氮化硅或氧化铝沉积描述为处理。但也可将处理设备30用于其他由等离子体支持的沉积制程，其中也可通过其他频率，如20KHz至450KHz范围内的频率或更高的频率，来激发所述等离子体。
首先自以下情形出发：上述类型的装料后的晶片舟1(如图1所示)装入制程室38，且所述制程室38通过未示出的闭合机构而被封闭。在此情况下，晶片舟1以某种方式装料，使得在每个容置缝11中共设有十二个晶片，在本示例中特别是硅晶片，其中在板件6中的每个上各设有六个晶片。其中，如现有技术所揭示，所述晶片以某种方式容置，使得所述晶片成对地相对配置。
在此状态下，所述内部空间处于环境压力下，例如可通过气体控制单元60(在与负压控制单元62相结合的情况下)用N2对所述内部空间进行冲洗或灌洗。
通过未示出的加热装置来将管元件36及制程室38升温，以便将晶片舟1及容置于其中的晶片升温至预设的有利于所述制程的制程温度。
在晶片舟1及所述整个单元(晶片舟1、晶片及管元件36)达到预设温度时，可通过负压控制单元62将所述制程室泵抽至预设负压。在达到所述预设负压时，通过气体控制单元60根据所要求的层特性以明确的混合比例导入用于氮化硅沉积的期望的制程气体，如SiH4/NH3，而进一步通过负压控制单元62通过抽吸所导入的制程气体而维持所述负压。如现有技术所揭示，在此时间点上，可用N2稀释通过泵70所抽吸的制程气体。为此，通过气体控制单元60及所述泵的相应管道输送N2。
通过电控制单元64将频率为40KHz的HF电压施加至晶片舟1。这个HF电压在板件6间及特别是容置在晶片舟1中的晶片间引发制程气体的等离子体点火，且在所述晶片上产生由等离子体支持的氮化硅沉积。在此情况下，在板元件6中的凹部10的区域中通过距离增大而局部地削弱所述板件之间所形成的等离子体。因此，削弱紧邻所述晶片的边缘区域之处(径向处于所述晶片外部)的等离子体，也即，密度局部地小于板件6间的其他区域。如此便能防止或至少减轻边缘效应及特别是底面沉积(缠绕)。
在采用具有开口25的板件6时，也产生所述等离子体削弱的相应效应，因为在所述板件间的开口25的区域中产生显著削弱的等离子体。在此情况下，与采用所述凹部相比，所述效应可有所增强。
在沉积制程中维持所述气流，以免就活性成分而言发生制程气体的局部耗尽。在针对期望的层厚度的充分的沉积时间结束后，再次停用电控制单元64并中止所述气体输送或者重新转换N2，以便冲洗制程室38并视情况同时进行通风(与大气压力匹配)。随后可使得制程室38再次达到环境压力。
如由上述说明所得出的那般，上述类型的晶片舟1的优点在于，在所述晶片的边缘区域(径向处于外部)中产生有所削弱的等离子体。
上文结合本发明的某些实施方式参照附图对板件6、处理设备30及晶片舟1进行了详细说明，但本发明不仅局限于所述具体实施方式。特定言之，晶片舟1的板件6可具有其他尺寸且可为容置其他数目的晶片而定尺寸。

Claims (8)

1.一种用于晶片舟的板元件，所述晶片舟用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理，其中所述板元件导电且在每一面上皆具有用于将晶片容置在晶片容置区域中的至少一容置单元，处于所述板元件的至少一面中的至少一凹部和处于所述板元件中的至少一开口中的至少其中之一，其中至少一所述凹部和至少一所述开口中的至少其中之一在所述板元件中至少部分径向地处于所述晶片容置区域外部且与所述晶片容置区域紧邻。
2.根据权利要求1所述的板元件，其中所述板元件的双面具相应的所述凹部。
3.如前述权利要求中任一项所述的板元件，其中所述凹部大体上完全包围所述晶片容置区域。
4.如前述权利要求中任一项所述的板元件，其中所述开口具有数个，所述开口至少部分径向地处于所述晶片容置区域外部且与其相邻。
5.如前述权利要求中任一项所述的板元件，其中所述板元件中的所述开口径向包围所述晶片容置区域的至少50％，较佳至少80％。
6.一种用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理的晶片舟，所述晶片舟具有：
数个彼此平行配置的如前述权利要求中任一项所述的板元件，其中相邻配置的所述板元件彼此电绝缘。
7.根据权利要求6所述的晶片舟，其中若干开口在相邻的所述板元件中彼此错开配置。
8.一种用于片状晶片，特别是半导体晶片的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备具有以下：
用于容置如前述权利要求中任一项所述的晶片舟的制程腔；
用于控制或调节所述制程腔中的制程气体气氛的构件；以及
至少一电压源，所述电压源可以合适的方式与所述晶片舟的导电容置元件连接，以便在紧邻的容置在所述晶片舟中的晶片之间施加电压。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021147255A1 (zh) * 2020-01-20 2021-07-29 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种电极片、载片器以及镀膜系统

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102006435B1 (ko) * 2017-09-01 2019-08-01 주식회사 한화 보트 장치
DE102018114159A1 (de) * 2018-06-13 2019-12-19 Nippon Kornmeyer Carbon Group Gmbh Plasmaboot zur Aufnahme von Wafern mit regulierter Plasmaabscheidung
CN111020531B (zh) * 2019-12-18 2024-03-22 常州时创能源股份有限公司 一种组合式石墨舟套管和石墨舟
KR102251678B1 (ko) * 2020-10-26 2021-05-13 주식회사 한화 절연 구조체가 구비된 보트 장치
KR102275905B1 (ko) * 2020-10-26 2021-07-12 주식회사 한화 전극 플레이트가 분리된 보트 장치
KR102251672B1 (ko) * 2020-10-26 2021-05-13 주식회사 한화 강성이 보강된 보트 장치
FR3114683A1 (fr) * 2020-09-25 2022-04-01 Semco Smartech France Support pour substrats semiconducteurs pour traitement PECVD avec forte capacité de chargement de substrats

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182814A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Nippon Ee S M Kk プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法
JPH10209063A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 石英ボ−トおよびその製造方法
US20040197174A1 (en) * 2003-04-02 2004-10-07 Van Den Berg Jannes Remco Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
CN1886829A (zh) * 2003-11-27 2006-12-27 株式会社日立国际电气 基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法
WO2012000663A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg Method and apparatus for calibrating a wafer transport robot
US20130272825A1 (en) * 2010-04-27 2013-10-17 Daniel Knopfle Apparatus and method for determining the location of plate elements of a wafer boat
WO2014194892A1 (de) * 2013-06-06 2014-12-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Haltevorrichtung, verfahren zu deren herstellung und verwendung derselben
JP2015053435A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 コバレントマテリアル株式会社 縦型ウエハボート

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997032339A1 (fr) * 1996-02-29 1997-09-04 Tokyo Electron Limited Nacelle de traitement thermique pour plaquette de semi-conducteur
US6474987B1 (en) * 1999-09-03 2002-11-05 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Wafer holder
TWI399823B (zh) * 2005-07-09 2013-06-21 Tec Sem Ag 用以存放基板之裝置
DE102008019023B4 (de) * 2007-10-22 2009-09-24 Centrotherm Photovoltaics Ag Vakuum-Durchlaufanlage zur Prozessierung von Substraten
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
DE102010052689A1 (de) * 2010-11-26 2012-05-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrathalter für die Oberflächenbehandlung von Substraten und Verwendung des Substrathalters
DE102011109444A1 (de) 2011-08-04 2013-02-07 Centrotherm Photovoltaics Ag Abstandselement für Platten eines Waferbootes
EP2840599B1 (en) * 2012-04-16 2021-03-31 Rorze Corporation Accommodating container and wafer stocker using same
DE102015004352A1 (de) * 2015-04-02 2016-10-06 Centrotherm Photovoltaics Ag Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182814A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Nippon Ee S M Kk プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法
JPH10209063A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 石英ボ−トおよびその製造方法
US20040197174A1 (en) * 2003-04-02 2004-10-07 Van Den Berg Jannes Remco Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
CN1886829A (zh) * 2003-11-27 2006-12-27 株式会社日立国际电气 基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法
US20130272825A1 (en) * 2010-04-27 2013-10-17 Daniel Knopfle Apparatus and method for determining the location of plate elements of a wafer boat
WO2012000663A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg Method and apparatus for calibrating a wafer transport robot
WO2014194892A1 (de) * 2013-06-06 2014-12-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Haltevorrichtung, verfahren zu deren herstellung und verwendung derselben
JP2015053435A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 コバレントマテリアル株式会社 縦型ウエハボート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021147255A1 (zh) * 2020-01-20 2021-07-29 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种电极片、载片器以及镀膜系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180084926A (ko) 2018-07-25
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