TW201715768A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種製造有機發光顯示裝置之方法,其包含下列步驟:形成含有一含氟聚合物之一剝離層於一基板上;形成一光阻於該剝離層上並藉由移除該光阻之一部分而將該光阻圖案化;使用一第一溶劑在其中該光阻被移除之一區中蝕刻該剝離層,以使該剝離層之一部分存留於該基板上;形成一蝕刻終止層於存留於該基板上之該剝離層上方、以及其中在該剝離層上存留有該光阻之一區上方;以及使用一第二溶劑在其中在該剝離層上存留有該光阻之該區下方移除該剝離層。
Description
本申請案主張2015年7月22日提出申請之第10-2015-0103877號韓國專利申請案之優先權及權利,該韓國專利申請案特此出於所有目的以引用方式併入本文中,就像完全陳述於本文中一樣。
例示性實施態樣係關於一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法。
一有機發光顯示裝置係為一種自發光式顯示裝置,其具有一電洞注入電極、一電子注入電極、及介於該電洞注入電極與該電子注入電極間之一有機發光層。在由該電洞注入電極所注入之電洞與由該電子注入電極所注入之電子在有機發光層中組合且變為中性時,便會發出光。有機發光顯示裝置一直被作為具有高品質特性(例如低功率消耗、高亮度及快回應速度)的下一代顯示裝置而受到重視。
此先前技術章節中所揭露之上述資訊僅用於加強對發明性概念之背景的理解,且因此,該章節可含有並不形成在本國為此項技術中
具有通常知識者所已知的先前技術之資訊。
例示性實施態樣提供一種製造一有機發光顯示裝置之方法及一種藉由以上方法製造之有機發光顯示裝置,藉由該方法,可防止發生圖案不對準、可簡化製程、可提高效率、且可延長壽命。
本發明之其他態樣將在以下說明中予以陳述,且部分地將根據本說明顯而易見或可藉由實踐發明性概念而獲知。
本發明之一例示性實施態樣揭露一種製造一有機發光顯示裝置之方法,該方法包含下列步驟:形成含有一含氟聚合物之一剝離層於一基板上;形成一光阻於該剝離層上並藉由移除該光阻之一部分而將該光阻圖案化;使用一第一溶劑在其中該光阻被移除之一區中蝕刻該剝離層,以使該剝離層之一部分存留於該基板上;形成一蝕刻終止層於存留於該基板上之該剝離層上方、以及其中在該剝離層上存留有該光阻之一區上方;以及使用一第二溶劑在其中在該剝離層上存留有該光阻之該區下方移除該剝離層。
本發明之一例示性實施態樣亦揭露一種製造一有機發光顯示裝置之方法,該方法包含下列步驟:形成複數個第一電極於一基板上並執行一第一單元製程,該第一單元製程包含下列步驟:形成含有一含氟聚合物之一剝離層於上面形成有該複數個第一電極之該基板上;形成一光阻於該剝離層上,並藉由一光微影製程在與該複數個第一電極其中之一對應之一位置移除該光阻;使用一第一溶劑蝕刻該剝離層,以使該剝離層之一部分存留於該複數個第一電極該其中之一上,該第一溶劑含有氟;形成一
第一有機功能層於存留於該複數個第一電極該其中之一上之該剝離層上方、以及其中在該剝離層上存留有該光阻之一區上方,該第一有機功能層包含一發光層;以及使用一第二溶劑移除形成於其中在該剝離層上存留有該光阻之該區中之該剝離層,該第二溶劑含有氟。該方法更包含:在執行該第一單元製程之後,執行一第二單元製程至少一次,該第二單元製程係為在其中形成有該複數個第一電極中不同於該複數個第一電極該其中之一的另一第一電極之一區中形成一有機功能層,該有機功能層發出與由該第一有機功能層發出之光之顏色不同之一顏色的光;以及在執行該第一單元製程及該第二單元製程之後,形成一第二電極。
應理解,前述一般說明及以下詳細說明二者係為例示性及解釋性的,且意欲提供對所主張發明之進一步解釋。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
2‧‧‧有機發光顯示裝置
3‧‧‧有機發光顯示裝置
4‧‧‧有機發光顯示裝置
5‧‧‧有機發光顯示裝置
6‧‧‧有機發光顯示裝置
100‧‧‧基板
101‧‧‧第一陽極
102‧‧‧第二陽極
103‧‧‧第三陽極
110‧‧‧畫素界定層
120‧‧‧剝離層
121‧‧‧第一殘餘層
122‧‧‧第二殘餘層
123‧‧‧第三殘餘層
124‧‧‧第四殘餘層
125‧‧‧第五殘餘層
126‧‧‧剝離層
127‧‧‧剝離層
128‧‧‧剝離層
130‧‧‧光阻
131‧‧‧第一區
132‧‧‧第二區
133‧‧‧第三區
134‧‧‧第四區
136‧‧‧區
137‧‧‧區
138‧‧‧區
139‧‧‧區
151‧‧‧第一有機功能層/第一有機發光層
152‧‧‧第二有機功能層/第二有機發光層
153‧‧‧第三有機功能層/第三有機發光層
154‧‧‧蝕刻終止層
180‧‧‧陰極
181‧‧‧第一輔助陰極
182‧‧‧第二輔助陰極
183‧‧‧第三輔助陰極
191‧‧‧第一電洞傳輸層
192‧‧‧第二電洞傳輸層
193‧‧‧第三電洞傳輸層
IJR‧‧‧第一液滴
IJG‧‧‧第二液滴
IJB‧‧‧第三液滴
L‧‧‧光
M1‧‧‧第一光罩
M2‧‧‧第二光罩
M3‧‧‧第三光罩
M4‧‧‧第四光罩
M11‧‧‧第一區
M22‧‧‧第二區
M33‧‧‧第三區
M44‧‧‧第四區
UC1‧‧‧第一底切輪廓
UC2‧‧‧第二底切輪廓
UC3‧‧‧第三底切輪廓
UC4‧‧‧第四底切輪廓
S10~S70‧‧‧步驟
為提供對發明性概念之進一步理解而包含且併入本說明中並構成本說明書一部分的附圖例示發明性概念之例示性實施態樣,且與該說明一起用於解釋發明性概念之原理。
第1圖係為根據一例示性實施態樣的一種製造方法之流程圖;第2圖係為一示意性剖視圖,其顯示根據本發明一例示性實施態樣之由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置;第3圖係為一剖視圖,其示意性地顯示在第2圖所示製造方法中形成複數個陽極於一基板上之一操作;第4A圖、第4B圖、第4C圖、第4D圖、第4E圖、及第4F圖係
為示意性地顯示第2圖所示製造方法之一第一單元操作之剖視圖;第5A圖、第5B圖、第5C圖、第5D圖、第5E圖、及第5F圖係為示意性地顯示第2圖所示製造方法之一第二單元操作之剖視圖;第6A圖、第6B圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖、及第6F圖係為示意性地顯示第2圖所示製造方法之一第三單元操作之剖視圖;第7圖係為一示意性剖視圖,其顯示根據本發明另一例示性實施態樣藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置;第8圖係為一示意性剖視圖,其顯示根據本發明又一例示性實施態樣藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置;第9圖係為一示意性剖視圖,其顯示根據本發明又一例示性實施態樣藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置;第10圖係為一X射線光電子光譜法(X-ray photoelectron spectroscopy;XPS)分析之一曲線圖,其顯示一剝離層之一殘餘層形成於一陽極上;第11圖係為一示意性剖視圖,其顯示根據本發明又一例示性實施態樣藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置;第12A圖、第12B圖、第12C圖、第12D圖、第12E圖、第12F圖、第12G圖、第12H圖、及第12I圖係為示意性地顯示第11圖所示製造方法之剖視圖;以及第13圖係為一示意性剖視圖,其顯示根據本發明又一例示性實施態樣藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置。
在以下說明中,為便於解釋,陳述眾多特定細節以提供對各種例示性實施態樣之透徹理解。然而,顯而易見,在沒有此等特定細節或具有一或多個等效配置之情形下,亦可實踐各種例示性實施態樣。在其他例項中,以方塊圖形式顯示眾所周知之結構及元件,以避免不必要地使各種例示性實施態樣模糊不清。
在附圖中,為清晰起見且為便於說明,可擴大層、膜、面板、區等之大小及相對大小。此外,相同參考編號表示相同元件。
當將一元件或層稱作位於另一元件或層「上」、「連接至」、或「耦合至」另一元件或層時,該元件或層可係直接位於該另一元件或層上、連接至、或耦合至該另一元件或層,或者可能存在中間元件或層。然而,當將一元件或層稱作「直接」位於另一元件或層「上」、「直接連接至」、或「直接耦合至」另一元件或層時,不存在中間元件或層。為便於說明本發明,可將「X、Y及Z至少其中之一」以及「選自由X、Y及Z組成之群組之至少一者」理解為僅X、僅Y、僅Z、或者X、Y及Z其中之二或更多者之任一組合(例如XYZ、XYY、YZ及ZZ)。在通篇中,相同編號指代相同元件。如本文中所使用之措詞「及/或」包含相關聯所列各項其中之一或多者之任何及所有組合。
雖然本文中可使用第一、第二等措詞來闡述各種元件、組件、區、層、及/或區段,但此等元件、組件、區、層、及/或區段不應受此等措詞限制。此等措詞用於將一個元件、組件、區、層、及/或區段與另一元件、組件、區、層、及/或區段區分開。因此,下文所論述之一第一元件、組件、區、層、及/或區段可稱為一第二元件、組件、區、層、及/或區段,
此並不背離本發明之教示內容。
為便於說明,本文中可使用例如「在……下面」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「上部」等空間相對性措詞來闡述如圖式中所例示一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵之關係。空間相對性措詞意欲除圖式中所繪示之定向以外亦囊括一裝置在使用、運行及/或製造時之不同定向。舉例而言,若將圖式中之裝置翻轉,則闡述為在其他元件或特徵「下方」或「下麵」之元件則將被定向成在其他元件或特徵「上方」。因此,例示性措詞「在……下方」可囊括在……上方及在……下方二種定向。此外,可以其他方式對裝置進行定向(例如,旋轉90度或以其他定向形式),且因此,可相應地解釋本文中所使用之空間相對性描述語。
本文中所使用之術語僅用於闡述特定實施例而並非意欲係為限制性。除非上下文另有清晰指示,否則本文中所使用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」皆意欲亦包含複數形式。此外,當在本說明書中使用措詞「包含(comprise、comprising、include及/或including)」時,係指明所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在,但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或添加。
本文中將參照作為理想化例示性實施態樣及/或中間結構之示意圖的剖視圖來闡述各種例示性實施態樣。因此,預期會因例如製造技術及/或容許誤差而與該等圖所示形狀有所差異。因此,本文中所揭露之例示性實施態樣不應被理解為僅限於所例示之特定區形狀,而是應包含因例如製造引起之形狀偏差。圖式中所例示之區本質上係為示意性的,且其形狀並不意欲例示一元件之一區之實際形狀且並非意欲係為限制性。
除非另有定義,否則本文中所使用之所有術語(包含技術及科學術語)皆具有與本發明所屬技術中之通常知識者通常所理解之含義相同的含義。例如常用字典中所定義之術語等術語應被解釋為具有與其在相關技術背景中之含義相一致之一含義,而將不被解釋為具有一理想化或過度形式化意義,除非本文中明確如此定義。
第1圖係為根據一例示性實施態樣,一種製造方法之流程圖。
參照第1圖,在根據一例示性實施態樣製造一有機發光顯示裝置之方法中,在步驟S10中,形成一陽極於一基板上;在步驟S20中,形成含有一含氟聚合物之一剝離層於該陽極上;在步驟S30中,形成一光阻於該剝離層上並藉由移除該光阻之一部分而將該光阻圖案化;在步驟S40中,使用一第一溶劑在其中該光阻被移除之一區中蝕刻該剝離層,以使該剝離層之一部分存留於該陽極上,該第一溶劑含有氟;在步驟S50中,形成一有機功能層於存留於該陽極上之該剝離層上方、以及其中存留有該光阻之該區上方,該有機功能層包含一發光層;以及在步驟S60中,使用一第二溶劑移除形成於其中存留有該光阻之該區中之該剝離層,該第二溶劑含有氟。該製造方法可更包含在步驟S70中形成一陰極於該有機發光層上之一操作。
將參照第2圖至第6F圖詳細地闡述根據各例示性實施態樣,一種製造一有機發光顯示裝置之方法及一種藉由該製造方法所製造之有機發光顯示裝置。
第2圖係為根據一例示性實施態樣,由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置1之示意性剖視圖。第3圖係為一剖視圖,其示意性地例示藉由第2圖所示製造方法形成複數個陽極於一基板上之一操作。第4A圖至第4F圖係為示意性地例示藉由第2圖所示製造方法進行之一第一單元操
作之剖視圖。第5A圖至第5F圖係為示意性地例示藉由第2圖所示製造方法進行之一第二單元操作之剖視圖。第6A圖至第6F圖係為示意性地例示藉由第2圖所示製造方法進行之一第三單元操作之剖視圖。
參照第2圖,根據一例示性實施態樣藉由一種方法所製造之有機發光顯示裝置1可包含位於一基板100上之複數個陽極,包含一第一陽極101、一第二陽極102及一第三陽極103。含有一含氟聚合物之第4A圖所示一剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123設置於第一陽極至第三陽極101、102及103上。第一有機功能層至第三有機功能層151、152及153設置於該剝離層之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123上。一陰極180被提供於第一有機功能層至第三有機功能層151、152及153其中之每一者上。
含有一含氟聚合物之剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123可控制第一陽極至第三陽極101、102及103之表面能量,且增強有機發光顯示裝置1之外部量子效率,下文將對此進行說明。
參照第3圖,形成包含第一陽極101、第二陽極102及第三陽極103之複數個陽極於基板100上。
基板100可由各種材料形成。舉例而言,基板100可由玻璃或塑膠形成。該塑膠可係由具有極佳耐熱性及耐久性特性之一材料形成,例如聚醯亞胺(polyimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate)、聚芳酯(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)、或聚醚碸(polyethersulfone)。
雖然在第3圖中未例示,但基板100上方形成有一平整表面,且該平整表面上可更形成有一緩衝層(圖中未顯示),以防止雜質元素侵入。該緩衝層可係由氮化矽及/或氧化矽以一單個層或以多個層形成。
作為電洞注入電極,第一陽極至第三陽極101、102及103可係由具有一相對大功函數之一材料形成。第一陽極至第三陽極101、102及103可含有選自由以下各者組成之一群組之至少一者:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、及氧化鋁鋅。
雖然在第3圖中未例示,但第一陽極至第三陽極101、102及103可電連接至一第一薄膜電晶體至一第三薄膜電晶體(圖中未顯示),該第一薄膜電晶體至該第三薄膜電晶體位於基板100與第一陽極至第三陽極101、102及103之間。
參照第4A圖,形成含有一含氟聚合物之一剝離層120於基板100上之第一陽極至第三陽極101、102及103上方。
剝離層120中所含有之含氟聚合物可係為具有20重量%至60重量%氟含量之一聚合物。舉例而言,剝離層120中所含有之含氟聚合物可含有以下各者至少其中之一:聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯(polychlorotrifluoroethylene)、聚二氯二氟乙烯、三氟氯乙烯與二氯二氟乙烯之共聚物、四氟乙烯與全氟烷基乙烯基醚之共聚物(a copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoroalkylvinylether)、及三氟氯乙烯與全氟烷基乙烯基醚之共聚物(a copolymer of chlorotrifluoroethylene and perfluoroalkylvinylether)。
剝離層120可係藉由一塗覆方法、一印刷方法或一沈積方法
而形成於基板100上。當剝離層120係藉由一塗覆方法或一印刷方法而形成時,在必要時,可在執行一固化與聚合製程之後執行一圖案化製程。
剝離層120之厚度可等於或大於約0.2微米且等於或小於約5微米。當剝離層120變為厚得不合意時,在圖案化時使剝離層120熔化所花費之時間會增加,以致一製造製程時間可延長。當剝離層120係薄得不合意時,剝離層120會變得難以剝離。
參照第4B圖,形成一光阻130於剝離層120上。透過一第一光罩M1在與第一陽極101對應之一位置將光阻130暴露於光L,第一光罩M1包含使光L透射穿過之一第一區M11。接下來,將經過暴露之光阻130顯影。
參照第4C圖,光阻130具有一經圖案化形狀。自經過暴露及顯影之光阻130移除了處於與第一陽極101對應之一位置之一第一區131,且使區136存留。
雖然在第4C圖中闡述一正型光阻130來作為一實例,但亦可使用一負型光阻。在此情形中,為獲得一所需圖案,可將第一光罩M1之一圖案設計成不同於第3B圖所示圖案。
參照第4D圖,使用第4C圖所示光阻130之圖案來蝕刻剝離層120。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此可使用能夠蝕刻該含氟聚合物之一溶劑作為一蝕刻劑。
可使用含有氟之一第一溶劑(圖中未顯示)作為一蝕刻劑。
該第一溶劑可含有氫氟醚(hydrofluoroether)。氫氟醚由於其與其他材料之低相互作用而係為一種電化學穩定材料,且由於其低全球
暖化潛勢及低毒性而係為一種環境穩定材料。
在一蝕刻製程中,蝕刻在與光阻130之第一區131(參見第4C圖)對應之一位置(亦即,位於第一陽極101上方)形成之剝離層120。在此狀態下,位於第一陽極101上方之剝離層120未被完全蝕刻,而是被蝕刻成使剝離層120之一部分存留於第一陽極101上,藉此形成剝離層120之第一殘餘層121。
含有含氟聚合物之剝離層120之第一殘餘層121係形成於第一陽極101與第一有機功能層151之間(參見第2圖),以充當一表面能量調整層。剝離層120之第一殘餘層121可調整一元件之一電荷平衡並防止非均質層之間發生電化學相互作用,藉此提高該元件之壽命及效率,下文將對此進行說明。
存留於第一陽極101上之剝離層120之第一殘餘層121之厚度可等於或大於約0.5奈米且等於或小於約5奈米。由於剝離層120之第一殘餘層121係為含有一含氟聚合物之一絕緣層,因此,若第一殘餘層121係厚得不合意,則電阻會增加以致第一殘餘層121可難以用於一發光元件。若第一殘餘層121係薄得不合意,則第一殘餘層121可難以充當表面能量調整層。
為了維持恆定元件特性,可調整剝離層120之第一殘餘層121之厚度。
可藉由如下方式來形成剝離層120之第一殘餘層121:使用含有氫氟醚之第一溶劑來蝕刻剝離層120,且隨後藉由選擇性地調整一沖洗製程而執行一乾燥製程。舉例而言,可藉由容許剝離層120含有聚四氟乙烯並使用3M Novec系列7100~7300作為第一溶劑來執行蝕刻製程且隨後執行一
乾燥製程而不執行一沖洗製程來形成剝離層120之第一殘餘層121。另一選擇為,當使用3M Novec系列7500來執行沖洗製程時,可減小一殘餘層之厚度。
當使用含有氫氟醚之第一溶劑來蝕刻剝離層120且隨後藉由一自旋方法使剝離層120乾燥時,可形成剝離層120之第一殘餘層121。就此而論,可藉由調整自旋之每分鐘轉數(Revolutions Per Minute;RPM)、時間、或一加速力來調整一殘餘層之厚度。
在使用含有氫氟醚之第一溶劑蝕刻剝離層120之後,可藉由使用氧電漿執行乾式蝕刻而形成剝離層120之第一殘餘層121。在此狀態下,可藉由調整氮氣與氧氣之一比率、電漿功率、或時間來調整一殘餘層之厚度。
第10圖係為一X射線光電子光譜法(XPS)分析之一曲線圖,其顯示一剝離層之一殘餘層形成於一陽極上。在該曲線圖中,水平軸線指示鍵能,且垂直軸線指示鍵能之強度。
參照第10圖,一第一樣本1表示其中一陽極上之整個剝離層被移除之一情形,且一第二樣本2表示其中根據本例示性實施態樣一陽極上形成有一剝離層之一殘餘層之一情形。可看出,第二樣本2含有一氟化共聚物中所包含之CFz及CFx,其中1x3,1z3,且x及z係為整數。
另一選擇為,在蝕刻剝離層120期間,含有氟之第一溶劑在剝離層120中且在光阻130之第一區131(參見第4C圖)之一界面下方形成一第一底切輪廓UC1。
第一底切輪廓UC1可使得能夠在下文所述之一沈積製程(參
見第4E圖)中形成一細微沈積圖案之一第一有機發光層,且可在下文所述之一剝離製程(參見第4F圖)中清晰地移除存留於基板100上之剝離層120。
參照第4E圖,形成包含第一有機發光層之第一有機功能層151於第4D圖所示結構上。
第一有機功能層151可更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子注入層、及一電子傳輸層中之至少一個功能層。
在本例示性實施態樣中,該第一有機發光層用作第一有機功能層151之一實例。因此,在以下說明中,可由同一參考編號來提及第一有機功能層及第一有機發光層。
可藉由一真空沈積方法來形成第一有機發光層151。在一沈積製程中,剝離層120及光阻130充當遮罩。第一有機發光層151之一部分係形成於剝離層120之第一殘餘層121上。第一有機發光層151之另一部分係形成於其中存留有光阻130之區136上。
參照第4F圖,對第4E圖所示結構執行一剝離製程。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此在該剝離製程中使用含有氟之一第二溶劑。此外,由於該剝離製程係在第一有機發光層151被形成之後執行,因此可使用對第一有機發光層151具有一低反應性之一材料作為第二溶劑。如同在第一溶劑中,第二溶劑亦可含有氫氟醚。
在形成於其中存留有光阻130之第4E圖所示區136下方之一剝離層126被剝離時,形成於其中存留有光阻130之區136上之第一有機發光層151被移除,且形成於剝離層120之第一殘餘層121上之第一有機發光層151被作為一圖案而保留。第一有機發光層151相對於剝離層120之第一殘餘
層121充當一蝕刻終止件。
根據該剝離製程之一結果,剝離層120之第一殘餘層121形成於第一陽極101與第一有機發光層151之間。
為控制表面能量,可在第一陽極101與第一有機發光層151之間形成含有一含氟聚合物之剝離層120之第一殘餘層121。由於含有一含氟聚合物之剝離層120之第一殘餘層121在例如第一陽極101與第一有機發光層151等非均質層間之一界面處形成複數個界面偶極(interfacial dipole),因此第一陽極101之一有效功函數得以增加且電子被侷限。因此,增加了一電荷平衡,以使一有機發光元件之外部量子效率可得以提高。
由於含有一含氟聚合物且具有一低反應性之剝離層120之第一殘餘層121充當一拉鏈(zipper),以降低第一陽極101與第一有機發光層151(亦即,二個非均質層)間之電化學相互作用,因此有機發光元件之壽命可得以增加。
根據本例示性實施態樣,在第一陽極101與第一有機發光層151之間形成、含有一含氟聚合物且控制一有機發光元件之表面能量並充當一電化學拉鏈的剝離層120之第一殘餘層121可係在形成第一有機發光層151之一圖案的一第一單元製程中形成而並非係藉由另外的熱沈積或昂貴電漿製程來形成。
根據本例示性實施態樣,由於第一有機發光層151之圖案係在剝離製程中形成而並非係藉由使用具有一開口之一金屬遮罩(圖中未顯示)來沈積,因此可防止基板100與該金屬遮罩間之任何可能不對準。
在執行上述第一單元製程之後執行一第二單元製程,該第二
單元製程係為在其中設置有第二陽極102之一區中形成第二有機發光層152(參見第5F圖),第二有機發光層152用於發出顏色不同於第一有機發光層151之光。下文將參照第5A圖至第5F圖來闡述第二單元製程。
參照第5A圖,形成含有一含氟聚合物之剝離層120於其中形成有第一陽極至第三陽極101、102及103之基板100上。
剝離層120可包含與在第一單元製程中所使用之含氟聚合物相同或不同之一材料。剝離層120可係藉由一塗覆方法、一印刷方法、或一沈積方法而形成於基板100上。
參照第5B圖,形成光阻130於剝離層120上。透過一第二光罩M2在與第二陽極102對應之一位置將光阻130暴露於光L,第二光罩M2包含使光L透射穿過之一第二區M22。接下來,將經過暴露之光阻130顯影。
參照第5C圖,光阻130具有一經圖案化形狀。自經過暴露及顯影之光阻130移除了處於與第二陽極102對應之一位置之一第二區132,且使一區137存留。
參照第5D圖,使用第5C圖所示光阻130之一圖案來蝕刻剝離層120。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此可使用能夠蝕刻一含氟聚合物之一溶劑作為一蝕刻劑。可使用含有氟之一第一溶劑(圖中未顯示)作為該蝕刻劑。如同在上述第一單元製程中,該第一溶劑可含有氫氟醚。該第一溶劑可使用與第一單元製程中所使用之材料不同之一材料。
藉由蝕刻製程來蝕刻在與光阻130之第二區132(參見第5C圖)對應之一位置(亦即,位於第二陽極102上方)形成之剝離層120。第
二陽極102上之剝離層120未被完全蝕刻,而是被蝕刻至使剝離層120之一部分存留於第二陽極102上藉此形成剝離層120之第二殘餘層122的程度。
含有一含氟聚合物之剝離層120之第二殘餘層122形成於第二陽極102與下文所述之第二有機功能層152之間(參見第5E圖),以充當一表面能量調整層。剝離層120之第二殘餘層122可調整一元件之一電荷平衡且防止各非均質層之間發生電化學相互作用,藉此提高該元件之壽命及效率。
存留於第二陽極102上之剝離層120之第二殘餘層122之厚度可等於或大於約0.5奈米且等於或小於約5奈米。由於剝離層120之第二殘餘層122係為含有一含氟聚合物之一絕緣層,因此,若第二殘餘層122係厚得不合意,則電阻會增加以致第二殘餘層122可難以用於一發光元件。若第二殘餘層122係薄得不合意,則第二殘餘層122可難以充當表面能量調整層。
為了維持恆定元件特性,可調整剝離層120之第二殘餘層122之厚度。由於可以與第一單元製程中相同之方法來執行調整一厚度之一方法,因此將省略對該方法之一詳細說明。
在蝕刻剝離層120期間,含有氟之第一溶劑在剝離層120中且在光阻130之第二區132(參見第5D圖)之一界面下方形成一第二底切輪廓UC2。
參照第5E圖,形成包含一第二有機發光層之第二有機功能層152於第5D圖所示結構上。
第二有機功能層152可更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子注入層、及一電子傳輸層中之至少一個功能層。
在本例示性實施態樣中,該第二有機發光層用作第二有機功能層152之一實例。因此,在以下說明中,第二有機功能層與第二有機發光層可具有相同參考編號。
可藉由一真空沈積方法來形成第二有機發光層152。在一沈積製程中,剝離層120及光阻130充當遮罩。第二有機發光層152之一部分係形成於剝離層120之第二殘餘層122上。第二有機發光層152之另一部分係形成於其中存留有光阻130之區137上。
參照第5F圖,對第5E圖所示結構執行一剝離製程。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此在該剝離製程中使用含有氟之一第二溶劑。此外,由於該剝離製程係在第二有機發光層152被形成之後執行,因此可使用對第二有機發光層152具有一低反應性之一材料作為第二溶劑。如同在第一溶劑中,第二溶劑亦可含有氫氟醚。
在形成於其中存留有光阻130之第5E圖所示區137下方之一剝離層127被剝離時,形成於其中存留有光阻130之區137上之第二有機發光層152被移除,且形成於剝離層120之第二殘餘層122上之第二有機發光層152被作為一圖案而保留。第二有機發光層152相對於剝離層120之第二殘餘層122充當一蝕刻終止件。
根據該第二單元製程之剝離製程之一結果,剝離層120之第二殘餘層122形成於第二陽極102與第二有機發光層152之間。
為控制表面能量,可在第二陽極102與第二有機發光層152之間形成含有一含氟聚合物之剝離層120之第二殘餘層122。由於含有一含氟聚合物之剝離層120之第二殘餘層122在例如第二陽極102與第二有機發
光層152等非均質層間之一界面處形成複數個界面偶極,因此第二陽極102之一有效功函數得以增加且電子被侷限。因此,增加了一電荷平衡,以使一有機發光元件之外部量子效率可得以提高。
由於含有一含氟聚合物且具有一低反應性之剝離層120之第二殘餘層122充當一拉鏈,以降低第二陽極102與第二有機發光層152(亦即,二個非均質層)間之電化學相互作用,因此有機發光元件之壽命可得以增加。
在執行上述第二單元製程之後執行一第三單元製程,該第三單元製程係為在其中設置有第三陽極103之一區中形成第三有機發光層153(參見第6F圖),第三有機發光層153用於發出顏色不同於第一有機發光層151及第二有機發光層152之光。下文將參照第6A圖至第6F圖來闡述第三單元製程。
參照第6A圖,形成含有一含氟聚合物之剝離層120於其中形成有第一陽極至第三陽極101、102及103之基板100上。
剝離層120可包含與在第一單元製程及第二單元製程中所使用之含氟聚合物相同或不同之一材料。剝離層120可係藉由一塗覆方法、一印刷方法、或一沈積方法而形成於基板100上。
參照第6B圖,形成光阻130於剝離層120上。透過一第三光罩M3在與第三陽極103對應之一位置將光阻130暴露於光L,第三光罩M3包含使光L透射穿過之一第三區M33。接下來,將經過暴露之光阻130顯影。
參照第6C圖,光阻130具有一經圖案化形狀。自經過暴露及顯影之光阻130移除了處於與第三陽極103對應之一位置之一第三區133,且
使區138存留。
參照第6D圖,使用第6C圖所示光阻130之一圖案來蝕刻剝離層120。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此可使用能夠蝕刻該含氟聚合物之一溶劑作為一蝕刻劑。可使用含有氟之一第一溶劑(圖中未顯示)作為該蝕刻劑。如同在上述第一單元製程及第二單元製程中,該第一溶劑亦可含有氫氟醚。該第一溶劑可使用與第一單元製程及第二單元製程中所使用之材料不同之一材料。
藉由蝕刻製程來蝕刻在與光阻130之第三區133(參見第6C圖)對應之一位置(亦即,位於第三陽極103上方)形成之剝離層120。第三陽極103上之剝離層120未被完全蝕刻,而是被蝕刻成使剝離層120之一部分存留於第三陽極103上,藉此形成剝離層120之第三殘餘層123。
含有一含氟聚合物之剝離層120之第三殘餘層123形成於第三陽極103與下文所述之第三有機功能層153之間(參見第6E圖),以充當一表面能量調整層。剝離層120之第三殘餘層123可調整一元件之一電荷平衡且防止各非均質層之間發生電化學相互作用,藉此提高該元件之壽命及效率。
存留於第三陽極103上之剝離層120之第三殘餘層123之厚度可等於或大於約0.5奈米且等於或小於約5奈米。由於剝離層120之第三殘餘層123係為含有一含氟聚合物之一絕緣層,因此,若第三殘餘層123係厚得不合意,則電阻會增加以致第三殘餘層123可難以用於一發光元件。若第三殘餘層123係薄得不合意,則第三殘餘層123可難以充當表面能量調整層。
為了維持恆定元件特性,可調整剝離層120之第三殘餘層123之厚度。由於可以與第一單元製程及第二單元製程中相同之方式來執行調整一厚度之一方法,因此將省略對該方法之一詳細說明。
此外,在蝕刻剝離層120期間,含有氟之第一溶劑在剝離層120中且在光阻130之第三區133(參見第6D圖)之一界面下方形成一第三底切輪廓UC3。
參照第6E圖,形成包含一第三有機發光層之第三有機功能層153於第6D圖所示結構上。
第三有機功能層153可更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子注入層、及一電子傳輸層中之至少一個功能層。
在本例示性實施態樣中,該第三有機發光層用作第三有機功能層153之一實例。因此,在以下說明中,第三有機功能層與第三有機發光層可具有相同參考編號。
可藉由一真空沈積方法來形成第三有機發光層153。在一沈積製程中,剝離層120及光阻130充當遮罩。第三有機發光層153之一部分係形成於剝離層120之第三殘餘層123上。第三有機發光層153之另一部分係形成於其中存留有光阻130之區138上。
參照第6F圖,對第6E圖所示結構執行一剝離製程。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此在該剝離製程中使用含有氟之一第二溶劑。此外,由於該剝離製程係在第三有機發光層153被形成之後執行,因此可使用對第三有機發光層153具有一低反應性之一材料作為第二溶劑。如同第一溶劑中含有氫氟醚,第二溶劑亦可含有氫氟醚。
在形成於其中存留有光阻130之第6E圖所示區138下方之一剝離層128被剝離時,形成於其中存留有光阻130之區138上之第三有機發光層153被移除,且形成於剝離層120之第三殘餘層123上之第三有機發光層153被作為一圖案而保留。第三有機發光層153相對於剝離層120之第三殘餘層123充當一蝕刻終止件。
根據該第三單元製程之剝離製程之一結果,剝離層120之第三殘餘層123形成於第三陽極103與第三有機發光層153之間。
為控制表面能量,可在第三陽極103與第三有機發光層153之間形成含有一含氟聚合物之剝離層120之第三殘餘層123。由於含有一含氟聚合物之剝離層120之第三殘餘層123在例如第三陽極103與第三有機發光層153等非均質層間之一界面處形成複數個界面偶極,因此第三陽極103之一有效功函數得以增加且電子被侷限。因此,增加了一電荷平衡,以使一有機發光元件之外部量子效率可得以提高。
由於含有一含氟聚合物且具有一低反應性之剝離層120之第三殘餘層123充當一拉鏈,以降低第三陽極103與第三有機發光層153(亦即,二個非均質層)間之電化學相互作用,因此有機發光元件之壽命可得以增加。
返回參照第2圖,於在第一單元製程至第三單元製程中形成第一有機功能層至第三有機功能層151、152及153之後,形成作為一共用層之陰極180。
雖然第2圖例示形成於第一陽極至第三陽極101、102及103上之陰極180係單獨地被形成,但本發明並不限於此,而是陰極180可被一
體形成。
第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153可發出不同顏色之光。當被混合在一起時,第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153所發出之光可形成一白色光。舉例而言,第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153可發出紅色、綠色及藍色之光。舉例而言,第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153可配置複數個子畫素,該等子畫素形成有機發光顯示裝置1之一單元畫素。
第2圖所示有機發光顯示裝置1可表示一個單元畫素。此外,本例示性實施態樣可應用於具有複數個第2圖所示單元畫素之一有機發光顯示裝置。換言之,可在第一單元製程中同時形成複數個用於發出一第一顏色之第一有機發光層151。類似地,可在第二單元製程中同時形成複數個用於發出一第二顏色之第二有機發光層152,且可在第三單元製程中同時形成複數個用於發出一第三顏色之第三有機發光層153。可經由第一單元製程至第三單元製程而呈現出一全色。
第7圖係為根據另一例示性實施態樣,藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置2之示意性剖視圖。
可以與第2圖所示有機發光顯示裝置1之上述製造方法類似之方式來製造第7圖所示有機發光顯示裝置2。在以下說明中,僅論述與第2圖所示有機發光顯示裝置1之上述製造方法之差異。
參照第7圖,形成包含第一陽極至第三陽極101、102及103之複數個陽極於基板100上,且形成環繞第一陽極至第三陽極101、102及103之邊緣的一畫素界定層110於基板100上。畫素界定層110界定一發光區且防
止第一陽極至第三陽極101、102及103與陰極180發生一短路。
在本例示性實施態樣中,在形成第一陽極至第三陽極101、102及103以及畫素界定層110之後,執行第一單元製程至第三單元製程。
含有一含氟聚合物且位於第一陽極至第三陽極101、102及103上的剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123接觸畫素界定層110之一表面。
剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123之厚度可等於或大於約0.5奈米且等於或小於約5奈米,且第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153分別形成於第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123上。在執行第一單元製程至第三單元製程之後,形成作為一共用層之陰極180。
第8圖係為根據另一例示性實施態樣,藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置3之示意性剖視圖。
可以與第2圖所示有機發光顯示裝置1之上述製造方法類似之方式來製造第8圖所示有機發光顯示裝置3。在以下說明中,僅論述與第2圖所示有機發光顯示裝置1之上述製造方法之差異。
參照第8圖,形成包含第一陽極至第三陽極101、102及103之複數個陽極於基板100上。進一步形成第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193於第一陽極至第三陽極101、102及103上。
第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193可包含聚(伸乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。雖然第8圖例示其中第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193係全部形成之一結構,但可形
成第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193中之僅局部電洞傳輸層。
形成含有一含氟聚合物之剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123於第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193上。剝離層120的存留於第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193上之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123之厚度等於或大於約0.5奈米且等於或小於約5奈米。形成第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153於第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123上。換言之,在本例示性實施態樣中,剝離層120直接接觸形成於第一陽極至第三陽極101、102及103上之第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193之上表面。在執行第一單元製程至第三單元製程之後,形成作為一共用層之陰極180。
根據第8圖所示製造方法,含有一含氟聚合物之剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123係形成於第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193與第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153之間,以控制表面能量。含有一含氟聚合物且具有一低反應性之剝離層120之第一殘餘層至第三殘餘層121、122及123充當一拉鏈,以降低第一電洞傳輸層至第三電洞傳輸層191、192及193與第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153間(亦即,二個非均質層間)之電化學相互作用,以增加有機發光元件之壽命。
第9圖係為根據另一例示性實施態樣,藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置4之示意性剖視圖。
可以與第7圖所示有機發光顯示裝置2之上述製造方法類似之方式來製造第9圖所示有機發光顯示裝置4。在以下說明中,僅論述與第7
圖所示有機發光顯示裝置2之上述製造方法之差異。
參照第9圖,形成包含第一陽極至第三陽極101、102及103之複數個陽極於基板100上。形成環繞第一陽極至第三陽極101、102及103之邊緣的畫素界定層110於基板100上。畫素界定層110界定一發光區且防止第一陽極至第三陽極101、102及103與陰極180發生一短路。
在本例示性實施態樣中,在形成第一陽極至第三陽極101、102及103以及畫素界定層110之後,執行第一單元製程至第三單元製程。
在第一單元製程中形成含有一含氟聚合物之剝離層120(參見第4A圖)。藉由使用含有氟之一第一溶劑(圖中未顯示)蝕刻剝離層120(參見第4E圖)來形成剝離層120之第一殘餘層121於第一陽極101上。
形成第一有機發光層151於剝離層120之第一殘餘層121上。當第一有機發光層151被形成時,在第一有機發光層151上連續地沈積一第一輔助陰極181,且執行剝離製程。
在該剝離製程期間,使用含有氟之一第二溶劑(圖中未顯示)。含有氟之第二溶劑可能會損壞第一有機發光層151。在該剝離製程期間,第一輔助陰極181相對於第一有機發光層151充當一障壁。
在第一單元製程之後,執行第二單元製程。在第二單元製程中,形成含有一含氟聚合物之剝離層120(參見第5A圖)。使用含有氟之一第一溶劑(圖中未顯示)來蝕刻剝離層120(參見第5E圖),且因此,形成剝離層120之第二殘餘層122於第二陽極102上。
形成第二有機發光層152於剝離層120之第二殘餘層122上。當第二有機發光層152被形成時,在第二有機發光層152上連續地沈積一第
二輔助陰極182,且執行剝離製程。
在該剝離製程期間,使用含有氟之一第二溶劑(圖中未顯示)。含有氟之第二溶劑(圖中未顯示)可能會損壞第二有機發光層152。在該剝離製程期間,第二輔助陰極182可相對於第二有機發光層152充當一障壁。
在第二單元製程之後,執行第三單元製程。在第三單元製程中,形成含有一含氟聚合物之剝離層120(參見第6A圖)。使用含有氟之第二溶劑來蝕刻剝離層120(參見第6E圖),且因此,形成剝離層120之第三殘餘層123於第三陽極103上。
形成第三有機發光層153於剝離層120之第三殘餘層123上。當第三有機發光層153被形成時,在第三有機發光層153上連續地沈積一第三輔助陰極183,且執行剝離製程。
在該剝離製程期間,使用含有氟之第二溶劑。含有氟之第二溶劑可能會損壞第三有機發光層153。在該剝離製程期間,第三輔助陰極183可相對於第三有機發光層153充當一障壁。
在執行第一單元製程至第三單元製程之後,形成作為一共用層之陰極180。
根據第9圖所示製造方法,在各該單元製程中,第一輔助陰極至第三輔助陰極181、182及183係在沈積第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153期間連續地沈積於第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153上。因此,第一輔助陰極至第三輔助陰極181、182及183可防止第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153在後續剝離製程中被
損壞。此外,由於第一輔助陰極至第三輔助陰極181、182及183電性接觸相對於複數個畫素共同地形成之陰極180,因此在第一單元製程至第三單元製程之後,可防止陰極180出現一電壓降。
第11圖係為根據另一例示性實施態樣,藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置5之示意性剖視圖。第12A圖至第12I圖係為示意性地例示第11圖所示製造方法之剖視圖。
參照第11圖,根據本例示性實施態樣藉由該製造方法所製造之有機發光顯示裝置5可包含形成於基板100上之複數個陽極(包含第一陽極101、第二陽極102及第三陽極103)、以及環繞第一陽極至第三陽極101、102及103之邊緣的畫素界定層110。畫素界定層110界定一發光區且防止第一陽極至第三陽極101、102及103與陰極180發生一短路。
含有一含氟聚合物之剝離層120之一第四殘餘層124設置於畫素界定層110上。第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153分別設置於第一陽極至第三陽極101、102及103上,各該陽極係形成於畫素界定層110之間。作為一共用電極之陰極180被提供於第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153上。
由於塗覆於畫素界定層110上之剝離層120之第四殘餘層124係由含有一氟化共聚物之一拒液性(liquid repellent)材料形成而形成畫素界定層110並不使用該拒液性材料,因此可以下文所述之一噴墨製程來形成第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153。
參照第12A圖,形成包含第一陽極101、第二陽極102及第三陽極103之複數個陽極於基板100上。形成環繞第一陽極至第三陽極101、102
及103之邊緣的畫素界定層110於基板100上。
參照第12B圖,形成含有一含氟聚合物之剝離層120於其中形成有第一陽極至第三陽極101、102及103以及畫素界定層110之基板100上。
參照第12C圖,形成光阻130於剝離層120上。透過一第四光罩M4在與畫素界定層110對應之一位置將光阻130暴露於光L,第四光罩M4包含使光L透射穿過之一第四區M44。接下來,將經過暴露之光阻130顯影。
參照第12D圖,光阻130具有一經圖案化形狀。自經過暴露及顯影之光阻130移除了處於與畫素界定層110對應之一位置之一第四區134,且使區139存留。
參照第12E圖,使用第12D圖所示光阻130之圖案來蝕刻剝離層120。
由於剝離層120包含一含氟聚合物,因此可使用能夠蝕刻一含氟聚合物之一溶劑作為一蝕刻劑。
可使用含有氟之一第一溶劑(圖中未顯示)作為該蝕刻劑。該第一溶劑可含有氫氟醚。
藉由蝕刻製程來蝕刻在與光阻130之第四區134(參見第12D圖)對應之一位置(亦即,位於畫素界定層110上方)形成之剝離層120。畫素界定層110上之剝離層120(參見第12D圖)未被完全蝕刻,而是被蝕刻成使剝離層120之一部分存留於畫素界定層110上,藉此形成剝離層120之第四殘餘層124。
在蝕刻剝離層120期間,含有氟之第一溶劑在剝離層120中且
在光阻130之第四區134(參見第12D圖)之一界面下方形成一第四底切輪廓UC4。
參照第12F圖,形成一蝕刻終止層154於第12E圖所示結構上。蝕刻終止層154防止設置於畫素界定層110上之剝離層120之第四殘餘層124在下文所述之剝離製程中被蝕刻。
參照第12G圖,相對於第12F圖所示結構來執行剝離製程。
由於剝離層120含有一含氟聚合物,因此在該剝離製程中使用含有氟之第二溶劑。由於該剝離製程係在蝕刻終止層154被形成之後執行,因此可使用對蝕刻終止層154具有一低反應性之一材料作為第二溶劑。如同第一溶劑中含有氫氟醚,第二溶劑亦可含有氫氟醚。
在形成於其中存留有光阻130之區139(參見第12E圖)下方之剝離層120被剝離時,形成於其中存留有光阻130之區139上之蝕刻終止層154被移除,且形成於剝離層120之第四殘餘層124上之蝕刻終止層154被作為一圖案而保留。蝕刻終止層154相對於剝離層120之第四殘餘層124充當一蝕刻終止件。
在剝離製程之後,可移除形成於剝離層120之第四殘餘層124上之蝕刻終止層154。
根據該剝離製程之一結果,剝離層120之第四殘餘層124形成於畫素界定層110上。
參照第12H圖,以一噴墨製程將包含一有機發光層之第一液滴至第三液滴IJR、IJG及IJB滴至第12G圖所示結構上。
參照第12I圖,第一有機發光層至第三有機發光層151、152
及153分別形成於第一陽極至第三陽極101、102及103上。
使用一噴墨製程進行之一製造製程較使用一沈積製程進行之一製造製程簡單,且因此,可降低一製造成本。為了藉由一噴墨製程來形成一有機發光層,可使畫素界定層110由含有氟之一拒液性材料形成。藉由使用含有氟之光阻進行一光微影製程來執行將含有氟之畫素界定層110圖案化。就此而言,該光阻係為昂貴的,且難以調整該圖案化所需之一氟含量及該噴墨製程所需之一氟含量。
在本例示性實施態樣中,由於含有一含氟聚合物且係為拒液性之剝離層120之第四殘餘層124被形成為環繞畫素界定層110而不必將畫素界定層110形成為含有氟之一拒液性層,因此畫素界定層110可輕易被圖案化。此外,可藉由噴墨製程在畫素界定層110之間輕易形成第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153其中之每一者。
第13圖係為根據一例示性實施態樣,藉由一製造方法所製造之一有機發光顯示裝置6之示意性剖視圖。
參照第13圖,根據本例示性實施態樣藉由該製造方法所製造之有機發光顯示裝置6可包含形成於基板100上之複數個陽極,包含第一陽極101、第二陽極102及第三陽極103。形成有環繞第一陽極至第三陽極101、102及103之邊緣的畫素界定層110。畫素界定層110界定一發光區,以防止第一陽極至第三陽極101、102及103與陰極180之間發生一短路。
含有一含氟聚合物之剝離層120之一第五殘餘層125設置於第一陽極至第三陽極101、102及103以及畫素界定層110上。第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153分別設置於第一陽極至第三陽極101、
102及103上,各該陽極係形成於畫素界定層110之間。作為一共用電極之陰極180被提供於第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153上。
由於含有一含氟聚合物且塗覆於畫素界定層110上之剝離層120之第五殘餘層125係為拒液性的,因此可藉由一噴墨製程來形成第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153,而無需以一拒液性材料來塗覆畫素界定層110。
由於含有一含氟聚合物之剝離層120之第五殘餘層125在例如第一陽極至第三陽極101、102及103與第一有機發光層至第三有機發光層151、152及153等非均質層間之一界面處形成複數個界面偶極,因此第一陽極至第三陽極101、102及103其中之每一者之一有效功函數得以增加且電子被侷限。因此,增加了一電荷平衡,以使一有機發光元件之外部量子效率可得以提高。此外,雖然在上述各圖中未例示,但上述有機發光顯示裝置1、2、3、4、5、6、及7可更包含一囊封構件,該囊封構件囊封有機發光層151、152及153。該囊封構件可係由一玻璃基板、一金屬箔片或一薄膜囊封層形成,該薄膜囊封層係由一無機層與一有機層混合而成。
根據上述例示性實施態樣,簡化了一有機發光顯示裝置之製造製程,且可防止圖案不對準問題。此外,可提高一有機發光顯示裝置之效率,且可延長一有機發光裝置之壽命。
雖然本文中已闡述某些例示性實施態樣及實施方案,但依據此說明,將明瞭其他實施例及潤飾。因此,發明性概念並不限於此等實施例,而是限於所提供申請專利範圍及各種顯而易見之潤飾及等效配置的更寬範圍。
S10~S70‧‧‧步驟
Claims (20)
- 一種製造一有機發光顯示裝置之方法,該方法包含下列步驟:形成含有一含氟聚合物之一剝離層於一基板上;形成一光阻於該剝離層上並藉由移除該光阻之一部分而將該光阻圖案化;使用一第一溶劑在其中該光阻被移除之一區中蝕刻該剝離層,以使該剝離層之一部分存留於該基板上;形成一蝕刻終止層於存留於該基板上之該剝離層上方、以及其中在該剝離層上存留有該光阻之一區上方;以及使用一第二溶劑在其中在該剝離層上存留有該光阻之該區下方移除該剝離層。
- 如請求項1所述之方法,更包含下列步驟:形成一第一電極於該基板上,以使該剝離層之一部分在該蝕刻步驟後存留於該第一電極上,在存留於該第一電極上之該剝離層上方以及其中在該剝離層上存留有該光阻之一區上方形成一有機功能層,該有機功能層包含一發光層作為該蝕刻終止層;以及形成一第二電極於該有機功能層上。
- 如請求項2所述之方法,其中該有機功能層包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層、及一電子注入層中之至少一個功能層。
- 如請求項2所述之方法,其中該形成該有機功能層之步驟係利用沈積來 執行。
- 如請求項2所述之方法,其中存留於該第一電極上之該剝離層之一厚度等於或大於約0.5奈米且等於或小於約5奈米。
- 如請求項2所述之方法,其中,在其中該光阻被移除之該區中蝕刻該剝離層之該步驟後,藉由乾式蝕刻來調整存留於該第一電極上之該剝離層之該厚度。
- 如請求項2所述之方法,其中存留於該第一電極上之該剝離層係直接形成於該第一電極之一表面上。
- 如請求項2所述之方法,更包含形成一電洞傳輸層於該第一電極與存留於該第一電極上之該剝離層之間,其中存留於該第一電極上之該剝離層接觸該電洞傳輸層之一表面。
- 如請求項2所述之方法,更包含形成一畫素界定層,該畫素界定層環繞該第一電極之一邊緣(edge),其中存留於該第一電極上之該剝離層之一部分接觸該畫素界定層之一表面。
- 如請求項2所述之方法,其中,在該形成該第二電極之前,該方法更包含在該形成該有機功能層之步驟中形成一輔助陰極。
- 如請求項1所述之方法,其中該含氟聚合物具有介於約20重量%至60重量%範圍之一氟含量。
- 如請求項1所述之方法,其中該第一溶劑含有氟。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二溶劑含有氟。
- 如請求項1所述之方法,更包含下列步驟:形成一第一電極於該基板上且形成一畫素界定層,該畫素界定層覆蓋該第一電極之一端部部分,以使該剝離層之一部分在該蝕刻步驟及該移除步驟之後存留於該畫素界定層上;形成一有機功能層,該有機功能層包含一發光層;以及形成一第二電極於該有機功能層上。
- 如請求項14所述之方法,其中該形成該有機功能層之步驟係為一噴墨製程。
- 一種製造一有機發光顯示裝置之方法,該方法包含下列步驟:形成複數個第一電極於一基板上並執行一第一單元製程,該第一單元製程包含下列步驟:形成含有一含氟聚合物之一剝離層於上面形成有該複數個第一電極之該基板上,形成一光阻於該剝離層上,並藉由一光微影製程在與該複數個第一電極其中之一對應之一位置移除該光阻;使用一第一溶劑蝕刻該剝離層,以使該剝離層之一部分存留於該複數個第一電極該其中之一上,該第一溶劑含有氟;形成一第一有機功能層於存留於該複數個第一電極該其中之一上之該剝離層上方、以及其中在該剝離層上存留有該光阻之一區上方,該第一有機功能層包含一發光層;以及 使用一第二溶劑移除形成於其中在該剝離層上存留有該光阻之該區中之該剝離層,該第二溶劑含有氟;在執行該第一單元製程之後,執行一第二單元製程至少一次,該第二單元製程係為:在其中形成有該複數個第一電極中不同於該複數個第一電極該其中之一的另一第一電極之一區中,形成一有機功能層,該有機功能層被配置成發出與由該第一有機功能層發出之光之顏色不同之一顏色的光;以及在執行該第一單元製程及該第二單元製程之後,形成一第二電極。
- 如請求項16所述之方法,其中在同一單元製程中,同時形成被配置成發出同一顏色之複數個有機發光層。
- 如請求項17所述之方法,其中該第二電極係作為一共用電極而一體地形成於該複數個有機發光層上。
- 如請求項16所述之方法,其中在該形成該第二電極之步驟之前,該方法更包含在該單元製程中形成該有機功能層之該過程中形成一輔助陰極。
- 一種由如請求項16所述之方法製造之有機發光顯示裝置。
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