CN112151690B - 有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显示装置，有机发光二极管包括：第一电极；第一发光层，所述第一发光层位于所述第一电极的一侧；电荷生成层，所述电荷生成层位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；第二发光层，所述第二发光层位于所述电荷生成层远离所述第一发光层的一侧；第二电极，所述第二电极位于所述第二发光层远离所述电荷生成层的一侧，并且所述第一电极和所述第二电极之间具有工艺转换层。由于该有机发光二极管设有一层工艺转换层，可以缓解甚至解决利用该有机发光二极管的显示面板在多个有机发光二极管之间出现漏电或串色的问题，保证了有机发光二极管在使用时电流保持稳定，器件稳定性较好。

Description

有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，具体地，涉及有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
目前，为了解决串联型器件内部的漏电和串色现象，一般通过大幅增高子像素间间隔层的高度，或者加上分隔柱，使子像素间发光层的横向漏流路径增长或切断。但若只使用此种作法，在高像素分辨率的显示器中，将会产生更多难以解决的负面作。例如：发光层器件上电极连接失效、发光层器件阴阳极漏电流、串联型发光层器件的电荷生成层和阴极或阳极出现漏电流进而造成亮度效率低、颜色偏差、某单元发光降低等问题。
因此，现阶段的有机发光二极管的结构设计仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本发明的第一方面，本发明提出了一种有机发光二极管。根据本发明的实施例，所述有机发光二极管包括：第一电极；第一发光层，所述第一发光层位于所述第一电极的一侧；电荷生成层，所述电荷生成层位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；第二发光层，所述第二发光层位于所述电荷生成层远离所述第一发光层的一侧；第二电极，所述第二电极位于所述第二发光层远离所述电荷生成层的一侧，并且所述第一电极和所述第二电极之间具有工艺转换层。由于该有机发光二极管设有一层工艺转换层，可以缓解甚至解决利用该有机发光二极管的显示面板在多个有机发光二极管之间出现漏电或串色的问题，保证了有机发光二极管在使用时电流保持稳定，器件稳定性较好。
另外，根据本发明上述实施例的有机发光二极管，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，形成所述工艺转换层的材料的电阻率大于103欧姆×米。由此，可利用该具有一定电阻率的工艺转换层防止第一电极、第二电极或其他较高导电特性的材料，如电荷生成层之间发生短路。
根据本发明的实施例，形成所述工艺转换层的材料包括绝缘的氧化物，所述工艺转换层的厚度为0.2～5纳米。由此，可在防止第一电极和第二电极之间发生短路的同时，避免工艺转换层影响该有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述工艺转换层位于两个有机材料层之间。由此，可进一步提高该有机发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述工艺转换层位于所述电荷生成层和所述第二发光层之间，或者位于所述第二发光层和所述第二电极之间。由此，可进一步提高该有机发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述第二电极是由金属材料形成的。由此，可进一步提高该有机发光二极管的性能。
在本发明的第二方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，所述显示面板包括基板；上述实施例的有机发光二极管。显示面板具有前述的有机发光二极管，由此该显示面板具有前面描述的有机发光二极管所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板在采用串联型有机发光二极管时可缓解甚至解决由于串联型有机发光二极管中的两个电极发生短路而导致的不良，防止多个有机发光二极管之间发生漏电，此外，有利于实现高PPI显示，使显示面板具有更好的画面表现。
另外，根据本发明上述实施例的显示面板，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述多个有机发光二极管之间具有像素界定结构。由此，可进一步提高该显示面板的使用性能。
根据本发明的实施例，所述显示面板的像素密度大于1000PPI。由此，可进一步提高该显示面板的使用性能。
在本发明的第三方面，本发明提出了一种制备有机发光二极管的方法。根据本发明的实施例，所述制备有机发光二极管的方法，包括：在第一电极的一侧形成第一发光层；在所述第一发光层远离所述第一电极的一侧形成电荷生成层；在所述电荷生成层远离所述第一发光层的一侧形成第二发光层；在所述第二发光层远离所述电荷生成层的一侧形成第二电极，并且在所述第一电极和所述第二电极之间形成工艺转换层，所述工艺转换层是由原子层沉积或溅射沉积形成的。该方法制备的有机发光二极管可以为前面描述的有机发光二极管，因此该方法获得的有机发光二极管可具有前述的有机发光二极管所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该方法可简便地获得有机发光二极管，且利用原子层沉积或溅射沉积形成的工艺转换层可填平第一发光层和第二发光层之间的结构的孔隙或凸起或由较高的像素界定结构造OLED器件膜层起伏不平整导致的漏电路径，进而可防止后续形成的第二发光层在孔隙或凸起等处发生短路。
另外，根据本发明上述实施例的制备有机发光二极管的方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，在两层由蒸镀工艺形成的有机层之间形成所述工艺转换层。由此，可进一步提高利用该方法形成的有机发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述工艺转换层是通过原子层沉积厚度为0.5-1.5纳米的氧化铝形成的，形成所述工艺转换层位于所述电荷生成层和所述第二发光层之间，或位于所述第二发光层和所述第二电极之间。由此，可进一步提高利用该方法形成的有机发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述第二电极是通过热蒸镀工艺形成的，所述第二电极由金属材料形成。由此，可进一步提高利用该方法形成的有机发光二极管的性能。
在本发明的第四方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，所述显示装置包括上述实施例的一种显示面板。具有上述实施例的显示面板，由此可以在保证高亮度和高效率的成像的基础上，具有较高的像素密度，由此本发明实施例的显示装置具有更加细致的画面表现，画面的颗粒感较低，给用户更好的使用感受。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的有机发光二极管的结构示意图；
图2显示了现有技术中的有机发光二极管的电子显微镜图；
图3显示了根据本发明一个实施例的有机发光二极管的结构示意图；
图4显示了根据本发明另一个实施例的有机发光二极管的结构示意图；
图5显示了根据本发明一个实施例中设有工艺转换层后的I-V曲线；
图6显示了根据本发明一个实施例中设有的有机材料层的结构示意图；
图7显示了根据本发明一个实施例的有机发光二极管的制备方法的流程示意图。
附图标记说明：
100有机发光二极管；
1第一电极；2第一发光层；21红色有机发光亚层；22蓝色有机发光亚层；3电荷生成层；
4第二发光层；41绿色有机发光亚层；5第二电极；6工艺转换层；
7隔离柱；
8第一空穴注入层；9第一空穴传输层；10第一电子传输层；
20第二空穴注入层；30第二空穴传输层；40第二电子传输层；50电子注入层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，如图1所示，本发明提出了一种有机发光二极管100。包括：第一电极1、第一发光层2、电荷生成层3、第二发光层4和第二电极5。
具体的，如图1所示，本发明实施例的有机发光二极管100，第一发光层2位于第一电极1的一侧，电荷生成层3位于第一发光层2远离第一电极1的一侧，也就是说，第一发光层2具有两侧，第一发光层2的一侧与第一电极1连接，第二发光层4的另一侧与电荷生成层3连接。相应的，第二发光层4位于电荷生成层3远离第一发光层2的一侧，即电荷生成层3也具有两侧，电荷生成层3的一侧与第一发光层2连接，则电荷生成层3的另一侧第二发光层4连接。第二发光层4的一侧与电荷生成层3连接后，第二电极5位于第二发光层4远离电荷生成层3的一侧，由此整个有机发光二极管100结构连接依次为第一电极1、第一发光层2、电荷生成层3、第二发光层4和第二电极5。
在本发明实施例的有机发光二极管100中，通过在第一电极1与第二电极5之间将第一发光层2与第二发光层4串联，形成串联型器件。通过设有两个发光层，两个发光层同时发光后，可以提升有机发光二极管100的整体的亮度。在第一电极1与第二电极5之间，设有一层工艺转换层6。通过设有工艺转换层6，可以在保证有机发光二极管100在保证高亮度和高效率的同时，有效的防止了有机发光二极管100内部的第一电极1或第二电极5产生的短路现象。
为了方便理解，下面首先对该有机发光二极管100能够实现上述有益效果的原理进行简单说明：
如前所述，随着对于显示面板的像素密度(即PPI)要求越来越高，像素密度在提升的同时，显示面板中的不同颜色的子像素之间的横向串色问题越来越严重，特别是对于具有较高亮度以及使用寿命需求的串联型器件，在串联型器件的有机发光二极管100中，设有电荷生成层3，会导致显示面板的各个子像素之间的横向漏电或串色问题越来越严重。
此外，现有的对于防止多个串联型的有机发光二极管100的子像素之间的横向串色或漏电问题，会采用大幅增高子像素之间的像素界定层(或称为隔离柱7、间隔层、PDL、Pillar、Rib)的高度，使子像素间发光层的横向漏流路径增长或切断。但是采用这种方式，在高像素密度的显示面板中，将会产生更多难以解决的负面效果。例如：发光层器件的第二电极5连接失效、发光层器件的第一电极1和第二电极5漏电流、串联型发光层器件的电荷生成层3与第一电极1或第二电极5出现漏电流进而造成亮度效率低、颜色偏差、某单元发光降低等等问题。
对于防止电荷生成层3的短路要设较高的像素界定层，像素界定层过高有上述缺陷，且会导致发光层不平坦，可参考图2(现有技术的电子显微镜图)，像素界定层的高度过高，会导致第二电极5的形貌发生扭曲，并且不平坦。进而导致在第二电极5不平坦时，会导致相邻两个子像素的有机发光二极管100的第二电极5之间发生接触，从而导致第二电极5短路。
由此，通过在本发明实施例的串联型的有机发光二极管100内部的两个发光层，即本发明实施例中的第一发光层2与第二发光层4之间设有一层工艺转换层6，因此可以在两个电极之间将不平坦区域填平，进而可以有效的保证有机发光二极管100的高亮度与高效率的同时，还可以防止各子像素之间的串色或漏电问题。
此外，在本发明的实施例中，可以设有多个发光层。也就是说，本发明实施例的有机发光二极管100，可以至少设有两个发光层，即第一发光层2和第二发光层4。在有机发光二极管100设有第一发光层2和第二发光层4之外，还可以设有多个发光层，并通过设有多个电荷生成层层，仍可以有效的防止有机发光二极管100在使用时各子像素之间发生串色漏电的问题。
在本发明实施例的一种有机发光二极管100中，形成工艺转换层6的材料的电阻率大于103欧姆×米。由此通过将工艺转换层6的电阻率设定为大于103欧姆×米可以保证工艺转换层6的电阻率较大，从而实现了工艺转换层6的导电性能较低，进而在两个电极之间采用工艺转换层6将不平坦区域填平的同时，工艺转换层6也不会导致两个电极之间出现漏电的现象。也就是说，可利用该具有一定电阻率的工艺转换层6防止第一电极1、第二电极5或其他较高导电特性的材料，如电荷生成层之间发生短路。
进一步的，如图1所示，形成工艺转换层6的材料包括绝缘的氧化物，厚度较小，小于10纳米，优选小于5纳米。具体地，工艺转换层6的厚度可以为0.2～5纳米。由此可知工艺转换层6的厚度较小，并且制成其的材料包括绝缘的氧化物。因此在工艺转换层6设于有机发光二极管100内部时，可以不考虑其对导电性的影响。其中绝缘的氧化物可以为氧化铝。由此提高串联型有机发光二极管100的器件电阻，即将有机发光二极管100的整体结构的电阻值提高。在现有技术中未设有工艺转换层的有机发光二极管使用时，其漏电处的电阻值较小，电流的整体变化幅度较大，由其在漏电处的电流增幅较大，很容易在有机发光二极管未被点亮之前先达到漏电的电压，导致漏电现象的产生。
而本申请中通过在第一电极1和第二电极5之间设有工艺转换层6，工艺转换层6的电阻率较大，因此本发明实施例的有机发光二极管100的整体电阻值较大，在使用时，整体的电流的增幅平缓，在达到器件的点亮电压之前不会导通发生漏电，因此有效的防止了有机发光二极管100的短路。此外，可在实现防止短路的同时，防止加设绝缘的工艺转换层6影响有机发光二极管100的性能。
在本发明的一种实施例中，工艺转换层6位于两个有机材料层之间。
具体地，参考图6所示，在串联型有机发光二极管100中，还可以包括第二电极5，如可以为阴极和第一电极1，如可以为阳极，阳极可以是ITO形成的。在第二电极5与第一电极1之间依次设有第二电子传输层40、第二发光层4，如可以为绿色有机发光层41、第一发光层2，如可包括红色有机发光亚层21和蓝色有机发光亚层22、第二空穴传输层30、第二空穴注入层2、电荷生成层3、第二电子传输层11、第二空穴传输层12和第二空穴注入层13。
其中有机材料层是通过蒸镀工艺产生的有机材料层，具体可以包括第一电子传输层8、第一发光层2，如可以为绿色有机发光层21、第二发光层4，如可包括红色有机发光亚层41和蓝色有机发光亚层42、第一空穴传输层9、第一空穴注入层10、电荷生成层3、第二电子传输层11、第二空穴传输层12和第二空穴注入层13。由此通过在两个有机材料之间设有工艺转换层6，可以在蒸镀过程中，要填平、改变缺陷(defect)、pin hole、底切(undercut)等等样貌，则可以利用插入不同的工艺转换层6来实现，以及利用不同工艺沉积原理的不同来实现，防止器件使用时发生漏电、串色或者单元少色等颜色缺失的问题。
如图1所示，在本发明的另一种实施例中，工艺转换层6可以位于电荷生成层3和第二发光层4之间。电荷生成层3中通常含有导电成分，该层的载流子迁移率较高，载流子容易在该位置处发生横向迁移，因此在利用该有机发光二极管100形成显示面板时，容易导致与其相邻的另一个有机发光二极管100也被点亮。因此在该位置设置工艺转换层6，可以有效对电流值进行稳定，保证了有机发光二极管100的维持高亮度和高效率的同时，有效防止了子像素间的漏电或串色问题。
如图4所示，在本发明的再一种实施例中，工艺转换层6可以位于第二发光层4和第二电极5之间。如前所述，第二电极5容易在像素界定层形成的凸起处发生短路，因此在第二发光层4和第二电极5之间设置工艺转换层6时，可以有效的对各点的电流值进行稳定，保证了有机发光二极管100的维持高亮度和高效率的同时，有效防止了子像素间的漏电或串色问题。
第二电极5是由金属材料形成的，由此可以保证有机发光二极管100的使用效果。
综上，根据本发明的实施例，本发明提出了有机发光二极管100，在有机发光二极管100中，设有一层工艺转换层6，可以保证有机发光二极管100内部串联的第一发光层2与第二发光层4之间的出现漏电或串色的问题，保证了有机发光二极管100在使用时电流保持稳定。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示面板，包括：基板和多个位于基板上的有机发光二极管，有机发光二极管是上述实施例中的有机发光二极管。基板可以对多个有机发光二极管进行稳定的支撑。
通过设有多个上述实施例中的有机发光二极管，既可以保证显示面板的使用高亮度以及高效率，还可以有效的保证显示面板的稳定使用，防止显示面板使用时发生漏电或者串色的问题。
进一步的，多个有机发光二极管之间具有像素界定结构，通过设有像素界定结构，可以将多个有机发光二极管间隔开，有效的保证了显示面板的稳定使用。
此外，由于具有工艺转换层，因此在设置像素界定结构时，像素界定层的高度可根据实际需要进行选择，而无需考虑像素界定结构是否过高导致有机层平坦性变差而引起第二电极短路。
更进一步的，显示面板的像素密度大于1000PPI，显示面板的PPI越大，即显示面板的像素分辨率越高，整体的显示面板的画面精细程度越高，显示面板的整体的画面表现越好，颗粒感较低，具有更加真实的画面感。由于具有工艺转换层，因此一方面多个有机发光二极管之间的间隔可减小，从而有利于实现高PPI显示。
综上，根据本发明的实施例，本发明提出了显示面板，显示面板具有上述实施例的有机发光二极管，由此在多个有机发光二极管串联时，并不会影响显示面板的显示效果，设有的像素界定层有效的防止多个有机发光二极管之间发生漏电或串色的问题，此外，也有效的保证了显示面板的高PPI，使显示面板具有更好的画面表现。
在本发明的再一个方面，本发明提出了一种制备有机发光二极管100的方法，如图7所示，该方法制备的有机发光二极管100为前面描述的，由此由于该有机发光二极管100设有一层工艺转换层6，可以缓解甚至解决利用该有机发光二极管100的显示面板在多个有机发光二极管100之间出现漏电或串色的问题，保证了有机发光二极管100在使用时电流保持稳定，器件稳定性较好。
具体地，参照图2所示，在现有的有机发光二极管100中，在有像素界定层或隔离柱7等结构的显示面板中，蒸镀层的形貌会直接受到像素界定层或隔离柱7的形貌的影响。该方法在第一电极1和第二电极5之间形成工艺转换层6，工艺转换层6是由原子层沉积或溅射沉积形成的。由此可知，工艺转换层6在设于有机发光二极管100中时，可以均匀的铺设于有机发光二极管100内部，并且由于其厚度较小，铺设时的厚度可以更加的精确，不会导致有机发光二极管100内部的每层之间的扭曲变形。并且，该方法可简便地获得有机发光二极管100，且利用原子层沉积或溅射沉积形成的工艺转换层6可填平第一发光层2和第二发光层4之间的结构的孔隙或凸起或由较高的像素界定结构造OLED器件膜层起伏不平整导致的漏电路径，进而可防止后续形成的第二发光层4在孔隙或凸起等处发生短路。
根据本发明的一些示例，可在两个有机层之间形成工艺转换层。具体地参考图7，该方法可包括以下步骤：
S100：在第一电极的一侧形成第一发光层
在此步骤中，第一发光层可以通过蒸镀工艺进行加工，蒸镀工艺可以在第一发光层上成膜，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。
S200：在第一发光层远离第一电极的一侧形成电荷生成层
在此步骤中，电荷生成层可以的导电性较高，因此可以显著的提升有机发光二极管的整体的性能。
S300：在电荷生成层远离第一发光层的一侧形成第二发光层
在此步骤中，通过设有第一发光层后，再设有第二发光层，可以有效的提升有机发光二极管的整体的亮度，进一步的提升了有机发光二极管的性能。
S400：在第二发光层远离电荷生成层的一侧形成第二电极，并且在第一电极和第二电极之间形成工艺转换层，工艺转换层是由原子层沉积或溅射沉积形成的。
在此步骤中，在两层由蒸镀工艺形成的有机层之间形成工艺转换层。由于单个原子的直径较小，因此通过原子沉积或溅射形成的工艺转换层可更好地填充有机层的缝隙以及凹凸不平处，进而防止后续形成的电极结构发生短路。并且，原子沉积或溅射形成的工艺转换层可以在整体厚度较小的同时起到防止短路的作用，铺设后的精确度高，通过铺设多层原子层并形成工艺转换层，可以使工艺转换层对不平坦区域进行较好的填平，进而可以防止工艺转换层过厚而导致器件整体电阻显著增加。
通过使用该方法制备的有机发光二极管，可以保证有机发光二极管中的多个发光层串联后，保证制得的有机发光二极管可以产生高亮度和高效率的同时，保证了有机发光二极管的稳定使用，防止在其子像素之间的产生漏电或串色的问题，并且也避免了由于设有过高导致的问题。其中，工艺转换层是通过原子层沉积厚度为0.5-1.5纳米的氧化铝形成的，也就是说，工艺转换层是通过使用导电性能较差的金属氧化物制成的厚度较小的薄层，可不考虑其导电性对器件性能的负面影响。
根据本发明的另一些实施例，参考图3，工艺转换层还可以位于第一发光层和电荷生成层之间。由此，工艺转换层的前后两层均为具有蒸镀工艺形成的有机层，可以保证蒸镀工艺产生的有机层之间的通过设有工艺转换层，有效防止了有机层之间产生漏电现象。
或者，参考图4，工艺转换层还可以位于第二发光层和第二电极之间。第二电极可以是通过热蒸镀工艺形成的，具体地第二电极由金属材料形成。通过使用热蒸镀工艺形成第二电极，可以保证第二电极的稳定使用，保证了有机发光二极管的正常使用。在通过蒸镀工艺形成第二电极之前，预先形成工艺转化层可以防止由于第二发光层朝向第二电极一侧的表面褶皱或具有缝隙而导致的电极金属在褶皱或缝隙处堆积而导致的断路等不良。
综上，根据本发明的实施例，本发明提出了制备有机发光二极管100的方法，通过该方法制备的有机发光二极管100，通过设有的工艺转换层6，即可实现对与有机发光二极管100之间的串联的器件之间的分隔，保证了有机发光二极管100具有较高亮度，较高效率的同时，不会影响其它各层之间的形貌，并且制得的有机发光二极管100的器件电压上升幅度小，对于串联型的器件效果显著。如前所述，前述的有机发光二极管100可利用工艺转换层6防止短路，进而在形成有机发光显示面板时，无需增大多个有机发光二极管100之间的间距或是增高像素界定层的高度，进而有利于制备高PPI的显示面板。
在本发明的还一个方面，本发明提出了一种显示装置，包括上述实施例的显示面板。
综上，根据本发明的实施例，本发明提出了显示装置，具有上述实施例的显示面板，通过由此可以在保证高亮度和高效率的成像的基础上，具有较高的像素密度，由此本发明实施例的显示装置具有更加细致的画面表现，画面的颗粒感较低，给用户更好的使用感受。
本发明并不限于此，工艺转换层6的制作可以通过多种工艺进行，可以使ALD工艺，也可以是溅射工艺。在本发明实施例中，工艺转换层6的制作优选采用ALD制作工艺，沉积、成膜工艺中产生了缺陷(defect)、针孔(pin hole)、底切(undercut)等现象，即使是更换材料，但由于沉积原理方式是相同的，膜的形成往往仍会维持原有形貌继续沉积。
在上文中提到，若在蒸镀过程中，要填平、改变缺陷(defect)、pin hole、底切(undercut)等等样貌，则可以利用插入不同工艺来实现，利用不同工艺沉积原理的不同来实现。例如本发明的实施例中，可以采用填平细缝、包覆凸起能力较好的ALD工艺。ALD工艺的优点在于形成的层较薄，精度较高，由此可以在形成工艺转换层6时，进行多层逐渐叠加的方式，并且可以找出特殊的材料、参数来实现。使器件漏电、串色、某单元的颜色缺失的问题解决，同时器件基本光电特性(效率、亮度、电压)也不影响甚至提升。
此外需要说明的是，在上文中所说的间隔层或分隔柱均在图1中均以隔离柱7表示。
下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品，所使用的试剂均可以从市场上购得或者可以通过本发明所描述的方法制备而得。
实施例1
一种有机发光二极管100，设有工艺转换层6，工艺转换层6位于电荷生成层3和第二发光层4之间，厚度为5纳米，结构如图1所示。
实施例2
制备有机发光二极管100，设有工艺转换层6，工艺转换层6位于第二发光层4和第二电极5之间，厚度为5纳米，结构如图4所示。
对比例
有机发光二极管100，未设有工艺转换层6。
对比分析对实施例1、2和对比例的性能进行测试。参考图5中所示的I-V曲线中可以看到，在对比例中未设有工艺转换层6的有机发光二极管100使用时，其漏电处的电阻值较小，电流的整体变化幅度较大，由其在漏电处的电流增幅较大，很容易在有机发光二极管未被点亮之前先达到漏电的电压，导致漏电现象的产生，而实施例1和2则未出现上述不良。
具体地，制备多个实施例1-实施例2、对比例中的OLED，并将其置于一个基板上进行测试。针对上表1-表3，对实施例1和对比例的对比结果分析。表1中，V代表电压，CE代表测试点的电流效率，J代表电流密度，L代表器件的亮度。
实施例1与对比例的测试结果见下表1-表3，其中，表1是单个有机发光二极管的测试数据，表2和表3是多个对比例和实施例1中的有机发光二极管设置于一个基板上测试的数据表。
表1
V(V) CE(cd/A) J(mACm2) L(cd/m2)
对比例 8.27 30.4 20 6076
本发明实施例1 8.25 30.6 20 6111
表2
表3
针对上表1-表3，对实施例1和对比例的对比结果分析。表1中，V代表电压，CE代表测试点的电流效率，J代表电流密度，L代表器件的亮度。如表1所示，经过测试后可知，工艺转换层6对于电压、电流效率、器件亮度均无显著的负面影响，并且其中电流效率和器件亮度的数值还稍有提升。
在将对比例与实施例1选取6点进行测量后，得到表2和表3的数据。
由此可知，通过在全基板的不同位置进行测量，在低电压下二极管未完全开启的电流值如表格所示。在5V测量下基准电流，在未设有工艺转换层6时，即对比例中，基板各处的点的电流值相差较大，进而导致电流的平均值较大。而在设有工艺转换层6的情况下，即实施例1的数据表中，对各点的电流进行测量，各点之间的电流数值分布较为平均，电流值收敛，并且电流平均值与各点之间的数值相差较小，从而可以使有机发光二级管的整体使用稳定性提升。
由此可知，在设有工艺转换层6时，可以有效的对各点的电流值进行稳定，保证了有机发光二极管100的维持高亮度和高效率的同时，有效防止了子像素间的漏电或串色问题。
对实施例2和对比例的性能进行测试。具体地，制备多个实施例1-实施例2、对比例中的OLED，并将其置于一个基板上进行测试。针对上表4-表6，对实施例2和对比例的对比结果分析。表4中，V代表电压，CE代表测试点的电流效率，J代表电流密度，L代表器件的亮度。
实施例2与对比例的测试结果见下表4表6，其中，表4是单个有机发光二极管的测试数据，表5和表6是多个对比例和实施例2中的有机发光二极管设置与一个基板上测试的数据表。
表4
V(V) CE(cd/A) J(mACm2) L(cd/m2)
对比例 8.27 30.4 20 6076
本发明实施例1 8.25 30.6 20 6111
表5
表6
针对上表4-表6，对实施例1和对比例的对比结果分析。表4中，V代表电压，CE代表测试点的电流效率，J代表电流密度，L代表器件的亮度。如表4所示，经过测试后可知，工艺转换层6对于电压、电流效率、器件亮度均无显著的负面影响，并且其中电流效率和器件亮度的数值还稍有提升。
在将对比例与实施例2选取5点进行测量后，得到表5和表6的数据。
由此可知，通过在全基板的不同位置进行测量，在低电压下二极管未完全开启的电流值如表格所示。在5V测量下基准电流，在未设有工艺转换层6时，即对比例中，基板各处的点的电流值相差较大，进而导致电流的平均值较大。而在设有工艺转换层6的情况下，即实施例2的数据表中，对各点的电流进行测量，各点之间的电流竖直分布较为平均，电流值收敛，并且电流平均值与各点之间的数值相差较小，从而可以使有机发光二级管的整体使用稳定性提升。
由此可知，在设有工艺转换层6时，可以有效的对各点的电流值进行稳定，保证了有机发光二极管100的维持高亮度和高效率的同时，有效防止了子像素间的漏电或串色问题。
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (13)

1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：
第一电极；
第一发光层，所述第一发光层位于所述第一电极的一侧；
电荷生成层，所述电荷生成层位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；
第二发光层，所述第二发光层位于所述电荷生成层远离所述第一发光层的一侧；
第二电极，所述第二电极位于所述第二发光层远离所述电荷生成层的一侧，
并且所述第一电极和所述第二电极之间具有工艺转换层；
所述工艺转换层是通过原子层沉积，工艺转换层的材料的电阻率大于103欧姆×米，所述工艺转换层的厚度为0.2～5纳米。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，形成所述工艺转换层的材料包括绝缘的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述工艺转换层位于两个有机材料层之间。
4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述工艺转换层位于所述电荷生成层和所述第二发光层之间，或者位于所述第二发光层和所述第二电极之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二电极是由金属材料形成的。
6.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
多个位于所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管是权利要求1-4任一项所述的。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多个有机发光二极管之间具有像素界定结构。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的像素密度大于1000PPI。
9.一种制备有机发光二极管的方法，其特征在于，包括：
在第一电极的一侧形成第一发光层；
在所述第一发光层远离所述第一电极的一侧形成电荷生成层；
在所述电荷生成层远离所述第一发光层的一侧形成第二发光层；
在所述第二发光层远离所述电荷生成层的一侧形成第二电极，
并且在所述第一电极和所述第二电极之间形成工艺转换层，所述工艺转换层是由原子层沉积或溅射沉积形成的；
所述工艺转换层的材料的电阻率大于103欧姆×米，所述工艺转换层的厚度为0.2～5纳米。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在两层由蒸镀工艺形成的有机层之间形成所述工艺转换层。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述工艺转换层是通过原子层沉积厚度为0.5-1.5纳米的氧化铝形成的，形成所述工艺转换层位于所述电荷生成层和所述第二发光层之间，或位于所述第二发光层和所述第二电极之间。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二电极是通过热蒸镀工艺形成的，所述第二电极由金属材料形成。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-8任一项所述的显示面板。
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