TW201714721A - 基板分斷裝置及基板分斷方法 - Google Patents

基板分斷裝置及基板分斷方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201714721A
TW201714721A TW105111475A TW105111475A TW201714721A TW 201714721 A TW201714721 A TW 201714721A TW 105111475 A TW105111475 A TW 105111475A TW 105111475 A TW105111475 A TW 105111475A TW 201714721 A TW201714721 A TW 201714721A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
pressing
end portion
adsorption
stage
Prior art date
Application number
TW105111475A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI698319B (zh
Inventor
西尾仁孝
高松生芳
上野勉
Original Assignee
三星鑽石工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星鑽石工業股份有限公司 filed Critical 三星鑽石工業股份有限公司
Publication of TW201714721A publication Critical patent/TW201714721A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI698319B publication Critical patent/TWI698319B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67733Overhead conveying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

在貼合基板之分斷時,壓入量之最佳範圍較大,能確實地形成良好之裂縫,且能容易地除去端材。此裝置係貼合基板G之分斷裝置,該貼合基板G具有於表面形成有用於將端部切離之刻劃線S之第1基板G1、以及貼合於第1基板G1之背面之第2基板G2。該分斷裝置具備按壓部11以及吸附部12。按壓部11自第1基板G1側按壓成為端材之端部GL,以沿刻劃線S將端部GL分斷。吸附部12吸附以按壓部11分斷之端部GL,以自第1基板G1取出端部GL。

Description

基板分斷裝置及基板分斷方法
本發明係關於一種基板分斷裝置,特別係關於一種貼合基板之分斷裝置,該貼合基板具有於表面形成有用於將端部切離之刻劃線之第1基板、以及貼合於該第1基板之背面之第2基板。此外,本發明係關於一種基板分斷方法。
液晶裝置係藉由貼合基板構成,該貼合基板係以使液晶層介於其間之方式以密封材貼合第1基板與第2基板而成者。該貼合基板以生產性觀點來看,首先被製作成大片狀態,再藉由將其分斷得到複數個貼合基板。若詳細說明此分斷方法,則係先於貼合基板之第1基板側之面形成刻劃線,接著自第2基板側按壓貼合基板使其彎曲,進而使第1基板沿刻劃線裂斷。而後於貼合基板之第2基板側之面形成刻劃線,接著自第1基板側按壓貼合基板使其彎曲,進而使第2基板沿刻劃線裂斷。
於以上方法中,在裂斷第1基板後,需要使貼合基板之表背面反轉,再進行第2基板之裂斷。專利文獻1中揭示了一種不需像這樣使貼合基板之表背面反轉之裝置。
專利文獻1之裝置具備第1裂斷單元及第2裂斷單元。並且,藉由搬送單元搬送之貼合基板,首先藉由第1裂斷單元裂斷第1基板,接著藉由第2裂斷單元裂斷第2基板。如此,藉由並列配置於搬送方向之 第1裂斷單元及第2裂斷單元,不需使貼合基板之表背面反轉,即能裂斷第1基板及第2基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-200940號公報。
於專利文獻1之裝置中,第1裂斷單元及第2裂斷單元在上下方向之對向位置具有裂斷棒與備用棒。然而,於此種使用裂斷棒與備用棒之方法中,裂斷棒之壓入量之最佳範圍狹小。例如,於厚度為0.2mm之玻璃基板中,最佳壓入量為0.2mm~0.3mm。並且,若壓入量較此範圍淺,則不會形成裂縫,反之若較深,則有非預期形狀之裂縫形成至相反側之基板為止之情況。
本發明之課題在於,在貼合基板之分斷時,壓入量之最佳範圍較大,能確實地形成良好之裂縫,且能容易地除去端材。
(1)本發明一方面提供一種基板分斷裝置,其係貼合基板之分斷裝置,該貼合基板具有於表面形成有用於將端部切離之刻劃線之第1基板、以及貼合於該第1基板之背面之第2基板。該分斷裝置具備按壓部以及吸附部。按壓部自第1基板側按壓端部,以沿刻劃線將端部分斷。吸附部吸附以按壓部分斷之端部,以自第1基板取出端部。
此裝置,並非如現有技術般自與形成有刻劃線之側相反之側進行按壓,反之係自形成有刻劃線之側按壓基板。並且,利用吸附部吸附藉由按壓而分斷之端部,並自基板取出。
藉由此種分斷,與現有技術相比,壓入量之最佳範圍較大,能確實地形成良好之裂縫。此外,藉由吸附部,能容易地自基板除去已分斷之端部。
(2)較佳為,該裝置更具備載置有貼合基板之載台、以及能相對於載台往水平方向及上下方向相對移動之頭部。並且,按壓部及吸附部配置於頭部。於此,按壓部及吸附部係作為一體設於頭部,因此可使裝置小型化。
(3)較佳為,貼合基板係以刻劃線位於較載台之端部更外側之方式載置於載台上。於此,藉由以按壓部按壓端部,能沿刻劃線容易地進行分斷。
(4)較佳為,按壓部具有按壓端部之按壓面,吸附部具有形成為較按壓面往貼合基板側突出且吸附端部之吸附面。
於此,若將按壓部之按壓面與吸附部之吸附面設定為相同高度(亦即同一平面),則在以吸附部吸附已分斷之端部時,按壓部會與基板之其他部分之表面接觸。此時,按壓部所接觸之基板表面有損傷之虞。
據此,與按壓面相比,使吸附面較為突出。如此,在藉由吸附部之吸附面吸附端部時,能避免按壓部之按壓面碰到基板表面。
(5)較佳為,按壓部係由按壓端部時能彈性變形之彈性構件形成。
(6)較佳為,吸附部係由多孔介質材料形成。
(7)本發明一方面提供一種基板分斷方法,其係貼合基板之分斷方法,該貼合基板具有於表面形成有用於將端部切離之刻劃線之第1基板、以及貼合於該第1基板之背面之第2基板。並且,該方法包括以下步驟。
a:以使第1基板位於上方,且刻劃線位於較載台之端部更外側之方式將貼合基板載置於載台上之步驟。
b:自上方按壓第1基板之端部,以沿刻劃線將端部分斷之步驟。
c:吸附以按壓部分斷之端部,自第1基板取出端部之步驟。
如上所述之本發明,在貼合基板之分斷時,壓入量之最佳範圍較大,能確實地形成良好之裂縫,且能容易地除去端材。
1‧‧‧頭部
2‧‧‧載台
11‧‧‧按壓部
11a‧‧‧按壓面
12‧‧‧吸附部
12a‧‧‧吸附面
G‧‧‧貼合基板
G1‧‧‧第1基板
G2‧‧‧第2基板
GL‧‧‧端材
S‧‧‧刻劃線
圖1係本發明一實施形態之基板分斷裝置之示意圖。
圖2係用以說明基板分斷方法之按壓步驟之示意圖。
圖3係用以說明基板分斷方法之基板移動步驟之示意圖。
圖4係用以說明基板分斷方法之吸附步驟之示意圖。
圖5係用以說明基板分斷方法之端材取出步驟之示意圖。
圖6係用以說明基板分斷方法之端材排出步驟之示意圖。
圖1係本發明一實施形態之基板分斷裝置之示意圖。此裝置係用於除去位於貼合基板G之一方表面之端部之端材GL之裝置。貼合基板G如圖1所示,由第1基板G1、以及貼合於第1基板G1之第2基板G2構成。於此,於第1基板G1之表面形成有刻劃線S,端材GL沿此刻劃線S被除去。
分斷裝置具有複數個頭部1、以及載台2。複數個頭部1於圖1之紙面垂直方向並列支撐於未圖示之門架等支撐機構。各頭部1藉由驅動機構M1而昇降自如,且具有按壓部11、以及吸附部12。載台2以第1基板G1位於上方之方式載置有貼合基板G。又,貼合基板G係以端材GL位於較載台2之端面更外側之方式,即端材GL之下方不存在載台2之載置面之方式配置。載台2藉由包含驅動馬達或導引機構等之驅動機構M2而能移動於圖1之左右方向。
頭部1之按壓部11對貼合基板G,自第1基板G1側按壓端材GL。藉此,端材GL沿刻劃線S被分斷。按壓部11由剛性較第1基板G1低之樹脂等形成。因此,按壓部11在按壓端材GL時能彈性變形。
吸附部12配置於按壓部11之側方(沿載台2之移動方向之側方)。吸附部12由多孔介質材料形成,透過設於頭部1內部之通路等及外部配管3連接於真空泵P。
按壓部11之下面成為與端材GL接觸並往下方按壓之按壓面11a。又,吸附部12之下面形成為較按壓面11a往下方(第1基板G1側)突出,且成為吸附端材GL之吸附面12a。
接著,說明自貼合基板G分斷第1基板G1之端材GL,並 自第1基板G1取出已分斷之端材GL之方法。
首先,準備貼合第1基板G1及第2基板G2而成之貼合基板G,藉由未圖示之刻劃線形成裝置,於第1基板G1之表面(未貼合第2基板G2之側之面)形成刻劃線S。
接著,將貼合基板G載置於載台2之載置面。於此,在將貼合基板G載置於載台2上時,以如下方式載置。即如圖1所示,以使於表面形成有刻劃線之第1基板位於上方,且刻劃線S及端部(成為端材之部分)GL位於較載台2之載置面更外側之方式配置貼合基板G。進一步以端材GL位於頭部1之按壓部11之正下方,且遠離吸附部12之方式(以頭部1下降時,吸附部12不與端材GL接觸之方式)進行配置。
接著,如圖2所示,使頭部1下降,並藉由按壓部11將端材GL往下方按壓。此時,由於端材GL之下方不存在載台2之載置面,因此藉由以按壓部11按壓端材GL部分,於第1基板G1以刻劃線S為起點形成裂縫,端材GL被完全切割。
其後,如圖3所示,使頭部1上升,而後進一步使載台2往圖3之左方向移動。此時,以使頭部1之吸附部12位於端材GL之正上方之方式移動載台2。
接著,如圖4所示,使頭部1下降,使吸附部12抵接於端材GL。藉此,端材GL被吸附保持於吸附部12。於此狀態下,如圖5所示,使頭部1上升。藉此,自第1基板G1切離基材GL。
其後,如圖6所示,使載台2後退(往圖之右方向移動),以使貼合基板G自頭部1之下方退出。接著,只要解除以吸附部12進行之 吸附,端材GL即落下至端材置放處。
於如上所述本實施形態之方法中,例如,於貼合基板之厚度為0.2mm之情況,壓入量之最佳範圍,相較習知方法中之0.2mm~0.3mm,擴大至0.2mm~0.5mm。
又,由於使按壓面11a與吸附面12a之高度不同,並使吸附面12a位於較下方處,因此於藉由吸附部12吸附端材GL時,能避免按壓面11a接觸第1基板G1之表面。據此,能避免第1基板G1之表面因按壓部11而損傷。
[其他實施形態]
本發明不限定於如上所述實施形態,可在不脫離本發明之範圍內進行各種變形或修正。
於前述實施形態中,雖將按壓部及吸附部設於單一頭部,但按壓部及吸附部亦可設於不同構件。
1‧‧‧頭部
2‧‧‧載台
3‧‧‧外部配管
11‧‧‧按壓部
11a‧‧‧按壓面
12‧‧‧吸附部
12a‧‧‧吸附面
G‧‧‧貼合基板
G1‧‧‧第1基板
G2‧‧‧第2基板
GL‧‧‧端材
S‧‧‧刻劃線
P‧‧‧真空泵
M1、M2‧‧‧驅動機構

Claims (7)

  1. 一種基板分斷裝置,其係貼合基板之分斷裝置,該貼合基板具有於表面形成有用於將端部切離之刻劃線之第1基板、以及貼合於前述第1基板之背面之第2基板,該分斷裝置具備:按壓部,自前述第1基板側按壓前述端部,以沿前述刻劃線將前述端部分斷;以及吸附部,吸附以前述按壓部分斷之前述端部,以自前述第1基板取出前述端部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板分斷裝置,其更具備:載台,載置有貼合基板;以及頭部,能相對於前述載台往水平方向及上下方向相對移動;其中,前述按壓部及前述吸附部配置於前述頭部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板分斷裝置,其中,前述貼合基板係以前述刻劃線位於較前述載台之端部更外側之方式載置於前述載台上。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板分斷裝置,其中,前述按壓部具有按壓前述端部之按壓面,前述吸附部具有形成為較前述按壓面往前述貼合基板側突出且吸附前述端部之吸附面。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板分斷裝置,其中,前述按壓部係由按壓前述端部時能彈性變形之彈性構件形成。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板分斷裝置,其中,前述吸附部係由 多孔介質材料形成。
  7. 一種基板分斷方法,其係貼合基板之分斷方法,該貼合基板具有於表面形成有用於將端部切離之刻劃線之第1基板、以及貼合於前述第1基板之背面之第2基板,該方法包括以下步驟:以使前述第1基板位於上方,且前述刻劃線位於較載台之端部更外側之方式將前述貼合基板載置於載台上之步驟;自上方按壓前述第1基板之端部,以沿前述刻劃線將前述端部分斷之步驟;以及吸附以前述按壓部分斷之前述端部,自前述第1基板取出前述端部之步驟。
TW105111475A 2015-07-03 2016-04-13 基板分斷裝置及基板分斷方法 TWI698319B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP2015-134087 2015-07-03
JP2015134087A JP6582630B2 (ja) 2015-07-03 2015-07-03 基板分断装置及び基板分断方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201714721A true TW201714721A (zh) 2017-05-01
TWI698319B TWI698319B (zh) 2020-07-11

Family

ID=57726358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105111475A TWI698319B (zh) 2015-07-03 2016-04-13 基板分斷裝置及基板分斷方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6582630B2 (zh)
KR (1) KR20170004841A (zh)
CN (1) CN106316089B (zh)
TW (1) TWI698319B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017095294A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板分断装置
JP2019107779A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 ピックアップユニット
JP2019109292A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 端材除去装置、及び、端材除去方法
KR102023453B1 (ko) * 2018-03-28 2019-09-20 주식회사 카이테크 기판 분할 장치 및 기판 분할 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06205757A (ja) * 1993-01-07 1994-07-26 Hitachi Ltd 核磁気共鳴検査装置
JPH06305757A (ja) * 1993-04-16 1994-11-01 Citizen Watch Co Ltd 表示パネル用基板ガラス分割装置
JP3088327B2 (ja) * 1997-03-24 2000-09-18 鹿児島日本電気株式会社 ガラス基板分断方法
JP2001163642A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Toyota Autom Loom Works Ltd 貼り合わせガラスパネルの取り出し装置
JP2007156310A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶パネルの製造方法
KR100959104B1 (ko) * 2008-07-16 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 패널 절단 장치
JP6205757B2 (ja) 2013-03-07 2017-10-04 オムロン株式会社 制御システム、制御装置、画像処理装置、および、制御方法
JP6163341B2 (ja) 2013-04-02 2017-07-12 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレイク装置
JP2014214054A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の加工装置
JP6105414B2 (ja) * 2013-07-08 2017-03-29 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106316089B (zh) 2021-04-02
CN106316089A (zh) 2017-01-11
JP6582630B2 (ja) 2019-10-02
KR20170004841A (ko) 2017-01-11
JP2017013418A (ja) 2017-01-19
TWI698319B (zh) 2020-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101596461B1 (ko) 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법
TW201714721A (zh) 基板分斷裝置及基板分斷方法
US8029879B2 (en) Display device having pair of glass substrates and method for cutting it
JP5210409B2 (ja) ブレイク装置
JP4996703B2 (ja) 基板分断装置
TWI623402B (zh) 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置
KR20040033245A (ko) 취성재료기판의 브레이크 방법, 그 장치 및 가공장치
JP2015013783A (ja) 貼り合わせ基板の加工装置
TWI613057B (zh) 基板分斷裝置
KR20190072464A (ko) 픽업 유닛
JP2009071195A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP2005302932A (ja) チップの分離装置
JP2009083079A (ja) 貼合せ基板の分断装置および貼合せ基板の分断方法
JP2014214054A (ja) 貼り合わせ基板の加工装置
JP2017001191A (ja) 貼り合わせ基板の分断装置
JP2021031357A (ja) 分断方法および分断装置
WO2010052760A1 (ja) チップ剥離方法、半導体装置の製造方法、及びチップ剥離装置
KR20180002443U (ko) 스크랩 제거 장치
CN112026331B (zh) 一种泡棉离型纸剥离机构及其剥离方法
JP2001255518A (ja) 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子の製造装置
JP5181949B2 (ja) 可撓性板状体の分離取得方法および分離取得装置
JP2017001190A (ja) 貼り合わせ基板の分断装置
JP2014107459A (ja) 半導体チップのピックアップ装置
TW201811692A (zh) 基板分斷裝置及基板分斷方法
KR20050113936A (ko) 반도체 다이 픽업 장치 및 방법