TW201710463A - 玻璃及陶瓷研磨用組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種玻璃及陶瓷研磨用組成物，其對CMP研磨的適用性佳、因研磨材料粒子為均勻的粒度而不會有產生變質或變形的可能、可穩定地發揮更佳的研磨特性、不易產生研磨傷痕而得到表面缺陷少的良好平滑面，並且可適用於酸性範圍至鹼性範圍的範圍廣的研磨條件。該玻璃及陶瓷研磨用組成物包含研磨材料，其為藉由二氧化矽被覆表面的至少一部分之氧化鈦粒子。

Description

玻璃及陶瓷研磨用組成物
本發明係關於一種使用於研磨而平滑化由玻璃或陶瓷形成的元件表面的研磨用組成物。
近年來與電子機械相關的技術顯著地進步，使用的部件或元件的高集成化、微型化、反應的高速化亦逐年進步。伴隨於此，提高部件或元件的精細加工的精準度、加工表面的平滑度的必要性增加。例如，在作為元件安裝於機械的石英或特殊組成的玻璃板中，當藉由特定面的高平滑化改變玻璃本身的反射性或透射性等的光學特性時，以氧化鋁(alumina)等的一般研磨材料經常無法達到目標的光學特性。此外，例如在作為電容器或壓電振動器使用的陶瓷元件的表面形成電極時，燒製之後的陶瓷表面經常無法滿足適用於形成電極的平滑度或表面粗糙度，而需要以其他研磨方式加工成適當的表面狀態。
雖然作為用於精細加工或平滑化的研磨方式存在著各種手法，但最近，特別是化學機械研磨(CMP研磨，Chemical Mechanical Polishing)技術備受關注。此CMP研磨是藉由含有本身具有研磨材料(研磨粒)的表面化學作用或研磨液之化學成分的作用提升研磨材料與研磨對象物的相對運動之機械性研磨效果，而以高速獲得平滑的研磨面之技術。作為此CMP研磨裝置大多使用在貼有研磨墊的圓形平台上滴注研磨材料漿體，並壓住保持在托架的研磨對象物，使平台與托架一起旋轉而進行相對運動的迴轉式研磨裝置。此外，雖然使用的研磨材料漿體是根據研磨對象物而不同，但通常由膠質氧化矽(colloidal silica)、氣相氧化矽(fumed silica) 、氧化鈰(cerium oxide) 、氧化鋁、氧化鋯(zirconium oxide)等的微細粒子(粒徑：數十至數百nm)的水分散體組成，並根據需要而含有改質研磨劑的酸、鹼、有機化合物等的化學成分、分散劑、界面活性劑等(專利文獻1至5)。
再者，此CMP研磨技術已廣泛用於半導體製造的矽晶圓自體的平坦化、淺溝槽元件隔離形成、鎢栓塞(Tungsten Plug)的埋入平坦化、配線表面的平坦化等的各製程中。然而，根據CMP研磨，雖然與以研磨材料單體的研磨相比，細微刮傷或加工變質層較少而可能得到理想的平滑面，但是現實中往往存在著在研磨表面出現肉眼可見的研磨刮傷的問題。
因此，作為用於防止此研磨刮傷的CMP研磨材料，已提出了各種含有如聚苯乙烯類樹脂或丙烯酸類樹脂的有機高分子粒子的材料。例如，在專利文獻6中，揭露一種含有有機高分子粒子與氧化鋁、氧化鈦(titania)、氧化矽(silica)等的無機粒子的複合體粒子之水系分散體。此外，在專利文獻7中，揭露一種含有表面的至少一部分藉由如稀土類氧化物或水氧化鋯的4價金屬水氧化物粒子被覆的有機高分子粒子與水的材料。另外，在專利文獻8中，揭露一種表面藉由氧化鈰(ceria)、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯(zirconia)、氧化錳(manganese oxide)等的平均粒徑1~400nm的金屬氧化物粒子被覆的有機高分子粒子與水的材料。
[先前技術文獻]       [專利文獻]      [專利文獻1]日本特開平10-322569號公報      [專利文獻2]日本特開平11-188647號公報      [專利文獻3]日本特開2004-356326號公報      [專利文獻4]日本特開2005-353681號公報      [專利文獻5]再公表WO2012/165016號公報      [專利文獻6]日本特許第4151178號公報      [專利文獻7]日本特開2005-353681號公報      [專利文獻8]日本特開2006-41252號公報
[發明所欲解決之課題]      然而，如前述方案(專利文獻6至8)的含有有機高分子粒子的CMP研磨材料漿體中，由於難以得到均勻粒度的有機高分子粒子，使得該有機高分子粒子的硬度低而容易產生變形，因而具有無法提高研磨速度，或由於無法適用在鹼性範圍中的使用而限制研磨條件，並且因為有機物而在廢棄時需要焚燒處理而花費成本的問題。
有鑑於上述的問題，本發明的目的在於提供一種玻璃及陶瓷研磨用組成物，其對CMP研磨的適用性佳、因研磨材料粒子為均勻的粒度而不會有產生變質或變形的可能、可穩定地發揮更佳的研磨特性、不易產生研磨傷痕而得到表面缺陷少的良好平滑面，並且可適用於酸性範圍至鹼性範圍的範圍廣的研磨條件。
[解決課題之手段]       為了達到上述目的，第1發明的玻璃及陶瓷研磨用組成物包含研磨材料，其為藉由二氧化矽(silicon dioxide)被覆表面的至少一部分之氧化鈦粒子。
第2發明的構成為上述第1發明的玻璃及陶瓷研磨用組成物是由包含上述研磨材料的水分散體所形成。
第3發明的構成為上述第2發明的玻璃及陶瓷研磨用組成物中的水分散體的固體組成濃度為5~40質量%。
第4發明的構成為在上述第1發明至第3發明中的任一的玻璃及陶瓷研磨用組成物中，二氧化矽的比例相對於氧化鈦粒子以氧化物換算為10~60質量%。
第5發明的構成為在上述第1發明至第4發明中的任一的玻璃及陶瓷研磨用組成物中，研磨材料以X射線光電子能譜分析(X-ray photoelectron spectroscopy)的SiO2 /TiO2 的比值為0.15以上。
第6發明的構成為在上述第1發明至第5發明中的任一的玻璃及陶瓷研磨用組成物中，氧化鈦的平均一次粒徑為6~30nm。
第7發明的構成為在上述第1發明至第6發明中的任一的玻璃及陶瓷研磨用組成物中，研磨材料的BET比表面積為40~400 m2 /g。
第8發明的構成為在上述第1發明至第7發明中的任一的玻璃及陶瓷研磨用組成物中，氧化鈦粒子是藉由化學性沉積將二氧化鈦被覆於表面的方式形成。
[發明之效果]       由於第1發明的玻璃及陶瓷研磨用組成物包含藉由二氧化矽被覆於表面的至少一部分的氧化鈦粒子之研磨材料，因而對CMP研磨的適用性佳、可穩定地發揮高研磨特性、且不易產生研磨刮傷而得到非常良好的平滑面，並且可適用於酸性範圍至鹼性範圍的範圍廣的研磨條件。再者，根據此研磨用組成物，由於不會大量切削被研磨物表面且可形成表面缺陷少的平滑面，當研磨對象為玻璃時，能提升光學特性，而當為在表面形成電極的陶瓷元件時，具有抑制電極形成後的電極剝離的優點。
根據第2發明，由於研磨用組成物是由包含上述研磨材料的水分散體所形成，因而作為研磨材料將體可適用於迴轉式的CMP研磨裝置等。
根據第3發明，由於上述水分散體具有特定的固體組成濃度，而得到更佳的研磨特性。
根據第4發明，由於二氧化矽相對於氧化鈦粒子為特定比例，而可確實發揮更高的研磨性能。
根據第5發明，由於氧化鈦粒子的表面藉由二氧化矽充分地被覆，而不易產生研磨刮傷，可確實發揮高研磨性能。
根據第6發明，由於研磨材料的氧化鈦具有特定的一次粒徑，而可得到研磨特性佳，並且更提升抑制研磨刮傷的效果。
根據第7發明，由於研磨材料的BET比表面積為特定範圍，而可得到更佳的研磨特性，並且更提升抑制研磨刮傷的效果。
根據第8發明，由於研磨材料的氧化鈦粒子是藉由化學性沉積二氧化矽被覆於表面，因此即使在研磨中二氧化矽也可在氧化鈦粒子的表面保持穩定的被覆狀態，而不會有如僅為氧化鈦粒子與二氧化矽粒子的混合物般產生二氧化矽粒子彼此的凝集粒子，並且氧化鈦粒子本身是以二氧化矽被覆表面，使凝集粒子簡單地分離而容易再次分散，因而可發揮非常優異的研磨性能。
如上述，本發明的玻璃及陶瓷研磨用組成物包含藉由二氧化矽被覆表面的至少一部分的氧化鈦粒子(以下，簡稱為二氧化矽被覆氧化鈦粒子)之研磨材料，雖然通常以包含該研磨材料的水分散體，亦即為漿體形態可適當地使用在迴轉式的CMP研磨裝置等，但根據研磨對象或研磨方式也可單獨使用該研磨材料或將該研磨材料作為主體的粉末形態使用。
上述的二氧化矽被覆氧化鈦粒子不為氧化鈦粒子與二氧化矽粒子的混合物，而為將氧化鈦粒子作為核，而在該核粒子的表面具有二氧化矽的被覆層的粒子。
雖然具有各種的方法得到此二氧化矽被覆氧化鈦粒子，然而在作為核的氧化鈦粒子的表面較佳為藉由化學性沉積二氧化矽的被覆方式。作為此化學性沉積的二氧化矽被覆方式，例如可採用揭露於日本特許第4296529號公報、日本特開2006-83033號公報、日本特開2008-69193號公報、日本特許5158078號公報等的方法。
雖然作為研磨材料的核的氧化鈦粒子並未特別限制，但是一次粒子的平均粒徑較佳為6~30nm的範圍，更理想是相同平均粒徑為6~20nm的範圍，過小則研磨速度變慢，反之過大則降低研磨面的平滑性，並且也容易產生研磨刮傷。此外，雖然作為氧化鈦的代表結晶形態具有金紅石型(四方晶體)與銳鈦礦型(四方晶體)，但任何的結晶型態皆不妨礙。
二氧化矽相對於氧化鈦粒子的比例並未特別限制，但是以氧化物換算較佳為10~60質量%的範圍，過低則在研磨面容易產生研磨刮傷，反之過多則在混入乾燥的粉體時，在研磨面容易產生研磨刮傷。此外，作為二氧化矽被覆氧化鈦粒子，雖然不需將氧化鈦粒子的所有表面藉由二氧化鈦被覆，而可為露出部分的氧化鈦的表面的狀態，但是以X射線光電子能譜分析的SiO2 /TiO2 的比值較佳為0.15以上，當該比值過低時則因二氧化矽的被覆不足而無法充分發揮抑制研磨刮傷的效果。
另外，含有二氧化矽被覆氧化鈦粒子的研磨材料的BET比表面積較佳為40~400 m2 /g的範圍，更佳為40~130 m2 /g的範圍，最佳為60~110 m2 /g的範圍，過小則容易產生研磨刮傷，反之過大則具有無法保持研磨材料的均勻分散狀態的問題。
當研磨用組成物為含有上述研磨材料的水分散體時，其固體組成濃度較佳為5~40質量%的範圍，最佳為25~35質量%的範圍，過低則會降低研磨效率。此外，反之固體組成濃度過高時，則無法保持研磨材料的均勻分散狀態，特別是難以使用在CMP研磨，並且因黏性增加而難以處理。此外，該水分散體較佳為鹼性，由於在pH8~12時，更容易保持研磨材料的均勻分散狀態而更佳。此外，在此較佳的固體組成濃度或pH為研磨時使用的數值範圍，亦可為了減少輸送或保管時的體積而在產品化時以較高濃度(高pH)的水分散體進行製備，而在研磨時進行稀釋使用的形式。
在製備由此水分散體形成的研磨用組成物時，將研磨材料以期望的配合比例與水混合，並分散成懸浮液即可。作為此分散混合手段，可採用以翼式攪拌機攪拌或超音波分散等現有各種方式。此外，在配置此水分散體時，可根據適用於被研磨體的種類或研磨條件等需要而添加已知過去作為研磨材料漿體用的各種添加劑。
作為上述添加劑的適當例子可舉出如下列(1)~(6)的添加劑。(1)纖維素、羧甲基纖維素(carboxymethyl cellulose)、羥甲織維素(hydroxymethyl cellulose)等的維素類、(2)乙醇(ethanol)、丙醇(Propanol)、乙二醇(ethylene glycol)等的水溶性醇類、(3)烷基苯磺酸鈉(sodium alkylbenzene sulfonate)、萘磺酸(naphthalenesulfonic acid)的甲醛縮合物(formaldehyde condensate)等的界面活性劑、(4)木質磺酸鹽(lignosulfonate)、聚丙烯酸鹽(polyacrylate)等的有機聚陰離子類物質、(5)聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)等的水溶性高分子(乳化劑)、(6)丁二酮肟(dimethylglyoxime)、雙硫腙(dithizone)、奧辛(oxine)、乙醯丙酮(acetylacetone)、甘胺酸(glycine)、EDTA、NTA等的螯合劑。
另一方面，在本發明之研磨用組成物中，作為研磨材料的二氧化矽被覆氧化鈦粒子也可配合作為研磨促進劑或抗沉降劑的其他各種的無機粒子。
由於上述構成的玻璃及陶瓷用研磨用組成物包含作為研磨材料的二氧化矽被覆氧化鈦粒子，因此對CMP研磨的適用性佳、可穩定地發揮高研磨特性、且不易產生研磨刮傷而得到非常良好的平滑面，並且可適用於酸性範圍至鹼性範圍的廣範圍研磨條件。並且，根據此研磨用組成物，由於不會大量切削被研磨物表面且可形成表面缺陷少的平滑面，當研磨對象為玻璃時，具有提升光學特性，而當為在表面形成電極的陶瓷元件時，具有抑制電極形成後的電極剝離的優點。此外，在本發明的研磨用組成物中，當以水分散體(漿體)提供於研磨時，即使在該研磨中混入附著於周邊的研磨材料的乾燥粉體，也顯示不會造成研磨刮傷的增加。
關於此方式可穩定地發揮優異的研磨特性且難以產生研磨刮傷的理由，雖然詳細作用機制尚不明確，但推測除了因作為研磨材料粒子的核的氧化鈦粒子為均勻的粒度而不會有產生變質或變形的可能之外，由於該氧化鈦粒子的硬度比披覆表面的二氧化矽低，在研磨中該氧化鈦粒子本身具有作為吸收自被研磨面的接觸反作用力的緩衝層的功能，因而抑制研磨刮傷的產生。然而，即使同為將氧化鈦粒子作為核的研磨材料，如後述的比較例的研磨結果所示，當被覆物為氧化鈰或氧化鋯等其他金屬氧化物時，顯示研磨刮傷的產生明顯變得更多。因此，雖然尚未解明，但因某些特定原因的作用而認為氧化鈦的核粒子與二氧化矽的被覆物的組合具有高度適合性。
此外，由於研磨材料的氧化鈦粒子是藉由化學性沉積將二氧化鈦被覆於表面的方式形成，因而即使在研磨中二氧化矽在氧化鈦粒子的表面保持穩定的被覆狀態，而不會有如僅為氧化鈦粒子與二氧化矽粒子的混合物產生二氧化矽粒子彼此的凝集粒子，並且氧化鈦粒子本身是以二氧化矽被覆表面，使凝集粒子簡單地分開而容易再次分散，因而可發揮非常優異的研磨性能。
此外，本發明的玻璃及陶瓷研磨用組成物亦可適用於CMP研磨以外的各種研磨方法，並且研磨材料也可不作為水分散體而以粉末形態使用。
[實施例]       以下，雖將本發明的實施例與比較例相較而進行具體地說明，但本發明不限於該實施例。下文中的%係代表質量%，份係代表質量份。此外，各研磨材料的結晶形與平均一次粒徑由X光繞射分析，而水分散體的pH是基於JIS Z 8802測定法分析。
實施例1       將二氧化矽藉由化學性沉積被覆在平均一次粒徑15nm的氧化鈦粒子的表面之紅石型微粒子二氧化鈦(TAYCA公司製的產品名稱：MT-100WP，二氧化鈦的比例相對於氧化鈦為43%)以珠磨機分散在水中，而得到固體組成濃度30%，pH10.0的水分散體。取出此分散液的一部分進行乾燥，此乾燥後的氧化矽被覆氧化鈦粒子藉由XPS(X射線光電子能譜分析)進行表面分析的結果SiO2 /TiO2 為70/30。
實施例2       根據日本特許第4296529號的方法，將二氧化矽藉由化學性沉積被覆在平均一次粒徑6nm的二氧化鈦粒子的表面之銳鈦礦型微粒子二氧化鈦(二氧化鈦的比例相對於氧化鈦為15%)以700℃燒製而成為平均一次粒徑20nm，並以珠磨機分散在水中，而得到固體組成濃度30%，pH2.4的水分散體。取出此分散液的一部分進行乾燥，此乾燥後的氧化矽被覆二氧化鈦粒子藉由XPS(X射線光電子能譜分析)進行表面分析的結果SiO2 /TiO2 為16/84。
實施例3       根據日本特許第4296529號的方法，將二氧化矽藉由化學性沉積被覆在平均一次粒徑6nm的二氧化鈦粒子的表面之銳鈦礦型微粒子二氧化鈦(二氧化鈦的比例相對於氧化鈦為10%)以珠磨機分散在水中，而得到固體組成濃度5%，pH11.0的水分散體。取出此分散液的一部分進行乾燥，此乾燥後的氧化矽被覆二氧化鈦粒子藉由XPS(X射線光電子能譜分析)進行表面分析的結果SiO2 /TiO2 為20/80。
比較例1       將硫酸氧鈦(titanyl sulfate)水溶液(以TiO2 換算為80份)與硝酸鈰(Cerium Nitrate)水溶液(以CeO2 換算為20份)混合，並在24%氨水中和至pH 7。中和後的漿體在布氏漏斗過濾、洗淨，以120℃乾燥後，以600℃燒製，以錘式粉碎機粉碎，而製作以平均一次粒徑14nm部分被覆氧化鈰的銳鈦礦型微粒子二氧化鈦。接著，以珠磨機分散在水中，而得到固體組成濃度30%，pH6.2的水分散體。
比較例2       將硫酸氧鈦水溶液(以TiO2 換算為90份)與硫酸鋯(zirconium sulphate)水溶液(以ZrO2 換算為10份)混合，並在24%氨水中和至pH 7。中和後的漿體在布氏漏斗過濾、洗淨，以120℃乾燥後，以800℃燒製，以錘式粉碎機粉碎，而製作以平均一次粒徑20nm部分被覆氧化鋯的銳鈦礦型微粒子二氧化鈦。接著，以珠磨機分散在水中，而得到固體組成濃度30%，pH7.5的水分散體。
比較例3       準備平均一次粒徑180nm的顏料級二氧化鈦粒子(TAYCA公司製的產品名稱：TITANIX JA-3，銳鈦礦型)的pH5.9，固體組成濃度30%的水分散體。
比較例4       準備市售氧化鈰類研磨材料(昭和電工公司製的產品名稱：SHOROX NX23(T)，以X光螢光分析CeO2 為60%，La2 O3 為30%)的pH8.4，固體組成濃度30%的水分散體。
比較例5       準備市售膠質氧化矽(日產化學公司製的產品名稱：SNOWTEX30，平均一次粒徑15 nm)的pH9.8，固體組成濃度30%的水分散體。
[研磨試驗1]       分別將實施例1~3及比較例1~4的水分散體作為研磨材料漿體使用，以下述條件進行玻璃的CMP研磨試驗。在此研磨試驗中測定研磨率與研磨刮傷產生數，將此結果藉由BET單點法的比表面積如後述表1所示。此外，關於研磨對象的2片玻璃(a)(b)，第1圖為顯示研磨前的表面的顯微鏡照片(倍率34倍，以下亦為相同)，第2圖為顯示藉由實施例1的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片，第3圖為顯示藉由比較例1的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片，第4圖為顯示藉由比較例2的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片，第5圖為顯示藉由比較例3的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片，第6圖為顯示藉由比較例4的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片。此外，研磨率是以測微器測定研磨前後的玻璃厚度，並計算3片玻璃的平均值。此外，研磨刮傷的數目是計數研磨後的玻璃面以倍率34倍拍攝的視野內刮傷，雖然示出每一樣品的3個視野的計數的平均值，但是當過多而無法計數時則顯示1000＜個。
＜研磨條件＞       研磨裝置：SPEEDFAM公司製的CMP兩面研磨機2B-9P       負載：2kg       漿體濃度：5~30%       漿體投入量：200ml/分       下盤轉速：40rpm       研磨時間：30分鐘       使用墊：聚氨酯墊(NITTA HAAS公司製的產品名稱：POLITEX Pad)       研磨對象的玻璃樣品：平板玻璃，直徑30nm，厚度5mm
[表1]
如表1的結果及第2圖(a)(b)的顯微鏡照片顯示，在本發明的二氧化矽被覆氧化鈦粒子的水分散體作為研磨材料漿體使用的玻璃的CMP研磨中，得到研磨刮傷少的良好研磨面。相對於此，在顏料級二氧化鈦粒子的水分散體(比較例3)或市售的氧化鈰粒子的水分散體(比較例4)作為研磨材料漿體使用的玻璃的CMP研磨中，顯示雖然得到較高的研磨速度，但是在研磨面產生較多的研磨刮傷。此外，即使，在即使使用核粒子為二氧化鈦粒子而被覆物為氧化鈰(比較例1)或氧化鋯(比較例2)的研磨材料漿體時，顯示在研磨面也產生較多的研磨刮傷。
[研磨試驗2]       分別將實施例1及比較例5的水分散體作為研磨材料漿體使用，在與上述研磨試驗1相同的研磨條件下，在常溫中混入乾燥的乾燥粉體，進行玻璃的CMP研磨試驗。結果，相對於藉由實施例1的研磨材料漿體在研磨後的玻璃表面的研磨刮傷以3個視野的計數的平均值為220個/104cm2 ，藉由自比較例5的膠質氧化矽的水分散體的研磨材料漿體在研磨後的玻璃表面的研磨刮傷以相同方式為1000個/104cm2 以上。此外，關於此研磨試驗2中使用的2片玻璃(a)(b)，第7圖為顯示藉由實施例1的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片，第8圖為顯示藉由比較例5的研磨材料漿體的研磨後的表面的相同顯微鏡照片。當在研磨中混入研磨材料的乾燥粉末時，自此第7圖與第8圖的對比，顯示相對於市售膠質氧化矽的研磨材料的研磨刮傷為增加，而本發明的研磨用組成物不會造成研磨刮傷的增加。
無。
第1圖係為作為研磨對象的玻璃樣品(a)(b)的研磨前的表面的光學顯微鏡的照片圖。 第2圖係為以氧化矽被覆氧化鈦粒子的研磨材料漿體研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。 第3圖係為以氧化鈰被覆氧化鈦粒子的研磨材料漿體研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。 第4圖係為以氧化鋯被覆氧化鈦粒子的研磨材料漿體研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。 第5圖係為以顏料級氧化鈦粒子的研磨材料漿體研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。 第6圖係為以氧化鈰粒子的研磨材料漿體研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。 第7圖係為以膠質氧化矽的研磨材料漿體在研磨中混入乾燥的膠質氧化矽時的研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。 第8圖係為以氧化矽被覆氧化鈦粒子的研磨材料漿體在研磨中混入乾燥的氧化矽被覆氧化鈦粒子時的研磨後的兩個玻璃樣品(a)(b)表面的光學顯微鏡的照片圖。
無。

Claims (8)

  1. 一種玻璃及陶瓷研磨用組成物，其包含： 一研磨材料，係為藉由二氧化矽被覆表面的至少一部分之氧化鈦粒子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中該研磨用組成物係由包含該研磨材料的一水分散體所形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中該水分散體的固體組成濃度為5~40質量%。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中該研磨材料的二氧化矽的比例相對於氧化鈦粒子以氧化物換算為10~60質量%。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中該研磨材料以X射線光電子能譜分析的SiO2 /TiO2 的比值為0.15以上。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中氧化鈦的平均一次粒徑為6~30nm。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中該研磨材料的BET比表面積為40~400m2 /g。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之玻璃及陶瓷研磨用組成物，其中該氧化鈦粒子是藉由化學性沉積將二氧化鈦被覆於表面的方式形成。
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