JP2001294848A - 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー - Google Patents

研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー

Info

Publication number
JP2001294848A
JP2001294848A JP2000115456A JP2000115456A JP2001294848A JP 2001294848 A JP2001294848 A JP 2001294848A JP 2000115456 A JP2000115456 A JP 2000115456A JP 2000115456 A JP2000115456 A JP 2000115456A JP 2001294848 A JP2001294848 A JP 2001294848A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
examples
group
carbon atoms
slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000115456A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Yamada
康博 山田
Takesuke Yamaguchi
武亮 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Chemical Industries Ltd filed Critical Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority to JP2000115456A priority Critical patent/JP2001294848A/ja
Publication of JP2001294848A publication Critical patent/JP2001294848A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨速度及び表面粗さの改善された研磨用砥
粒分散剤及び研磨用スラリーを提供する。 【解決手段】 特定の組成のカルボニル基含有化合物を
含むことを特徴とする砥粒分散剤と砥粒、水からなる研
磨用スラリーを使用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨用砥粒分散剤及
び研磨用スラリーに関する。さらに詳しくは、ガラス、
シリコンウエハ、磁気ディスク、セラミック、合成石
英、水晶、サファイア等の表面を鏡面に仕上げる際の砥
粒の分散剤及び研磨用スラリーに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ガラス等の鏡面仕上げを行う方法
としては、上下の回転する定盤の間で酸化セリウム、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム、二酸化珪素、ダイヤモンド
等の平均粒径3μm以下の砥粒と砥粒の分散用分散剤及
び水を混合したスラリーを連続的に供給し、ウレタン製
研磨クロス等を用いて研磨する方法が使われている。さ
らに半導体装置の製造工程でもCVD等の方法で形成さ
れる二酸化珪素等の絶縁膜層の平坦化(CMP:ケミカ
ルメカニカルポリッシング)においてもこれらのスラリ
ーを用いた検討が行われている。砥粒の分散剤としては
ポリアクリル酸塩等が知られている。(特開平11−1
81406号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリア
クリル酸塩を分散剤として使用した場合、研磨速度、表
面粗さの改善いずれも十分ではないといった問題を有し
ている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するべく鋭意検討した結果、特定のカルボニル基
含有化合物を用いることにより、上記問題点が解決され
ることを見いだし、本発明に到達した。すなわち本発明
は、下記一般式(1)で示されるカルボニル基含有化合
物(I)を含むことを特徴とする研磨用砥粒分散剤
(A);並びにこの研磨用砥粒分散剤(A)、砥粒
(B)及び水からなる研磨用スラリーである。 [式中、Rは炭素数1〜24の炭化水素基、Aは炭素数
2〜4の一種以上のアルキレン基、X1及びX2は一方が
水素原子であり、一方が−SO3H又は−SO3 1/m
ある。またZは水素原子、−(AO)n2R又はM1/m
ある。n1及び n2は0又は1〜50の整数であり、
n1とn2は同一であっても異なっていてもよい。M
1/mはm価のカチオンを示し、mは1又は2である。]
【0005】
【発明の実施の形態】本発明の一般式(1)で表される
カルボニル基含有化合物(I)において、Rとしては脂
肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素
基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、例えば炭
素数1〜24の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数2〜
24の直鎖又は分岐アルケニル基が挙げられる。アルキ
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−及び
i−プロピル基、n−及びi−ブチル基、n−及びi−
ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、n−及びi−オク
チル基、n−及びi−ノニル基、n−及びi−デシル
基、n−及びi−ウンデシル基、n−及びi−ドデシル
基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、
ヘキサデシル基及びエイコシル基等が挙げられる。アル
ケニル基としては、例えば、アリル基、プロペニル基、
1−及び2−ブテニル基、1−ヘキセニル基、1−オク
テニル基、1−デセニル基及び1−ドデセニル基等が挙
げられる。脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数
4〜24のシクロアルキル基が挙げられる。シクロアル
キル基としては、例えば、シクロヘキシル基等が挙げら
れる。
【0006】芳香族炭化水素基としては、例えば、炭素
数7〜24のアルキルアリール基、炭素数8〜24のア
ラルキル基、スチリルフェニル基及びベンジルフェニル
基等が挙げられる。アルキルアリール基としては、例え
ば、o−,m−又はp−メチルフェニル基、m−,p−
ジメチルフェニル基、o−,o−ジメチルフェニル基、
o−,m−又はp−エチルフェニル基、p−n−ブチル
フェニル基、p−オクチルフェニル基及びp−ノニルフ
ェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、例え
ば、o−,m−又はp−メチルベンジル基及びブチルフ
ェネチル基等が挙げられる。スチリルフェニル基として
は、例えば、ジスチリルフェニル基等が挙げられる。ベ
ンジルフェニル基としては、例えば、トリベンジルフェ
ニル基等が挙げられる。これらのうち好ましくは炭素数
6〜18の炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素数
6〜12の脂肪族炭化水素基である。
【0007】Aは炭素数2〜4の一種以上のアルキレン
基である。Aとしては、例えば、エチレン基、プロピレ
ン基及び1,2−又は1,4−ブチレン基等が挙げられ
る。Aは酸素とともにオキシアルキレン基を形成する。
該オキシアルキレン基が複数個存在する場合、これらは
同種のものでもよくまた異種のもの(ブロック又はラン
ダム)でもよい。好ましいのはオキシエチレン基、オキ
シプロピレン基及びオキシエチレン基とオキシプロピレ
ン基との併用(ブロック又はランダム)である。
【0008】n1及びn2は0又は1〜50の整数であ
り、好ましくは0又は1〜40の整数、さらに好ましく
は0又は1〜20の整数である。Zは水素原子、−(A
O)n2R又はM1/mであり、Zが−(AO)n2Rの場合
のR及びAの具体例としては、前述のR及びAと同じも
のが挙げられるが、前述のR及びAと同一であっても異
なっていてもよい。また、ZがM1/mの場合のM1/mはm
価のカチオンであり、mは1又は2である。1価のカチ
オンとしては、例えばアルカリ金属カチオン、アンモニ
ウムカチオン、有機アミンカチオン及び4級アンモニウ
ムカチオンが挙げられる。アルカリ金属カチオンとして
は、例えば、ナトリウム、カリウム及びリチウムのカチ
オン等が挙げられる。有機アミンカチオンとしては、例
えば、炭素数1〜18のアルキルアミンカチオン及び炭
素数2〜8のアルカノールアミンカチオン;並びにこれ
らのエチレンオキサイド付加物(1〜10モル)、プロ
ピレンオキサイド付加物(1〜10モル)及びエチレン
オキサイド(1〜9モル)/プロピレンオキサイド(1
〜9モル)付加物(ブロック状でもランダム状でもよ
い)等が挙げられる。アルキルアミンカチオンとして
は、例えば、メチルアミン及びドデシルアミンのカチオ
ン等が挙げられる。アルカノールアミンカチオンとして
は、例えば、モノエタノールアミンのカチオン等が挙げ
られる。4級アンモニウムカチオンとしては、例えば、
炭素数1〜12のテトラアルキル4級アンモニウムカチ
オン等が挙げられる。テトラアルキル4級アンモニウム
カチオンとしては、例えば、テトラエチルアンモニウム
のカチオン等が挙げられる。
【0009】2価のカチオンとしては、例えば、アルカ
リ土類金属カチオン及び炭素数2〜6のアルキレンジア
ミンカチオン等が挙げられる。アルカリ土類金属カチオ
ンとしては、例えば、カルシウム及びマグネシウムのカ
チオン等が挙げられる。アルキレンジアミンカチオンと
しては、例えば、エチレンジアミンのカチオン等が挙げ
られる。これらのうち好ましいものは、1価カチオンで
あり、さらに好ましくはナトリウムカチオン、カリウム
カチオン及びアンモニウムカチオンである。Zのうち好
ましいのは−(AO)n2Rである。X1及びX2は一方が
水素原子であり、もう一方が−SO3H又は−SO3
1/mである。M1/mは前述のm価のカチオンを示す。複数
のM1/mは同一でも異なっていてもよい。
【0010】(I)の具体例としては、ジ−2−エチル
ヘキシルスルホコハク酸エステルナトリウム、カリウム
もしくはアンモニウム塩、ジオクチルスルホコハク酸ナ
トリウム、カリウムもしくはアンモニウム塩、モノドデ
シルスルホコハク酸エステルジナトリウム、ジカリウム
もしくはジアンモニウム塩、モノポリ(n=2)オキシ
エチレンラウリルエーテルスルホコハク酸エステルジナ
トリウム、ジカリウムもしくはジアンモニウム塩、ジポ
リ(n=5)オキシエチレンノニルフェニルエーテルス
ルホコハク酸エステルナトリウム、カリウムもしくはア
ンモニウム塩等が挙げられる。これらのうち好ましいの
は、ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸エステルナ
トリウム塩、ジオクチルスルホコハク酸エステルアンモ
ニウム塩、ジオクチルスルホコハク酸エステルナトリウ
ム塩及びモノポリ(n=2)オキシエチレンラウリルエ
ーテルスルホコハク酸エステルジアンモニウム塩であ
る。
【0011】(I)は公知の方法で製造することができ
る。例えば、アルコールもしくはアルキルポリオキシア
ルキレンエーテルと無水マレイン酸とのハーフエステル
又はジエステルに、亜硫酸塩又は重亜硫酸塩を、60〜
150℃で2〜15時間反応させることにより得られ
る。
【0012】本発明の(A)中の(I)の量は、通常5
〜100重量%、好ましくは10〜80重量%である。
【0013】本発明の分散剤(A)には、粘度を調整す
る目的で、水溶性アルコールを、性能に悪影響のない範
囲の量[例えば(I)100重量部に対して40重量部
以下]で配合してもよい。水溶性アルコールとしては、
1価のアルコール及び2価以上のアルコールが使用でき
る。1価のアルコールとしては、例えば、メタノール、
エタノール及びプロパノール等が挙げられる。2価以上
のアルコールとしては、例えば、エチレングリコール、
プロピレングリコール、ブチレングリコール及びグリセ
リン等が挙げられる。また、これらは二種以上を併用し
てもよい。
【0014】本発明の(A)には公知のアニオン界面活
性剤やノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性
界面活性剤を配合してもよい。
【0015】アニオン界面活性剤としてはカルボン酸又
はその塩(a)、硫酸エステル塩(b)、カルボキシメ
チル化物の塩(c)、(I)以外のスルホン酸塩(d)
及びリン酸エステル塩(e)が使用できる。
【0016】(a)としては、炭素数8〜22の飽和も
しくは不飽和脂肪酸又はその塩が使用できる。例えば、
ラウリン酸、ステアリン酸及びオレイン酸があげられ
る。塩としてはそれらのナトリウム、カリウム、アンモ
ニウム、アルカノールアミン等の塩が挙げられる。
【0017】(b)としては、高級アルコール硫酸エス
テル塩(b1)、高級アルキルエーテル硫酸エステル塩
(b2)、硫酸化油(b3)、硫酸化脂肪酸エステル
(b4)及び硫酸化オレフィン(b5)が使用できる。
塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム
塩及びアルカノールアミン塩が使用できる。(b1)と
しては、炭素数8〜18の脂肪族アルコールの硫酸エス
テル塩が使用できる。例えば、オクチルアルコール硫酸
エステル塩、ラウリルアルコール硫酸エステル塩及びス
テアリルアルコール硫酸エステル塩等が挙げられる。
(b2)としては、炭素数8〜18の脂肪族アルコール
のエチレンオキサイド1〜10モル付加物の硫酸エステ
ル塩が使用できる。例えば、ラウリルアルコールエチレ
ンオキサイド2モル付加物硫酸エステル塩及びオクチル
アルコールエチレンオキサイド3モル付加物硫酸エステ
ル塩等が挙げられる。
【0018】(b3)としては、天然の不飽和油脂又は
不飽和のロウをそのまま硫酸化して中和したものが使用
できる。例えば、ヒマシ油、オリーブ油及び牛脂等の硫
酸化物のナトリウム、カリウム、アンモニウム及びアル
カノールアミン塩等が挙げられる。(b4)としては、
不飽和脂肪酸の低級アルコールエステルを硫酸化して中
和したものが使用できる。例えば、オレイン酸ブチル及
びリシノレイン酸ブチル等の硫酸化物のナトリウム、カ
リウム、アンモニウム及びアルカノールアミン塩等が挙
げられる。(b5)としては、炭素数12〜18のオレ
フィンを硫酸化して中和したものが使用できる。例え
ば、ティーポール(シェル社製)等が挙げられる。
【0019】(c)としては、脂肪族アルコール(炭素
数8〜16)のカルボキシメチル化物の塩(c1)及び
脂肪族アルコール(炭素数8〜16)のエチレンオキサ
イド(1〜10モル)付加物のカルボキシメチル化物の
塩(c2)が使用できる。(c1)としては、例えば、
オクチルアルコールカルボキシメチル化ナトリウム塩及
びラウリルアルコールカルボキシメチル化ナトリウム塩
等が挙げられる。(c2)としては、例えば、オクチル
アルコールエチレンオキサイド3モル付加物カルボキシ
メチル化ナトリウム塩及びラウリルアルコールエチレン
オキサイド4モル付加物カルボキシメチル化ナトリウム
塩等が挙げられる。
【0020】(d)としては、アルキル(炭素数8〜1
6)ベンゼンスルホン酸塩(d1)、アルキル(炭素数
8〜16)ナフタレンスルホン酸塩(d2)、α−オレ
フィン(炭素数8〜16)スルホン酸塩(d3)及びイ
ゲポンT型(d4)が使用できる。(d1)としては、
例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩等が
挙げられる。(d2)としては、例えば、ドデシルナフ
タレンスルホン酸ナトリウム塩等が挙げられる。
【0021】(e)としては、高級アルコール(炭素数
8〜16)リン酸エステル塩(e1)及び高級アルコー
ル(炭素数8〜16)エチレンオキサイド(1〜20モ
ル)付加物のリン酸エステル塩(e2)が使用できる。
(e1)としては、例えば、ラウリルアルコールリン酸
モノエステルジナトリウム塩、ラウリルアルコールリン
酸ジエステルナトリウム塩等が挙げられる。(e2)と
しては、オレイルアルコールエチレンオキサイド5モル
付加物リン酸モノエステルジナトリウム塩等が挙げられ
る。
【0022】非イオン界面活性剤としては、アルキレン
オキシド付加型非イオン界面活性剤(f)及び多価アル
コール型非イオン界面活性剤(g)が挙げられる。
(f)としては、ポリオキシアルキレン(炭素数2〜
4、重合度2〜50)アルキル(炭素数8〜18)エー
テル(f1)、ポリオキシアルキレン(炭素数2〜4、
重合度2〜50)脂肪酸(炭素数12〜24)エステル
(f2)、ポリオキシアルキレン(炭素数2〜4、重合
度2〜50)多価アルコール(2〜6価、炭素数2〜1
2)脂肪酸(炭素数12〜24)エステル(f3)、ポ
リオキシアルキレン(炭素数2〜4、重合度2〜50)
アルキル(炭素数8〜12)フェニルエーテル(f
4)、ポリオキシアルキレン(炭素数2〜4、重合度2
〜50)アルキル(炭素数8〜24)アミノエーテル
(f5)及びポリオキシアルキレン(炭素数2〜4、重
合度2〜50)アルキル(炭素数12〜24)アルカノ
ール(炭素数2〜12)アミド(f6)が使用できる。
【0023】(f1)としては、例えば、オクチルアル
コールエチレンオキサイド付加物及びラウリルアルコー
ルエチレンオキサイド付加物等が挙げられる。(f2)
としては、例えば、ステアリル酸エチレンオキサイド付
加物及びラウリル酸エチレンオキサイド付加物等が挙げ
られる。(f3)としては、例えば、ポリエチレングリ
コールのラウリン酸ジエステル及びポリエチレングリコ
ールのオレイン酸ジエステル等が挙げられる。(f4)
としては、例えば、ノニルフェノールエチレンオキサイ
ド付加物及び、ノニルフェノールエチレンオキサイドプ
ロピレンオキサイドブロック付加物等が挙げられる。
(f5)としては、例えば、ラウリルアミンエチレンオ
キサイド付加物及びステアリルアミンエチレンオキサイ
ド付加物等が挙げられる。(f6)としては、例えば、
ヒドロキシエチルラウリン酸アミドのエチレンオキサイ
ド付加物等が挙げられる。
【0024】(g)としては、多価(2〜6価)アルコ
ール(炭素数2〜12)脂肪酸(炭素数8〜24)エス
テル(g1)、多価(2〜6価)アルコール(炭素数2
〜12)脂肪酸(炭素数8〜24)エステルアルキレン
オキサイド(炭素数2〜4)付加物(2〜50モル)
(g2)、多価(2〜6価)アルコール(炭素数2〜1
2)アルキル(炭素数1〜24)エーテル(g3)及び
多価(2〜6価)アルコール(炭素数2〜12)アルキ
ル(炭素数1〜24)エーテルアルキレンオキサイド
(炭素数2〜4)付加物(2〜50モル)(g4)が使
用できる。(g1)としては、例えば、ペンタエリスリ
トールモノラウレート及びペンタエリスリトールモノオ
レート等が挙げられる。(g2)としては、例えば、エ
チレングリコールモノオレートエチレンオキサイド付加
物及びエチレングリコールモノステアレートエチレンオ
キサイド付加物等が挙げられる。(g3)としては、例
えば、ペンタエリスリトールモノブチルエーテル及びペ
ンタエリスリトールモノラウリルエーテル等が挙げられ
る。(g4)としては、例えば、ソルビタンモノステア
リルエーテルエチレンオキサイド付加物及びメチルグリ
コシドエチレンオキサイドプロピレンオキサイドランダ
ム付加物等が挙げられる。
【0025】両性界面活性剤としては、アミノ酸型両性
界面活性剤及びベタイン型両性界面活性剤が使用でき
る。アミノ酸型両性界面活性剤としては、例えば、ステ
アリルアミノプロピオン酸ナトリウム、ラウリルアミノ
プロピオン酸ナトリウム及びラウリルアミノ酢酸ナトリ
ウム等が挙げられる。ベタイン型両性界面活性剤として
は、例えば、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン等
が挙げられる。
【0026】カチオン系界面活性剤としては、第4級ア
ンモニウム塩型カチオン界面活性剤及びアミン塩型カチ
オン界面活性剤等が使用できる。第4級アンモニウム塩
型カチオン界面活性剤としては、例えば、ラウリルトリ
メチルアンモニウムクロライド及びジデシルジメチルア
ンモニウムクロライド等が挙げられる。アミン塩型カチ
オン界面活性剤としては、例えば、ラウリルアミンの無
機酸塩又は有機酸塩、脂肪族アミンのエチレンオキサイ
ド付加物等の無機酸塩又は有機酸塩等が挙げられる。ま
た、これらは2種以上を併用してもよい。これらの界面
活性剤のうち、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活
性剤が好ましい。
【0027】(A)中のアニオン界面活性剤、ノニオン
界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤の配
合量は、特に制限はなく、性能に影響のない範囲の量で
あればよい。[例えば(I)100重量部に対して40
重量部以下]
【0028】また、本発明の(A)にはさらに公知のキ
レート剤、pH調整剤、防腐剤、消泡剤、水等を配合す
ることができる。
【0029】キレート剤としては、例えばポリアクリル
酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、コ
ハク酸ナトリウム及び1−ヒドロキシエタン−1,1−
ジホスホン酸ナトリウム等が挙げられる。(A)中のキ
レート剤の配合量は、特に制限はないが、通常0〜40
重量%、好ましくは0〜30重量%である。pH調整剤
としては、例えば、酢酸、ほう酸、クエン酸、蓚酸、燐
酸及び塩酸等の酸;並びに水酸化ナトリウム及び水酸化
カリウム等のアルカリが挙げられる。(A)中のpH調
整剤の配合量は、特に制限はないが、通常0〜10重量
%、好ましくは0〜5重量%である。消泡剤としては、
例えば、ジメチルシリコーンオイルに微粉末シリカを配
合したもの及びその乳化物、及びポリオキシアルキレン
変性シリコーンオイル等のシリコ−ン系消泡剤;並びに
高級アルコ−ルにアルキレンオキサイドを付加したポリ
アルキレングリコ−ル系消泡剤等が挙げられる。好まし
いのはシリコ−ン系消泡剤である。(A)中の消泡剤の
配合量は、特に制限はないが、通常0〜5重量%、好ま
しくは0.001〜3重量%である。本発明の(A)中
の水の量は任意に変えることができるが、通常0〜95
重量%、好ましくは20〜90重量%である。
【0030】本発明の(A)は予め(I)と他の成分を
混合したものであっても、研磨用スラリーを作成時に
(I)と他の成分を混合してもよい。
【0031】本発明における砥粒(B)としては、特に
限定されないが、例えば、酸化セリウム、アルミナ、酸
化ジルコニウム、二酸化珪素、ダイヤモンド等の砥粒を
乾式又は湿式ミル等を用いて平均粒径3μm以下に粉砕
したものが挙げられる。好ましい砥粒は酸化セリウムで
ある。
【0032】本発明の第2発明である研磨用砥粒スラリ
ー中の分散剤(A)、砥粒(B)及び水の割合は、重量
%で、好ましくは(A)が0.3〜3%、(B)が3〜
30%であり、残りは水である。分散性の観点から、
(A)と(B)の割合は好ましくは、重量比で1/10
0〜30/100である。
【0033】本発明のスラリーは、(A)をイオン交換
水等の水で希釈した後、(B)と混合することにより作
成できる。本発明の分散剤を用いた本発明のスラリー
は、ガラスディスクの鏡面仕上げ研磨等に好適である
が、その他にも、シリコンウエハ、アルミニウム、セラ
ミック、合成石英、水晶、サファイア等の鏡面仕上げ研
磨、二酸化珪素等の絶縁膜層を平坦化するCMP加工に
好適に使用できる。
【0034】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。以下にお
いて、部及び%はそれぞれ重量部及び重量%を示す。
【0035】表1に記載した割合で実施例1〜3及び比
較例1の分散剤を作成した。表中の数字は各重量部を表
す。
【0036】
【表1】
【0037】I-1:ジオクチルスルホコハク酸ナトリウ
ム塩 I-2:ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸エステル
ナトリウム塩 I-3:モノポリ(n=2)オキシエチレンラウリルエー
テルスルホコハク酸エステルジアンモニウム塩 シリコーン系消泡剤:SM5512(東レ・ダウコーニ
ング・シリコーン社製) ポリアクリル酸塩 :キャリボンL400(三洋化成工
業社製)
【0038】表1に記載の実施例1〜3及び比較例1の
分散剤をそれぞれ1.0%、酸化セリウムを10%とな
るように水を加え混合し、実施例4〜6及び比較例2の
研磨用スラリーを得た。
【0039】これら実施例4〜6、比較例2の研磨用ス
ラリーを用い、直径3.5インチ、厚み600μmのガ
ラスディスク基板20枚を精密平面ラップ盤9BF4M
5G(浜井産業株式会社製)で15分間研磨した結果を
表2に示す。評価と判定は以下の方法で行った。 加工速度:研磨前後のガラスディスク基板の厚みを測定
し、1分間当たりの厚みの減少量を算出した。 表面粗さ:表面粗さ測定器(小坂研究所製計社製)を用
いて研磨後のガラスディスクの表面粗さ(Ra:μm)
を評価した。 ガラス汚れ性:研磨後のガラスディスクをイオン交換水
を満たした500mlビーカーに30秒間浸漬した後、
引き上げ、ディスク表面に付着した砥粒等の汚れを目視
判定した。 ○:汚れなし △:汚れあり ×:汚れ著しい
【0040】
【表2】
【0041】この結果から、本発明の研磨用砥粒分散剤
を含むスラリーは研磨加工速度が優れており、表面粗さ
が良好であるとともに、研磨後のガラス表面に対する汚
れの発生がないことが判る。
【0042】
【発明の効果】本発明の研磨用砥粒分散剤を含む研磨用
スラリーは、従来使用されていたポリアクリル酸アンモ
ニム塩に比較して加工速度に優れ、良好な表面粗さの研
磨を行うことができ、かつ研磨後のガラス表面の汚れ発
生が少ないものである。さらに本発明の研磨用分散剤は
ガラスディスクのみならず、シリコンウエハ、アルミニ
ウム、セラミック、合成石英、水晶、サファイア等の鏡
面仕上げ研磨、二酸化珪素等の絶縁膜層を平坦化するC
MP加工に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 622 H01L 21/304 622D Fターム(参考) 3C047 FF08 GG15 3C058 AA07 CA05 CB01 CB03 DA02 4D077 AB20 AC05 BA07 BA14 DB05Y DC02Y DC03Y DC04Y DC28Y DC32Y DC33Y DC42Y DC54Y DC55Y DC56Y DC57Y DC59Y DC60Y DC62Y DC63Y

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(1)で示されるカルボニル基
    含有化合物(I)を含むことを特徴とする研磨用砥粒分
    散剤(A)。 [式中、Rは炭素数1〜24の炭化水素基、Aは炭素数
    2〜4の一種以上のアルキレン基、X1及びX2は一方が
    水素原子であり、一方が−SO3H又は−SO3 1/m
    ある。またZは水素原子、−(AO)n2R又はM1/m
    ある。n1及び n2は0又は1〜50の整数であり、
    n1とn2は同一であっても異なっていてもよい。M
    1/mはm価のカチオンを示し、mは1又は2である。]
  2. 【請求項2】研磨用砥粒が酸化セリウムである請求項1
    記載の分散剤。
  3. 【請求項3】ガラス研磨用である請求項1又は2記載の
    分散剤。
  4. 【請求項4】請求項1〜3のいずれかに記載の研磨用砥
    粒分散剤(A)、砥粒(B)及び水からなる研磨用スラ
    リー。
  5. 【請求項5】該研磨用スラリー中の(A)の含量が
    (B)に対し重量で1〜30%である請求項4記載のス
    ラリー。
JP2000115456A 2000-04-17 2000-04-17 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー Pending JP2001294848A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000115456A JP2001294848A (ja) 2000-04-17 2000-04-17 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000115456A JP2001294848A (ja) 2000-04-17 2000-04-17 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001294848A true JP2001294848A (ja) 2001-10-23

Family

ID=18627093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000115456A Pending JP2001294848A (ja) 2000-04-17 2000-04-17 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001294848A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003183630A (ja) * 2001-12-20 2003-07-03 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2010115751A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Showa Denko Kk 水性ダイヤモンドスラリーの再生方法
WO2010098278A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用組成物
JP2011062815A (ja) * 2003-04-25 2011-03-31 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc セラミックを機械加工するための方法
WO2016199672A1 (ja) * 2015-06-09 2016-12-15 テイカ株式会社 ガラス及びセラミック研磨用組成物
JPWO2015098197A1 (ja) * 2013-12-26 2017-03-23 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003183630A (ja) * 2001-12-20 2003-07-03 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2011062815A (ja) * 2003-04-25 2011-03-31 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc セラミックを機械加工するための方法
JP2010115751A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Showa Denko Kk 水性ダイヤモンドスラリーの再生方法
WO2010098278A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用組成物
JPWO2015098197A1 (ja) * 2013-12-26 2017-03-23 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
US10030172B2 (en) 2013-12-26 2018-07-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive, abrasive set, and method for polishing substrate
US10759968B2 (en) 2013-12-26 2020-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive, abrasive set, and method for polishing substrate
WO2016199672A1 (ja) * 2015-06-09 2016-12-15 テイカ株式会社 ガラス及びセラミック研磨用組成物
JP2017002166A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 テイカ株式会社 ガラス及びセラミック研磨用組成物
CN108026431A (zh) * 2015-06-09 2018-05-11 帝化株式会社 玻璃及陶瓷研磨用组成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6436835B1 (en) Composition for polishing a semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device using the same
JP2009099819A (ja) Cmp用研磨組成物及び該cmp用研磨組成物を使用したデバイスウェハの製造方法
JP2008270584A5 (ja) 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨方法
KR20080064823A (ko) 다결정규소 제거 조절 방법
WO2016035346A1 (en) Slurry composition, rinse composition, substrate polishing method and rinsing method
JP2015129217A (ja) 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
US10851267B2 (en) Polishing composition
CN101379154A (zh) 用于改善氧化物移除速率的cmp组合物
KR20070100122A (ko) 반도체 웨이퍼 연마용 에칭액 조성물, 그것을 이용한연마용 조성물의 제조방법, 및 연마가공방법
JP2001294848A (ja) 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー
CN110099977A (zh) 研磨用组合物及硅晶圆的研磨方法
TWI724117B (zh) 研磨用組成物套組、前研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法
JP2001300285A (ja) 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー
JP2007067153A (ja) 半導体ウェーハ研磨液組成物及び半導体ウェーハ研磨方法
JPWO2005029563A1 (ja) シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法
JP6811090B2 (ja) 酸化珪素膜用研磨液組成物
EP3859768A1 (en) Composition for polishing gallium oxide substrate
JP2004051756A (ja) Cmpプロセス用研磨組成物
CN104479559B (zh) 一种适用于晶片边缘抛光的组合物及其制备方法
JP2018053138A (ja) 金属酸化物粒子分散液
WO2013175976A1 (ja) Cmp用研磨材組成物及び該cmp用研磨材組成物を使用したデバイスウェハの製造方法
CN111647357A (zh) 一种多用途抛光液主液
TW202219264A (zh) 氧化鎵基板用清潔劑
JPH10245545A (ja) シリコンウェハー用研磨助剤
JP2004186350A (ja) Cmpプロセス用研磨組成物