TW201709298A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理方法及基板處理裝置，其使刷子一邊接觸以第一轉速旋轉中的基板之上表面，一邊從中央位置移動至外周位置。藉此，能刷洗基板的平坦區域。之後，使刷子接觸以比第一轉速更小的第二轉速旋轉中的基板之斜面區域。藉此，能刷洗基板的斜面區域。之後，一邊使基板以比第二轉速更大的第三轉速來旋轉，一邊將刷子配置於重疊區域洗淨位置。藉此，能刷洗平坦區域及斜面區域的重疊區域。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板的基板處理方法及基板處理裝置。在成為處理對象的基板中，例如涵蓋有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photo mask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽電池用基板等。
在專利文獻1中，已有揭示一種逐片刷洗(scrub cleaning)基板的葉片式基板處理裝置。
該基板處理裝置係包括：旋轉夾盤(spin chuck)，其一邊以已配置於基板之周圍的複數個夾持銷(chuck pin)將基板握持成水平，一邊使其繞通過基板之中央部的鉛直之旋轉軸線而旋轉；刷子(brush)，其按壓於由旋轉夾盤所保持的基板；以及磁板(magnet plate)及磁鐵升降機構(magnet lifting mechanism)，其在旋轉夾盤使基板旋轉時僅使一部分的夾持銷從基板離開。刷子係包括：上表面，其按壓於基板的下表面(背面)；以及鼓狀的外周面，其按壓於基板的斜面(bevel)部。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特許第4939376號公報。
在以夾持銷握持基板的構成之情況，由於僅能使刷子往外方移動至刷子不碰觸夾持銷的位置，所以無法以按壓於基板之表面或背面的刷子之洗淨面來刷洗基板的斜面部。
在專利文獻1中，由於可以使一部分的夾持銷從旋轉中的基板離開，所以也許可以一邊迴避刷子與夾持銷的接觸，一邊使按壓於基板之下表面(背面)的刷子之上表面接觸基板的斜面部。
然而，在全部的夾持銷並未接觸基板時，由於基板之保持的安定性比全部的夾持銷都接觸基板的情況更降低，所以必須使基板的轉速降低。
依據本發明人的研究，可明白因當基板的轉速較低時，基板與刷子的相對速度就較小，故而微粒子(particle)(例如，粒徑40nm左右的微小粒子)就會滯留及擴散於基板與刷子之間，且在使刷子從基板離開時殘留於基板上。因此，可明白有關基板的潔淨度仍有改善的餘地。
於是，本發明的目的之一係在於以按壓於基板之主面(表面或背面)的刷子之洗淨面來刷洗基板的斜面部，且提高基板的潔淨度。
本發明之一實施形態提供一種基板處理方法，其包括： 第一基板旋轉步驟，其一邊使複數個夾持銷的全部接觸基板的斜面部，一邊使前述複數個夾持銷繞通過前述基板的鉛直之旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以第一轉速來旋轉；平坦區域洗淨步驟，其與前述第一基板旋轉步驟同時進行，並使前述刷子在一邊使刷子的洗淨面接觸前述基板的主面，一邊使前述刷子不與已接觸到前述基板的斜面部的前述複數個夾持銷接觸的範圍內移動，藉此洗淨從前述基板之主面的中央至前述中央之周圍的位置為止的圓形之平坦區域；第二基板旋轉步驟，其在前述第一基板旋轉步驟之後，一邊使前述複數個夾持銷之三個以上的夾持銷接觸前述基板的斜面部，且使前述複數個夾持銷之剩餘的夾持銷從前述基板的斜面部離開，一邊使前述複數個夾持銷繞前述旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以比前述第一轉速更小的第二轉速來旋轉；斜面區域洗淨步驟，其與前述第二基板旋轉步驟同時進行，並將前述刷子配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指已遠離前述基板之斜面部的前述夾持銷之內側的位置且前述刷子的洗淨面接觸相當於前述平坦區域之外周部分的環狀之重疊區域與前述基板之主面的傾斜部之雙方的位置，藉此洗淨包括前述重疊區域與前述基板之主面的傾斜部之雙方的斜面區域；第三基板旋轉步驟，其在前述第二基板旋轉步驟之後，一邊使前述複數個夾持銷的全部接觸前述基板的斜面部，一邊使前述複數個夾持銷繞前述旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以比前 述第二轉速更大的第三轉速來旋轉；以及重疊區域洗淨步驟，其與前述第三基板旋轉步驟同時進行，並將前述刷子配置於重疊區域洗淨位置，該重疊區域洗淨位置係指前述刷子的洗淨面接觸前述重疊區域且不與已接觸到前述基板的斜面部的前述複數個夾持銷接觸之位置，藉此洗淨前述重疊區域。
依據該方法，一邊使全部的夾持銷接觸基板的斜面部，一邊使全部的夾持銷旋轉。藉此，基板以第一轉速繞旋轉軸線而旋轉。刷子的洗淨面係按壓於旋轉中的基板之主面。在此狀態下，刷子係在刷子未接觸複數個夾持銷的範圍內沿著基板的主面移動。藉此，能使刷子摩擦從基板之主面的中央至其周圍的位置為止的圓形之平坦區域，且能刷洗平坦區域。
其次，在三個以上的夾持銷已接觸到基板的斜面部的狀態下，剩餘的夾持銷能從基板離開。基板的轉速係能從第一轉速降低至第二轉速。在此狀態下，刷子係配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指使刷子的洗淨面接觸相當於平坦區域之外周部分的環狀之重疊區域、和基板之主面的傾斜部之雙方的位置。藉此，能刷洗包括重疊區域和基板之主面的傾斜部之雙方的斜面區域。換句話說，刷子的洗淨面不僅能按壓於平坦區域還能按壓於斜面區域。
其次，全部的夾持銷按壓於基板的斜面部。基板的轉速係能提高至比第二轉速更大的第三轉速。在此狀態下， 刷子係配置於重疊區域洗淨位置，該重疊區域洗淨位置係指刷子的洗淨面接觸重疊區域且不與已接觸到基板的斜面部的複數個夾持銷接觸的位置。由於第三轉速比第二轉速更大，所以基板與刷子的相對速度會上升。因此，微粒子能更確實地從重疊區域去除。
重疊區域為平坦區域及斜面區域之各自的一部分。正在洗淨平坦區域時，能洗淨重疊區域。另一方面，正在洗淨斜面區域時，微粒子會擴散至重疊區域。此是因正在洗淨斜面區域時的基板之轉速較低，且微粒子會滯留及擴散於基板與刷子之間所致。從而，在洗淨斜面區域之後，一邊使基板以高速旋轉一邊洗淨重疊區域，藉此就可以將微粒子從重疊區域去除。藉此，可以提高基板的潔淨度。
在本實施形態中，以下的至少一個特徵亦可追加於前述基板處理方法中。前述重疊區域洗淨步驟係包括：移動步驟，其使前述刷子不移動至前述重疊區域洗淨位置之內側的位置，而是使前述刷子從前述斜面區域洗淨位置移動至前述重疊區域洗淨位置；以及脫離步驟，其使前述刷子從前述重疊區域洗淨位置朝向上方向或下方向移動，藉此使前述刷子從前述基板離開。
正在洗淨斜面區域時，雖然滯留於基板與刷子之間的微粒子會擴散於基板之主面的傾斜部與重疊區域，但是不易擴散至重疊區域之內側的區域。依據該方法，並非是使基板與刷子的接觸區域在重疊區域之內側移動，而是使刷子從斜面區域洗淨位置直接移動至重疊區域洗淨位置之後 從基板離開。從而，可以有效率地僅洗淨正在洗淨斜面區域時受到汙染的區域(重疊區域)及其附近。再者，與已洗淨斜面區域之後再洗淨平坦區域整體的情況相較，還可以增加產能(throughput)(每一單位時間的基板之處理片數)。
前述平坦區域洗淨步驟係包括：掃描步驟，其使前述刷子一邊接觸前述基板的主面一邊僅朝向遠離前述旋轉軸線的方向移動。
依據該方法，在洗淨平坦區域時，一邊使刷子接觸旋轉中的基板之主面，一邊使刷子僅朝向遠離基板之旋轉軸線的方向移動。基板上的微粒子係能藉由刷子之移動促使其沿著基板往外方移動。因此，可以將微粒子有效率地從基板去除，且可以進而提高基板的潔淨度。
前述重疊區域洗淨步驟被執行時之前述基板的轉速、前述刷子對前述基板的按壓力、以及前述刷子對前述基板的接觸時間之至少一個，比前述平坦區域洗淨步驟時更減少。
正在洗淨斜面區域時，滯留於基板與刷子之間的微粒子會擴散至重疊區域。已擴散至重疊區域的微粒子係能藉由刷子從基板剝離，通常比起洗淨前已附著於基板的微粒子，其對基板的附著力較弱。因此，即便減弱包括基板之轉速的洗淨條件，仍可以將微粒子從重疊區域去除。藉此，可以有效率地提高基板的潔淨度。
本發明之另一實施形態提供一種基板處理方法，其包括：第二基板旋轉步驟，其一邊使複數個夾持銷之三個 以上的夾持銷接觸基板的斜面部，且使前述複數個夾持銷之剩餘的夾持銷從前述基板的斜面部離開，一邊使前述複數個夾持銷繞通過前述基板的鉛直之旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以第二轉速來旋轉；斜面區域洗淨步驟，其與前述第二基板旋轉步驟同時進行，並將前述刷子配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指已遠離前述基板之斜面部的前述夾持銷之內側的位置，且刷子的洗淨面接觸前述基板之主面的傾斜部與前述傾斜部之內側的環狀之重疊區域之雙方的位置，藉此洗淨包括前述重疊區域與前述基板之主面的傾斜部之雙方的斜面區域；第一基板旋轉步驟，其在前述第二基板旋轉步驟之後，一邊使前述複數個夾持銷的全部接觸前述基板的斜面部，一邊使前述複數個夾持銷繞前述旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以比前述第二轉速更大的第一轉速來旋轉；以及平坦區域洗淨步驟，其與前述第一基板旋轉步驟同時進行，並使前述刷子在中央位置與外周位置之間移動，該中央位置係指前述刷子的洗淨面接觸前述基板之主面的中央之位置，該外周位置係指前述刷子的洗淨面接觸前述重疊區域且不與已接觸到前述基板的斜面部的前述複數個夾持銷接觸之位置，藉此洗淨從前述基板之主面的中央至前述重疊區域為止的圓形之平坦區域。
依據該方法，一邊使三個以上的夾持銷接觸基板的斜面部，一邊使剩餘的夾持銷從基板的斜面部離開，且使全部的夾持銷旋轉。藉此，基板能以第二轉速繞旋轉軸線而 旋轉。在此狀態下，刷子被配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指刷子的洗淨面接觸基板之主面的傾斜部與其內側的環狀之重疊區域之雙方的位置。藉此，能使刷子摩擦包括重疊區域與基板之主面的傾斜部之雙方的斜面區域，且能刷洗斜面區域。
其次，全部的夾持銷被按壓於基板的斜面部。基板的轉速係能提高至比第二轉速更大的第一轉速。在此狀態下，刷子係在中央位置與外周位置之間移動，該中央位置係指刷子的洗淨面接觸基板之主面的中央之位置，該外周位置係指刷子的洗淨面接觸重疊區域且不與已接觸到基板的斜面部的複數個夾持銷接觸的位置。藉此，能刷洗從基板之主面的中央至其周圍的位置為止的圓形之平坦區域。換句話說，刷子的洗淨面不僅能按壓於斜面區域還能按壓於平坦區域。
重疊區域為平坦區域及斜面區域之各自的一部分。在已洗淨平坦區域之後，當洗淨斜面區域時，微粒子就會殘留於重疊區域。此是因正在洗淨斜面區域時的基板之轉速較低，且微粒子會滯留及擴散於基板與刷子之間所致。從而，在洗淨斜面區域之後，可以藉由一邊使基板以高速旋轉一邊洗淨平坦區域，而將微粒子從重疊區域去除。藉此，可以提高基板的潔淨度。再者，由於可以一邊洗淨平坦區域整體，一邊去除已擴散於重疊區域的微粒子，所以可以縮短洗淨時間。
本發明之另一實施形態係提供一種基板處理裝置，其包括：旋轉夾盤，其包括複數個夾持銷、夾盤開閉機構及旋轉馬達，該複數個夾持銷係配置於基板的周圍，該夾盤開閉機構係使前述複數個夾持銷之三個以上的夾持銷和前述複數個夾持銷之剩餘的夾持銷獨立地在閉合位置與開啟位置之間移動，該閉合位置係指前述夾持銷接觸前述基板的斜面部之位置，該開啟位置係指前述夾持銷已遠離前述基板的斜面部之位置，該旋轉馬達係使前述複數個夾持銷繞通過前述基板的鉛直之旋轉軸線而旋轉；刷子，其包括被按壓於由前述旋轉夾盤保持成水平的前述基板的洗淨面；刷子移動機構，用以使前述刷子移動；以及控制裝置，其藉由控制前述旋轉夾盤及刷子移動機構，來執行前述任一種基板處理方法。依據該構成，可以達成前述的功效。
本發明中之前述的、或進而其他的目的、特徵及功效，係能參照所附圖式並依據以下所述的實施形態之說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧處理液噴嘴
6‧‧‧處理液配管
7‧‧‧處理液閥
8‧‧‧流量調整閥
9‧‧‧旋轉夾盤
10‧‧‧旋轉基座
10a‧‧‧旋轉基座的上表面
11‧‧‧夾持銷
12‧‧‧握持部
13‧‧‧支承部
14‧‧‧基底部
15‧‧‧旋轉軸
16‧‧‧旋轉馬達
17‧‧‧外殼
17a‧‧‧外殼的周壁
17b‧‧‧外殼的上壁
18‧‧‧隨動磁鐵
19‧‧‧閉合用驅動磁鐵
20‧‧‧磁蓋
21‧‧‧第一開啟用驅動磁鐵
22‧‧‧第二開啟用驅動磁鐵
23‧‧‧第一磁鐵升降機構
24‧‧‧第二磁鐵升降機構
31‧‧‧刷子
31a‧‧‧刷子的洗淨面
32‧‧‧刷子保持具
33‧‧‧保持具安裝部
34‧‧‧支承軸
35‧‧‧刷子臂
36‧‧‧刷子移動機構
37‧‧‧刷子水平驅動機構
38‧‧‧刷子鉛直驅動機構
39‧‧‧按壓力變更機構
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧銷轉動軸線
A3‧‧‧刷子轉動軸線
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
W‧‧‧基板
圖1係水平觀察本發明之一實施形態的基板處理裝置中所備置的處理單元之內部的示意圖。
圖2係從上方觀察處理單元中所備置的旋轉夾盤之示意圖。
圖3A係顯示旋轉夾盤與刷子之位置關係的示意圖，且顯示全部的夾持銷位於閉合位置、刷子位於外周位置的狀態。
圖3B係顯示旋轉夾盤與刷子之位置關係的示意圖，且顯示僅有一個夾持銷位於開啟位置、刷子位於斜面區域洗淨位置的狀態。
圖4係用以說明基板之斜面部的放大圖。
圖5A係用以說明藉由處理單元所進行的基板之第一處理例的示意圖，且顯示刷子從中央位置移動至外周位置的樣態。
圖5B係用以說明藉由處理單元所進行的基板之第一處理例的示意圖，且顯示刷子位於斜面區域洗淨位置的狀態。
圖5C係用以說明藉由處理單元所進行的基板之第一處理例的示意圖，且顯示刷子配置於外周位置後從外周位置退避至上方的樣態。
圖6係顯示第一處理例之流程的示意圖。
圖7A係用以說明藉由處理單元所進行的基板之第二處理例的示意圖，且顯示刷子配置於斜面區域洗淨位置後移動至中央位置之上方的樣態。
圖7B係用以說明藉由處理單元所進行的基板之第二處理例的示意圖，且顯示刷子從中央位置移動至外周位置的樣態。
圖8係顯示第二處理例之流程的示意圖。
圖9係用以說明基板之洗淨條件的表格。
圖1係水平觀察本發明之一實施形態的基板處理裝置 1中所備置的處理單元2之內部的示意圖。圖2係從上方觀察處理單元2中所備置的旋轉夾盤9之示意圖。在圖1中，旋轉軸線A1的右側係顯示夾持銷11位於開啟位置的狀態，旋轉軸線A1的左側係顯示夾持銷11位於閉合位置的狀態。圖2係顯示全部的夾持銷11位於開啟位置的狀態。
如圖1所示，基板處理裝置1係指逐片處理半導體晶圓等圓板狀之基板W的葉片式裝置。基板處理裝置1係包括：處理單元2，其以處理液或處理氣體等的處理流體來處理基板W；搬運機器人(未圖示)，用以將基板W搬運至處理單元2；以及控制裝置3，用以控制基板處理裝置1。控制裝置3係指包括運算部和記憶部的電腦(computer)。
處理單元2係包括：箱形的腔室(chamber)4，其具有內部空間；旋轉夾盤9，其在腔室4內使基板W一邊保持成水平一邊繞通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1而旋轉；以及處理液噴嘴5，用以朝向由旋轉夾盤9所保持的基板W之上表面噴出處理液。處理液噴嘴5係與夾設有處理液閥7及流量調整閥8的處理液配管6連接。
當處理液閥7被開啟時，處理液就以與流量調整閥8之開啟度對應的流量從處理液配管6供給至處理液噴嘴5，且從處理液噴嘴5朝向基板W之上表面往下方噴出。處理液例如是純水(去離子水)。處理液既可為純水以外的沖洗液，又可為藥液，又可為IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)等的液狀之有機溶劑。複數種的處理液亦可從一個以上的 噴嘴依順序地供給至基板W。
旋轉夾盤9係包括：圓板狀的旋轉基座(spin base)10，其被保持成水平；複數個夾持銷11，其在旋轉基座10的上方將基板W保持成水平；以及夾盤開閉機構，用以使複數個夾持銷11開閉。旋轉夾盤9進而包括：旋轉軸(spin axis)15，其從旋轉基座10之中央部沿著旋轉軸線A1往下方延伸；以及旋轉馬達16，其藉由使旋轉軸15旋轉來使旋轉基座10及複數個夾持銷11繞旋轉軸線A1而旋轉。
如圖2所示，旋轉基座10係包括具有比基板W更大之外徑的圓形且水平的上表面10a。夾持銷11係配置於旋轉基座10的外周部且從旋轉基座10的上表面10a往上方突出。複數個夾持銷11係隔出間隔地排列於圓周方向。夾持銷11係由旋轉基座10保持成能夠旋轉。
如圖1所示，旋轉馬達16係配置於旋轉基座10之下方。旋轉夾盤9係進而包括用以收容旋轉馬達16的外殼(housing)17。外殼17係包括：筒狀之周壁17a，用以包圍旋轉馬達16；以及環狀之上壁17b，其從周壁17a的上端往內方延伸。旋轉軸15係藉由外殼17的上壁17b所包圍。
夾持銷11係包括：支承部13，用以支承基板W；握持部12，其按壓於基板W的斜面部；以及基底部14，其與支承部13及握持部12一起繞鉛直的銷轉動軸線A2而對旋轉基座10轉動。夾持銷11係能夠在閉合位置(圖1之左側的夾持銷11之位置)與開啟位置(圖1之右側的夾持銷11之位置)之間繞銷轉動軸線A2而對旋轉基座10轉動，該閉 合位置係指握持部12按壓於基板W的斜面部之位置，該開啟位置係指握持部12遠離基板W的斜面部之位置。
支承部13及握持部12係配置於比旋轉基座10的上表面10a更靠上方。基底部14係在上下方向貫通旋轉基座10的外周部。握持部12為朝向上下方向延伸的圓柱狀。支承部13係形成朝向握持部12往上方延伸的斜面。握持部12係對銷轉動軸線A2偏心。當基底部14繞銷轉動軸線A2而轉動時，從握持部12至旋轉軸線A1的距離就會增減。
複數個支承部13係在各夾持銷11配置於開啟位置時，即各握持部12遠離基板W的斜面部時，藉由各支承部13與基板W的下表面之接觸將基板W支承成水平。在基板W由複數個支承部13所支承的狀態下，當夾持銷11從開啟位置移動至閉合位置時，就一邊使基板W的斜面部沿著支承部13往上方導引，一邊使握持部12接近基板W的斜面部。當夾持銷11到達閉合位置時，握持部12就按壓於基板W的斜面部。藉此，基板W能由複數個握持部12所握持。
夾盤開閉機構係包括：複數個隨動磁鐵18，其分別安裝於複數個夾持銷11；複數個閉合用驅動磁鐵19，其分別對應複數個隨動磁鐵18；第一開啟用驅動磁鐵21，其對應複數個隨動磁鐵18；以及第二開啟用驅動磁鐵22，其對應複數個隨動磁鐵18。
閉合用驅動磁鐵19為用以形成使夾持銷11位於閉合 位置之磁場的磁鐵。第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22為用以形成使夾持銷11位於閉合位置之磁場的磁鐵。隨動磁鐵18及閉合用驅動磁鐵19皆為永久磁鐵。第一開啟用驅動磁鐵21既可為永久磁鐵又可為電磁鐵。就第二開啟用驅動磁鐵22而言亦為同樣。
閉合用驅動磁鐵19係透過磁鐵蓋(magnet cover)20而固定於旋轉基座10。從銷轉動軸線A2至閉合用驅動磁鐵19的水平距離係與旋轉基座10及夾持銷11的旋轉角無關而是固定的。相對於此，第一開啟用驅動磁鐵21係能夠在夾持銷11位於開啟位置之作為鄰近位置的上位置、與夾持銷11位於開啟位置之作為脫離位置的下位置之間鉛直地移動。就第二開啟用驅動磁鐵22而言亦為同樣。夾持銷11的開閉係按照第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之位置而切換。
隨動磁鐵18係配置於旋轉基座10的下方。隨動磁鐵18係與夾持銷11一起繞銷轉動軸線A2而轉動。隨動磁鐵18及閉合用驅動磁鐵19係配置於安裝至旋轉基座10的磁鐵蓋20內。隨動磁鐵18係對磁鐵蓋20能夠繞銷轉動軸線A2而旋轉。閉合用磁鐵19係固定於磁鐵蓋20。閉合用驅動磁鐵19係配置於比銷轉動軸線A2更靠外側。磁鐵蓋20及閉合用驅動磁鐵19係與旋轉基座10一起繞旋轉軸線A1而旋轉。
第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22係配置於比銷轉動軸線A2更靠內側。第一開啟用驅動磁鐵 21及第二開啟用驅動磁鐵22係配置於旋轉軸線A1的周圍。第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22係配置於外殼17內。第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22係藉由外殼17及磁鐵蓋20而隔開從隨動磁鐵18。即便旋轉基座10旋轉，第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22仍不會旋轉而是位於當時的位置。
第一開啟用驅動磁鐵21係形成僅使一個夾持銷11位於開啟位置的大小，第二開啟用驅動磁鐵22係形成使剩餘的夾持銷11位於開啟位置的大小。如圖2所示，第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22係配置於具有位於旋轉軸線A1上之中心的同一圓周上。第二開啟用驅動磁鐵22例如是以俯視觀察呈包圍旋轉軸線A1的C字狀，第一開啟用驅動磁鐵21例如是以俯視觀察呈堵塞C字狀的第二開啟用驅動磁鐵22之開口部的圓弧狀。第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22的形狀並未被限於此。
如圖1所示，夾盤開閉機構係包括：第一磁鐵升降機構23，用以使第一開啟用驅動磁鐵21在上位置與下位置之間鉛直地升降；以及第二磁鐵升降機構24，用以使第二開啟用驅動磁鐵22在上位置與下位置之間鉛直地升降。第一磁鐵升降機構23及第二磁鐵升降機構24係配置於外殼17內。第一磁鐵升降機構23例如是包括作為致動器(actuator)的氣壓缸(air cylinder)或電動馬達。就第二磁鐵升降機構24而言亦為同樣。
當第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方都配置於上位置時，全部的夾持銷11就配置於開啟位置。第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方都配置於下位置時，全部的夾持銷11就配置於閉合位置。當第一開啟用驅動磁鐵21配置於上位置、第二開啟用驅動磁鐵22配置於下位置時，就僅有一個夾持銷11配置於開啟位置，剩餘的夾持銷11則配置於閉合位置。
基板W正在旋轉時，當第一開啟用驅動磁鐵21配置於上位置而第二開啟用驅動磁鐵22配置於下位置時，配置於開啟位置的夾持銷11就藉由第一開啟用驅動磁鐵21所形成的磁場在圓周方向依順序地交替。換句話說，各夾持銷11係在繞旋轉軸線A1一圈的期間，從閉合位置移動至開啟位置，且從開啟位置回到閉合位置。
當基板W旋轉時，複數個夾持銷11係通過包圍基板W的環狀之區域。如圖2所示，該環狀之區域係包括排列於圓周方向的第一區域R1及第二區域R2。在第一開啟用驅動磁鐵21配置於上位置且第二開啟用驅動磁鐵22配置於下位置時，位於圓弧狀之第一區域R1的夾持銷11係配置於開啟位置，位於C字狀之第二區域R2之剩餘的夾持銷11係配置於閉合位置。
如圖1所示，處理單元2係包括：刷子31，其按壓於基板W；刷子臂35，用以保持刷子31：刷子移動機構36，其藉由使刷子臂35移動來使刷子31移動；以及按壓力變更機構39，用以變更刷子31對基板W的按壓力。按壓力 變更機構39係配置於刷子臂35內。處理單元2亦可將刷子自轉機構備置於刷子臂35內，該刷子自轉機構係使刷子31繞刷子31相對於刷子臂35呈鉛直之旋轉軸線A1而旋轉。
刷子31係由已配置於刷子31之上方的刷子保持具32所保持。刷子保持具32係安裝於配置在刷子保持具32之上方的保持具安裝部33。保持具安裝部33係由從保持具安裝部33往上方延伸的支承軸34所支承。支承軸34係從刷子臂35往下方突出。在刷子自轉機構備置於刷子臂35內的情況下，刷子自轉機構係使支承軸34繞其中心線而旋轉，藉此使刷子31自轉。
刷子31為由PVA(聚乙烯醇(polyvinyl alcohol))等之合成樹脂所製作成之能夠彈性變形的海綿刷(sponge brush)。刷子31係從刷子保持具32往下方突出。刷子31係包括被配置於比刷子保持具32更靠下側的洗淨面31a。洗淨面31a係對基板W的上表面在上下方向對向。洗淨面31a係以俯視觀察比基板W更小。
如後面所述般，在刷洗基板W時，洗淨面31a被按壓於旋轉中的基板W之上表面。當刷子31被按壓於基板W時，洗淨面31a就藉由刷子31之彈性變形而密接於基板W。洗淨面31a係在刷子31並未按壓於基板W的自由狀態下，既可為與基板W之上表面平行的平面，又可為往下方凸出的半球面。在洗淨面31a為圓形的情況下，洗淨面31a的直徑例如是20mm。但是，洗淨面31a的大小並未被限於 此。
刷子移動機構36係包括：刷子水平驅動機構37，用以使刷子臂35水平地移動；以及刷子鉛直驅動機構38，用以使刷子臂35鉛直地移動。圖1係顯示刷子水平驅動機構37為使刷子臂35繞位於旋轉夾盤9之周圍的鉛直之刷子轉動軸線A3而轉動的刷子迴旋機構之例。刷子水平驅動機構37亦可為使刷子臂35水平地平行移動的刷子滑動機構。
刷子移動機構36係藉由使刷子臂35移動來使刷子31移動至複數個位置。複數個位置係包括：刷子31以俯視觀察位於旋轉夾盤9之周圍的待機位置；刷子31接觸基板W之上表面的中央的中央位置(在圖2中以二點鏈線所示的刷子31之位置)；刷子31接觸基板W之上表面的外周部的外周位置(圖3A所示的刷子31之位置)；以及刷子31接觸基板W之上表面的傾斜部的斜面區域洗淨位置(圖3B所示的刷子31之位置)。
圖3A至圖3B係顯示夾持銷11與刷子31之位置關係的示意圖。圖3A係顯示全部的夾持銷11位於閉合位置，且刷子31位於外周位置的狀態。圖3B係顯示僅有一個夾持銷11位於開啟位置，且刷子31位於斜面區域洗淨位置的狀態。圖4係用以針對基板W的斜面部加以說明的放大圖。
如圖4所示，基板W的上表面係包括：水平且平坦的圓形之平坦部；以及從上表面的平坦部之外端斜下往外方 延伸的環狀之傾斜部。同樣地，基板W之下表面係包括：水平且平坦的圓形之平坦部；以及從下表面的平坦部之外端斜上往外方延伸的環狀之傾斜部。上表面及下表面的傾斜部係傾斜於上表面及下表面的平坦部。基板W的環狀之前端係從上表面的傾斜部之外端朝向下表面的傾斜部之外端延伸。
基板W的斜面部(外周部)係指包括上表面的傾斜部、前端、以及下表面的傾斜部之部分。圖4係顯示基板W的斜面部為剖面拋物線狀之例。基板W的斜面部並不限於剖面拋物線狀，亦可為剖面梯形狀。換句話說，上表面的傾斜部、前端、以及下表面的傾斜部之各個並不限於剖面圓弧狀，亦可為剖面直線狀。在基板W的上表面為相當於元件(device)形成面的表面之情況下，上表面的平坦部之一部分就相當於元件形成區域。非元件形成區域係指基板W之上表面內的元件形成區域之周圍的環狀之區域。
中央位置係指刷子31接觸基板W之上表面的中央的位置。如圖3A所示，外周位置係指刷子31接觸基板W之上表面的平坦部且基板W與刷子31之接觸區域之外側的境界位於基板W之上表面的平坦部的位置。如圖3B所示，斜面區域洗淨位置係指刷子31接觸基板W之上表面的傾斜部及平坦部之雙方且基板W與刷子31之接觸區域之內側的境界位於基板W之上表面的平坦部的位置。當觀察圖3A及圖3B時就可明白，外周位置的外側部分係重疊於斜面區域洗淨位置之內側部分。外周位置及斜面區域洗淨位 置係指中央位置之外側的位置。
從基板W正在旋轉且刷子31位於外周位置時的基板W與刷子31之接觸區域之外側的境界至基板W之上表面的中央為止的區域係指圓形之平坦區域(參照圖4)。從基板W正在旋轉且刷子31位於斜面區域洗淨位置時之刷子31對基板W的接觸區域係指包括上表面之傾斜部及平坦部的環狀之斜面區域(參照圖4)。如圖4所示，平坦區域的外周部與斜面區域的內周部係重疊著。該重疊著的環狀之區域係指重疊區域。外周位置係相當於重疊區域洗淨位置，該重疊區域洗淨位置係指刷子31的洗淨面31a接觸重疊區域且不與已接觸到基板W之斜面部的複數個夾持銷11接觸的位置。
如圖3A所示，在外周位置中，刷子31並未從基板W的前端往外方突出。因此，在全部的夾持銷11位於閉合位置時，即便將刷子31配置於外周位置，刷子31仍不會接觸夾持銷11。相對於此，如圖3B所示，在斜面區域洗淨位置中，刷子31係從基板W的前端往外方突出。因此，在將刷子31配置於斜面區域洗淨位置時，為了迴避刷子31與夾持銷11之接觸，而使第一開啟用驅動磁鐵21位於上位置，且僅使一個夾持銷11位於開啟位置。
其次，針對藉由處理單元2所進行的基板W之處理例(第一處理例及第二處理例)加以說明。
以下的各動作係藉由控制裝置3基於顯示基板W之處理條件及處理順序的配方(recipe)而控制基板處理裝置1所 執行。所處理的基板W既可為圖案(pattern)已在表面露出的基板W，又可為圖案並未露出的基板W。
圖5A至圖5C係用以說明第一處理例的示意圖。圖6係顯示第一處理例之流程的示意圖。
在藉由處理單元2來處理基板W時，為了使全部的夾持銷11位於開啟位置，第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方係配置於上位置。在此狀態下，搬運機器人(未圖示)係將機械手上的基板W搬入腔室4內，且將表面已向下的基板W置放於旋轉基座10之上方(步驟S1)。藉此，基板W就由複數個夾持銷11的支承部13所支承。之後，第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方係配置於上位置。藉此，全部的夾持銷11就從開啟位置移動至閉合位置，且基板W由複數個夾持銷11的握持部12所握持(步驟S2)。
在基板W由複數個夾持銷11所握持之後，旋轉馬達16係使基板W開始旋轉(步驟S3)。藉此，基板W就以第一轉速來旋轉。之後，處理液閥7被開啟，作為處理液之一例的純水從處理液噴嘴5噴出。藉此，開始對基板W之上表面供給純水(步驟S4)。從處理液噴嘴5噴出的純水係附著於旋轉中的基板W之上表面，且沿著基板W之上表面往外方流動。藉此，就形成有用以覆蓋基板W之上表面全區的純水之液膜。
其次，刷子移動機構36使刷子31從待機位置移動至中央位置。藉此，刷子31就以配方所指定的按壓力按壓於 基板W的上表面，且刷子31的洗淨面31a接觸旋轉中的基板W之上表面的中央(步驟S5)。之後，如圖5A所示，刷子移動機構36係使刷子31從中央位置移動至外周位置(步驟S6)。藉此，刷子31就能摩擦平坦區域的整體，且能刷洗平坦區域的整體。
在刷子31已到達外周位置之後，旋轉馬達16使基板W的轉速降低至比第一轉速更小的第二轉速(步驟S7)。之後，第一磁鐵升降機構23使第一開啟用驅動磁鐵21從下位置移動至上位置。此時，第二開啟用驅動磁鐵22係位於下位置。因此，在一個夾持銷11之握持部12遠離基板W的斜面部，且剩餘的夾持銷11之握持部12已接觸到基板W的斜面部的狀態下，全部的夾持銷11繞旋轉軸線A1而旋轉(步驟S8)。如前述般，遠離基板W的夾持銷11係藉由複數個夾持銷11之旋轉而依順序地交替。
刷子移動機構36係在第一磁鐵上升機構23配置於上位置之後，使刷子31一邊接觸基板W，一邊從外周位置朝向斜面區域洗淨位置往外方移動(步驟S9)。當刷子31移動至斜面區域洗淨位置時，刷子31之一部分就接近原來的形狀，且密接於基板W之上表面的傾斜部。藉此，如圖5B所示，刷子31就接觸基板W之上表面的傾斜部及平坦部之雙方。因此，刷子就能摩擦包括基板W之上表面的傾斜部及平坦部之雙方的斜面區域之整體，且能刷洗斜面區域的整體。
刷子移動機構36係在刷子31已移動至斜面區域洗淨 位置之後，使刷子31一邊接觸基板W，一邊從斜面區域洗淨位置朝向外周位置往內方移動(步驟S10)。之後，第一磁鐵升降機構23係使第一開啟用驅動磁鐵21從上位置移動至下位置。藉此，全部的夾持銷11之握持部12就接觸基板W的斜面部(步驟S11)。之後，旋轉馬達16係使基板W的轉速上升至比第二轉速更大的第三轉速(步驟S12)。藉此，刷子31就能摩擦以第三轉速旋轉中的基板W之重疊區域的整體，且能刷洗重疊區域的整體。
刷子移動機構36係在基板W的轉速上升至第三轉速之後，使刷子31從外周位置往上方移動(步驟S13)。藉此，刷子31就遠離基板W。之後，刷子移動機構36係使刷子31移動至待機位置。處理液閥7係在刷子31遠離基板W之後被閉合。藉此，就能停止對基板W供給純水(步驟S14)。之後，旋轉馬達16使基板W的轉速上升至比第一轉速至第三轉速之任一個轉速更大的乾燥速度(例如，數千rpm)。藉此，已附著於基板W的純水就能朝向基板W的周圍甩開，而能使基板W乾燥(步驟S15)。旋轉馬達16係在基板W已乾燥之後，使基板W的旋轉停止(步驟S16)。
第一磁鐵升降機構23及第二磁鐵升降機構24係在基板W的旋轉已停止之後，使第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方從下位置移動至上位置。藉此，全部的夾持銷11之握持部12就遠離基板W的斜面部，且基板W由全部的夾持銷11之支承部13所支承(步驟S17)。之後，搬運機器人(未圖示)會用機械手將旋轉夾盤9上的 基板W往上舉起，且與機械手一起將基板W從腔室4搬出(步驟S18)。藉此，就能從腔室4搬出處理完成的基板W。
其次，針對藉由處理單元2所進行的基板W之第二處理例加以說明。
圖7A至圖7B係用以說明第二處理例的示意圖。圖8係顯示第二處理例之流程的示意圖。
在藉由處理單元2處理基板W時，為了使全部的夾持銷11位於開啟位置，第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方係位於上位置。在此狀態下，搬運機器人(未圖示)係將機械手上的基板W搬入腔室4內，且將表面向下的基板W置放於旋轉基座10之上方(步驟S21)。藉此，基板W就能藉由複數個夾持銷11的支承部13所支承。之後，僅有第二開啟用驅動磁鐵22配置於上位置。藉此，一個以外之全部的夾持銷11就從開啟位置移動至閉合位置，且基板W由複數個夾持銷11的握持部12所握持(步驟S22)。
在基板W由複數個夾持銷11所握持之後，旋轉馬達16係使基板W開始旋轉(步驟S23)。藉此，基板W就以第二轉速來旋轉。之後，處理液閥7被開啟，作為處理液之一例的純水從處理液噴嘴5噴出。藉此，開始對基板W之上表面供給純水(步驟S24)。從處理液噴嘴5噴出的純水係附著於旋轉中的基板W之上表面，且沿著基板W之上表面往外方流動。藉此，就能形成用以覆蓋基板W之上表面全區的純水之液膜。
其次，刷子移動機構36使刷子31從待機位置移動至斜面區域洗淨位置。藉此，如圖7A所示，刷子31就以配方所指定的按壓力按壓於基板W，且接觸旋轉中的基板W之上表面的傾斜部及平坦部之雙方(步驟S25)。因此，刷子31能摩擦包括基板W之上表面的傾斜部及平坦部之雙方的斜面區域之整體。藉由刷子31而從基板W剝離後的微粒子係與在基板W上往外方流動的純水一起從基板W排出。藉此，就能刷洗斜面區域的整體。
如圖7A中之箭頭所示，刷子移動機構36係在刷子31移動至斜面區域洗淨位置之後，使刷子31從斜面區域洗淨位置往上方移動。藉此，刷子31就遠離基板W(步驟S26)。之後，第一磁鐵升降機構23使第一開啟用驅動磁鐵21從上位置移動至下位置。藉此，全部的夾持銷11之握持部12就接觸基板W的斜面部(步驟S27)。此時，由於刷子31退避至上方，所以刷子31亦不會接觸任一個夾持銷11。旋轉馬達16係在第一開啟用驅動磁鐵21已移動至下位置之後，使基板W的轉速上升至比第二轉速更大的第一轉速(步驟S28)。
刷子移動機構36係在全部的夾持銷11配置於閉合位置且基板W的轉速上升至第一轉速的期間中，使已遠離基板W的刷子31往內方移動至中央位置的上方之位置為止(步驟S29)。之後，刷子移動機構36係使刷子31移動至中央位置，且使刷子31接觸以第一轉速旋轉中的基板W之上表面(步驟S30)。接著，如圖7B所示，刷子移動機構36 係使刷子31從中央位置移動至外周位置(步驟S31)。藉此，刷子31就能摩擦平坦區域的整體，且能刷洗包括重疊區域的平坦區域之整體。
刷子移動機構36係在刷子31已到達外周位置之後，使刷子31從外周位置往上方移動(步驟S32)。藉此，刷子31就能遠離基板W。之後，刷子移動機構36係使刷子31移動至待機位置。處理液閥7係在刷子31已遠離基板W之後被閉合。藉此，就能停止對基板W供給純水(步驟S33)。之後，旋轉馬達16使基板W的轉速上升至比第一轉速至第二轉速之任一個轉速更大的乾燥速度(例如，數千rpm)。藉此，已附著於基板W的純水就能朝向基板W的周圍甩開，而能使基板W乾燥(步驟S34)。旋轉馬達16係在基板W已乾燥之後，使基板W的旋轉停止(步驟S35)。
第一磁鐵升降機構23及第二磁鐵升降機構24係在基板W的旋轉已停止之後，使第一開啟用驅動磁鐵21及第二開啟用驅動磁鐵22之雙方從下位置移動至上位置。藉此，全部的夾持銷11之握持部12就遠離基板W的斜面部，且基板W由全部的夾持銷11之支承部13所支承(步驟S36)。之後，搬運機器人(未圖示)會用機械手將旋轉夾盤9上的基板W往上舉起，且與機械手一起將基板W從腔室4搬出(步驟S37)。藉此，就能從腔室4搬出處理完成的基板W。
如以上，在本實施形態的第一處理例中，係一邊使全部的夾持銷11接觸基板W的斜面部，一邊使全部的夾持銷11旋轉。藉此，基板W就以第一轉速繞旋轉軸線A1 而旋轉。刷子31的洗淨面31a係按壓於旋轉中的基板W之上表面。在此狀態下，刷子31係在刷子31並未接觸複數個夾持銷11的範圍內沿著基板W的上表面移動。藉此，刷子31就能摩擦從基板W之上表面的中央至其周圍之位置為止的圓形之平坦區域，且能刷洗平坦區域。
其次，在三個以上的夾持銷11已接觸到基板W的斜面部的狀態下，剩餘的夾持銷11會遠離基板W。基板W的轉速係從第一轉速降低至第二轉速。在此狀態下，刷子31係配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指刷子31的洗淨面31a接觸相當於平坦區域之外周部分的環狀之重疊區域與基板W之上表面的傾斜部之雙方的位置。藉此，能刷洗包括重疊區域與基板W之上表面的傾斜部之雙方的斜面區域。換句話說，刷子31的洗淨面31a不僅能按壓於平坦區域還能按壓於斜面區域。
其次，全部的夾持銷11被按壓於基板W的斜面部。基板W的轉速係能提高至比第二轉速更大的第三轉速。在此狀態下，刷子31係配置於外周位置，該外周位置係指刷子31的洗淨面31a接觸重疊區域且不與已接觸到基板W的斜面部的複數個夾持銷11接觸的位置。由於第三轉速比第二轉速更大，所以基板W與刷子31的相對速度會上升。因此，微粒子能更確實地從重疊區域去除。
重疊區域係指平坦區域及斜面區域之各自的一部分。正在洗淨平坦區域時，能洗淨重疊區域。另一方面，正在洗淨斜面區域時，微粒子會擴散於重疊區域。此是因正在 洗淨斜面區域時的基板W之轉速較低，且微粒子會滯留及擴散於基板W與刷子31之間所致。從而，在洗淨斜面區域之後，可以藉由一邊使基板W以高速旋轉一邊洗淨重疊區域，而將微粒子從重疊區域去除。藉此，可以提高基板W的潔淨度。實際上，在第一處理例中，與已洗淨平坦區域及斜面區域之後不洗淨重疊區域的情況相較，已確認殘留於乾燥後之基板W的微粒子之數目會減少約85%。
又，在本實施形態的第二處理例中，係使三個以上的夾持銷11接觸基板W的斜面部，且一邊使剩餘的夾持銷11從基板W的斜面部離開，一邊使全部的夾持銷11旋轉。藉此，基板W就以第二轉速繞旋轉軸線A1而旋轉。在此狀態下，刷子31被配置於刷子31的洗淨面31a接觸基板W之上表面的傾斜部、與其內側的環狀之重疊區域之雙方的斜面區域洗淨位置。藉此，刷子31就能摩擦包括重疊區域與基板W之上表面的傾斜部之雙方的斜面區域，且能刷洗斜面區域。
其次，全部的夾持銷11被按壓於基板W的斜面部。基板W的轉速係能提高至比第二轉速更大的第一轉速。在此狀態下，刷子31係在中央位置與外周位置之間移動，該中央位置係指刷子31的洗淨面31a接觸基板W之上表面的中央之位置，該外周位置係指刷子31的洗淨面31a接觸重疊區域且不與已接觸到基板W的斜面部的複數個夾持銷11接觸的位置。藉此，能刷洗從基板W之上表面的中央至其周圍之位置為止的圓形之平坦區域。換句話說，刷 子31的洗淨面31a不僅能按壓於斜面區域還能按壓於平坦區域。
重疊區域係指平坦區域及斜面區域之各自的一部分。在已洗淨平坦區域之後，當洗淨斜面區域時，微粒子就會殘留於重疊區域。此是因正在洗淨斜面區域時的基板W之轉速較低，且微粒子會滯留及擴散於基板W與刷子31之間所致。從而，在洗淨斜面區域之後，可以藉由一邊使基板W以高速旋轉一邊洗淨平坦區域，而將微粒子從重疊區域去除。藉此，可以提高基板W的潔淨度。再者，由於是一邊洗淨平坦區域整體，一邊去除已擴散至重疊區域的微粒子，所以可以縮短洗淨時間。
又，在本實施形態中，係在已洗淨斜面區域之後，不使刷子31移動至相當於重疊區域洗淨位置的外周位置(圖3A所示的刷子31之位置)之內側的位置而是使刷子31從斜面區域洗淨位置移動至外周位置。正在洗淨斜面區域時，雖然滯留於基板W與刷子31之間的微粒子會擴散至基板W之上表面的傾斜部與重疊區域，但是不易擴散至重疊區域之內側的區域。在本實施形態中，並非是使基板W與刷子31的接觸區域在重疊區域之內側移動，而是使刷子31從斜面區域洗淨位置直接移動至外周位置之後從基板W離開。從而，可以有效率地僅洗淨正在洗淨斜面區域時受到汙染的區域(重疊區域)及其附近。再者，與已洗淨斜面區域之後再洗淨平坦區域整體的情況相較，還可以增加產能。
又，在本實施形態中，係在洗淨平坦區域時，一邊使刷子31接觸旋轉中的基板W之上表面，一邊使刷子31僅朝向遠離基板W之旋轉軸線A1的方向移動。基板W上的微粒子係能藉由刷子31之移動促使其沿著基板W往外方移動。因此，可以將微粒子有效率地從基板W去除，且可以進而提高基板W的潔淨度。
[其他實施形態]
本發明並非被限定於前述的實施形態之內容，而是能夠在本發明的範圍內進行各種的變更。
例如，刷子31並不限於海綿刷，亦可為具備合成樹脂製之複數個纖維的刷子。
在前述的第一處理例及第二處理例中，係已針對基板W以表面向下的倒裝型(face down)之狀態由旋轉夾盤9所保持的情況加以說明。但是，基板W亦可以表面向上的正面型(face down)之狀態由旋轉夾盤9所保持。
在前述的第一處理例及第二處理例中，雖然已針對使刷子31從中央位置朝向外周位置往外方移動的情況加以說明，但是亦可使刷子31往內方移動。具體而言，既可使刷子31一邊接觸基板W一邊從外周位置移動至中央位置，又可使刷子31一邊接觸基板W一邊在中央位置與外周位置之間往復一次以上。
在前述的第一處理例中，係已針對使刷子31從斜面區域洗淨位置直接移動至外周位置後從外周位置往上方移動的情況加以說明。但是，亦可在已洗淨斜面區域之後，進 行使刷子31一邊接觸基板W一邊從中央位置移動至外周位置的掃描步驟一次以上。在此情況下，較佳是在使刷子31從基板W離開的狀態下將刷子31送回到中央位置。
在前述的第一處理例中，雖然並未針對洗淨重疊區域時的基板W之洗淨條件加以詳細說明，但是洗淨重疊區域時的洗淨條件既可與洗淨平坦區域時的洗淨條件相同，又可為不同。具體而言，亦可將洗淨重疊區域時之基板W的轉速、刷子31對基板W的按壓力、刷子31對基板W的接觸時間、以及供給至基板W的純水之流量的至少一個，比洗淨平坦區域時還減弱。
圖9係用以說明基板W的洗淨條件之表格。例如，在以條件No.1來洗淨平坦區域時，基板W的轉速為200rpm以上，供給至基板W的純水之流量為400ml/min，刷子31對基板W的按壓力為50gf，刷子31接觸平坦區域的時間為8sec。有關其他的條件亦為同樣。
正在洗淨斜面區域時，滯留於基板W與刷子31之間的微粒子會擴散至重疊區域。已擴散至重疊區域的微粒子係藉由刷子31從基板W剝離，通常比洗淨前已附著於基板W的微粒子，其對基板W的附著力較弱。因此，即便減弱包括基板W之轉速的洗淨條件，仍可以將微粒子從重疊區域去除。藉此，可以有效率地提高基板W的潔淨度。
在前述的實施形態中，雖然已針對外周位置及重疊區域洗淨位置為相同之位置的情況加以說明，但是外周位置及重疊區域洗淨位置亦可為互為不同的位置。
在前述的實施形態中，雖然已針對刷洗基板W之上表面的情況加以說明，但是亦可刷洗基板W的下表面。在此情況下，只要使用與專利文獻1同樣的旋轉夾盤即可。
在前述的實施形態中，雖然已針對握持部12及支承部13設置於相同之夾持銷11的情況加以說明，但是亦可從夾持銷11中省略支承部13。在此情況下，只要在與複數個夾持銷11不同的位置配置複數個支承部13即可。
在前述的實施形態中，雖然已針對第一開啟用驅動磁鐵21開閉一個夾持銷11，第二開啟用驅動磁鐵22開閉剩餘的夾持銷11的情況加以說明，但是第一開啟用驅動磁鐵21亦可開閉複數個夾持銷11。
在前述的實施形態中，雖然已針對利用起作用於隨動磁鐵18與閉合用驅動磁鐵19之間的磁力來使夾持銷11位於閉合位置的情況加以說明，但是亦可利用彈簧等的磁鐵以外的構件來使夾持銷11位於閉合位置。
亦可組合前述的全部構成之二個以上。亦可組合前述的全部步驟之二個以上。
本案係對應2015年8月25日於日本特許廳所提出申請的特願2015-166099號，本案的全部揭示係通過引用而編入於此。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此等只不過是為了使本發明之技術內容更明確而所用的具體例，本發明不應被解釋為限定於此等的具體例，本發明的精神及範圍係僅受所附的申請專利範圍所限定。
11‧‧‧夾持銷
12‧‧‧握持部
13‧‧‧支承部
14‧‧‧基底部
31‧‧‧刷子
31a‧‧‧刷子的洗淨面
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧基板

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，包括：第一基板旋轉步驟，其一邊使複數個夾持銷的全部接觸基板的斜面部，一邊使前述複數個夾持銷繞通過前述基板的鉛直之旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以第一轉速來旋轉；平坦區域洗淨步驟，其與前述第一基板旋轉步驟同時進行，並使前述刷子在一邊使刷子的洗淨面接觸前述基板的主面，一邊使前述刷子不與已接觸到前述基板的斜面部的前述複數個夾持銷接觸的範圍內移動，藉此洗淨從前述基板之主面的中央至前述中央之周圍的位置為止的圓形之平坦區域；第二基板旋轉步驟，其在前述第一基板旋轉步驟之後，一邊使前述複數個夾持銷之三個以上的夾持銷接觸前述基板的斜面部，且使前述複數個夾持銷之剩餘的夾持銷從前述基板的斜面部離開，一邊使前述複數個夾持銷繞前述旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以比前述第一轉速更小的第二轉速來旋轉；斜面區域洗淨步驟，其與前述第二基板旋轉步驟同時進行，並將前述刷子配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指已遠離前述基板之斜面部的前述夾持銷之內側的位置且前述刷子的洗淨面接觸相當於前述 平坦區域之外周部分的環狀之重疊區域與前述基板之主面的傾斜部之雙方的位置，藉此洗淨包括前述重疊區域與前述基板之主面的傾斜部之雙方的斜面區域；第三基板旋轉步驟，其在前述第二基板旋轉步驟之後，一邊使前述複數個夾持銷的全部接觸前述基板的斜面部，一邊使前述複數個夾持銷繞前述旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以比前述第二轉速更大的第三轉速來旋轉；以及重疊區域洗淨步驟，其與前述第三基板旋轉步驟同時進行，並將前述刷子配置於重疊區域洗淨位置，該重疊區域洗淨位置係指前述刷子的洗淨面接觸前述重疊區域且不與已接觸到前述基板的斜面部的前述複數個夾持銷接觸之位置，藉此洗淨前述重疊區域。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述重疊區域洗淨步驟係包括：移動步驟，其使前述刷子不移動至前述重疊區域洗淨位置之內側的位置，而是使前述刷子從前述斜面區域洗淨位置移動至前述重疊區域洗淨位置；以及脫離步驟，其使前述刷子從前述重疊區域洗淨位置朝向上方向或下方向移動，藉此使前述刷子從前述基板離開。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述平坦區域洗淨步驟係包括：掃描步驟，其使前述刷子一邊接 觸前述基板的主面一邊僅朝向遠離前述旋轉軸線的方向移動。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中使前述重疊區域洗淨步驟被執行時之前述基板的轉速、前述刷子對前述基板的按壓力、以及前述刷子對前述基板的接觸時間之至少一個，比前述平坦區域洗淨步驟時更減少。
  5. 一種基板處理方法，包括：第二基板旋轉步驟，其一邊使複數個夾持銷之三個以上的夾持銷接觸基板的斜面部，且使前述複數個夾持銷之剩餘的夾持銷從前述基板的斜面部離開，一邊使前述複數個夾持銷繞通過前述基板的鉛直之旋轉軸線而旋轉，藉此使前述基板在水平的姿勢下以第二轉速來旋轉；斜面區域洗淨步驟，其與前述第二基板旋轉步驟同時進行，並將前述刷子配置於斜面區域洗淨位置，該斜面區域洗淨位置係指已遠離前述基板之斜面部的前述夾持銷之內側的位置且刷子的洗淨面接觸前述基板之主面的傾斜部與前述傾斜部之內側的環狀之重疊區域之雙方的位置，藉此洗淨包括前述重疊區域與前述基板之主面的傾斜部之雙方的斜面區域；第一基板旋轉步驟，其在前述第二基板旋轉步驟之後，一邊使前述複數個夾持銷的全部接觸前述基板的斜面部，一邊使前述複數個夾持銷繞前述旋轉軸線而旋轉， 藉此使前述基板在水平的姿勢下以比前述第二轉速更大的第一轉速來旋轉；以及平坦區域洗淨步驟，其與前述第一基板旋轉步驟同時進行，並使前述刷子在中央位置與外周位置之間移動，該中央位置係指前述刷子的洗淨面接觸前述基板之主面的中央之位置，該外周位置係指前述刷子的洗淨面接觸前述重疊區域且不與已接觸到前述基板的斜面部的前述複數個夾持銷接觸之位置，藉此洗淨從前述基板之主面的中央至前述重疊區域為止的圓形之平坦區域。
  6. 一種基板處理裝置，包括：旋轉夾盤，其包括複數個夾持銷、夾盤開閉機構及旋轉馬達，該複數個夾持銷係配置於基板的周圍，該夾盤開閉機構係使前述複數個夾持銷之三個以上的夾持銷和前述複數個夾持銷之剩餘的夾持銷獨立地在閉合位置與開啟位置之間移動，該閉合位置係指前述夾持銷接觸前述基板的斜面部之位置，該開啟位置係指前述夾持銷已遠離前述基板的斜面部之位置，該旋轉馬達係使前述複數個夾持銷繞通過前述基板的鉛直之旋轉軸線而旋轉；刷子，其包括被按壓於由前述旋轉夾盤保持成水平的前述基板的洗淨面；刷子移動機構，用以使前述刷子移動；以及控制裝置，其藉由控制前述旋轉夾盤及刷子移動機構，來執行請求項1或5所記載之基板處理方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI705519B (zh) * 2017-07-25 2020-09-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法、光罩洗淨方法及光罩製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6836432B2 (ja) * 2017-03-22 2021-03-03 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP6887280B2 (ja) * 2017-03-27 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体
KR102162260B1 (ko) * 2018-10-22 2020-10-06 세메스 주식회사 가이드 핀 및 이를 구비하는 포토 마스크 지지 유닛과 포토 마스크 세정 장치
KR20200078773A (ko) * 2018-12-21 2020-07-02 세메스 주식회사 반전 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
CN112643533A (zh) * 2019-10-10 2021-04-13 清华大学 一种基板减薄加工的清洗装置及清洗方法
CN110767536A (zh) * 2019-10-30 2020-02-07 上海华力微电子有限公司 晶圆清洗方法
CN112509968A (zh) * 2020-11-17 2021-03-16 西安奕斯伟硅片技术有限公司 用于硅片清洗的硅片保持装置、液体清洗设备及清洗系统
CN115706044A (zh) * 2021-08-06 2023-02-17 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备及其晶圆卡盘、晶圆清洗方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939376A (zh) 1972-08-14 1974-04-12
JP3030796B2 (ja) * 1992-07-24 2000-04-10 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法
JP3673460B2 (ja) * 2000-09-29 2005-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2003151943A (ja) * 2001-11-19 2003-05-23 Speedfam Clean System Co Ltd スクラブ洗浄装置
JP2003197598A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
CN100492608C (zh) 2005-04-04 2009-05-27 弘塑科技股份有限公司 以多组夹指夹持晶片的装置的机械构造
US9287158B2 (en) 2005-04-19 2016-03-15 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
CN101164141A (zh) 2005-04-25 2008-04-16 应用材料股份有限公司 清洁基材边缘的方法及设备
JP5039468B2 (ja) * 2007-07-26 2012-10-03 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP4939376B2 (ja) * 2007-11-13 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5606471B2 (ja) * 2012-02-20 2014-10-15 株式会社東芝 基板回転保持装置および基板処理装置
JP6045302B2 (ja) * 2012-10-31 2016-12-14 ユニ・チャーム株式会社 体液処理用の吸収体の製造方法
JP6181438B2 (ja) 2013-06-24 2017-08-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および基板洗浄装置
JP6386424B2 (ja) * 2015-08-06 2018-09-05 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US9892955B2 (en) * 2015-09-29 2018-02-13 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI705519B (zh) * 2017-07-25 2020-09-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法、光罩洗淨方法及光罩製造方法

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