TW201708969A - 用於調節光微影曝光系統的光源的方法以及用於光微影設備的曝光組件 - Google Patents
用於調節光微影曝光系統的光源的方法以及用於光微影設備的曝光組件 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201708969A TW201708969A TW105103332A TW105103332A TW201708969A TW 201708969 A TW201708969 A TW 201708969A TW 105103332 A TW105103332 A TW 105103332A TW 105103332 A TW105103332 A TW 105103332A TW 201708969 A TW201708969 A TW 201708969A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- leds
- light output
- sensor
- exposure
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/20—Controlling the colour of the light
- H05B45/22—Controlling the colour of the light using optical feedback
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
本發明關於一種用於通過以下步驟調節包括多個LED的光微影曝光系統的光源的方法:檢測特定的波長範圍內的單個LED的光輸出,且將檢測到的光輸出與在整個光譜上期望的光輸出分佈進行比較。操作LED使得以可能的最精確的方式完成期望的光譜光輸出分佈。本發明也關於一種用於光微影設備的曝光組件,其具有包括多個LED的光源、控制供應到單個LED的電功率的控制裝置以及能夠檢測在波長的相應範圍中的LED的光輸出的傳感器。
Description
本發明關於一種用於調節光微影曝光系統的光源的方法和用於光微影設備的曝光組件。
在半導體晶片上的三維結構的生產中使用光微影設備。它用於以期望的方式將施加到半導體晶片(“晶圓”)的光微影膠(也稱為“微影膠”)暴露到光。因此,光罩的圖像被投影到由於陰影的投射而不同地暴露於光的光微影膠上。曝光導致光微影膠改變其物理和/或化學性質,以便它可以隨後例如以選擇的方式被去除。
用於曝光光微影膠的光由包括多個LED的光源提供。因而不同的LED可以被使用,其提供具有不同的特定波長(或波長範圍)的光。
然而,它已被證明是取決於所提供的光的波長而不同的LED老化的情況。這樣做的結果是,在光譜
上由光源提供的光輸出的分佈隨著時間變化。因此,取決於該LED光源的老化,即,曝光組件的老化,光微影膠的曝光的結果變化。
本發明的目的在於確保曝光組件的光譜(即曝光組件的不同波長的強度分佈)隨時間保持恆定。
為了完成該目的,根據本發明提供一種用於調節包括多個LED的光微影曝光系統的光源的方法,其中提供以下步驟:檢測特定的波長範圍中的單個LED的光輸出。所檢測的光輸出與在整個光譜上期望的光輸出分佈進行比較。操作LED使得以可能的最精確的方式完成所述期望的光譜的光輸出分佈。為了完成該目的,也提供一種用於光微影設備的曝光組件,其具有包括多個LED的光源、控制供應到單個LED的電功率的控制裝置以及能夠檢測在波長的相應範圍中的LED的光輸出的光傳感器。本發明基於檢測提供特定波長(或特定波長範圍)的光的一個或者多個LED的輸出的可能降低的基本思想,並以調節LED作為整體,使得由不同的LED提供的總體光輸出的部分盡可能好地對應於預設比率。
較佳地做出規定:更強大的LED的光輸出適應於最弱LED的光輸出。簡單地表示,最弱的LED用作參考,而較強的LED在它們的光輸出方面變暗,使得作為整體提供的光輸出盡可能精確地對應於在不同的波長或
波長範圍關於輸出分佈的所期望的分佈。
根據本發明的一個實施例,做出規定:借助於光譜選擇傳感器測量光輸出。“光譜選擇性”指的是傳感器輸出將測量的光輸出分配到光譜的特定部分即波長或波長範圍的信號。因此,在實踐中光譜選擇傳感器可以由各自分配給特定波長或特定波長範圍的多個子傳感器形成。
根據本發明的替選實施例,做出規定:逐個地開關LED以及借助於寬帶傳感器測量光輸出。寬帶傳感器與光譜選擇傳感器的區別在於較低成本。然而,寬帶傳感器不能將測量的光輸出分配給各個波長或波長範圍。這事實上通過逐個地開關LED進行補償。因此,根據該LED是否首先導通或者隨後加入,控制裝置可以識別哪個光輸出起源於相應的LED。在相應的比較之後,寬帶傳感器也可用於確定曝光強度,這只以非常費力的方式利用分光器實現。
根據本發明的一個實施例,做出規定:將傳感器集成到光源中。這使得能夠在光微影設備的操作期間特別在曝光處理期間檢測光輸出。
將傳感器佈置在光微影設備的透鏡上也是可能的。如果例如在前透鏡的前面或甚至在積光器中檢測到光,則已經通過曝光透鏡混合的光被檢測到,即,落在晶圓上的光。因而,該檢測的結果更具代表性。
為了防止測量損害晶圓的曝光,可以做出規定:在校準步驟中,例如直接在曝光平面中,測量曝光設
備的光輸出。為了這個目的,例如可以使用可移動傳感器,其在光路中暫時引入。該傳感器可以是校準傳感器。
根據本發明的一個實施例,做出規定:測量單個LED的加熱特徵。為了這個目的,控制裝置較佳地設置有記憶體,用於儲存LED的加熱特性。這使得能夠補償當以恆定功率操作LED時光輸出的非線性進展。也可以以調節的功率操作LED。以這種方式,當使用光譜選擇傳感器時,可以“實時”調節功率,使得該單個LED提供在各個波長或波長範圍內的期望的光輸出。如果使用寬帶傳感器,則所述單個LED的功率可以對應於所儲存的導通特性被調節,使得可能的最恆定的光輸出在各個波長或波長範圍內實現。
根據本發明的一個實施例,做出規定:將LED的老化與儲存的典型老化特徵進行比較。為此目的,優選地做出規定:控制裝置具有用於儲存LED的老化特徵的記憶體。這使得如果LED的光輸出達到臨界值則能夠及早通知用戶。例如,利用一般的老化特性,可以通知用戶在什麼時間光源的交換(或光源的單個LED)可能是必要的。
也可以做出規定:將LED的光輸出與預定的最小光輸出進行比較。在這種情況下,也可以當LED的光輸出達到臨界值時通知用戶並且使得在光微影設備的操作受損之前可以改變光源(或光源的單個LED)。
10‧‧‧晶圓
12‧‧‧光微影膠
14‧‧‧光罩
16‧‧‧光源
18‧‧‧透鏡
18、20、22‧‧‧LED
24‧‧‧傳感器
26‧‧‧控制裝置
28、30‧‧‧記憶體
將在下面借助於在附圖中示出的兩個實施例描述本發明,其中:圖1示例性地示出根據第一實施例的光微影設備;以及圖2示例性地示出根據第二實施例的光微影設備。
圖1示出了基底10(“晶圓”),其塗有光微影膠12(也稱為“刻膠”)。基底可以由半導體材料組成。
光微影膠12通過光罩14被暴露給光。光從在此示例性地示出的光源16發出,光從光源16經由同樣示例性地示出的透鏡18落在晶圓10上。
光源16包括多個LED 18、20、22,其中每一個被分配波長或波長範圍。例如,LED18、20、22可以每一個提供與傳統的水銀汽燈的三個Hg-波長之一對應的光。LED 18、20、22通常是UV-LED。
至於在此陳述LED被分配波長或波長,該“一個”LED實際上可以由多個LED組成。因此,可以提供多個LED 18,其提供在第一波長或第一波長範圍內的光,和多個LED 20,其提供在第二波長或第二波長範圍內的光,和多個LED 22,其提供第三波長和第三波長範圍內的光。偏離所示實施例,光源16僅包括提供第一波長和
第二波長的(或第一波長範圍和第二波長範圍內的)光的兩個LED(或LED組),但是具有相應大於三個波長或波長範圍的三個LED或LED組也是可能的。
該光源16被分配傳感器24,其可以檢測提供的光輸出。示出的示例實施例是光譜選擇傳感器,利用其能夠直接檢測LED 18、20、22的單個波長或波長範圍的光輸出。
傳感器24連接到控制裝置26並且因此與單個波長或波長範圍內的光輸出有關的資訊被提供給控制裝置。控制裝置26繼而啟動單個LED 18、20、22,並且從而特別地提供工作電壓和工作電流。
由光源16提供的光的所期望的光輸出分佈儲存在控制裝置26中。簡單地表示,控制裝置26儲存在該光譜範圍中提供光輸出的部分。作為例子,假定在下面由光源16提供的整體光輸出在LED 18的光譜中提供三分之一的比例,在LED 20的光譜中提供三分之一的比例和在LED 22的光譜中提供三分之一的比例。
當光源16正在操作時,控制裝置可以經由傳感器24檢測在三個波長或波長範圍中實際上提供的光輸出。控制裝置26可調節LED 18、20、22的電功率,以便獲得期望的光輸出分佈。
當由於老化或其他變化導致LED不再達到所期望的光輸出時,這通過控制裝置26進行檢測。然後控制裝置26可以相應地調節供給剩餘LED的電功率並且實
現光輸出所期望的分佈(但在較低的強度水平)。當例如LED 18可以只供給在其波長或波長範圍內的光輸出的90%時,LED 20、22可以變暗,使得光譜上的總光輸出再次以來自LED 18的三分之一的比例,來自LED 20的三分之一的比例和來自LED 22的三分之一的比例產生。
在一個實施例變型中,傳感器24不是光譜選擇傳感器而是寬帶傳感器。該傳感器只提供關於作為整體提供的光輸出的資訊,它不能夠將該資訊分配到不同波長。
也為了從這些傳感器獲得光輸出如何在整個頻譜上分佈的資訊,控制裝置26逐個地開關單個LED 18、20、22。以這種方式,在每個波長或每個波長範圍內所提供的光輸出可被測量為在以前的狀態下的光輸出和在當前狀態下的光輸出之間的差。
利用傳感器24也可以測量單個LED的加熱特性和將其儲存在控制裝置26中提供的記憶體28中以儲存加熱特性。以這種方式,例如,可以在單獨的校準步驟中在較長的時間週期內單獨檢測每個LED的加熱特性直到設定恆定的光輸出。如果然後,隨後在操作中,單個的光輸出被檢測到,則可以逐個地相對短地,即在當前面的LED已經通過它的加熱曲線的一部分的每一種情況下開關LED 18、20、22,該加熱曲線的一部分是迄今為止能夠從其推導出以後提供的光輸出。
在本實施例中,也可以在具有已經所考慮加
熱特徵適當適配的恆定功率的各種情況下操作LED 18、20、22,以便以可能的最精確的方式實現所期望的光輸出分佈。
圖2示出第二實施例。對於從第一實施例已知的部件,使用相同的附圖標記,並且對於上述解釋做出引用。
第一實施例和第二實施例之間的差別在於在第二實施例中傳感器24沒有被分配給光源18,但佈置在透鏡18後面。這意味著傳感器24檢測混合光,即落在晶圓10上的光。因為所有的光路的區域到傳感器24的影響被考慮,所以有關LED 18、20、22的光輸出的分佈的資訊由此是更精確的。
傳感器24可以佈置在在其不破壞光微影膠12的曝光的適當位置處。在這種情況下,可以在曝光期間進行測量。
可替代地,傳感器24可以移動並且也可以進入光路用於校準的目的(即,曝光處理外)是可能的。可替代地,也可以用於此目的使用根據公認的標準校準的傳感器,以便除了光譜分佈之外,也能確定單個光源的絕對強度或不同光源的總和。在光輸出分佈已被確定之後,LED 18、20、22,可以利用在一個或多個後續曝光處理中的合適的輸出來操作。然後如果控制裝置26認為此是有利的則新的校準處理可以被觸發。在這個時刻,能夠涉及LED的老化特徵,其可以被儲存在控制裝置26的記憶體
30中。
10‧‧‧晶圓
12‧‧‧光微影膠
14‧‧‧光罩
16‧‧‧光源
18‧‧‧透鏡
18、20、22‧‧‧LED
24‧‧‧傳感器
26‧‧‧控制裝置
28‧‧‧記憶體
Claims (18)
- 一種用於調節包括多個LED(18、20、22)的光微影曝光系統的光源(16)的方法,包括以下步驟:檢測特定波長範圍中的所述單個LED(18、20、22)的光輸出;將檢測到的光輸出與在整個光譜上期望的光輸出分佈進行比較;操作所述LED(18、20、22)使得以可能的最精確的方式完成期望的光譜的光輸出分佈。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,更強大的LED(18、20、22)的光輸出適應於最弱的LED(18、20、22)的光輸出。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,借助於光譜選擇傳感器(24)測量所述光輸出。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,逐個地開關所述LED(18、20、22)且借助於寬帶傳感器(24)測量所述光輸出。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,在校正步驟中測量所述LED(18、20、22)的光輸出。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,測量所述單個LED(18、20、22)的加熱特徵。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,利用恆定功率操作所述LED(18、20、22)。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,利用調 節的功率操作所述LED(18、20、22)。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,將所述LED(18、20、22)的老化與儲存的典型老化特徵進行比較。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中,將所述LED(18、20、22)的光輸出與預定的最小光輸出進行比較。
- 如申請專利範圍第10項所述的方法,其中,當所述LED(18、20、22)的光輸出到達臨界值時通知用戶。
- 一種用於光微影設備的曝光組件,所述曝光組件具有包括多個LED(18、20、22)的光源、控制供應到所述單個LED(18、20、22)的電功率的控制裝置(26)以及能夠檢測在波長的相應範圍中的LED(18、20、22)的光輸出的傳感器(24)。
- 如申請專利範圍第12項所述的曝光組件,其中,所述傳感器(24)是光譜選擇傳感器。
- 如申請專利範圍第12項所述的曝光組件,其中,所述傳感器(24)是寬帶傳感器。
- 如申請專利範圍第12項所述的曝光組件,其中,所述傳感器(24)被集成到所述光源(16)中。
- 如申請專利範圍第12項所述的曝光組件,其中,所述傳感器(24)被佈置在所述光微影設備的透鏡(18)上。
- 如申請專利範圍第12項所述的曝光組件,其中, 所述控制裝置(26)包括用於儲存所述LED(18、20、22)的加熱特徵的記憶體(28)。
- 如申請專利範圍第12項至第17項中的任一項所述的曝光組件,其中,所述控制裝置(26)包括用於儲存所述LED(18、20、22)的老化特徵的記憶體(30),所述LED的老化特徵被寫入所述記憶體(30)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL2014572A NL2014572B1 (en) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | Method for regulating a light source of a photolithography exposure system and exposure assembly for a photolithography device. |
NL2014572 | 2015-04-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201708969A true TW201708969A (zh) | 2017-03-01 |
TWI695229B TWI695229B (zh) | 2020-06-01 |
Family
ID=53610941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105103332A TWI695229B (zh) | 2015-04-01 | 2016-02-02 | 用於調節光微影曝光系統的光源的方法以及用於光微影設備的曝光組件 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9864277B2 (zh) |
JP (1) | JP2016194673A (zh) |
KR (1) | KR20160118134A (zh) |
CN (1) | CN106054536A (zh) |
AT (1) | AT516990B1 (zh) |
DE (1) | DE102016106014A1 (zh) |
NL (1) | NL2014572B1 (zh) |
TW (1) | TWI695229B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10558125B2 (en) * | 2016-11-17 | 2020-02-11 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus, exposure apparatus adjustment method and storage medium |
JP6866631B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2021-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 光処理装置、塗布、現像装置、光処理方法及び記憶媒体 |
CN116610007B (zh) * | 2023-07-18 | 2023-10-27 | 上海图双精密装备有限公司 | 掩模对准光刻设备及其照明系统和照明方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3809095B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2006-08-16 | ペンタックス株式会社 | 露光装置用光源システムおよび露光装置 |
TW200625027A (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-16 | Zeiss Carl Smt Ag | Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7230222B2 (en) * | 2005-08-15 | 2007-06-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Calibrated LED light module |
JP2007329432A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2009076688A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Canon Inc | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
US7671542B2 (en) * | 2007-11-07 | 2010-03-02 | Au Optronics Corporation | Color control of multi-zone LED backlight |
JP2009139162A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Sharp Corp | 検査用光源装置およびそれを用いた照度センサの検査方法 |
JP5361239B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-12-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
NL2003204A1 (nl) * | 2008-08-14 | 2010-02-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
US20100283978A1 (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Ultratech,Inc. | LED-based UV illuminators and lithography systems using same |
US8520186B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-27 | Cymer, Llc | Active spectral control of optical source |
KR101898921B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 시스템 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
US9766275B2 (en) * | 2013-06-04 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for increasing accuracy of RMS measurements of signals with a high crest factor |
CN204143154U (zh) * | 2014-10-11 | 2015-02-04 | 叙丰企业股份有限公司 | 曝光机光源照射强度调整机构 |
-
2015
- 2015-04-01 NL NL2014572A patent/NL2014572B1/en not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-02-02 TW TW105103332A patent/TWI695229B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-02-03 JP JP2016018585A patent/JP2016194673A/ja active Pending
- 2016-02-16 CN CN201610088033.5A patent/CN106054536A/zh active Pending
- 2016-03-01 AT AT501552016A patent/AT516990B1/de not_active IP Right Cessation
- 2016-03-10 US US15/066,676 patent/US9864277B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-03-23 KR KR1020160034692A patent/KR20160118134A/ko unknown
- 2016-04-01 DE DE102016106014.3A patent/DE102016106014A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL2014572A (en) | 2016-10-10 |
US9864277B2 (en) | 2018-01-09 |
NL2014572B1 (en) | 2017-01-06 |
US20160291480A1 (en) | 2016-10-06 |
CN106054536A (zh) | 2016-10-26 |
JP2016194673A (ja) | 2016-11-17 |
KR20160118134A (ko) | 2016-10-11 |
TWI695229B (zh) | 2020-06-01 |
AT516990B1 (de) | 2019-11-15 |
AT516990A3 (de) | 2019-07-15 |
DE102016106014A1 (de) | 2016-10-06 |
AT516990A2 (de) | 2016-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6857732B2 (ja) | 光源の露光量を制御するためのシステム及び方法 | |
KR101698235B1 (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2000082661A (ja) | 加熱装置,加熱装置の評価法及びパタ―ン形成方法 | |
TWI695229B (zh) | 用於調節光微影曝光系統的光源的方法以及用於光微影設備的曝光組件 | |
KR20190120809A (ko) | 방사선 소스 | |
TWI738976B (zh) | 程序控制系統與用於判定前饋資料之系統及方法 | |
WO2019029601A1 (zh) | 曝光设备和曝光方法 | |
KR102043606B1 (ko) | 플래시램프 제어시스템 및 플래시램프를 제어하는 방법 | |
TW594447B (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
CN116610007B (zh) | 掩模对准光刻设备及其照明系统和照明方法 | |
JP2017161603A (ja) | 光源装置及びこれを備えた露光装置 | |
TWI711888B (zh) | 用於微影的場內製程控制 | |
JP2009111379A (ja) | ワイヤレス照明検出アセンブリ | |
KR101868392B1 (ko) | 스테퍼설비의 웨이퍼 전압 조절 장치 | |
US20240061328A1 (en) | Method and apparatus for characterization of a microlithography mask | |
JP7549111B1 (ja) | ガス濃度測定装置とその方法 | |
JPH036011A (ja) | 半導体装置製造用ウェーハ露光装置 | |
KR20140061305A (ko) | 방전 램프 | |
KR101837061B1 (ko) | 적분구 시스템 및 피코 암페어 미터의 신뢰성 평가장치 | |
JPH04142020A (ja) | 露光装置 | |
JPS6346728A (ja) | ランプ電源制御方式および制御回路 | |
KR100552267B1 (ko) | 노광 방법 | |
Raymont et al. | Measuring the Output | |
JPH11201862A (ja) | 測定方法及び測定装置 | |
JPS61267323A (ja) | 半導体装置製造用露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |