TWI738976B - 程序控制系統與用於判定前饋資料之系統及方法 - Google Patents

程序控制系統與用於判定前饋資料之系統及方法 Download PDF

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Abstract

一種程序控制系統包含一控制器，該控制器經組態以：基於一樣本之一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵；將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵；識別該組可校正域之一或多個對準域；藉由針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵；當該一或多個覆蓋參考層與一或多個對準參考層相同時，自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正；基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正；及將用於該當前層之該等微影工具校正提供至微影工具。

Description

程序控制系統與用於判定前饋資料之系統及方法
本發明大體上係關於覆蓋控制系統，且更特定言之係關於運用層對層前饋控制之覆蓋控制系統。
半導體裝置通常包含由一系列處理步驟(包含沈積、一所要圖案之微影曝光及蝕刻經曝光或未曝光部分)形成之一圖案化層堆疊。用於一給定層之曝光步驟通常劃分成一曝光域柵格使得一微影工具分開曝光各域。
微影覆蓋表示兩個或更多個層之間的對準誤差或誤配準(misregistration)。覆蓋誤差可起因於不同來源，諸如來自製造工具之系統偏誤(systematic bias)、隨機誤差或樣本變動。此外，對於各曝光域，覆蓋誤差可跨一樣本系統地或隨機地變化。通常藉由針對各曝光域嚴格地控制微影工具之組態而在生產期間減輕及/或補償覆蓋誤差。例如，微影工具可基於對已製造於樣本上的對準目標之量測而將光罩與樣本對準。此外，微影工具可採用基於對覆蓋目標之覆蓋量測的額外覆蓋校正。
一些控制系統可利用來自包含對準目標及/或覆蓋目標之一參考層之前饋資料。然而，基於來自對準目標之對準校正及來自覆蓋目標之覆蓋校正兩者的一控制系統可能產生導致過度校正及不穩定性之串擾，特別是在 用於對準及覆蓋之參考層相同時。此外，典型控制系統可能不適於先進覆蓋控制方案，諸如自一個層至下一層利用不同類型之參考目標或針對各量測方向利用相異參考層之方案。
因此，可期望提供用於提供對對準參考層及覆蓋參考層之多種組態的穩定覆蓋控制之系統及方法。
本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之程序控制系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一控制器。在另一闡釋性實施例中，該控制器使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵(signature)。在另一闡釋性實施例中，該控制器將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器識別該組可校正域之包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標之一或多個對準域。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器在該一或多個覆蓋參考層與一或多個對準參考層相同時自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正。在另一闡釋性實施例中，該控制器將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具。
本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一控制器。在另一闡釋性實施例中，該控 制器使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器識別該組可校正域之包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標之一或多個對準域。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在一或多個對準域中的資料針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器在該一或多個覆蓋參考層與一或多個對準參考層相同時自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正。在另一闡釋性實施例中，該控制器將該等前饋校正提供至程序控制系統以調整用於曝光該當前層之該微影工具。
本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之程序控制系統。在一項闡釋性實施例中，該系統包含一微影工具。在另一闡釋性實施例中，該系統包含一控制器。在另一闡釋性實施例中，該控制器使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器識別該組可校正域之包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標之一或多個對準域。在另一闡釋性實施例中，該控制器藉由使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料針對該組可校正域模型化 對準校正而產生一對準可校正圖徵。在另一闡釋性實施例中，該控制器在該一或多個覆蓋參考層與一或多個對準參考層相同時自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正。在另一闡釋性實施例中，該控制器基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正。在另一闡釋性實施例中，該控制器將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具。
本發明揭示一種根據本發明之一或多項闡釋性實施例之用於判定前饋資料之方法。在一項闡釋性實施例中，該方法包含使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層而產生參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該方法包含將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵。在另一闡釋性實施例中，該方法包含識別該組可校正域之包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標之一或多個對準域。在另一闡釋性實施例中，該方法包含藉由使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵。在另一闡釋性實施例中，該方法包含當該一或多個覆蓋參考層與一或多個對準參考層相同時，自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正。在另一闡釋性實施例中，該方法包含基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正。在另一闡釋性實施例中，該方法包含將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具。
應瞭解，前述一般描述及以下[實施方式]兩者僅為例示性的且說明性的，且不一定限制如所主張之本發明。併入於本說明書中且構成本說明書 之一部分之隨附圖式繪示本發明之實施例，且連同一般描述一起用以說明本發明之原理。
100:半導體裝置製造系統/程序控制系統
102:微影子系統
104:度量衡子系統
106:控制器
108:處理器
110:記憶體裝置
112:微影照明源
114:照明光束
116:光軸
118:遮罩支撐裝置
120:圖案遮罩
122:投影光學器件
124:樣本
126:樣本載台
128:光阻層
130:度量衡照明源
132:度量衡照明光束
134:照明路徑
136:照明路徑透鏡
138:光學組件
140:物鏡
142:偵測器
144:收集路徑
146:收集路徑透鏡
148:光束分離器
202:第一層微影步驟
204:第一層曝光域
206:第一層程序步驟
208:第二層微影步驟
210:第二層曝光域
212:度量衡步驟
214:誤差域
216:第二層校正步驟
302:第一層微影步驟
304:第一層曝光域
306:第一層程序步驟
308:第二層曝光柵格
310:第二層微影步驟
312:誤差域
314:度量衡步驟
316:第二層校正步驟
402:曲線圖
404:曲線圖
406:曲線圖
408:曲線圖
410:曲線圖
412:曲線圖
500:程序控制方法
502:步驟
504:步驟
506:步驟
508:步驟
510:步驟
512:步驟
514:步驟
602:全域參考覆蓋圖徵
604:曝光域
606:可校正域
608:對準可校正圖徵
610:前饋覆蓋校正
702:前饋覆蓋校正
704:全域參考覆蓋圖徵
706:第一層參考覆蓋圖徵之X分量
708:第一層參考覆蓋圖徵
710:第二層參考覆蓋圖徵之Y分量
712:第二層參考覆蓋圖徵
714:對準可校正圖徵
熟習此項技術者藉由參考附圖可更佳理解本發明之許多優點，其中：圖1A係根據本發明之一或多項實施例之一半導體裝置製造系統之一概念圖。
圖1B係根據本發明之一或多項實施例之一微影子系統之一概念圖。
圖1C係根據本發明之一或多項實施例之一度量衡子系統之一概念圖。
圖2係繪示根據本發明之一或多項實施例之柵格誤差補償之一流程圖。
圖3係繪示根據本發明之一或多項實施例之程序誤差補償之一流程圖。
圖4A係繪示根據本發明之一或多項實施例之具有對傳入變動展現過度校正之問題回饋校正及前饋校正的程序控制之一系列曲線圖。
圖4B係繪示根據本發明之一或多項實施例之具有經設計以減少過度校正之回饋校正及前饋校正的程序控制之一系列曲線圖。
圖5係繪示根據本發明之一或多項實施例之在用於基於對準量測及覆蓋量測兩者產生獨立前饋校正的一程序控制方法中執行之步驟之一流程圖。
圖6係繪示根據本發明之一或多項實施例之自全域參考覆蓋圖徵減去對準可校正圖徵之一系列向量域。
圖7係繪示根據本發明之一或多項實施例之基於兩個覆蓋參考層及一單一對準參考層產生前饋覆蓋校正之一系列向量域。
相關申請案之交叉參考
本申請案依據35 U.S.C.§ 119(e)規定主張2017年3月1日申請之以Onur Nihat Demirer、Bill Pierson、Mark D.Smith、Jeremy S.Nabeth、Miguel Garcia-Medina及Lipkong Yap為發明人的標題為LAYER-TO-LAYER SMART OVERLAY FEEDFORWARD CONTROL之美國臨時申請案序號62/465,164之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
現將詳細參考在隨附圖式中繪示之所揭示標的。已關於某些實施例及其之特定特徵特別展示且描述本發明。本文中闡述之實施例被視為闡釋性的而非限制性的。一般技術者應容易明白，可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下進行形式及細節之各種改變及修改。
本發明之實施例係關於用於基於回饋資料及層對層前饋資料進行程序控制之系統及方法，其中前饋資料包含對準資料及覆蓋資料兩者，且其係基於用於對準量測及覆蓋量測之參考層的位置動態地產生以減少過度校正。可基於一當前層之製造之先前生產運行產生用於控制製造工具(例如，微影工具、蝕刻工具或類似者)之回饋資料。可基於製造於一或多個先前製造層上的度量衡目標產生前饋資料。例如，對對準度量衡目標之量測可有利於將一微影工具與一樣本對準以曝光一當前層。此外，對覆蓋度量衡目標之量測可指示先前層中可能影響用於減少覆蓋之當前層之所要曝光條件的覆蓋誤差。
然而，本文中應認知，基於對準資料及覆蓋資料兩者之前饋資料可能導致可誘發控制不穩定性或雜訊之過度校正，特別是在包含對準度量衡目標及覆蓋度量衡目標之參考層重合時。因此，本發明之實施例係關於自基於覆蓋之微影工具校正減去對準可校正資料以減少及/或減輕過度校正。在此方面，一程序控制系統中之前饋資料可包含獨立的基於覆蓋之校正及基於對準之校正，此可以緊密覆蓋容限提供高度準確的且穩定的程序控制。
一半導體裝置通常可包含一基板上之多個經圖案化或未圖案化材料層。可透過一系列程序步驟製造各層，該等程序步驟諸如但不限於一或多個材料沈積步驟、一或多個微影步驟或一或多個蝕刻步驟。此外，必須在特定容限內製造各層以適當地構造最終裝置。例如，通常必須嚴格控制表示製造層之間的誤配準之覆蓋誤差以確保製造圖案之適當重疊及最終裝置效能。另外，一樣本可包含複數個晶粒，各晶粒具有可重複圖案化特徵。形成及處理此等材料層最終可導致完成裝置。許多不同類型之裝置可形成於一樣本上，且如本文中使用之術語樣本意欲涵蓋正在其上製造此項技術中已知之任何類型的裝置之一樣本。
如在本發明各處所使用，術語「樣本」一般指代由一半導體或非半導體材料形成之一基板(例如，一晶圓或類似者)。例如，一半導體或非半導體材料可包含但不限於單晶矽、砷化鎵及磷化銦。一樣本可包含一或多個層。例如，此等層可包含但不限於一光阻劑、一介電材料、一導電材料及一半導電材料。此項技術中已知許多不同類型之此等層，且如本文中使用之術語樣本意欲涵蓋其上可形成全部類型的此等層之一樣本。為本發明之目的，術語樣本及晶圓應解釋為可互換的。
可透過不同來源引入覆蓋誤差。例如，可因與在一或多個曝光域之一曝光步驟期間一光罩與樣本的對準相關聯之柵格誤差而產生覆蓋誤差。一微影工具(例如，一步進器、一掃描器或類似者)通常可具有小於一全樣本之一視域(FOV)且因此可將樣本劃分成可分開曝光之一系列(例如，一柵格)曝光域(下文中稱為域)。因此，柵格誤差可包含光罩與樣本針對一曝光柵格中之各域之未對準(例如，柵格誤差)，此可表現為針對各域，一當前層之一曝光圖案相對於樣本上之一標稱位置之偏移。藉由另一實例，可因程序誤差而產生覆蓋誤差。程序誤差可包含但不限於與樣本上之三維結構基於曝光圖案之製造相關聯之誤差。例如，程序誤差可包含但不限於在微影期間一曝光圖案之扭曲、蝕刻誘發之誤差或與樣本中之變動相關聯之誤差。
本文中應認知，一個層中之不同誤差來源可能以不同方式影響後續層之覆蓋。例如，一個層中之柵格誤差可能導致樣本上之一或多個曝光域之位置之偏移。可藉由調整微影工具在後續層中之對準以匹配樣本上之先前製造(錯誤)曝光域而部分且有時完全校正此等柵格誤差。在此方面，可在一當前層中透過基於一或多個先前製造層上之對準目標的前饋對準校正而至少部分補償先前層之柵格誤差。此外，可透過對微影工具之適當對準校正而針對未來樣本校正柵格誤差之漂移。
藉由另一實例，一個層中之程序誤差可在各域內引入製造圖案之扭曲。因此，情況可為，一些程序誤差可能未由前饋對準校正補償。然而，基於定位於先前製造層上的覆蓋目標之前饋覆蓋校正可補償及/或模擬程序誤差之影響，使得可將當前層之實際覆蓋誤差限制在選定容限內。例如，高階前饋覆蓋校正可誘發一當前層內之曝光域之扭曲以匹配樣本上之 先前製造(錯誤)曝光域。
本發明之實施例包含一種程序控制系統，其適於與製造工具(例如，微影工具、蝕刻工具或類似者)耦合以監測且調整製造工具之組態參數以在選定覆蓋規格內製造一裝置之各層。因此，一製造線中之一程序控制系統可產生對先前使用的控制參數之校正以基於與柵格及/或程序誤差相關聯之回饋及/或前饋資料用於一當前製造步驟中。
一程序控制系統可接受多種來源作為用於控制製造工具之輸入。例如，程序控制輸入可包含與特定製造工具及/或程序相關聯之組態參數的歷史值或已知系統偏誤。藉由另一實例，可自製造於一樣本之一或多個層上的度量衡目標產生程序控制輸入以實現各層之特性化。在此方面，一印刷層上之度量衡目標之製造偏差可表示層上之印刷元件在一給定曝光域中之偏差。
本發明之額外實施例係關於使用來自對準目標及覆蓋目標兩者之輸入之程序控制。對準目標可包含定位於樣本之一或多個製造層(例如，對準參考層)上之度量衡目標，其等適於針對一給定曝光域將一微影工具之光罩與樣本對準。因此，對準資料可能受柵格誤差之影響且因此用以補償柵格誤差。覆蓋目標可包含度量衡目標，其等包含樣本之兩個或更多個製造層上之製造特徵。因此，一覆蓋目標可適於判定一覆蓋參考層與一或多個額外層之間的覆蓋。因為覆蓋目標包含完全製造特徵(例如，透過曝光及後續蝕刻步驟產生之特徵)，所以覆蓋資料可能受柵格誤差及程序誘發誤差兩者之影響且因此至少部分補償柵格誤差及程序誘發誤差兩者。
本發明之額外實施例係關於用於基於回饋資料(例如，來自先前生產運行)以及來自先前層之前饋資料產生用於一當前層之製造的製造工具組 態參數(或校正)之程序控制，其中前饋資料包含對準資料及覆蓋資料兩者。例如，前饋資料可包含基於對一或多個對準參考層中的對準目標之量測之對準資料及基於一或多個覆蓋參考層中的覆蓋目標之覆蓋資料。
本發明之額外實施例係關於減少與使用對準校正及覆蓋校正兩者相關聯之過度校正。本文中應認知，藉由一控制系統使用前饋資料及回饋資料兩者可潛在地引入誤差及/或不穩定性。例如，若前饋資料過度校正一已知變動，則回饋系統可能無法完全補償。因此，對已知變動之回應性的增益可能以增加的穩態雜訊及不穩定性為代價。藉由另一實例，若前饋資料及回饋資料兩者與一共同變異性來源相關，則控制系統可能過度補償且變得不穩定及/或有雜訊。
如本文中先前描述，對準資料及覆蓋資料可能皆受柵格誤差之影響。因此，基於對準資料及覆蓋資料兩者的前饋微影工具校正可能過度校正柵格誤差，特別是在包含覆蓋目標及對準目標之參考層重合時。在一項實施例中，自基於覆蓋之前饋校正移除(例如，減去)亦可藉由對準程序校正之基於覆蓋之前饋校正的部分。在此方面，一程序控制系統可提供對準前饋校正及覆蓋前饋校正兩者之優點而無非所要串擾。
本發明之額外實施例係關於運用不同模型產生層對層前饋基於對準之校正及基於覆蓋之校正。度量衡目標(例如，對準目標及/或覆蓋目標)可跨一樣本且在樣本之任何數目個域內以任何分佈定位。此外，對準目標及覆蓋目標可以不同分佈跨樣本定位。例如，可藉由特性化製造於跨樣本分佈之一或多個對準參考層上的對準目標且針對各域模型化(例如，外推、內插或類似者)基於對準之校正而判定前饋基於對準之校正。類似地，可藉由特性化製造於跨樣本分佈之一或多個覆蓋參考層上的對準目標且針對 各域模型化(例如，外推、內插或類似者)基於覆蓋之校正而判定前饋基於覆蓋之校正。此外，用以判定基於對準及基於覆蓋之前饋校正的模型可為不同的。例如，覆蓋模型可包含適於補償程序誘發之覆蓋誤差的高階微影工具校正。此外，與對準模型相比，覆蓋模型可具有更多自由度。
本發明之額外實施例係關於程序控制，其中對準及/或覆蓋前饋量測係基於多個參考層。例如，適於一第一方向(例如，一X方向)上的對準量測之對準目標可定位於一第一對準參考層中，且適於一第二方向(例如，Y方向)上的對準量測之對準目標可定位於一第二對準參考層中。因此，可藉由組合來自第一對準參考層及第二對準參考層之資料而產生基於對準之前饋校正。類似地，適於一第一方向(例如，一X方向)上的覆蓋量測之覆蓋目標可定位於一第一覆蓋參考層中，且適於一第二方向(例如，Y方向)上的覆蓋量測之覆蓋目標可定位於一第二覆蓋參考層中。因此，可藉由組合來自第一覆蓋參考層及第二覆蓋參考層之資料而產生基於覆蓋之前饋校正。此外，在用於任一方向之一對準參考層與用於相同方向之一覆蓋參考層重合之情況中，可自該方向之覆蓋校正減去對準校正以避免串擾。
圖1A係根據本發明之一或多項實施例之一半導體裝置製造系統100之一概念圖。在一項實施例中，系統100包含用於微影地曝光一樣本上之一或多個圖案(例如，裝置圖案、度量衡圖案或類似者)之一微影子系統102。微影子系統102可包含此項技術中已知之任何微影工具。例如，微影子系統102可包含但不限於一掃描器或步進器。在另一實施例中，系統100包含一度量衡子系統104。例如，度量衡子系統104可特性化樣本上之一或多個印刷圖案，諸如但不限於度量衡目標(例如，對準目標及/或覆蓋目標)。藉由另一實例，度量衡子系統104可特性化一圖案遮罩(例如，包 含待由微影子系統102曝光至一樣本上之一裝置元件圖案的一光罩)。在一般意義上，度量衡子系統104可使用此項技術中已知之任何方法來量測任何度量衡度量(例如，覆蓋誤差、圖案放置誤差、樣本特徵之尺寸、臨界尺寸(CD)、側壁角度或類似者)。此外，度量衡子系統104可基於此項技術中已知之任何技術量測度量衡度量。在一項實施例中，度量衡子系統104包含用以基於樣本之一或多個影像之產生(例如，藉由直接成像樣本之部分，藉由逐點掃描或類似者)而量測度量衡資料之一基於影像之度量衡工具。在另一實施例中，度量衡子系統104包含用以基於來自樣本(例如，一晶圓、一圖案遮罩或類似者)之光之散射(反射、繞射、漫散射或類似者)而量測度量衡資料之一基於散射量測之度量衡工具。
在另一實施例中，系統100包含一控制器106。在另一實施例中，控制器106包含經組態以執行保存在一記憶體裝置110(例如，記憶體)上之程式指令的一或多個處理器108。在此方面，控制器106之一或多個處理器108可執行在本發明各處描述之各個程序步驟之任一者。例如，控制器106可模型化對準資料及/或覆蓋資料以產生用於控制微影子系統102之前饋校正。藉由另一實例，控制器106可自覆蓋資料減去對準可校正前饋校正以減少串擾。
一控制器106之一或多個處理器108可包含此項技術中已知之任何處理元件。在此意義上，一或多個處理器108可包含經組態以執行演算法及/或指令之任何微處理器型裝置。在一項實施例中，一或多個處理器108可由以下各者組成：一桌上型電腦、主機電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器，或經組態以執行經組態以如在本發明各處描述般操作系統100之一程式的任何其他電腦系統(例如，網路電腦)。進一步應認知，術語 「處理器」可廣泛定義為涵蓋具有執行來自一非暫時性記憶體裝置110之程式指令的一或多個處理元件之任何裝置。此外，在本發明各處描述之步驟可由一單一控制器106或替代地多個控制器實行。另外，控制器106可包含容置於一共同外殼中或多個外殼內之一或多個控制器。以此方式，可將任何控制器或控制器組合單獨封裝為適於整合至系統100中之一模組。此外，控制器106可分析自偵測器142接收之資料且將資料饋送至度量衡子系統104內或系統100外部之額外組件。
記憶體裝置110可包含此項技術中已知之適於儲存可由一或多個相關聯處理器108執行的程式指令之任何儲存媒體。例如，記憶體裝置110可包含一非暫時性記憶媒體。藉由另一實例，記憶體裝置110可包含但不限於一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁性或光學記憶體裝置(例如，磁碟)、一磁帶、一固態硬碟及類似者。進一步應注意，記憶體裝置110可與一或多個處理器108容置於一共同控制器外殼中。在一項實施例中，記憶體裝置110可相對於一或多個處理器108及控制器106之實體位置遠端地定位。例如，控制器106之一或多個處理器108可存取可透過一網路(例如，網際網路、內聯網路及類似者)存取之一遠端記憶體(例如，伺服器)。因此，上文描述不應解釋為對本發明之一限制而是僅為一繪示。
圖1B係根據本發明之一或多項實施例之一微影子系統102之一概念圖。在一項實施例中，微影子系統102包含經組態以產生一或多個照明光束114之一微影照明源112。一或多個照明光束114可包含一或多個選定波長之光，包含但不限於紫外線(UV)輻射、可見光輻射或紅外線(IR)輻射。
微影照明源112可包含此項技術中已知之適於產生一照明光束114之任何類型之照明源。例如，微影照明源112可包含一或多個雷射系統(例 如，氣體雷射、二極體雷射、自由電子雷射、光纖雷射、盤形雷射或類似者)。藉由另一實例，微影照明源112可包含一或多個燈系統(例如，弧光燈或類似者)。藉由另一實例，微影照明源112包含一電漿照明源(例如，一雷射脈衝電漿(LPP)源、一放電泵送電漿(DPP)源、一雷射持續電漿(LSP)源或類似者)。
微影照明源112可額外地包含適於操縱照明光束114之一或多個態樣之任何數目個光學元件，諸如但不限於濾光片、偏光器、波板或漫射體。
來自微影照明源112之照明可具有任何空間分佈(例如，照明圖案)。例如，微影照明源112可產生其中照明沿(或平行於)一光軸116傳播之一軸上照明光束114及/或其中照明按與光軸116之一角度傳播之任何數目個離軸照明光束114。
在另一實施例中，微影子系統102包含一遮罩支撐裝置118。遮罩支撐裝置118經組態以固定包含待在製造期間曝光之一元件圖案的一圖案遮罩120(例如，一光罩)。在另一實施例中，微影子系統102包含一組投影光學器件122，其等經組態以將由一或多個照明光束114照明之圖案遮罩120之一影像投影至安置於一樣本載台126上之一樣本124上，以產生對應於圖案遮罩120之影像的印刷圖案元件。在另一實施例中，遮罩支撐裝置118可經組態以致動或定位圖案遮罩120。例如，遮罩支撐裝置118可將圖案遮罩120致動至相對於系統100之投影光學器件122之一選定位置。
樣本124可包含適於接收圖案遮罩120之影像之任何數目個光敏材料及/或材料層。例如，樣本124可包含一光阻層128。在此方面，該組投影光學器件122可將圖案遮罩120之一影像投影至光阻層128上以曝光光阻層128，且一後續蝕刻步驟可移除經曝光材料(例如，正蝕刻)或未曝光材料 (例如，負蝕刻)以提供樣本124上之印刷特徵。
控制器106可通信耦合至微影子系統102中之任何數目個元件。例如，控制器106可通信耦合至遮罩支撐裝置118、微影照明源112及/或樣本載台126，以將一圖案遮罩120上之圖案元件之曝光引導至一樣本124(例如，樣本上之一光阻層128或類似者)。在此方面，可調整曝光條件，諸如曝光劑量、樣本在微影子系統102內之焦點位置及類似者。
圖1C係根據本發明之一或多項實施例之一度量衡子系統104之一概念圖。在一項實施例中，度量衡子系統104包含用以產生一度量衡照明光束132之一度量衡照明源130。在另一實施例中，度量衡照明源130與微影照明源112相同。在又一實施例中，度量衡照明源130係經組態以產生一各別度量衡照明光束132之一各別照明源。此外，度量衡照明光束132可為此項技術中已知之適於度量衡之任何類型之照明光束。例如，度量衡照明光束132可包含具有一或多個選定波長(包含但不限於X射線波長、紫外線(UV)波長、可見光波長或紅外線(IR)波長)之一電磁輻射束。藉由另一實例，度量衡照明光束132可包含一粒子束，諸如但不限於一電子束、一離子束或一中性粒子束。
在另一實施例中，度量衡照明源130經由一照明路徑134將度量衡照明光束132引導至樣本124。如在本發明各處使用，術語「度量衡樣本」一般指代待由度量衡子系統104檢測之一物件。在此方面，度量衡子系統104可操作為一晶圓檢測系統。藉由另一實例，樣本124可包含一圖案遮罩(例如，光罩)。在此方面，度量衡子系統104可操作為一光罩檢測系統。
照明路徑134可包含適於修改及/或調節度量衡照明光束132之一或多 個照明路徑透鏡136或額外光學組件138。例如，一或多個光學組件138可包含但不限於一或多個偏光器、一或多個濾光片、一或多個光束分離器、一或多個漫射體、一或多個均質器、一或多個變跡器或一或多個光束整形器。在另一實施例中，度量衡子系統104包含用以將度量衡照明光束132聚焦至樣本124上之一物鏡140。
在另一實施例中，度量衡子系統104包含經組態以透過一收集路徑144捕獲自樣本124放射之輻射的一偵測器142。收集路徑144可包含適於捕獲及/或修改自樣本124放射之輻射的一或多個收集路徑透鏡146或額外收集組件，包含但不限於一或多個透鏡、一或多個濾光片、一或多個偏光器或一或多個光束擋塊。
例如，偵測器142可接收由收集路徑144中之元件(例如，物鏡140、收集路徑透鏡146或類似者)提供之樣本124之一影像。藉由另一實例，一偵測器142可接收自樣本124反射或散射(例如，經由鏡面反射、漫反射及類似者)之輻射。藉由另一實例，一偵測器142可接收由樣本124產生之輻射(例如，與度量衡照明光束132之吸收相關聯之發光或類似者)。藉由另一實例，一偵測器142可接收來自樣本124之一或多個繞射階之輻射(例如，0階繞射、±1階繞射、±2階繞射及類似者)。
偵測器142可包含此項技術中已知之適於量測自樣本124接收之照明的任何類型之光學偵測器。例如，一偵測器142可包含但不限於一CCD偵測器、一TDI偵測器、一光電倍增管(PMT)、一雪崩光二極體(APD)或類似者。在另一實施例中，一偵測器142可包含適於識別自樣本124放射之輻射之波長的一光譜偵測器。在另一實施例中，度量衡子系統104可包含多個偵測器142(例如，與由一或多個光束分離器產生之多個光束路徑相 關聯)以有利於藉由度量衡子系統104進行多個度量衡量測(例如，多個度量衡工具)。
在一項實施例中，如圖1C中繪示，度量衡子系統104可包含一光束分離器148，其經定向使得物鏡140可同時將度量衡照明光束132引導至樣本124且收集自樣本124放射之輻射。在此方面，度量衡子系統104可以一落射照明(epi-illumination)模式組態。在另一實施例中，度量衡照明光束132在樣本124上之入射角度係可調整的。例如，度量衡照明光束132穿過光束分離器148及物鏡140之路徑可經調整以控制度量衡照明光束132在樣本124上之入射角度。在此方面，度量衡照明光束132可具有穿過光束分離器148及物鏡140使得度量衡照明光束132在樣本124上具有一法向入射角之一標稱路徑。此外，可藉由修改度量衡照明光束132在光束分離器148上之位置及/或角度(例如，藉由可旋轉鏡、一空間光調變器、一自由形式照明源或類似者)而控制度量衡照明光束132在樣本124上之入射角度。在另一實施例中，度量衡照明源130依一角度(例如，一掠射角、一45度角或類似者)將一或多個度量衡照明光束132引導至樣本124。
在一項實施例中，控制器106監測且調整微影子系統102之組態參數以適當地對準正用一或多個先前製造層製造之一當前層。在此方面，控制器106可提供所產生之微影工具校正以將覆蓋誤差維持在選定容限內。
如本文中先前描述，覆蓋誤差之促成因素可包含但不限於柵格誤差或程序誤差。例如，柵格誤差可能與在一給定域之曝光期間一微影工具(例如，微影子系統102)之FOV相對於一樣本(例如，樣本124)上之一標稱位置的一未對準相關聯。柵格誤差通常係由在自一個曝光域平移至下一曝光域期間一樣本載台(例如，樣本載台126)中之定位誤差誘發，但不要求 由此誘發。藉由另一實例，程序誤差可能與樣本上之三維結構基於曝光圖案之製造相關聯。在此方面，程序誤差可包含但不限於在微影期間一曝光圖案之扭曲、蝕刻誘發之誤差或與樣本中之變動相關聯之誤差。
本文中應認知，一給定層中之柵格誤差及程序誤差可能不同地影響後續層之覆蓋。因此，程序控制系統100可利用回饋校正及/或前饋校正來提供對覆蓋誤差之嚴格控制。
圖2係繪示根據本發明之一或多項實施例之柵格誤差補償之一流程圖。明確言之，圖2繪示其中可補償一第二層中相對於一第一層之柵格誤差之一製造情境。例如，在一第一層微影步驟202中，一微影工具可將一樣本之一表面劃分成複數個第一層曝光域204，而形成無對準誤差之一適當對準曝光柵格。此外，在一第一層程序步驟206中，在選定製造容限內適當地製造第一層曝光域204內之圖案(未個別展示)。繼續實例，一第二層微影步驟208中之柵格誤差可導致第二層曝光域210相對於第一層曝光域204之未對準。可在一度量衡步驟212中特性化且識別此等柵格誤差。因此，一程序控制系統(例如，系統100)可產生微影工具校正作為回饋或前饋資料以減輕柵格誤差。例如，如圖2中繪示，一度量衡工具可產生表示跨樣本之各個位置處的柵格誤差之一誤差域214。接著，一程序控制系統可在一第二層校正步驟216中產生回饋校正以應用於後續生產運行，使得第二層曝光域210可在選定覆蓋容限內與第一層曝光域204對準。藉由另一實例(但未展示)，一度量衡工具可特性化製造至第一層上之一或多個度量衡目標以產生前饋微影工具校正，以將第二層曝光域210與第一層曝光域204準確地對準。
圖3係繪示根據本發明之一或多項實施例之程序誤差補償之一流程 圖。明確言之，圖3繪示其中可在後續層中補償一第一層中之程序誤差之一製造情境。例如，在一第一層微影步驟302中，一微影工具可將一樣本之一表面劃分成複數個第一層曝光域304，而形成無對準誤差之一適當對準曝光柵格。然而，在此實例中，一第一層程序步驟306可產生使曝光柵格扭曲之程序誤差。因此，在一第二層微影步驟310中產生之一第二層曝光柵格308可能未與第一層曝光域304適當重疊。接著，一度量衡工具可在一度量衡步驟314中產生一誤差域312，可使用該誤差域312來產生回饋校正以應用於後續生產運行。在此方面，校正可在一第二層校正步驟316中使第二層曝光柵格308扭曲，以匹配第一層曝光域304且將覆蓋誤差限制於選定容限。藉由另一實例(但未展示)，一度量衡工具可特性化製造至第一層上之一或多個度量衡目標以產生前饋微影工具校正，以將第二層曝光柵格308與第一層曝光域304準確地對準(例如，使其扭曲)。
在另一實施例中，程序控制系統100基於回饋資料及前饋資料兩者產生用於一當前層之製造的微影工具組態參數(或校正)以將覆蓋誤差維持在選定容限內。
例如，系統100可利用前饋資料來校正先前層中可能影響當前層之適當曝光條件之已知變動(例如，經量測柵格及/或程序誤差)。例如，前饋資料可補償與特定製造工具及/或製造程序相關聯之系統偏誤，諸如但不限於蝕刻偏誤、光罩誤配準或掃描器匹配。藉由另一實例，前饋資料可補償已知程序變動，諸如但不限於晶圓之邊緣處相對於晶圓之中心的已知程序變動。藉由又一實例，前饋資料可補償一樣本之先前製造層中之經量測變動。在此方面，可基於先前層之實際特性調整一當前層之微影及/或蝕刻程序，此可導致低覆蓋誤差及對應高裝置效能。
藉由另一實例，系統100可利用回饋資料來校正一當前層之製造中的逐步漂移。例如，製程之逐步偏差可導致柵格誤差及/或程序誤差，其等表現為覆蓋誤差以及膜厚度、臨界尺寸、側壁角度、化學性質、電氣性質、光學性質或類似者之變動。系統100可將對製程中之各個階段之製造樣本上之相關特性的度量衡量測提供至一程序控制系統以產生回饋資料。可依任何頻率提供此回饋資料以提供微影工具校正(例如，用於微影子系統102之校正)，以在一單一樣本上在一逐晶粒基礎上、在一逐樣本基礎上、在一逐批次基礎上或類似者製造當前層。
回饋資料可額外地補償由前饋資料引入之誤差。然而，本文中應認知，一程序控制系統(例如，系統100)使用前饋資料及回饋資料兩者作為校正可潛在地引入誤差及/或不穩定性。例如，若前饋資料過度校正一已知變動，則回饋系統可能無法完全補償。因此，對已知變動之回應性的增益可能以增加的穩態雜訊及不穩定性為代價。藉由另一實例，若前饋資料及回饋資料兩者與一共同變異性來源相關，則控制系統可能過度補償且變得不穩定及/或有雜訊。
圖4A及圖4B繪示具有不同回饋校正與前饋校正組合之程序控制對一61批次生產運行之批次14與15之間的一變動之回應性。
圖4A係繪示根據本發明之一或多項實施例之具有對傳入變動展現過度校正之問題回饋校正及前饋校正的程序控制之一系列曲線圖。曲線圖402包含用於61批次生產運行的所使用校正及理想校正以及誤差值之曲線。此外，曲線圖404包含曲線圖402之校正之一前饋分量的一曲線，而曲線圖406包含曲線圖402之校正之回饋分量的一曲線。前饋校正確實提供對批次14與15之間的變動之快速補償，但過度補償引入雜訊。此外， 回饋校正無法完全補償由前饋控制引入之誤差。因此，程序控制器以穩態雜訊為代價提供對可量測傳入變動之回應性。
圖4B係繪示根據本發明之一或多項實施例之具有經設計以減少過度校正之回饋校正及前饋校正的程序控制之一系列曲線圖。曲線圖408包含用於61批次生產運行的所使用校正及理想校正以及誤差值之曲線。此外，曲線圖410包含曲線圖408之校正之一前饋分量的一曲線，而曲線圖412包含曲線圖408之校正之回饋分量的一曲線。藉由減少過度校正，回饋校正及前饋校正可提供回應性的且穩定的控制。例如，前饋校正可補償已知傳入變動(例如，階躍變化或類似者)，且回饋校正可補償製程中之逐步漂移及由前饋校正誘發之偏誤。
在另一實施例中，系統100基於來自先前製造層之對準資料及覆蓋資料兩者提供前饋校正。例如，對準資料及覆蓋資料可分別基於對對準目標及覆蓋目標之度量衡量測。在此方面，前饋校正可考量多種誤差來源，諸如但不限於柵格誤差及程序誤差。此外，系統100可減少與通常由對準目標及覆蓋目標兩者量測之變動(諸如但不限於柵格誤差)相關聯的過度校正。例如，系統100可產生基於覆蓋之前饋校正、判定基於覆蓋之前饋校正之哪些分量亦可透過前饋對準校正予以補償，且移除共同分量。在此方面，基於覆蓋之前饋校正及基於對準之前饋校正可為獨立的。
圖5係繪示根據本發明之一或多項實施例之在用於基於對準量測及覆蓋量測兩者產生獨立前饋校正的一程序控制方法500中執行之步驟之一流程圖。申請人強調，本文中先前在系統100之內容背景中描述之實施例及實現技術應解釋為擴展至方法500。然而，進一步應注意，方法500不限於系統100之架構。
在一項實施例中，方法500包含一步驟502：使用一樣本之一或多個參考層之覆蓋模型來基於一或多個覆蓋參考層產生參考覆蓋圖徵。
例如，步驟502可包含識別一或多個先前製造層用作覆蓋參考層以產生用於一當前層之前饋校正。此外，步驟502可包含接收在製造覆蓋參考層期間應用之該組覆蓋校正。例如，應用於覆蓋參考層之該組覆蓋校正可儲存於一非揮發性儲存裝置(例如，一伺服器、一程序控制系統或類似者)上且可自其接收。在此方面，參考覆蓋圖徵可包含應用於覆蓋參考層之覆蓋校正而作為待應用於當前層之前饋校正的一初始估計。
在另一實施例中，方法500包含一步驟504：將參考覆蓋圖徵外推至用於曝光樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵。因此，步驟504可包含針對當前層中之全部可校正域產生覆蓋估計資料。
情況可為，可使用不同曝光柵格來曝光一樣本之不同層。例如，用以曝光一樣本之多個層的一微影工具可針對各曝光步驟將樣本劃分成一不同曝光柵格。例如，可基於正製造的裝置元件之大小、定向及或分佈針對各曝光步驟客製化曝光域之大小、定向及/或分佈。藉由另一實例，可利用不同微影工具來曝光樣本之不同層。在此方面，一樣本之各層可由非常適合待針對該層製造之特定圖案的一微影工具製造。
在另一實施例中，方法500包含一步驟506：識別該組可校正域之包含待用於對準用於曝光當前層之一微影工具的對準目標之一或多個對準域。對準目標可依適於對準一微影工具之任何圖案分佈於樣本上。因此，步驟506可包含判定待用以對準當前層的對準目標之位置，及進一步識別該組可校正域之哪些域含有對準目標。
在另一實施例中，方法500包含一步驟508：產生一對準可校正圖 徵。例如，可藉由使用當前層之一對準模型來基於來自全域參考覆蓋圖徵在一或多個對準域中的資料針對該組可校正域模型化對準校正而產生對準可校正圖徵。在此方面，對準可校正圖徵可包含步驟504之全域參考覆蓋圖徵之可藉由基於對準目標之前饋對準校正而補償的分量。因此，對準可校正圖徵可表示在將覆蓋資料及對準資料兩者提供為前饋資料時可能導致過度校正及不穩定性的資料。
在另一實施例中，方法500包含一步驟510：當一或多個覆蓋參考層與一或多個對準參考層相同時，自全域參考覆蓋圖徵減去對準可校正圖徵以產生用於當前層之前饋覆蓋校正。
本文中應認知，使用對準前饋資料及覆蓋前饋資料兩者在對準參考層及覆蓋參考層相同時可能導致過度校正，且在對準參考層及覆蓋參考層不同時可能導致很少過度校正或可能不導致過度校正。因此，當對準參考層及覆蓋參考層不同時，可(但不要求)省略步驟510。
圖6係繪示根據本發明之一或多項實施例之自全域參考覆蓋圖徵減去對準可校正圖徵的一系列向量域。在一項實施例中，用於正製造之一當前層的一全域參考覆蓋圖徵602可包含表示用於一樣本124上之當前層之該組可校正域606中的各曝光域604之覆蓋誤差之量值及方向的一向量。可在步驟504中藉由基於覆蓋參考層之覆蓋模型將用以曝光覆蓋參考層之覆蓋校正外推至該組可校正域606而產生各曝光域604之覆蓋向量。
此外，步驟508中產生之對準可校正圖徵608可類似地包含表示該組可校正域606中的各曝光域604之對準可校正資料之量值及方向的一向量。因此，可藉由自全域參考覆蓋圖徵602減去對準可校正圖徵608(例如，經由各曝光域604之逐點相減)而產生用於當前層之前饋覆蓋校正 610，如圖6中繪示。
全域參考覆蓋圖徵(例如，全域參考覆蓋圖徵602)可包含線性校正項及高階項。線性校正項可用以補償線性誤差(諸如但不限於柵格誤差)，而高階項可用以補償程序誤差。因此，情況可為，基於對準之前饋校正可補償線性項之一部分。因此，步驟510可包含減去線性項的可使用對準資料校正之部分以避免過度校正。
可自任何數目個覆蓋參考層或對準參考層產生全域參考覆蓋圖徵602及/或對準可校正圖徵608。例如，可自一第一覆蓋參考層產生沿一第一方向(例如，一X方向)之前饋覆蓋校正，且可自一第二覆蓋參考層產生沿一第二方向(例如，一Y方向)之前饋覆蓋校正。類似地，可自一第一對準參考層產生沿一第一方向(例如，一X方向)之前饋對準校正，且可自一第二對準參考層產生沿一第二方向(例如，一Y方向)之前饋對準校正。
圖7係繪示根據本發明之一或多項實施例之基於兩個覆蓋參考層及一單一對準參考層產生前饋覆蓋校正702之一系列向量域。在一項實施例中，藉由將一第一層參考覆蓋圖徵708之X分量706及一第二層參考覆蓋圖徵712之Y分量710組合至一單一向量域中而產生一全域參考覆蓋圖徵704。因此，可藉由自組合之全域參考覆蓋圖徵704減去對準可校正圖徵714而產生前饋覆蓋校正702。
在另一實施例中，可藉由將一第一層對準可校正圖徵之X分量及一第二層對準可校正圖徵之Y分量組合至一單一向量域中而類似地產生一對準可校正圖徵。
情況可為，對準參考層及覆蓋參考層之一個方向、多個方向可能重合或無方向重合。因此，方法500可包含判定覆蓋參考層及對準參考層之 各量測方向是否重合，及自全域參考覆蓋圖徵602減去對準可校正圖徵608之來自重合參考層之部分。
例如，若提供X方向前饋覆蓋資料之一覆蓋參考層與提供X方向前饋對準資料之一對準參考層重合，則步驟510可包含藉由自全域參考覆蓋圖徵之X分量減去對準可校正圖徵之X分量而產生前饋覆蓋校正之X分量。類似地，若提供Y方向前饋覆蓋資料之一覆蓋參考層與提供Y方向前饋對準資料之一對準參考層重合，則步驟510可包含藉由自全域參考覆蓋圖徵之X分量減去對準可校正圖徵之Y分量而產生前饋覆蓋校正之Y分量。
在另一實施例中，方法500包含一步驟512：基於前饋校正產生微影工具校正。例如，步驟512可包含基於前饋覆蓋校正以及回饋校正產生微影工具校正以補償在當前層之製造期間製造工具之漂移。在此方面，步驟512可包含將前饋校正及回饋校正整合成適於組態用於在一或多個製造運行中製造當前層的一微影工具之一單一組之校正。在一個例項中，程序控制器可利用(但不要求利用)一指數加權移動平均(EWMA)技術來整合歷史微影工具校正與步驟510中產生之回饋資料以提供一單一組之可校正量。此外，微影工具校正可包含基於對對準參考層上之對準度量衡目標之量測的前饋對準校正。在此方面，微影工具校正可包含具有減少的過度校正之可將覆蓋誤差維持在選定容限內的獨立前饋校正及回饋校正。
在另一實施例中，方法500包含一步驟514：將用於當前層之微影工具校正提供至微影工具。例如，實施方法500之一程序控制器(例如，系統100)可將步驟512中產生之微影工具校正傳輸至微影工具，使得微影工具可在一或多個製造運行中準確地曝光當前層。
然而，應瞭解，可藉由一製造線之任何組件執行方法500。此外，可 經由一單一硬體元件(例如，一單一控制器)或經由多個硬體元件(例如，藉由多個控制器)執行方法500之步驟。例如，可藉由製造工具(諸如但不限於微影工具(例如，微影子系統102)或度量衡工具(例如，度量衡子系統104))執行步驟512、方法500之一或多個步驟。在一項實施例中，藉由待用於製造當前層之微影工具執行方法500之一或多個步驟。例如，至少步驟512可在整合於微影工具內及/或形成微影工具之一部分的一控制器上實行，使得步驟512之微影工具校正使得步驟514可為選用的。
在另一實施例中，方法500可包含在於步驟512中產生微影工具校正之前基於當前層之一對準模型重新模型化前饋覆蓋的一步驟。例如，一程序控制系統可針對裝置之一不同層利用不同覆蓋模型(例如，具有不同校正順序、不同權重或類似者)。在此方面，可用當前層之一覆蓋模型重新模型化來自步驟510之基於覆蓋參考層之一覆蓋模型的前饋覆蓋校正以改良系統效能。藉由另一實例，一製造線可利用不同微影工具來曝光一裝置之不同層。因此，來自步驟510之前饋覆蓋校正可經重新模型化以適應經選擇以曝光當前層之特定微影工具。
本文中描述之標的有時繪示含於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應瞭解，此等所描繪架構僅為例示性的，且事實上可實施許多其他架構而達成相同功能性。在一概念意義上，達成相同功能性之任何組件配置經有效「相關聯」使得達成所要功能性。因此，在本文中組合以達成一特定功能性之任兩個組件可被視為彼此「相關聯」使得達成所要功能性，而與架構或中間組件無關。同樣地，如此相關聯之任兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任兩個組件亦可被視為彼此「可耦合」以達成所要功能性。可耦合之特定實 例包含但不限於可實體互動及/或實體上互動之組件、及/或可無線互動及/或無線互動之組件，及/或可邏輯互動及/或邏輯互動之組件。
據信，藉由前文描述將理解本發明及其之許多伴隨優點，且將明白，可在組件之形式、構造及配置方面進行各種改變而不脫離所揭示標的或不犧牲全部其材料優點。所描述之形式僅為說明性的，且以下發明申請專利範圍意欲涵蓋且包含此等改變。此外，應瞭解，本發明係由隨附發明申請專利範圍定義。
500:程序控制方法
502:步驟
504:步驟
506:步驟
508:步驟
510:步驟
512:步驟
514:步驟

Claims (39)

  1. 一種程序控制系統，其包括：一控制器，其包含一或多個處理器，該一或多個處理器經組態以執行程式指令，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器：使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵；將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵；識別該組可校正域之一或多個對準域，其包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標，其中該等對準目標定位於該樣本之一或多個對準參考層中；使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料，藉由針對該組可校正域模型化(model)對準校正而產生一對準可校正圖徵；當該一或多個覆蓋參考層與該一或多個對準參考層相同時，自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正；基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正；及將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具。
  2. 如請求項1之程序控制系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令，該等程式指令引起該一或多個處理器： 在將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具之前，用該當前層之一覆蓋模型重新模型化(remodel)該等前饋覆蓋校正。
  3. 如請求項2之程序控制系統，其中與該當前層之該對準模型相比，該當前層之該覆蓋模型包含更多自由度。
  4. 如請求項2之程序控制系統，其中用於曝光該當前層之該微影工具不同於用於曝光該一或多個對準參考層或該一或多個覆蓋參考層之至少一者之一微影工具。
  5. 如請求項1之程序控制系統，其中該一或多個覆蓋參考層包含用於一第一方向上之覆蓋量測之一第一覆蓋參考層，其中該一或多個覆蓋參考層進一步包含用於一第二方向上之覆蓋量測之一第二覆蓋參考層。
  6. 如請求項5之程序控制系統，其中該第一覆蓋參考層不同於該第二覆蓋參考層。
  7. 如請求項5之程序控制系統，其中該第一方向不同於該第二方向。
  8. 如請求項5之程序控制系統，其中該第一方向正交於該第二方向。
  9. 如請求項5之程序控制系統，其中將該參考覆蓋圖徵外推至用於該樣本之一當前層之該曝光的一組可校正域包括： 將一第一組覆蓋校正外推至該組可校正域以產生該全域參考覆蓋圖徵沿該第一方向之一分量；及將一第二組覆蓋校正外推至該組可校正域以產生該全域參考覆蓋圖徵沿該第二方向之一分量。
  10. 如請求項5之程序控制系統，其中該一或多個對準參考層包含用於沿該第一方向校正該微影工具之對準之一第一對準參考層，其中該一或多個對準參考層包含用於沿該第二方向校正該微影工具之對準之一第二對準參考層。
  11. 如請求項10之程序控制系統，其中該第一覆蓋參考層與該第一對準參考層相同，其中自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵包括：自該全域參考覆蓋圖徵之一第一方向分量減去該對準可校正圖徵之一第一方向分量以產生該等前饋覆蓋校正之一第一方向分量。
  12. 如請求項10之程序控制系統，其中該第二覆蓋參考層與該第二對準參考層相同，其中自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵包括：自該全域參考覆蓋圖徵之一第二方向分量減去該對準可校正圖徵之一第二方向分量以產生該等前饋覆蓋校正之一第二方向分量。
  13. 如請求項1之程序控制系統，其中該一或多個對準參考層包含用於沿一第一方向校正該微影工具之對準之一第一對準參考層，其中該一或多個對準參考層包含用於沿一第二方向校正該微影工具之對準之一第二對準參 考層。
  14. 如請求項13之程序控制系統，其中該第一對準參考層不同於該第二對準參考層。
  15. 如請求項13之程序控制系統，其中該第一方向不同於該第二方向。
  16. 如請求項13之程序控制系統，其中該第一方向正交於該第二方向。
  17. 如請求項1之程序控制系統，其中自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正包括針對該組可校正域之各域之逐點相減。
  18. 如請求項1之程序控制系統，其中基於該等前饋覆蓋校正產生該等微影工具校正包括：基於用於該當前層之該等前饋覆蓋校正及回饋覆蓋校正產生該等微影工具校正。
  19. 如請求項1之程序控制系統，其中該微影工具係一掃描器微影工具。
  20. 如請求項1之程序控制系統，其中該微影工具係一步進器微影工具。
  21. 如請求項13之程序控制系統，其中該第一對準參考層不同於該第二 對準參考層。
  22. 如請求項13之程序控制系統，其中該第一方向不同於該第二方向。
  23. 一種用於判定前饋資料之系統，其包括：一控制器，其經組態以耦合至一程序控制系統，該控制器包含一或多個處理器，該一或多個處理器經組態以執行程式指令，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器：使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵；將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵；識別該組可校正域之一或多個對準域，其包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標，其中該等對準目標定位於該樣本之一或多個對準參考層中；使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料，藉由針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵；當該一或多個覆蓋參考層與該一或多個對準參考層相同時，自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正；基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正；及將該等微影工具校正提供至該程序控制系統以調整用於曝光該當 前層之該微影工具。
  24. 如請求項23之系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以執行程式指令，該等程式指令引起該一或多個處理器：在將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具之前，用該當前層之一覆蓋模型重新模型化該等前饋覆蓋校正。
  25. 如請求項24之系統，其中與該當前層之該對準模型相比，該當前層之該覆蓋模型包含更多自由度。
  26. 如請求項24之系統，其中用於曝光該當前層之該微影工具不同於用於曝光該一或多個對準參考層或該一或多個覆蓋參考層之至少一者之一微影工具。
  27. 如請求項23之系統，其中該一或多個覆蓋參考層包含用於一第一方向上之覆蓋量測之一第一覆蓋參考層，其中該一或多個覆蓋參考層進一步包含用於一第二方向上之覆蓋量測之一第二覆蓋參考層。
  28. 如請求項27之系統，其中該第一覆蓋參考層不同於該第二覆蓋參考層。
  29. 如請求項27之系統，其中該第一方向不同於該第二方向。
  30. 如請求項27之系統，其中將該參考覆蓋圖徵外推至用於該樣本之一當前層之該曝光的一組可校正域包括：將一第一組覆蓋校正外推至該組可校正域以產生該全域參考覆蓋圖徵沿該第一方向之一分量；及將一第二組覆蓋校正外推至該組可校正域以產生該全域參考覆蓋圖徵沿該第二方向之一分量。
  31. 如請求項27之系統，其中該一或多個對準參考層包含用於沿該第一方向校正該微影工具之對準之一第一對準參考層，其中該一或多個對準參考層包含用於沿該第二方向校正該微影工具之對準之一第二對準參考層。
  32. 如請求項31之系統，其中該第一覆蓋參考層與該第一對準參考層相同，其中自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵包括：自該全域參考覆蓋圖徵之一第一方向分量減去該對準可校正圖徵之一第一方向分量以產生該等前饋覆蓋校正之一第一方向分量。
  33. 如請求項31之系統，其中該第二覆蓋參考層與該第二對準參考層相同，其中自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵包括：自該全域參考覆蓋圖徵之一第二方向分量減去該對準可校正圖徵之一第二方向分量以產生該等前饋覆蓋校正之一第二方向分量。
  34. 如請求項23之系統，其中該一或多個對準參考層包含用於沿一第一方向校正該微影工具之對準之一第一對準參考層，其中該一或多個對準參 考層包含用於沿一第二方向校正該微影工具之對準之一第二對準參考層。
  35. 如請求項23之系統，其中自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正包括針對該組可校正域之各域之逐點相減。
  36. 如請求項23之系統，其中基於該等前饋覆蓋校正產生該等微影工具校正包括：基於用於該當前層之該等前饋覆蓋校正及回饋覆蓋校正產生該等微影工具校正。
  37. 一種程序控制系統，其包括：一微影工具；及一控制器，其通信耦合至該微影工具，該控制器包含經組態以執行程式指令之一或多個處理器，該等程式指令經組態以引起該一或多個處理器：使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵；將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵；識別該組可校正域之一或多個對準域，其包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標，其中該等對準目標定位於該樣本之一或多個對準參考層中； 使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料，藉由針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵；當該一或多個覆蓋參考層與該一或多個對準參考層相同時，自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正；基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正；及將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具。
  38. 一種用於判定前饋資料之方法，其包括：運用一或多個處理器使用一樣本之一或多個覆蓋參考層之覆蓋模型來基於該一或多個覆蓋參考層產生一參考覆蓋圖徵；運用該一或多個處理器將該參考覆蓋圖徵外推至用於曝光該樣本之一當前層的一組可校正域以產生一全域參考覆蓋圖徵；運用該一或多個處理器識別該組可校正域之一或多個對準域，其包含待用於對準用於曝光該當前層之一微影工具的對準目標，其中該等對準目標定位於該樣本之一或多個對準參考層中；運用該一或多個處理器使用該當前層之一對準模型來基於來自該全域參考覆蓋圖徵在該一或多個對準域中的資料，藉由針對該組可校正域模型化對準校正而產生一對準可校正圖徵；運用該一或多個處理器在該一或多個覆蓋參考層與該一或多個對準參考層相同時，自該全域參考覆蓋圖徵減去該對準可校正圖徵以產生用於該當前層之前饋覆蓋校正； 運用該一或多個處理器基於該等前饋覆蓋校正產生微影工具校正；及將用於該當前層之該等微影工具校正提供至該微影工具。
  39. 如請求項38之方法，其進一步包括：運用該微影工具基於該等前饋覆蓋校正調整該當前層中之該組可校正域之曝光條件。
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