TW201707120A - 基板處理系統 - Google Patents

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Satoshi Gomi
Daisuke Morisawa
Keiji Osada
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

提供一種可於系統內部，使複數個虛擬基板在時間上並行地進行模擬搬送，且亦可採用不進行將虛擬基板搬送至處理室內之模擬搬送的基板處理系統。 條件表(122)，係具有從保存於記憶裝置(105)的各種維修巨集(135)選定所執行者，與設定該些執行條件之維修巨集設定部的功能。藉由條件表(122)所設定的維修巨集(135)，係藉由配方執行部(121)的控制訊號，與系統配方(130)一起予以控制。配方執行部(121)，係使系統配方(130)與藉由條件表(122)所設定的維修巨集(135)協調運作，在基板處理系統(100)內執行模擬動作。

Description

基板處理系統
本發明，係關於對半導體晶圓等之基板進行預定處理的基板處理系統。
在半導體裝置的製造過程中，係對半導體晶圓等的基板，例如重覆進行成膜或蝕刻等的各種處理。在進行該些處理的半導體製造裝置中，係使用具備有複數個處理室的基板處理系統。像這樣的基板處理系統，係更具備有：搬入搬出部，進行來自外部之基板的搬入搬出；及一至複數個搬送裝置，用以進行包含複數個處理室間之系統內之基板的搬送及與外部之基板的收授。
然而，在基板處理系統中，在進行成膜等的處理之處理室的內壁或零件，係於每次重複處理而逐漸附著、沉積反應生成物。像這樣的附著物，係當剝離時，會成為微粒而附著於基板，造成製品之品質降低的原因。又，基板處理系統，係為了進行基板的搬送或收授，而具備有複數個可動構件，因該些可動構件的動作，亦會產生微粒。
如上述，在基板處理系統中，係因各種原因而產生微粒。以往的基板處理系統，係將不進行實際處理的虛擬基板運入處理室內，以與實際處理相同的程序、路徑，在系統內模擬地進行搬送，藉此，特定出微粒發生原因。例如，準備複數個虛擬基板，將虛擬基板逐片從裝載埠搬送至複數個處理室後，再次返回至裝載埠，檢測附著於各虛擬基板的微粒數，藉此，可特定哪個處理室為微粒發生源。像這樣的方法中之微粒源的特定，係可利用並執行用以對基板進行實際處理之被稱為系統配方的程式。但是，由於利用系統配方的模擬搬送，係必須將虛擬基板搬送至處理室內的序列動作，因此，只要任一處理室存在有微粒發生源，則雖可特定其事實，但例如難以特定從裝載埠至各處理室之搬送路徑上的微粒發生源。
另一方面，係提出在基板處理系統中，有別於上述系統配方地，預先登錄系統內所進行的各種單個動作，組合所登錄的複數個單個動作，藉此，作為序列動作或並列動作來執行(例如，專利文獻1)。該功能，係被稱為維修巨集。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-43290號公報(圖3等)
由於專利文獻1的維修巨集功能，係可單獨或任意地組合並執行基板處理系統內所進行的多數個單個動作之自由度高的功能，因此，模擬搬送的內容亦可自由地進行設定，且對微粒發生源之特定是有效的。但是，在維修巨集功能中，係只能於基板處理系統內同時進行1片虛擬基板的模擬搬送。因此，當以藉由維修巨集功能而以特定微粒發生源之目的來執行多種類的模擬搬送時，則存在有直至結束為止需要數十小時，基板處理系統之停機時間長期化的問題。
又，由於維修巨集功能，係並非為目的在於對成為製品之基板的處理所安裝的功能，因此，亦存在有不同於利用上述系統配方的模擬搬送，而無法留下模擬搬送之履歷的問題。
因此，本發明，係提供一種可於系統內部，使複數個虛擬基板在時間上並行地進行模擬搬送，且亦可採用不進行將虛擬基板搬送至處理室內之模擬搬送的基板處理系統為目的。
本發明之基板處理系統，係具有：處理部，具有載置基板的載置台，並具有對前述基板進行預定處理之一個以上的處理室；搬入搬出部，在與外部的搬送機構之間，進行收容有 複數片前述基板之基板容器的搬入搬出；一個以上的搬送裝置，在前述搬入搬出部與前述處理室之間，搬送基板；及控制部，控制前述的各構成部。
在該基板處理系統中，前述控制部，係以對複數片虛擬基板在時間上並行地執行無須伴隨前述處理室中之前述預定處理之模擬動作的方式進行控制者，前述模擬動作，係前述虛擬基板的模擬搬送動作，且包含不進行從前述搬入搬出部至前述處理室內之搬送的動作。
本發明之基板處理系統，係亦可更包含有：基板收授部，介設於前述處理部與前述搬入搬出部之間，前述搬送裝置，係亦可包含有：第1搬送裝置，在前述搬入搬出部內及前述搬入搬出部與前述基板收授部之間，進行前述基板的搬送；及第2搬送裝置，在前述基板收授部與前述處理室之間，進行前述基板的搬送，前述模擬動作係，係亦可包含有：前述虛擬基板從前述搬入搬出部經由前述第1搬送裝置與前述基板收授部直至前述第2搬送裝置的模擬搬送動作；及前述虛擬基板從前述第2搬送裝置經由前述基板收授部與前述第1搬送裝置直至前述搬入搬出部的模擬搬送動作。
本發明之基板處理系統，係前述模擬動作亦可包含有：前述虛擬基板從前述搬入搬出部經由前述第1搬送裝置與前述基板收授部與前述第2搬送裝置直至前述處理室內的模擬搬送動作；及前述虛擬基板從前述處理室內經由前述第2搬送裝置與前述基板收授部與前述第1搬送裝置直至前述搬入搬出部的模擬搬送動作。
本發明之基板處理系統，係前述模擬動作亦可包含有：前述搬入搬出部內之前述基板的模擬搬送動作。
在本發明的基板處理系統中，前述模擬搬送動作，係亦可包含有：重複執行序列動作的全部或一部分。
在本發明的基板處理系統中，前述載置台，係亦可具備有：複數個升降銷，用以在與前述搬送裝置之間進行前述基板的收授，前述模擬動作，係亦可包含有：在無須伴隨前述基板之收授的狀態中之前述升降銷的模擬升降動作。
在本發明的基板處理系統中，前述處理室，係亦可具備有：開口部，用以搬入搬出前述基板；及閘閥裝置，用以密封該開口部而將該處理室內維持真空，前述模擬動作，係亦可包含有：在無須伴隨前述基板朝前述開口部通過的狀態中之前述閘閥裝置的模擬開關動 作。
在本發明的基板處理系統中，前述控制部，係亦可具備有：記憶部，保存有用以在前述處理室進行前述預定處理的系統配方及用以組合並執行所預先登錄之複數個單個動作的維修巨集；配方執行部，讀出並執行前述系統配方；維修巨集設定部，將前述系統配方與藉由前述配方執行部所控制的維修巨集一同進行設定；及履歷記錄部，記錄前述模擬動作的履歷，前述配方執行部，係亦可以進行如下述步驟的方式加以控制者：讀出前述系統配方的步驟；藉由前述維修巨集設定部，設定維修巨集的步驟；及前述配方執行部使前述系統配方與藉由前述維修巨集設定部所設定的前述維修巨集協調運作，而執行前述模擬動作的步驟。
本發明之基板處理系統，係亦可為以微粒檢測的目的來進行前述模擬動作者。
根據本發明之基板處理系統，可於系統內部，使複數個虛擬基板在時間上並行地進行模擬搬送，且亦可為不進行將虛擬基板搬送至處理室內的模擬搬送。因 此，本發明之基板處理系統，係例如在以特定微粒發生源之目的進行虛擬基板的模擬動作時，可輕易特定發生源且大幅地縮短直至結束模擬動作的時間。
30‧‧‧控制部
100‧‧‧基板處理系統
105‧‧‧記憶裝置
121‧‧‧配方執行部
122‧‧‧條件表
123‧‧‧輸出入控制部
124‧‧‧日誌記錄部
130‧‧‧系統配方
131‧‧‧搬送路徑配方
132‧‧‧製程配方
133‧‧‧條件配方
134‧‧‧裝載鎖定配方
135‧‧‧維修巨集
141‧‧‧日誌
W‧‧‧晶圓
[圖1]表示基板處理系統的概略構成圖。
[圖2]控制部之硬體構成之一例的說明圖。
[圖3]表示控制部之功能構成的功能方塊圖。
[圖4]表示用以使控制部在基板處理系統的各構成部中執行模擬動作之程序的流程圖。
[圖5]使用虛擬基板之模擬搬送動作中之搬送路徑之典型例的說明圖。
[圖6]表示基板處理系統中之微粒產生源之檢測方法之工程例的流程圖。
以下，參照圖面，詳細說明本發明之實施形態。
[基板處理系統之概要]
參閱圖1，說明關於本發明之實施形態之基板處理系統的概要。圖1，係表示構成為對例如作為基板的半導體晶圓(以下，僅記載為「晶圓」)W進行例如成膜處理、蝕 刻處理等的各種處理之基板處理系統100的概略構成圖。
該基板處理系統100，係構成為多腔室構造的集束型設備(Cluster Tools)。基板處理系統100，係作為主要構成，具備有：4個處理室1A，1B，1C，1D，對晶圓W進行各種處理；真空側的搬送室3，分別經由閘閥GV1，GV1，GV1，GV1，連接於該些處理室1A~1D；3個裝載鎖定室5A，5B，5C，經由閘閥GV2，GV2，GV2，連接於該真空側的搬送室3；及裝載機單元7，經由閘閥GV3，GV3，GV3，連接於該些3個裝載鎖定室5A，5B，5C。在此，處理室1A~1D，係構成「處理部」，裝載鎖定室5A，5B，5C，係構成「基板收授部」，裝載機單元7，係構成「搬入搬出部」。
4個處理室1A~1D(以下，未區分的情況下，係有時記載為「處理室1」)，係對晶圓W進行例如CVD處理、蝕刻處理、灰化處理、改質處理、氧化處理、擴散處理等之處理的處理裝置。處理室1A~1D，係亦可為對晶圓W進行相同內容的處理者，或亦可為進行各個不同內容的處理者。在各處理室1A~1D內，係配備有作為用以水平地支撐晶圓W之載置台的處理平台2A，2B，2C，2D(以下，未區分的情況下，係有時記載為「處理平台2」)。
又，雖省略圖示，但在處理平台2中，係設置有可對處理平台2的載置面突出/沒入之用以支撐晶圓W並使其升降的複數個支撐銷。該些支撐銷，係構成為藉 由任意的昇降機構上下移位，並可在上昇位置且在與真空側搬送裝置11(後述)之間進行晶圓W的收授。
另外，在各處理室1中，係設置有用以導入處理氣體、清洗氣體、冷卻氣體等之未圖示的氣體導入部與用以進行真空排氣之未圖示的排氣部。
在構成為可抽真空之真空側的搬送室3中，係設置有對處理室1A~1D或裝載鎖定室5A，5B，5C進行晶圓W之收授的真空側搬送裝置11。真空側搬送裝置11，係於將晶圓W載置於叉架13上的狀態下，在處理室1A~1D間或處理室1A~1D與裝載鎖定室5A，5B，5C之間進行晶圓W的搬送。又，在真空側的搬送室3之側部，係在對應於周圍之處理室1A~1D及裝載鎖定室5A，5B，5C的位置分別形成有搬入搬出口(省略圖示)。於開放閘閥GV1，GV2的狀態下，經由各搬入搬出口進行晶圓W的搬入搬出。
裝載鎖定室5A，5B，5C，係指在真空側的搬送室3與大氣側的搬送室21(後述)之間進行晶圓W之收授時的真空預備室。因此，裝載鎖定室5A，5B，5C，係構成為可切換真空狀態與大氣壓狀態。在裝載鎖定室5A，5B，5C內，係分別設置有載置晶圓W的待機平台6A，6B，6C。經由該些待機平台6A，6B，6C，在真空側的搬送室3與大氣側的搬送室21之間進行晶圓W的收授。
裝載機單元7，係具有：搬送室21，開放為 大氣壓；3個裝載埠LP，鄰接配備於該搬送室21；及定位器23，鄰接配備於搬送室21的其他側面，作為進行晶圓W之位置測定的位置測定裝置。在搬送室21中，係設置有進行晶圓W之搬送的大氣側搬送裝置25。裝載埠LP，係可載置晶圓匣盒CR。晶圓匣盒CR，係構成為可以相同的間隔，多段地載置並收容複數片晶圓W。
開放為大氣壓的搬送室21，係形成平面視矩形形狀，大氣側搬送裝置25，係構成為可藉由未圖示的驅動機構，往由圖1中箭頭所示的方向移動。大氣側搬送裝置25，係於將晶圓W載置於叉架27上的狀態下，在裝載埠LP的晶圓匣盒CR與裝載鎖定室5A，5B，5C與定位器23之間進行晶圓W的搬送。
基板處理系統100的各構成部，係形成為連接於控制部30而予以控制的構成。在此，參閱圖2，說明關於控制部30的硬體構成亦即電腦之硬體構成的一例。控制部30，係具備有主控制部101、鍵盤或滑鼠等的輸入裝置102、印表機等的輸出裝置103、顯示裝置104、記憶裝置105、外部介面106及將該些相互連接的匯流排107。主控制部101，係具有CPU(中央處理裝置)111、RAM(隨機存取記憶體)112及ROM(唯讀記憶體)113。記憶裝置105，係只要是可記憶資訊者，則不限於任何形態，例如硬碟裝置或光碟裝置。又，記憶裝置105，係對電腦可讀取之記錄媒體115記錄資訊，又，可由記錄媒體115讀取資訊。記錄媒體115，係只要是可記 憶資訊者，則不限於任何形態，例如硬碟或光碟。記錄媒體115，係亦可為記錄有本實施形態之模擬動作之程式的記錄媒體。
在控制部30中，CPU111，係使用RAM112作為工作區並執行儲存於ROM113或記憶裝置105的模擬動作控制程式，藉此，可實現作為模擬動作控制裝置的功能。
圖3，係表示用以使控制部30具有模擬動作控制裝置之功能之功能構成的功能方塊圖。如圖3所示，控制部30中的功能構成，係具備有配方執行部121、作為維修巨集設定部的條件表122、輸出入控制部123及作為履歷記錄部的日誌記錄部124。該些，係藉由下述方式來予以實現：CPU111，係使用RAM112作為工作區，並執行儲存於ROM113或記憶裝置105的模擬動作控制程式。
配方執行部121，係事先讀取保存於記憶裝置105的各種配方，根據該配方發送控制訊號，藉此，以在基板處理系統100執行配方的方式來加以控制。在圖3中，係列舉出搬送路徑配方131、製程配方132、條件配方133及裝載鎖定配方134來作為保存於記憶裝置105的配方。搬送路徑配方131，係設定晶圓W之搬送路徑的配方。製程配方132，係設定各處理室1A~1D中之各種參數(例如，壓力、氣體流量、時間、序列等)的配方。條件配方133，係關於調整各處理室1A~1D或包含有真空側搬送 裝置11、大氣側搬送裝置25之搬送系統的條件之處理的配方。裝載鎖定配方134，係關於對各處理室1A~1D中之處理後的晶圓W之裝載鎖定室5A，5B，5C中之後處理的配方。有時將該些配方總稱為「系統配方130」。另外，雖未圖示，但基板處理系統100，係亦具有執行除了上述配方以外之配方的功能。
又，配方執行部121，係以使上述系統配方130與由條件表122所設定的維修巨集135協調運作，在基板處理系統100內執行模擬動作的方式，發送控制訊號。
又，在記憶裝置105中，係亦保存有維修巨集135。維修巨集135，係如下述般之功能：為了維修各處理室1A~1D或包含有真空側搬送裝置11、大氣側搬送裝置25的搬送系統，而以所設定的順序，序列或並列地執行控制系統的指令。亦即，維修巨集135，係預先登錄基板處理系統100內所進行的各種單個動作，並組合所登錄的複數個單個動作而保存為1個巨集者(參閱專利文獻1)。
條件表122，係具有從保存於記憶裝置105的各種維修巨集135選定所執行者，與設定該些執行條件之維修巨集設定部的功能。在執行條件中，係大致上分成時序與條件2個，所謂時序，係例如指定基板位於哪個處理系統的哪個部分時而執行者，所謂條件，係例如該處理室放置了一定時間後執行，及/或溫度被改變後執行等、根 據各處理室的狀態進行設定者。藉由條件表122所設定的維修巨集135，係藉由配方執行部121的控制訊號，與系統配方130一起予以控制。如此一來，在本實施形態的基板處理系統100中，係可藉由條件表122的功能，將維修巨集135與系統配方130整合並執行。
輸出入控制部123，係進行：來自輸入裝置102之輸入的控制、或相對於輸出裝置103之輸出的控制、或顯示裝置104中之顯示的控制、或經由外部介面106而進行之與外部的資料等之輸出入的控制。
日誌記錄部124，係記錄有根據系統配方130及維修巨集135所執行之模擬動作的履歷。由日誌記錄部124所記錄的履歷，係作為日誌141而保存於記憶裝置105。
圖4，係表示用以使控制部30根據模擬動作控制程式，在基板處理系統100之各構成部中執行模擬動作之程序的流程圖。該程序，係包含有步驟S1~步驟S3的處理。
(步驟S1)
首先，當從例如輸入裝置102，以執行模擬動作的方式輸入指令時，則上述模擬動作控制程式便起動。而且，在步驟S1中，配方執行部121，係讀出保存於記憶裝置105的系統配方130。
(步驟S2)
其次，在步驟S2中，係藉由條件表122，設定維修巨集135。亦即，條件表122，係從保存於記憶裝置105的各種維修巨集135選定所實行者，並設定該些執行條件。另外，步驟S2中所執行之維修巨集135的種類，係例如亦可藉由基板處理系統100的管理者從輸入裝置102進行輸入的方式來進行指定。在該情況下，條件表122，係構成為可接收來自輸入裝置102的輸入訊號，從保存於記憶裝置105的各種維修巨集135選定執行者，並列出而顯示於例如顯示裝置104的監視器螢幕。
(步驟S3)
在步驟S3中，配方執行部121，係使系統配方130與藉由條件表122所設定的維修巨集135協調運作，在基板處理系統100中執行模擬動作。亦即，配方執行部121，係根據系統配方130與所設定的維修巨集135來發送控制訊號，藉此，以在基板處理系統100執行根據系統配方130及維修巨集135之虛擬基板之模擬動作的方式來加以控制。
本程序，係更可包含有其次的步驟S4。
(步驟S4)
在步驟S4中，日誌記錄部124，係記錄有在步驟S3中根據系統配方130及維修巨集135所執行之模擬動作的 履歷，並作為日誌141而保存於記憶裝置105。
可藉由如以上之控制部30的構成與程序，使系統配方130與維修巨集135協調運作，對虛擬基板進行模擬動作。又，可藉由系統配方130之原來的功能，對複數片虛擬基板，在時間上並行地執行根據系統配方130或維修巨集135的模擬動作。而且，可藉由系統配方130之原來的功能，將藉由系統配方130及維修巨集135所執行之模擬動作的履歷作為日誌141而保存於記憶裝置105。
[系統配方所致之通常處理]
在基板處理系統100中，係根據系統配方130，以下述例示的程序進行通常處理。首先，在藉由大氣側搬送裝置25，從晶圓匣盒CR取出1片晶圓W，以定位器23進行對位後，搬入至裝載鎖定室5A，5B，5C之任一，並移載至待機平台6A，6B，6C之任一。其次，使用真空側搬送裝置11，將裝載鎖定室5A，5B，5C之任一中的晶圓W搬送至處理室1A，1B，1C，1D之任一，並移載至處理平台2A，2B，2C，2D之任一而進行預定處理。處理後，係以與前述相反的程序，使晶圓W返回至晶圓匣盒CR，藉此，對1片晶圓W的處理便結束。
[模擬動作]
其次，說明關於本實施形態之基板處理系統100中的模擬動作。如上述，在基板處理系統100中，係根據模擬 動作控制程式，於控制部30的控制下執行模擬動作。在模擬動作中，係例如包含有真空側搬送裝置11及/大氣側搬送裝置25所致之模擬搬送動作、處理平台2A，2B，2C，2D之升降銷(省略圖示)的模擬升降動作、閘閥GV1，GV2，GV3所致之模擬開關動作等。在此，係列舉出複數個例子，詳細說明關於真空側搬送裝置11及大氣側搬送裝置25所致之模擬搬送動作以作為模擬動作的代表例。另外，模擬動作，係不限定於如以下說明者。
<模擬搬送動作>
首先，參閱圖5，說明關於模擬搬送動作。圖5，係使用虛擬基板之模擬搬送動作中之搬送路徑之典型例的說明圖。
(模擬搬送動作的例1)
路徑P1~P10，係表示從晶圓匣盒CR取出1片虛擬基板並搬送至處理室1B後，直至再次返回至晶圓匣盒CR的序列模擬搬送動作。
路徑P1，係表示藉由大氣側搬送裝置25，從晶圓匣盒CR取出1片虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P2，係表示從大氣側搬送裝置25，將虛擬基板收授至例如定位器23的模擬搬送動作。
路徑P3，係表示藉由大氣側搬送裝置25，從定位器23取出虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P4，係表 示藉由大氣側搬送裝置25，例如將虛擬基板收授至例如裝載鎖定室5A之待機平台6A的模擬搬送動作。
路徑P5，係表示藉由真空側搬送裝置11，從待機平台6A取出虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P6，係表示藉由真空側搬送裝置11，直至將虛擬基板收授至處理室1B之處理平台2B的模擬搬送動作。
路徑P7，係與路徑P6相反，表示真空側搬送裝置11從處理室1B之處理平台2B接收虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P8，係與路徑P5相反，表示從真空側搬送裝置11，將虛擬基板收授至裝載鎖定室5A之待機平台6A的模擬搬送動作。
路徑P9，係表示藉由大氣側搬送裝置25，從待機平台6A接收虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P10，係表示藉由大氣側搬送裝置25，將虛擬基板收授至晶圓匣盒CR的模擬搬送動作。
(模擬搬送動作的例2)
路徑P11~P14，係表示從晶圓匣盒CR取出1片虛擬基板並搬送至裝載鎖定室5C後，直至再次返回至晶圓匣盒CR的序列模擬搬送動作。如路徑P11~P14所示，在基板處理系統100中，係亦可採用不進行將虛擬基板搬送至處理室1A~1D內的模擬搬送。
首先，路徑P11，係表示藉由大氣側搬送裝置25，從晶圓匣盒CR取出1片虛擬基板的模擬搬送動作。 路徑P12，係表示從大氣側搬送裝置25收授至例如裝載鎖定室5C之待機平台6C的模擬搬送動作。
路徑P13，係與路徑P12相反，表示藉由大氣側搬送裝置25，從待機平台6C接收虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P14，係與路徑P11相反，表示藉由大氣側搬送裝置25，將虛擬基板收授至晶圓匣盒CR的模擬搬送動作。
由於在本實施形態的基板處理系統100中，係使系統配方130與維修巨集135協調運作，進行對虛擬基板之模擬動作，因此，模擬動作的自由度高，且如路徑P11~P14所示，可採用不將從晶圓匣盒CR取出之虛擬基板搬入至處理室1A~1D之任一的模擬搬送動作。
(模擬搬送動作的例3)
路徑P21~P22，係裝載機單元7內之模擬搬送動作的例子。首先，路徑P21，係表示藉由大氣側搬送裝置25，從晶圓匣盒CR取出1片虛擬基板的模擬搬送動作。路徑P22，係表示藉由大氣側搬送裝置25，就那樣將虛擬基板收容於晶圓匣盒CR的模擬搬送動作。
在基板處理系統100中，係可在時間上並行地進行複數個種類的模擬搬送動作。在此，所謂「在時間上並行地」，係指於基板處理系統100內，在從晶圓匣盒CR取出1片先行的虛擬基板，直至再次收容於晶圓匣盒CR的期間，從晶圓匣盒CR取出後續的1片至複數片虛擬基板，載置於搬送路徑的意思。例如，可同時使用3片 虛擬基板，且並行地實施由上述之路徑P1~P10、路徑P11~P14、路徑P21~P22所示的模擬搬送動作。亦即，在本實施形態的基板處理系統100中，係只要在處理室1A~1D、裝載鎖定室5A，5B，5C、真空側搬送裝置11及大氣側搬送裝置25的任一，不產生虛擬基板彼此間衝突，便可對複數片虛擬基板，於系統內同時進行模擬搬送動作。在該情況下，即便在針對不同虛擬基板之模擬搬送動作的路徑重疊時，亦只要可進行時間管理以防止虛擬基板彼此間衝突即可。
又，模擬搬送動作，係亦可針對其全體或一部分重複進行複數次。例如，由路徑P1~P10所示的模擬搬送動作，係一連串的序列動作，可重複其全體複數次。又，例如在由路徑P1~P10所示的模擬搬送動作中，亦可重複關於如下述之模擬搬送動作者複數次，其包含：由路徑P6所表示之藉由真空側搬送裝置11來將虛擬基板收授至處理室1B之處理平台2B的模擬搬送動作；及由路徑P7所表示之直至真空側搬送裝置11從處理室1B之處理平台2B接收虛擬基板的模擬搬送動作。又，在上述的例3中，雖係說明了關於裝載機單元7內的模擬搬送動作，但例如亦可實施作為主要部分而包含在處理室1A~1D間或在裝載鎖定室5A~5C間之虛擬基板的搬送動作之模擬搬送動作。
(其他的模擬動作)
在本實施形態的基板處理系統100中，係除了上述模擬搬送動作以外，例如關於處理平台2A，2B，2C，2D之升降銷(省略圖示)的模擬升降動作、閘閥GV1，GV2，GV3所致之模擬開關動作，亦可作為維修巨集135的功能而重複執行1次至複數次。該些模擬升降動作、模擬開關動作，係無論有無虛擬基板皆可加以實施。例如，即便在不將虛擬基板支撐於升降銷的狀態或不使虛擬基板通過閘閥GV1，GV2，GV3的狀態下，亦可實施模擬升降動作或模擬開關動作。又，該些模擬升降動作或模擬開關動作，係可與上述模擬搬送動作組合進行，或亦可與模擬搬送動作在時間上並行地進行。另外，模擬動作的種類，係因應於基板處理系統的構成而具有多種，不限定於上述例示的模擬動作。
[微粒發生源之檢測方法]
其次，參閱圖6，說明關於基板處理系統100中之微粒發生源的檢測方法。圖6，係表示微粒產生源之檢測方法之工程例的流程圖。
首先，在步驟S11中，係使用微粒檢測用基板以代替虛擬基板，並針對複數片微粒檢測用基板實施任意之複數個種類的模擬動作。又，亦可在實施複數個種類的模擬升降動作或模擬開關動作後，使用微粒檢測用基板而進行模擬搬送動作。在基板處理系統100中，係如上述，由於可對複數片微粒檢測用基板，在時間上並行地進 行模擬搬送動作，因此，與僅使用維修巨集的以往方法相比，可大幅地縮短步驟S11的所需時間。
其次，在步驟S12中，係藉由計數進行了模擬動作的各微粒檢測用基板之微粒數的方式，推測微粒發生源。在基板處理系統100中，係如上述，可採用不將虛擬基板搬入至處理室1A~1D之任一的模擬搬送動作，並可重複僅特定之路徑的搬送，或重複模擬升降動作或模擬開關動作。因此，與進行僅系統配方所致之序列模擬搬送動作的情形相比，更輕易推測微粒發生源。又，在推測微粒發生源中，係藉由參閱藉由日誌記錄部124所記錄之日誌141的方式，輕易檢驗微粒在哪個模擬動作的哪個階段附著。
如以上，根據基板處理系統100，可藉由使系統配方130與維修巨集135協調運作，進行對虛擬基板之模擬動作的方式，於系統內部，使複數個虛擬基板在時間上並行地進行模擬搬送，且亦可採用不進行將虛擬基板搬送至處理室1A~1D內的模擬搬送。而且，可將關於模擬動作的履歷保存為日誌141。因此，基板處理系統100，係例如在以特定微粒發生源之目的來進行虛擬基板的模擬動作時，可輕易特定發生源且大幅地縮短直至結束模擬動作的時間。
另外，本發明，係不限定於上述實施形態，可進行各種變更。例如，本發明，係不限於如圖1所示之構成的基板處理系統100，可應用於各種構成的基板處理 系統。又，在基板處理系統中，作為處理對象的基板，係不限於半導體元件製造用的晶圓W，亦可為例如平板顯示器製造用的玻璃基板、太陽能板製造用的基板等。
又，基板處理系統100中的模擬動作，係除了上述的特定微粒發生源以外，亦可利用於例如可靠性評估用之運轉裝置等的用途。
30‧‧‧控制部
105‧‧‧配憶裝置
121‧‧‧配方執行部
122‧‧‧條件表
123‧‧‧輸出入控制部
124‧‧‧日誌記錄部
130‧‧‧系統配方
131‧‧‧搬送經路配方
132‧‧‧製程配方
133‧‧‧條件配方
134‧‧‧裝載鎖定配方
135‧‧‧維修巨集
141‧‧‧日誌

Claims (9)

  1. 一種基板處理系統，係具有：處理部，具有載置基板的載置台，並具有對前述基板進行預定處理之一個以上的處理室；搬入搬出部，在與外部的搬送機構之間，進行收容有複數片前述基板之基板容器的搬入搬出；一個以上的搬送裝置，在前述搬入搬出部與前述處理室之間，搬送基板；及控制部，控制前述的各構成部，該基板處理系統，其特徵係，前述控制部，係以對複數片虛擬基板在時間上並行地執行無須伴隨前述處理室中之前述預定處理之模擬動作的方式進行控制者，前述模擬動作，係前述虛擬基板的模擬搬送動作，且包含不進行從前述搬入搬出部至前述處理室內之搬送的動作。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，更包含有：基板收授部，介設於前述處理部與前述搬入搬出部之間，前述搬送裝置，係包含有：第1搬送裝置，在前述搬入搬出部內及前述搬入搬出部與前述基板收授部之間，進行前述基板的搬送；及第2搬送裝置，在前述基板收授部與前述處理室之 間，進行前述基板的搬送，前述模擬動作，係包含有：前述虛擬基板從前述搬入搬出部經由前述第1搬送裝置與前述基板收授部直至前述第2搬送裝置的模擬搬送動作；及前述虛擬基板從前述第2搬送裝置經由前述基板收授部與前述第1搬送裝置直至前述搬入搬出部的模擬搬送動作。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其中，前述模擬動作，係包含有：前述虛擬基板從前述搬入搬出部經由前述第1搬送裝置與前述基板收授部與前述第2搬送裝置直至前述處理室內的模擬搬送動作；及前述虛擬基板從前述處理室內經由前述第2搬送裝置與前述基板收授部與前述第1搬送裝置直至前述搬入搬出部的模擬搬送動作。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理系統，其中，前述模擬動作，係包含有：前述搬入搬出部內之前述基板的模擬搬送動作。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理系統，其中，前述模擬搬送動作，係包含有：重複執行序列動作的全部或一部分。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理系統，其中，前述載置台，係具備有：複數個升降銷，用以在與前述搬送裝置之間進行前述基板的收授，前述模擬動作，係包含有：在無須伴隨前述基板之收授的狀態中之前述升降銷的模擬升降動作。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理系統，其中，前述處理室，係具備有：開口部，用以搬入搬出前述基板；及閘閥裝置，用以密封該開口部而將該處理室內維持真空，前述模擬動作，係包含有：在無須伴隨前述基板朝前述開口部通過的狀態中之前述閘閥裝置的模擬開關動作。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理系統，其中，前述控制部，係具備有：記憶部，保存有用以在前述處理室進行前述預定處理的系統配方及用以組合並執行所預先登錄之複數個單個動作的維修巨集；配方執行部，讀出並執行前述系統配方；維修巨集設定部，將前述系統配方與藉由前述配方執行部所控制的維修巨集一同進行設定；及履歷記錄部，記錄前述模擬動作的履歷，前述配方執行部，係以進行如下述步驟的方式加以控 制者：讀出前述系統配方的步驟；藉由前述維修巨集設定部，設定維修巨集的步驟；及前述配方執行部使前述系統配方與藉由前述維修巨集設定部所設定的前述維修巨集協調運作，而執行前述模擬動作的步驟。
  9. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理系統，其中，以微粒檢測的目的來進行前述模擬動作。
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