TW201705564A - 磁阻效應元件 - Google Patents

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Takuya Seino
Kazumasa Nishimura
Toshikazu Irisawa
Saki Shibuichi
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Canon Anelva Corp
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Abstract

本發明相關之磁阻效應元件，係具有屏障層、形成於屏障層的一方的表面的基準層、形成於屏障層的另一方的表面的自由層、及配置於基準層的與屏障層係相反之側的固定層，其中固定層，係具備依Ni/Co/Pt/Co/Ru/Co/Pt/Co/Ni的順序而積層的構造。

Description

磁阻效應元件
本發明，係有關磁阻效應元件，尤其有關在使用於MRAM的垂直TMR元件方面適合的磁阻效應元件。
在電阻因磁場而變化之磁阻效應元件方面，已知利用TMR(Tunnel Magneto Resistance)效果而進行資訊的記憶、磁氣的檢測等的TMR元件(亦稱作MTJ(Magnetic Tunnel Junction)元件)。近年來，期待往MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等的MTJ元件的利用。
於非專利文獻1，係已揭露垂直磁化MTJ元件。垂直磁化MTJ元件，係包含積層自由層(磁化自由層)、穿隧能障層、及基準層(磁化固定層)之構造，自由層及基準層的磁化方向係分別與積層方向平行。
要提升採用TMR元件的MRAM裝置的特性的提升，係提高MR比(磁阻比)為重要。記載於專利文獻1之由CoFeB/MgO/CoFeB所構成的積層構造係已知呈現 超過100%的高MR比。
於圖10，示出採用記載於非專利文獻1的技術的MTJ元件之例。示於圖10的MTJ元件1000係底部固定(bottom pin)構造的垂直磁化MTJ元件(p-MTJ元件)。MTJ元件1000，係於基板1001上具備下部電極1002、及Ta層(晶種層)1003。MTJ元件1000，係在Ta層1003上，具備Co/Pt積層體1004、Co層1005、Ru層1006、Co層1007、Pt層1008、Co/Pt積層體1009、及Ta層(間隔層)1010。MTJ元件1000，係進一步在Ta層1010上，具備作為基準層的CoFeB層1011、MgO層(屏障層)1012、作為自由層(磁化自由層)的CoFeB層1013、覆蓋層1014、及上部電極1015。MTJ元件1000的Co/Pt積層體1004，係將Co層與Pt層交替重複積層既定的數(N次)者。此外，MTJ元件1000的積層體1009，係將Co層與Pt層交替重複積層既定的數(M次)者。
於圖11示出採用記載於專利文獻1的技術的垂直磁化MTJ元件(p-MTJ元件)之例。示於圖11的MTJ元件2000，係將MTJ元件1000的Co/Pt積層體1004變更成Co層與Ni層的積層體2005。MTJ元件2000，係進一步將Pt層1008變更成Ni層2009，將Co/Pt積層體1009變更成Co層與Ni層的積層體2010。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本發明專利公開2007-142364號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]D. C. Worledge et al., ”Spin torque switching of perpendicular Ta | CoFeB | MgO - based magnetic tunnel junctions”, Appl. Phys. Lett. 98, 2011, 022501
然而，記載於非專利文獻1及圖10之TMR元件，係元件內含有多量的Pt及Pd在成膜程序後的蝕刻程序被削去，附著於元件的壁面。此係成為使元件電路的阻尼常數降低的原因，具有降低良率之虞。
另一方面，專利文獻1的MTJ元件2000，係不含Pt、Pd等，故不具有如MTJ元件1000的良率的降低之虞。然而，在退火處理中Ni會擴散於Ru界面的Co層內，故具有降低交換耦合磁場之虞。
本發明，係為了解決上述之問題點而創作者，目的在於提供具有高MR比且具有強交換耦合磁場的磁阻效應元件。
本發明的磁阻效應元件，係具有屏障層、形成於前述屏障層的一方的表面的基準層、形成於前述屏障 層的另一方的表面的自由層、及配置於前述基準層的與前述屏障層係相反之側的固定層，其中前述固定層，係具備依Pt、Co、Ru、Co、Pt的順序而積層之層、及包含Ni之層。
依本發明相關之磁阻效應元件時，可實現具有高MR比且具有強交換耦合磁場的磁阻效應元件。此外，後程序的良率佳，Pt的使用量少故可抑制材料成本。或者，依本發明相關之磁阻效應元件時，形成交換耦合磁場強的固定層使得可實現難引起磁化固定層的磁矩翻轉的磁阻效應元件。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧基板處理室
3‧‧‧搬送室
4‧‧‧載鎖室
5‧‧‧自動裝載器
7‧‧‧搬送機器人
100‧‧‧基板冷卻裝置
200‧‧‧升溫裝置
1000‧‧‧MTJ元件
1001‧‧‧基板
1002‧‧‧下部電極
1003‧‧‧Ta層(晶種層)
1004‧‧‧Co/Pt積層體
1005‧‧‧Co層
1006‧‧‧Ru層
1007‧‧‧Co層
1008‧‧‧Pt層
1009‧‧‧Co/Pt積層體
1010‧‧‧Ta層(間隔層)
1011‧‧‧CoFeB層(基準層)
1012‧‧‧MgO層(屏障層)
1013‧‧‧CoFeB層(自由層)
1014‧‧‧覆蓋層
1015‧‧‧上部電極
2000‧‧‧MTJ元件
2001‧‧‧基板
2002‧‧‧下部電極
2003‧‧‧Ta層(晶種層)
2004‧‧‧NiCr層(晶種層)
2005‧‧‧Co/Ni積層體
2006‧‧‧Co層
2007‧‧‧Ru層
2008‧‧‧Co層
2009‧‧‧Ni層
2010‧‧‧Co/Ni積層體
2011‧‧‧Ta層(間隔層)2011
2012‧‧‧CoFeB層(基準層)
2013‧‧‧MgO層(屏障層)
2014‧‧‧CoFeB層(自由層)
2015‧‧‧覆蓋層
2016‧‧‧上部電極
4000‧‧‧MTJ元件
4001‧‧‧基板
4002‧‧‧下部電極
4003‧‧‧Ta層(晶種層)
4004‧‧‧NiCr(晶種層)
4005‧‧‧Co/Ni積層體
4006‧‧‧Co/Pt層
4007‧‧‧Co層
4008‧‧‧Ru層
4009‧‧‧Co層
4010‧‧‧Pt層
4011‧‧‧Co/Ni積層體
4012‧‧‧Ta層(間隔層)
4013‧‧‧CoFeB層(基準層)
4014‧‧‧MgO層(屏障層)
4015‧‧‧CoFeB層(自由層)
4016‧‧‧覆蓋層
4017‧‧‧上部電極
5000‧‧‧MTJ元件
5001‧‧‧基板
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5004‧‧‧NiCr(晶種層)
5005‧‧‧Co/Ni積層體
5006‧‧‧Co層
5007‧‧‧Ru層
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9015‧‧‧Co/Ni積層體
9016‧‧‧覆蓋層
9017‧‧‧上部電極
[圖1]針對本發明的第1實施形態相關之MTJ元件的構成進行繪示的示意圖。
[圖2]本發明的一實施形態相關之進行MTJ元件的成膜處理的基板處理系統的示意構成圖。
[圖3]針對圖1的MTJ元件的製造方法進行繪示的流程圖。
[圖4]針對圖1的MTJ元件的MR比進行繪示的圖。
[圖5A]針對使用於磁氣測定的向垂直MTJ元件的垂直磁化膜的構造進行繪示的示意圖。
[圖5B]針對使用於磁氣測定的向垂直MTJ元件的垂 直磁化膜的構造進行繪示的示意圖。
[圖6]MTJ元件的磁氣測定結果。
[圖7]MTJ元件的磁氣測定結果。
[圖8]針對本發明的第2實施形態相關之MTJ元件的構成進行繪示的示意圖。
[圖9]針對圖8的MTJ元件的製造方法進行繪示的流程圖。
[圖10]針對歷來的MTJ元件的構成進行繪示的示意圖。
[圖11]針對歷來的MTJ元件的構成進行繪示的示意圖。
以下，雖參見圖式，說明本發明的實施之形態，惟本發明非限定於本實施形態者。另外，在以下作說明之圖式中，對具有相同功能者係附加相同符號，有時亦省略其重複的說明。
(第1實施形態)
圖1，係針對進行本實施形態相關之成膜方法的例示性之MTJ(Magnetic Tunnel Junction：磁阻效應元件)元件4000的構成進行繪示的示意圖。MTJ元件，係用於例如MRAM(Magnetic Random Access Memory)、磁感測器等。
MTJ元件4000，係底部固定構造的垂直磁化 型MTJ元件(p-MTJ元件)。MTJ元件4000，係於基板4001上具備下部電極4002、Ta層(晶種層)4003。MTJ元件4000，係在Ta層4003上，具備NiCr(晶種層)4004、Co/Ni積層體4005、Co/Pt層4006、Co層4007、Ru層4008、Co層4009、Pt層4010、Co/Ni積層體4011、及Ta層(間隔層)4012。MTJ元件4000，係進一步在Ta層4012上，具備作為基準層的CoFeB層4013、作為屏障層的MgO層4014、作為自由層(磁化自由層)的CoFeB層4015、覆蓋層4016、及上部電極4017。MTJ元件4000的Co/Ni積層體4005，係將Co層與Ni層交替重複積層既定的數(N次)者。此外，Co/Ni積層體4011，係將Co層與Ni層交替重複積層既定的數(M次)者。
CoFeB層4013係形成於MgO層4014的一方的表面，在MgO層4014的另一方的表面形成CoFeB層4015。於此，將從Co/Ni積層體4005至Co/Ni積層體4011的積層構造稱作SAF構造的固定層(以下，當作固定層)。固定層係反強磁性層，配置於CoFeB層4013的與MgO層4014係相反之側。詳細而言，固定層，係配置於CoFeB層4013的配置屏障層4014側的相反側，配置於比CoFeB層4013下層。固定層，係具有抑制基準層的磁矩翻轉的大的交換耦合磁場。
MTJ元件4000的固定層，係具有Co層4007、Ru層4008、及Co層4009的3層的積層構造部分由Co/Pt層4006的Pt層與Pt層4010所夾住的積層構 造。亦即固定層，係具備依Pt(4006)/Co(4007)/Ru(4008)/Co(4009)/Pt(4010)的順序而積層的構造。使Ru4008兩端的Co層(4007、4009)的再外側為Pt層(4006、4010)，使得可防止退火處理中的往Co層(4007、4009)內的Ni的擴散，抑制交換耦合磁場的降低。將針對夾住Ru4008的Co層(4007、4009)從外側夾住的Pt層稱作擴散防止層。另外，擴散防止層防止擴散的Ni，係含於Co/Ni積層體4005、4011內的Ni。亦即，更具體而言，MTJ元件4000的固定層，係具備依Ni/Co/Pt(4006)/Co(4007)/Ru(4008)/Co(4009)/Pt(4010)/Co/Ni的順序而積層的構造。
另外，在MTJ元件4000方面係不限於此處所示的構成，只要將SAF構造的上下以Pt層夾住的構成，則在不損及垂直磁化型元件之功能的範圍下即使為進行層之增減、各層之構成材料的變更、上下的積層順序的反轉等的任意的變更的構成仍可發揮本發明的效果。例如，NiCr(晶種層)4004係可置換成其他不含Ni的其他層。
圖2，係進行MTJ元件4000的成膜處理的基板處理系統1的示意構成圖。基板處理系統1係枚葉式的真空處理裝置，具備複數個基板處理室2、載鎖(load lock)室4、基板冷卻裝置100、及升溫裝置200。複數個基板處理室2係可為對於基板S進行相同的處理者，或亦可為進行不同的處理者。
複數個基板處理室2、載鎖室4、基板冷卻裝置100、及升溫裝置200係經由搬送室3而連接，於各自 的連接部分係設有可開閉之閘閥。以設於搬送室3的搬送機器人7在各基板處理室2、載鎖室4、基板冷卻裝置100及升溫裝置200之間依既定的處理順序搬送基板S。於載鎖室4之外側，係設有供以供應基板S用的自動裝載器5。
圖3，係針對本實施形態相關之垂直磁化MTJ元件4000的製造方法進行繪示的流程圖。此處係利用示於圖2的枚葉式的基板處理系統1而進行本實施形態相關之成膜方法的說明。另外，使用於本實施形態相關之成膜方法的裝置，係亦可運用串接式之基板處理系統。
首先，於基板處理系統1之載鎖室4搬入基板S(步驟S101)。接著，將基板S移動至既定的基板處理室2，進行下層成膜程序(步驟S102)。在下層成膜程序，係藉蝕刻法而除去附著於基板上之雜質等，之後將下部電極4002、Ta層(晶種層)4003、NiCr層(晶種層)4004依序成膜。
接著，將基板S移動至既定的基板處理室2，進行將Co/Ni積層體4005(垂直磁化層1)成膜的第1程序(步驟S103)。接著，進行將Co/Pt積層體4006成膜的第2程序(步驟S104)。接著，進行將Co層4007成膜的第3程序(步驟S105)。接著，進行將Ru層4008成膜的第4程序(步驟S106)。接著，進行將Co層4009成膜的第5程序(步驟S107)。接著，進行將Pt層4010成膜的第6程序(步驟S108)。接著，進行將Co/Ni積層體4011成膜的第 7程序(步驟S109)。
之後，將基板S依次移動至既定的基板處理室2，進行將比Ta層4012上方的層依序成膜的上層成膜程序(步驟S110)。在上層成膜程序中MgO層4014，係藉採用MgO靶材之高頻(RF)濺鍍法而成膜。在別的方法方面，亦可藉採用Mg靶材的濺鍍法將在作為自由層的CoFeB層4013上所成膜的Mg層進行氧化處理。成膜處理與氧化處理係可在相同的基板處理室2內進行，亦可在不同的基板處理室2內進行。
另外，在成膜程序(步驟S102~S110)所成膜的複數個膜之中，可2個以上的膜在相同的基板處理室2內被成膜，亦可全部的膜在不同之基板處理室2內被成膜。在本實施形態的成膜程序(步驟S102~S110)所成膜的各層雖係藉濺鍍法而成膜，惟亦可藉其其他任意的成膜方法而成膜。
最後，將基板S移動至載鎖室4內的搬送位置(基板搬出位置)(步驟S112)。之後，基板S，係送至基板處理系統1的下游的程序，在與基板處理系統1係別的裝置進行退火程序(步驟S113)。退火程序，係為了使非晶質狀態的CoFeB層(4013、4015)結晶化，而獲得期望的磁性而進行的退火處理。另外，亦可變更基板處理系統1的腔室構成，從而在基板處理系統1內進行退火程序(步驟S113)。
圖4，係針對相對於利用本實施形態相關之成 膜方法而製造的MTJ元件2000、3000的RA(面電阻)的MR比進行繪示的圖。針對採用本實施形態相關之成膜方法而製造之MTJ元件、及採用歷來的成膜方法而製造之MTJ元件的各者，進行RA及MR比之測定。歷來的成膜方法與本發明的成膜方法，係依圖3的流程圖而製造者。
圖4之橫軸係RA(Ω‧μm2)，縱軸係MR比(%)。可謂RA越低或MR比越高，MTJ元件之元件特性越良好。於圖4，脫色圓(○)係示於圖10的MTJ元件構造且以歷來的成膜方法而製作的MTJ元件1000的測定結果。塗黑的三角形(▲)係示於圖11的MTJ元件構造且以歷來的成膜方法而製作的MTJ元件的測定結果。塗黑的四角形(◆)係以本實施形態相關之成膜方法而製作的MTJ元件4000的測定結果。
依圖4，得知以本實施形態相關之成膜方法進行成膜時，無關於擴散防止層的有無，而獲得同等的MR比。
在圖5A、圖5B示出使用於VSM(Vibrating Sample Magnetometer)測定的垂直磁化型的向MTJ元件的垂直磁化膜5000與6000(以下，稱作測定用MTJ元件5000、6000)之例。如示於圖5A，測定用MTJ元件5000，係從示於圖11的MTJ元件2000除去Ta層(間隔層)2011、作為基準層的CoFeB層2012、MgO層(屏障層)2013、作為自由層(磁化自由層)的CoFeB層2014、覆蓋層2015、及上部電極2016，在Co/Ni積層體5010(垂直 磁化層2)上形成Ru層(覆蓋層)5011，實施至熱處理程序為止者。另外，從測定用MTJ元件5000的下部電極5002至Co/Ni積層體5010的構造，係如同從，MTJ元件2000的下部電極2002至Co/Ni積層體2010。
如示於圖5B，垂直磁化型MTJ元件6000，係對應於本實施形態的MTJ元件，從示於圖1的MTJ元件4000除去Ta層(間隔層)4012、作為基準層的CoFeB層4013、MgO層(屏障層)4014、作為自由層(磁化自由層)的CoFeB層4015、覆蓋層4016、及上部電極4017，在Co/Ni積層體4011(垂直磁化層2)上形成Ru層(覆蓋層)6012，實施至熱處理程序為止者。另外，從測定用MTJ元件6000的下部電極6002至Co/Ni積層體6011的構造，係如同從MTJ元件4000的下部電極4002至Co/Ni積層體4011。
圖6係測定用MTJ元件5000與6000的垂直磁化曲線(M-H loop)的測定結果。在垂直磁化曲線的測定方面，係採用VSM。橫軸係表示施加於MTJ元件的磁場的強度，縱軸係表示MTJ元件內的各層的磁化。
於圖6，虛線係無是擴散防止層的Pt層的測定用MTJ元件5000的測定結果，實線係具有是擴散防止層的Pt層的MTJ元件6000的測定結果。任一個測定結果相關之MTJ元件皆係依圖3的流程圖而製造者。如示於圖6，MTJ元件6000的測定結果(實線)，係獲得比測定用MTJ元件5000的測定結果(虛線)大的交換耦合磁場 (Hex)。
圖7，係於測定用MTJ元件5000、6000，針對Co/Ni積層次數與交換耦合磁場(Hex)的關係進行繪示的圖。在使Co/Ni積層次數變化的垂直MTJ元件構造5000、6000的各者方面，以擴散防止層的有無從VSM測定結果交算出交換耦合磁場(Hex)。圖7的橫軸，係表示Co/Ni積層次數，縱軸係表示交換耦合磁場(Hex)。於各Co/Ni積層次數，皆比起無擴散防止層的測定用MTJ元件5000，具有擴散防止層的MTJ元件6000者交換耦合磁場(Hex)較大。
本實施形態的磁阻效應元件，係具有與歷來同等的高MR比，同時交換耦合磁場大。因此，本實施形態的磁阻效應元件，係可防止外部磁場所致的磁化固定層未意圖的磁矩翻轉的發生。此外，Pt的使用量比示於圖10的歷來的磁阻效應元件少，故抑制在後程序後元件電路的阻尼常數降低故良率佳。此外，Pt的使用量比示於圖10的歷來的磁阻效應元件少，故可抑制材料成本。再者依本發明的垂直磁化MTJ元件的製造方法時，可製造上述的磁阻效應元件。
(第2實施形態)
第1實施形態相關之MTJ元件4000，雖係在穿隧能障層4014下具有基準層4013的構造(底部固定構造)，惟可對於在穿隧能障層上具有基準層的構造(頂部固定(top pin)構造)應用本發明。於圖8作為頂部固定構造的垂直磁化型MTJ元件(p-MTJ元件)之例示出MTJ元件9000。
圖8的MTJ元件9000，係於基板9001上，使下部電極9002、Ta層(晶種層)9003、作為自由層(磁化自由層)的CoFeB層9004、MgO層(屏障層)9005、作為基準層的CoFeB層9006、Ta層(間隔層)9007、NiCr(晶種層)9008、Co/Ni積層體9009、Co/Pt層9010、Co層9011、Ru層9012、Co層9013、Pt層9014、Co/Ni積層體9015、覆蓋層9016、及上部電極層9017順序積層者。Co/Ni積層體9009，係將Co層與Ni層交替重複積層既定的數(M次)者。此外，Co/Ni積層體9015，係將Co層與Ni層交替重複積層既定的數(N次)者。
將從Co/Ni積層體9009至Co/Ni積層體9015的積層構造稱作SAF構造的固定層(以下，當作固定層)。固定層係反強磁性層，配置於CoFeB層9006的與MgO層9005係相反之側。詳細而言，固定層，係配置於CoFeB層9006的配置屏障層9005側的相反側，配置於比CoFeB層9006上層。使夾著Ru層9012的Co層(9011、9013)的再外側為Pt層(9010、9014)，使得防止Ni往Ru界面的Co層(9011、9013)擴散，具有抑制交換耦合磁場的降低的效果。將針對夾住Ru9012的Co層(9011、9013)從外側夾住的Pt層稱作擴散防止層。另外，MTJ元件9000，係不限於此處所示的構成，只要將SAF構造的上下以Pt層夾住的構成，則在不損及垂直磁化型元件之功 能的範圍下即使為進行層之增減、各層之構成材料的變更、上下的積層順序的反轉等的任意的變更的構成仍可發揮本發明的效果。
圖9，係針對本實施形態相關之MTJ元件9000的製造方法進行繪示的流程圖。此處係利用示於圖2的枚葉式的基板處理系統1而進行本實施形態相關之成膜方法的說明。另外，使用於本實施形態相關之成膜方法的裝置，係亦可運用串接式之基板處理系統。
首先，於基板處理系統1之載鎖室4搬入基板S(步驟S201)。接著，進行將比Co/Ni積層體9009基板側依序成膜的下層成膜程序(步驟S202)。在下層成膜程序，係藉蝕刻法而除去附著於基板上之雜質等，之後將下部電極9002、Ta層(晶種層)9003、CoFeB層(自由層)9004、MgO層(屏障層)9005、CoFeB層(基準層)9006、Ta層(間隔層)9007、及NiCr層(晶種層)9008依序成膜。在下層成膜程序中MgO層9005，係藉採用MgO靶材之高頻(RF)濺鍍法而成膜。在別的方法方面，亦可藉採用Mg靶材的濺鍍法將在作為自由層的CoFeB層9004上所成膜的Mg層進行氧化處理。
接著，進行將Co/Ni積層體9009(垂直磁化層1)成膜的第1程序(步驟S203)。接著，進行將Co/Pt層9010成膜的第2程序(步驟S204)。接著，進行將Co層9011成膜的第3程序(步驟S205)。接著，進行將Ru層9012成膜的第4程序(步驟S206)。接著，進行將Co層 9013成膜的第5程序(步驟S207)。接著，進行將Pt層9014成膜的第6程序(步驟S208)。接著，進行將Co/Ni積層體9015成膜的第7程序(步驟S209)。之後，將基板S依次移動至既定的基板處理室2，進行將比Co/Ni積層體9015上方的層依序成膜的上層成膜程序(步驟S210)。在上層成膜程序(步驟S210)係覆蓋層9016與上部電極層9017被成膜。
另外，在成膜程序(步驟S202~S210)所成膜的複數個膜之中，可2個以上的膜在相同的基板處理室2內被成膜，亦可全部的膜在不同之基板處理室2內被成膜。在本實施形態的成膜程序(步驟S202~S210)所成膜的各層雖係藉濺鍍法而成膜，惟亦可藉其其他任意的成膜方法而成膜。
最後，將基板S移動至載鎖室4內的搬送位置(基板搬出位置)(步驟S212)。之後，基板S，係送至基板處理系統1的下游的程序，在與基板處理系統1係別的裝置進行退火程序(步驟S213)。退火程序，係使非晶質狀態的CoFeB層(9004、9006)結晶化的退火處理。另外，亦可變更基板處理系統1的腔室構成，從而在基板處理系統1內進行退火程序(步驟S213)。
第2實施形態的頂部固定構造的MTJ元件9000係與第1實施形態原理上相同，故RA(面電阻)與MR比，係無擴散防止層的有無的影響。
本實施形態的MTJ元件9000，係如同上述的 MTJ元件4000具有高MR比與大的交換耦合磁場。因此，可防止外部磁場所致的基準層未意圖的磁矩翻轉的發生。此外，後程序的良率佳，Pt的使用量少故可抑制材料成本。再者依本發明的垂直磁化MTJ元件的製造方法時，可製造上述的磁阻效應元件。
4001‧‧‧基板
4002‧‧‧下部電極
4003‧‧‧Ta層(晶種層)
4004‧‧‧NiCr(晶種層)
4005‧‧‧Co/Ni積層體
4006‧‧‧Co/Pt層
4007‧‧‧Co層
4008‧‧‧Ru層
4009‧‧‧Co層
4010‧‧‧Pt層
4011‧‧‧Co/Ni積層體
4012‧‧‧Ta層(間隔層)
4013‧‧‧CoFeB層(基準層)
4014‧‧‧MgO層(屏障層)
4015‧‧‧CoFeB層(自由層)
4016‧‧‧覆蓋層
4017‧‧‧上部電極

Claims (1)

  1. 一種磁阻效應元件，特徵在於：具有：屏障層；形成於前述屏障層的一方的表面的基準層；形成於前述屏障層的另一方的表面的自由層；以及配置於前述基準層的與前述屏障層係相反之側的固定層；其中，前述固定層，係具備依Pt、Co、Ru、Co、Pt的順序而積層之層、及包含Ni之層，具備依Ni、Co、Pt、Co、Ru、Co、Pt、Co、Ni的順序而積層的構造。
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