JP2009044174A - 磁気抵抗効果素子およびそれを用いたmram - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の強磁性層、第2の強磁性層、該第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に位置するバリア層、及び前記第1の強磁性層の側に位置する基板を含み、前記バリア層は、前記第1の強磁性層との界面から前記第2の強磁性層との界面まで、層の厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムを有し、前記第1の強磁性層は、CoFeBを含有する磁気抵抗効果素子とする。
【選択図】 図1
Description
11 基板(シリコン基板)
20 磁性多層膜作製装置
27A,27B,27C 成膜チャンバ
Claims (4)
- 第1の強磁性層、第2の強磁性層、及び該第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に位置するバリア層を有する積層構造、並びに、該第1の強磁性層の側に位置する基板を含む磁気抵抗効果素子であって、
前記バリア層は、前記第1の強磁性層との界面から前記第2の強磁性層との界面まで、層の厚さ方向において、(001)面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムを有し、前記第1の強磁性層は、CoFeBを含有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記第1の強磁性層は、前記バリア層の成膜時にアモルファスであることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記バリア層は、酸化マグネシウムターゲットを用いたスパッタリング法で成膜された層であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- ワード線、
前記ワード線と交差配置したビット線、並びに、
前記ワード線と前記ビット線との間を接続するように配置した磁気抵抗効果素子及びトランジスタを有するMRAMであって、
前記磁気抵抗効果素子は、第1の強磁性層、第2の強磁性層及び前記第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に位置し、前記第1の強磁性層との界面から前記第2の強磁性層との界面まで、層の厚さ方向において、(001)面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を有する積層構造を有することを特徴とするMRAM。
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