WO2016189772A1 - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

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WO2016189772A1
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mtj element
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mtj
substrate
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拓哉 清野
和正 西村
寿和 入澤
沙季 四分一
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キヤノンアネルバ株式会社
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    • H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
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    • H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy

Definitions

  • the present invention relates to a magnetoresistive effect element, and more particularly to a magnetoresistive effect element suitable for a vertical TMR element used in an MRAM.
  • TMR element As a magnetoresistive effect element whose electric resistance is changed by a magnetic field, a TMR element (also referred to as MTJ (Magnetic Tunnel Junction) element) that performs information storage and magnetic detection using the TMR (Tunnel Magneto Resistance) effect is known. Yes. In recent years, use of MTJ elements for MRAM (Magnetoretic Random Access Memory) and the like is expected.
  • MRAM Magnetic Random Access Memory
  • Non-Patent Document 1 discloses a perpendicular magnetization MTJ element.
  • the perpendicular magnetization MTJ element includes a structure in which a free layer (magnetization free layer), a tunnel barrier layer, and a reference layer (magnetization fixed layer) are laminated, and the magnetization directions of the free layer and the reference layer are parallel to the lamination direction, respectively. .
  • FIG. 10 shows an example of an MTJ element using the technique described in Non-Patent Document 1.
  • the MTJ element 1000 shown in FIG. 10 is a perpendicular magnetization MTJ element (p-MTJ element) having a bottom pin structure.
  • the MTJ element 1000 includes a lower electrode 1002 and a Ta layer (seed layer) 1003 on a substrate 1001.
  • the MTJ element 1000 includes a Co / Pt stack 1004, a Co layer 1005, a Ru layer 1006, a Co layer 1007, a Pt layer 1008, a Co / Pt stack 1009, and a Ta layer (spacer layer) 1010 on the Ta layer 1003. Is provided.
  • the MTJ element 1000 further includes a CoFeB layer 1011 as a reference layer, a MgO layer (barrier layer) 1012, a CoFeB layer 1013 as a free layer (magnetization free layer), a cap layer 1014, and an upper electrode 1015 on the Ta layer 1010.
  • a CoFeB layer 1011 as a reference layer
  • MgO layer (barrier layer) 1012
  • CoFeB layer 1013 as a free layer (magnetization free layer)
  • cap layer 1014 an upper electrode 1015 on the Ta layer 1010.
  • the Co / Pt laminate 1004 of the MTJ element 1000 is obtained by alternately laminating a Co layer and a Pt layer by a predetermined number (N times).
  • the multilayer body 1009 of the MTJ element 1000 is obtained by alternately laminating a Co layer and a Pt layer by a predetermined number (M times).
  • FIG. 11 shows an example of a perpendicular magnetization MTJ element (p-MTJ element) using the technique described in Patent Document 1.
  • the Co / Pt stacked body 1004 of the MTJ element 1000 is changed to a stacked body 2005 of a Co layer and a Ni layer.
  • the Pt layer 1008 is further changed to the Ni layer 2009
  • the Co / Pt stacked body 1009 is changed to the stacked body 2010 of the Co layer and the Ni layer.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a magnetoresistive effect element having a high MR ratio and a strong exchange coupling magnetic field.
  • the magnetoresistive element of the present invention includes a barrier layer, a reference layer formed on one surface of the barrier layer, a free layer formed on the other surface of the barrier layer, and the barrier layer of the reference layer A pinned layer disposed on the opposite side of the pinned layer, the pinned layer comprising a layer laminated in the order of Pt, Co, Ru, Co, and Pt, and a layer containing Ni .
  • the magnetoresistive effect element according to the present invention a magnetoresistive effect element having a high MR ratio and a strong exchange coupling magnetic field can be realized. Further, the yield of the post-process is good and the material cost can be suppressed because the amount of Pt used is small.
  • the magnetoresistive effect element according to the present invention it is possible to realize a magnetoresistive effect element in which magnetization reversal of the magnetization fixed layer hardly occurs by forming a pinned layer having a strong exchange coupling magnetic field.
  • FIG. 1 It is a schematic diagram which shows the structure of the MTJ element which concerns on 1st Embodiment of this invention. It is a schematic block diagram of the substrate processing system which performs the film-forming process of the MTJ element based on one Embodiment of this invention.
  • 2 is a flowchart showing a method for manufacturing the MTJ element of FIG. 1. It is a figure which shows MR ratio of the MTJ element of FIG. It is a schematic diagram which shows the structure of the perpendicular magnetization film for perpendicular
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an exemplary MTJ (Magnetic Tunnel Junction) element 4000 that performs the film forming method according to the present embodiment.
  • the MTJ element is used for, for example, an MRAM (Magnetic Random Access Memory), a magnetic sensor, or the like.
  • the MTJ element 4000 is a perpendicular magnetization type MTJ element (p-MTJ element) having a bottom pin structure.
  • the MTJ element 4000 includes a lower electrode 4002 and a Ta layer (seed layer) 4003 on a substrate 4001.
  • the MTJ element 4000 includes a NiCr (seed layer) 4004, a Co / Ni stacked body 4005, a Co / Pt layer 4006, a Co layer 4007, a Ru layer 4008, a Co layer 4009, a Pt layer 4010, a Co / Ni layer 4005 on a Ta layer 4003.
  • a Ni laminate 4011 and a Ta layer (spacer layer) 4012 are provided.
  • the MTJ element 4000 further includes a CoFeB layer 4013 as a reference layer, an MgO layer 4014 as a barrier layer, a CoFeB layer 4015 as a free layer (magnetization free layer), a cap layer 4016, and an upper electrode 4017 on the Ta layer 4012.
  • a CoFeB layer 4013 as a reference layer
  • an MgO layer 4014 as a barrier layer
  • a CoFeB layer 4015 as a free layer (magnetization free layer)
  • cap layer 4016 a cap layer 4016
  • an upper electrode 4017 on the Ta layer 4012.
  • the Co / Ni laminated body 4005 of the MTJ element 4000 is obtained by alternately laminating Co layers and Ni layers by a predetermined number (N times).
  • the Co / Ni laminated body 4011 is obtained by alternately repeating a predetermined number (M times) of Co layers and Ni layers.
  • the CoFeB layer 4013 is formed on one surface of the MgO layer 4014, and the CoFeB layer 4015 is formed on the other surface of the MgO layer 4014.
  • a stacked structure from the Co / Ni stacked body 4005 to the Co / Ni stacked body 4011 is referred to as a SAF structure pinned layer (hereinafter referred to as a pinned layer).
  • the pinned layer is an antiferromagnetic layer, and is arranged on the opposite side of the CoFeB layer 4013 to the MgO layer 4014. Specifically, the pinned layer is disposed on the opposite side of the CoFeB layer 4013 to the side where the barrier layer 4014 is disposed, and is disposed below the CoFeB layer 4013.
  • the pinned layer has a large exchange coupling magnetic field that suppresses the magnetization reversal of the reference layer.
  • the pinned layer of the MTJ element 4000 has a laminated structure in which the laminated structure portion of the Co layer 4007, the Ru layer 4008, and the Co layer 4009 is sandwiched between the Pt layer of the Co / Pt layer 4006 and the Pt layer 4010. Yes. That is, the pinned layer has a structure in which Pt (4006) / Co (4007) / Ru (4008) / Co (4009) / Pt (4010) are stacked in this order.
  • the decrease can be suppressed.
  • the Pt layer sandwiching the Co layer (4007, 4009) sandwiching the Ru4008 from the outside is referred to as a diffusion preventing layer.
  • Ni which a diffusion prevention layer prevents diffusion is Ni contained in the Co / Ni laminated body 4005,4011. More specifically, the MTJ element 4000 has a pinned layer in the order of Ni / Co / Pt (4006) / Co (4007) / Ru (4008) / Co (4009) / Pt (4010) / Co / Ni. It has a laminated structure.
  • the MTJ element 4000 is not limited to the configuration shown here, and if the upper and lower sides of the SAF structure are sandwiched between Pt layers, the number of layers can be increased and decreased as long as the function of the perpendicular magnetization type element is not impaired. Even if it is the structure which performed arbitrary changes, such as a change and reversal of the upper and lower lamination
  • NiCr (seed layer) 4004 can be replaced with another layer not containing other Ni.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the substrate processing system 1 that performs the film forming process of the MTJ element 4000.
  • the substrate processing system 1 is a cluster-type vacuum processing apparatus, and includes a plurality of substrate processing chambers 2, a load lock chamber 4, a substrate cooling device 100, and a temperature raising device 200.
  • the plurality of substrate processing chambers 2 may perform the same processing on the substrate S or may perform different processing.
  • the plurality of substrate processing chambers 2, the load lock chamber 4, the substrate cooling device 100, and the temperature raising device 200 are connected via the transfer chamber 3, and a gate valve that can be opened and closed is provided at each connection portion. It has been.
  • the substrate S is transferred among the substrate processing chambers 2, the load lock chamber 4, the substrate cooling device 100, and the temperature raising device 200 in the predetermined processing order by the transfer robot 7 provided in the transfer chamber 3.
  • An autoloader 5 for supplying the substrate S is provided outside the load lock chamber 4.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the perpendicular magnetization MTJ element 4000 according to this embodiment.
  • the film forming method according to the present embodiment will be described using the cluster type substrate processing system 1 shown in FIG. Note that an in-line substrate processing system may be used as the apparatus used in the film forming method according to the present embodiment.
  • the substrate S is carried into the load lock chamber 4 of the substrate processing system 1 (step S101).
  • the substrate S is moved to a predetermined substrate processing chamber 2, and a lower layer film forming process is performed (step S102).
  • impurities and the like attached on the substrate are removed by an etching method, and then a lower electrode 4002, a Ta layer (seed layer) 4003, and a NiCr layer (seed layer) 4004 are sequentially deposited.
  • step S103 the first step of moving the substrate S to the predetermined substrate processing chamber 2 and forming the Co / Ni stacked body 4005 (perpendicular magnetization layer 1) is performed (step S103).
  • step S104 a second step of forming a Co / Pt stack 4006 is performed (step S104).
  • step S105 a third process for forming the Co layer 4007 is performed (step S105).
  • step S106 a fourth process for forming the Ru layer 4008 is performed (step S106).
  • step S107 a fifth step of forming a Co layer 4009 is performed (step S107).
  • step S108 a sixth step of forming a Pt layer 4010 is performed (step S108).
  • step S109 the seventh step of forming a Co / Ni stacked body 4011 is performed (step S109).
  • the substrate S is sequentially moved to a predetermined substrate processing chamber 2 to perform an upper layer film forming step (step S110) for sequentially forming layers above the Ta layer 4012.
  • the MgO layer 4014 is deposited by radio frequency (RF) sputtering using an MgO target.
  • RF radio frequency
  • the Mg layer formed on the CoFeB layer 4013 as a free layer may be oxidized by sputtering using an Mg target.
  • the film formation process and the oxidation process may be performed in the same substrate processing chamber 2 or may be performed in different substrate processing chambers 2.
  • each layer formed in the film forming process (steps S102 to S110) of this embodiment is formed by a sputtering method, but may be formed by any other film forming method.
  • the substrate S is moved to the transfer position (substrate unloading position) in the load lock chamber 4 (step S112). Thereafter, the substrate S is sent to a process downstream of the substrate processing system 1, and an annealing process (step S113) is performed by an apparatus different from the substrate processing system 1.
  • An annealing process is an annealing process performed in order to crystallize the CoFeB layer (4013, 4015) of an amorphous state, and to obtain a desired magnetic characteristic.
  • the annealing process (step S113) can also be performed in the substrate processing system 1 by changing the chamber configuration of the substrate processing system 1.
  • FIG. 4 is a diagram showing an MR ratio with respect to RA (area resistance) of the MTJ elements 2000 and 3000 manufactured by using the film forming method according to the present embodiment.
  • the RA and MR ratio were measured for each of the MTJ element manufactured using the film forming method according to this embodiment and the MTJ element manufactured using the conventional film forming method.
  • the conventional film forming method and the film forming method of the present invention are manufactured according to the flowchart of FIG.
  • a colored circle (O) is a measurement result of the MTJ element 1000 manufactured by the conventional film forming method with the MTJ element structure shown in FIG.
  • Black triangles ( ⁇ ) are the measurement results of the MTJ element manufactured by the conventional film formation method with the MTJ element structure shown in FIG.
  • a black square ( ⁇ ) is a measurement result of the MTJ element 4000 manufactured by the film forming method according to this embodiment.
  • the MTJ element for measurement 5000 includes a Ta layer (spacer layer) 2011, a CoFeB layer 2012 as a reference layer, an MgO layer (barrier layer) 2013, a free layer (magnetization) from the MTJ element 2000 shown in FIG.
  • a Ru layer (Cap layer) 5011 is formed on the Co / Ni stack 5010 (perpendicular magnetization layer 2) except for the CoFeB layer 2014, the cap layer 2015, and the upper electrode 2016 as a free layer), and is subjected to the heat treatment step. It is a thing.
  • the structure from the lower electrode 5002 of the measuring MTJ element 5000 to the Co / Ni stacked body 5010 is the same as that of the lower electrode 2002 of the MTJ element 2000 to the Co / Ni stacked body 2010.
  • the perpendicular magnetization type MTJ element 6000 corresponds to the MTJ element of the present embodiment, and includes a Ta layer (spacer layer) 4012, a CoFeB layer 4013 as a reference layer, an MgO from the MTJ element 4000 shown in FIG. Except for the layer (barrier layer) 4014, the CoFeB layer 4015 as the free layer (magnetization free layer), the cap layer 4016, and the upper electrode 4017, the Ru layer (Cap) on the Co / Ni stacked body 4011 (perpendicular magnetization layer 2) Layer) 6012 is formed and subjected to a heat treatment step.
  • the structure from the lower electrode 6002 of the measuring MTJ element 6000 to the Co / Ni stacked body 6011 is the same as that of the lower electrode 4002 of the MTJ element 4000 to the Co / Ni stacked body 4011.
  • FIG. 6 shows the measurement results of the perpendicular magnetization curves (M-H loop) of the MTJ elements 5000 and 6000 for measurement.
  • VSM was used for the measurement of the perpendicular magnetization curve.
  • the horizontal axis indicates the strength of the magnetic field applied to the MTJ element, and the vertical axis indicates the magnetization of each layer in the MTJ element.
  • the broken line is the measurement result of the measurement MTJ element 5000 without the Pt layer as the diffusion prevention layer
  • the solid line is the measurement result of the MTJ element 6000 with the Pt layer as the diffusion prevention layer.
  • the MTJ element according to any measurement result is manufactured according to the flowchart of FIG. As shown in FIG. 6, the measurement result (solid line) of the MTJ element 6000 has a larger exchange coupling magnetic field (Hex) than the measurement result (broken line) of the measurement MTJ element 5000.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the number of Co / Ni stacks and the exchange coupling magnetic field (Hex) in the MTJ elements 5000 and 6000 for measurement.
  • the exchange coupling magnetic field (Hex) was calculated from the VSM measurement result with and without the diffusion prevention layer.
  • the horizontal axis in FIG. 7 indicates the number of Co / Ni stacks, and the vertical axis indicates the exchange coupling magnetic field (Hex).
  • the MTJ element 6000 having the diffusion prevention layer has a larger exchange coupling magnetic field (Hex) than the measurement MTJ element 5000 having no diffusion prevention layer.
  • the magnetoresistive effect element of this embodiment has a high MR ratio equivalent to that of the conventional one and a large exchange coupling magnetic field. Therefore, the magnetoresistive element of this embodiment can prevent unintentional magnetization reversal of the magnetization fixed layer due to an external magnetic field. Further, since the amount of Pt used is smaller than that of the conventional magnetoresistive element shown in FIG. 10, the yield is good because the damping constant of the element circuit can be suppressed from being lowered after the post-process. Further, since the amount of Pt used is less than that of the conventional magnetoresistive element shown in FIG. 10, the material cost can be suppressed. Furthermore, according to the method for manufacturing a perpendicular magnetization MTJ element of the present invention, the above-described magnetoresistance effect element can be manufactured.
  • the MTJ element 4000 according to the first embodiment has a structure having a reference layer 4013 under the tunnel barrier layer 4014 (bottom pin structure), but also has a structure having a reference layer on the tunnel barrier layer (top pin structure).
  • the present invention can be applied.
  • FIG. 8 shows an MTJ element 9000 as an example of a perpendicular magnetization type MTJ element (p-MTJ element) having a top pin structure.
  • a lower electrode 9002 includes a lower electrode 9002, a Ta layer (seed layer) 9003, a CoFeB layer 9004 as a free layer (magnetization free layer), an MgO layer (barrier layer) 9005, and a CoFeB as a reference layer.
  • Layer 9006, Ta layer (spacer layer) 9007, NiCr (seed layer) 9008, Co / Ni laminated body 9009, Co / Pt layer 9010, Co layer 9011, Ru layer 9012, Co layer 9013, Pt layer 9014, Co / Ni A stacked body 9015, a cap layer 9016, and an upper electrode layer 9017 are stacked in this order.
  • the Co / Ni laminated body 9009 is obtained by alternately repeating a predetermined number (M times) of Co layers and Ni layers. Further, the Co / Ni laminated body 9015 is obtained by alternately repeating a predetermined number (N times) of Co layers and Ni layers.
  • the laminated structure from the Co / Ni laminated body 9009 to the Co / Ni laminated body 9015 is referred to as a SAF structure pinned layer (hereinafter referred to as a pinned layer).
  • the pinned layer is an antiferromagnetic layer and is disposed on the opposite side of the CoFeB layer 9006 from the MgO layer 9005. Specifically, the pinned layer is disposed on the opposite side of the CoFeB layer 9006 on the side where the barrier layer 9005 is disposed, and is disposed on the upper layer than the CoFeB layer 9006.
  • the outer side of the Co layer (9011, 9013) sandwiching the Ru layer 9012 is a Pt layer (9010, 9014), thereby preventing Ni from diffusing into the Co layer (9011, 9013) at the Ru interface, and the exchange coupling magnetic field. There is an effect to suppress the decrease of the.
  • the Pt layer sandwiching the Co layers (9011, 9013) sandwiching the Ru 9012 from the outside is referred to as a diffusion preventing layer.
  • the MTJ element 9000 is not limited to the configuration shown here. If the top and bottom of the SAF structure are sandwiched between Pt layers, the number of layers can be increased or decreased within the range that does not impair the function of the perpendicular magnetization type element. Even if it is the structure which performed arbitrary changes, such as a change and reversal of the upper and lower lamination
  • FIG. 9 is a flowchart showing a method for manufacturing the MTJ element 9000 according to this embodiment.
  • the film forming method according to the present embodiment will be described using the cluster type substrate processing system 1 shown in FIG.
  • an in-line substrate processing system may be used as the apparatus used in the film forming method according to the present embodiment.
  • the substrate S is carried into the load lock chamber 4 of the substrate processing system 1 (step S201).
  • a lower layer film forming process for sequentially forming a film on the substrate side from the Co / Ni laminated body 9009 is performed (step S202).
  • impurities and the like attached on the substrate are removed by an etching method, and then the lower electrode 9002, Ta layer (seed layer) 9003, CoFeB layer (free layer) 9004, MgO layer (barrier layer) 9005, A CoFeB layer (reference layer) 9006, a Ta layer (spacer layer) 9007, and a NiCr layer (seed layer) 9008 are sequentially formed.
  • the MgO layer 9005 is deposited by radio frequency (RF) sputtering using an MgO target.
  • RF radio frequency
  • the Mg layer formed on the CoFeB layer 9004 as a free layer may be oxidized by sputtering using an Mg target.
  • a first step of forming a Co / Ni stacked body 9009 (perpendicular magnetization layer 1) is performed (step S203).
  • a second step of forming a Co / Pt layer 9010 is performed (step S204).
  • a third step for forming the Co layer 9011 is performed (step S205).
  • a fourth process for forming a Ru layer 9012 is performed (step S206).
  • a fifth step of forming a Co layer 9013 is performed (step S207).
  • a sixth step of forming a Pt layer 9014 is performed (step S208).
  • a seventh step of forming a Co / Ni stacked body 9015 is performed (step S209).
  • step S210 for sequentially forming layers above the Co / Ni stacked body 9015 is performed.
  • the upper layer deposition step (step S210) the Cap layer 9016 and the upper electrode layer 9017 are deposited.
  • each layer formed in the film forming process (steps S202 to S210) of this embodiment is formed by a sputtering method, but may be formed by any other film forming method.
  • the substrate S is moved to the transfer position (substrate unloading position) in the load lock chamber 4 (step S212). Thereafter, the substrate S is sent to a downstream process of the substrate processing system 1, and an annealing process (step S213) is performed by an apparatus different from the substrate processing system 1.
  • the annealing process is an annealing process for crystallizing the amorphous CoFeB layer (9004, 9006). Note that the annealing process (step S213) can be performed in the substrate processing system 1 by changing the chamber configuration of the substrate processing system 1.
  • the MTJ element 9000 having the top pin structure of the second embodiment is basically the same as that of the first embodiment, the RA (area resistance) and the MR ratio are not affected by the presence or absence of the diffusion prevention layer.
  • the MTJ element 9000 of the present embodiment has a high MR ratio and a large exchange coupling magnetic field, similar to the MTJ element 4000 described above. Therefore, unintended magnetization reversal of the reference layer due to an external magnetic field can be prevented. Further, the yield of the post-process is good and the material cost can be suppressed because the amount of Pt used is small. Furthermore, according to the method for manufacturing a perpendicular magnetization MTJ element of the present invention, the above-described magnetoresistance effect element can be manufactured.

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Abstract

本発明に係る磁気抵抗効果素子は、バリア層、バリア層の一方の表面に形成されたリファレンス層、バリア層の他方の表面に形成されたフリー層、およびリファレンス層のバリア層とは逆側に配置されたピン層を有し、ピン層は、Ｎｉ／Ｃｏ／Ｐｔ／Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ／Ｐｔ／Ｃｏ／Ｎｉの順番で積層された構造を備える。

Description

磁気抵抗効果素子
　本発明は、磁気抵抗効果素子に係り、特にＭＲＡＭに用いられる垂直ＴＭＲ素子に好適な磁気抵抗効果素子に関する。
　磁場によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子として、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）効果を利用して情報の記憶や磁気の検出を行うＴＭＲ素子（ＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）素子ともいう）が知られている。近年、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等へのＭＴＪ素子の利用が期待されている。
　非特許文献１には、垂直磁化ＭＴＪ素子が開示されている。垂直磁化ＭＴＪ素子は、フリー層（磁化自由層）、トンネルバリア層、およびリファレンス層（磁化固定層）が積層された構造を含み、フリー層およびリファレンス層の磁化方向はそれぞれ積層方向と平行である。
　ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭデバイスの特性の向上のためには、ＭＲ比（磁気抵抗比）を高くすることが重要である。特許文献１に記載のＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢから構成される積層構造は１００％を超える高いＭＲ比を示すことが知られている。
　図１０に、非特許文献１に記載された技術を用いたＭＴＪ素子の例を示す。図１０に示したＭＴＪ素子１０００はボトムピン構造の垂直磁化ＭＴＪ素子(ｐ－ＭＴＪ素子)である。ＭＴＪ素子１０００は、基板１００１上に下部電極１００２と、Ｔａ層（シード層）１００３とを備える。ＭＴＪ素子１０００は、Ｔａ層１００３の上に、Ｃｏ／Ｐｔ積層体１００４、Ｃｏ層１００５、Ｒｕ層１００６、Ｃｏ層１００７、Ｐｔ層１００８、Ｃｏ／Ｐｔ積層体１００９、およびＴａ層（スペーサー層）１０１０を備える。ＭＴＪ素子１０００は、さらにＴａ層１０１０の上に、リファレンス層としてＣｏＦｅＢ層１０１１、ＭｇＯ層(バリア層)１０１２、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層１０１３、キャップ層１０１４、および上部電極１０１５を備える。ＭＴＪ素子１０００のＣｏ／Ｐｔ積層体１００４は、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に所定の数（Ｎ回）繰り返し積層したものである。また、ＭＴＪ素子１０００の積層体１００９は、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に所定の数（Ｍ回）繰り返し積層したものである。
　図１１に特許文献１に記載された技術を用いた垂直磁化ＭＴＪ素子(ｐ－ＭＴＪ素子)の例を示す。図１１に示したＭＴＪ素子２０００は、ＭＴＪ素子１０００のＣｏ／Ｐｔ積層体１００４をＣｏ層とＮｉ層の積層体２００５に変更している。ＭＴＪ素子２０００は、さらにＰｔ層１００８をＮｉ層２００９に変更し、Ｃｏ／Ｐｔ積層体１００９をＣｏ層とＮｉ層の積層体２０１０に変更している。
特開２００７－１４２３６４号公報
D.　C.　Worledge　et　al.,　"Spin　torque　switching　of　perpendicular　Ta|CoFeB|MgO-based　magnetic　tunnel　junctions",　Appl.　Phys.　Lett.　98,　2011,　022501
　しかしながら、非特許文献１および図１０に記載のＴＭＲ素子は、素子内に多く含まれるＰｔおよびＰｄが成膜工程後のエッチング工程で削られ、素子の壁面に付着する。これは、素子回路のダンピング定数を低下させる原因となり、歩留まりを下げるおそれがある。
　一方、特許文献１のＭＴＪ素子２０００は、ＰｔやＰｄを含まないため、ＭＴＪ素子１０００のような歩留まりの低下するおそれはない。しかしながら、アニーリング処理中にＮｉがＲｕ界面のＣｏ層内に拡散するため、交換結合磁界を下げるおそれがある。
　本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであって、高いＭＲ比を有し、かつ強い交換結合磁界を有する磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。
　本発明の磁気抵抗効果素子は、バリア層と、前記バリア層の一方の表面に形成されたリファレンス層と、前記バリア層の他方の表面に形成されたフリー層と、前記リファレンス層の前記バリア層とは逆側に配置されたピン層と、を有し、前記ピン層は、Ｐｔ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｐｔの順番で積層された層、およびＮｉを含む層を備えることを特徴とする。
　本発明に係る磁気抵抗効果素子によれば、高いＭＲ比を有し、かつ強い交換結合磁界を有する磁気抵抗効果素子を実現することができる。また、後工程の歩留まりがよく、Ｐｔの使用量が少ないため材料コストを抑えることができる。或いは、本発明に係る磁気抵抗効果素子によれば、交換結合磁界が強いピン層を形成することで磁化固定層の磁化反転が起こり難い磁気抵抗効果素子を実現することができる。
本発明の第１実施形態に係るＭＴＪ素子の構成を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るＭＴＪ素子の成膜処理を行う基板処理システムの概略構成図である。 図１のＭＴＪ素子の製造方法を示すフローチャートである。 図１のＭＴＪ素子のＭＲ比を示す図である。 磁気測定に用いた垂直ＭＴＪ素子向け垂直磁化膜の構造を示す模式図である。 磁気測定に用いた垂直ＭＴＪ素子向け垂直磁化膜の構造を示す模式図である。 ＭＴＪ素子の磁気測定結果である。 ＭＴＪ素子の磁気測定結果である。 本発明の第２実施形態に係るＭＴＪ素子の構成を示す模式図である。 図８のＭＴＪ素子の製造方法を示すフローチャートである。 従来のＭＴＪ素子の構成を示す模式図である。 従来のＭＴＪ素子の構成を示す模式図である。
　以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同じ機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
（第１実施形態）
　図１は、本実施形態に係る成膜方法を行う例示的なＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ：磁気抵抗効果素子）素子４０００の構成を示す模式図である。ＭＴＪ素子は、例えばＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、磁気センサ等に用いられる。
　ＭＴＪ素子４０００は、ボトムピン構造の垂直磁化型ＭＴＪ素子(ｐ－ＭＴＪ素子)である。ＭＴＪ素子４０００は、基板４００１上に下部電極４００２と、Ｔａ層（シード層）４００３とを備える。ＭＴＪ素子４０００は、Ｔａ層４００３の上に、ＮｉＣｒ（シード層）４００４、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４００５、Ｃｏ／Ｐｔ層４００６、Ｃｏ層４００７、Ｒｕ層４００８、Ｃｏ層４００９、Ｐｔ層４０１０、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４０１１、およびＴａ層（スペーサー層）４０１２を備える。ＭＴＪ素子４０００は、さらにＴａ層４０１２の上に、リファレンス層としてＣｏＦｅＢ層４０１３、バリア層としてのＭｇＯ層４０１４、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層４０１５、キャップ層４０１６、および上部電極４０１７を備える。ＭＴＪ素子４０００のＣｏ／Ｎｉ積層体４００５は、Ｃｏ層とＮｉ層とを交互に所定の数（Ｎ回）繰り返し積層したものである。また、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４０１１は、Ｃｏ層とＮｉ層とを交互に所定の数（Ｍ回）繰り返し積層したものである。
　ＣｏＦｅＢ層４０１３はＭｇＯ層４０１４の一方の表面に形成されており、ＭｇＯ層４０１４の他方の表面にＣｏＦｅＢ層４０１５が形成されている。ここで、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４００５からＣｏ／Ｎｉ積層体４０１１までの積層構造をＳＡＦ構造のピン層（以下、ピン層とする）という。ピン層は反強磁性層であり、ＣｏＦｅＢ層４０１３のＭｇＯ層４０１４とは逆側に配置されている。詳しくは、ピン層は、ＣｏＦｅＢ層４０１３のバリア層４０１４が配置されている側の反対側に配置され、ＣｏＦｅＢ層４０１３よりも下層に配置されている。ピン層は、リファレンス層の磁化反転を抑える大きな交換結合磁界を有する。
　ＭＴＪ素子４０００のピン層は、Ｃｏ層４００７、Ｒｕ層４００８、およびＣｏ層４００９の３層の積層構造部分がＣｏ／Ｐｔ層４００６のＰｔ層とＰｔ層４０１０とで挟まれる積層構造を有している。すなわちピン層は、Ｐｔ（４００６）／Ｃｏ（４００７）／Ｒｕ（４００８）／Ｃｏ（４００９）／Ｐｔ（４０１０）の順番で積層された構造を備えている。Ｒｕ４００８両端のＣｏ層（４００７，４００９）のさらに外側をＰｔ層（４００６，４０１０）とすることによって、アニーリング処理中のＣｏ層（４００７，４００９）内へのＮｉの拡散を防ぎ、交換結合磁界の低下を抑えることができる。Ｒｕ４００８を挟むＣｏ層（４００７，４００９）を外側から挟むＰｔ層を拡散防止層という。なお、拡散防止層が拡散を防ぐＮｉは、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４００５，４０１１内に含まれているＮｉである。すなわち、より具体的には、ＭＴＪ素子４０００のピン層は、Ｎｉ／Ｃｏ／Ｐｔ（４００６）／Ｃｏ（４００７）／Ｒｕ（４００８）／Ｃｏ（４００９）／Ｐｔ（４０１０）／Ｃｏ／Ｎｉの順番で積層された構造を備えている。
　なお、ＭＴＪ素子４０００としてはここに示した構成に限られず、ＳＡＦ構造の上下をＰｔ層で挟む構成であれば、垂直磁化型素子の機能を損なわない範囲で層の増減、各層の構成材料の変更、上下の積層順の逆転等の任意の変更を行った構成であっても本発明の効果を奏することができる。例えば、ＮｉＣｒ（シード層）４００４は他のＮｉを含まない他の層に置き換えうる。
　図２は、ＭＴＪ素子４０００の成膜処理を行う基板処理システム１の概略構成図である。基板処理システム１はクラスタ型の真空処理装置であり、複数の基板処理チャンバ２と、ロードロックチャンバ４と、基板冷却装置１００と、昇温装置２００とを備えている。複数の基板処理チャンバ２は基板Ｓに対して同一の処理を行うものであってもよく、または異なる処理を行うものであってもよい。
　複数の基板処理チャンバ２と、ロードロックチャンバ４と、基板冷却装置１００と、昇温装置２００とは搬送チャンバ３を介して接続されており、それぞれの接続部分には開閉可能なゲートバルブが設けられている。搬送チャンバ３に設けられた搬送ロボット７で各基板処理チャンバ２、ロードロックチャンバ４、基板冷却装置１００および昇温装置２００の間で所定の処理順にしたがって基板Ｓが搬送される。ロードロックチャンバ４の外側には、基板Ｓを供給するためのオートローダ５が設けられている。
　図３は、本実施形態に係る垂直磁化ＭＴＪ素子４０００の製造方法を示すフローチャートである。ここでは図２に示すクラスタ型の基板処理システム１を用いて本実施形態に係る成膜方法の説明を行う。なお、本実施形態に係る成膜方法に用いる装置は、インライン型の基板処理システムを用いてもよい。
　まず、基板処理システム１のロードロックチャンバ４に基板Ｓを搬入する（ステップＳ１０１）。次に、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを移動し、下層成膜工程を行う（ステップＳ１０２）。下層成膜工程では、エッチング法によって基板上に付着した不純物等を除去し、その後に下部電極４００２、Ｔａ層（シード層）４００３、ＮｉＣｒ層（シード層）４００４を順に成膜する。
　次に、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを移動し、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４００５（垂直磁化層１）を成膜する第１工程を行う（ステップＳ１０３）。次に、Ｃｏ／Ｐｔ積層体４００６を成膜する第２工程を行う（ステップＳ１０４）。次に、Ｃｏ層４００７を成膜する第３工程を行う（ステップＳ１０５）。次に、Ｒｕ層４００８を成膜する第４工程を行う（ステップＳ１０６）。次に、Ｃｏ層４００９を成膜する第５工程を行う（ステップＳ１０７）。次に、Ｐｔ層４０１０を成膜する第６工程を行う（ステップＳ１０８）。次に、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４０１１を成膜する第７工程を行う（ステップＳ１０９）。
　その後、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを順次移動し、Ｔａ層４０１２よりも上の層を順次成膜する上層成膜工程（ステップＳ１１０）を行う。上層成膜工程中でＭｇＯ層４０１４は、ＭｇＯターゲットを用いた高周波（ＲＦ）スパッタリング法によって成膜されている。別の方法として、Ｍｇターゲットを用いたスパッタリング法によってフリー層としてのＣｏＦｅＢ層４０１３の上に成膜したＭｇ層を酸化処理してもよい。成膜処理と酸化処理とは同じ基板処理チャンバ２内で行われてもよく、異なる基板処理チャンバ２内で行われてもよい。
　なお、成膜工程（ステップＳ１０２～Ｓ１１０）で成膜される複数の膜のうち、２以上の膜が同じ基板処理チャンバ２内で成膜されてもよく、全ての膜が異なる基板処理チャンバ２内で成膜されてもよい。本実施形態の成膜工程（ステップＳ１０２～Ｓ１１０）で成膜される各層はスパッタリング法によって成膜されるが、その他任意の成膜方法によって成膜されてもよい。
　最後に、ロードロックチャンバ４内の搬送位置（基板搬出位置）に基板Ｓを移動する（ステップＳ１１２）。その後、基板Ｓは、基板処理システム１の下流の工程に送られ、基板処理システム１とは別の装置でアニーリング工程（ステップＳ１１３）が行われる。アニーリング工程は、アモルファス状態のＣｏＦｅＢ層（４０１３，４０１５）を結晶化させ、所望の磁気特性を得るために行うアニーリング処理である。なお、基板処理システム１のチャンバ構成を変更することによって、アニーリング工程（ステップＳ１１３）を基板処理システム１内で行うこともできる。
　図４は、本実施形態に係る成膜方法を用いて製造されたＭＴＪ素子２０００、３０００のＲＡ（面積抵抗）に対するＭＲ比を示す図である。本実施形態に係る成膜方法を用いて製造されたＭＴＪ素子、および従来の成膜方法を用いて製造されたＭＴＪ素子のそれぞれについて、ＲＡおよびＭＲ比の測定を行った。従来の成膜方法と本発明の成膜方法とは、図３のフローチャートにしたがって製造されたものである。
　図４の横軸はＲＡ（Ω・μｍ２）であり、縦軸はＭＲ比（％）である。ＲＡが低いほど、またＭＲ比が高いほど、ＭＴＪ素子の素子特性が良好であるといえる。図４において、色抜き丸（○）は図１０に示すＭＴＪ素子構造で従来の成膜方法で作製したＭＴＪ素子１０００の測定結果である。黒塗りの三角形（▲）は図１１に示すＭＴＪ素子構造で従来の成膜方法で作製したＭＴＪ素子の測定結果である。黒塗りの四角形（◆）は本実施形態に係る成膜方法で作製したＭＴＪ素子４０００の測定結果である。
　図４によれば、本実施形態に係る成膜方法で成膜を行うと、拡散防止層の有無によらず、同等のＭＲ比が得られることがわかる。
　図５Ａ、図５ＢにＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ　Ｓａｍｐｌｅ　Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）測定に用いた垂直磁化型のＭＴＪ素子向け垂直磁化膜５０００と６０００（以下、測定用ＭＴＪ素子５０００，６０００とする）の例を示す。図５Ａに示すように、測定用ＭＴＪ素子５０００は、図１１に示すＭＴＪ素子２０００からＴａ層（スペーサー層）２０１１、リファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層２０１２、ＭｇＯ層(バリア層)２０１３、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層２０１４、キャップ層２０１５、および上部電極２０１６を除き、Ｃｏ／Ｎｉ積層体５０１０（垂直磁化層２）の上にＲｕ層（Ｃａｐ層）５０１１を形成し、熱処理工程まで施したものである。なお、測定用ＭＴＪ素子５０００の下部電極５００２からＣｏ／Ｎｉ積層体５０１０までの構造は、ＭＴＪ素子２０００の下部電極２００２からＣｏ／Ｎｉ積層体２０１０と同様である。
　図５Ｂに示すように、垂直磁化型ＭＴＪ素子６０００は、本実施形態のＭＴＪ素子に対応し、図１に示すＭＴＪ素子４０００からＴａ層（スペーサー層）４０１２、リファレンス層としてのＣｏＦｅＢ層４０１３、ＭｇＯ層(バリア層)４０１４、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層４０１５、キャップ層４０１６、および上部電極４０１７を除き、Ｃｏ／Ｎｉ積層体４０１１（垂直磁化層２）の上にＲｕ層（Ｃａｐ層）６０１２を形成し、熱処理工程まで施したものである。なお、測定用ＭＴＪ素子６０００の下部電極６００２からＣｏ／Ｎｉ積層体６０１１までの構造は、ＭＴＪ素子４０００の下部電極４００２からＣｏ／Ｎｉ積層体４０１１と同様である。
　図６は測定用ＭＴＪ素子５０００と６０００の垂直磁化曲線（M-H loop）の測定結果である。垂直磁化曲線の測定には、ＶＳＭを用いた。横軸はＭＴＪ素子にかける磁界の強度を示しており、縦軸はＭＴＪ素子内の各層の磁化を示している。
　図６において、破線は拡散防止層であるＰｔ層が無い測定用ＭＴＪ素子５０００の測定結果であり、実線は拡散防止層であるＰｔ層が有るＭＴＪ素子６０００の測定結果である。いずれの測定結果に係るＭＴＪ素子も図３のフローチャートにしたがって製造されたものである。図６に示すように、ＭＴＪ素子６０００の測定結果（実線）は、測定用ＭＴＪ素子５０００の測定結果（破線）よりも大きな交換結合磁界（Ｈｅｘ）が得られている。
　図７は、測定用ＭＴＪ素子５０００、６０００において、Ｃｏ／Ｎｉ積層回数と交換結合磁界（Ｈｅｘ）の関係を示す図である。Ｃｏ／Ｎｉ積層回数を変化させた、垂直ＭＴＪ素子構造５０００，６０００のそれぞれにおいて、拡散防止層の有無でＶＳＭ測定結果から交換結合磁界（Ｈｅｘ）を算出した。図７の横軸は、Ｃｏ／Ｎｉ積層回数を示し、縦軸は交換結合磁界（Ｈｅｘ）を示す。それぞれのＣｏ／Ｎｉ積層回数においても、拡散防止層がない測定用ＭＴＪ素子５０００よりも、拡散防止層を有するＭＴＪ素子６０００の方が交換結合磁界（Ｈｅｘ）が大きい。
　本実施形態の磁気抵抗効果素子は、従来と同等の高いＭＲ比を有するとともに、交換結合磁界が大きい。したがって、本実施形態の磁気抵抗効果素子は、外部磁界による磁化固定層の意図しない磁化反転の発生を防ぐことができる。また、Ｐｔの使用量が図１０に示す従来の磁気抵抗効果素子よりも少ないので、後工程後に素子回路のダンピング定数が低下を抑えられるため歩留まりがよい。また、Ｐｔの使用量が図１０に示す従来の磁気抵抗効果素子よりも少ないため、材料コストを抑えることができる。さらに本発明の垂直磁化ＭＴＪ素子の製造方法によれば、上述の磁気抵抗効果素子を製造できる。
（第２実施形態）
　第１実施形態に係るＭＴＪ素子４０００は、トンネルバリア層４０１４の下にリファレンス層４０１３を有する構造（ボトムピン構造）であるが、トンネルバリア層の上にリファレンス層を有する構造（トップピン構造）にも、本発明を適用することができる。図８にトップピン構造の垂直磁化型ＭＴＪ素子(ｐ－ＭＴＪ素子)の例としてＭＴＪ素子９０００を示す。
　図８のＭＴＪ素子９０００は、基板９００１上に、下部電極９００２、Ｔａ層（シード層）９００３、フリー層（磁化自由層）としてのＣｏＦｅＢ層９００４、ＭｇＯ層(バリア層)９００５、リファレンス層としてＣｏＦｅＢ層９００６、Ｔａ層（スペーサー層）９００７、ＮｉＣｒ（シード層）９００８、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９００９、Ｃｏ／Ｐｔ層９０１０、Ｃｏ層９０１１、Ｒｕ層９０１２、Ｃｏ層９０１３、Ｐｔ層９０１４、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９０１５、キャップ層９０１６、および上部電極層９０１７を順番に積層させたものである。Ｃｏ／Ｎｉ積層体９００９は、Ｃｏ層とＮｉ層とを交互に所定の数（Ｍ回）繰り返し積層したものである。また、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９０１５は、Ｃｏ層とＮｉ層とを交互に所定の数（Ｎ回）繰り返し積層したものである。
　Ｃｏ／Ｎｉ積層体９００９からＣｏ／Ｎｉ積層体９０１５までの積層構造をＳＡＦ構造のピン層（以下、ピン層とする）という。ピン層は反強磁性層であり、ＣｏＦｅＢ層９００６のＭｇＯ層９００５とは逆側に配置されている。詳しくは、ピン層は、ＣｏＦｅＢ層９００６のバリア層９００５が配置されている側の反対側に配置され、ＣｏＦｅＢ層９００６よりも上層に配置されている。Ｒｕ層９０１２を挟むＣｏ層（９０１１，９０１３）のさらに外側をＰｔ層（９０１０，９０１４）とすることによって、ＮｉがＲｕ界面のＣｏ層（９０１１，９０１３）へ拡散するのを防ぎ、交換結合磁界の低下を抑える効果がある。Ｒｕ９０１２を挟むＣｏ層（９０１１，９０１３）を外側から挟むＰｔ層を拡散防止層という。なお、ＭＴＪ素子９０００は、ここに示した構成に限られず、ＳＡＦ構造の上下をＰｔ層で挟む構成であれば、垂直磁化型素子の機能を損なわない範囲で層の増減、各層の構成材料の変更、上下の積層順の逆転等の任意の変更を行った構成であっても本発明の効果を奏することができる。
　図９は、本実施形態に係るＭＴＪ素子９０００の製造方法を示すフローチャートである。ここでは図２に示すクラスタ型の基板処理システム１を用いて本実施形態に係る成膜方法の説明を行う。なお、本実施形態に係る成膜方法に用いる装置は、インライン型の基板処理システムを用いてもよい。
　まず、基板処理システム１のロードロックチャンバ４に基板Ｓを搬入する（ステップＳ２０１）。次に、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９００９よりも基板側を順次成膜する下層成膜工程を行う（ステップＳ２０２）。下層成膜工程では、エッチング法によって基板上に付着した不純物等を除去し、その後に下部電極９００２、Ｔａ層（シード層）９００３、ＣｏＦｅＢ層（フリー層）９００４、ＭｇＯ層（バリア層）９００５、ＣｏＦｅＢ層（リファレンス層）９００６、Ｔａ層（スペーサ層）９００７、およびＮｉＣｒ層（シード層）９００８を順に成膜する。下層成膜工程中でＭｇＯ層９００５は、ＭｇＯターゲットを用いた高周波（ＲＦ）スパッタリング法によって成膜されている。別の方法として、Ｍｇターゲットを用いたスパッタリング法によってフリー層としてのＣｏＦｅＢ層９００４の上に成膜したＭｇ層を酸化処理してもよい。
　次に、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９００９（垂直磁化層１）を成膜する第１工程を行う（ステップＳ２０３）。次に、Ｃｏ／Ｐｔ層９０１０を成膜する第２工程を行う（ステップＳ２０４）。次に、Ｃｏ層９０１１を成膜する第３工程を行う（ステップＳ２０５）。次に、Ｒｕ層９０１２を成膜する第４工程を行う（ステップＳ２０６）。次に、Ｃｏ層９０１３を成膜する第５工程を行う（ステップＳ２０７）。次に、Ｐｔ層９０１４を成膜する第６工程を行う（ステップＳ２０８）。次に、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９０１５を成膜する第７工程を行う（ステップＳ２０９）。その後、所定の基板処理チャンバ２に基板Ｓを順次移動し、Ｃｏ／Ｎｉ積層体９０１５よりも上の層を順次成膜する上層成膜工程（ステップＳ２１０）を行う。上層成膜工程（ステップＳ２１０）ではＣａｐ層９０１６と上部電極層９０１７とが成膜される。
　なお、成膜工程（ステップＳ２０２～Ｓ２１０）で成膜される複数の膜のうち、２以上の膜が同じ基板処理チャンバ２内で成膜されてもよく、全ての膜が異なる基板処理チャンバ２内で成膜されてもよい。本実施形態の成膜工程（ステップＳ２０２～Ｓ２１０）で成膜される各層はスパッタリング法によって成膜されるが、その他任意の成膜方法によって成膜されてもよい。
　最後に、ロードロックチャンバ４内の搬送位置（基板搬出位置）に基板Ｓを移動する（ステップＳ２１２）。その後、基板Ｓは、基板処理システム１の下流の工程に送られ、基板処理システム１とは別の装置でアニーリング工程（ステップＳ２１３）が行われる。アニーリング工程は、アモルファス状態のＣｏＦｅＢ層（９００４，９００６）を結晶化させるアニーリング処理である。なお、基板処理システム１のチャンバ構成を変更することによって、アニーリング工程（ステップＳ２１３）を基板処理システム１内で行うこともできる。
　第２実施形態のトップピン構造のＭＴＪ素子９０００は第１実施形態と原理的に同じであるため、ＲＡ（面積抵抗）とＭＲ比とは、拡散防止層の有無の影響は無い。
　本実施形態のＭＴＪ素子９０００は、上述のＭＴＪ素子４０００と同様に高いＭＲ比と大きな交換結合磁界を有する。したがって、外部磁界によるリファレンス層の意図しない磁化反転の発生を防ぐことができる。また、後工程の歩留まりがよく、Ｐｔの使用量が少ないため材料コストを抑えることができる。さらに本発明の垂直磁化ＭＴＪ素子の製造方法によれば、上述の磁気抵抗効果素子を製造できる。

 

Claims (2)

  1. 　バリア層と、
    　前記バリア層の一方の表面に形成されたリファレンス層と、
    　前記バリア層の他方の表面に形成されたフリー層と、
    　前記リファレンス層の前記バリア層とは逆側に配置されたピン層と、を有し、
    　前記ピン層は、Ｐｔ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｐｔの順番で積層された層、およびＮｉを含む層を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 　前記ピン層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉの順番で積層された構造を備えることを特徴とする請求項１に磁気抵抗効果素子。

     
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