TWI573303B - Method for manufacturing magnetoresistance effect elements - Google Patents

Method for manufacturing magnetoresistance effect elements Download PDF

Info

Publication number
TWI573303B
TWI573303B TW103139786A TW103139786A TWI573303B TW I573303 B TWI573303 B TW I573303B TW 103139786 A TW103139786 A TW 103139786A TW 103139786 A TW103139786 A TW 103139786A TW I573303 B TWI573303 B TW I573303B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
substrate
cooling
temperature
program
Prior art date
Application number
TW103139786A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201528568A (zh
Inventor
Takuya Seino
Yuichi Otani
Kazumasa Nishimura
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Publication of TW201528568A publication Critical patent/TW201528568A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI573303B publication Critical patent/TWI573303B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
    • H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/123—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys having a L10 crystallographic structure, e.g. [Co,Fe][Pt,Pd] thin films
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

磁阻效應元件之製造方法
本發明，係關於磁阻效應元件之製造方法，尤其關於對於使用於MRAM之TMR元件適合的製造方法。
在電阻因磁場而變化之磁阻效應元件方面，已知利用TMR(Tunnel Magneto Resistance)效果而進行資訊之記憶或磁氣的檢測之TMR元件(亦稱作MTJ元件)。近年來，往MRAM等之MTJ元件的利用受到期待。
於非專利文獻1，係揭露垂直磁化型之MTJ元件。垂直磁化型之MTJ元件，係包含積層自由層(磁化自由層)、穿隧能障層、及基準層(磁化固定層)之構造，自由層及基準層之磁化方向係分別與積層方向平行。
為了採用磁阻效應元件之MRAM裝置的特性之提升，係提高MR比(磁阻比)為重要。記載於非專利文獻1之由CoFeB/MgO/CoFeB所成之積層構造係已知展現超過100%之高MR比。
[先前技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1]D. C. Worledge et al., ”Spin torque switching of perpendicular Ta|CoFeB|MgO-based magnetic tunnel junctions”, Appl. Phys. Lett. 98, 2011, 022501
然而，即使為記載於非專利文獻1之磁阻效應元件，仍不能謂之充分高的MR比。變更磁阻效應元件之構造從而進一步提高MR比之研究正被進行，另一方面亦追求非構造而變更製造方法從而提高MR比。
本發明，係為了解決上述之問題點而創作者，以提供具有比歷來高之MR比的磁阻效應元件之製造方法為目的。
本發明之一態樣，係一種磁阻效應元件之製造方法，特徵在於：具備：於在表面形成磁化自由層及磁化固定層之一方的基板上形成穿隧能障層之第1程序；於前述第1程序後，冷卻前述基板之第2程序；於前述第2程序後，於前述穿隧能障層上形成前述磁化自由層及前述磁化固定層的另一方之第3程序；及於前述第3程序後，升溫前述基板之第4程序。
依本發明相關之磁阻效應元件之製造方法，於形成穿隧能障層之程序後亦即於穿隧能障層上形成磁化 自由層或磁化固定層之程序前，進行冷卻基板之程序，使得可實現具有高MR比之磁阻效應元件。此外，依本發明相關之磁阻效應元件之製造方法，於形成穿隧能障層之程序後，亦即於在穿隧能障層上形成磁化自由層(自由層)或磁化固定層(基準層)之程序後，進行將基板升溫之程序，使得可防止往基板上之結露，提升良率。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧基板處理腔室
3‧‧‧搬送室
4‧‧‧預抽室
5‧‧‧自動裝載器
6‧‧‧外部盒
7‧‧‧搬送機器人
100‧‧‧基板冷卻裝置
101‧‧‧腔室
101a‧‧‧上壁
101b‧‧‧側壁
101c‧‧‧下壁
102‧‧‧閘閥
103‧‧‧基板保持器
103a‧‧‧基板載置面
104‧‧‧升降銷
105‧‧‧升降銷驅動機構
106‧‧‧機械式夾具
107‧‧‧機械式夾具驅動機構
108‧‧‧風箱
109‧‧‧基板保持器冷卻部
110‧‧‧基板保持器支柱
111‧‧‧屏蔽
112‧‧‧屏蔽冷卻部
113‧‧‧屏蔽支柱
114‧‧‧開口部
116‧‧‧加熱器
119‧‧‧排氣腔室
120‧‧‧排氣泵浦
121‧‧‧屏蔽內真空計
122‧‧‧腔室內真空計
123‧‧‧冷卻氣體導入部
124‧‧‧氣體管線
125‧‧‧氣體管線加熱器
200‧‧‧升溫裝置
201‧‧‧腔室
202‧‧‧排氣裝置
203‧‧‧供氣裝置
203a‧‧‧供氣口
204‧‧‧基板保持器
205‧‧‧閘閥
1001‧‧‧基板
1002‧‧‧下部電極
1003‧‧‧晶種層
1006‧‧‧自由層
1007‧‧‧穿隧能障層
1008‧‧‧基準層
1009‧‧‧Ta層
1010‧‧‧積層體
1011‧‧‧覆蓋層
1012‧‧‧上部電極
2002‧‧‧下部電極
2003‧‧‧Ta晶種層
2004‧‧‧Ru層
2005‧‧‧固定層
2006‧‧‧Ta層
2007‧‧‧基準層
2008‧‧‧穿隧能障層
2009‧‧‧自由層
2010‧‧‧Ta覆蓋層
2011‧‧‧上部電極
S‧‧‧基板
[圖1]就本發明的一實施形態相關之基板冷卻裝置作繪示的示意構成圖。
[圖2]就本發明的一實施形態相關之升溫裝置作繪示的示意構成圖。
[圖3]具備本發明的一實施形態相關之基板冷卻裝置的基板處理系統之示意構成圖。
[圖4]就藉本發明的一實施形態相關之成膜方法而製造的元件構成作繪示之示意圖。
[圖5]就本發明的一實施形態相關之成膜方法的流程圖作繪示之圖。
[圖6]就藉本發明的一實施形態相關之成膜方法而製造的元件之MR比的圖表作繪示之圖。
[圖7]就藉本發明的一實施形態相關之成膜方法而製造的元件之MR比的圖表作繪示之圖。
[圖8]就藉本發明的一實施形態相關之成膜方法而製 造的元件之磁阻曲線作繪示的圖。
[圖9]就藉本發明的一實施形態相關之成膜方法而製造的元件構成作繪示之示意圖。
[圖10]就本發明的一實施形態相關之成膜方法的流程圖作繪示之圖。
以下，參見圖式，而說明本發明的實施之形態，但本發明並非限定於本實施形態者。另外，在以下作說明之圖式中，具有同功能者係加上相同符號，亦有省略其重複的說明之情況。
(第1實施形態)
圖1，係就作為本實施形態相關之進行基板的冷卻之基板處理裝置的基板冷卻裝置100作繪示之示意構成圖。基板冷卻裝置100係具備腔室101與排氣腔室119。腔室101之上壁101a係設成可拆卸，可將上壁101a拆卸而進行維護、清潔等。於腔室101之側壁101b係設有可開閉之閘閥102，可透過閘閥102而將基板S搬送於腔室101之內外。於腔室101內係設有具有基板載置面103a之基板保持器103，於基板載置面103a上係可載置基板S。
於基板保持器103係設有供以貫通基板載置面103而支撐基板S之背面用的棒狀之升降銷104，升降銷104係可藉升降銷驅動機構105沿著基板S或基板載置 面103a之法線方向而上升及下降。此外，於基板保持器103係設有供以將基板S之表面的外周部作固定用之機械式夾具106，機械式夾具106係可藉機械式夾具驅動機構107沿著基板S或基板載置面103a之法線方向而上升及下降。升降銷驅動機構105及機械式夾具驅動機構107，係馬達、致動器等之任意的驅動手段。於升降銷104與升降銷驅動機構105之間、及機械式夾具106與機械式夾具驅動機構107之間，係為了可在保持腔室101之密閉狀態下移動升降銷104及機械式夾具106，而設有可伸縮之風箱108。
為了固定基板S，作為機械式夾具106及機械式夾具驅動機構107之替代，亦可設有藉靜電力而將基板S固定於基板保持器103之靜電吸附機構(ESC)。
於基板保持器103，係透過貫通腔室101之下壁101c的基板保持器支柱110，而連接著設於腔室101之外部的基板保持器冷卻部109(基板保持器冷卻手段)。利用基板保持器冷卻部109而將基板保持器103維持於低溫，使得可冷卻載置於基板載置面103a之基板S。基板保持器冷卻部109，係具有供於測定基板保持器103之溫度用的不圖示之溫度測定部(例如，熱電偶)。基板保持器103及基板保持器支柱110，係利用熱導性高之金屬，例如銅或鋁而製作較佳。
於腔室101內，設有屏蔽111。屏蔽111係以包圍基板保持器103之側方，同時覆蓋基板保持器103之 上方的方式而設。亦即，屏蔽111，係以包圍基板載置面103a之側方，同時對向於基板載置面103a的方式而設。
於屏蔽111，係透過貫通腔室101之上壁101a的屏蔽支柱113，而連接著設於腔室101之外部的屏蔽冷卻部112。利用屏蔽冷卻部112而將屏蔽111維持於低溫，使得可於在基板S之搬送時從基板保持器103所放出的氣體分子到達於屏蔽111之表面時，於表面捕捉該氣體分子。屏蔽冷卻部112，係具有供以測定屏蔽111之溫度用的不圖示之溫度測定部(例如，熱電偶)。屏蔽111及屏蔽支柱113，係利用熱導性高之金屬，例如銅或鋁而製作較佳。
基板保持器冷卻部109及屏蔽冷卻部112(屏蔽冷卻手段)，係供以藉任意之方法進行冷卻用的冷卻手段，可為例如利用氦之隔熱膨脹而進行冷卻的冷卻裝置(例如，Gifford-McMahon冷凍機或史特靈冷凍機等)，或可為使作為冷媒而從外部所供應的低溫之液態氮等的冷媒流通從而進行冷卻之裝置。在本實施形態係基板保持器冷卻部109與屏蔽冷卻部112以個別的構材而設，惟亦可作為單一之冷卻部而設。於對向於在屏蔽111之側面的閘閥102之部分，係設有基板S通過用的開口部114。附著於屏蔽111之氣體，係可藉設於腔室101及排氣腔室119的各處之加熱器116加熱從而除去。
於腔室101，係以各個內部空間連通之方式而連接著排氣腔室119。於排氣腔室119係設有作為可將腔 室101內作真空排氣之排氣部的排氣泵浦120。在排氣泵浦120方面，係可依所需之真空度而採用乾式泵浦、渦輪分子泵浦等之任意的排氣手段，亦可將其等組合而運用。再者，於腔室101係設有供以測定屏蔽111內，亦即藉屏蔽111而區劃之空間內的壓力用之屏蔽內真空計121，於排氣腔室119係設有供以測定排氣腔室119內之壓力用的腔室內真空計122。
再者，於基板冷卻裝置100，係為了有效進行基板S之冷卻，而設有供以於基板S之背面與基板載置面103a之間導入冷卻氣體用的冷卻氣體導入部123。冷卻氣體導入部123係連接於作為冷卻氣體流通用的管之氣體管線124，氣體管線124係貫通腔室101及基板保持器103而開口於基板S之背面與基板載置面103a之間的空間。在從冷卻氣體導入部123所導入之冷卻氣體方面係可使用包含He、Ar或其等之中的至少一方之混合氣體，冷卻氣體遍布於基板S之背面使得可快速均勻冷卻基板S。氣體管線124係進一步連接於排氣泵浦120，可藉驅動排氣泵浦120而將使用後之冷卻氣體作排氣。氣體管線124係具備不圖示之可變閥，可變更路徑或流量。
在圖1係氣體管線124僅繪示1系統，惟供以從冷卻氣體導入部123導入冷卻氣體用之氣體管線與供以將冷卻氣體作排氣用的氣體管線之2系統個別設置亦可。冷卻氣體導入部123，係具備質流控制器(MFC)、自動壓力控制器(APC)等之氣體流量調整手段較佳。另 外，冷卻氣體導入部123係可不一定須設置，不使用上述之冷卻氣體，將基板S直接載置於被冷卻之基板載置面103a亦可冷卻基板S不待言之。
於氣體管線124之附近，係設有氣體管線加熱器125。藉氣體管線加熱器125而加熱氣體管線124，使得可有效除去吸附於氣體管線之內面的氣體分子。氣體管線加熱器125，在圖1係僅設於氣體管線124之一部分，惟設於氣體管線124之整體亦可。在氣體管線加熱器125方面，係可採用任意之加熱手段，可採用例如帶式加熱器。
圖2，係就作為本實施形態相關之進行基板的升溫之基板處理裝置的升溫裝置200作繪示之示意構成圖。升溫裝置200，係對於基板實施升溫處理之裝置，具有腔室201、排氣裝置202、供氣裝置203、及基板保持器204。升溫裝置200，係與後述之搬送室3透過閘閥205而連結。供氣裝置203係例如，由連結於儲氣瓶之氣體流通路徑、對於腔室201內供應氣體之供氣口203a、及不圖示之質流控制器(MFC)所成。於在基板保持器204載置基板之狀態下，從供氣口203a導入升溫氣體使得可將基板升溫。此時，從供氣裝置203所導入之升溫氣體係預先調整溫度為適。預先調整之氣體的溫度，係水分不結露之溫度(露點溫度)以上的溫度為佳，在溫度範圍方面係283K~343K之範圍較佳。本實施形態之氣體的溫度係採取室溫(293K程度)。在升溫氣體方面，係水分 少之氣體為適合，例如，可採用氮氣或乾燥空氣或氬氣或氦氣。
基板之升溫結束時以排氣裝置202將腔室201內之氣體排氣後，基板係藉搬送室3具有之搬送裝置7(搬送機器人)而搬送至下個程序的腔室。在升溫裝置200，係採取以氣體將基板升溫之方式，惟將燈加熱器或基板保持器加熱從而將基板升溫亦可。於本實施形態係採用升溫裝置200，惟只要為可將基板升溫之構成則採用其他方法亦可。例如，於搬送路徑之任一者設置將基板升溫之加熱器，而將搬送中之基板以加熱器升溫亦可。或者，代替升溫裝置200而採用預抽室亦可。在預抽室使基板升溫之情況，係於以所導入之氣體將基板升溫後搬送至進行後程序之成膜的腔室。此處之升溫處理，係使基板溫度上升至露點溫度以上的處理，在本實施形態之升溫裝置200係使基板升溫至室溫(293K)。
圖3，係具備本實施形態相關之基板冷卻裝置100的基板處理系統1之示意構成圖。基板處理系統1係枚葉式的裝置，具備複數個基板處理腔室2、預抽室4、本實施形態相關之基板冷卻裝置100、及升溫裝置200。複數個基板處理腔室2係可為對於基板S進行相同的處理者，或亦可為進行不同的處理者。
複數個基板處理腔室2、預抽室4、基板冷卻裝置100、及升溫裝置200係透過搬送室3而連接，於各自的連接部分係設有可開閉之閘閥。於搬送室3係設有搬 送機器人7，驅動搬送機器人7從而在各基板處理腔室2、預抽室4、基板冷卻裝置100、及升溫裝置200之間按既定的處理順序而搬送基板S。於各基板處理腔室2、搬送室3、基板冷卻裝置100、及升溫裝置200係分別設有排氣泵浦，可在保持真空之下在腔室間搬送基板S。於預抽室4之外側，係設有供以供應基板S用的自動裝載器5。自動裝載器5，係以每次於大氣側從收納複數個基板之外部盒6取出一個基板，收容於預抽室4內之方式而構成。
圖4，係就進行本實施形態相關之成膜方法的例示性之MTJ(Magnetic Tunnel Junction：磁阻效應元件)元件1000的構成作繪示之示意圖。MTJ元件，係用於例如MRAM(Magnetic Random Access Memory)、磁感測器等。
MTJ元件1000，係垂直磁化型MTJ元件(p-MTJ元件)。MTJ元件1000，係於基板1001上依序具備下部電極1002、Ta層(晶種層)1003、作為自由層(磁化自由層)之CoFeB層1006、及MgO層(穿隧能障層)1007。MTJ元件1000，係進一步於其上，依序具備作為基準層(磁化固定層)之CoFeB層1008、Ta層1009、積層體1010、Ta層(覆蓋層)1011、及上部電極1012。MTJ元件1000之積層體1010(固定(pin)層)，係將Co層與Pt層交互積層僅既定之數N者。
在MTJ元件1000方面係不限於此處所示的構 成，在不損及垂直磁化型元件之功能的範圍下可採用進行層之增減、各層之構成材料的變更、上下之積層順序的顛倒等之任意的變更之構成。例如，如利用圖9而後述之第2實施形態，亦可採用將上述之MTJ元件1000的上下之積層順序顛倒的MTJ元件2000之構成。
採用本實施形態相關之基板冷卻裝置100的冷卻處理，係於自由層(CoFeB層)1006上成膜穿隧能障層(MgO層)1007後，亦即於穿隧能障層(MgO層)1007之上成膜基準層的CoFeB層1008前進行較佳。在此時間點運用基板冷卻裝置100而進行冷卻處理時，可藉冷卻而使穿隧能障層1007與基準層之CoFeB層1008的界面陡峭度提升，且可抑制於冷卻中穿隧能障層1007之表面(亦即，穿隧能障層1007與CoFeB層1008之間的界面)受污染。
採用基板冷卻裝置100之冷卻處理，係可在其他時間點進行，例如，在Ta層1003之成膜後、或在作為自由層(磁化自由層)之CoFeB層1006的成膜後亦可期待MR比之提升。於基準層之CoFeB層1008的成膜時只要為基板被冷卻之狀態則有效果之故。此外，上述之時間點之中，在複數個時間點進行冷卻處理亦可。
採用本實施形態相關之升溫裝置200的升溫處理，係於成膜基準層之CoFeB層1008上的配向分離層(Ta層)1009後，亦即於配向分離層(Ta層)1009之上成膜積層體1010前進行為佳。在此時間點利用升溫裝置 200而進行升溫處理時，可藉加熱使積層體1010之磁性提升。再者，由於升溫處理使得基板係成為露點溫度以上，故可抑制於從基板處理系統1搬出基板時往基板之結露。
另外，升溫處理，係於成膜基準層之CoFeB層1008後，亦即於成膜積層體1010前的任意之時間點進行亦可。例如，於基準層之CoFeB層1008的成膜後，亦即於配向分離層(Ta層)1009之成膜前進行升溫處理亦可。此處積層體1010，係指具有容易磁化於一個方向(相對於膜面垂直之方向)的垂直磁各向異性(PMA)之層，可另稱為固定層或PMA層。積層體1010之垂直磁各向異性越大，越可抑制基準層之熱擾抗性的降低，防止基準層之非意圖的磁矩翻轉之發生。
圖5，係就本實施形態相關之成膜方法的流程圖作繪示之圖。在此處係利用示於圖3之枚葉式的基板處理系統1而進行本實施形態相關之成膜方法的說明，惟非限定於此者。例如，亦可運用串接式之基板處理系統。此外，在本實施形態係在含於基板處理系統1之基板冷卻裝置方面採用示於圖1的基板冷卻裝置100，惟採用其他任意的基板冷卻裝置亦可。同樣，代替升溫裝置200而採用其他裝置亦可。
首先，於基板處理系統1之預抽室4搬入基板S(步驟S11)。接著，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至既定的基板處理腔室2，進行下 層成膜程序(步驟S12)。在下層成膜程序，係藉蝕刻法而除去附著於基板上之雜質等，之後MTJ元件1000之中比MgO層1007下方的膜，亦即於基板1001上依序藉濺鍍法而成膜下部電極1002、Ta層1003、及作為自由層之CoFeB層1006。
接著，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至既定的基板處理腔室2，進行第1程序(步驟S13)。在第1程序，係成膜MTJ元件1000之中作為穿隧能障層的MgO層1007。MgO層1007，係藉採用MgO靶材之高頻(RF)濺鍍法而成膜。在別的方法方面，藉採用Mg靶材之濺鍍法而於作為自由層的CoFeB層1006之上成膜Mg層，之後對於該Mg層進行氧化處理從而形成亦可。成膜處理與氧化處理係可在相同的基板處理腔室2內進行，亦可在不同的基板處理腔室2內進行。
接著，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至基板冷卻裝置100，進行第2程序(冷卻程序)(步驟S14)。在冷卻程序，係將成膜MgO層1007之基板S冷卻至200K以下的溫度(在本實施形態係100K)。將基板S冷卻至200K以下的溫度，使得可於之後成膜的作為基準層之CoFeB層1008中容易形成非晶相。
於冷卻程序，係利用基板冷卻裝置100而進行冷卻處理。藉此，可獲得快速進行基板S之冷卻且減低膜中的雜質等追加之效果。本實施形態相關之冷卻程序係 非限於此者，只要可將成膜MgO層1007之基板S冷卻至既定的溫度，則可採用任意之冷卻裝置的構成及冷卻處理之方法。另外，成膜的CoFeB層1008等之構成成分的分析，係可藉例如X射線繞射法而進行。
接著，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至既定的基板處理腔室2，進行第3程序(步驟S15)。在第3程序，係藉濺鍍法依序成膜MTJ元件1000之中作為基準層的CoFeB層1008、及CoFeB層1008之上的Ta層1009。
接著，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至升溫裝置200，進行第4程序(升溫程序)(步驟S16)。在升溫程序，係將成膜了至Ta層1009的層之基板S升溫至露點溫度以上的溫度(在本實施形態係293K)。
接著，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至既定的基板處理腔室2，進行第5程序(步驟S17)。在第5程序，係依序藉濺鍍法而成膜MTJ元件1000之中從積層體1010以上之膜，亦即作為固定層之積層體1010、Ta層1011、及上部電極1012。
藉將基板S升溫至室溫，使得可提升成膜於Ta層1009上之積層體1010的磁性。積層體1010之磁性，係指容易磁化於一個方向(相對於膜面垂直之方向)的垂直磁各向異性。在予以升溫使得積層體1010之磁性提升的理由方面，係可想作於成膜積層體1010時被濺鍍 而附著於基板上之Co原子變得容易在附著之表面上遷移之故。亦即，可想作Co粒子移動於表面上使得積層體1010中的Pt與Co之位置關係變更佳者之故。關於積層體1010之磁性的提升之效果係後述。即使積層體為不使用Co原子之膜構成，只要為在附著之表面上容易引起遷移之原子則應用本實施形態的成膜方法(製造方法)時可期待同樣之效果。
之後，進行以既定之溫度(例如150~400度)的退火處理，結束成膜(步驟S18)。成膜處理與退火處理係可在相同的基板處理腔室2內進行，亦可在不同的基板處理腔室2內進行。最後，驅動搬送室3之搬送機器人7，從而將基板S移動至預抽室4內的搬送位置(基板搬出位置)(步驟S19)。之後，基板S，係送至基板處理系統1之下游的程序。另外，以與基板處理系統1係不同的裝置進行退火處理亦可。此情況下，作為基板處理系統1之下游的程序進行退火程序。
在本實施形態之成膜程序(步驟S12、S13、S15、S17)成膜之各層係藉濺鍍法而成膜，惟亦可藉其他任意的成膜方法而成膜。
在成膜程序(步驟S12、S13、S15、S17)成膜之複數個膜之中，可2以上膜在相同的基板處理腔室2內被成膜，亦可全部的膜在不同之基板處理腔室2內被成膜。成膜程序(步驟S12、S13、S15、S17)之中至少1者、冷卻程序(步驟S14)或升溫程序(步驟S16)在相 同之腔室中進行亦可。
圖6，係就利用本實施形態相關之成膜方法而製造的MTJ元件之相對於RA(面電阻)的MR比作繪示之圖。分別製造採用本實施形態相關之成膜方法而製造之MTJ元件、及採用歷來之成膜方法而製造的MTJ元件，進行RA及MR比之測定。歷來之成膜方法，係採取指依圖5或圖10之流程圖而製造者，惟不進行冷卻程序(步驟S14、34)及升溫程序(步驟S16、36)而製造之成膜方法。
圖6之橫軸係RA(Ω‧μm2)，縱軸係MR比(%)。可謂之RA越低，另外MR比越高，MTJ元件之元件特性越良好。在圖6中，四角形之塗色(■)係以歷來之成膜方法而製作之示於圖4的頂部固定(top pin)構造之MTJ元件的測定結果。四角形之脫色(□)係以本實施形態相關之成膜方法而製作的頂部固定構造之MTJ元件的測定結果。
另外，圖6中之圓形的脫色(○)及圓形之塗色(●)，係底部固定(bottom pin)構造之MTJ元件的測定結果。圓形之塗色(●)係以歷來之成膜方法而製作的底部固定構造之MTJ元件的測定結果。圓形之脫色(○)係以後述的第2實施形態相關之成膜方法而製作的底部固定構造之MTJ元件的測定結果。關於MTJ元件2000係邊參照圖9、10邊後述。
依圖6，得知以本實施形態相關之成膜方法進 行成膜時，與如歷來不進行冷卻、升溫程序之情況比較下MR比會提升。另外，就不進行升溫程序(步驟S16)而製造之MTJ元件，亦測定相對於RA(面電阻)之MR比，惟成為大致重疊於圖6之四角形的脫色(□)之點的結果。亦即，得知RA(面電阻)與MR比，係受冷卻程序(步驟S14)巨大影響，升溫程序(步驟S16)之有無對於RA(面電阻)與MR比的影響係小。根據以上，確認了為了製造元件特性良好之MTJ元件1000，係於作為穿隧能障層之MgO層1007之成膜後亦即於作為基準層之CoFeB層1008的成膜前進行冷卻為有效。
關於第2實施形態之底部固定構造的MTJ元件，亦未進行升溫程序(步驟S36)之MTJ元件的RA與MR比，係大致重疊於圓形之脫色(○)的點。亦即，關於底部固定構造之MTJ元件，亦RA(面電阻)與MR比，係受冷卻程序(步驟S34)巨大影響。確認了為了製造元件特性良好之MTJ元件2000，係於作為穿隧能障層之MgO層2008的成膜後亦即於作為自由層之CoFeB層2009的成膜前進行冷卻為有效。
圖7係就本實施形態相關之成膜方法之中冷卻程序的效果作繪示之圖，係就在MTJ元件之相對於作為基準層之CoFeB層中的B含有率(含硼率)之MR比的圖表作繪示之圖。在此處係將作為基準層之CoFeB層1008中的B含有率變更成各式各樣，進行MR比之測定。圖7之橫軸係作為基準層1008的CoFeB層中之B含 有率(at%)，縱軸係MR比(%)。
在圖7中，三角形之塗色(▲)係不進行冷卻而進行成膜之MTJ元件的測定結果，三角形之脫色(△)係於MgO層1007之成膜後，亦即於作為基準層之CoFeB層1008的成膜前進行冷卻而進行成膜之MTJ元件的測定結果。任一個測定結果相關之MTJ元件皆係依圖5的流程圖而製造者，任一者皆未進行升溫程序(步驟S16)。以三角形之塗色(▲)表示之MTJ元件、以三角形之脫色(△)表示之MTJ元件係僅冷卻程序(步驟S14)的有無有異。另外，升溫程序(步驟S16)之有無係對於MR比無巨大影響，故以進行升溫程序之本實施形態的製造方法而製造之MTJ元件的測定結果，係與圖7中之進行冷卻程序的成膜方法之測定結果大致相同。
依圖7，得知進行冷卻程序之成膜方法的測定結果(三角形之脫色(△))，係於任一B含有率皆比如歷來不進行冷卻之情況下的測定結果(三角形之塗色(▲))實現高MR比。尤其，使作為基準層之CoFeB層1008中的B含有率為15at%以下時，與不進行冷卻之情況比較下MR比顯著變高故較佳。
此外，如從圖7之圖表明白，於如歷來不進行冷卻之情況下的測定結果(三角形之塗色(▲))，係於B含有率為約20%時獲得最大之MR比。為此，在歷來係一般而言使CoFeB層之B含有率為約20%(例如，Co：Fe：B=20：60：20)。相對於此，於進行冷卻程序 之成膜方法的測定結果(三角形之脫色(△))，係B含有率越低MR比變越大。為此，依本實施形態相關之成膜方法，即可邊維持高MR比亦邊比歷來將B含有率設定為低，作為基準層之CoFeB層1008的組成之自由度為高。
已知基準層具有非晶相，使得可提升MR比。然而，歷來為了使CoFeB層為非晶相，係需要將B既定之比例(如上述約20%)作添加。相對於此，於本實施形態相關之成膜方法以比歷來低之B含有率實現高MR比，係可想作於穿隧能障層成膜後亦即於基準層成膜前進行冷卻，使得可容易於基準層中形成非晶相之故。
亦即，藉本實施形態相關之成膜方法的冷卻程序，使得於低B含有率仍成為基準層具有非晶相，實現高MR比。此外，關於底部固定構造之MTJ元件，亦藉於MgO層2008之成膜後亦即於作為自由層之CoFeB層2009的成膜前進行冷卻，使得可製造具有高MR比之MTJ元件2000。
圖8，係以本實施形態相關之成膜方法而製造的MTJ元件之磁阻曲線。供於測定之MTJ元件，係比較測定以本實施形態相關之成膜方法而製造之(進行升溫程序)MTJ元件(四角形的塗色(■))、及依圖5之流程圖而製造者惟未進行升溫程序之MTJ元件(圓形之塗色(●))的2種類之MTJ元件。橫軸係縱向之磁場強度的方向與強度，一400(Oe)係向下(基準層之磁化方向)、400(Oe)之強度的磁場，400(Oe)係表示向上 (與基準層之磁化方向反向)。縱軸係電阻值。縱軸之電阻值係比例於MR比之值。
未進行升溫程序(步驟S16)之MTJ元件(在圖中圓形之點)，係在80(Oe)自由層之磁化反轉，在280(Oe)基準層之磁化反轉。另一方面，未進行升溫程序(步驟S16)之MTJ元件(在圖中四角之點)，係在80(Oe)自由層之磁化反轉，在320(Oe)基準層之磁化反轉。亦即，得知進行升溫程序之MTJ元件的基準層係對於磁場之阻抗高，難以引起磁矩翻轉。
依本實施形態之製造方法，即可製造具有比歷來高之MR比，同時基準層之垂直磁各向異性不降低，可抑制MR比之降低的磁阻效應元件。此外，藉本實施形態之製造方法而製造之磁阻效應元件，係具有比歷來高之MR比，同時抑制基準層之熱擾抗性的降低，故可於讀寫時，防止基準層之非意圖的磁矩翻轉之發生。
(第2實施形態)
第1實施形態相關之MTJ元件1000，係於穿隧能障層1007之上具有基準層1008之構造(頂部固定構造)，惟亦可對於在穿隧能障層上具有自由層之構造(底部固定構造)，應用本發明。圖10，係就作為底部固定構造之MTJ元件的例之示於圖9的MTJ元件2000之成膜方法的流程圖作繪示之圖。
於既定之基板處理腔室搬入基板後(步驟 S31)，在下層成膜程序(步驟S32)成膜至作為基準層之CoFeB層2007。亦即，於MTJ元件2000之製程，在下層成膜程序(步驟S32)係於基板1001上，成膜下部電極2002、Ta晶種層2003、Ru層2004、積層體2005(固定層)、Ta層2006、及作為基準層之CoFeB層2007。如此，在本實施形態係比穿隧能障層(MgO層)之前成膜積層體(固定層)。
於下層成膜程序(步驟S32)之後在第1程序(步驟S33)，於作為基準層之CoFeB層2007上，成膜作為穿隧能障層之MgO層2008。然後進行第2程序(冷卻程序：步驟S34)，在第3程序(步驟S35)於MgO層2008上成膜作為自由層之CoFeB層2009。於第3程序(步驟S35)後進行第4程序(升溫程序：步驟S36)，在第5程序(步驟S37)於CoFeB層2009上成膜Ta覆蓋層2010與上部電極2011。然後，結束成膜(步驟S38)，搬出基板(步驟S39)。
本發明相關之成膜方法，係可應用於頂部固定構造與底部固定構造之任一者，形成自由層及基準層的一方，於自由層及基準層之一方上形成穿隧能障層，進行冷卻，於穿隧能障層之上形成自由層及基準層的另一方，進一步進行升溫者。
依本發明之製造方法(成膜方法)，即可製造具有比歷來高之MR比的磁阻效應元件。此外，依本實施形態之製造方法，使得升溫處理後之基板係成為超過露 點溫度的溫度，故可抑制水分等之附著。此處之露點溫度，係指水分開始結露之溫度，水分在超過露點溫度之溫度係不會結露於基板。尤其，基板係在超過露點溫度之溫度下從基板處理系統1搬出，故可抑制於從基板處理系統1搬出時往基板之結露。
此外，在依本發明之製造方法而製造的頂部固定構造之磁阻效應元件，係具有比歷來高之MR比，同時抑制基準層之熱擾抗性的降低，故可於讀寫時，防止基準層之非意圖的磁矩翻轉之發生。
本發明，係不限定於上述之實施形態，於不脫離本發明的趣旨之範圍可適當變更。上述之各實施形態係作為應用於在MRAM所採用之MTJ元件(TMR元件)的製造者而進行說明，惟同樣之冷卻方法、升溫方法及成膜方法可應用於其他MTJ元件之製造。
在上述之各實施形態係將重力方向作為上下方向而進行說明，惟構成裝置之方向係任意。例如，於將上述的各實施形態相關之基板冷卻裝置90度放倒而設(亦即，基板S之表面沿著重力方向而固定)情況下，上述之各實施形態下的上下方向，係換成相對於重力方向而垂直之方向即可。

Claims (7)

  1. 一種磁阻效應元件之製造方法，特徵在於：具備：於在表面形成磁化自由層及磁化固定層之一方的基板上形成穿隧能障層之第1程序；於前述第1程序後，冷卻前述基板之第2程序；於前述第2程序後，於前述穿隧能障層上形成前述磁化自由層及前述磁化固定層的另一方之第3程序；及於前述第3程序後，升溫前述基板之第4程序。
  2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中，前述第4程序，係將前述基板升溫至超過露點溫度之溫度者。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其具備於前述第4程序後，成膜固定(pin)層之程序。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其具備於比前述第1程序之前，成膜固定層之程序。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中，前述第2程序，係將前述基板冷卻至200K以下的溫度者。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中，前述磁化自由層及前述磁化固定層係任一者皆為CoFeB層，前述磁化自由層及前述磁化固定層的前述另一方係具有非晶相，前述磁化自由層及前述磁化固定層之前述另一方之中的含硼率係15at%以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中，前述磁阻效應元件，係垂直磁化型MTJ元件。
TW103139786A 2013-11-18 2014-11-17 Method for manufacturing magnetoresistance effect elements TWI573303B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013237543 2013-11-18
JP2014082914 2014-04-14
JP2014128811 2014-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201528568A TW201528568A (zh) 2015-07-16
TWI573303B true TWI573303B (zh) 2017-03-01

Family

ID=53057090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103139786A TWI573303B (zh) 2013-11-18 2014-11-17 Method for manufacturing magnetoresistance effect elements

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10153426B2 (zh)
JP (1) JP6077133B2 (zh)
TW (1) TWI573303B (zh)
WO (1) WO2015072140A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015072140A1 (ja) 2013-11-18 2015-05-21 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP2016134510A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 東京エレクトロン株式会社 垂直磁化型磁気トンネル接合素子を形成する方法、及び垂直磁化型磁気トンネル接合素子の製造装置
SG11201601116UA (en) 2015-02-02 2016-09-29 Canon Anelva Corp Method of manufacturing perpendicular mtj device
KR101800237B1 (ko) 2015-05-22 2017-11-22 캐논 아네르바 가부시키가이샤 자기저항 효과 소자
US11522126B2 (en) * 2019-10-14 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Magnetic tunnel junctions with protection layers
JP7492831B2 (ja) * 2020-01-06 2024-05-30 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201135845A (en) * 2009-10-09 2011-10-16 Canon Anelva Corp Acuum heating and cooling apparatus
TW201145631A (en) * 2009-12-28 2011-12-16 Canon Anelva Corp Method for manufacturing a magnetoresistive element
TWI371035B (en) * 2004-11-10 2012-08-21 Ibm Magnetic tunnel junctions magnetoresistive structures using amorphous materials as reference and free layers and methods making the same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203702A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Sony Corp 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
JP2006286669A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tdk Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法
US20080246104A1 (en) * 2007-02-12 2008-10-09 Yadav Technology High Capacity Low Cost Multi-State Magnetic Memory
US7790294B2 (en) * 2006-07-05 2010-09-07 Lockheed Martin Corporation System, method, and apparatus for three-dimensional woven metal preform structural joint
JP2008098523A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
JP2009081315A (ja) 2007-09-26 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
WO2009110469A1 (ja) * 2008-03-03 2009-09-11 キヤノンアネルバ株式会社 磁気トンネル接合デバイスの製造方法及び磁気トンネル接合デバイスの製造装置
JP2010109319A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Anelva Corp 磁気抵抗素子の製造法および記憶媒体
JP5588642B2 (ja) * 2009-09-02 2014-09-10 エイチジーエスティーネザーランドビーブイ トンネル接合型磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法
KR101487635B1 (ko) * 2010-12-22 2015-01-29 가부시키가이샤 아루박 터널 자기 저항 소자의 제조 방법
US20130021670A1 (en) * 2011-07-23 2013-01-24 Innovation & Infinity Global Corp. Conductive film
US9142226B2 (en) * 2012-06-29 2015-09-22 Seagate Technology Llc Thin film with tuned grain size
KR101743498B1 (ko) 2012-12-20 2017-06-05 캐논 아네르바 가부시키가이샤 자기저항 효과 소자의 제조 방법
WO2015072140A1 (ja) 2013-11-18 2015-05-21 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI371035B (en) * 2004-11-10 2012-08-21 Ibm Magnetic tunnel junctions magnetoresistive structures using amorphous materials as reference and free layers and methods making the same
TW201135845A (en) * 2009-10-09 2011-10-16 Canon Anelva Corp Acuum heating and cooling apparatus
TW201145631A (en) * 2009-12-28 2011-12-16 Canon Anelva Corp Method for manufacturing a magnetoresistive element

Also Published As

Publication number Publication date
JP6077133B2 (ja) 2017-02-08
US10153426B2 (en) 2018-12-11
JPWO2015072140A1 (ja) 2017-03-16
TW201528568A (zh) 2015-07-16
WO2015072140A1 (ja) 2015-05-21
US20160240772A1 (en) 2016-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI573303B (zh) Method for manufacturing magnetoresistance effect elements
US8837924B2 (en) Vacuum heating/cooling apparatus and manufacturing method of magnetoresistance element
TWI632711B (zh) Magnetoresistance effect element
TWI644461B (zh) 磁阻效應元件的製造方法
US8993351B2 (en) Method of manufacturing tunneling magnetoresistive element
CN103296199A (zh) 利用加热和冷却制造磁阻结构的方法
TWI673891B (zh) 氧化處理裝置、氧化方法、及電子裝置的製造方法
US20160069613A1 (en) High capacity magnetic annealing system and method of operating
JP5707422B2 (ja) 真空下で基板を急速に加熱および冷却して次いで即座に基板をコーティングする方法および装置
TWI384472B (zh) 濺鍍裝置及成膜方法
JP5999543B2 (ja) トンネル磁気抵抗素子の製造方法
JPWO2009157064A1 (ja) トンネル磁気抵抗素子の製造方法および製造装置
TWI387966B (zh) 製造磁阻效應元件的方法
KR20160111003A (ko) 워크피스의 에칭­후 어닐링을 수행하는 방법 및 시스템
JP5689932B2 (ja) トンネル磁気抵抗素子の製造方法
CN109728157A (zh) 一种半金属外延磁隧道结的生长方法
US9842678B2 (en) MnBi magnetic material
JP2020519032A (ja) 設置面積を減少した製造環境のための垂直マルチ・バッチ磁気アニールシステム
US11156678B2 (en) Magnetic field sensor using in situ solid source graphene and graphene induced anti-ferromagnetic coupling and spin filtering
TW201531579A (zh) 磁阻效應元件之製造方法
JP3551134B2 (ja) 磁気トンネル効果素子の製造方法
JP2006245146A (ja) 磁気抵抗効果素子、及び磁気抵抗効果素子の製造方法