TW201704892A - 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法 - Google Patents

曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法 Download PDF

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Abstract

本發明之液晶曝光裝置(10)，係透過透過投影光學系(40)對基板(P)射出來自照明系(20)之光(IL)，並相對基板(P)將照明系(20)及投影光學系(40)驅動於掃描方向進行掃描曝光，以將既定圖案形成於基板(P)上，其具備取得與用以將照明系(20)及投影光學系(40)驅動於掃描方向之位置相關之資訊的取得部、以及於掃描曝光中根據資訊控制投影光學系(40)以使照明系(20)及投影光學系(40)之位置關係之變化在既定範圍內的控制系。

Description

曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法
本發明係關於曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法及曝光方法，詳言之，係關於藉由對物體進行將能量束掃描於既定掃描方向之掃描曝光，將既定圖案形成在物體上之曝光裝置及方法、以及包含前述曝光裝置或方法之平面顯示器或元件之製造方法。
一直以來，於製造液晶顯示元件、半導體元件(積體電路等)等電子元件(微元件)之微影製程，係使用曝光裝置，此曝光裝置使用能量束將形成在光罩或標線片(以下，統稱為「光罩」)之圖案轉印至玻璃板或晶圓(以下，統稱為「基板」)上。
作為此種曝光裝置，已知有一種在使光罩與基板實質靜止之狀態下，將曝光用照明光(能量束)掃描於既定掃描方向，據以在基板上形成既定圖案之線束掃描式的掃描曝光裝置(例如參照專利文獻1)。
上述專利文獻1記載之曝光裝置，為修正基板上之曝光對象區域與光罩之位置誤差，係一邊使投影光學系往與曝光時之掃描方向相反方向移動、一邊透過投影光學系以對準顯微鏡進行基板上及光罩上之標記 之測量(對準測量)，根據該測量結果修正基板與光罩之位置誤差。此時，有可能因在對準測量中使投影光學系與對準顯微鏡移動，使得因相對位置產生變動而導致對準測量經度惡化。
先行技術文獻
[專利文獻1]日本特開2000-12422號公報
本發明在上述情事下完成，其第1觀點之第1曝光裝置，係透過投影光學系對物體射出來自照明系之光，並相對該物體將該照明系及該投影光學系驅動於掃描方向進行掃描曝光，以將既定圖案形成在該物體上，其具備：取得部，係取得用以將該照明系及該投影光學系往該掃描方向驅動之位置的資訊；以及控制系，於該掃描曝光中，根據該資訊控制該投影光學系以使該照明系及該投影光學系之位置關係之變化在既定範圍內。
本發明第2觀點之第2曝光裝置，係藉由相對物體將能量束掃描於掃描方向之掃描曝光動作，將圖案形成在該物體上，其具備：第1標記檢測系，被設置成能於該掃描方向移動，可檢測具有該圖案之圖案保持體所具有之圖案側標記；第1驅動系，係將該第1標記檢測系驅動於該掃描方向；第2標記檢測系，被設置成能於該掃描方向移動，可檢測設於該物體之物體側標記；第2驅動系，係將該第2標記檢測系驅動於該掃描方向；以及控制裝置，係根據該第1及第2標記檢測系之輸出，進行該圖 案保持體與該物體之相對的位置對準；構成該第1驅動系之要素與構成該第2驅動系之要素，至少一部分係共通。
本發明第3觀點之平面顯示器之製造方法，其包含使用本發明之第1或第2曝光裝置使該物體曝光的動作，以及使曝光後之該物體顯影的動作。
本發明第4觀點之元件製造方法，其包含使用本發明之第1或第2曝光裝置使該物體曝光的動作，以及使曝光後之該物體顯影的動作。
本發明第5觀點之第1曝光方法，係透過投影光學系對物體射出來自照明系之光，並相對該物體將該照明系及該投影光學系驅動於掃描方向進行掃描曝光，以將既定圖案形成在該物體上，其包含：使用取得部取得與用以將該照明系及該投影光學系往該掃描方向驅動之位置相關之資訊的動作；於該掃描曝光中，以根據該資訊使該照明系及該投影光學系之位置關係之變化在既定範圍內之方式控制該投影光學系的動作。
本發明第6觀點之第2曝光方法，係藉由相對物體將能量束掃描於掃描方向之掃描曝光動作，將圖案形成在該物體上，其包含：使用設置成能於該掃描方向移動之第1標記檢測系，檢測具有該圖案之圖案保持體所具有之圖案側標記的動作；使用第1驅動系將該第1標記檢測系驅動於該掃描方向的動作；使用設置成能於該掃描方向移動之第2標記檢測系，檢測設於該物體之物體側標記的動作；使用第2驅動系將該第2標記檢測系驅動於該掃描方向的動作；以及根據該第1及第2標記檢測系之輸出，進行該圖案保持體與該物體之相對的位置對準的動作；構成該第1驅動系之要素與構成該第2驅動系之要素，至少一部分係共通。
本發明第7觀點之平面顯示器之製造方法，其包含使用本發明之第1或第2曝光方法使該物體曝光的動作，以及使曝光後之該物體顯影的動作。
本發明第8觀點之元件製造方法，其包含使用本發明第1或第2曝光方法使該物體曝光的動作，以及使曝光後之該物體顯影的動作。
10‧‧‧液晶曝光裝置
20‧‧‧照明系
22‧‧‧照明系本體
30‧‧‧光罩載台裝置
32‧‧‧載台本體
40‧‧‧投影光學系
42‧‧‧投影系本體
44‧‧‧驅動系
46‧‧‧測量系
50‧‧‧基板載台裝置
52‧‧‧載台本體
60‧‧‧對準系
62‧‧‧對準顯微鏡
66‧‧‧驅動系
70‧‧‧校準感測器
72‧‧‧基準標記
74‧‧‧標記
78‧‧‧機械塊
80‧‧‧導件
82‧‧‧標尺
84、86‧‧‧讀頭
90‧‧‧主控制裝置
CP‧‧‧以校準感測器進行校準動作之位置(校準位置)
IA‧‧‧曝光區域
IAM‧‧‧照明區域
IL‧‧‧照明光
M‧‧‧光罩
Mk‧‧‧對準標記
P‧‧‧基板
S1~S4‧‧‧照射區域
圖1係一實施形態之液晶曝光裝置的概念圖。
圖2係顯示以圖1之液晶曝光裝置之控制系為中心構成之主控制裝置之輸出入關係的方塊圖。
圖3(a)~圖3(c)係用以說明圖1之液晶曝光裝置所具有之校準感測器之動作的圖。
圖4(a)~圖4(d)係用以說明液晶曝光裝置在曝光動作時之動作的圖(其1~其4)。
圖5係在照明系與投影光學系之校準(calibration)中生成之圖表。
圖6係顯示在照明系與投影光學系之校準中於投影區域內形成之標記像的圖。
圖7係顯示照明系與投影光學系之校準之其他例的圖。
以下，使用圖1~圖4(d)說明一實施形態。
圖1中顯示了一實施形態之液晶曝光裝置10的概念圖。液晶曝光裝置10，係以例如用於液晶顯示裝置(平面顯示器)等之矩形(方 型)之玻璃基板P(以下，僅簡稱基板P)為曝光對象物之步進掃描(step & scan)方式之投影曝光裝置，所謂的掃描機。
液晶曝光裝置10，具有照射作為曝光用能量束之照明光IL的照明系20、與投影光學系40。以下，將與從照明系20透過投影光學系40照射於基板P之照明光IL之光軸平行之方向稱為Z軸方向，並設定在與Z軸正交之平面內彼此正交之X軸及Y軸以進行說明。又，本實施形態之座標系中，Y軸係與重力方向實質平行。因此，XZ平面與水平面實質平行。此外，以繞Z軸之旋轉(傾斜)方向為θ z方向進行說明。
此處，於本實施形態，一片基板P上設定有複數個曝光對象區域(適當的稱區劃區域、或照射(shot)區域來進行說明)，於此等複數個照射區域依序轉印光罩圖案。又，本實施形態，雖係針對基板P上設定有4個區劃區域之情形(所謂取4面之情形)進行說明，但區劃區域之數量不限定於此，可適當變更。
又，於液晶曝光裝置10，雖係進行所謂的步進掃描方式之曝光動作，但於掃描曝光動作時，光罩M及基板P實質為靜止狀態，而照明系20及投影光學系40(照明光IL)相對光罩M及基板P分別於X軸方向(適當的稱掃描方向)以長行程移動(參照圖1之白箭頭)。相對於此，在為了變更曝光對象之區劃區域而進行之步進動作時，光罩M於X軸方向以既定行程步進移動，基板P於Y軸方向以既定行程步進移動(分別參照圖1之黑箭頭)。
圖2中顯示了統籌控制液晶曝光裝置10之構成各部之主控制裝置90之輸出入關係的方塊圖。如圖2所示，液晶曝光裝置10具備照明 系20、光罩載台裝置30、投影光學系40、基板載台裝置50、對準系60等。
照明系20，具備包含照明光IL(參照圖1)之光源(例如，水銀燈)等之照明系本體22。於掃描曝光動作時，由主控制裝置90控制例如包含線性馬達等之驅動系24，據以將照明系本體22於X軸方向以既定長行程掃描驅動。主控制裝置90，透過例如包含線性編碼器等之測量系26求出照明系本體22之X軸方向之位置資訊，根據該位置資訊進行照明系本體22之位置控制。於本實施形態中，作為照明光IL，係使用例如g線、h線、i線等。
光罩載台裝置30具備保持光罩M之載台本體32。載台本體32，可藉由例如包含線性馬達等之驅動系34於X軸方向及Y軸方向適當的步進移動。於X軸方向為變更曝光對象之區劃區域的步進動作時，主控制裝置90藉由控制驅動系34，將載台本體32步進驅動於X軸方向。又，如後所述，於Y軸方向為變更曝光對象之區劃區域內進行掃描曝光之區域(位置)的步進動作時，主控制裝置90藉由控制驅動系34，將載台本體32步進驅動於Y軸方向。驅動系34，能在後述對準動作時將光罩M適當的微幅驅動於XY平面內之3自由度(X、Y、θ z)方向。光罩M之位置資訊，例如以包含線性編碼器等之測量系36加以求出。
投影光學系40，具備包含以等倍系在基板P(參照圖1)上形成光罩圖案之正立正像之光學系等的投影系本體42。投影系本體42配置在基板P與光罩M之間形成之空間內(參照圖1)。於掃描曝光動作時，主控制裝置90藉由例如控制包含線性馬達等之驅動系44，以和照明系本體22同步之方式，於X軸方向以既定長行程掃描驅動投影系本體42。主控制裝 置90，透過例如包含線性編碼器等之測量系46求出投影系本體42於X軸方向之位置資訊，根據該位置資訊進行投影系本體42之位置控制。
回到圖1，於液晶曝光裝置10，當以來自照明系20之照明光IL照明光罩M上之照明區域IAM時，以通過光罩M之照明光IL，透過投影光學系40將該照明區域IAM內之光罩圖案之投影像(部分正立像)，形成在基板P上與照明區域IAM共軛之照明光IL之照射區域(曝光區域IA)。並相對光罩M及基板P，使照明光IL(照明區域IAM及曝光區域IA)相對移動於掃描方向據以進行掃描曝光動作。亦即，於液晶曝光裝置10，係以照明系20及投影光學系40在基板P上生成光罩M之圖案，藉由照明光IL使基板P上之感應層(抗蝕層)之曝光，於基板P上形成該圖案。
此處，於本實施形態，以照明系20在光罩M上生成之照明區域IAM，包含於Y軸方向分離之一對矩形區域。一個矩形區域之Y軸方向長度，係設定為光罩M之圖案面之Y軸方向長度(亦即設定在基板P上之各區劃區域之Y軸方向長度)之例如1/4。又，一對矩形區域間之間隔亦同樣的設定為光罩M之圖案面之Y軸方向長度之例如1/4。因此，生成在基板P上之曝光區域IA，亦同樣的包含於Y軸方向分離之一對矩形區域。本實施形態，為將光罩M之圖案完全地轉印至基板P，雖須針對一區劃區域進行二次掃描曝光動作，但具有可使照明系本體22及投影系本體42小型化之優點。關於掃描曝光動作之具體例，留待後敘。
基板載台裝置50，具被保持基板P之背面(與曝光面相反之面)之載台本體52。回到圖2，於Y軸方向變更曝光對象之區劃區域的步進動作時，主控制裝置90藉由控制例如包含線性馬達等之驅動系54，將 載台本體52往Y軸方向步進驅動。驅動系54，可在後述之基板對準動作時將基板P微幅驅動於XY平面內之3自由度(X、Y、θ z)方向。基板P(載台本體52)之位置資訊，係以例如包含線性編碼器等之測量系56加以求出。
回到圖1，對準系60具備對準顯微鏡62。對準顯微鏡62，被配置在基板P與光罩M之間形成之空間內(於Z軸方向之基板P與光罩M間之位置)，檢測形成在基板P之對準標記Mk(以下，僅稱標記Mk)、及形成在光罩M之標記(未圖示)。本實施形態中，標記Mk在各區劃區域之四個角落附近分別形成有1個(針對1個區劃區域、例如4個)，光罩M之標記，透過投影光學系40形成在與標記Mk對應之位置。又，標記Mk及光罩M之標記之數量、及位置，不限定於此，可適當變更。此外，於各圖面中，為便於理解，標記Mk係顯示的較實際大。
對準顯微鏡62配置在投影系本體42之+X側。對準顯微鏡62具有在Y軸方向分離之一對檢測視野(檢測區域)，可同時檢測一個區劃區域內於Y軸方向分離之例如2個標記Mk。
又，對準顯微鏡62，可同時(換言之，在不改變對準顯微鏡62之位置之情形下)檢測形成在光罩M之標記、與形成在基板P之標記Mk。主控制裝置90，例如在光罩M每次進行X步進動作、或基板P進行Y步進動作時，求出形成在光罩M之標記與形成在基板P之標記Mk之相對位置偏移資訊，並進行基板P與光罩M在沿XY平面之方向之相對的定位，以修正該位置偏移(抵消、或減少)。又，對準顯微鏡62，係由檢測(觀察)光罩M之標記的光罩檢測部、與檢測(觀察)基板P之標記Mk的基板檢測部藉由共通之箱體等一體構成，透過該共通之箱體由驅動系66(參照圖 2)加以驅動。或者，亦可以是光罩檢測部與基板檢測部由個別之箱體等構成，此場合，最好是構成為例如光罩檢測部與基板檢測部可藉由實質共通之驅動系66以同等之動作特性來進行移動。
主控制裝置90(參照圖2)，藉由控制例如包含線性馬達等之驅動系66(參照圖2)，將對準顯微鏡62於X軸方向以既定長行程加以驅動。又，主控制裝置90，透過例如包含線性編碼器等之測量系68求出對準顯微鏡62之X軸方向之位置資訊，根據該位置資訊進行對準顯微鏡62之位置控制。此外，投影系本體42及對準顯微鏡62，其Y軸方向之位置幾乎相同，彼此之可移動範圍部分重複。又，驅動對準顯微鏡62之驅動系66與驅動投影系本體42之驅動系44，關於在X軸方向之驅動，例如係共用線性馬達、線性導件等之一部分，驅動特性、或由主控制裝置90進行之控制特性實質上同等。
主控制裝置90(參照圖2)，使用對準顯微鏡62檢測形成在基板P上之複數個標記Mk，根據該檢測結果(複數個標記Mk之位置資訊)以公知之全晶圓加強型對準(EGA)方式，算出形成有檢測對象之標記Mk之區劃區域之排列資訊(包含與區劃區域之位置(座標值)、形狀等相關之資訊)。
具體而言，具體來說，於掃描曝光動作中，主控制裝置90(參照圖2)，在該掃描曝光動作之前，使用配置在投影系本體42之+X側之對準顯微鏡62，進行至少形成在曝光對象之區劃區域內之例如4個標記Mk之位置檢測，以算出該區劃區域之排列資訊。主控制裝置90，根據所算出之曝光對象之區劃區域之排列資訊，一邊進行基板P在XY平面內之3 自由度方向之精密的定位(基板對準動作)、一邊適當控制照明系20及投影光學系40進行對對象區劃區域之掃描曝光動作(光罩圖案之轉印)。
其次，說明用以求出投影光學系40具有之投影系本體42之位置資訊的測量系46(參照圖2)、及用以求出對準系60具有之對準顯微鏡62之位置資訊的測量系68之具體構成。
如圖3(a)所示，液晶曝光裝置10具有用以將投影系本體42導向掃描方向之導件80。導件80由與掃描方向平行延伸之構件構成。導件80亦具有引導對準顯微鏡62往掃描方向之移動的功能。又，圖3(a)中，導件80雖係圖示在光罩M與基板P之間，但實際上，導件80係於Y軸方向配置在避開照明光IL之光路的位置。
於導件80，固定有至少包含以和掃描方向平行之方向(X軸方向)為週期方向之反射型繞射光柵的標尺82。又，投影系本體42具有與標尺82對向配置之讀頭84。於本實施形態，形成有藉由上述標尺82與讀頭84構成用以求出投影系本體42之位置資訊之測量系46(參照圖2)的編碼器系統。此外，對準顯微鏡62具有與標尺82對向配置之讀頭86。於本實施形態，形成有藉由上述標尺82與讀頭86構成用以求出對準顯微鏡62之位置資訊之測量系68(參照圖2)的編碼器系統。此處，讀頭84、86可分別對標尺82照射編碼器測量用光束，並接收透過標尺82之光束(於標尺82之反射光束)，根據該受光結果輸出對標尺82之相對位置資訊。
如以上所述，於本實施形態，標尺82構成用以求出投影系本體42之位置資訊的測量系46(參照圖2)、亦構成用以求出對準顯微鏡62之位置資訊的測量系68(參照圖2)。亦即，投影系本體42與對準顯微 鏡62係根據以形成在標尺82之繞射光柵所設定之共通的座標系(測長軸)來進行位置控制。又，用以驅動投影系本體42之驅動系44(參照圖2)、及用以驅動對準顯微鏡62之驅動系66(參照圖2)，其要素可一部分共通、亦可以完全獨立之要素構成。
又，構成上述測量系46、68(分別參照圖2)之編碼器系統，可以是測長軸僅為例如X軸方向(掃描方向)之線性(1DOF)編碼器系統、亦可具有多數測長軸。例如，可藉由將讀頭84、86於Y軸方向以既定間隔配置複數個，據以求出投影系本體42、對準顯微鏡62之θ z方向之旋轉量。又，亦可以是於標尺82形成XY2維繞射光柵，於X、Y、θ z方向之3自由度方向具有測長軸之3DOF編碼器系統。再者，亦可作為讀頭84、86使用複數個除繞射光柵之週期方向外亦能進行與標尺面正交之方向之測長之公知的2維讀頭，以求出投影系本體42、對準顯微鏡62之6自由度方向之位置資訊。
回到圖1，校準感測器70係在基板載台裝置50之-X側，與該基板載台裝置50分開獨立配置。校準感測器70之位置係對導件80及標尺82(分別參照圖3(a))固定的。校準感測器70具有複數個基準指標、觀察光學系、及攝影機等(皆未圖示)。主控制裝置90，如圖3(a)所示，透過光罩M及/或投影系本體42就照明系IL、及/或投影系本體42進行公知的校準動作(照度校準、焦點校準等)。
此處，於本實施形態，由於投影系本體42及對準顯微鏡62係被共通之導件80引導，因此在一連串掃描曝光動作(包含對準測量動作)時之移動範圍(移動路徑)是重複(共通)的。校準感測器70被配置成校 準位置設定在投影系本體42及對準顯微鏡62之移動路徑上(為進行掃描曝光之移動路徑之延長線上)。亦即，於液晶曝光裝置10，可在一連串掃描曝光動作時使投影系本體42及對準顯微鏡62分別沿移動路徑移動之途中，進行使用校準感測器70之校準動作。
此處，主控制裝置90，在圖3(a)所示之位置，透過光罩M及投影系本體42(透鏡)，將形成在光罩M之標記與校準感測器70所具有之基準標記72之位置偏移量，根據校準感測器70之輸出加以求出。之後，主控制裝置90，如圖3(b)所示，不移動光罩M而使投影系本體42與對準顯微鏡62往-X方向移動，將對準顯微鏡62配置在光罩M與校準感測器70之間。主控制裝置90並使對準顯微鏡62測量形成在光罩M之標記與基準標記72，根據透過投影系本體42測量之上述位置偏移量與對準顯微鏡62之輸出，進行相對投影系本體42之對準顯微鏡62之校準。
校準感測器70，如圖3(c)所示，具有能檢測形成在投影系本體42之標記74之未圖示的感測器(例如攝影機)。主控制裝置90，於上述校準動作時(參照圖3(a))使用該未圖示之感測器進行標記74之位置檢測。又，在圖3(b)所示之狀態下，主控制裝置90進行對準顯微鏡62之位置檢測。上述基準標記72與校準感測器70所有之感測器之檢測視野之中心間之距離為已知。主控制裝置90，根據在圖3(b)及圖3(c)分別所示狀態下之讀頭84、86之輸出，進行投影系本體42與對準顯微鏡62之位置關係(亦即，依據標尺82之各個座標系之原點)之對應設定。
以下，使用圖4(a)~圖4(d)說明在掃描曝光動作時之液晶曝光裝置10之動作之一例。以下之曝光動作，係在主控制裝置90(圖 4(a)~圖4(d)中未圖示。參照圖2)之管理下進行。
本實施形態中，曝光順序最先之區劃區域(以下，稱第1照射區域S1)係設定在基板P之-X側且-Y側。又，圖3(a)~圖4(c)中，賦予符號A之矩形區域係表示掃描曝光動作時之投影系本體42之移動範圍(移動路徑)，符號CP所示之矩形區域表示以校準感測器70(參照圖1)進行校準動作之位置(校準位置)。投影系本體42之移動範圍A係以例如機械方式及/或電性方式設定。又，賦予在基板P上之區劃區域之符號S2~S4，係代表各自之曝光順序為第2~4個之照射區域。
主控制裝置90在一連串掃描曝光動作之開始前，先進行使用校準感測器70之關於照明系IL及/或投影系本體42之校準動作(照度校準、焦點校準等)(參照圖3(a))。
又，主控制裝置90，與上述校準動作一起，使用校準感測器70求出對準顯微鏡62及投影系本體42各自之位置資訊(分別參照圖3(b)及圖3(c))，將兩者之位置關係予以對應設定。在以下之一連串掃描曝光動作時之對準顯微鏡62及投影系本體42之位置，係根據此時求出之對準顯微鏡62及投影系本體42彼此之位置關係加以控制。
主控制裝置90，如圖4(a)所示，將對準顯微鏡62驅動於+X方向，檢測形成在第1照射區域S1內及第4照射區域S4(第1照射區域S1之+X側之區劃區域)內之例如8個標記Mk，根據此檢測結果求出第1照射區域S1之排列資訊。如此，藉由根據8個標記Mk求出第1照射區域S1之排列資訊，與僅根據設在第1照射區域S1之4個標記Mk求出排列資訊相較，可求出考慮了更廣範圍之統計上傾向之排列資訊，而提升關於第1 照射區域S1之對準精度。又，考慮所需之對準精度，適當的僅使用第1照射區域S1內之4個標記Mk來求出第1照射區域S1之排列資訊亦是可以的。
算出第1照射區域S1之排列資訊後，主控制裝置90，如圖4(b)所示，將投影系本體42與照明系20之照明系本體22(圖4(b)中未圖示，參照圖1)同步驅動於+X方向，以進行對第1照射區域S1之第1次掃描曝光。
主控制裝置90，一邊反映上述排列資訊之算出結果進行基板P之微小位置控制、一邊控制照明系20透過光罩M(圖4(b)中未圖示，參照圖1)及投影系本體42將照明光IL投射於基板P上，以該照明光IL在基板P上生成之曝光區域IA內形成光罩圖案之一部分。如上所述，本實施形態中，由於光罩M上生成之照明區域IAM(參照圖1)、及基板P上生成之曝光區域IA，係於Y軸方向分離之一對矩形區域，因此以一次掃描曝光動作轉印至基板P之光罩M之圖案像，是形成在於Y軸方向分離之一對延伸於X軸方向之帶狀區域(一個區劃區域之全面積中之一半面積)內。
接著，主控制裝置90，為進行第1照射區域S1之第2次掃描曝光動作，如圖4(c)所示，使基板P及光罩M往-Y方向步進移動(參照圖4(c)之黑箭頭)。此時之基板P之步進移動量係一個區劃區域於Y軸方向之長度之例如1/4之長度。此時，在基板P與光罩M往-Y方向之步進移動中，最好是能以基板P與光罩M之相對位置關係不會變化之方式(或、以可修正該相對位置關係之方式)使其步進移動較佳。
以下，如圖4(d)所示，主控制裝置90將投影系本體42驅動於-X方向以進行第1照射區域S1之第2次(復路)之掃描曝光動作。 據此，以第1次掃描曝光動作轉印之光罩圖案、與以第2次掃描曝光動作轉印之光罩圖案即在第1照射區域S1內被接合，光罩M之圖案全體被轉印至第1照射區域S1。又，亦可如圖4(c)所示的在使基板P及光罩M往-Y方向步進移動後，至第2次掃描曝光開始前，再次進行基板P與光罩M之對準測量，根據該結果進行彼此之位置對準。如此，能提升第1照射區域S1全體之對準精度、進而提升對第1照射區域S1之光罩M之圖案之轉印精度。
以下，雖未圖示，但主控制裝置90為對第2照射區域S2(第1照射區域S1之+Y側之區劃區域)進行掃描曝光動作，使基板P往-Y方向步進移動以使第2照射區域S2與光罩M對向。對第2照射區域S2之掃描曝光動作，因於上述對第1照射區域S1之掃描曝光動作相同，故省略其說明。以下，主控制裝置90，一邊適當地進行光罩M之X步進動作與基板P之Y步進動作中之至少一方、一邊進行對第3及第4照射區域S3、S4之掃描曝光動作。又，亦可在對第2~第4照射區域S2~S4進行掃描曝光動作之前亦使用校準感測器70求出上述對準顯微鏡62、及投影系本體42之位置關係。此外，亦可在進行對第4照射區域S4之對準時，利用上述第1照射區域S1之對準測量結果(EGA計算之結果)。此場合，在使第4照射區域S4與光罩M對向配置時，僅需根據光罩M之標記與基板P之標記Mk之各2點之標記，測量XY平面內之3自由度(X、Y、θ z)方向之位置偏移，可實質縮短第4照射區域S4之對準所需之時間。
此處，如上所述的於掃描曝光動作中，主控制裝置90係使照明系本體22與投影系本體42獨立且同步於掃描方向以長行程移動，因此 於掃描曝光動作之開始前，就照明系本體22與投影系本體42於掃描方向之相對位置進行位置對準(校準)動作。校準動作中，主控制裝置90，如圖3(c)所示，使用形成在投影系本體42之標記74將投影系本體42定位在既定位置(透過投影系本體42形成之像在校準感測器70上成像之位置)後，一邊使照明系本體22往掃描方向移動、一邊對既定之校準用標記(未圖示)照射照明光IL，使該標記之像透過投影系本體42(投影透鏡)成像在校準感測器70上(參照圖3(a))。作為校準用之標記，可使用例如狹縫狀標記、具有週期性圖案之標記等。又，校準用之標記可形成在光罩M、亦可形成在光罩M以外之構件(例如，校準專用之構件)。
作為校準用標記使用狹縫狀之標記時，從校準感測器70之輸出，例如可獲得如圖5所示之圖表。圖5之圖表中，縱軸代表照明光IL之光強度、橫軸代表照明系本體22之X軸方向之位置。主控制裝置90，從圖5所示之圖表取得對應光強度峰值近旁之X位置之資訊，進行照明系本體22之定位。資訊，係照明系本體22之X位置的資訊、照明系本體22相對投影系本體42之X位置的資訊、照明系本體22與投影系本體42之X位置之差相關的資訊、將照明系本體22之位置對齊與投影系本體42之X位置的位置修正資訊等。於以下之掃描曝光動作時，進行投影系本體42與照明系本體22之位置控制，以大致維持上述定位結束時之投影系本體42與照明系本體22之相對位置關係。又，於本校準動作，投影系本體42與照明系本體22之相對位置關係可以不嚴謹的再現，只要是峰值時之光強度大致能維持(獲得所欲之光強度)之範圍內的話，投影系本體42與照明系本體22之相對位置關係之微小的位置偏差是被容許的。
又，與上述校準時之相對定位動作同樣的，於掃描曝光動作時，照明系本體22與投影系本體42無須嚴謹的同步(同速度且同方向)移動，可容許既定之相對位置誤差。亦即，假設在掃描曝光動作中照明系本體22與投影系本體42之相對位置產生偏差時，雖然用以在基板P上形成光罩圖案之像之投影系本體42(投影透鏡)之成像特性會產生變化，但只要不會因此成像特性之變化而產生光罩圖案之像崩壞的話，此成像特性之變化不會對圖案彼此之重疊精度產生影響而被容許的。圖6中，顯示了被投影在以投影系本體42形成之投影區域IA(像場、image field)內的校準用標記。如圖6所示，即使投影系本體42之成像特性產生變化，而使在該變化前後(參照圖6之箭頭)形成在像場內之校準用標記之像產生位置偏差，只要實際上不會產將光罩圖案轉印至基板P時之像崩壞的話，可將該成像特性之變化範圍視為容許範圍，因此，在掃描曝光動作時之照明系本體22與投影系本體42之微小的相對位置誤差是被容許的。
又，主控制裝置90，與上述照明系本體22與投影系本體42之校準動作(相對位置對準動作)一起，進行投影系本體42之波形像差修正、也就是進行成像性能之修正。主控制裝置90，在照明系本體22與投影系本體42之相對位置對準結束的狀態(亦即圖5之圖表中光強度成峰值的狀態)，使用冊尼克(Zernike)多項式求出投影系本體42之波形像差。又，波形像差之測量方法並無特別限定，例如可使光罩M所具有之波形像差測量用標記來進行測量，亦可使用謝克哈特曼(Shack-Hartmann)型波面感測器等。主控制裝置90，使用投影系本體42(投影透鏡)所具有之修正光學系(未圖示)修正上述像差。又，於本實施形態，雖係測量並修正波形像 差，但亦可測量並修正其他像差(例如，賽得(Seidel)像差)。
又，調整(進行位置對準)照明系本體22與投影系本體42之相對位置關係之校準手法，不限於上述，可適當變更。亦即，如上所述，由於照明系本體22與投影系本體42係容許微小的位置偏差，因此，有時兩者之定位精度是可比較粗造的。從而，如圖7所示，藉由使照明系本體22及投影系本體42分別抵接(參照圖7之白箭頭)於定位用之固定構件機械塊(Mechenical block)78，亦能以機械方式進行照明系本體22與投影系本體42之校準(位置對準)。
進行上述校準動作之時機並無特別限定，可以是例如依據基板P之處理片數以既定時機進行，或者亦可以是依據照明系本體22、投影系本體42之總移動距離進行。又，亦可在曝光裝置10內設置温度感測器，在有可能產生因温度變化引起之照明系本體22、投影系本體42之位置測量誤差時，進行校準。
根據以上說明之一實施形態之液晶曝光裝置10，由於檢測光罩M上之標記的檢測系、與檢測基板P上之標記Mk的檢測系係使用於掃描方向實質上共通的驅動系來移動，因此能提升在如本實施形態之液晶曝光裝置10般之光束掃描式之掃描曝光裝置的對準測量精度。
又，由於投影系本體42與對準顯微鏡62亦係使用於掃描方向實質上共通的驅動系來移動，因此能提升基於對準顯微鏡62之對準測量結果的曝光精度。
又，由於校準感測器70之校準位置係設在對準顯微鏡62及投影系本體42之移動路徑上(參照圖4(a)~圖4(d))，因此能抑制進行、 校準動作所產生的時間損失(亦即生產時間的降低)。
又，以上說明之一實施形態之構成可適當變更。例如校準感測器70(校準位置)可在基板載台裝置50之-X側亦加以設置。
又，上述實施形態中，投影系本體42及對準顯微鏡62之位置資訊，雖係藉由以標尺82定義座標系之編碼器系統加以求出，但測量系之構成不限於此，亦可使用例如光干涉儀係統等之其他測量系統。
又，上述實施形態中，雖係於投影系本體42之+X側配置了具有一對檢測視野的一組對準顯微鏡62，但對準顯微鏡之數量不限定於此。例如，對準顯微鏡可以是二組，亦可以是在例如投影系本體42之X側及-X側(掃描方向之一側及另一側)分別配置對準顯微鏡62。此場合，藉由在對各區劃區域之第2次掃描曝光動作(亦即，使投影系本體42往-X方向移動來進行之掃描曝光動作)之前，使用-X側之對準顯微鏡62檢測標記Mk，即能在抑制時間上損失之同時提升第1照射區域S1全體之對準精度、進而提升對第1照射區域S1之光罩M之圖案之轉印精度。
又，上述實施形態中，雖係在第1照射區域S1之掃描曝光後，進行設定在該第1照射區域S1之+Y(上)側之第2照射區域S2之掃描曝光，但不限於此，亦可在第1照射區域S1之掃描曝光之下一個進行第4照射區域S4之掃描曝光。此場合，例如藉由與第1照射區域S1對向之光罩、與第4照射區域S4對向之光罩(合計2片光罩)之使用，可連續進行第1及第4照射區域S1、S4之掃描曝光。此外，亦在第1照射區域S1之掃描曝光後使光罩M往+X方向步進移動以進行第4照射區域S4之掃描曝光。
又，上述實施形態中，標記Mk雖係形成在各區劃區域(第 1~第4照射區域S1~S4)內，但不限於此，亦可形成在相鄰區劃區域間之區域(所謂之刻劃線)內。
又，於上述實施形態，雖係將於Y軸方向分離之一對照明區域IAM、曝光區域IA分別生成在光罩M、基板P上(參照圖1)，但照明區域IAM及曝光區域IA之形狀、長度不限於此，可適當變更。例如，照明區域IAM、曝光區域IA之Y軸方向長度，可分別與光罩M之圖案面、基板P上之一個區劃區域之Y軸方向長度相等。此場合，對各區劃區域進行一次掃描曝光動作即結束光罩圖案之轉印。或者，照明區域IAM、曝光區域IA，可以是Y軸方向長度分別為光罩M之圖案面、基板P上一個區劃區域之Y軸方向長度之一半的一個區域。此場合，與上述實施形態同樣的，需對一個區劃區域進行二次掃描曝光動作。
又，如上述實施形態般，在為了將一個光罩圖案形成在區劃區域而使投影系本體42往復以進行接合曝光時，可將具有互異之檢測視野之往路用及復路用對準顯微鏡於掃描方向(X方向)配置在投影系本體42之前後。此場合，例如可使用往路用(第1次曝光動作用)之對準顯微鏡檢測區劃區域四角之標記Mk，使用復路用(第2次曝光動作用)之對準顯微鏡檢測接合部近旁之標記Mk。此處，所謂接合部，係指以往路之掃描曝光曝光之區域(圖案轉印之區域)與以復路之掃描曝光曝光之區域(圖案轉印之區域)的接合部分。作為接合部近旁之標記Mk，可預先於基板P形成標記Mk、亦可將曝光完成之圖案作為標記Mk。
又，上述實施形態中，雖亦針對用以驅動照明系20之照明系本體22的驅動系24、用以驅動光罩載台裝置30之載台本體32的驅動系 34、用以驅動投影光學系40之投影系本體42的驅動系44、用以驅動基板載台裝置50之載台本體52的驅動系54、及用以驅動對準系60之對準顯微鏡62的驅動系66(分別參照圖2)，分別包含線性馬達之情形做了說明，但用以驅動上述照明系本體22、載台本體32、投影系本體42、載台本體52、及對準顯微鏡62之致動器種類不限於此，可適當變更，例如可適當使用進給螺桿(滾珠螺桿)裝置、皮帶驅動裝置等之各種致動器。
又，上述實施形態中，雖係針對用以進行照明系20之照明系本體22之位置測量的測量系26、用以進行光罩載台裝置30之載台本體32之位置測量的測量系36、用以進行投影光學系40之投影系本體42之位置測量的測量系46、用以進行基板載台裝置50之載台本體52之位置測量的測量系56、及用以進行對準系60之對準顯微鏡62之位置測量的測量系68(分別參照圖2)，分別包含線性編碼器之情形做了說明，但用以進行上述照明系本體22、載台本體32、投影系本體42、載台本體52及對準顯微鏡62之位置測量之測量系統的種類不限於此，可適當變更，例如可適當使用光干涉儀、或併用線性編碼器與光干涉儀之測量系等的各種測量系統。
又，上述實施形態中，於照明系20使用之光源、及從該光源照射之照明光IL之波長並無特別限定，可以是例如ArF準分子雷射光(波長193nm)、KrF準分子雷射光(波長248nm)等之紫外光、或F2雷射光(波長157nm)等真空紫外光。
又，上述實施形態中，雖係包含光源之照明系本體22被驅動於掃描方向，但不限於此，亦可與例如特開2000-12422號公報所揭示之曝光裝置同樣的，將光源固定，僅使照明光IL掃描於掃描方向。
又，照明區域IAM、曝光區域IA，於上述實施形態中係形成為延伸於Y軸方向之帶狀，但不限於此，可例如美國專利第5,729,331號說明書所揭示，將配置成鋸齒狀之複數個區域加以組合。
又，上述實施形態中，光罩M及基板P雖係配置成與水平面正交(所謂的縱列配置)，但不限於此，亦可將光罩M及基板P配置成與水平面平行。此場合，照明光IL之光軸與重力方向大致平行。
又，雖係在掃描曝光動作時根據對準測量之結果進行基板P之XY平面內之微幅定位，但亦可與此並行，於掃描曝光動作前(或與掃描曝光動作並行)求出基板P之面位置資訊，於掃描曝光動作中進行基板P之面位置控制(所謂的自動對焦控制)。
又，曝光裝置之用途不限於將液晶顯示元件圖案轉印至方型玻璃板之液晶用曝光裝置，亦能廣泛地適用於例如有機EL(Electro-Luminescence)面板製造用之曝光裝置、半導體製造用之曝光裝置、用以製造薄膜磁頭、微機器及DNA晶片等之曝光裝置。此外，不僅是半導體元件等之微元件，亦能適用於為製造於光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置及電子線曝光裝置等使用之光罩或標線片，將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
又，曝光對象之物體不限於玻璃板，亦可以是例如晶圓、陶瓷基板、薄膜構件、或光罩母板等其他物體。此外，在曝光對象物係平面顯示器用基板之情形時，該基板之厚度並無特別限定，亦包含例如片狀物(具可撓性之片狀構件)。又，本實施形態之曝光裝置，在曝光對象物係一邊長度、或對角長在500mm以上之基板時尤為有效。此外，在曝光對象之 基板為具有可撓性之片狀(片材)之情形時，該片材可以是形成為捲筒狀。此場合，無需依賴載台裝置之步進動作，只要使捲筒旋轉(捲繞)即能容易的相對照明區域(照明光)變更(步進移動)曝光對象之區劃區域。
液晶顯示元件(或半導體元件)等之電子元件，係經由進行元件之功能、性能設計的步驟、根據此設計步驟製作光罩(或標線片)的步驟、製作玻璃基板(或晶圓)的步驟、以上述各實施形態之曝光裝置及其曝光方法將光罩(標線片)圖案轉印至玻璃基板的微影步驟、使曝光後之玻璃基板顯影的顯影步驟、將殘存有光阻之部分以外部分之露出構件藉蝕刻加以去除的蝕刻步驟、將蝕刻完成後無需之光阻加以除去的光阻除去步驟、元件組裝步驟、檢査步驟等而被製造。此場合，於微影步驟使用上述實施形態之曝光裝置實施前述曝光方法，於玻璃基板上形成元件圖案，因此能以良好生產性製造高積體度之元件。
產業上之可利用性
如以上之說明，本發明之曝光裝置及方法適於對物體進行掃描曝光。又，本發明之平面顯示器之製造方法適於平面顯示器之生產。此外，本發明之元件製造方法適於微元件之生產。
10‧‧‧液晶曝光裝置
20‧‧‧照明系
22‧‧‧照明系本體
30‧‧‧光罩載台裝置
40‧‧‧投影光學系
42‧‧‧投影系本體
50‧‧‧基板載台裝置
52‧‧‧載台本體
62‧‧‧對準顯微鏡
70‧‧‧校準感測器
IA‧‧‧曝光區域
IAM‧‧‧照明區域
IL‧‧‧照明光
M‧‧‧光罩
Mk‧‧‧對準標記
P‧‧‧基板

Claims (40)

  1. 一種曝光裝置，係透過投影光學系對物體射出來自照明系之光，並相對該物體將該照明系及該投影光學系驅動於掃描方向進行掃描曝光，以將既定圖案形成在該物體上，其具備：取得部，係取得與用以將該照明系及該投影光學系往該掃描方向驅動之位置相關的資訊；以及控制系，於該掃描曝光中，根據該資訊控制該投影光學系以使該照明系及該投影光學系之位置關係之變化在既定範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該既定範圍係根據來自該照明系之光通過該投影光學系內之區域之變化的該投影光學系之成像性能之變化在容許範圍內之範圍。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該既定範圍係根據該成像性能變化之形成在該物體上之既定圖案之像之變化，在該容許範圍內之範圍。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其進一步具備驅動該照明系之第1驅動系、與驅動該投影光學系之第2驅動系；該控制系，係以在該掃描曝光中，該變化在該既定範圍內之方式驅動控制該第1及第2驅動系。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其進一步具備接收通過該投影光學系之光的受光部；該第1驅動系，將來自該照明系之光對該投影光學系之射入位置從第1位置驅動往第2位置； 該取得部根據該光之射入位置在該第1及第2位置時該受光部之受光結果，取得該資訊。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該受光部具有基準標記；並進一步具備檢測該基準標記的標記檢測系、與將該標記檢測系驅動至該基準標記之檢測位置的第3驅動系；該控制系控制該第2及第3驅動系，以透過該基準標記求出該投影光學系與該標記檢測系之相對的第1位置關係。
  7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該標記檢測系具有檢測設在該物體之標記的第1標記檢測系、與檢測設在具有該既定圖案之光罩之標記的第2標記檢測系；該控制系，根據在該第1及第2標記檢測系中之一標記檢測系檢測該基準標記時之該一標記檢測系之檢測結果與另一標記檢測系之檢測結果，求出該第1及第2標記檢測系之相對的第2位置關係。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，構成該第1標記檢測系之要素與構成該第2標記檢測系之要素之至少一部係共通。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之曝光裝置，其中，該控制系係求出該基準標記、與以該投影光學系投影至該受光部之既定標記之投影像之相對的第3位置關係。
  10. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，該控制系求出該投影光學系與該基準標記之相對的第4位置關係，並根據該第2、第3、第4位置關係求出該第1位置關係。
  11. 如申請專利範圍第7至10項中任一項之曝光裝置，其中，該另一 標記檢測系係在該一標記檢測系檢測該基準標記時，檢測設在該光罩上之標記。
  12. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置，其中，該控制系係根據將設在該光罩上之標記以該投影光學系投影之該投影像與該基準標記來求出第3位置關係。
  13. 如申請專利範圍第6至12項中任一項之曝光裝置，其中，該基準標記設在該投影光學系之移動路徑上。
  14. 一種曝光裝置，係藉由相對物體將能量束掃描於掃描方向之掃描曝光動作，將圖案形成在該物體上，其具備：第1標記檢測系，被設置成能於該掃描方向移動，可檢測具有該圖案之圖案保持體所具有之圖案側標記；第1驅動系，係將該第1標記檢測系驅動於該掃描方向；第2標記檢測系，被設置成能於該掃描方向移動，可檢測設於該物體之物體側標記；第2驅動系，係將該第2標記檢測系驅動於該掃描方向；以及控制裝置，係根據該第1及第2標記檢測系之輸出，進行該圖案保持體與該物體之相對的位置對準；構成該第1驅動系之要素與構成該第2驅動系之要素，至少一部分係共通。
  15. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該第1及該第2標記檢測系可同時檢測該圖案側標記與該物體側標記。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之曝光裝置，其中，該投影 光學系之光軸與水平面平行；該物體，係以被該照明光照射之曝光面相對該水平面成正交之狀態配置。
  17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之曝光裝置，其中，該物體係用於平面顯示器裝置之基板。
  18. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中，該基板至少一邊之長度或對角長為500mm以上。
  19. 一種平面顯示器之製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至18項中任一項之曝光裝置使該物體曝光之動作；以及使曝光後之該物體顯影之動作。
  20. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至18項中任一項之曝光裝置使該物體曝光之動作；以及使曝光後之該物體顯影之動作。
  21. 一種曝光方法，係透過投影光學系對物體射出來自照明系之光，並相對該物體將該照明系及該投影光學系驅動於掃描方向進行掃描曝光，以將既定圖案形成在該物體上，其包含：使用取得部取得與用以將該照明系及該投影光學系往該掃描方向驅動之位置相關之資訊的動作；以及於該掃描曝光中，以根據該資訊使該照明系及該投影光學系之位置關係之變化在既定範圍內之方式控制該投影光學系的動作。
  22. 如申請專利範圍第21項之曝光方法，其中，該既定範圍係根據來自該照明系之光通過該投影光學系內之區域之變化的該投影光學系之成像性能之變化在容許範圍內之範圍。
  23. 如申請專利範圍第22項之曝光方法，其中，該既定範圍係根據該成像性能變化之形成在該物體上之既定圖案之像之變化，在該容許範圍內之範圍。
  24. 如申請專利範圍第21至23項中任一項之曝光方法，其進一步包含：使用第1驅動系驅動該照明系的動作；以及使用第2驅動系驅動該投影光學系的動作；該控制，係以在該掃描曝光中，該變化在該既定範圍內之方式驅動控制該第1及第2驅動系。
  25. 如申請專利範圍第24項之曝光方法，其進一步包含：使用受光部接收通過該投影光學系之光的動作；該第1驅動系，將來自該照明系之光對該投影光學系之射入位置從第1位置驅動往第2位置；該取得部根據該光之射入位置在該第1及第2位置時該受光部之受光結果，取得該資訊。
  26. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其中，該受光部具有基準標記；並進一步包含使用標記檢測系檢測該基準標記的動作；以及使用第3驅動系將該標記檢測系驅動至該基準標記之檢測位置的動作；該控制，係控制該第2及第3驅動系，以透過該基準標記求出該投影 光學系與該標記檢測系之相對的第1位置關係。
  27. 如申請專利範圍第26項之曝光方法，其中，該標記檢測系具有檢測設在該物體之標記的第1標記檢測系、與設在具有該既定圖案之光罩之標記的第2標記檢測系；於該控制，根據在該第1及第2標記檢測系中之一標記檢測系檢測該基準標記時之該一標記檢測系之檢測結果與另一標記檢測系之檢測結果，求出該第1及第2標記檢測系之相對的第2位置關係。
  28. 如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，構成該第1標記檢測系之要素與構成該第2標記檢測系之要素，至少一部分係共通。
  29. 如申請專利範圍第27或28項之曝光方法，其中，於該控制，係求出該基準標記、與以該投影光學系投影至該受光部之既定標記之投影像之相對的第3位置關係。
  30. 如申請專利範圍第29項之曝光方法，其中，於該控制，係求出該投影光學系與該基準標記之相對的第4位置關係，並根據該第2、第3、第4位置關係求出該第1位置關係。
  31. 如申請專利範圍第27至30項中任一項之曝光方法，其中，該另一標記檢測系係在該一標記檢測系檢測該基準標記時，檢測設在該光罩上之標記。
  32. 如申請專利範圍第31項之曝光方法，其中，於該控制，係根據將設在該光罩上之標記以該投影光學系投影之該投影像與該基準標記來求出第3位置關係。
  33. 如申請專利範圍第26至32項中任一項之曝光方法，其中，該基準 標記係設在該投影光學系之移動路徑上。
  34. 一種曝光方法，係藉由相對物體將能量束掃描於掃描方向之掃描曝光動作，將圖案形成在該物體上，其包含：使用設置成能於該掃描方向移動之第1標記檢測系，檢測具有該圖案之圖案保持體所具有之圖案側標記的動作；使用第1驅動系將該第1標記檢測系驅動於該掃描方向的動作；使用設置成能於該掃描方向移動之第2標記檢測系，檢測設於該物體之物體側標記的動作；使用第2驅動系將該第2標記檢測系驅動於該掃描方向的動作；以及根據該第1及第2標記檢測系之輸出，進行該圖案保持體與該物體之相對的位置對準的動作；構成該第1驅動系之要素與構成該第2驅動系之要素，至少一部分係共通。
  35. 如申請專利範圍第34項之曝光方法，其中，該第1及該第2標記檢測系可同時檢測該圖案側標記與該物體側標記。
  36. 如申請專利範圍第21至35項中任一項之曝光方法，其中，該投影光學系之光軸與水平面平行；該物體，係以被該照明光照射之曝光面相對該水平面成正交之狀態配置。
  37. 如申請專利範圍第21至36項中任一項之曝光方法，其中，該物體係用於平面顯示器裝置之基板。
  38. 如申請專利範圍第37項之曝光方法，其中，該基板之至少一邊之 長度或對角長為500mm以上。
  39. 一種平面顯示器之製造方法，其包含：使用申請專利範圍第21至38項中任一項之曝光方法使該物體曝光的動作；以及使曝光後之該物體顯影的動作。
  40. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第21至38項中任一項之曝光方法使該物體曝光的動作；以及使曝光後之該物體顯影的動作。
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