TW201729321A - 移動體裝置、曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及測量方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之用以求出能在與XY平面平行之方向移動之基板保持具(36)於Z軸方向之位置資訊的測量系統，具備：與基板保持具(36)對向設置能於Y軸方向與基板保持具(36)同步移動的Y滑件(76)、設在Y滑件(76)的感測器頭(78)、以及控制Y滑件(76)並使用設在基板保持具(36)之延伸於X軸方向的靶(38)藉由感測器頭(78)求出基板保持具(36)於Z軸方向之位置資訊的控制系。

Description

移動體裝置、曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及測量方法
本發明係關於移動體裝置、曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及測量方法。
一直以來，在用以製造液晶顯示元件、半導體元件(積體電路等)等電子元件(微元件)之微影製程中，係使用一邊使光罩(光罩)或標線片(以下，統稱為「光罩」)、與玻璃板或晶圓(以下，統稱為「基板」)沿既定掃描方向同步移動、一邊將形成在光罩之圖案使用能量束轉印至基板上之步進掃描(step & scan)方式之曝光裝置(所謂的掃描步進機(亦稱掃描機)等(例如，參照專利文獻1)。
於此種曝光裝置，為了將形成在光罩之圖案以高解析度成像在基板上，係測量基板之表面位置(例如，基板表面在與水平面交叉之方向之位置資訊)並進行使該基板之表面位置自動地位於投影光學系之焦深內之自動對焦控制。
此時，為確實地進行自動對焦控制，最好是能以高精度測量 基板之表面位置。
先行技術文獻
[專利文獻1]美國專利申請公開第2010/0266961號說明書
本發明第1態樣提供一種移動體裝置，具備：第1移動體，係保持物體，可往第1方向移動；第2移動體，係對向於該第1移動體設置，能往該第1方向移動；以及測量部，具有設在該第1及第2移動體中之一移動體的測量系、與設在另一移動體的被測量系，該測量系對該被測量系照射測量光束以測量該第1移動體於上下方向之位置；該測量部，相對往該第1方向移動之該第1移動體，以對向於該第1移動體之方式使該第2移動體往該第1方向移動，進行測量。
本發明第2態樣提供一種移動體裝置，其具備：第1移動體，係保持物體，可往第1方向移動；第2移動體，係對向於該第1移動體設置，可往該第1方向移動；以及測量部，具有設在該第1及第2移動體中之一移動體的測量系、與設在另一移動體的被測量系，該測量系對該被測量系照射測量光束以測量該第1移動體於上下方向之位置。
本發明第3態樣提供一種曝光裝置，其具備第1態樣之移動體裝置及第2態樣之移動體裝置中之任一種、以及對該第1移動體所保持之物體使用能量束形成既定圖案之圖案形成裝置。
本發明第4態樣提供一種平面顯示器之製造方法，其包含：使用第3態樣之曝光裝置使該物體曝光的動作；以及使曝光後之該物體顯 影的動作。
本發明第5態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第3態樣之曝光裝置使該物體曝光的動作；以及使曝光後之該物體顯影的動作。
本發明第6態樣提供一種測量方法，包含：對設在保持物體可往第1方向移動之第1移動體與和該第1移動體對向設置可往該第1方向移動之第2移動體中之一方的被測量系，從設在該第1移動體與該第2移動體中之另一方的測量系照射測量光束，以測量該第1移動體於上下方向之位置的動作；於該測量動作，係以和往該第1方向移動之該第1移動體對向之方式，該第2移動體相對該第1移動體往該第1方向移動，進行該測量。
10‧‧‧液晶曝光裝置
12‧‧‧照明系
14‧‧‧光罩載台
16‧‧‧投影光學系
18‧‧‧裝置本體
18a‧‧‧上架台部
18b‧‧‧下架台部
18c‧‧‧中架台部
18d‧‧‧防振裝置
20‧‧‧基板載台裝置
22‧‧‧底座
24‧‧‧Y粗動載台
24a‧‧‧Y托架
24b‧‧‧X樑
24c‧‧‧Y致動器
24d‧‧‧線性引導裝置
26‧‧‧X粗動載台
26a‧‧‧X致動器
26b‧‧‧線性引導裝置
28‧‧‧重量抵銷裝置
28a‧‧‧連接裝置
28b‧‧‧空氣軸承
30‧‧‧Y步進導件
30b‧‧‧連接裝置
32‧‧‧微動載台
34‧‧‧球面軸承裝置
36‧‧‧基板保持具
38、138、280、338‧‧‧靶
38a、138a‧‧‧托架
50‧‧‧主控制裝置
56x‧‧‧X音圈馬達馬達
56y‧‧‧Y音圈馬達馬達
56z‧‧‧Z音圈馬達馬達
58‧‧‧基板載台水平面內位置測量系
70、170、270‧‧‧基板載台Z傾斜位置測量系
72a、72b、172a、172b、272a~272d、372a、372b、472a、472b‧‧‧讀頭單元
74‧‧‧Y線性致動器
76‧‧‧Y滑件
78、278‧‧‧感測器頭
80‧‧‧Y滑件位置測量系
340‧‧‧第1標尺板
380‧‧‧標尺板
384x‧‧‧X編碼器讀頭
384y‧‧‧Y編碼器讀頭
AX‧‧‧光軸
F‧‧‧地面
IL‧‧‧照明光
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板
圖1係概略顯示第1實施形態之液晶曝光裝置之構成的圖。
圖2係圖1之A-A線剖面圖。
圖3係圖1之液晶曝光裝置所具備之基板載台Z傾斜位置測量系的概念圖。
圖4係顯示以液晶曝光裝置之控制系為中心構成之主控制裝置之輸出入關係的方塊圖。
圖5係用以說明步進動作時之基板載台裝置及基板載台Z傾斜位置測量系之動作的圖。
圖6(a)及圖6(b)係用以說明曝光動作時之基板載台裝置及基板載台Z傾斜位置測量系之動作的圖(其1及其2)。
圖7係顯示第2實施形態之液晶曝光裝置的圖(剖面圖)。
圖8係用以說明第2實施形態之基板載台Z傾斜位置測量系之動作的圖。
圖9係顯示第3實施形態之液晶曝光裝置的圖(前視圖)。
圖10係第3實施形態之基板載台Z傾斜位置測量系的概念圖。
圖11係顯示第3實施形態之液晶曝光裝置的圖(剖面圖)。
圖12係顯示第4實施形態之液晶曝光裝置的圖(前視圖)。
圖13係第4實施形態之基板位置測量系的概念圖。
圖14係顯示第5實施形態之液晶曝光裝置的圖(剖面圖)。
圖15係第5實施形態之基板位置測量系的概念圖。
圖16(a)及圖16(b)係顯示第6實施形態之基板載台裝置的圖(分別為剖面圖、俯視圖)。
圖17係顯示測量光束在編碼器標尺上之照射點的圖。
《第1實施形態》
以下，針對第1實施形態，使用圖1~圖6(b)加以說明。
圖1中概略的顯示了第1實施形態之液晶曝光裝置10之構成。液晶曝光裝置10，例如係以用於液晶顯示裝置(平面顯示器)等之矩形(方型)玻璃基板P(以下，簡稱為基板P)為曝光對象物之步進掃描方式之投影曝光裝置，所謂的掃描機。
液晶曝光裝置10，具有照明系12、保持形成有電路圖案等之光罩M的光罩載台裝置14、投影光學系16、裝置本體18、保持表面(圖 1中朝向+Z側之面)塗布有光阻劑(感應劑)之基板P的基板載台裝置20、以及此等之控制系等。以下，將曝光時光罩M與基板P相對投影光學系16分別被掃描之方向設為X軸方向、水平面內與X軸正交之方向為Y軸方向、與X軸及Y軸正交之方向為Z軸方向，並將繞X軸、Y軸及Z軸旋轉之方向分別設為θx、θy及θz方向來進行說明。此外，將於X軸、Y軸及Z軸方向之位置分別設為X位置、Y位置及Z位置來進行說明。
照明系12，具有與例如美國專利第5,729,331號說明書等所揭露之照明系相同之構成。照明系12，將從未圖示之光源(水銀燈等)射出之光，分別透過未圖示之反射鏡、分色鏡、遮簾、濾波器、各種透鏡等，作為曝光用照明光(照明光)IL照射於光罩M。照明光IL，係使用例如i線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)等之光(或上述i線、g線、h線之合成光)。
光罩載台14保持有光穿透型之光罩M。主控制裝置50(參照圖4)透過包含線性馬達之光罩載台驅動系52(參照圖4)將光罩載台14(亦即光罩M)相對照明系12(照明光IL)往X軸方向(掃描方向)以既定長行程加以驅動、並微幅驅動於Y軸方向及θz方向。光罩載台14於水平面內之位置資訊，係以包含雷射干涉儀之光罩載台位置測量系54(參照圖4)加以求出。
投影光學系16配置在光罩載台裝置14之下方。投影光學系16，係與例如美國專利第6,552,775號說明書等所揭示之投影光學系具有相同構成之、所謂的多透鏡(multi-lens)投影光學系，具備以例如兩側遠心之等倍系形成正立正像的複數個光學系。從投影光學系16投射向基板P 之照明光IL之光軸AX與Z軸平行。
於液晶曝光裝置10，當以來自照明系12之照明光IL照明位在既定照明區域內之光罩M時，藉由通過光罩M之照明光，透過投影光學系16將該照明區域內之光罩M之投影像(部分正立像)，形成在基板P上之曝光區域。並相對照明區域(照明光IL)使光罩M於掃描方向移動且相對曝光區域(照明光IL)使基板P於掃描方向移動，據以進行基板P上之一個照射(shot)區域之掃描曝光，於該照射區域轉印形成在光罩M之圖案(對應光罩M之掃描範圍之圖案全體)。此處，光罩M上之照明區域與基板P上之曝光區域(照明光之照射區域)，係藉由投影光學系16而彼此成為光學上共軛之關係。
裝置本體18係支承上述光罩載台14及投影光學系16之部分，透過複數個防振裝置18d設置在無塵室之地面F上。裝置本體18，具有與美國專利申請公開第2008/0030702號說明書所揭示之裝置本體相同之構成，具有支承上述投影光學系16之上架台部18a(亦稱光學平台等)、一對下架台部18b(圖1中，因在紙面深度方向重疊，因此一方未圖示。參照圖2)、及一對中架台部18c。
基板載台裝置20，係用以將基板P相對投影光學系16(照明光IL)加以高精度定位之部分，將基板P沿水平面(X軸方向及Y軸方向)以既定之長行程加以驅動、並微幅驅動於6自由度方向。基板載台裝置20之構成雖無特別限定，但以使用例如美國專利申請公開第2008/129762號說明書、或美國專利申請公開第2012/0057140號說明書等所揭示之包含2維粗動載台、與相對該2維粗動載台被微幅驅動之微動載台之所 謂的粗微動構成之載台裝置較佳。
本第1實施形態中之基板載台裝置20，舉一例而言，係具備複數個(本實施形態中為3個)底座22(圖1中於紙面深度方向重疊。參照圖2)、Y粗動載台24、X粗動載台26、重量抵銷裝置28、Y步進導件30、微動載台32、基板保持具36等之粗微動構成的載台裝置。
底座22由延伸於Y軸方向之構件構成，以和裝置本體18在振動上絶緣之狀態設置在地面F上。3個底座22於X軸方向以既定間隔配置(參照圖2)。
Y粗動載台24，如圖2所示，載置在3個底座22上。Y粗動載台24，具有與上述底座22對應之3個Y托架24a、與載置在該3個Y托架24a上之一對(圖2中一方未圖示。參照圖1)X樑24b。Y粗動載台24，透過用以將基板P驅動於6自由度方向之基板載台驅動系56(圖2中未圖示。參照圖4)之一部分的複數個Y致動器24c，在3個底座22上以既定長行程被驅動於Y軸方向。又，Y粗動載台24透過配置在與底座22之間之線性引導裝置24d，被直進引導於Y軸方向。
回到圖1，X粗動載台26被載置在一對X樑24b上。X粗動載台26由俯視(從+Z方向觀察)矩形之板狀構件構成，於中央形成有開口部。X粗動載台26，透過基板載台驅動系56(參照圖4)之一部分之複數個X致動器26a，在Y粗動載台24上以既定長行程被驅動於X軸方向。又，X粗動載台26，透過配置在與Y粗動載台24之間之線性引導裝置26b，被直進引導於X軸方向。又，圖2係顯示X粗動載台26位於+X側之行程終點之狀態的圖。又，X粗動載台26，藉由上述線性引導裝置26b相對Y粗 動載台24往Y軸方向之相對移動受到機械性的限制，而與Y粗動載台24一體的往Y軸方向移動。上述基板載台驅動系56所具有之Y致動器24c(參照圖2)、X致動器26a(參照圖1)，可使用線性馬達、進給螺桿(滾珠螺桿)裝置等。
重量抵銷裝置28，如圖2所示，插入形成在X粗動載台26之開口部內。重量抵銷裝置28亦稱為心柱，從下方支承微動載台32、及包含基板保持具36之系之自重。關於重量抵銷裝置28之詳情，因已揭露於美國專利申請公開第2010/0018950號說明書，因此省略其說明。重量抵銷裝置28，透過複數個連接裝置28a(亦稱撓曲(Flexure)裝置)機械性的連接於X粗動載台26，受X粗動載台26牽引而與X粗動載台26一體的沿XY平面移動。
Y步進導件30，其作為重量抵銷裝置28移動時之平台的部分。Y步進導件30由延伸於X軸方向之構件構成，透過複數個線性引導裝置30a載置在裝置本體18所具有之一對下架台部18b上。Y步進導件30插入Y粗動載台24所具有之一對X樑24b間(參照圖1)、且透過複數個連接裝置30b(圖2中未圖示。參照圖1)機械性的連接於Y粗動載台24。據此，Y步進導件30即與Y粗動載台24一體的往Y軸方向以既定長行程移動。重量抵銷裝置28，透過空氣軸承28b以非接觸狀態載置在Y步進導件30上，在X粗動載台26於Y粗動載台24上僅往X軸方向移動之情形時，係在靜止狀態之Y步進導件30上往X軸方向移動，而在X粗動載台26與Y粗動載台24一體的往Y軸方向移動(亦包含伴隨往X軸方向之移動的情形)情形時，則與Y步進導件30一體的(避免從Y步進導件30脫落) 往Y軸方向移動。
微動載台32由俯視矩形之板狀(或箱形)構件構成，以中央部透過球面軸承裝置34相對XY平面擺動(傾斜動作)自如之狀態，被重量抵銷裝置28從下方以非接觸狀態(可沿XY平面相對移動之狀態)支承。於微動載台32上面固定有基板保持具36，於該基板保持具36上載置基板P。基板保持具36形成為俯視矩形之板狀，以真空吸附方式保持基板P。
微動載台32係上述基板載台驅動系56(圖1及圖2中未圖示。參照圖4)之一部分，透過包含X粗動載台26所具有之固定子與微動載台32所具有之可動子的複數個線性馬達，由主控制裝置50(參照圖4)控制相對X粗動載台26被微幅驅動於6自由度方向。複數個線性馬達，分別包含複數個X音圈馬達馬達56x(圖1中未圖示)、Y音圈馬達馬達56y(圖2中未圖示)、Z音圈馬達馬達56z。又，主控制裝置50，在X粗動載台26沿XY平面以長行程移動時，係藉由上述複數個線性馬達對微動載台32賦予推力，以使微動載台32與X粗動載台26一體的沿XY平面以長行程移動。包含基板載台驅動系56之以上說明之基板載台裝置20之構成(測量系除外)，以揭示於美國專利申請公開第2012/0057140號說明書等。
微動載台32(亦即基板P)之位置測量系，如圖4所示，包含用以求出基板於XY平面內之位置資訊(含θz方向之旋轉量資訊)的基板載台水平面內位置測量系58(以下，稱「水平面內位置測量系58」)、與用以求出基板在與水平面交叉之方向之位置資訊(Z軸方向之位置資訊、θx及θy方向之旋轉量資訊。以下，稱「Z傾斜位置資訊」)的基板載台Z傾 斜位置測量系70(以下，稱「Z傾斜位置測量系70」)。
作為水平面內位置測量系58，雖未圖示，但可採用使用固定在微動載台32、基板保持具36(分別參照圖1)之棒狀反射鏡(與X軸平行延伸之Y棒狀反射鏡、及與Y軸平行延伸之X棒狀反射鏡)的光干涉儀系統等。關於使用光干涉儀系統之位置測量系之詳情，因已揭露於美國專利申請公開第2010/0018950號說明書等，因此省略說明。
Z傾斜位置測量系70，如圖1所示，具有一對讀頭單元(讀頭單元72a、72b)。一讀頭單元72a配置在投影光學系16之+Y側、另一讀頭單元72b配置在投影光學系16之-Y側(參照圖2)。讀頭單元72a、72b，除配置不同外，為實質相同之裝置。
讀頭單元72a、72b，使用基板載台裝置20所具有之一對靶38(target、靶構件)測量基板P之Z傾斜位置資訊。一對靶38中，一配置在基板保持具36之+Y側、另一配置在基板保持具36之-Y側。一對靶38於Y軸方向之間隔，設定為與上述讀頭單元72a、72b之Y軸方向間隔大致相同。
靶38，由圖1及圖2可知，由延伸於X軸方向、且與XY平面平行之板狀(帶狀)構件構成。靶38之上面為反射面。作為靶38，可使用平面鏡等。靶38之X軸方向長度被設定為較基板保持具36(及基板P)之X軸方向長度長，於本實施形態，係設定為基板保持具36之X軸方向長度之1.1~2倍程度。又，靶38之長度亦可較基板保持具36之X軸方向長度短。例如，可對應測量Z傾斜位置資訊之場所及時序，設置複數個較基板保持具36之X軸方向長度短之靶38。
靶38，係以其上面之高度位置(Z軸方向之位置)與載置在基板保持具36上之基板P表面之高度位置大致相同之方式，透過托架38a安裝在基板保持具36之側面。因此，當基板保持具36被驅動於與水平面交叉之方向(往光軸AX方向之移動、及相對水平面傾斜之方向)時，一對靶38即與該基板保持具36一體的往與水平面交叉之方向移動。據此，載置在基板保持具36上之基板P之姿勢變化即反映於靶38之上面(反射面)。又，圖1及圖2中，雖然靶38係安裝在基板保持具36之側面，但只要能反映基板P之姿勢變化的話，靶38之設置位置並無特別限定，可固定在微動載台32、亦可直接安裝在基板保持具36之上面。此外，亦可將基板保持具36、微動載台32、基板P等之至少一部分之上面作為靶38，以測量Z傾斜位置資訊。亦即，可使基板保持具36、微動載台32、基板P等之至少一部分之上面具有與靶38同等之功能。如此，即使不設置靶38亦可，故能簡化基板載台裝置20之構成。
其次，說明讀頭單元72a、72b。讀頭單元72a，如圖1所示，具備Y線性致動器74、以該Y線性致動器74相對投影光學系16(及裝置本體18)於Y軸方向被以既定行程驅動之Y滑件76、及固定在Y滑件76之一對感測器頭78(圖1中於紙面深度方向重疊。參照圖2)。讀頭單元72b亦同。
Y線性致動器74(驅動機構)固定在裝置本體18所具有之上架台部18a之下面。Y線性致動器74，具備將Y滑件76往Y軸方向引導之線性導件、與對Y滑件76賦予推力之驅動系。線性導件之種類雖無特別限定，但以反覆再現性高之空氣軸承較佳。驅動系之種類亦無特別限定， 可使用線性馬達、皮帶(或金屬線)驅動裝置等。
Y線性致動器74受主控制裝置50(參照圖4)控制。主控制裝置50控制Y線性致動器74，以使Y滑件76往Y軸方向之移動方向、移動量及移動速度與基板P(微動載台32)往Y軸方向之移動方向、移動量及移動速度大致相同。又，圖1及圖2中雖未圖示，主控制裝置50透過Y滑件位置測量系80(參照圖4)，求出Y滑件76相對裝置本體18(亦即投影光學系16)之位置資訊。作為Y滑件位置測量系80，可以是如線性編碼器系統般之測量系統，亦可以是基於對Y線性致動器74之輸入訊號等之物。
一對感測器頭78係在Y滑件76之下面於X軸方向分離安裝(參照圖2)。一對感測器頭78，如圖3所示，係與靶38對向、朝向下方(-Z方向)配置。本實施形態中，作為感測器頭78，例如係使用雷射變位計，但感測器頭78之種類，只要能以所欲之精度(解析能力)且以非接觸方式測量以裝置本體18(參照圖1)為基準之靶38往Z軸方向之位移的話，無特別限定。
此處，各讀頭單元72a、72b所具有之一對感測器頭78，由於係於X軸方向分離，因此，主控制裝置50(參照圖4)可根據該一對感測器頭78之輸出之平均值，求出對應之靶38之Z軸方向位置(變位量)資訊，以及可根據一對感測器頭78之輸出之差求出靶38之θy方向之傾斜量資訊。又，由於讀頭單元72a、72b(及對應之靶38)係於Y軸方向分離，因此，主控制裝置50可根據該讀頭單元72a、72b所具有之不在同一直線上之合計4個感測器頭78之輸出，求出基板保持具36(參照圖1)之θx 方向之傾斜量資訊。此外，在求出靶38之Z軸方向位置(變位量)資訊時，可根據該一對感測器頭78中之1個感測器頭之輸出加以求出。
圖4中顯示了以液晶曝光裝置10(參照圖1)之控制系為中心構成，統籌控制構成各部之主控制裝置50之輸出入關係的方塊圖。主控制裝置50包含工作站(或微電腦)等，統籌控制液晶曝光裝置10之構成各部。
以上述方式構成之液晶曝光裝置10(參照圖1)，係在主控制裝置50(參照圖4)之管理下，藉由未圖示之光罩裝載器進行光罩M往光罩載台14上之裝載、並藉由未圖示之基板裝載器進行基板P往基板載台裝置20(基板保持具36)上之裝載。之後，由主控制裝置50，使用未圖示之對準檢測系實施對準測量，該對準測量結束後，對設定在基板P上之複數個照射區域逐次進行步進掃描(step & scan)方式之曝光動作。
於上述掃描曝光動作時，主控制裝置50(參照圖4)根據Z傾斜位置測量系70(參照圖4)之輸出，以在基板P上之照明光IL(參照圖1)之照射區域(曝光區域)自動地位於投影光學系16(參照圖1)之焦深內之方式，進行基板P之Z傾斜方向之定位控制(所謂的自動對焦控制)。又，作為基板P之Z傾斜位置測量系，可將在上述曝光區域之近旁直接測量基板P之面位置資訊之方式的測量系(公知之自動對焦感測器)，與本實施形態之Z傾斜位置測量系70併用。
在一連串之步進掃描(step & scan)方式之曝光動作時，主控制裝置50(參照圖4)，如圖5、圖6(a)所示，在為進行照射間移動而使基板P(基板保持具36)往Y軸方向(圖5、圖6(a)中為+Y方向。 參照白箭頭)移動時，以和該基板P同步之方式(來自感測器頭78之測量光不會脫離對應之靶38之方式)，將讀頭單元72a、72b各個之Y滑件76往Y軸方向驅動(參照圖5、圖6(a)之黑箭頭)。如此，即能與基板P之Y位置無關的，求出基板P之Z傾斜位置資訊。此時，靶38之Y軸方向寬度，由於係設定得較感測器頭78在靶38上之測量點充分的大，因此感測器頭78與基板保持具36在Y軸方向之位置即使不是嚴謹的同步亦可。
相對於此，如圖6(b)所示，在一連串之步進掃描方式之曝光動作時，為進行掃描曝光動作而使基板P(基板保持具36)往X軸方向(圖6(b)中為-X方向。參照白箭頭)移動時，主控制裝置50(參照圖4)，係使讀頭單元72a、72b各個之Y滑件76在靜止狀態(感測器頭78與對應之靶38對向之狀態)下，求出基板P之Z傾斜位置資訊。又，在靶38表面之平面度及Y滑件76之直行精度之確保有可能困難之情形時，關於上述平面度、直行精度，可預先進行測量以求出修正資訊，於實際之Z傾斜位置資訊之測量時，根據上述修正資訊修正感測器頭78之輸出即可。
根據以上說明之第1實施形態之Z傾斜位置測量系70，由於係以裝置本體18為基準，直接測量保持基板P之基板保持具36之姿勢變化，因此能高精度求出基板P之Z傾斜位置資訊。此處，雖可考慮在基板保持具36安裝測量感測器，以重量抵銷裝置28(亦即Y步進導件30)為基準求出基板保持具36之姿勢變化，但因重量抵銷裝置28(及Y步進導件30)係沿著XY平面移動之構成，因此測量精度有可能降低。相對於此，本實施形態之Z傾斜位置測量系70，因係以安裝投影光學系16之上架台部18a為基準，因此能與基板載台裝置20之動作無關的，以高精度測量基板 P之姿勢變化。
又，在上述曝光區域近旁直接測量基板P之面位置資訊之方式的Z傾斜位置測量系(自動對焦感測器)，如圖2所示，在基板保持具36位於X軸方向之行程終點時，由於基板P不在投影光學系16之下方，因此無法求出基板P之Z傾斜位置資訊，但藉由本實施形態之Z傾斜位置測量系70之使用，能與基板保持具36之X軸方向位置無關的，求出基板P之Z傾斜位置資訊。
《第2實施形態》
其次，使用圖7及圖8，說明第2實施形態之液晶曝光裝置，。第2實施形態之液晶曝光裝置之構成，除用以求出基板P之Z傾斜位置資訊之測量系之構成不同外，與上述第1實施形態相同，因此，以下僅針對相異點加以說明，針對與上述第1實施形態具有相同構成及功能之要素，係賦予與上述第1實施形態相同之符號並省略其說明。
相對於上述第1實施形態之Z傾斜位置測量系70(參照圖6(a)等)，係在投影光學系16之+Y側及-Y側分別各配置1個讀頭單元(讀頭單元72a、72b)，於本第2實施形態之Z傾斜位置測量系170，如圖8所示，係在投影光學系16之+Y側配置2個讀頭單元172a、172c、並在投影光學系16之-Y側亦配置有2個讀頭單元172b、172d。亦即，主控制裝置50(參照圖4)於上述第1實施形態係使用2個讀頭單元72a、72b(亦即，合計4個感測器頭78)求出基板P之Z傾斜位置資訊，相對於此，於本第2實施形態，則係適當的使用4個讀頭單元172a~172d(亦即，合計8個感測器頭78)求出基板P之Z傾斜位置資訊。讀頭單元172a~172d之構 成，因與上述第1實施形態之讀頭單元72a、72b相同，故省略其說明。
又，如圖2、圖6(a)等所示，相對於上述第1實施形態中，2個讀頭單元72a、72b之X位置係與投影光學系16之X位置大致相同，如圖8所示，於本第2實施形態，投影光學系16之+Y側之2個讀頭單元172a、172c，其中之一(讀頭單元172a)較投影光學系16配置在+X側、而另一(讀頭單元172c)則係配置在投影光學系16之-X側(亦即掃描方向之前側與內側)。投影光學系16之-Y側之2個讀頭單元172b、172d亦同。如此，本第2實施形態中，在投影光學系16之周圍即配置有4個讀頭單元172a~172d。此外，關於在基板保持具36透過托架138a固定具有延伸於X軸方向之反射面的靶138之點，雖與上述第1實施形態相同，但本第2實施形態中，靶138之X軸方向尺寸較上述第1實施形態短。
本第2實施形態中在掃描曝光動作時之各讀頭單元172a~172d之動作，因與上述第1實施形態大致相同，故省略其說明。亦即，主控制裝置50(參照圖4)，一邊使各讀頭單元172a~172d之Y滑件76與基板保持具36(基板P)往Y軸方向之移動(參照圖8之白箭頭)同步往Y軸方向移動(參照圖8之黑箭頭)、一邊根據4個讀頭單元172a~172d中之至少2個讀頭單元(讀頭單元172a與讀頭單元172b、或讀頭單元172c與讀頭單元172d、或所有讀頭單元172a~172d)具有之感測器頭78之輸出，求出基板P之Z傾斜位置資訊。
以上說明之本第2實施形態之Z傾斜位置測量系170，由於係在投影光學系16之+X側及-X側分別配置有在Y軸方向分離之2個讀頭單元(讀頭單元172a、172b、及讀頭單元172c、172d)，因此與上述第1 實施形態相較，於X軸方向之檢測區域較長。從而，如圖7所示，與上述第1實施形態(參照圖2)相較，可將靶138之X軸方向長度做得較短。如此，能使微動載台32輕量化，因此能提升基板P之位置控制性。
《第3實施形態》
其次，使用圖9~圖11說明第3實施形態之液晶曝光裝置。第3實施形態之液晶曝光裝置之構成，除用以求出基板P之Z傾斜位置資訊之測量系之構成不同外，與上述第1或第2實施形態相同，因此，以下僅針對相異點進行說明，對與上述第1或第2實施形態具有相同構成及功能之要素，賦予與上述第1或第2實施形態相同之符號並省略其說明。
本第3實施形態之Z傾斜位置測量系270，具有感測器頭78之Y滑件76相對水平面(XY平面)之傾斜量資訊係由主控制裝置50(參照圖4)求出之點與上述第1及第2實施形態不同。主控制裝置50，根據感測器頭78之輸出與該輸出時之Y滑件76之傾斜量資訊(亦即，一邊修正Y滑件76之傾斜)求出基板P之Z傾斜位置資訊。
又，本第3實施形態，以和上述第2實施形態相同之配置(亦即，於投影光學系16之周圍)，配置有4個讀頭單元272a~272d(參照圖9及圖11)。4個讀頭單元272a~272d之構成，除配置不同外，實質相同。又，不限於此，亦可以是以和上述第1實施形態相同之配置(亦即，在與投影光學系16相同之X位置)，配置2個讀頭單元之構成。此時，與上述第1實施形態同樣的，係使用X軸方向之尺寸較靶138長之靶38(參照圖2等)。
如圖10所示，讀頭單元272a(讀頭單元272b~272d亦同)與上述第2實施形態同樣的，具有對靶138(往-Z方向)照射測量光、 於X軸方向分離之一對感測器頭78(朝下讀頭)。使用4個讀頭單元272a~272d各自具有之一對(合計8個)感測器頭78求出基板P之Z傾斜位置資訊之手法，因與上述第2實施形態相同，故省略說明。
此處，於讀頭單元272a，安裝有感測器頭78之Y滑件76(圖10中未圖示。參照圖9)係藉由線性引導裝置被直進引導於Y軸方向之構成，感測器頭78(測量光相對對應之靶138之光軸)有可能產生傾斜及Z變位。因此，主控制裝置50(參照圖4)使用安裝在Y滑件76之4個感測器頭278(朝上讀頭)，求出關於Y滑件76之傾斜(傾倒)量之資訊(亦包含關於光軸方向之變位量的資訊)、並根據4個感測器頭278之輸出修正2個感測器頭78之輸出，以抵銷該Y滑件76之傾斜(測量光之光軸之偏移)。又，本第4實施形態中，4個感測器頭278(朝上讀頭)雖係配置在不在同一直線上之4個位置，但不限於此，亦可將3個感測器頭278配置在不在同一直線上之3處。
本實施形態中，作為感測器頭278(朝上感測器)，例如係使用與感測器頭78相同之雷射變位計，使用固定在上架台部18a(參照圖9、圖11)下面之延伸於Y軸方向之靶280(亦即以上架台部18a為基準)，求出Y滑件76之傾斜量相關之資訊。又，只要是能以所欲之精度求出關於Y滑件76之傾斜量之資訊的話，感測器頭278之種類並無特別限定。
根據以上說明之第3實施形態，能以更高之精度求出基板P之Z傾斜資訊。又，因感測器頭78(朝下讀頭)之輸出獲得修正，因此Y滑件76之直進引導精度，與上述第1及第2實施形態相較可以較為粗糙。
《第4實施形態》
其次，使用圖12及圖13說明第4實施形態之液晶曝光裝置。本第4實施形態中之Z傾斜位置測量系370，如圖12所示，與上述第1實施形態同樣的，具有配置在投影光學系16之+Y側的讀頭單元372a、與配置在投影光學系16之-Y側的讀頭單元372b。又，於基板保持具36，與讀頭單元372a、372b對應安裝有一對靶338。靶338之X軸方向長度與上述第1實施形態相同。
如圖13所示，讀頭單元372a，與上述第3實施形態(參照圖10)同樣的，具有用以求出基板P(參照圖12)之Z傾斜位置資訊的一對感測器頭78(朝下讀頭)、與用以測量一對感測器頭78之傾斜量資訊的4個感測器頭278(朝上讀頭)。關於使用感測器頭78、278求出基板P之Z傾斜位置資訊的程序等，因與上述第3實施形態相同，故省略其說明。
又，本第4實施形態之液晶曝光裝置，作為用以求出基板P於水平面內之位置資訊之測量系的水平面內位置測量系58(參照圖4)，具有編碼器系統。以下，關於本第3實施形態係針對編碼器系統進行說明，而對與上述第1~第3實施形態具有相同構成及功能之要素，賦予與上述第1~第3實施形態相同之符號並省略其說明。
如圖12所示，讀頭單元372a，具備Y線性致動器74、藉由該Y線性致動器74相對投影光學系16於Y軸方向被以既定行程驅動之Y滑件76、以及固定在Y滑件76之複數個測量讀頭(詳情後敘)。讀頭單元372b亦相同。Y線性致動器74及Y滑件76之構成及功能，因與上述第1實施形態之讀頭單元72a(參照圖1)具有之Y線性致動器74及Y滑件76實質相同，因此省略說明。
如圖13所示，讀頭單元372a，作為上述複數個測量讀頭之一部分，具有2個X編碼器讀頭384x(朝下X讀頭)、2個Y編碼器讀頭384y(朝下Y讀頭)、2個X編碼器讀頭386x(朝上X讀頭)及2個Y編碼器讀頭386y(朝上Y讀頭)。又，如上所述，讀頭單元372a，作為上述複數個測量讀頭之一部分，具有一對感測器頭78(朝下Z讀頭)與4個感測器頭278(朝上Z讀頭)。以上之各讀頭384x、384y、386x、386y、78、278係固定在Y滑件76(參照圖12)。除圖12中係構成為於紙面成左右對稱外，讀頭單元372b亦同樣構成。此外，一對靶338，於圖12中係構成為左右對稱。
此處，本第4實施形態中，於靶338之上面安裝有複數個標尺板340。標尺板340由延伸於X軸方向之俯視帶狀的構件構成，接著在靶338之上面。標尺板340之X軸方向長度，與靶338之X軸方向長度相較較短，複數個標尺板340於X軸方向以既定間隔(彼此分離)排列。又，在靶338之上面中、包含-Y側端部近旁之帶狀區域，未貼有標尺板340，該帶狀區域對向於一對感測器頭78(朝下Z讀頭)，與上述第1~第3實施形態同樣的，其功能在於作為基板P之Z傾斜位置測量用之反射面。又，亦可將複數個標尺板340之上面作為反射面，以進行基板P之Z傾斜位置測量。據此，因無需設置該帶狀區域，因此可簡化靶338之構成。
於標尺板340形成有X標尺342x與Y標尺342y。X標尺342x形成在標尺板340之-Y側之一半區域，Y標尺342y則形成在標尺板340之+Y側之一半區域。X標尺342x具有反射型之X繞射光柵，Y標尺342y具有反射型之Y繞射光柵。又，於圖13中，為便於理解，標尺板340顯示 的較實際厚，且形成X標尺342x、Y標尺342y之複數個格子線間之間隔(間距)顯示的較實際寬。
2個X編碼器讀頭384x係在對向於X標尺342x配置之狀態下，對X標尺342x照射測量光。主控制裝置50(參照圖4)反應隨著基板P(參照圖12)往X軸方向之移動，基於來自X標尺342x之光之X編碼器讀頭384x之輸出，求出基板P於X軸方向之變位量資訊。2個Y編碼器讀頭384y亦同樣的與Y標尺342y對向配置，主控制裝置50反應該Y編碼器讀頭384y之輸出，求出基板P於Y軸方向之變位量資訊。又，主控制裝置50根據讀頭單元372a及讀頭單元372b(參照圖12)各個之X編碼器讀頭384x之輸出，求出基板P於θz方向之旋轉量資訊。
此處，2個X編碼器讀頭384x及Y編碼器讀頭384y於X軸方向之間隔，係設定為較相鄰之標尺板340間之間隔寬。因此，與基板P(參照圖12)之X位置無關的，2個X編碼器讀頭384x、Y編碼器讀頭384y中之至少一方始終與標尺板340對向。據此，主控制裝置50(參照圖4)可根據2個編碼器讀頭384x、384y中之一方、或2個編碼器讀頭384x、384y之平均值，求出基板P之位置資訊。又，於本實施形態，複數個標尺板340雖係於X軸方向以既定間隔配置，但不限於此，以可使用X軸方向長度與靶338同等之長條狀標尺板。此場合，用以求出基板P於水平面內之位置資訊的編碼器讀頭(朝下X讀頭384x、朝下Y讀頭384y)，針對1個讀頭單元372a、372b，分別設置1個即可。
又，關於水平面內位置測量系58，在相對圖13之標尺板380設於+X方向側之X編碼器讀頭384x與Y編碼器讀頭384y(稱+X方向側 之讀頭組)從標尺板340中之第1標尺板340往第2標尺板340(與第1標尺板相鄰之標尺板340)移動以測定第2標尺板340時，+X方向側之讀頭組，雖可緊接在使用第2標尺板340而成測量動作可能之狀態後，測量基板P於X軸方向之位置資訊，但+X方向側之讀頭組之輸出係從不定值(或零)再度開始計數，因此無法用於基板P之X位置資訊之算出。因此，在此狀態下，需要+X方向側讀頭組各個之輸出之接續處理。作為接續處理，具體而言，係進行將不定值(或零)之+X方向側讀頭組之輸出，使用相對標尺板380設在-X方向側之X編碼器讀頭384x與Y編碼器讀頭384y(稱-X方向側之讀頭組)之輸出加以修正(以成為同值)的處理。該接續處理係在-X方向側之讀頭組到達第1標尺之測量範圍外之前結束。
同樣的，在-X方向側之讀頭組到達第1標尺板340之測量範圍外之情形時，在到達該測量範圍外之前，將-X方向側讀頭組之輸出視為無效。因此，基板P之X位置資訊係根據+X方向側讀頭組之輸出加以求出。然後，緊接著在-X方向側讀頭組之各個成為可使用第2標尺板340進行測量動作後，對-X方向側之讀頭組，進行使用+X方向側讀頭組之輸出的接續處理。
又，上述接續處理之前提在於，4個讀頭(+X方向側之讀頭組、-X方向側之讀頭組)彼此之位置關係為已知。此各讀頭間之位置關係，可在上述4個讀頭對向於共通之標尺之狀態下使用該標尺求出，或使用配置在各讀頭間之測量裝置(雷射干涉儀及距離感測器等)加以求出。此接續處理，可就朝上X讀頭386x與Y讀頭386y進行，亦可就朝下Z讀頭78及朝上Z讀頭278等進行。
又，主控制裝置50(參照圖4)，與上述第1~第3實施形態同樣的，隨著基板P(參照圖12)往Y軸方向之移動，將Y滑件76(參照圖12)與基板P同步往Y軸方向驅動。此時，本實施形態之水平面內位置測量系58係根據Y滑件76具有之X編碼器讀頭384x、Y編碼器讀頭384y之輸出求出基板P之位置資訊，因此，Y滑件76本身往Y軸方向之變位量資訊，亦須以和基板P同程度之精度加以測量。因此，本實施形態之水平面內位置測量系58，作為Y滑件位置測量系80(參照圖4)，進一步具備使用固定在上架台部18a(參照圖12)下面之標尺板380求出Y滑件76之變位的編碼器系統。
標尺板380由延伸於Y軸方向之板狀構件構成，於其下面，與上述標尺板340同樣的，形成有X標尺382x及Y標尺382y。又，於Y滑件76(參照圖12)，與X標尺382x對向、安裝有2個於Y軸方向分離之X編碼器讀頭386x，並與Y標尺382y對向、安裝有2個於Y軸方向分離之Y編碼器讀頭386y。又，標尺板380亦與4個感測器頭278(朝上Z讀頭)對向，亦具有作為在使用該4個感測器頭278求出Y滑件76之傾斜量時之靶(反射面)的功能。
主控制裝置50(參照圖4)，在使基板P(參照圖12)往Y軸方向移動時，與該基板P同步使Y滑件76往Y軸方向移動。主控制裝置50根據2個X編碼器讀頭386x及2個Y編碼器讀頭386y之輸出，求出此時之Y滑件76於XY平面內之位置資訊，並根據該Y滑件76之位置資訊與安裝在Y滑件76之2個X編碼器讀頭384x、Y編碼器讀頭384y之輸出，求出基板P於XY平面內之位置資訊。如以上所述，本實施形態之水平 面內位置測量系58，透過Y滑件76、間接的以裝置本體18為基準，以編碼器系統求出基板P於水平面內之位置資訊。
根據以上說明之第4實施形態，係以編碼器系統求出基板P於XY平面內之位置資訊，因此與光干涉儀系統相較，能降低空氣波動等之影響，提升測量精度。此外，本實施形態之編碼器系統，讀頭係追隨基板P往Y軸方向之移動而移動，因此無需準備能涵蓋基板P於XY平面內之全移動範圍的大標尺板。
又，於本第4實施形態，係藉由X編碼器讀頭384x、386x及Y編碼器讀頭384y、386y求出基板P及Y滑件76各個之XY平面內之位置資訊，但亦可使用可測量Z軸方向之變位量資訊的2維編碼器讀頭(XZ編碼器讀頭或YZ編碼器讀頭)，與基板P及Y滑件76各個之XY平面內之位置資訊，一併求出基板P及Y滑件76各個之Z傾斜變位量資訊。此場合，可省略用以求出基板P之Z傾斜位置資訊的感測器頭78、278。又，此場合，為求出基板P之Z傾斜位置資訊，2個朝下Z讀頭必須始終對向於標尺板340，因此，藉由將標尺板340以和靶338同程度之長度之1片長條標尺板來構成、或將上述2維編碼器讀頭於X軸方向以既定間隔配置3個以上較佳。
又，於本第4實施形態，在靶338之上面設有為了獲得基板P於XY平面內之位置資訊而使用之標尺板340、與基板P之Z傾斜位置測量用之被測量面(未貼有標尺板340之帶狀區域)，因此無需將X編碼器讀頭384x與Y編碼器讀頭384y跨於標尺板340間時進行之接續處理，針對感測器頭78(朝下Z讀頭)進行。如此，即能簡單的進行Z傾斜位置測量。 又，亦可將複數個標尺板340之上面作為反射面，在進行基板P之Z傾斜位置測量之情形時，針對感測器頭78(朝下Z讀頭)亦進行接續處理。此場合，由於可不設置該帶狀區域，因此能簡化靶338之構成。
此處，如上所述，在上述基板保持具36之Y步進動作時，於基板載台裝置20，例如2個Y滑件76係與基板保持具36同步被驅動於Y軸方向。亦即，主控制裝置50(參照圖4)一邊根據編碼器系統之輸出將基板保持具36往Y軸方向驅動至目標位置、一邊根據Y滑件位置測量系80(參照圖4。此處係編碼器系統)之輸出將Y滑件76驅動於Y軸方向。此時，主控制裝置50係同步驅動Y滑件76與基板保持具36(以Y滑件76追隨基板保持具36之方式)。又，主控制裝置50係在複數個讀頭384x、384y中之至少1個讀頭不會從標尺板340脫離(不會到可測量範圍外)之範圍，進行Y滑件76之位置控制。
因此，與基板保持具36之Y位置(亦包含基板保持具36之移動中)無關的，從X讀頭384x、Y讀頭384y(分別參照圖13)分別照射之測量光束，不會從X標尺342x、Y標尺342y(分別參照圖13)脫離。換言之，只要在使基板保持具36往Y軸方向移動中(Y步進動作中)從X讀頭384x、Y讀頭384y照射之測量光束之各個不會從X標尺342x、Y標尺342y脫離之程度，亦即使用來自X讀頭384x、Y讀頭384y之測量光束進行之測量不會中斷(可持續測量)程度，使例如2個Y滑件76與基板保持具36同步往Y軸方向移動即可。
此時，可在基板保持具36往步進方向(Y軸方向)移動之前，使Y滑件76(X讀頭384x、386x、Y讀頭384y、386y)較基板保持具36 先往步進方向開始移動。如此，可抑制各讀頭之加速度，進一步抑制移動中之各讀頭之傾斜(相對行進方向傾斜之情形)。此外，亦可取代此，使Y滑件76較基板保持具36慢開始往步進方向移動。
又，當基板保持具36之Y步進動作結束時，即根據光罩載台位置測量系54(參照圖4)之輸出將光罩M(參照圖1)驅動於-X方向，並與該光罩M同步，根據基板載台水平面內位置測量系(參照圖4。此處係編碼器系統)之輸出將基板保持具36驅動於-X方向，據以將光罩圖案轉印至基板P上之照射(shot)區域。此時，例如2個Y滑件76為靜止狀態。於液晶曝光裝置10，藉由適當反覆上述光罩M之掃描動作、基板保持具36之Y步進動作及基板保持具36之掃描動作，據以對基板P上之複數個照射區域依序轉印光罩圖案。於上述曝光動作時，例如2個Y滑件76，係為維持與靶338(標尺板340)之對向狀態，而在基板保持具36每次往+Y方向及-Y方向步進時，被與該基板保持具36往同方向、同距離驅動。
此處，如上所述，Y標尺342y具有延伸於X軸方向之複數個格子線。此外，如圖17所示，從Y讀頭384y照射至Y標尺342y上之測量光束之照射點384y(為方便起見，賦予與Y讀頭相同符號來進行說明)，係以Y軸方向為長軸方向之橢圓狀。於編碼器系統，當Y讀頭384y與Y標尺342y於Y軸方向相對移動而測量光束跨於格子線時，來自Y讀頭384y之輸出即根據來自上述照射點之±1次繞射光之相位變化而變化。
相對於此，主控制裝置50(參照圖4)，在上述掃描曝光動作中，將基板保持具36驅動於掃描方向(X軸方向)時，以來自Y滑件76(參照圖12)所具有之Y讀頭384y之測量光束不會跨於形成Y標尺 342y之複數個格子線之方式，亦即，以Y讀頭384y之輸出不會變化(變化為零)之方式，控制Y滑件76之步進方向之位置(Y位置)。
具體而言，例如以具有解析能力高於構成Y標尺342y之格子線間之間距的感測器測量Y讀頭384y之Y位置，在來自該Y讀頭384y之測量光束之照射點即將跨於格子線(Y讀頭384y之輸出即將變化)之前一刻，透過Y線性致動器74(參照圖12)控制Y讀頭384y之Y位置。此外，不限於此，亦可例如在因來自Y讀頭384y之測量光束跨於格子線而使得Y讀頭384y之輸出變化之情形時，反應於此，藉由對該Y讀頭384y進行驅動控制，實質的使來自Y讀頭384y之輸出不變化。此場合，不需要測量Y讀頭384y之Y位置的感測器。
《第5實施形態》
其次，使用圖14及圖15說明第5實施形態之液晶曝光裝置。本第5實施形態之液晶曝光裝置與上述第4實施形態同樣的，係使用編碼器系統求出基板P於水平面內之位置資訊，但該編碼器系統用(水平面內位置測量系)之讀頭單元、與Z傾斜位置測量系用之讀頭單元係獨立之點，與上述第4實施形態不同。以下，說明與第4實施形態之相異點，針對與上述第4實施形態具有相同構成及功能之要素，係賦予與上述第4實施形態相同之符號並省略其說明。
本第5實施形態之液晶曝光裝置中之Z傾斜位置測量系，係與上述第3實施形之Z傾斜位置測量系270同樣構成。亦即，如圖14所示，於上架台部18a之下面安裝有4個讀頭單元272a~272d(圖12中，讀頭單元272b、272d未圖示。參照圖9等)，使用該讀頭單元272a~272d求 出基板P之Z傾斜位置資訊。於上架台部18a，以和讀頭單元272a~272d對向之方式固定有靶280(反射面)。關於使用4個讀頭單元272a~272d分別具有之Z感測器頭78、278求出基板P之Z傾斜位置資訊之程序等，因與上述第3實施形態相同，故省略說明。
編碼器系統(水平面內位置測量系58)，與上述第4實施形態同樣的，隔著投影光學系16具有一對讀頭單元472a、472b。讀頭單元472a、472b，除配置不同外，實質上具有相同構成。讀頭單元472a配置在讀頭單元272a與讀頭單元272c之間。此外，雖未圖示，但讀頭單元472b配置在讀頭單元272b與讀頭單元272d之間。讀頭單元472a、472b與讀頭單元272a~272d同樣的，固定在上架台部18a之下面。又，於上架台部18a與讀頭單元472a、472b對向固定有標尺板380。
如圖15所示，讀頭單元472a係從上述第4實施形態之讀頭單元372a(參照圖13)去除複數個感測器頭78、278之物。關於使用本第5實施形態中之讀頭單元472a、472b(參照圖14)求出基板P於水平面內之位置資訊之程序等，因與上述第4實施形態相同，故省略說明。
根據本第5實施形態，由於基板P之水平面內位置測量系之讀頭單元、與基板之Z傾斜位置測量系用之讀頭單元係獨立的，因此與上述第4實施形態相較，讀頭單元之構成簡單、且各感測器頭之配置容易。此外，與上述第4實施形態相較，能縮短靶438之X軸方向尺寸。
《第4及第5各實施形態之變形例》
又，上述第4及第5各實施形態(基板載台水平面內位置測量系58係編碼器系統時之實施形態)中，係將X標尺(圖中所示之X軸方向測量用 之格子圖案)及Y標尺(圖中所示之Y軸方向測量用之格子圖案)設置在彼此獨立之標尺用構件(例如配置在靶338上之複數個標尺板)。然而，亦可將此等複數個格子圖案，在同一長標尺用構件上以分開成一群一群的格子圖案之方式形成。或者，亦可在同一長標尺用構件上連續形成格子圖案。
又，將在靶338、438上，於X軸方向複數個標尺透過既定間隔之間隙連接配置之標尺群(標尺列)，以複數個列配置在彼此於Y軸方向分離之不同位置(例如相對投影光學系16之一側(+Y側)之位置、與另一側(-Y側)之位置)之情形時，可配置成複數個列間、上述既定間隔之間隙之位置於X軸方向不重複。以此方式配置複數個標尺列的話，即不會有彼此對應標尺列配置之讀頭同時到達測量範圍外(換言之，兩讀頭同時對向於間隙)之情形。
又，將在靶338、438上，於X軸方向之複數個標尺透過既定間隔之間隙連接配置之標尺群(標尺列)，以複數個列配置在彼此於Y軸方向分離之不同位置(例如相對投影光學系16之一側(+Y側)之位置、與另一側(-Y側)之位置)之情形時，可將此複數個標尺群(複數個標尺列)構成為可根據在基板上之照射之配置(照射圖、shot map)加以區分使用。例如，將複數個標尺列整體之長度，做成在標尺列間互異的話，即能因應不同的照射圖，亦能因應取4面之情形與取6面之情形等基板上形成之照射區域之數量變化。此外，以此方式配置、並使各標尺列之間隙之位置在X軸方向為互異之位置的話，因分別對應複數個標尺列之各讀頭不會有同時成為測量範圍外之情形，因此能減少接續處理中被視為不定值之感測器之數量，以高精度進行接續處理。
又，可將在靶338、438上，於X軸方向之複數個標尺透過既定間隔之間隙連接配置之標尺群(標尺列)中，1個標尺(X軸測量用之圖案)於X軸方向之長度，做成可連續測定1照射區域之長度(在使基板保持具上之基板一邊往X軸方向移動、一邊進行掃描曝光時，元件圖案被照射而在基板上形成之長度)量的長度。如此一來，在1照射區域之掃描曝光中，無需進行讀頭相對複數個標尺之接續控制，因此能容易的進行掃描曝光中之基板P(基板保持具)之位置測量(位置控制)。
又，靶338、438上之透過既定間隔之間隙將複數個標尺於X軸方向連接配置之標尺群(標尺列)中，於上述實施形態，雖係將各標尺之長度相同者連接配置，但亦可將長度互異之標尺連接配置。例如，可將靶338、438上之標尺列中，於X軸方向配置在中央部之標尺之長度物理上做成較靠近兩端部分別配置之標尺(標尺列中，配置在各端部之標尺)之X軸方向長度長。
又，靶338、438上透過既定間隔之間隙之複數個標尺於X軸方向連接配置之標尺群(標尺列)中，複數個標尺間之距離(換言之，間隙長度)、1個標尺之長度、以及與相對該標尺列移動之2個讀頭(在1個Y滑件76之內部彼此對向配置之讀頭，例如圖13所示之2個讀頭384x)，係以滿足「1個標尺長度>對向配置之讀頭間之距離>標尺間之距離」之關係的方式配置。此關係，不僅是設在靶338、438上之標尺及與此對應之讀頭384x、384y，在將設於上架台部18a之標尺板380於Y軸方向以既定間隔配置之情形時，設在該上架台部18a之標尺板380及與此對應之讀頭386x、386y間亦滿足上述關係。
又，一對X讀頭384x與一對Y讀頭384y雖係以各1個成對之方式於X軸方向排列配置(X讀頭384x與Y讀頭384y雖在X軸方向配置在相同位置)，但亦可將此等於X軸方向相對錯開配置。
又，形成在靶338、438上之標尺板340內，X標尺342x與Y標尺342y雖係在X軸方向以同一長度形成，但亦可使此等長度互異。此外，亦可使兩者於X軸方向相對錯開配置。
又，在某一Y滑件76及與此對應之標尺列(透過既定間隙將複數個標尺於既定方向連接配置之標尺列)於X軸方向相對移動時，Y滑件76內之某一組讀頭(例如圖13之X讀頭384x與Y讀頭384y)在同時對向於上述標尺間之間隙後再同時對向於另一標尺之情形時(讀頭384x、384y接續到另一標尺之情形時)，必須算出該接續之讀頭之測量初期值。此時，可使用與接續之讀頭不同另一在Y滑件76內剩餘之一組讀頭(384x、384y)、及與此不同之再一個讀頭(於X軸方向分離、且配置在與脫離之讀頭間之距離較標尺長度短之位置者)之輸出，來算出接續之讀頭在接續時之初期值。上述再一讀頭，可以是X軸方向之位置測量用讀頭、亦可以是Y軸方向之位置測量用讀頭。
又，於以上有說明「Y滑件76與基板保持具36同步移動」之情形，此係代表Y滑件76以大致維持對基板保持具36之相對位置關係的狀態移動之意，並不限定於Y滑件76、基板保持具36兩者間之位置關係、移動方向及移動速度係以嚴密一致之狀態移動之情形。
又，編碼器系統，為取得基板載台裝置20移動至與基板裝載器之基板更換位置之期間之位置資訊，可在基板載台裝置20或其他 載台裝置設置基板更換用之標尺，使用朝下讀頭(X讀頭384x等)來取得基板載台裝置20之位置資訊。或者，在基板載台裝置20或其他載台裝置設置基板更換用之讀頭，藉測量標尺板340或基板更換用標尺，據以取得基板載台裝置20之位置資訊。此外，設置與編碼器系統不同之另一位置測量系(例如載台上之標記與觀察此標記之觀察系)來進行載台之更換位置控制(管理)。
又，Z感測器不限於編碼器系統，可以是雷射干涉儀、TOF感測器，亦可以是可測定距離之感測器。
又，雖係在靶338、438上設置標尺板340之構成，但亦可將標尺以曝光處理直接形成在基板P。例如，可形成在照射區域間之刻劃線上。如此，即能測量形成在基板上之標尺，根據該位置測量結果，求出基板上之各照射區域之非線形成分誤差，此外，亦能根據該誤差提升曝光時之重疊精度。
又，Y滑件76、Y線性致動器74雖係設在裝置本體18之上架台部18a之下面(參照圖12)，但亦可設置在下架台部18b或中架台部18c。
《第6實施形態》
其次，使用圖16(a)及圖16(b)說明第6實施形態之液晶曝光裝置。本第6實施形態之液晶曝光裝置，用以將基板P相對投影光學系16(參照圖1)進行高精度定位之基板載台裝置520之構成，與上述第1~第5實施形態相異。用以求出基板P之6自由度方向之位置資訊之測量系之構成，可適當使用與上述第1~第5實施形態之測量系中之任一者相同構成之測量系。以下，關於本第6實施形態，僅說明與上述第1~第5實施形態之相 異點，針對與上述第1~第5實施形態具有相同構成及功能之要素，係賦予與上述第1~第5實施形態相同之符號並省略其說明。
上述第1~第5實施形態中，基板P係以其背面被真空吸附保持於基板保持具36(參照圖1等)，相對於此，如圖16(a)及圖16(6)所示，本第6實施形態中之基板載台裝置520，基板保持具540係形成為俯視矩形框狀(畫框狀)，僅吸附保持基板P之端部近旁之點是不同的。此外，包含基板P中央部之大致全面，係被可相對水平面於Z傾斜方向微幅驅動之非接觸台536從下方非接觸支承，據以沿著該非接觸台536之上面被平面矯正。
進一步詳細說明的話，非接觸台536係被固定在微動載台32之上面上。於本第6實施形態，微動載台32係透過包含球形接頭等之複數個連結裝置550機械性的(不過，以能往Z傾斜方向微幅移動之狀態)連結於X粗動載台26，藉由被該X粗動載台26牽引，而往X軸方向及Y軸方向以既定長行程移動。又，基板保持具540，具有形成為俯視矩形框狀之本體部542、與固定在該本體部542上面之吸附部544。吸附部544亦係與本體部542同樣的，形成為俯視矩形框狀。基板P被真空吸附保持於吸附部544。上述非接觸台536，係以對基板保持具540之吸附部544形成有既定間隙之狀態，插入該吸附部544所具有之開口內。非接觸台536，藉由並用對基板P下面之加壓氣體之噴出與氣體之吸引，使負載(pre-load)作用於基板P，將該基板P以非接觸狀態(不妨礙沿水平面之相對移動的狀態)加以平面矯正。
又，從微動載台32之下面，複數片(本實施形態中為4 片)導板548沿水平面成放射狀延伸。基板保持具540，對應上述複數片導板548，具有包含空氣軸承之複數個墊546，藉由從該空氣軸承噴向導板548上面之加壓氣體之靜壓，以非接觸狀態被載置在導板548上。微動載台32，與上述第1~第5實施形態不同的，係相對X粗動載台24僅被微幅驅動於Z傾斜方向。此時，由於上述複數片導板548亦與微動載台32一體的往Z傾斜方向移動(姿勢變化)，因此當微動載台32姿勢變化時，該微動載台32、非接觸台536及基板保持具540(亦即基板P)即一體的姿勢變化。
又，基板保持具540，透過包含該基板保持具540具有之可動子與微動載台32具有之固定子的複數個線性馬達552(音圈馬達)，相對微動載台32被微幅驅動於水平面內之3自由度方向。此外，在微動載台32沿XY平面以長行程移動時，以微動載台32與該基板保持具540可一體的沿XY平面以長行程移動之方式，藉由上述複數個線性馬達552對基板保持具540賦予推力。
於基板保持具540，與上述第1實施形態同樣的，透過托架38a固定有靶38。主控制裝置50(參照圖4)，與上述第1實施形態同樣的，使用對靶38照射測量光之複數個感測器頭78(參照圖1等)，測量基板保持具540(亦即基板P)之姿勢變化量。又，包含複數個感測器頭78之配置，基板P之Z傾斜位置之測量系之構成可與上述第2~第5實施形態同樣的變形。此外，本第6實施形態中，雖係於基板保持具540透過托架38a固定靶38，但不限於此，可在基板保持具540之上面直接貼附靶38(及標尺板340)、亦可對基板保持具540之上面進行鏡面加工，以使其具有與靶同等之功能。
又，上述第1~第6各實施形態中所說明之構成，可適當 變更。例如，上述各實施形態中，用以求出基板P之Z傾斜位置資訊之感測器頭78(朝下讀頭)，係對安裝在基板保持具36之靶38(138、238)所具有之反射面照射測量光，但只要能反射從感測器頭78照射之測量光、且能反映基板P之姿勢變化的話，靶之形態不限於此，亦可以是使基板P反射測量光(亦即，使基板P本身發揮靶之功能)。此外，上述各實施形態之靶38等亦可以是安裝在微動載台32。
又，上述各實施形態中，係相對延伸於X軸方向(掃描方向)之靶38，感測器頭78(朝下讀頭)往Y軸方向移動之構成，但不限於此，亦可以是靶38延伸於其他方向(Y軸方向)，感測器頭78相對該靶38之延伸方向於水平面內正交之方向移動之構成。
又，上述各實施形態中，係基板載台裝置20具有延伸於X軸方向之靶38，安裝在裝置本體18之感測器頭78與該靶38同步往Y軸方向移動之構成，但亦可相反的，基板載台裝置20具有感測器頭78，安裝在裝置本體18之靶38與該感測器頭78同步往Y軸方向移動之構成。此場合，測量靶38之姿勢變化，根據該輸出修正感測器頭78之輸出即可。
又，上述各實施形態中，重量抵銷裝置28係載置在可往Y軸方向移動之可動平台的Y步進導件30上，但不限於此，亦可以是在具有可涵蓋重量抵銷裝置28於XY平面內之全移動範圍之導引面的固定式平台上載置重量抵銷裝置28。
又，於照明系12所使用之光源、及從該光源照射之照明光IL之波長無特別限定，可以是ArF準分子雷射光(波長193nm)、KrF準分子雷射光(波長248nm)等之紫外光、F2雷射光(波長157nm)等之真空紫 外光。
又，上述各實施形態中，作為投影光學系16雖係使用等倍系，但不限於此，亦可使用縮小系或放大系。
又，曝光裝置之用途不限於將液晶顯示元件圖案轉印至方型玻璃板片之液晶用曝光裝置，亦能廣泛的適用於例如有機EL(Electro-Luminescence)面板製造用之曝光裝置、半導體製造用之曝光裝置、用以製造薄膜磁頭、微機器及DNA晶片等之曝光裝置。此外，不僅僅是半導體元件等之微元件，為製造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置及電子束曝光裝置等所使用之標線片或光罩，而將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置，亦能適用。
又，作為曝光對象之物體不限於玻璃板，亦可以是例如晶圓、陶瓷基板、薄膜構件、或光罩母板(空白光罩)等其他物體。此外，曝光對象物為平板顯示器用基板之情形時，該基板之厚度無特限定，亦包含例如薄膜狀(具可撓性之片狀構件)。又，本實施形態之曝光裝置，在曝光對象物為一邊長度、或對角長500mm以上之基板時尤其有效。此外，在曝光對象之基板係具有可撓性之片狀之情形時，該片狀物可以是形成為捲筒狀。
液晶顯示元件(或半導體元件)等之電子元件，係經由進行元件之功能性能設計的步驟、依據此設計步驟製作光罩(或標線片)的步驟、製作玻璃基板(或晶圓)的步驟、以上述各實施形態之曝光裝置及其曝光方法將光罩(標線片)之圖案轉印至玻璃基板的微影步驟、對曝光後之玻璃基板進行顯影的顯影步驟、將殘存抗蝕劑部分以外之部分之露出 構件以蝕刻加以去除的蝕刻步驟、將蝕刻後不要之抗蝕劑去除的抗蝕劑除去步驟、以及元件組裝步驟、檢査步驟等而製造出。此場合，於微影步驟使用上述實施形態之曝光裝置實施前述曝光方法，於玻璃基板上形成元件圖案，因此能以良好之生產性製造高積體度之元件。
又，援用關於上述實施形態所引用之曝光裝置等之所有美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，作為本說明書記載之一部分。
產業上之可利用性
如以上之說明，本發明之移動體裝置及測量方法適於求出移動體之位置資訊。又，本發明之曝光裝置適於使物體曝光。此外，本發明之平面顯示器之製造方法適於平面顯示器之製造。再者，本發明之元件製造方法適於微元件之製造。
10‧‧‧液晶曝光裝置
12‧‧‧照明系
14‧‧‧光罩載台
16‧‧‧投影光學系
18‧‧‧裝置本體
18a‧‧‧上架台部
18b‧‧‧下架台部
18c‧‧‧中架台部
18d‧‧‧防振裝置
20‧‧‧基板載台裝置
22‧‧‧底座
24‧‧‧Y粗動載台
24a‧‧‧Y托架
24b‧‧‧X樑
26‧‧‧X粗動載台
26a‧‧‧X致動器
26b‧‧‧線性引導裝置
28‧‧‧重量抵銷裝置
28b‧‧‧空氣軸承
30‧‧‧Y步進導件
30b‧‧‧連接裝置
32‧‧‧微動載台
34‧‧‧球面軸承裝置
36‧‧‧基板保持具
38‧‧‧靶
38a‧‧‧托架
56y‧‧‧Y音圈馬達馬達
56z‧‧‧Z音圈馬達馬達
70‧‧‧基板載台Z傾斜位置測量系
72a、72b‧‧‧讀頭單元
74‧‧‧Y線性致動器
76‧‧‧Y滑件
78‧‧‧感測器頭
AX‧‧‧光軸
F‧‧‧地面
IL‧‧‧照明光
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板

Claims (21)

  1. 一種移動體裝置，具備：第1移動體，係保持物體，可往第1方向移動；第2移動體，係對向於該第1移動體設置，能往該第1方向移動；以及測量部，具有設在該第1及第2移動體中之一移動體的測量系、與設在另一移動體的被測量系，該測量系對該被測量系照射測量光束以測量該第1移動體於上下方向之位置；該測量部，相對往該第1方向移動之該第1移動體，以對向於該第1移動體之方式使該第2移動體往該第1方向移動，進行測量。
  2. 如申請專利範圍第1項之移動體裝置，其中，該第2移動體係以該測量光束不會從該被測量系脫離之方式，相對該第1移動體往該第1方向移動。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之移動體裝置，其中，該測量系設於該第2移動體；該測量部，補償因設於該第2移動體之該測量系往該第1方向之驅動而產生之以該上下方向為軸之旋轉方向的測量誤差，以測量該第1移動體於該第1方向之位置。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之移動體裝置，其中，該被測量系具有能測量該第1移動體在與該第1方向交叉之第2方向可移動範圍的長度。
  5. 如申請專利範圍第4項之移動體裝置，其中，該第1移動體係以該測量光束不會從該被測量系脫離之方式，往該第2方向移動。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之移動體裝置，其中，該測量部，在該第1移動體往該第2方向移動時，係在不改變於該第2方向之該第2移動體之位置情形下進行測量。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之移動體裝置，其中，該測量系設有複數個；該複數個測量系對該被測量系之測量點，於該第2方向位置互異。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之移動體裝置，其中，該測量部，係對該被測量系照射該測量光束、並根據該測量光束來自該被測量系之返回光，測量該第1移動體於該上下方向之位置。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之移動體裝置，其進一步具備作為該第1移動體之移動之基準的基準構件；該第2移動體，於該上下方向，配置在該第1移動體與該基準構件之間。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之移動體裝置，其具有：第1測量系，用以求出該第2移動體於該第1方向之位置資訊；以及第2測量系，包含設在該第1移動體及該第2移動體中之一移動體的繞射光柵、以及設在該第1移動體及該第2移動體中另一移動體且使用該繞射光柵求出該第1移動體於包含該第1方向之2維平面內之位置資訊的編碼器讀頭； 根據該第1及第2測量系之輸出，求出該第1移動體於該2維平面內之位置資訊。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之移動體裝置，其進一步具備以非接觸方式支承該物體之支承部；該第1移動體係保持以該支承部非接觸支承之該物體。
  12. 一種移動體裝置，其具備：第1移動體，係保持物體，可往第1方向移動；第2移動體，係對向於該第1移動體設置，可往該第1方向移動；以及測量部，具有設在該第1及第2移動體中之一移動體的測量系、與設在另一移動體的被測量系，該測量系對該被測量系照射測量光束以測量該第1移動體於上下方向之位置。
  13. 一種曝光裝置，其具備：申請專利範圍第1至12項中任一項之移動體裝置；以及對該第1移動體所保持之物體使用能量束形成既定圖案之圖案形成裝置。
  14. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該物體係用於平面顯示器之基板。
  15. 如申請專利範圍第13或14項之曝光裝置，其中，該基板之至少一邊之長度或對角長為500mm以上。
  16. 一種平面顯示器之製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第13至15項中任一項之曝光裝置使該物體曝光的動作；以及使曝光後之該物體顯影的動作。
  17. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第13至15項中任一項之曝光裝置使該物體曝光的動作；以及使曝光後之該物體顯影的動作。
  18. 一種測量方法，包含：對設在保持物體可往第1方向移動之第1移動體與和該第1移動體對向設置可往該第1方向移動之第2移動體中之一方的被測量系，從設在該第1移動體與該第2移動體中之另一方的測量系照射測量光束，以測量該第1移動體於上下方向之位置的動作；於該測量動作，係以和往該第1方向移動之該第1移動體對向之方式，該第2移動體相對該第1移動體往該第1方向移動，進行該測量。
  19. 如申請專利範圍第18項之測量方法，其中，該第2移動體係以該測量光束不會從該被測量系脫離之方式，相對該第1移動體往該第1方向移動。
  20. 如申請專利範圍第18或19項之測量方法，其中，該測量系係設於該第2移動體；於該測量動作，補償因設於該第2移動體之該測量系往該第1方向之移動而產生之以該上下方向為軸之旋轉方向之測量誤差，以測量該第1移 動體於該第1方向之位置。
  21. 如申請專利範圍第18至20項中任一項之測量方法，其中，該被測量系具有可測量該第1移動體在與該第1方向交叉之第2方向之可移動範圍的長度。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113641083A (zh) * 2015-09-30 2021-11-12 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
US10268121B2 (en) * 2015-09-30 2019-04-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method
KR20180059864A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법, 그리고 계측 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3258194B2 (ja) * 1995-03-02 2002-02-18 キヤノン株式会社 露光装置および露光方法
JP2001004357A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Yaskawa Electric Corp 移動体の寄り付き位置検出方法
JP3428639B2 (ja) * 2002-08-28 2003-07-22 株式会社ニコン 走査型露光装置及びデバイス製造方法
JP2006156508A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Nikon Corp 目標値決定方法、移動方法及び露光方法、露光装置及びリソグラフィシステム
TWI602032B (zh) * 2006-08-31 2017-10-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20100057758A (ko) * 2007-08-24 2010-06-01 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 그리고 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036557A1 (nl) * 2008-03-11 2009-09-14 Asml Netherlands Bv Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface.
TW201100975A (en) 2009-04-21 2011-01-01 Nikon Corp Moving-object apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5578485B2 (ja) * 2009-10-14 2014-08-27 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US20110141448A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-16 Nikon Corporation Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
KR102172551B1 (ko) * 2010-02-17 2020-11-02 가부시키가이샤 니콘 반송 장치, 반송 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
CN102566287B (zh) * 2010-12-16 2014-02-19 上海微电子装备有限公司 光刻机的垂向控制装置及方法
JP5910992B2 (ja) * 2012-04-04 2016-04-27 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP6132079B2 (ja) * 2012-04-04 2017-05-24 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP5494755B2 (ja) * 2012-08-03 2014-05-21 株式会社ニコン マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
CN104838469B (zh) * 2012-10-02 2018-04-24 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法
JP2014098731A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Nikon Corp 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
KR101448509B1 (ko) * 2013-12-04 2014-10-13 순환엔지니어링 주식회사 직선 운동 평면 구동형 겐트리 스테이지의 동적 및 열변형 에러 실시간 보상 시스템, 스테이지 장치 및 제조, 계측 및 검사 장비
KR101907864B1 (ko) * 2014-03-28 2018-10-15 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 이동체 구동 방법
JP6958355B2 (ja) * 2015-09-30 2021-11-02 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
US10514617B2 (en) * 2015-09-30 2019-12-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, manufacturing method of flat-panel display, device manufacturing method, and exposure method
KR20180059864A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법, 그리고 계측 방법

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