WO2017057465A1 - 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法 - Google Patents

移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法 Download PDF

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Abstract

XY平面に平行な方向に移動可能な基板ホルダ(36)のZ軸方向の位置情報を求める計測システムは、基板ホルダ(36)に対向して設けられ、Y軸方向に基板ホルダ(36)に同期して移動可能なYスライダ(76)と、Yスライダ(76)に設けられたセンサヘッド(78)と、Yスライダ(76)を制御するとともに、基板ホルダ(36)に設けられX軸方向に延びるターゲット(38)を用いて、センサヘッド(78)により基板ホルダ(36)のZ軸方向の位置情報を求める制御系と、を備える。

Description

移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法
 本発明は、移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法に関する。
 従来、液晶表示素子、半導体素子(集積回路等)等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)と、ガラスプレート又はウエハ等(以下、「基板」と総称する)とを所定の走査方向に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンを、エネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている(例えば、特許文献1参照)。
 この種の露光装置では、マスクに形成されたパターンを基板上に高解像度で結像させるために、基板の表面位置(例えば、基板表面の水平面に交差する方向の位置情報)を計測するととともに、該基板の表面位置を投影光学系の焦点深度内に自動的に位置させるオートフォーカス制御を行っている。
 ここで、オートフォーカス制御を確実に行うためには、基板の表面位置を高精度で計測することが好ましい。
米国特許出願公開第2010/0266961号明細書
 本発明の第1の態様によれば、物体を保持し、第1方向へ移動可能な第1移動体と、前記第1移動体に対向して設けられ、前記第1方向へ移動可能な第2移動体と、前記第1及び第2移動体の一方の移動体に設けられた計測系と、他方の移動体に設けられた被計測系と、を有し、前記被計測系に対して前記計測系が計測ビームを照射し前記第1移動体の上下方向の位置を計測する計測部と、を備え、前記計測部は、前記第1方向へ移動した前記第1移動体に対して、前記第1移動体に対向するように前記第2移動体が前記第1方向へ移動し、計測を行う移動体装置が、提供される。
 本発明の第2の態様によれば、物体を保持し、第1方向へ移動可能な第1移動体と、前記第1移動体に対向して設けられ、前記第1方向へ移動可能な第2移動体と、前記第1及び第2移動体の一方の移動体に設けられた計測系と、他方の移動体に設けられた被計測系と、を有し、前記被計測系に対して前記計測系が計測ビームを照射し前記第1移動体の上下方向の位置を計測する計測部と、を備える移動体装置が、提供される。
 本発明の第3の態様によれば、第1の態様に係る移動体装置及び第2の態様に係る移動体装置のいずれかと、前記第1移動体に保持された物体に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成するパターン形成装置と、を備える露光装置が、提供される。
 本発明の第4の態様によれば、第3の態様に係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
 本発明の第5の態様によれば、第3の態様に係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
 本発明の第6の態様によれば、物体を保持し、第1方向へ移動可能な第1移動体と前記第1移動体に対向して設けられ、前記第1方向へ移動可能な第2移動体との一方に設けられた被計測系に対して、前記第1移動体と前記第2移動体との他方に設けられた計測系が計測ビームを照射し、前記第1移動体の上下方向の位置を計測することを含み、前記計測することでは、前記第1方向へ移動した前記第1移動体に対向するように、前記第1移動体に対して前記第2移動体が前記第1方向へ移動し、前記計測が行われる計測方法が、提供される。
第1の実施形態に係る液晶露光装置の構成を概略的に示す図である。 図1のA-A線断面図である。 図1の液晶露光装置が備える基板ステージZチルト位置計測系の概念図である。 液晶露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。 ステップ動作時における基板ステージ装置及び基板ステージZチルト位置計測系の動作を説明するための図である。 図6(a)及び図6(b)は、露光動作時の基板ステージ装置及び基板ステージZチルト位置計測系の動作を説明するための図(その1及びその2)である。 第2の実施形態に係る液晶露光装置を示す図(断面図)である。 第2の実施形態における基板ステージZチルト位置計測系の動作を説明するための図である。 第3の実施形態に係る液晶露光装置を示す図(正面図)である。 第3の実施形態における基板ステージZチルト位置計測系の概念図である。 第3の実施形態に係る液晶露光装置を示す図(断面図)である。 第4の実施形態に係る液晶露光装置を示す図(正面図)である。 第4の実施形態における基板位置計測系の概念図である。 第5の実施形態に係る液晶露光装置を示す図(断面図)である。 第5の実施形態における基板位置計測系の概念図である。 図16(a)及び図16(b)は、第6の実施形態に係る基板ステージ装置を示す図(それぞれ断面図、平面図)である。 エンコーダスケール上における計測ビームの照射点を示す図である。
《第1の実施形態》
 以下、第1の実施形態について、図1~図6(b)を用いて説明する。
 図1には、第1の実施形態に係る液晶露光装置10の構成が概略的に示されている。液晶露光装置10は、液晶表示装置(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる矩形(角型)のガラス基板P(以下、単に基板Pと称する)を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
 液晶露光装置10は、照明系12、回路パターン等のパターンが形成されたマスクMを保持するマスクステージ14、投影光学系16、装置本体18、表面(図1で+Z側を向いた面)にレジスト(感応剤)が塗布された基板Pを保持する基板ステージ装置20、及びこれらの制御系等を有している。以下、露光時にマスクMと基板Pとが投影光学系16に対してそれぞれ相対走査される方向をX軸方向とし、水平面内でX軸に直交する方向をY軸方向、X軸及びY軸に直交する方向をZ軸方向として説明を行う。また、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
 照明系12は、米国特許第5,729,331号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。すなわち、照明系12は、図示しない光源(水銀ランプなど)から射出された光を、それぞれ図示しない反射鏡、ダイクロイックミラー、シャッター、波長選択フィルタ、各種レンズなどを介して、露光用照明光(照明光)ILとしてマスクMに照射する。照明光ILとしては、i線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)などの光(あるいは、上記i線、g線、h線の合成光)が用いられる。
 マスクステージ14は、光透過型のマスクMを保持している。主制御装置50(図4参照)は、リニアモータを含むマスクステージ駆動系52(図4参照)を介してマスクステージ14(すなわちマスクM)を、照明系12(照明光IL)に対してX軸方向(スキャン方向)に所定の長ストロークで駆動するとともに、Y軸方向、及びθz方向に微少駆動する。マスクステージ14の水平面内の位置情報は、レーザ干渉計を含むマスクステージ位置計測系54(図4参照)により求められる。
 投影光学系16は、マスクステージ14の下方に配置されている。投影光学系16は、米国特許第6,552,775号明細書などに開示される投影光学系と同様な構成の、いわゆるマルチレンズ型の投影光学系であり、正立正像を形成する両側テレセントリックな複数の光学系を備えている。投影光学系16から基板Pに投射される照明光ILの光軸AXは、Z軸に平行である。
 液晶露光装置10では、照明系12からの照明光ILによって所定の照明領域内に位置するマスクMが照明されると、マスクMを通過した照明光ILにより、投影光学系16を介してその照明領域内のマスクMのパターンの投影像(部分的なパターンの像)が、基板P上の露光領域に形成される。そして、照明領域(照明光IL)に対してマスクMが走査方向に相対移動するとともに、露光領域(照明光IL)に対して基板Pが走査方向に相対移動することで、基板P上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクMに形成されたパターン(マスクMの走査範囲に対応するパターン全体)が転写される。ここで、マスクM上の照明領域と基板P上の露光領域(照明光の照射領域)とは、投影光学系16によって互いに光学的に共役な関係になっている。
 装置本体18は、上記マスクステージ14、及び投影光学系16を支持する部分であり、複数の防振装置18dを介してクリーンルームの床F上に設置されている。装置本体18は、米国特許出願公開第2008/0030702号明細書に開示される装置本体と同様に構成されており、上記投影光学系16を支持する上架台部18a(光学定盤などとも称される)、一対の下架台部18b(図1では、紙面奥行き方向に重なっているため一方は不図示。図2参照)、及び一対の中架台部18cを有している。
 基板ステージ装置20は、基板Pを投影光学系16(照明光IL)に対して高精度位置決めする部分であり、基板Pを水平面(X軸方向、及びY軸方向)に沿って所定の長ストロークで駆動するとともに、6自由度方向に微少駆動する。基板ステージ装置20の構成は、特に限定されないが、米国特許出願公開第2008/129762号明細書、あるいは米国特許出願公開第2012/0057140号明細書などに開示されるような、2次元粗動ステージと、該2次元粗動ステージに対して微少駆動される微動ステージとを含む、いわゆる粗微動構成のステージ装置を用いることが好ましい。
 本第1の実施形態における基板ステージ装置20は、一例として、複数(本実施形態では、3つ)のベースフレーム22(図1では紙面奥行き方向に重なっている。図2参照)、Y粗動ステージ24、X粗動ステージ26、重量キャンセル装置28、Yステップガイド30、微動ステージ32、基板ホルダ36などを備えた粗微動構成のステージ装置である。
 ベースフレーム22は、Y軸方向に延びる部材から成り、装置本体18と振動的に絶縁された状態で床F上に設置されている。3つのベースフレーム22は、X軸方向に所定間隔で配置されている(図2参照)。
 Y粗動ステージ24は、図2に示されるように、3つのベースフレーム22上に載置されている。Y粗動ステージ24は、上記ベースフレーム22に対応した、3つのYキャリッジ24aと、該3つのYキャリッジ24a上に載置された一対(図2では一方は不図示。図1参照)のXビーム24bとを有している。Y粗動ステージ24は、基板Pを6自由度方向に駆動するための基板ステージ駆動系56(図2では不図示。図4参照)の一部である複数のYアクチュエータ24cを介して3つのベースフレーム22上でY軸方向に所定の長ストロークで駆動される。また、Y粗動ステージ24は、ベースフレーム22との間に配置されたリニアガイド装置24dを介して、Y軸方向に直進案内される。
 図1に戻り、X粗動ステージ26は、一対のXビーム24b上に載置されている。X粗動ステージ26は、平面視(+Z方向から見て)矩形の板状の部材から成り、中央に開口部が形成されている。X粗動ステージ26は、基板ステージ駆動系56(図4参照)の一部である複数のXアクチュエータ26aを介してY粗動ステージ24上でX軸方向に所定の長ストロークで駆動される。また、X粗動ステージ26は、Y粗動ステージ24との間に配置されたリニアガイド装置26bを介して、X軸方向に直進案内される。なお、図2は、X粗動ステージ26が+X側のストロークエンドに位置した状態を示す図である。また、X粗動ステージ26は、上記リニアガイド装置26bによりY粗動ステージ24に対するY軸方向への相対移動が機械的に制限されており、Y粗動ステージ24と一体的にY軸方向に移動する。上述した基板ステージ駆動系56が有するYアクチュエータ24c(図2参照)、Xアクチュエータ26a(図1参照)としては、リニアモータ、送りネジ(ボールネジ)装置などを用いることができる。
 重量キャンセル装置28は、図2に示されるように、X粗動ステージ26に形成された開口部内に挿入されている。重量キャンセル装置28は、心柱とも称され、微動ステージ32、及び基板ホルダ36を含む系の自重を下方から支持している。重量キャンセル装置28の詳細に関しては、米国特許出願公開第2010/0018950号明細書に開示されているので、説明を省略する。重量キャンセル装置28は、X粗動ステージ26に対して複数の接続装置28a(フレクシャ装置とも称される)を介して機械的に接続されており、X粗動ステージ26に牽引されることにより、X粗動ステージ26と一体的にXY平面に沿って移動する。
 Yステップガイド30は、重量キャンセル装置28が移動する際の定盤として機能する部分である。Yステップガイド30は、X軸方向に延びる部材から成り、装置本体18が有する一対の下架台部18b上に複数のリニアガイド装置30aを介して載置されている。Yステップガイド30は、Y粗動ステージ24が有する一対のXビーム24b間に挿入され(図1参照)、且つY粗動ステージ24に複数の接続装置30b(図2では不図示。図1参照)を介して機械的に接続されている。これにより、Yステップガイド30は、Y粗動ステージ24と一体的にY軸方向に所定の長ストロークで移動する。重量キャンセル装置28は、Yステップガイド30上にエアベアリング28bを介して非接触状態で載置されており、X粗動ステージ26がY粗動ステージ24上でX軸方向にのみ移動する場合には、静止状態のYステップガイド30上をX軸方向に移動し、X粗動ステージ26がY粗動ステージ24と一体的にY軸方向に移動する(X軸方向への移動を伴う場合も含む)場合には、Yステップガイド30と一体的に(Yステップガイド30から脱落しないように)Y軸方向に移動する。
 微動ステージ32は、平面視矩形の板状(あるいは箱形)の部材から成り、中央部が球面軸受け装置34を介してXY平面に対して揺動(チルト動作)自在な状態で重量キャンセル装置28に下方から非接触状態(XY平面に沿って相対移動可能な状態)で支持されている。微動ステージ32の上面には、基板ホルダ36が固定され、該基板ホルダ36上に基板Pが載置される。基板ホルダ36は、平面視矩形の板状に形成され、基板Pを、真空吸着保持する。
 微動ステージ32は、上記基板ステージ駆動系56(図1及び図2では不図示。図4参照)の一部であって、X粗動ステージ26が有する固定子と微動ステージ32が有する可動子とを含む複数のリニアモータを介して、主制御装置50(図4参照)により、X粗動ステージ26に対して6自由度方向に微少駆動される。複数のリニアモータとしては、Xボイスコイルモータ56x(図1では不図示)、Yボイスコイルモータ56y(図2では不図示)、Zボイスコイルモータ56zがそれぞれ複数含まれる。また、主制御装置50は、X粗動ステージ26がXY平面に沿って長ストロークで移動する際には、微動ステージ32とX粗動ステージ26とが一体的にXY平面に沿って長ストロークで移動するように、上記複数のリニアモータにより微動ステージ32に推力を付与する。基板ステージ駆動系56を含み、以上説明した基板ステージ装置20の構成(計測系を除く)は、米国特許出願公開第2012/0057140号明細書などに開示されている。
 微動ステージ32(すなわち基板P)の位置計測系は、図4に示されるように、基板のXY平面内の位置情報(θz方向の回転量情報を含む)を求めるための基板ステージ水平面内位置計測系58(以下、「水平面内位置計測系58」と称する)と、基板の水平面に交差する方向の位置情報(Z軸方向の位置情報、θx及びθy方向の回転量情報。以下「Zチルト位置情報」と称する)を求めるための基板ステージZチルト位置計測系70(以下、「Zチルト位置計測系70」と称する)とを含む。
 水平面内位置計測系58としては、不図示であるが、微動ステージ32、あるいは基板ホルダ36(それぞれ図1参照)に固定されたバーミラー(X軸に平行に延びるYバーミラー、及びY軸に平行に延びるXバーミラー)を用いた光干渉計システムなどを用いることができる。光干渉計システムを用いた位置計測系の詳細に関しては、米国特許出願公開第2010/0018950号明細書などに開示されているので、説明を省略する。
 Zチルト位置計測系70は、図1に示されるように、一対のヘッドユニット(ヘッドユニット72a、72b)を有している。一方のヘッドユニット72aは、投影光学系16の+Y側に配置され、他方のヘッドユニット72bは、投影光学系16の-Y側に配置されている(図2参照)。ヘッドユニット72a、72bは、配置が異なる点を除き、実質的に同じ装置である。
 ヘッドユニット72a、72bは、基板ステージ装置20が有する一対のターゲット38(ターゲット部材)を用いて基板PのZチルト位置情報を計測する。一対のターゲット38のうち、一方は基板ホルダ36の+Y側に配置され、他方は基板ホルダ36の-Y側に配置されている。一対のターゲット38のY軸方向に関する間隔は、上述したヘッドユニット72a、72bのY軸方向の間隔と概ね同じに設定されている。
 ターゲット38は、図1及び図2から分かるように、X軸方向に延び、且つXY平面に平行な板状(帯状)の部材から成る。ターゲット38の上面は、反射面となっている。ターゲット38としては、平面鏡などを用いることができる。ターゲット38のX軸方向の長さは、基板ホルダ36(及び基板P)のX軸方向の長さよりも長く設定されており、本実施形態では、基板ホルダ36のX軸方向の長さの1.1~2倍程度に設定されている。なお、ターゲット38の長さは基板ホルダ36のX軸方向の長さよりも短くても良い。例えば、Zチルト位置情報を計測する場所やタイミングに対応して、基板ホルダ36のX軸方向の長さよりも短いターゲット38を複数設けても良い。
 ターゲット38は、その上面の高さ位置(Z軸方向の位置)が、基板ホルダ36上に載置された基板Pの表面の高さ位置とほぼ同じとなるように、基板ホルダ36の側面にブラケット38aを介して取り付けられている。従って、基板ホルダ36が水平面に交差する方向(光軸AX方向への移動、及び水平面に対して傾斜する方向)に駆動されると、一対のターゲット38は、該基板ホルダ36と一体的に水平面に交差する方向に移動する。これにより、基板ホルダ36上に載置された基板Pの姿勢変化が、ターゲット38の上面(反射面)に反映される。なお、図1及び図2において、ターゲット38は、基板ホルダ36の側面に取り付けられているが、基板Pの姿勢変化を反映できれば、ターゲット38の設置位置は特に限定されず、微動ステージ32に固定されていても良し、あるいは基板ホルダ36の上面に直接取り付けられても良い。また、基板ホルダ36、微動ステージ32、基板P等の少なくとも一部の上面をターゲット38として、Zチルト位置情報を計測しても良い。すなわち、基板ホルダ36、微動ステージ32、基板P等の少なくとも一部の上面をターゲット38と同等に機能させても良い。これによって、ターゲット38を設けなくても良いので、基板ステージ装置20の構成をシンプルにすることができる。
 次にヘッドユニット72a、72bについて説明する。ヘッドユニット72aは、図1に示されるように、Yリニアアクチュエータ74、該Yリニアアクチュエータ74により投影光学系16(及び装置本体18)に対してY軸方向に所定のストロークで駆動されるYスライダ76、及びYスライダ76に固定された一対のセンサヘッド78(図1では紙面奥行き方向に重なっている。図2参照)を備えている。ヘッドユニット72bも同様である。
 Yリニアアクチュエータ74(駆動機構)は、装置本体18が有する上架台部18aの下面に固定されている。Yリニアアクチュエータ74は、Yスライダ76をY軸方向に案内するリニアガイドと、Yスライダ76に推力を付与する駆動系とを備えている。リニアガイドの種類は、特に限定されないが、繰り返し再現性の高いエアベアリングが好適である。駆動系の種類も、特に限定されず、リニアモータ、ベルト(あるいはワイヤ)駆動装置などを用いることができる。
 Yリニアアクチュエータ74は、主制御装置50(図4参照)により制御される。主制御装置50は、Yスライダ76のY軸方向への移動方向、移動量、及び移動速度が、基板P(微動ステージ32)のY軸方向への移動方向、移動量、及び移動速度とほぼ同じとなるようにYリニアアクチュエータ74を制御する。また、図1及び図2では不図示であるが、主制御装置50は、Yスライダ位置計測系80(図4参照)を介して、Yスライダ76の装置本体18(すなわち投影光学系16)に対する位置情報を求める。Yスライダ位置計測系80としては、リニアエンコーダシステムのような計測システムであっても良いし、Yリニアアクチュエータ74に対する入力信号などに基づくものであっても良い。
 一対のセンサヘッド78は、Yスライダ76の下面にX軸方向に離間して取り付けられている(図2参照)。一対のセンサヘッド78は、図3に示されるように、ターゲット38に対向して、下方(-Z方向)を向いて配置されている。本実施形態において、センサヘッド78としては、一例として、レーザ変位計が用いられているが、センサヘッド78の種類は、装置本体18(図1参照)を基準としたターゲット38のZ軸方向の変位を所望の精度(分解能)で、且つ非接触で計測できれば、特に限定されない。
 ここで、ヘッドユニット72a、72bそれぞれが有する一対のセンサヘッド78は、X軸方向に離間していることから、主制御装置50(図4参照)は、該一対のセンサヘッド78の出力の平均値に基づいて、対応するターゲット38のZ軸方向の位置(変位量)情報を求めること、及び一対のセンサヘッド78の出力の差分に基づいてターゲット38のθy方向の傾斜量情報を求めることができる。また、ヘッドユニット72a、72b(及び対応するターゲット38)がY軸方向に離間していることから、主制御装置50は、該ヘッドユニット72a、72bが有する、同一直線上にない合計で、4つのセンサヘッド78の出力に基づいて、基板ホルダ36(図1参照)のθx方向の傾斜量情報を求めることができる。なお、ターゲット38のZ軸方向の位置(変位量)情報を求める場合に、該一対のセンサヘッド78のうちの一つのセンサヘッドの出力に基づいて求めても良い。
 図4には、液晶露光装置10(図1参照)の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置50の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置50は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)等を含み、液晶露光装置10の構成各部を統括制御する。
 上述のようにして構成された液晶露光装置10(図1参照)では、主制御装置50(図4参照)の管理の下、不図示のマスクローダによって、マスクステージ14上へのマスクMのロードが行われるとともに、不図示の基板ローダによって、基板ステージ装置20(基板ホルダ36)上への基板Pのロードが行なわれる。その後、主制御装置50により、不図示のアライメント検出系を用いてアライメント計測が実行され、そのアライメント計測の終了後、基板P上に設定された複数のショット領域に逐次ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
 上記スキャン露光動作時において、主制御装置50(図4参照)は、Zチルト位置計測系70(図4参照)の出力に基づいて、基板P上における照明光IL(図1参照)の照射領域(露光領域)が、投影光学系16(図1参照)の焦点深度内に自動的に位置するように、基板PのZチルト方向の位置決め制御(いわゆるオートフォーカス制御)を行う。なお、基板PのZチルト位置計測系として、上記露光領域の近傍で基板Pの面位置情報を直接計測する方式の計測系(公知のオートフォーカスセンサ)を、本実施形態のZチルト位置計測系70と併用しても良い。
 一連のステップ・アンド・スキャン方式の露光動作時において、主制御装置50(図4参照)は、図5、図6(a)に示されるように、ショット間移動を行うために基板P(基板ホルダ36)をY軸方向(図5、図6(a)では+Y方向。白矢印参照)に移動させる際に、該基板Pと同期するように(センサヘッド78からの計測光が対応するターゲット38から外れないように)、ヘッドユニット72a、72bそれぞれのYスライダ76をY軸方向に駆動(図5、図6(a)の黒矢印参照)する。これにより、基板PのY位置に関わらず、基板PのZチルト位置情報を求めることができる。この際、ターゲット38のY軸方向の幅は、センサヘッド78のターゲット38上における計測点に比べて十分に広く設定されているので、センサヘッド78と基板ホルダ36とは、厳密にY軸方向の位置が同期していなくても良い。
 これに対し、図6(b)に示されるように、一連のステップ・アンド・スキャン方式の露光動作時において、スキャン露光動作を行うために基板P(基板ホルダ36)をX軸方向(図6(b)では-X方向。白矢印参照)に移動させる際、主制御装置50(図4参照)は、ヘッドユニット72a、72bそれぞれのYスライダ76を静止状態(センサヘッド78と対応するターゲット38とが対向した状態)として、基板PのZチルト位置情報を求める。なお、ターゲット38表面の平面度、及びYスライダ76の直進走行精度の確保が困難となる可能性がある場合には、上記平面度、直進走行精度に関しては、あらかじめ計測を行って補正情報を求め、実際のZチルト位置情報の計測時に、センサヘッド78の出力を上記補正情報により補正すると良い。
 以上説明した第1の実施形態に係るZチルト位置計測系70によれば、装置本体18を基準として、基板Pを保持する基板ホルダ36の姿勢変化をダイレクトに計測するので、基板PのZチルト位置情報を高精度で求めることができる。ここで、基板ホルダ36に計測センサを取り付け、重量キャンセル装置28(すなわちYステップガイド30)を基準に基板ホルダ36の姿勢変化を求めることも考えられるが、重量キャンセル装置28(及びYステップガイド30)は、XY平面に沿って移動する構成であるため、計測精度が低下する可能性がある。これに対し、本実施形態のZチルト位置計測系70では、投影光学系16が取り付けられた上架台部18aを基準とするので、基板ステージ装置20の動作に関わらず、高精度で基板Pの姿勢変化を計測することができる。
 また、上述した露光領域の近傍で基板Pの面位置情報を直接計測する方式のZチルト位置計測系(オートフォーカスセンサ)は、図2に示されるように、基板ホルダ36がX軸方向に関するストロークエンドに位置した場合には、投影光学系16の下方に基板Pが位置していないため、基板PのZチルト位置情報を求めることができないが、本実施形態のZチルト位置計測系70を用いることにより、基板ホルダ36のX軸方向の位置に関わらず、基板PのZチルト位置情報を求めることが可能となる。
《第2の実施形態》
 次に第2の実施形態に係る液晶露光装置について、図7及び図8を用いて説明する。第2の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、基板PのZチルト位置情報を求めるための計測系の構成が異なる点を除き、上記第1の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
 上記第1の実施形態のZチルト位置計測系70(図6(a)など参照)では、投影光学系16の+Y側及び-Y側にヘッドユニット(ヘッドユニット72a、72b)がそれぞれ1つずつ配置されていたのに対し、本第2の実施形態のZチルト位置計測系170では、図8に示されるように、投影光学系16の+Y側に、2つのヘッドユニット172a、172cが配置されるとともに、投影光学系16の-Y側にも、2つのヘッドユニット172b、172dが配置されている。すなわち、主制御装置50(図4参照)は、上記第1の実施形態では、2つのヘッドユニット72a、72b(すなわち、合計で4つのセンサヘッド78)を用いて基板PのZチルト位置情報を求めたのに対し、本第2の実施形態では、4つのヘッドユニット172a~172d(すなわち、合計で8つのセンサヘッド78)を適宜用いて基板PのZチルト位置情報を求める。ヘッドユニット172a~172dの構成は、上記第1の実施形態のヘッドユニット72a、72bと同じであるので、説明は省略する。
 また、図2、図6(a)などに示されるように、上記第1の実施形態において、2つのヘッドユニット72a、72bのX位置は、投影光学系16のX位置とほぼ同じであったのに対し、図8に示されるように、本第2の実施形態において、投影光学系16の+Y側の、2つのヘッドユニット172a、172cは、一方(ヘッドユニット172a)が投影光学系16よりも+X側に配置されるとともに、他方(ヘッドユニット172c)が投影光学系16の-X側に(すなわち走査方向の手前側と奥側に)配置されている。投影光学系16の-Y側の、2つのヘッドユニット172b、172dも同様である。このように、本第2の実施形態では、投影光学系16の周囲に、4つのヘッドユニット172a~172dが配置されている。なお、基板ホルダ36にブラケット138aを介してX軸方向に延びる反射面を有するターゲット138が固定されている点は、上記第1の実施形態と同様であるが、本第2実施形態において、ターゲット138のX軸方向の寸法は、上記第1の実施形態よりも短い。
 本第2の実施形態おける走査露光動作時の各ヘッドユニット172a~172dの動作は、上記第1の実施形態と概ね同じであるので説明を省略する。すなわち、主制御装置50(図4参照)は、基板ホルダ36(基板P)のY軸方向への移動(図8の白矢印参照)に同期して、各ヘッドユニット172a~172dのYスライダ76をY軸方向に移動(図8の黒矢印参照)させつつ、4つのヘッドユニット172a~172dのうちの少なくとも2つのヘッドユニット(ヘッドユニット172aとヘッドユニット172b、又はヘッドユニット172cとヘッドユニット172d、あるいは全てのヘッドユニット172a~172d)が有するセンサヘッド78の出力に基づいて、基板PのZチルト位置情報を求める。
 以上説明した、本第2の実施形態のZチルト位置計測系170は、投影光学系16の+X側及び-X側それぞれに、Y軸方向に離間した、2つのヘッドユニット(ヘッドユニット172a、172b、及びヘッドユニット172c、172d)が配置されているので、上記第1の実施形態に比べ、X軸方向に関する検出領域が長い。従って、図7に示されるように、上記第1の実施形態(図2参照)に比べ、ターゲット138のX軸方向の長さを短くすることができる。これにより、微動ステージ32を軽量化することができるので、基板Pの位置制御性が向上する。
《第3の実施形態》
 次に第3の実施形態に係る液晶露光装置について、図9~図11を用いて説明する。第3の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、基板PのZチルト位置情報を求めるための計測系の構成が異なる点を除き、上記第1又は第2の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1又は第2の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1又は第2の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
 本第3の実施形態のZチルト位置計測系270は、センサヘッド78を有するYスライダ76の水平面(XY平面)に対する傾き量情報が、主制御装置50(図4参照)により求められる点が上記第1及び第2の実施形態と異なる。主制御装置50は、センサヘッド78の出力と、該出力時のYスライダ76の傾き量情報とに基づいて(すなわち、Yスライダ76の傾きを補正しつつ)基板PのZチルト位置情報を求める。
 なお、本第3の実施形態では、上記第2の実施形態と同様の配置で(すなわち、投影光学系16の周囲に)、4つのヘッドユニット272a~272dが配置されている(図9及び図11参照)。4つのヘッドユニット272a~272dの構成は、配置が異なる点を除き、実質的に同じである。なお、これに限られず、上記第1の実施形態と同様の配置で(すなわち、投影光学系16と同じX位置に)、2つのヘッドユニットが配置される構成であっても良い。この場合、上記第1の実施形態と同様に、ターゲット138よりもX軸方向の寸法が長いターゲット38(図2など参照)を用いる。
 図10に示されるように、ヘッドユニット272a(ヘッドユニット272b~272dも同様)は、上記第2の実施形態と同様に、ターゲット138に対して(-Z方向に)計測光を照射する、X軸方向に離間した一対のセンサヘッド78(下向きヘッド)を有している。4つのヘッドユニット272a~272dそれぞれが有する一対の(合計で、8つの)センサヘッド78を用いて基板PのZチルト位置情報を求める手法は、上記第2の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
 ここで、ヘッドユニット272aにおいて、センサヘッド78が取り付けられたYスライダ76(図10では不図示。図9参照)は、リニアガイド装置によってY軸方向に直進案内される構成であることから、センサヘッド78(対応するターゲット138に対する計測光の光軸)に傾き、及びZ変位が生じる可能性がある。そこで、主制御装置50(図4参照)は、Yスライダ76に取り付けられた、4つのセンサヘッド278(上向きヘッド)を用いて、Yスライダ76の傾き(倒れ)量に関する情報(光軸方向の変位量に関する情報も含む)を求めるとともに、該Yスライダ76の傾き(計測光の光軸のズレ)を打ち消すように、2つのセンサヘッド78の出力を、4つのセンサヘッド278の出力に基づいて補正する。なお、本第4の実施形態において、4つのセンサヘッド278(上向きヘッド)は、同一直線上にない4箇所に配置されているが、これに限られず、3つのセンサヘッド278を、同一直線上にない3箇所に配置しても良い。
 本実施形態において、センサヘッド278(上向きセンサ)としては、一例としてセンサヘッド78と同様のレーザ変位計が用いられており、上架台部18a(図9、図11参照)の下面に固定された、Y軸方向に延びるターゲット280を用いて(すなわち上架台部18aを基準として)Yスライダ76の傾き量に関する情報を求める。なお、Yスライダ76の傾き量に関する情報を所望の精度で求めることができれば、センサヘッド278の種類は、特に限定されない。
 以上説明した第3の実施形態によれば、基板PのZチルト情報をより高精度で求めることができる。また、センサヘッド78(下向きヘッド)の出力が補正されるので、Yスライダ76の直進案内精度は、上記第1及び第2実施形態に比べてラフで良い。
《第4の実施形態》
 次に第4の実施形態に係る液晶露光装置について、図12及び図13を用いて説明する。本第4の実施形態におけるZチルト位置計測系370は、図12に示されるように、上記第1の実施形態と同様に、投影光学系16の+Y側に配置されたヘッドユニット372aと、投影光学系16の-Y側にヘッドユニット372bとを有している。また、基板ホルダ36には、ヘッドユニット372a、372bに対応して、一対のターゲット338が取り付けられている。ターゲット338のX軸方向の長さは、上記第1の実施形態と同様である。
 図13に示されるように、ヘッドユニット372aは、上記第3の実施形態(図10参照)と同様に、基板P(図12参照)のZチルト位置情報を求めるための一対のセンサヘッド78(下向きヘッド)と、一対のセンサヘッド78の傾き量情報を計測するための、4つのセンサヘッド278(上向きヘッド)とを有している。センサヘッド78、278を用いて基板PのZチルト位置情報を求める手順などについては、上記第3の実施形態と同じであるので説明を省略する。
 また、本第4の実施形態の液晶露光装置は、基板Pの水平面内の位置情報を求めるための計測系である水平面内位置計測系58(図4参照)として、エンコーダシステムを有している。以下、本第3の実施形態に関しては、エンコーダシステムに関して説明し、上記第1~3の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1~第3の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
 図12に示されるように、ヘッドユニット372aは、Yリニアアクチュエータ74、該Yリニアアクチュエータ74により投影光学系16に対してY軸方向に所定のストロークで駆動されるYスライダ76、及びYスライダ76に固定された複数の計測ヘッド(詳細は後述する)を備えている。ヘッドユニット372bも同様である。Yリニアアクチュエータ74、及びYスライダ76の構成、及び機能は、上記第1の実施形態のヘッドユニット72a(図1参照)が有するYリニアアクチュエータ74、及びYスライダ76と実質的に同じであるので説明を省略する。
 図13に示されるように、ヘッドユニット372aは、上記複数の計測ヘッドの一部として、2つのXエンコーダヘッド384x(下向きXヘッド)、2つのYエンコーダヘッド384y(下向きYヘッド)、2つのXエンコーダヘッド386x(上向きXヘッド)、及び2つのYエンコーダヘッド386y(上向きYヘッド)を有している。また、上述したように、ヘッドユニット372aは、上記複数の計測ヘッドの一部として、一対のセンサヘッド78(下向きZヘッド)と、4つのセンサヘッド278(上向きZヘッド)とを有している。以上の各ヘッド384x、384y、386x、386y、78、278は、Yスライダ76(図12参照)に固定されている。図12で紙面左右対称に構成されている点を除き、ヘッドユニット372bも同様に構成されている。また、一対のターゲット338も、図12において、左右対称に構成されている。
 ここで、本第4の実施形態において、ターゲット338の上面には、複数のスケール板340が取り付けられている。スケール板340は、X軸方向に延びる平面視帯状の部材から成り、ターゲット338の上面に、接着されている。スケール板340のX軸方向の長さは、ターゲット338のX軸方向の長さに比べて短く、複数のスケール板340が、X軸方向に所定の間隔で(互いに離間して)配列されている。また、ターゲット338の上面のうち、-Y側の端部近傍を含む帯状の領域には、スケール板340が貼り付けられておらず、該帯状の領域は、一対のセンサヘッド78(下向きZヘッド)に対向し、上記第1~第3の実施形態と同様に、基板PのZチルト位置計測用の反射面として機能する。なお、複数のスケール板340の上面を反射面として、基板PのZチルト位置計測を行っても良い。これによって、該帯状の領域を設けなくて良いので、ターゲット338の構成をシンプルにすることができる。
 スケール板340には、Xスケール342xとYスケール342yとが形成されている。Xスケール342xは、スケール板340の-Y側の半分の領域に形成され、Yスケール342yは、スケール板340の+Y側の半分の領域に形成されている。Xスケール342xは、反射型のX回折格子を有し、Yスケール342yは、反射型のY回折格子を有している。なお、図13では、理解を容易にするために、スケール板340が実際よりも厚く図示されるとともに、Xスケール342x、Yスケール342yを形成する複数の格子線間の間隔(ピッチ)が、実際よりも広く図示されている。
 2つのXエンコーダヘッド384xは、Xスケール342xに対向して配置された状態で、Xスケール342xに対して計測光を照射する。主制御装置50(図4参照)は、基板P(図12参照)のX軸方向への移動に伴い、Xスケール342xからの光に基づくXエンコーダヘッド384xの出力に応じて、基板PのX軸方向に関する変位量情報を求める。2つのYエンコーダヘッド384yも同様に、Yスケール342yに対向して配置され、主制御装置50は、該Yエンコーダヘッド384yの出力に応じて、基板PのY軸方向に関する変位量情報を求める。また、主制御装置50は、ヘッドユニット372a、及びヘッドユニット372b(図12参照)それぞれのXエンコーダヘッド384xの出力に基づいて、基板Pのθz方向の回転量情報を求める。
 ここで、2つのXエンコーダヘッド384x、及びYエンコーダヘッド384yのX軸方向に関する間隔は、隣接するスケール板340間の間隔よりも広く設定されている。したがって、基板P(図12参照)のX位置に関わらず、常に、2つのXエンコーダヘッド384x、Yエンコーダヘッド384yの少なくとも一方がスケール板340に対向する。これにより、主制御装置50(図4参照)は、2つのエンコーダヘッド384x、384yの一方、あるいは2つのエンコーダヘッド384x、384yの平均値に基づいて、基板Pの位置情報を求めることができる。なお、本実施形態では、複数のスケール板340がX軸方向に所定間隔で配置されているが、これに限られず、X軸方向の長さがターゲット338と同等である長尺のスケール板を用いても良い。この場合、基板Pの水平面内の位置情報を求めるためのエンコーダヘッド(下向きXヘッド384x、下向きYヘッド384y)は、1つのヘッドユニット372a、372bにつき、それぞれ1つ設けられていれば良い。
 また、水平面内位置計測系58に関して、図13のスケール板380に対して+X方向側に設けられるXエンコーダヘッド384xとYエンコーダヘッド384y(+X方向側のヘッド組と呼ぶ)がスケール板340のうちの第1のスケール板340から第2のスケール板340(第1のスケール板に隣接するスケール板340)に移動して第2のスケール板340を測定する時に、+X方向側のヘッド組は、第2のスケール板340を用いて計測動作可能な状態となった直後から、基板PのX軸方向に関する位置情報を計測可能であるが、+X方向側のヘッド組の出力は、不定値(またはゼロ)からカウントを再開するので基板PのX位置情報の算出に用いることができない。従って、この状態で、+X方向側のヘッド組のそれぞれの出力の繋ぎ処理が必要となる。繋ぎ処理としては、具体的には、不定値(またはゼロ)とされた+X方向側のヘッド組の出力を、スケール板380に対して-X方向側に設けられるXエンコーダヘッド384xとYエンコーダヘッド384y(-X方向側のヘッド組と呼ぶ)の出力を用いて(同値となるように)補正する処理を行う。該繋ぎ処理は、-X方向側のヘッド組が、第1のスケールの計測範囲外となる前に完了する。
 同様に、-X方向側のヘッド組が、第1のスケール板340の計測範囲外となった場合には、該計測範囲外となる前に、-X方向側のヘッド組の出力を無効扱いとする。従って、基板PのX位置情報は、+X方向側のヘッド組の出力に基づいて求められる。そして、-X方向側のヘッド組のそれぞれが第2のスケール板340を用いて計測動作を行うことが可能となった直後に、-X方向側のヘッド組に対して、+X方向側のヘッド組の出力を用いた繋ぎ処理を行う。
 なお、上述した繋ぎ処理は、4つのヘッド(+X方向側のヘッド組、-X方向側のヘッド組)の互いの位置関係が既知であることが前提となっている。この各ヘッド間の位置関係は、上記4つのヘッドが共通のスケールに対向した状態でそのスケールを使用して求めること、あるいは、各ヘッド間に配置した計測装置(レーザ干渉計や距離センサ等)を使用して求めることが可能である。この繋ぎ処理は、上向きXヘッド386xとYヘッド386yとについて行っても良いし、下向きZヘッド78や上向きZヘッド278等について行っても良い。
 また、主制御装置50(図4参照)は、上記第1~第3の実施形態と同様に、基板P(図12参照)のY軸方向への移動に伴い、Yスライダ76(図12参照)を基板Pに同期してY軸方向へ駆動する。ここで、本実施形態の水平面内位置計測系58では、Yスライダ76が有するXエンコーダヘッド384x、Yエンコーダヘッド384yの出力に基づいて、基板Pの位置情報を求めることから、Yスライダ76自体のY軸方向への変位量情報も、基板Pと同程度の精度で計測する必要がある。このため、本実施形態の水平面内位置計測系58は、Yスライダ位置計測系80(図4参照)として、上架台部18a(図12参照)の下面に固定されたスケール板380を用いてYスライダ76の変位を求めるエンコーダシステムを更に備えている。
 スケール板380は、Y軸方向に延びる板状の部材から成り、その下面には、上述したスケール板340と同様に、Xスケール382x、及びYスケール382yが形成されている。また、Yスライダ76(図12参照)には、Xスケール382xに対向して、2つのXエンコーダヘッド386xがY軸方向に離間して取り付けられるとともに、Yスケール382yに対向して、2つのYエンコーダヘッド386yがY軸方向に離間して取り付けられている。また、スケール板380は、4つのセンサヘッド278(上向きZヘッド)にも対向しており、該4つのセンサヘッド278を用いてYスライダ76の傾き量を求める際のターゲット(反射面)としても機能する。
 主制御装置50(図4参照)は、基板P(図12参照)をY軸方向に移動させる際に、該基板Pと同期してYスライダ76をY軸方向に移動させる。主制御装置50は、この際のYスライダ76のXY平面内の位置情報を、2つのXエンコーダヘッド386x及び2つのYエンコーダヘッド386yの出力に基づいて求め、該Yスライダ76の位置情報と、Yスライダ76に取り付けられた、2つのXエンコーダヘッド384x、Yエンコーダヘッド384yの出力とに基づいて、基板PのXY平面内の位置情報を求める。このように、本実施形態の水平面内位置計測系58は、Yスライダ76を介して、間接的に装置本体18を基準として基板Pの水平面内の位置情報をエンコーダシステムによって求める。
 以上説明した第4の実施形態によれば、基板PのXY平面内の位置情報を、エンコーダシステムにより求めるので、光干渉計システムに比べて、空気ゆらぎなどの影響を低減でき、計測精度が向上する。また、本実施形態のエンコーダシステムは、基板PのY軸方向への移動に追従してヘッドが移動するので、基板PのXY平面内の全移動範囲をカバーするような広いスケール板を用意する必要がない。
 なお、本第4の実施形態では、Xエンコーダヘッド384x、386x、及びYエンコーダヘッド384y、386yによって、基板P、及びYスライダ76それぞれのXY平面内の位置情報を求めたが、Z軸方向の変位量情報を計測可能な2次元エンコーダヘッド(XZエンコーダヘッド、あるいはYZエンコーダヘッド)を用いて、基板P及びYスライダ76それぞれのXY平面内の位置情報と併せて、基板P及びYスライダ76それぞれのZチルト変位量情報を求めても良い。この場合、基板PのZチルト位置情報を求めるためのセンサヘッド78、278を省略することが可能である。なお、この場合、基板PのZチルト位置情報を求めるためには、常に2つの下向きZヘッドがスケール板340に対向している必要があるので、スケール板340をターゲット338と同程度の長さの1枚の長尺のスケール板により構成すること、あるいは上記2次元エンコーダヘッドをX軸方向に所定間隔で、3つ以上配置することが好ましい。
 また、本第4の実施形態では、ターゲット338の上面に、基板PのXY平面内の位置情報を得るために用いられるスケール板340と、基板PのZチルト位置計測用の被計測面(スケール板340が貼り付けられていない帯状の領域)とが設けられているので、Xエンコーダヘッド384xとYエンコーダヘッド384yとがスケール板340間をまたぐ際に行う繋ぎ処理を、センサヘッド78(下向きZヘッド)については行う必要がない。これによって、Zチルト位置計測をシンプルに行うことができる。なお、複数のスケール板340の上面を反射面として、基板PのZチルト位置計測を行う場合は、センサヘッド78(下向きZヘッド)についても繋ぎ処理を行っても良い。この場合、該帯状の領域を設けなくて良いので、ターゲット338の構成をシンプルにすることができる。
 ここで、上述したように、上記基板ホルダ36のYステップ動作時において、基板ステージ装置20では、例えば2つのYスライダ76が、基板ホルダ36に同期してY軸方向に駆動される。すなわち、主制御装置50(図4参照)は、エンコーダシステムの出力に基づいて、基板ホルダ36を目標位置までY軸方向に駆動しつつ、Yスライダ位置計測系80(図4参照。ここではエンコーダシステム)の出力に基づいて、Yスライダ76をY軸方向に駆動する。この際、主制御装置50は、Yスライダ76と基板ホルダ36とを同期して(Yスライダ76が基板ホルダ36に追従するように)駆動する。また、主制御装置50は、複数のヘッド384x、384yのうちの少なくとも1つのヘッドが、スケール板340から外れない(計測可能範囲外とならない)範囲で、Yスライダ76の位置制御を行う。
 従って、基板ホルダ36のY位置(基板ホルダ36の移動中も含む)に関わらず、Xヘッド384x、Yヘッド384y(それぞれ図13参照)から照射される計測ビームそれぞれが、Xスケール342x、Yスケール342y(それぞれ図13参照)から外れることがない。換言すると、基板ホルダ36をY軸方向に移動中(Yステップ動作中)にXヘッド384x、Yヘッド384yから照射される計測ビームそれぞれがXスケール342x、Yスケール342yから外れない程度、すなわちXヘッド384x、Yヘッド384yからの計測ビームによる計測が途切れない(計測を継続できる)程度に、例えば2つのYスライダ76と基板ホルダ36とを同期してY軸方向へ移動させれば良い。
 このとき、基板ホルダ36がステップ方向(Y軸方向)に動く前に、Yスライダ76(Xヘッド384x、386x、Yヘッド384y、386y)を基板ホルダ36に先立ってステップ方向に動かし始めても良い。これにより、各ヘッドの加速度を抑制することができ、さらに移動中の各ヘッドの傾き(進行方向に対して前のめりとなること)を抑制することができる。また、これに替えて、Yスライダ76を基板ホルダ36よりも、遅れてステップ方向に動かし始めても良い。
 また、基板ホルダ36のYステップ動作が完了すると、マスクステージ位置計測系54(図4参照)の出力に基づいてマスクM(図1参照)が-X方向に駆動されるとともに、該マスクMに同期して、基板ステージ水平面内位置計測系(図4参照。ここではエンコーダシステム)の出力に基づいて基板ホルダ36が-X方向に駆動されることにより、基板P上のショット領域にマスクパターンが転写される。この際、例えば2つのYスライダ76は、静止状態とされる。液晶露光装置10では、上記マスクMのスキャン動作、基板ホルダ36のYステップ動作、及び基板ホルダ36のスキャン動作を適宜繰り返すことによって、基板P上の複数のショット領域に対して、マスクパターンが順次転写される。上記露光動作時において、例えば2つのYスライダ76は、ターゲット338(スケール板340)との対向状態が維持されるように、基板ホルダ36が+Y方向、及び-Y方向にステップする度に、該基板ホルダ36と同方向に、同距離だけ駆動される。
 ここで、上述したように、Yスケール342yは、X軸方向に延びる複数の格子線を有している。また、図17に示されるように、Yヘッド384yからYスケール342y上に照射される計測ビームの照射点384y(便宜上、Yヘッドと同じ符号を付して説明する)は、Y軸方向を長軸方向とする楕円状となっている。エンコーダシステムでは、Yヘッド384yとYスケール342yとがY軸方向に相対移動して計測ビームが格子線を跨ぐと、上記照射点からの±1次回折光の位相変化に基づいて、Yヘッド384yからの出力が変化する。
 これに対し、主制御装置50(図4参照)は、上記スキャン露光動作中において、基板ホルダ36をスキャン方向(X軸方向)に駆動する際に、Yスライダ76(図12参照)が有するYヘッド384yからの計測ビームが、Yスケール342yを形成する複数の格子線を跨がないように、すなわち、Yヘッド384yの出力が変化しない(変化がゼロである)ように、Yスライダ76のステップ方向の位置(Y位置)を制御する。
 具体的には、例えばYスケール342yを構成する格子線間のピッチよりも高い分解能を有するセンサによってYヘッド384yのY位置を計測し、該Yヘッド384yからの計測ビームの照射点が格子線を跨ぎそう(Yヘッド384yの出力が変化しそう)になる直前で、Yヘッド384yのY位置をYリニアアクチュエータ74(図12参照)を介して制御する。なお、これに限らず、例えばYヘッド384yからの計測ビームが格子線を跨ぐことにより、Yヘッド384yの出力が変化した場合に、これに応じて、該Yヘッド384yを駆動制御することにより、実質的にYヘッド384yからの出力が変化しないようにしても良い。この場合、Yヘッド384yのY位置を計測するセンサが不要である。
《第5実施形態》
 次に第5の実施形態に係る液晶露光装置について、図14及び図15を用いて説明する。本第5の実施形態に係る液晶露光装置は、上記第4の実施形態と同様に、エンコーダシステムを用いて基板Pの水平面内の位置情報を求めるが、該エンコーダシステム用(水平面内位置計測系)のヘッドユニットと、Zチルト位置計測系用のヘッドユニットとが独立している点が上記第4の実施形態と異なる。以下、第4の実施形態との相違点に関して説明し、上記第4の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第4の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
 本第5の実施形態の液晶露光装置におけるZチルト位置計測系は、上記第3の実施形のZチルト位置計測系270と同様に構成されている。すなわち、図14に示されるように、上架台部18aの下面には、4つのヘッドユニット272a~272d(図12では、ヘッドユニット272b、272dは不図示。図9など参照)が取り付けられており、該ヘッドユニット272a~272dを用いて基板PのZチルト位置情報が求められる。上架台部18aには、ヘッドユニット272a~272dに対向してターゲット280(反射面)が固定されている。4つのヘッドユニット272a~272dそれぞれが有するZセンサヘッド78、278を用いて基板PのZチルト位置情報を求める手順などについては、上記第3の実施形態と同じであるので説明を省略する。
 エンコーダシステム(水平面内位置計測系58)は、上記第4の実施形態と同様に、投影光学系16を挟んで一対のヘッドユニット472a、472bを有している。ヘッドユニット472a、472bは、配置が異なる点を除き、実質的に同じ構成である。ヘッドユニット472aは、ヘッドユニット272aとヘッドユニット272cとの間に配置されている。また、不図示であるが、ヘッドユニット472bは、ヘッドユニット272bとヘッドユニット272dとの間に配置されている。ヘッドユニット472a、472bは、ヘッドユニット272a~272dと同様に、上架台部18aの下面に固定されている。また、上架台部18aには、ヘッドユニット472a、472bに対向してスケール板380が固定されている。
 図15に示されるように、ヘッドユニット472aは、上記第4の実施形態のヘッドユニット372a(図13参照)から、複数のセンサヘッド78、278を取り除いたものである。本第5の実施形態おけるヘッドユニット472a、472b(図14参照)を用いて基板Pの水平面内の位置情報を求める手順などについては、上記第4の実施形態と同じであるので説明を省略する。
 本第5の実施形態によれば、基板Pの水平面内位置計測系のヘッドユニットと、基板のZチルト位置計測系用のヘッドユニットとが独立しているので、上記第4の実施形態に比べ、ヘッドユニットの構成がシンプルであり、各センサヘッドの配置が容易である。また、上記第4の実施形態に比べて、ターゲット438のX軸方向の寸法を短くすることができる。
《第4及び第5の各実施形態の変形例》
 なお、上記第4及び第5の各実施形態(基板ステージ水平面内位置計測系58がエンコーダシステムである場合の実施形態)において、Xスケール(図中に示されるX軸方向計測用の格子パターン)やYスケール(図中に示されるY軸方向計測用の格子パターン)を、互いに独立したスケール用部材(例えばターゲット338上に配置されている複数のスケール板)に設けるように構成している。しかしながら、これら複数の格子パターンを、同一の長いスケール用部材上に一群の格子パターンごと分けて形成するようにしても良い。また同一の長いスケール用部材上に格子パターンを連続して形成しても良い。
 また、ターゲット338、438上において、X軸方向に複数のスケールが、所定間隔の隙間を介しながら連なって配置されたスケール群(スケール列)を、複数列、互いにY軸方向に離れた異なる位置(例えば投影光学系16に対して一方の側(+Y側)の位置と、他方(-Y側)の位置)に配置する場合に、複数列間において、上記所定間隔の隙間の位置がX軸方向において重複しないように配置しても良い。このように複数のスケール列を配置すれば、互いのスケール列に対応して配置されたヘッドが同時に計測範囲外になる(換言すれば、両ヘッドが同時に隙間に対向する)ことがない。
 また、ターゲット338、438上において、X軸方向に複数のスケールが、所定間隔の隙間を介しながら連なって配置されたスケール群(スケール列)を、複数列、互いにY軸方向に離れた異なる位置(例えば投影光学系16に対して一方の側(+Y側)の位置と、他方(-Y側)の位置)に配置する場合に、この複数のスケール群(複数のスケール列)を、基板上におけるショットの配置(ショットマップ)に基づいて使い分け出来るように構成しても良い。たとえば、複数のスケール列の全体としての長さを、スケール列間で互いに異ならせておけば、異なるショットマップに対応でき、4面取りの場合と6面取りの場合など、基板上に形成するショット領域の数の変化にも対応できる。またこのように配置すると共に、各スケール列の隙間の位置をX軸方向において互いに異なる位置にすれば、複数のスケール列にそれぞれ対応するヘッドが同時に計測範囲外になることがないので、繋ぎ処理において不定値とされるセンサの数を減らすことができ、繋ぎ処理を高精度に行うことができる。
 また、ターゲット338、438上で、X軸方向に複数のスケールが、所定間隔の隙間を介しながら連なって配置されたスケール群(スケール列)において、1つのスケール(X軸計測用のパターン)のX軸方向の長さを、1ショット領域の長さ(基板ホルダ上の基板をX軸方向に移動させながらスキャン露光を行う際に、デバイスパターンが照射されて基板上に形成される長さ)分だけ連続して測定できるような長さにしても良い。このようにすれば、1ショット領域のスキャン露光中に、複数スケールに対するヘッドの乗継制御を行わずに済むため、スキャン露光中の基板P(基板ホルダ)の位置計測(位置制御)を容易にできる。
 また、ターゲット338、438上の、所定間隔の隙間を介しながら複数のスケールがX軸方向に連なって配置されたスケール群(スケール列)において、上記実施形態では各スケールの長さが同一の長さのものを連ねて配置しているが、互いに長さの異なるスケールを連ねて配置するようにしても良い。例えば、ターゲット338、438上のスケール列において、X軸方向における両端部寄りにそれぞれ配置されるスケール(スケール列において、各端部に配置されるスケール)のX軸方向の長さよりも、中央部に配置されるスケールの方を物理的に長くしても良い。
 また、ターゲット338、438上の、所定間隔の隙間を介しながら複数のスケールがX軸方向に連なって配置されたスケール群(スケール列)において、複数のスケール間の距離(換言すれば隙間の長さ)と、1つのスケールの長さと、そのスケール列に対して相対移動する2つのヘッド(1つのYスライダ76の内部において互いに対向配置されているヘッド、例えば図13に示す2つのヘッド384x)とは、「1つのスケール長さ > 対向配置されているヘッド間の距離 > スケール間の距離」の関係を満たすように配置されている。この関係は、ターゲット338、438上に設けられたスケールとそれに対応するヘッド384x、384yだけでなく上架台部18aに設けられているスケール板380をY軸方向に所定間隔で配置する場合に、該上架台部18aに設けられているスケール板380とそれに対応するヘッド386x、386yとの間においても満たされている。
 また、一対のXヘッド384xと一対のYヘッド384yが、一つずつペアを組むようにX軸方向において並んで配置されているが(Xヘッド384xとYヘッド384yとがX軸方向において同じ位置に配置されているが)、これらをX軸方向に相対的にずらして配置するようにしても良い。
 また、ターゲット338、438上に形成されているスケール板340内において、Xスケール342xとYスケール342yとがX軸方向に同一長さで形成されているが、これらの長さを互いに異ならせるようにしても良い。また両者をX軸方向に相対的にずらして配置するようにしても良い。
 また、あるYスライダ76とそれに対応するスケール列(所定の隙間を介して複数のスケールを所定方向に連なって配置されるスケール列)とがX軸方向に相対的に移動している際に、Yスライダ76内のある一組のヘッド(例えば図13のXヘッド384xとYヘッド384y)が上述のスケール間の隙間に同時に対向した後で別のスケールに同時に対向した場合(ヘッド384x,384yが別のスケールに乗り継いだ場合)に、その乗り継いだヘッドの計測初期値を算出する必要がある。その際に、乗り継いだヘッドとは別の、Yスライダ76内の残りの一組のヘッド(384x,384y)と、それとは更に別の1つのヘッド(X軸方向に離れて且つ、落ちたヘッドとの距離がスケール長よりも短い位置に配置されるもの)の出力とを用いて、乗り継いだヘッドの乗継の際の初期値を算出するようにしても良い。上述の更に別のヘッドは、X軸方向の位置計測用ヘッドでもY軸方向の位置計測用ヘッドでも構わない。
 また、Yスライダ76が基板ホルダ36に同期して移動する、と説明する場面があるが、これはYスライダ76が、基板ホルダ36に対する相対的な位置関係を概ね維持した状態で移動することを意味し、Yスライダ76、基板ホルダ36の両者間の位置関係、移動方向、及び移動速度が厳密に一致した状態で移動する場合に限定されるものではない。
 また、エンコーダシステムは、基板ステージ装置20が基板ローダとの基板交換位置まで移動する間の位置情報を取得するために、基板ステージ装置20又は別のステージ装置に基板交換用のスケールを設け、下向きのヘッド(Xヘッド384xなど)を使って基板ステージ装置20の位置情報を取得しても良い。あるいは、基板ステージ装置20又は別のステージ装置に基板交換用のヘッドを設け、スケール板340や基板交換用のスケールを計測することによって基板ステージ装置20の位置情報を取得しても良い。またエンコーダシステムとは別の位置計測系(たとえばステージ上のマークとそれを観察する観察系)を設けてステージの交換位置制御(管理)を行っても良い。
 また、Zセンサは、エンコーダシステムに限らず、レーザ干渉計でも、TOFセンサでも、距離が測定できるセンサでも良い。
 また、ターゲット338、438上にスケール板340を設けるように構成しているが、スケールを露光処理で基板Pに直接形成するようにしても良い。たとえばショット領域間のスクライブライン上に形成するようにしても良い。このようにすれば、基板上に形成されたスケールを計測し、その位置計測結果に基づいて、基板上の各ショット領域ごとの非線形成分誤差を求めることができ、またその誤差に基づいて露光の際の重ね精度を向上させることもできる。
 また、Yスライダ76、Yリニアアクチュエータ74は、装置本体18の上架台部18aの下面(図12参照)に設けるよう構成しているが、下架台部18bや中架台部18cに設けるようにしても良い。
《第6実施形態》
 次に第6の実施形態に係る液晶露光装置について、図16(a)及び図16(b)を用いて説明する。本第6の実施形態に係る液晶露光装置は、基板Pを投影光学系16(図1参照)に対して高精度位置決めするための基板ステージ装置520の構成が、上記第1~第5の実施形態と異なる。基板Pの6自由度方向の位置情報を求めるための計測系の構成は、上記第1~第5の実施形態に係る計測系の何れかと同様の構成の計測系を適宜用いることができる。以下、本第6の実施形態については、上記第1~第5の実施形態との相違点についてのみ説明し、上記第1~第5の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1~第5の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
 上記第1~第5の実施形態において、基板Pは、その裏面が基板ホルダ36に真空吸着保持されたのに対し(図1など参照)、図16(a)及び図16(b)に示されるように、本第6の実施形態における基板ステージ装置520において、基板ホルダ540は、平面視で矩形の枠状(額縁状)に形成され、基板Pの端部近傍のみを吸着保持する点が異なる。そして、基板Pの中央部を含むほぼ全面が、水平面に対してZチルト方向に微小駆動可能な非接触テーブル536により下方から非接触支持されることにより、該非接触テーブル536の上面に沿って平面矯正される。
 より詳細に説明すると、非接触テーブル536は、微動ステージ32の上面上に固定されている。本第6の実施形態において、微動ステージ32は、X粗動ステージ26に対して、ボールジョイントなどを含む複数の連結装置550を介して機械的に(ただしZチルト方向への微小移動可能な状態で)連結されており、該X粗動ステージ26に牽引されることによって、X軸方向、及びY軸方向に所定の長ストロークで移動する。また、基板ホルダ540は、平面視で矩形の枠状に形成された本体部542と、該本体部542の上面に固定された吸着部544とを有している。吸着部544も本体部542と同様に、平面視で矩形の枠状に形成されている。基板Pは、吸着部544に、真空吸着保持される。上記非接触テーブル536は、基板ホルダ540の吸着部544に対して所定の隙間が形成された状態で、該吸着部544が有する開口内に挿入されている。非接触テーブル536は、基板Pの下面に対する加圧気体の噴出と気体の吸引を併用することにより、基板Pに荷重(プリロード)を作用させて、該基板Pを非接触状態(水平面に沿った相対移動を阻害しない状態)で平面矯正する。
 また、微動ステージ32の下面からは、複数(本実施形態では、4枚)のガイド板548が水平面に沿って放射状に延びている。基板ホルダ540は、上記複数のガイド板548に対応して、エアベアリングを含む複数のパッド546を有しており、該エアベアリングからガイド板548の上面に噴出される加圧気体の静圧により、ガイド板548上に非接触状態で載置されている。微動ステージ32は、上記第1~第5の実施形態と異なり、X粗動ステージ24に対してZチルト方向にのみ微小駆動される。この際、上記複数のガイド板548も微動ステージ32と一体的にZチルト方向に移動(姿勢変化)するので、微動ステージ32が姿勢変化すると、該微動ステージ32、非接触テーブル536、及び基板ホルダ540(すなわち基板P)が、一体的に姿勢変化する。
 また、基板ホルダ540は、該基板ホルダ540が有する可動子と微動ステージ32が有する固定子とを含む複数のリニアモータ552(ボイスコイルモータ)を介して微動ステージ32に対して水平面内の3自由度方向に微小駆動される。また、微動ステージ32がXY平面に沿って長ストロークで移動する際には、微動ステージ32と該基板ホルダ540とが一体的にXY平面に沿って長ストロークで移動するように、上記複数のリニアモータ552によって基板ホルダ540に推力が付与される。
 基板ホルダ540には、上記第1の実施形態と同様に、ブラケット38aを介してターゲット38が固定されている。主制御装置50(図4参照)は、上記第1の実施形態と同様に、ターゲット38に計測光を照射する複数のセンサヘッド78(図1など参照)を用いて、基板ホルダ540(すなわち基板P)の姿勢変化量を計測する。なお、複数のセンサヘッド78の配置を含み、基板PのZチルト位置の計測系の構成は、上記第2~第5の実施形態と同様の変形が可能である。また、本第6の実施形態では、基板ホルダ540にブラケット38aを介してターゲット38が固定されたが、これに限られず、基板ホルダ540の上面に直接ターゲット38(及びスケール板340)を貼り付けても良いし、基板ホルダ540の上面を鏡面加工してターゲットと同等に機能させても良い。
 なお、上記第1~第6の各実施形態で説明した構成については、適宜変更が可能である。例えば、上記各実施形態において、基板PのZチルト位置情報を求めるためのセンサヘッド78(下向きヘッド)は、基板ホルダ36に取り付けられたターゲット38(138、238)が有する反射面に計測光を照射したが、センサヘッド78から照射される計測光を反射することができ、且つ基板Pの姿勢変化を反映することができれば、ターゲットの形態は、これに限られず、基板Pに計測光を反射させても(すなわち、基板P自体をターゲットとして機能させても)良い。また、上記各実施形態のターゲット38などは、微動ステージ32に取り付けられていても良い。
 また、上記各実施形態では、X軸方向(走査方向)に延びるターゲット38に対して、センサヘッド78(下向きヘッド)がY軸方向に移動する構成であったが、これに限られず、ターゲット38が他の方向(Y軸方向)に延び、該ターゲット38の延びる方向に対して水平面内で直交する方向にセンサヘッド78が移動する構成でも良い。
 また、上記各実施形態では、基板ステージ装置20がX軸方向に延びるターゲット38を有し、該ターゲット38に同期して装置本体18に取り付けられたセンサヘッド78がY軸方向に移動する構成であったが、これとは逆に、基板ステージ装置20がセンサヘッド78を有し、該センサヘッド78に同期して装置本体18に取り付けられたターゲット38がY軸方向に移動する構成であっても良い。この場合、ターゲット38の姿勢変化を計測し、その出力に基づいてセンサヘッド78の出力を補正すると良い。
 また、上記各実施形態において、重量キャンセル装置28は、Y軸方向へ移動可能な可動定盤であるYステップガイド30上に載置されたが、これに限られず、重量キャンセル装置28のXY平面内の移動範囲の全体をカバーするガイド面を有する、固定の定盤上に重量キャンセル装置28が載置されても良い。
 また、照明系12で用いられる光源、及び該光源から照射される照明光ILの波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。
 また、上記各実施形態では、投影光学系16として、等倍系が用いられたが、これに限られず、縮小系、あるいは拡大系を用いても良い。
 また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。
 また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、ウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、フィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。
 液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
 なお、上記実施形態で引用した露光装置などに関する全ての米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
 以上説明したように、本発明の移動体装置及び計測方法は、移動体の位置情報を求めるのに適している。また、本発明の露光装置は、物体を露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの製造に適している。また、本発明のバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。
 10…液晶露光装置、20…基板ステージ装置、36…基板ホルダ、70…基板ステージZチルト位置計測系、72a、72b…ヘッドユニット、74…Yリニアアクチュエータ、76…Yスライダ、78…センサヘッド、P…基板。

Claims (21)

  1.  物体を保持し、第1方向へ移動可能な第1移動体と、
     前記第1移動体に対向して設けられ、前記第1方向へ移動可能な第2移動体と、
     前記第1及び第2移動体の一方の移動体に設けられた計測系と、他方の移動体に設けられた被計測系と、を有し、前記被計測系に対して前記計測系が計測ビームを照射し前記第1移動体の上下方向の位置を計測する計測部と、を備え、
     前記計測部は、前記第1方向へ移動した前記第1移動体に対して、前記第1移動体に対向するように前記第2移動体が前記第1方向へ移動し、計測を行う移動体装置。
  2.  前記第2移動体は、前記計測ビームが前記被計測系から外れないように、前記第1移動体に対して前記第1方向へ移動する請求項1に記載の移動体装置。
  3.  前記計測系は、前記第2移動体に設けられ、
     前記計測部は、前記第2移動体に設けられた前記計測系が前記第1方向への駆動に起因して生じる前記上下方向を軸とする回転方向の計測誤差を補償し、前記第1移動体の前記第1方向の位置を計測する請求項1又は2に記載の移動体装置。
  4.  前記被計測系は、前記第1方向と交差する第2方向に関する前記第1移動体の移動可能範囲を計測可能な長さを有する請求項1~3のいずれか一項に記載の移動体装置。
  5.  前記第1移動体は、前記計測ビームが前記被計測系から外れないように、前記第2方向へ移動する請求項4に記載の移動体装置。
  6.  前記計測部は、前記第1移動体が前記第2方向に移動する場合、前記第2方向に関する前記第2移動体の位置を変えずに計測を行う請求項4又は5に記載の移動体装置。
  7.  前記計測系は、複数設けられ、
     前記複数の計測系の前記被計測系に対する計測点は、前記第2方向に関して互いに位置が異なる請求項4~6のいずれか一項に記載の移動体装置。
  8.  前記計測部は、前記被計測系に前記計測ビームを照射するとともに該計測ビームの前記被計測系からの戻り光に基づいて前記第1移動体の前記上下方向の位置を計測する請求項1~7のいずれか一項に記載の移動体装置。
  9.  前記第1移動体の移動の基準となる基準部材と、をさらに備え、
     前記第2移動体は、前記上下方向に関して、前記第1移動体と前記基準部材との間に配置される請求項1~8のいずれか一項に記載の移動体装置。
  10.  前記第2移動体の前記第1方向の位置情報を求める第1計測系と、
     前記第1移動体及び前記第2移動体の一方の移動体に設けられた回折格子、及び前記第1移動体及び前記第2移動体の他方の移動体に設けられ、前記回折格子を用いて前記第1移動体の前記第1方向を含む2次元平面内の位置情報を求めるエンコーダヘッドを含む第2計測系と、を有し
     前記第1及び第2計測系の出力に基づいて前記第1移動体の前記2次元平面内の位置情報を求める請求項1~9のいずれか一項に記載の移動体装置。
  11.  前記物体を非接触支持する支持部をさらに備え、
     前記第1移動体は、前記支持部により非接触支持された前記物体を保持する請求項1~10のいずれか一項に記載の移動体装置。
  12.  物体を保持し、第1方向へ移動可能な第1移動体と、
     前記第1移動体に対向して設けられ、前記第1方向へ移動可能な第2移動体と、
     前記第1及び第2移動体の一方の移動体に設けられた計測系と、他方の移動体に設けられた被計測系と、を有し、前記被計測系に対して前記計測系が計測ビームを照射し前記第1移動体の上下方向の位置を計測する計測部と、を備える移動体装置。
  13.  請求項1~12のいずれか一項に記載の移動体装置と、
     前記第1移動体に保持された物体に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成するパターン形成装置と、を備える露光装置。
  14.  前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項13に記載の露光装置。
  15.  前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上である請求項13又は14に記載の露光装置。
  16.  請求項13~15のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
     露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
  17.  請求項13~15のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
     露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  18.  物体を保持し、第1方向へ移動可能な第1移動体と前記第1移動体に対向して設けられ、前記第1方向へ移動可能な第2移動体との一方に設けられた被計測系に対して、前記第1移動体と前記第2移動体との他方に設けられた計測系が計測ビームを照射し、前記第1移動体の上下方向の位置を計測することを含み、
     前記計測することでは、前記第1方向へ移動した前記第1移動体に対向するように、前記第1移動体に対して前記第2移動体が前記第1方向へ移動し、前記計測が行われる計測方法。
  19.  前記第2移動体は、前記計測ビームが前記被計測系から外れないように、前記第1移動体に対して前記第1方向へ移動する請求項18に記載の計測方法。
  20.  前記計測系は、前記第2移動体に設けられ、
     前記計測することでは、前記第2移動体に設けられた前記計測系が前記第1方向へ移動することに起因して生じる前記上下方向を軸とする回転方向の計測誤差を補償し、前記第1移動体の前記第1方向の位置を計測する請求項18又は19に記載の計測方法。
  21.  前記被計測系は、前記第1方向と交差する第2方向に関する前記第1移動体の移動可能範囲を計測可能な長さを有する請求項18~20のいずれか一項に記載の計測方法。
     
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017057465A1 (ja) * 2015-09-30 2018-07-19 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法
JP2020173472A (ja) * 2015-09-30 2020-10-22 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10732510B2 (en) * 2015-09-30 2020-08-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001004357A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Yaskawa Electric Corp 移動体の寄り付き位置検出方法
JP2003100627A (ja) * 2002-08-28 2003-04-04 Nikon Corp 走査型露光装置及びデバイス製造方法
JP2006156508A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Nikon Corp 目標値決定方法、移動方法及び露光方法、露光装置及びリソグラフィシステム
WO2008026742A1 (fr) * 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif
WO2009028157A1 (ja) * 2007-08-24 2009-03-05 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置
JP2012227551A (ja) * 2012-08-03 2012-11-15 Nikon Corp マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2013150788A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
WO2014054690A1 (ja) * 2012-10-02 2014-04-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3258194B2 (ja) * 1995-03-02 2002-02-18 キヤノン株式会社 露光装置および露光方法
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036557A1 (nl) * 2008-03-11 2009-09-14 Asml Netherlands Bv Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface.
TW201100975A (en) 2009-04-21 2011-01-01 Nikon Corp Moving-object apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5578485B2 (ja) * 2009-10-14 2014-08-27 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US20110141448A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-16 Nikon Corporation Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
CN107017191B (zh) * 2010-02-17 2020-08-14 株式会社尼康 搬送装置、曝光装置、以及元件制造方法
CN102566287B (zh) * 2010-12-16 2014-02-19 上海微电子装备有限公司 光刻机的垂向控制装置及方法
JP6132079B2 (ja) * 2012-04-04 2017-05-24 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP2014098731A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Nikon Corp 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
KR101448509B1 (ko) * 2013-12-04 2014-10-13 순환엔지니어링 주식회사 직선 운동 평면 구동형 겐트리 스테이지의 동적 및 열변형 에러 실시간 보상 시스템, 스테이지 장치 및 제조, 계측 및 검사 장비
CN108957966B (zh) * 2014-03-28 2021-02-02 株式会社尼康 移动体装置
JP6958355B2 (ja) * 2015-09-30 2021-11-02 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
KR20180059813A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법
JP6958354B2 (ja) * 2015-09-30 2021-11-02 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001004357A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Yaskawa Electric Corp 移動体の寄り付き位置検出方法
JP2003100627A (ja) * 2002-08-28 2003-04-04 Nikon Corp 走査型露光装置及びデバイス製造方法
JP2006156508A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Nikon Corp 目標値決定方法、移動方法及び露光方法、露光装置及びリソグラフィシステム
WO2008026742A1 (fr) * 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif
WO2009028157A1 (ja) * 2007-08-24 2009-03-05 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置
WO2013150788A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP2012227551A (ja) * 2012-08-03 2012-11-15 Nikon Corp マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2014054690A1 (ja) * 2012-10-02 2014-04-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017057465A1 (ja) * 2015-09-30 2018-07-19 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法
JP2020173472A (ja) * 2015-09-30 2020-10-22 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法

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