JP5494755B2 - マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ又はガラス基板等の物体上に配置されたマークを検出するためのマーク検出技術、並びにこのマーク検出技術を用いてその物体の位置制御を行う位置制御技術、露光技術、及びデバイス製造技術に関する。

従来、半導体素子（集積回路等）、液晶表示素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）又はステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などの露光装置が用いられている。
例えば半導体素子を製造するリソグラフィ工程では、ウエハ上に多層の回路パターンを重ね合わせて所望の素子を形成するが、各層間での重ね合わせ精度が悪いと、半導体素子は所定の回路特性を発揮することができず、歩留りが低下する。このため、通常、ウエハ上の複数のショット領域の各々に予めマーク（アライメントマーク）を付設しておき、アライメント系を用いて露光装置のステージ座標系上におけるそのマークの位置（座標値）を計測し、その計測結果からウエハ上の各ショット領域の配列座標を求めるウエハアライメントが行われる。その後、ウエハ上の各ショット領域の配列座標情報と新たに形成されるパターン（例えばレチクルパターン）の既知の（計測された）位置情報とに基づいて、順次、ウエハ上の各ショット領域をそのパターンに対して位置合わせした状態でそのパターンがそのショット領域に転写される。

ウエハアライメントの方式として、スループットとの兼ね合いから、ウエハ上のいくつかのショット領域（サンプルショット又はアライメントショットとも呼ばれる）のみのアライメントマークを検出してショット領域の配列の規則性を求めることで、全部のショット領域の配列座標を求めるグローバル・アライメントが主に使用されている。その中でも特に、ウエハ上のショット領域の配列を統計的手法によって高精度に算出するエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）が主流となっている（例えば特許文献１参照）。
特開昭６１−４４４２９号公報

従来のウエハアライメントでは、一つのアライメント系（検出領域が一つのアライメント系）を用いてウエハ上の所定の複数のアライメントマークを計測し、この結果に基づいて全部のショット領域の配列座標を求めていた。従って、アライメント精度を高めるために、計測対象のアライメントマークの個数を増加させる場合に、複数のアライメントマークを１つずつ順次アライメント系の検出領域内へ移動して計測することを繰り返すため、アライメントマークの計測に要する時間が長くなり、露光工程のスループットが低下するという問題があった。

特に最近のウエハは大面積化して、一つのウエハ上のショット領域の個数が多くなっているため、アライメント精度を高めるために、できるだけ効率的に多くのアライメントマークの計測を行うことが要求されている。
本発明は、上述の事情の下になされたもので、半導体ウエハ等の物体上の複数のマークをできるだけスループットを低下させることなく、かつ高精度に検出できるマーク検出技術を提供することを目的とする。

さらに本発明は、そのマーク検出技術を用いて物体の位置制御を行う位置制御技術、この位置制御技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することをも目的とする。

本発明による第１のマーク検出方法は、少なくとも１軸方向（Ｘ方向）に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、その１軸方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で基準部材（４６）上に配置された複数のマークのうち、第１の一組のマーク（Ｍ１，Ｍ２₁）を対応する一
組のそのマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁）で検出する工程（ステップ３０６）と；その
複数のマークのうちその第１の一組のマークと一つのマーク（Ｍ１）が共通の第２の一組のマーク（Ｍ１，Ｍ２₂）を、対応する一組のそのマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₂）で検出する工程（ステップ３０７）と；そのマーク検出系の対応するそのマークの検出結果およびその複数のマークのその特定位置関係に基づいて、その複数のマーク検出系の位置関係の情報を取得する工程（ステップ３０８）と；を有するものである。

本発明による第１のマーク検出装置は、少なくとも１軸方向に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出装置であって、その１軸方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数のマークが配置された基準部材（４６）と；その基準部材上に配置された複数のマークのうち、第１の一組のマークを対応する一組のそのマーク検出系で検出させ、その複数のマークのうちその第１の一組のマークと一つのマークが共通の第２の一組のマークを、対応する一組のそのマーク検出系を介して検出し、そのマーク検出系の対応するそのマークの検出結果およびその複数のマークのその特定位置関係に基づいて、その複数のマーク検出系の位置関係の情報を取得する制御装置（２０，２０ａ）と；を備えるものである。

また、本発明による第２のマーク検出方法は、少なくとも１軸方向（Ｘ方向）に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体（Ｗ）上のマークを検出するマーク検出方法であって、その複数のマーク検出系のその検出領域にそれぞれその物体上の互いに異なる位置のマーク（ＷＭＡ〜ＷＭＥ）を移動して該マークを検出する工程（ステップ３１５）と；その物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、その複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報およびその検出領域のデフォーカス情報を計測する工程（ステップ３１６）と；その複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報から求められる合焦状態の情報とその検出領域のデフォーカス情報とから、そのデフォーカス情報の補正情報を求める工程（ステップ３１７）と；を有するものである。

本発明による第２のマーク検出装置は、少なくとも１軸方向に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出装置であって、その物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を制御する姿勢制御機構（ＷＳＴ）と；その複数のマーク検出系のその検出領域のデフォーカス情報を求めるデフォーカス情報計測系（６Ａ〜６Ｅ）と；制御装置（２０，１３２）と；を備え、その制御装置は、その複数のマーク検出系のその検出領域にそれぞれその物体上の互いに異なる位置のマーク（ＷＭＡ〜ＷＭＥ）を移動して、その複数のマーク検出系を用いてそのマークを検出し、その姿勢制御装置を介して、その物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、その複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報およびそのデフォーカス情報計測系によるデフォーカス情報を求め、その複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報から求められる合焦状態の情報とその検出領域のデフォーカス情報とから、そのデフォーカス情報の補正情報を求めるものである。

また、本発明による第３のマーク検出方法は、少なくとも１軸方向（Ｘ方向）に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、その１軸方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数のマークを配置した基準部材（４６）を、その１軸に対して傾けた姿勢で、その複数の検出領域の２つに位置づけて、その基準部材と２つの検出領域とをその１軸方向に相対移動することなく、その２つの検出領域内のマーク（Ｍ１，Ｍ２₁）を略同時に検出し
（ステップ３０６）、その２つの検出領域内のマークを検出した結果とその基準部材内の複数のマークの配置に関するその特定位置関係の情報とから、その２つの検出領域の位置関係情報を求め、その２つの検出領域とその物体上のマークとをその１軸方向に相対移動することなく、その２つの検出領域でその物体上のマーク（ＷＭＧ，ＷＭＪ）を実質的に同時に検出し（ステップ３２０）、その２つの検出領域でその物体上のマークを略同時に検出した結果と、その２つの検出領域の位置関係情報とから、その２つの検出領域のそれぞれで検出したその物体上のマークそれぞれの位置情報を求めるものである。

本発明による第３のマーク検出装置は、少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域（ＡＬ１ｆ，ＡＬ２₁ｆ〜ＡＬ２₄ｆ）を備え、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを実質的に同時に検出するマーク検出装置であって、その１軸方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数のマークを配置した基準部材（４６）と、その基準部材を、その１軸に関して傾けた姿勢で、その複数の検出領域の２つに位置づける駆動装置（ＭＳＴ）と、その基準部材と２つの検出領域とをその１軸方向に相対移動することなく、その２つの検出領域内のマークを実質的に同時に検出した結果とその基準部材内の複数のマークの配置に関するその特定位置関係の情報とから、その２つの検出領域の位置関係情報を求める演算装置（２０ａ）と、を備え、その２つの検出領域とその物体上のマークとをその１軸方向に相対移動することなく、その２つの検出領域でその物体上のマークを実質的に同時に検出し、その２つの検出領域でその物体上のマークを略同時に検出した結果と、その２つの検出領域の位置関係情報とから、その２つの検出領域のそれぞれで検出したその物体上のマークそれぞれの位置情報を求めるものである。

また、本発明による第４のマーク検出方法は、少なくとも１軸方向（Ｘ方向）に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、その複数の検出領域のうち２つにその物体を位置づけて、その物体の高さ方向の位置とその物体の傾きとの少なくとも一方を次第に変えながらその２つの検出領域それぞれに位置するその物体上の第１組のマーク（ＷＭＣ，ＷＭＤ）を検出し（ステップ３１５，３１６）、その２つの検出領域で検出した結果のそれぞれを所定の評価基準で評価し、その物体を、その評価の結果に基づくその高さ方向の位置でその評価の結果に基づいて傾けて配置し、その物体上のその第１組のマークとは異なる第２組のマーク（ＷＭＨ，ＷＭＩ）をその２つの検出領域で検出する（ステップ３２０）ものである。

また、本発明による第５のマーク検出方法は、少なくとも１軸方向（Ｘ方向）に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）で、少なくともその１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、その上にマークが形成された基準部材（４６）の高さ方
向の位置を次第に変えながらその複数の検出領域のそれぞれに位置するその基準部材上のマーク（Ｍ１，Ｍ２₁）を検出し（ステップ３０２）、その複数の検出領域で検出した結
果のそれぞれを所定の評価基準で評価し、その物体を、その評価の結果に基づくその高さ方向の位置でその評価の結果に基づいて傾けてその複数の検出領域のうちの２つに配置し（ステップ３２０）、その２つの検出領域でその物体上のマーク（ＷＭＨ，ＷＭＩ）を実質的に同時に検出するものである。

なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。

本発明によれば、少なくとも１軸方向に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系（又は少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系）を用いており、実質的に同時に複数のマーク検出系（又は２つの検出領域）で異なる複数のマークの検出が可能であるため、物体上の複数のマークを効率的に検出できる。

さらに、本発明の第１のマーク検出方法又は装置によれば、基準部材上の複数（１組）のマークを対応する複数（１組）のマーク検出系で検出することによって、基準部材の位置が変動しても、複数のマーク検出系の位置関係を高精度に計測でき、それ以降の計測精度が向上する。
また、本発明の第２のマーク検出方法又は装置によれば、物体上の複数のマークを複数のマーク検出系で並行に検出してデフォーカス情報を補正しているため、効率的にデフォーカス情報を補正できるとともに、それ以降の物体上のマークの合焦精度が向上して計測精度が向上する。

また、本発明の第３のマーク検出方法又は装置によれば、基準部材上の２つのマークを対応する２つの検出領域で検出することによって、合焦精度を向上できる。そのため、マーク検出系の複数の検出領域の位置関係を高精度に計測でき、それ以降の計測精度が向上する。
また、本発明の第４のマーク検出方法によれば、物体上の２つのマークを対応する２つの検出領域で検出し、デフォーカス情報を補正した後で、そのまま合焦状態でマーク検出を行うことができる。従って、デフォーカス情報を補正するための動作に基づく、スループットの低下が抑制されるとともに、それ以降の物体上のマークの合焦精度が向上して計測精度が向上する。

また、本発明の第５のマーク検出方法によれば、基準部材のマークを用いて合焦精度を向上できるとともに、物体上の２つのマークを２つの検出領域で検出することによって、そのマークを同時に合焦状態で高精度に計測できる。

以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る露光装置１００の概略構成を示す。この露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（走査型露光装置）としてのいわゆるスキャニング・ステッパである。後述するように本実施形態では、投影光学系ＰＬが設けられており、以下においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向にＹ軸を、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向にＸ軸を取り、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。

図１において、露光装置１００は、照明系１０、該照明系１０からの露光用の照明光（露光光）ＩＬにより照明されるレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲから射出された照明光ＩＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬを含む投影ユニットＰＵ、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを有するステージ装置５０、及びこれらの制御系等を備えている。ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハＷが載置されている。

照明系１０は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書）などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）、回折光学素子など）等を含む照度均一化光学系、レチクルブラインド等（いずれも不図示）を有する照明光学系とを含んでいる。照明系１０は、レチクルブラインドで規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域ＩＡＲを照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。なお、照明光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４７ｎｍ）、Ｆ₂ レーザ光（波長１５７ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高調波、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波、又は水銀ランプの輝線（ｉ線等）なども使用できる。

前記レチクルステージＲＳＴ上には、回路パターンなどがそのパターン面（下面）に形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む図７のレチクルステージ駆動系１１によって、ＸＹ平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能となっている。

図１のレチクルステージＲＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置情報、及びθｚ方向の回転情報を含む）は、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計１１６によって、移動鏡１５（ステージの端面を鏡面加工した反射面でもよい）を介して例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１１６の計測値は、図７の主制御装置２０に送られる。主制御装置２０は、レチクル干渉計１１６の計測値に基づいてレチクルステージＲＳＴの少なくともＸ方向、Ｙ方向、及びθｚ方向の位置を算出するとともに、この算出結果に基づいてレチクルステージ駆動系１１を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。

図１において、レチクルステージＲＳＴの下方に配置された投影ユニットＰＵは、鏡筒４０と、該鏡筒４０内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系ＰＬとを含む。投影光学系ＰＬとしては、例えば光軸ＡＸに沿って配列される複数のレンズエレメントを含む屈折光学系が用いられている。投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率β（例えば１／４倍、１／５倍、又は１／８倍などの縮小倍率）を有する。照明系１０からの照明光ＩＬによって照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介して照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの像が、ウエハＷの一つのショット領域上の露光領域ＩＡ（照明領域ＩＡＲに共役な領域）に形成される。本例のウエハＷは、例えば直径が２００ｍｍから３００ｍｍ程度の円板状の半導体ウエハの表面に感光剤（感光層）であるレジスト（フォトレジスト）を所定の厚さ（例えば２００ｎｍ程度）で塗布したものを含む。本例のウエハＷの各ショット領域には、これまでのパターン形成工程によって所定の単層又は複数層の回路パターン及び対応するアライメントマーク（ウエハマーク）が形成されている。

なお、露光装置１００では、液浸法を適用した露光が行われる。この場合に、投影光学系の大型化を避けるために、投影光学系ＰＬとしてミラーとレンズとを含む反射屈折系を
用いても良い。
また、露光装置１００では、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子である先端レンズ１９１を保持する鏡筒４０の下端部周囲を取り囲むように、局所液浸装置８の一部を構成するノズルユニット３２が設けられている。

図１において、ノズルユニット３２は、露光用の液体Ｌｑを供給可能な供給口と、液体Ｌｑを回収可能な回収口とを有する。その回収口には多孔部材（メッシュ）が配置されている。ウエハＷの表面と対向可能なノズルユニットの下面は、その多孔部材の下面、及び照明光ＩＬを通過させるための開口を囲むように配置された平坦面のそれぞれを含む。またその供給口は、ノズルユニット３２の内部に形成された供給流路及び供給管３１Ａを介して、液体Ｌｑを送出可能な液体供給装置１８６（図７参照）に接続されている。その回収口は、ノズルユニット３２の内部に形成された回収流路及び回収管３１Ｂを介して、少なくとも液体Ｌｑを回収可能な液体回収装置１８９（図７参照）に接続されている。

液体供給装置１８６は、液体のタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、及び供給管３１Ａに対する液体の供給・停止を制御するための流量制御弁等を含んでおり、清浄で温度調整された露光用の液体Ｌｑを送出可能である。液体回収装置１８９は、液体のタンク、吸引ポンプ、及び回収管３１Ｂを介した液体の回収・停止を制御するための流量制御弁等を含んでおり、液体Ｌｑを回収可能である。なお、液体のタンク、加圧（吸引）ポンプ、温度制御装置、制御弁などは、そのすべてを露光装置１００で備えている必要はなく、少なくとも一部を露光装置１００が設置される工場などの設備で代替することもできる。

図７の液体供給装置１８６及び液体回収装置１８９の動作は主制御装置２０によって制御される。図７の液体供給装置１８６から送出された露光用の液体Ｌｑは、図１の供給管３１Ａ、及びノズルユニット３２の供給流路を流れた後、その供給口より照明光ＩＬの光路空間に供給される。また、図７の液体回収装置１８９を駆動することによりその回収口から回収された液体Ｌｑは、図１のノズルユニット３２の回収流路を流れた後、回収管３１Ｂを介して液体回収装置１８９に回収される。図７の主制御装置２０は、ノズルユニット３２の供給口からの液体供給動作とノズルユニット３２の回収口による液体回収動作とを並行して行うことで、図１の先端レンズ１９１とウエハＷとの間の照明光ＩＬの光路空間を含む液浸領域１４（図４参照）を液体Ｌｑで満たすように、液体Ｌｑの液浸空間を形成する。

図１に戻り、ステージ装置５０は、ベース盤１２の上方に配置されたウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴ、これらのステージＷＳＴ，ＭＳＴの位置情報を計測するＹ軸干渉計１６，１８を含む干渉計システム１１８（図７参照）、及び露光の際などにウエハステージＷＳＴの位置情報を計測するのに用いられる後述するエンコーダシステム、並びにステージＷＳＴ，ＭＳＴ及び後述のＺ・レベリング機構を駆動するステージ駆動系１２４（図７参照）などを備えている。

ウエハステージＷＳＴ、計測ステージＭＳＴそれぞれの底面には、不図示の非接触軸受、例えば真空予圧型空気静圧軸受を構成するエアパッドが複数箇所に設けられている。これらのエアパッドからベース盤１２の上面に向けて噴出された加圧空気の静圧により、ベース盤１２の上方にウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴが数μｍ程度のクリアランスを介して非接触で支持されている。また、ステージＷＳＴ，ＭＳＴは、図７のステージ駆動系１２４によって、Ｙ方向及びＸ方向に独立して２次元方向に駆動可能である。

これをさらに詳述すると、床面上には、図２の平面図に示されるように、ベース盤１２を挟んでＸ方向の一側と他側に、Ｙ方向に延びる一対のＹ軸固定子８６，８７が、それぞ
れ配置されている。Ｙ軸固定子８６，８７は、例えばＹ方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたＮ極磁石とＳ極磁石の複数の組から成る永久磁石群を内蔵する磁極ユニットによって構成されている。Ｙ軸固定子８６，８７には、各２つのＹ軸可動子８２，８４及び８３，８５が、それぞれ非接触で係合した状態で設けられている。すなわち、合計４つのＹ軸可動子８２，８４、及び８３，８５は、ＸＺ断面でＵ字状のＹ軸固定子８６及び８７の内部空間に挿入された状態となっており、対応するＹ軸固定子８６及び８７に対して不図示のエアパッドを介して例えば数μｍ程度のクリアランスを介して非接触で支持されている。Ｙ軸可動子８２，８４，８３，８５のそれぞれは、例えばＹ方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルを内蔵する電機子ユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、電機子ユニットから成るＹ軸可動子８２，８４と磁極ユニットから成るＹ軸固定子８６とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータがそれぞれ構成されている。同様にＹ軸可動子８３，８５とＹ軸固定子８７とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータがそれぞれ構成されている。以下においては、上記４つのＹ軸リニアモータのそれぞれを、それぞれの可動子８２，８４，８３及び８５と同一の符号を用いて、適宜、Ｙ軸リニアモータ８２，８４，８３及び８５と呼ぶものとする。

上記４つのＹ軸リニアモータのうち、２つのＹ軸リニアモータ８２，８３の可動子８２，８３は、Ｘ方向に延びるＸ軸固定子８０の長手方向の一端と他端にそれぞれ固定されている。また、残り２つのＹ軸リニアモータ８４，８５の可動子８４，８５は、Ｘ方向に延びるＸ軸固定子８１の一端と他端に固定されている。従って、Ｘ軸固定子８０及び８１は、各一対のＹ軸リニアモータ８２，８３、及び８４，８５によって、Ｙ軸に沿ってそれぞれ駆動される。

Ｘ軸固定子８０，８１のそれぞれは、例えばＸ方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵する電機子ユニットによって構成されている。
一方のＸ軸固定子８１は、ウエハステージＷＳＴの一部を構成するステージ本体９１（図１参照）に形成された不図示の開口に挿入状態で設けられている。このステージ本体９１の上記開口の内部には、例えばＸ方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたＮ極磁石とＳ極磁石の複数の組から成る永久磁石群を有する磁極ユニットが設けられている。この磁極ユニットとＸ軸固定子８１とによって、ステージ本体９１をＸ方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータが構成されている。同様に、他方のＸ軸固定子８０は、計測ステージＭＳＴを構成するステージ本体９２に形成された開口に挿入状態で設けられている。このステージ本体９２の上記開口の内部には、ウエハステージＷＳＴ側（ステージ本体９１側）と同様の磁極ユニットが設けられている。この磁極ユニットとＸ軸固定子８０とによって、計測ステージＭＳＴをＸ方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータが構成されている。

本実施形態では、ステージ駆動系１２４を構成する上記各リニアモータが、図７に示される主制御装置２０によって制御される。なお、各リニアモータは、それぞれムービングマグネット型、ムービングコイル型のどちらか一方に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。なお、一対のＹ軸リニアモータ８４，８５（及び８２，８３）がそれぞれ発生する推力を僅かに異ならせることで、ウエハステージＷＳＴ（及び計測ステージＭＳＴ）のヨーイング（θｚ方向の回転）の制御が可能である。

図１のウエハステージＷＳＴは、前述したステージ本体９１と、ステージ本体９１上に搭載されたウエハテーブルＷＴＢと、ステージ本体９１内に設けられて、ステージ本体９１に対してＺ方向、θｘ方向、及びθｙ方向にウエハテーブルＷＴＢ（ウエハＷ）を相対的に微小駆動するＺ・レベリング機構とを備えている。そのＺ・レベリング機構は、例えば３箇所でＺ方向に変位を与えるボイスコイルモータと、その３箇所のＺ方向の変位を計測するセンサとを含む機構などで構成される。

ウエハテーブルＷＴＢ上には、ウエハＷを真空吸着等によって保持するウエハホルダ（不図示）が設けられている。ウエハホルダはウエハテーブルＷＴＢと一体に形成しても良いが、本実施形態ではウエハホルダとウエハテーブルＷＴＢとを別々に構成し、例えば真空吸着などによってウエハホルダをウエハテーブルＷＴＢの凹部内に固定している。また、ウエハテーブルＷＴＢの上面には、ウエハホルダ上に載置されるウエハの表面とほぼ面一となる、液体Ｌｑに対して撥液化処理された表面（撥液面）を有し、かつ外形（輪郭）が矩形でその中央部にウエハホルダ（ウエハの載置領域）よりも一回り大きな円形の開口が形成されたプレート（撥液板）２８が設けられている。プレート２８は、低熱膨張率の材料、例えばガラス、ガラスセラミックス、又はセラミックス（ショット社のゼロデュア（商品名）、Ａｌ₂Ｏ₃あるいはＴｉＣなど）から成り、その表面には、例えばフッ素樹脂材料、ポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料あるいはシリコン系樹脂材料などにより撥液膜が形成される。

さらにプレート２８は、図５（Ａ）のウエハテーブルＷＴＢ（ウエハステージＷＳＴ）の平面図に示されるように、円形の開口を囲む、外形（輪郭）が矩形の第１撥液領域２８ａと、第１撥液領域２８ａの周囲に配置される矩形枠状（環状）の第２撥液領域２８ｂとを有する。第１撥液領域２８ａは、例えば露光動作時、ウエハの表面からはみ出す液浸領域１４（図４参照）の少なくとも一部が形成され、第２撥液領域２８ｂは、後述のエンコーダシステムのためのスケールが形成される。なお、プレート２８はその表面の少なくとも一部がウエハの表面と面一でなくても良い、すなわち異なる高さであっても良い。また、プレート２８は単一のプレートでも良いが、本実施形態では複数のプレート、例えば第１及び第２撥液領域２８ａ，２８ｂにそれぞれ対応する第１及び第２撥液板を組み合わせて構成する。

この場合、内側の第１撥液領域２８ａには、照明光ＩＬが照射されるのに対し、外側の第２撥液領域２８ｂには、照明光ＩＬが殆ど照射されない。このことを考慮して、本実施形態では、第１撥液領域２８ａの表面には、照明光ＩＬ（この場合、真空紫外域の光）に対する耐性が十分にある撥水コートが施され、第２撥液領域２８ｂには、その表面に第１撥液領域２８ａに比べて照明光ＩＬに対する耐性が劣る撥水コートが施されている。

また、図５（Ａ）から明らかなように、第１撥液領域２８ａの＋Ｙ方向側の端部には、そのＸ方向の中央部に長方形の切り欠きが形成され、この切り欠きと第２撥液領域２８ｂとで囲まれる長方形の空間の内部（切り欠きの内部）に計測プレート３０が埋め込まれている。この計測プレート３０の長手方向の中央（ウエハテーブルＷＴＢのセンターラインＬＬ上）には、ベースライン計測用の基準マークＦＭが形成されるとともに、該基準マークのＸ方向の一側と他側に、基準マークＦＭの中心に関して対称な配置で一対の空間像計測用のスリットパターン（スリット状の計測用パターン）ＳＬが形成されている。各スリットパターンＳＬとしては、一例として、Ｙ方向とＸ方向とに沿った辺を有するＬ字状のスリットパターン、あるいはＸ軸及びＹ方向にそれぞれ延びる２つの直線状のスリットパターンなどを用いることができる。

そして、上記各スリットパターンＳＬ下方のウエハステージＷＳＴの内部には、図５（Ｂ）に示されるように、対物レンズ、ミラー、リレーレンズなどを含む光学系よりなる送光系３６が収納されたＬ字状の筐体が、ウエハテーブルＷＴＢからステージ本体９１の内部の一部を貫通する状態で、一部埋め込み状態で取り付けられている。送光系３６は、図示は省略されているが、上記一対の空間像計測スリットパターンＳＬに対応して一対設けられている。送光系３６は、空間像計測スリットパターンＳＬを透過した照明光ＩＬを、Ｌ字状の経路に沿って導き、Ｙ方向に向けて射出する。

さらに、第２撥液領域２８ｂの上面には、その４辺のそれぞれに沿って所定ピッチで多数の格子線３７，３８が直接形成されている。これをさらに詳述すると、第２撥液領域２８ｂのＸ方向の両側の領域には、Ｙスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂がそれぞれ形成されている。このＹスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂はそれぞれ、例えばＸ方向を長手方向とする格子線３８を所定ピッチでＹ軸に平行な方向（Ｙ方向）に沿って形成してなる、Ｙ方向を周期方向とする反射型の格子（例えば位相型の回折格子）によって構成されている。

同様に、第２撥液領域２８ｂのＹ方向の両側の領域には、Ｘスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂がそれぞれ形成されている。このＸスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂はそれぞれ、例えばＹ方向を長手方向とする格子線３７を所定ピッチでＸ軸に平行な方向（Ｘ方向）に沿って形成してなる、Ｘ方向を周期方向とする反射型の格子（例えば位相型の回折格子）によって構成されている。

上記各スケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂，３９Ｘ₁，３９Ｘ₂としては、第２撥液領域２８ｂの表面に例えばホログラム等により反射型の回折格子が作成されたものが用いられている。この場合、各スケールには狭いスリット又は溝等から成る格子が目盛りとして所定間隔（ピッチ）で刻まれている。各スケールに用いられる回折格子の種類は限定されるものではなく、機械的に溝等が形成されたもののみならず、例えば、感光性樹脂に干渉縞を焼き付けて作成したものであっても良い。但し、各スケールは、例えば薄板状のガラスに上記回折格子の目盛りを、例えば１３８ｎｍ〜４μｍの間のピッチ、例えば１μｍピッチで刻んで作成されている。これらスケールは前述の撥液膜（撥水膜）で覆われている。なお、図５（Ａ）では、図示の便宜上から、格子のピッチは、実際のピッチに比べて格段に広く図示されている。その他の図においても同様である。

このように、本実施形態では、第２撥液領域２８ｂそのものがスケールを構成するので、第２撥液領域２８ｂの材料として低熱膨張のガラス板を用いることとしたものである。しかし、これに限らず、格子が形成された低熱膨張のガラス板などから成るスケール部材を、局所的な伸縮が生じないように、例えば板ばね（又は真空吸着）等によりウエハテーブルＷＴＢの上面に固定しても良く、この場合には、全面に同一の撥水コートが施された撥水板をプレート２８に代えて用いても良い。

ウエハテーブルＷＴＢの−Ｙ端面、−Ｘ端面には、それぞれ鏡面加工が施され、図２に示される反射面１７ａ，１７ｂが形成されている。干渉計システム１１８（図７参照）のＹ軸干渉計１６及びＸ軸干渉計１２６（図２参照）は、これらの反射面１７ａ，１７ｂにそれぞれ干渉計ビーム（測長ビーム）を投射して、それぞれの反射光を受光する。そして、干渉計１６及び１２６は、各反射面の基準位置（例えば投影ユニットＰＵ側面に配置された参照鏡）からの変位、すなわちウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報を計測し、この計測値が主制御装置２０に供給される。本実施形態では、Ｙ軸干渉計１６及びＸ軸干渉計１２６として、ともに光軸を複数有する多軸干渉計が用いられており、これらの干渉計１６及び１２６の計測値に基づいて、主制御装置２０は、ウエハテーブルＷＴＢのＸ，Ｙ方向の位置に加え、θｘ方向の回転情報（ピッチング）、θｙ方向の回転情報（ローリング）、及びθｚ方向の回転情報（ヨーイング）も計測可能である。

但し、本実施形態では、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、主として、上述したＹスケール、Ｘスケールなどを含む、後述するエンコーダシステムによって計測され、干渉計１６，１２６の計測値は、そのエンコーダシステムの計測値の長期的変動（例えばスケールの経時的な変形などによる）を補正（キャリブレーション）する場合などに補助的に用いられる。また、Ｙ軸干渉計１６は、ウエハ交換のため、後述するアンローディングポジション、及びローディングポジション付近においてウエハテーブルＷＴＢのＹ方向の位置等を計測するのに
用いられる。また、例えばローディング動作とアライメント動作との間、及び／又は露光動作とアンローディング動作との間におけるウエハステージＷＳＴの移動においても、干渉計システム１１８の計測情報、すなわち５自由度の方向（Ｘ方向、Ｙ方向、θｘ、θｙ及びθｚ方向）の位置情報の少なくとも１つが用いられる。なお、干渉計システム１１８のＹ軸干渉計１６、Ｘ軸干渉計１２６、及び後述の計測ステージＭＳＴ用のＹ軸干渉計１８、Ｘ軸干渉計１３０は、例えば投影ユニットＰＵを保持するメインフレームに設けられている。

また、本実施形態では、干渉計システム１１８によって計測されるウエハステージＷＳＴの位置情報が、後述の露光動作やアライメント動作などでは用いられず、主としてエンコーダシステムのキャリブレーション動作（すなわち、計測値の較正）などに用いられるものとしたが、干渉計システム１１８の計測情報（すなわち、５自由度の方向の位置情報の少なくとも１つ）を、例えば露光動作及び／又はアライメント動作などで用いても良い。この場合、干渉計システム１１８の計測情報がアライメント演算系２０ａにも供給される。本実施形態では、エンコーダシステムはウエハステージＷＳＴの３自由度の方向、すなわちＸ軸、Ｙ軸及びθｚ方向の位置情報を計測する。そこで、露光動作などにおいて、干渉計システム１１８の計測情報のうち、エンコーダシステムによるウエハステージＷＳＴの位置情報の計測方向（Ｘ方向、Ｙ方向、及びθｚ方向）と異なる方向、例えばθｘ方向及び／又はθｙ方向に関する位置情報のみを用いても良いし、その異なる方向の位置情報に加えて、エンコーダシステムの計測方向と同じ方向（すなわち、Ｘ方向、Ｙ方向、及びθｚ方向の少なくとも１つ）に関する位置情報を用いても良い。また、干渉計システム１１８はウエハステージＷＳＴのＺ方向の位置情報を計測可能としても良い。この場合、露光動作などにおいてＺ方向の位置情報を用いても良い。

図１の計測ステージＭＳＴは、ステージ本体９２上に平板状の計測テーブルＭＴＢ及び後述のＣＤバー４６（図６（Ａ）参照）を搭載して構成されている。ステージ本体９２には、計測テーブルＭＴＢ及びＣＤバー４６のＺ方向の位置、及びθｘ方向、θｙ方向の傾斜角を制御するＺ・レベリング機構（例えば３箇所のボイスコイルモータを含む機構など）が組み込まれている。計測テーブルＭＴＢ及びステージ本体９２には、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図２及び図６（Ａ）に示されるように、ピンホール状の受光部を有する照度むらセンサ９４、投影光学系ＰＬにより投影されるパターンの空間像（投影像）を計測する空間像計測器９６、及び波面収差計測器９８などが採用されている。

なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと液体（水）Ｌｑとを介して照明光ＩＬによりウエハＷを露光する液浸露光が行われるのに対応して、照明光ＩＬを用いる計測に使用される上記の照度むらセンサ９４（及び照度モニタ）、空間像計測器９６、並びに波面収差計測器９８では、投影光学系ＰＬ及び水を介して照明光ＩＬを受光することとなる。
計測ステージＭＳＴのステージ本体９２には、図６（Ｂ）に示されるように、その−Ｙ方向側の端面に、枠状の取付部材４２が固定されている。また、ステージ本体９２の−Ｙ方向側の端面には、取付部材４２の開口内部のＸ方向の中心位置近傍に、前述した図５（Ｂ）の一対の送光系３６に対向し得る配置で、一対の受光系４４が固定されている。各受光系４４は、リレーレンズなどの光学系と、受光素子、例えばフォトマルチプライヤチューブなどと、これらを収納する筐体とによって構成されている。図５（Ｂ）及び図６（Ｂ）、並びにこれまでの説明から分かるように、本実施形態では、ウエハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとが、Ｙ方向に関して所定距離以内に近接した状態（接触状態を含む）では、ウエハステージＷＳＴの計測プレート３０の各スリットパターンＳＬを透過した照明光ＩＬが前述の各送光系３６で案内され、計測ステージＭＳＴの各受光系４４の受光素子で受光される。すなわち、計測プレート３０、送光系３６、及び受光系４４によって、特開２００２−１４００５号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書）などに開示されるものと同様の、空間像計測装置４５（図７参照）が構成される。

図６（Ｂ）の取付部材４２上には、断面矩形の棒状部材から成る基準部材としてのコンフィデンシャルバー（以下、「ＣＤバー」と略述する）４６がＸ方向に延設されている。このＣＤバー４６は、フルキネマティックマウント構造によって、計測ステージＭＳＴの取付部材４２上にキネマティックに支持されている。
ＣＤバー４６は、原器（計測基準）となるため、低熱膨張率のガラスセラミックス、例えば、ショット社のゼロデュア（商品名）などがその素材として採用されている。このＣＤバー４６の上面（表面）は、いわゆる基準平面板と同程度にその平坦度が高く設定されている。また、このＣＤバー４６の長手方向の一側と他側の端部近傍には、図６（Ａ）に示されるように、Ｙ方向を周期方向とする基準格子（例えば回折格子）５２がそれぞれ形成されている。この一対の基準格子５２は、所定距離（Ｌとする）を隔ててＣＤバー４６のＸ方向の中心、すなわち前述のセンターラインＣＬに関して対称な配置で形成されている。

また、このＣＤバー４６の上面には、図６（Ａ）に示されるような配置で複数の基準マークＭが形成されている。この複数の基準マークＭは、Ｙ方向に関して例えば３行の配列で形成され、各行の複数のマークがＸ方向に関して互いに所定距離だけずれて形成されている。各基準マークＭとしては、後述するプライマリライメント系、セカンダリアライメント系によって検出可能な寸法の２次元マークが用いられている。基準マークＭはその形状（構成）が前述の図５（Ａ）の基準マークＦＭと異なっても良い。本実施形態ではプライマリライメント系用の基準マークＭは基準マークＦＭと同一構成であり、かつウエハＷのアライメントマークとも同一の構成となっている。一方、セカンダリアライメント系の検出領域は後述のようにＸ方向に所定範囲で可動であるため、セカンダリアライメント系用の基準マークＭは、一例としてＸ方向、Ｙ方向に所定ピッチでＸ方向に細長い２次元マークである。複数の基準マークＭの形状及び位置関係（間隔等）の情報は、主制御装置２０に接続されたアライメント演算系２０ａに記憶されている。
なお、本実施形態ではＣＤバー４６の表面、及び計測テーブルＭＴＢ（前述の計測用部材を含んでも良い）の表面もそれぞれ撥液膜（撥水膜）で覆われている。

図２に示すように、計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ端面、−Ｘ端面にも前述したウエハテーブルＷＴＢと同様の反射面１９ａ，１９ｂが形成されている。干渉計システム１１８（図７参照）のＹ軸干渉計１８、Ｘ軸干渉計１３０は、これらの反射面１９ａ，１９ｂに、干渉計ビーム（測長ビーム）を投射してそれぞれの反射光を受光することにより、各反射面の基準位置からの変位、すなわち計測ステージＭＳＴの位置情報（例えば、少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置情報とθｚ方向の回転情報とを含む）を計測し、この計測値が主制御装置２０に供給される。

ところで、Ｘ軸固定子８１及び８０のＸ方向の両端部には、図２に示されるように、ストッパ機構４８Ａ，４８Ｂが設けられている。ストッパ機構４８Ａ，４８Ｂは、Ｘ軸固定子８１に設けられた、例えばオイルダンパから成る緩衝装置としてのショックアブソーバ４７Ａ，４７Ｂと、Ｘ軸固定子８０のショックアブソーバ４７Ａ，４７Ｂに対向する位置に設けられた開口５１Ａ，５１Ｂと、これを開閉するシャッタ４９Ａ，４９Ｂとを含んでいる。シャッタ４９Ａ，４９Ｂによる開口５１Ａ，５１Ｂの開閉状態は、シャッタ４９Ａ，４９Ｂ近傍に設けられた開閉センサ（図７参照）１０１により検出され、該検出結果が主制御装置２０に送られる。

ここで、前記ストッパ機構４８Ａ，４８Ｂの作用について、ストッパ機構４８Ａを代表的に採り上げて説明する。
図２において、シャッタ４９Ａが開口５１Ａを閉塞する状態にある場合には、Ｘ軸固定子８１とＸ軸固定子８０が接近した場合にも、ショックアブソーバ４７Ａとシャッタ４９Ａが接触（当接）することにより、それ以上、Ｘ軸固定子８０，８１同士が接近できなくなる。一方、シャッタ４９Ａが開かれて開口５１Ａが開放された場合、Ｘ軸固定子８１，８０が互いに接近すると、ショックアブソーバ４７Ａの先端部の少なくとも一部を開口５１Ａ内に侵入させることができ、Ｘ軸固定子８１，８０同士を接近させることが可能となる。この結果、ウエハテーブルＷＴＢと計測テーブルＭＴＢ（ＣＤバー４６）とを接触させる（あるいは、３００μｍ程度の距離に近接させる）ことが可能である。

図２において、Ｘ軸固定子８０の両端部の−Ｙ側には、間隔検知センサ４３Ａ，４３Ｃと衝突検知センサ４３Ｂ，４３Ｄとが設けられ、Ｘ軸固定子８１の両端部の＋Ｙ側には、Ｙ方向に細長い板状部材４１Ａ，４１Ｂが突設されている。間隔検知センサ４３Ａ，４３Ｃは、例えば透過型フォトセンサ（例えばＬＥＤ−フォトトランジストよりなるセンサ）から成り、Ｘ軸固定子８０とＸ軸固定子８１が接近して、間隔検知センサ４３Ａの間に板状部材４１Ａが入り、受光量が減少することから、Ｘ軸固定子８０，８１の間隔が所定距離以下になったことを検知できる。

衝突検知センサ４３Ｂ，４３Ｄは、間隔検知センサ４３Ａ，４３Ｃと同様の光電センサであるが、さらにその奥に配置されている。衝突検知センサ４３Ｂ，４３Ｄによると、Ｘ軸固定子８１，８０が更に接近し、ウエハテーブルＷＴＢとＣＤバー４６（計測テーブルＭＴＢ）とが接触した段階（又は３００μｍ程度の距離に近接した段階）で、センサ間に板状部材４１Ａの上半部が位置決めされるため、主制御装置２０は、そのセンサの受光量が零になるのを検出することで、両テーブルが接触した（又は３００μｍ程度の距離に近接した）ことを検知できる。

本実施形態の露光装置１００では、図１では図面の錯綜を避ける観点から図示が省略されているが、実際には、図４に示されるように、投影ユニットＰＵの中心（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ、本実施形態では前述の露光領域ＩＡの中心とも一致）を通りかつＹ軸と平行な直線ＬＶ上で、その光軸ＡＸから−Ｙ側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系ＡＬ１が配置されている。このプライマリアライメント系ＡＬ１は、メインフレーム（不図示）に固定されている。プライマリアライメント系ＡＬ１を挟んで、Ｘ方向の一側と他側には、その直線ＬＶに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₂と、セカンダリアライメント系ＡＬ２₃，Ａ
Ｌ２₄とがそれぞれ設けられている。すなわち、５つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄はその検出領域（検出中心）がＸ方向に関して異なる位置に、すなわちＸ方向に
沿って配置されている。

各セカンダリアライメント系ＡＬ２_n（ｎ＝１〜４）は、セカンダリアライメント系Ａ
Ｌ２₄について代表的に示されるように、回転中心Ｏを中心として図４における時計回り
及び反時計回りに所定角度範囲で回動可能なアーム５６_n（ｎ＝１〜４）の先端（回動端
）に固定されている。本実施形態では、各セカンダリアライメント系ＡＬ２_nはその一部
（例えば、アライメント光を検出領域に照射し、かつ検出領域内の対象マークから発生する光を受光素子に導く光学系を少なくとも含む）がアーム５６_nに固定され、残りの一部
はメインフレーム（不図示）に設けられる。セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄はそれぞれ、回転中心Ｏを中心として回動することで、その検出領域のＸ方向の位置（Ｘ位置）が調整される。

すなわち、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄はその検出領域（又は検出中心）が独立にＸ方向に可動である。なお、本実施形態では、アームの回動によりセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出領域のＸ位置が調整されるものとした。しかしながら、これに限らず、例えばセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の先端部の光学系をリニアモータ等によってＹ軸に平行にＸ方向に移動させて、その移動に伴う光路長の変化を不図示の光学系によって相殺するようにしてもよい。この平行移動方式によれば、各セカンダリアライメント系の検出領域はＸ軸に平行に移動する。さらに、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の先端部の光学系（又はセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の光学系全体）をリニアモータ方式等でＸ方向、Ｙ方向に独立に駆動できるようにしてもよい。

また、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出領域の少なくとも１つをＸ方向だけでなくＹ方向にも可動として良い。なお、各セカンダリアライメント系ＡＬ２_nは
その一部の光学系がアーム５６_nによって移動されるので、不図示のセンサ、例えば干渉
計、あるいはエンコーダなどによって、アーム５６_nに固定されるその一部の光学系の位
置情報が計測可能となっている。このセンサは、セカンダリアライメント系ＡＬ２_nの検
出領域のＸ方向の位置情報を計測するだけでも良いが、他の方向、例えばＹ方向、及び／又は回転方向（θｘ及びθｙ方向の少なくとも一方を含む）の位置情報も計測可能として良い。

前記各アーム５６_nの上面には、差動排気型のエアベアリングから成るバキュームパッ
ド５８_n（ｎ＝１〜４）が設けられている。また、アーム５６_nは、例えばモータ等を含む回転駆動機構６０_n（ｎ＝１〜４、図７参照）によって、主制御装置２０の指示に応じて
回動可能である。主制御装置２０は、アーム５６_nの回転調整後に、各バキュームパッド
５８_nを作動させて各アーム５６_nをメインフレーム（不図示）に吸着固定する。これにより、各アーム５６_nの回転角度調整後の状態、すなわち、プライマリアライメント系ＡＬ
１及び４つのセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の所望の位置関係が維持される。図７の主制御装置２０は、セカンダリアライメント系ＡＬ２_nの検出領域のＸ位置を、ウエハ上の検出対象の複数のアライメントマークのＸ位置がそれらの検出領域内の検出中心付近に同時に設定されるように制御する。

なお、計測フレーム２１のアーム５６_nに対向する部分に磁性体を固定しておき、バキ
ュームパッド５８_nに代えて電磁石を採用しても良い。
本実施形態では、プライマリアライメント系ＡＬ１及び４つのセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のそれぞれとして、例えば画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。このＦＩＡ系では、ウエハ上のレジストを感光させないハロゲンランプ又はキセノンランプ等からのブロードバンドな検出光束を被検マークに照射し、その被検マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像を撮像素子（ＣＣＤ型又はＣＭＯＳ型等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する。この場合には、撮像素子内の所定画素の位置を基準として被検マークの像の位置を検出するが、その代わりに、ＦＩＡ系内に指標マークを設け、この指標マークの像の位置を基準としてその被検マークの像を検出してもよい。アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を介して求められる被検マークの像の基準位置からのずれ量の情報は、図７の主制御装置２０に供給される。

図３（Ａ）は、５眼のアライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の概略構成を概念的に示す。図３（Ａ）は、アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄がそれぞれ図６（Ａ）のＣＤバー４６上の基準マークＭ１，Ｍ２₁，Ｍ２₂，Ｍ２₃，Ｍ２₄（図６（Ａ）の基準マークＭのいずれかに対応する）を検出している状態を示している。図３（Ａ）において、プライマリアライメント系ＡＬ１は、被検マークからの反射光を受光する第１対物レンズ系５ａと、その反射光を分岐するビームスプリッタ５ｂと、開口絞り（不図示）と、第１対物レンズ系５ａからの反射光を集光して被検マークの拡大像を形成する第２対物レンズ系５ｃと、その像を撮像する２次元の撮像素子５ｄとを含んでいる。実際には、例えば第１対物レンズ系５ｃとビームスプリッタ５ｂとの間に、不図示の光源からの照明光を被検マークに導くビームスプリッタ（不図示）が備えられている。また、撮像素子５ｄの撮像面と共役な被検面上の視野が、プライマリアライメント系ＡＬ１の検出領域ＡＬ１ｆである。

セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄も、基本的な構成はプライマリアライメント系ＡＬ１と同様であり、被検マークの拡大像を形成する対物レンズ系と、その像を撮像する２次元の撮像素子５ｄとを含んでいる。また、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜
ＡＬ２₄の各撮像素子の撮像面と共役な被検面上の視野が検出領域ＡＬ₁ｆ〜ＡＬ２₄ｆで
ある。さらに、一例として、プライマリアライメント系ＡＬ１の撮像素子５ｄの中心の画素（原点）に対応する被検面上の点がプライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心となる。また、プライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心からＸ方向に所定の可変の距離（後述のセカンダリベースライン）だけ離れた位置にあるマークを、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像素子５ｄで検出している場合、そのマークの中心が各セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出中心となる。

アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像素子５ｄからの撮像信号はそれぞれ検出信号処理部１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ，１３１Ｅに供給される。検出信号処理部１３１Ａ〜１３１Ｅでは、各撮像素子５ｄの撮像信号を所定範囲で被検面上でのＹ方向、Ｘ方向に対応する方向に積算して、それぞれＸ方向及びＹ方向に周期的なマークの像の撮像信号ＳＸ，ＳＹを生成し、撮像信号ＳＸ，ＳＹをオフセット補正部１３２に供給する。

さらに、検出信号処理部１３１Ａ〜１３１Ｅは、それぞれの撮像信号ＳＸ，ＳＹを例えば所定の閾値でスライスして、対応するマークの検出中心に対するＸ方向、Ｙ方向の位置ずれ量を求め、この位置ずれ量の情報をオフセット補正部１３２を介して図７のアライメント演算系２０ａに供給する。アライメント演算系２０ａでは、各位置ずれ量を予め求められている各アライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出中心の座標に加算することで、被検マークのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）での座標値を求めることができる。

なお、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出領域ＡＬ２₁ｆ〜ＡＬ２₄ｆはＸ方向に所定範囲内で可動である。従って、例えばセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜
ＡＬ２₄の全体を可動にした場合には、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の内
部で光路長が変化することはないので、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の構成はプライマリアライメント系ＡＬ１と同一構成でもよい。一方、例えばセカンダリアライメント系ＡＬ₁〜ＡＬ２₄の先端部等の光学系のみを可動にした場合には、その後に光路長の変化を相殺するための光学系等を組み込む必要がある。

また、アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のベストフォーカス位置は、実際にはそれぞれの撮像素子５ｄから得られる被検マークの像に対応する部分の撮像信号ＳＸ，ＳＹが以下のような３つの評価基準Ａ，Ｂ，Ｃのいずれかに合致するときの、被検面のＺ方向の位置（Ｚ位置又はフォーカス位置）である。
（Ａ）その撮像信号のコントラストが最も高くなるとき。例えば、図３（Ｃ）に示すように、Ｙ方向のマークの像に対応する撮像信号ＳＹのコントラストが、点線のように最も高くなったときがベストフォーカス位置である。撮像信号ＳＸ，ＳＹでベストフォーカス位置が僅かに異なる場合には、その平均値をベストフォーカス位置としてもよい。

（Ｂ）その撮像信号の横方向の位置に関する変化率（立ち上がり）が最も急峻になるとき。
（Ｃ）評価基準Ａ及びＢの加重平均が最も高くなるとき。
これらの評価基準のどれを適用するかは、例えば被検マークがＣＤバー４６上のマークである場合と、ウエハＷ上のアライメントマーク（以下、ウエハマークという）である場合とで異なってもよい。また、被検マークが振幅マークか位相マークかに応じて、異なる評価基準を適用してもよい。本実施形態では、一例として評価基準Ａの、被検マークの像の撮像信号のコントラストが最も高くなるときの被検面のＺ位置をベストフォーカス位置とする。なお、凹凸マーク（位相マーク）であるウエハマークの評価基準として、評価基準Ｂを適用してもよい。

上記のどの評価基準を用いる場合でも、ベストフォーカス位置を決定するためには、被検マークの像を撮像素子５ｄで撮像した状態で、被検面をＺ方向にスキャンする必要がある。しかしながら、１つのマークを検出する度に一定量のＺ方向のスキャン動作を実行するのでは、スループットが低下する。そこで、被検面とベストフォーカス位置とのＺ方向のずれ量であるデフォーカス量を計測するために、アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜
ＡＬ２₄には、それぞれ同一構成のオートフォーカス系（以下、ＡＦ系という）６Ａ，６
Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅが装着されている。このＡＦ系により、マークがＺ方向のプラス側、マイナス側のいずれにどの程度の量ずれているのかをしり、マークを必要な量だけＺ方向にすばやく移動させることができる。このアライメント系用のＡＦ系６Ａ〜６Ｅは、図４等では図示を省略している。

一例として、ＡＦ系６Ａは、プライマリアライメント系ＡＬ１のビームスプリッタ５ｂ（又は部分反射ミラー等）で分岐（又は反射）された光を瞳面近傍で２分割して反射する瞳分割用のミラー６ｂと、ミラー６ｂからの光を集光して被検面のパターンの２つの拡大像を形成する集光レンズ系６ｃと、その２つの拡大像を撮像する１次元のラインセンサ（２次元の撮像素子でもよい）６ｄとを含んで構成されている。実際には、ＡＦ系６Ａには、不図示の光源からの照明光によって照明された所定パターン（スリットパターン等）を通過した光をビームスプリッタ５ｂ側に送光する光学部材（不図示）が組み込まれており、そのラインセンサ６ｄ上にはその所定パターンの２つの像が形成される。ラインセンサ６ｄの検出信号は検出信号処理部１３１Ａに供給される。この場合、被検面がＺ方向に変位すると、ラインセンサ６ｄ上のパターンの２つの結像位置の間隔（シフト量の差分）が変化するため、検出信号処理部１３１Ａでは、その間隔に対応する図３（Ｂ）の実線で示すフォーカス信号ＦＳをオフセット補正部１３２に供給する。

他のＡＦ系６Ｂ〜６ＥもＡＦ系６Ａと同様に構成され、ＡＦ系６Ｂ〜６Ｅのラインセンサからの検出信号が供給された検出信号処理部１３１Ｂ〜１３１Ｅは、それぞれセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像素子５ｄに対するベストフォーカス位置に対する被検面のデフォーカス量に対応するフォーカス信号をオフセット補正部１３２に供給する。なお、ＡＦ系６Ａ〜６Ｅとして使用できるオートフォーカス系のより詳細な構成は、例えば特開２００４−３３５９７１号公報に開示されている。また、ＡＦ系６Ａ〜６Ｅとしては、例えば特開平７−３２１０３０号公報に開示されているような、瞳面のほぼ半面の光束を用いるオートフォーカス系等も使用可能である。

オフセット補正部１３２は、それらのフォーカス信号に予め求められている係数を乗じて得られるアライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄毎のデフォーカス量の情報を主制御装置２０に供給する。主制御装置２０は、そのデフォーカス量の情報を用いて、後述のように被検面がそれぞれアライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のベストフォーカス位置に配置されるように、ウエハステージＷＳＴ又は計測ステージＭＳＴ内のＺ・レベリング機構を駆動してウエハＷ又はＣＤバー４６のレベリングを行う。

また、後述のＡＦ系６Ａ〜６Ｅを介して得られるフォーカス信号のキャリブレーション時には、オフセット補正部１３２では、ＡＦ系６Ａ〜６Ｅの検出信号処理部１３１Ａ〜１
３１Ｅからのフォーカス信号ＦＳ等が、実際に求められたベストフォーカス位置Ｚｆ１等で０となるようにオフセットＦＳOF1 等を求めて、検出信号処理部１３１Ａ〜１３１Ｅに供給する。検出信号処理部１３１Ａ〜１３１Ｅでは、元のフォーカス信号にそのオフセットを加算して補正されたフォーカス信号をオフセット補正部１３２に供給する。本実施形態のセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出領域のＸ方向の位置を変えた後には、ＡＦ系６Ｂ〜６Ｅを介して得られるフォーカス信号のデフォーカス量が実際のデフォーカス量と異なる恐れがあるため、そのフォーカス信号のキャリブレーションを行うことが好ましい。

なお、上記各アライメント系としては、ＦＩＡ系に限らず、例えばコヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出する、あるいはその対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数の回折光、あるいは同方向に回折する回折光）を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることは勿論可能である。これらの場合にも、被検面のベストフォーカス位置からのずれ量を計測するＡＦ系６Ａ〜６Ｅと同様のオートフォーカス系が設けられる。

また、本実施形態では５つのアライメント系ＡＬ１、ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を設けているため、アライメントを効率的に行うことができる。しかしながら、アライメント系の数は５つに限られるものでなく、２つ以上かつ４つ以下、あるいは６つ以上でも良いし、奇数ではなく偶数でも良い。
本実施形態の露光装置１００では、図４に示されるように、前述したノズルユニット３２の周囲を四方から囲む状態で、エンコーダシステムの４つのヘッドユニット６２Ａ〜６２Ｄが配置されている。これらのヘッドユニット６２Ａ〜６２Ｄを構成する複数のＹヘッド６４及びＸヘッド６６は、図４では２点鎖線で示すように、メインフレーム（不図示）の底面に固定されている。

図４において、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃは、投影ユニットＰＵの＋Ｘ側、−Ｘ側にそれぞれＸ方向に沿って投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを通りかつＸ軸と平行な直線ＬＨ上に所定間隔で配置された複数（ここでは６個）のＹヘッド６４を備えている。Ｙヘッド６４は、それぞれ前述の図５（Ａ）のＹスケール３９Ｙ₁又は３９Ｙ₂を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＹ方向の位置（Ｙ位置）を計測する。また、ヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄは、投影ユニットＰＵの＋Ｙ側、−Ｙ側にそれぞれＹ方向に沿って光軸ＡＸを通りかつＹ軸と平行な直線ＬＶ上にほぼ所定間隔で配置された複数（ここでは７個及び１１個（ただし、図４ではその１１個のうちのプライマリアライメント系ＡＬ１と重なる３個は不図示））のＸヘッド６６を備えている。Ｘヘッド６６は、それぞれ前述の図５（Ａ）のＸスケール３９Ｘ₁又は３９Ｘ₂を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＸ方向の位置（Ｘ位置）を計測する。

従って、図４のヘッドユニット６２Ａ及び６２Ｃは、それぞれ図５（Ａ）のＹスケール３９Ｙ₁及び３９Ｙ₂を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＹ位置を計測する多眼（ここでは６眼）のＹ軸のリニアエンコーダ（以下、適宜、Ｙエンコーダと略述する）７０Ａ及び７０Ｃ（図７参照）を構成する。Ｙエンコーダ７０Ａ，７０Ｃはそれぞれ複数のＹヘッド６４の計測値の切り替え（詳細後述）を行う切り替え制御部を備えている。ここで、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃが備える隣接するＹヘッド６４（すなわち、Ｙヘッド６４から照射される計測ビーム）の間隔は、前述のＹスケール３９Ｙ₁，
３９Ｙ₂のＸ方向の幅（より正確には、格子線３８の長さ）よりも狭く設定されている。

また、ヘッドユニット６２Ｂ及び６２Ｄは、基本的にそれぞれ前述のＸスケール３９Ｘ₁及び３９Ｘ₂を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＸ位置を計測
する、多眼（ここでは、７眼及び１１眼）のＸ軸のリニアエンコーダ（以下、適宜、Ｘエンコーダと略述する）７０Ｂ及び７０Ｄ（図７参照）を構成する。Ｘエンコーダ７０Ｂ，７０Ｄはそれぞれ複数のＸヘッド６６の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。なお、本実施形態では、例えば後述するアライメント時などにヘッドユニット６２Ｄが備える１１個のＸヘッド６６のうちの２個のＸヘッド６６が、Ｘスケール３９Ｘ₁及
び３９Ｘ₂に同時に対向する場合がある。この場合には、Ｘスケール３９Ｘ₁及び３９Ｘ₂
とこれに対向するＸヘッド６６とによって、Ｘリニアエンコーダ７０Ｂ及び７０Ｄが構成される。

ヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄがそれぞれ備える隣接するＸヘッド６６（計測ビーム）の間隔は、前述のＸスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂のＹ方向の幅（より正確には、格子線３７の長さ）よりも狭く設定されている。
さらに、図４のセカンダリアライメント系ＡＬ２₁の−Ｘ側、セカンダリアライメント
系ＡＬ２₄の＋Ｘ側に、プライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心を通るＸ軸に平行な
直線上かつその検出中心に対してほぼ対称に検出点が配置されるＹヘッド６４ｙ₁，６４
ｙ₂がそれぞれ設けられている。Ｙヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂の間隔は、前述した距離Ｌ（
図６（Ａ）の基準格子５２のＹ方向の間隔）にほぼ等しく設定されている。Ｙヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂は、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷの中心が上記直線ＬＶ上にある図４に示される状態では、Ｙスケール３９Ｙ₂，３９Ｙ₁にそれぞれ対向するようになっている。後述するアライメント動作の際などでは、Ｙヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂に対向してＹスケール３９Ｙ₂，３９Ｙ₁がそれぞれ配置され、このＹヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂（すなわち、これらＹヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂を含むＹエンコーダ７０Ｃ，７０Ａ）によってウエハステージＷＳＴのＹ位置（及びθｚ方向の角度）が計測される。

また、本実施形態では、セカンダリアライメント系の後述するベースライン計測時などに、図６（Ａ）のＣＤバー４６の一対の基準格子５２とＹヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂とがそれぞれ対向し、Ｙヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂と対向する基準格子５２とによって、ＣＤバー４６のＹ位置が、それぞれの基準格子５２の位置で計測される。以下では、基準格子５２にそれぞれ対向するＹヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂によって構成されるリニアエンコーダをＹエンコーダ７０Ｅ，７０Ｆ（図７参照）と呼ぶ。

上述した６つのエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値は、主制御装置２０及びアライメント演算系２０ａに供給され、主制御装置２０は、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｄの計測値に基づいて、ウエハテーブルＷＴＢのＸＹ平面内の位置を制御するとともに、Ｙエンコーダ７０Ｅ，７０Ｆの計測値に基づいて、ＣＤバー４６のθｚ方向の回転を制御する。
本実施形態の露光装置１００では、図４に示されるように、照射系９０ａ及び受光系９０ｂから成る、例えば特開平６−２８３４０３号公報（対応する米国特許第５，４４８，３３２号明細書）等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系（以下、多点ＡＦ系と略述する）が設けられている。本実施形態では、一例として、前述のヘッドユニット６２Ｃの−Ｘ端部の−Ｙ側に照射系９０ａが配置され、これに対向する状態で、前述のヘッドユニット６２Ａの＋Ｘ端部の−Ｙ側に受光系９０ｂが配置されている。

図４の多点ＡＦ系（９０ａ，９０ｂ）の複数の検出点は、被検面上でＸ方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、例えば１行Ｍ列（Ｍは検出点の総数）又は２行Ｎ列（Ｎは検出点の総数の１／２）の行マトリックス状に配置される。図４中では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点を、個別に図示せず、照射系９０ａ及び受光系９０ｂの間でＸ方向に延びる細長い検出領域ＡＦとして示している。この検出領域ＡＦは、Ｘ方向の長さがウエハＷの直径と同程度に設定されているので、ウエハＷをＹ方向に１回スキャンするだけで、ウエハＷのほぼ全面でＺ方向の位置情報（面位置情報）を計測できる。また、この検出領域ＡＦは、Ｙ方向に関して、前述の液浸領域１４（露光領域ＩＡ）とアライメント系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄）の検出領域との間に配置されているので、多点ＡＦ系とアライメント系とでその検出動作を並行して行うことが可能となっている。多点ＡＦ系は、投影ユニットＰＵを保持するメインフレームに設けても良いが、別の支持部材を介して支持してもよい。

なお、複数の検出点は１行Ｍ列又は２行Ｎ列で配置されるものとしたが、行数及び／又は列数はこれに限られない。
本実施形態の露光装置１００は、多点ＡＦ系（９０ａ，９０ｂ）の複数の検出点のうち両端に位置する検出点の近傍、すなわち検出領域ＡＦの両端部近傍に、前述の直線ＬＶに関して対称な配置で、各一対のＺ位置計測用の面位置センサ（以下、Ｚセンサと略述する）７２ａ，７２ｂ、及び７２ｃ，７２ｄが設けられている。これらのＺセンサ７２ａ〜７２ｄは、例えばメインフレームの下面に固定されている。Ｚセンサ７２ａ〜７２ｄとしては、ウエハテーブルＷＴＢに対し上方から光を照射し、その反射光を受光してその光の照射点におけるウエハテーブルＷＴＢ表面のＸＹ平面に直交するＺ方向の位置情報を計測するセンサ、一例としてＣＤドライブ装置などで用いられる光ピックアップのような構成の光学式の変位センサ（ＣＤピックアップ方式のセンサ）が用いられている。

さらに、前述したヘッドユニット６２Ｃは、複数のＹヘッド６４を結ぶＸ方向の直線ＬＨを挟んで一側と他側に位置する、直線ＬＨに平行な２本の直線上にそれぞれ沿って且つ所定間隔で配置された複数（ここでは各６個、合計で１２個）のＺセンサ７４_i,j（ｉ＝
１，２、ｊ＝１，２，……，６）を備えている。この場合、対を成すＺセンサ７４_1,j、
７４_2,jは、上記直線ＬＨに関して対称に配置されている。さらに、複数対（ここでは６
対）のＺセンサ７４_1,j、７４_2,jと複数のＹヘッド６４とは、Ｘ方向に関して交互に配置されている。各Ｚセンサ７４_i,jとしては、例えば、前述のＺセンサ７２ａ〜７２ｄと同
様のＣＤピックアップ方式のセンサが用いられている。

ここで、直線ＬＨに関して対称な位置にある各対のＺセンサ７４_1,j，７４_2,jの間隔は、前述したＺセンサ７２ｃ，７２ｄの間隔と同一間隔に設定されている。また、一対のＺセンサ７４_1,4，７４_2,4は、Ｚセンサ７２ａ，７２ｂと同一の、Ｙ方向に平行な直線上に位置している。
また、前述したヘッドユニット６２Ａは、前述の直線ＬＶに関して、上述の複数のＺセンサ７４_i,jと対称に配置された複数、ここでは１２個のＺセンサ７６_p,q（ｐ＝１，２、ｑ＝１，２，……，６）を備えている。各Ｚセンサ７６_p,qとしては、例えば、前述のＺ
センサ７２ａ〜７２ｄと同様のＣＤピックアップ方式のセンサが用いられている。また、一対のＺセンサ７６_1,3，７６_2,3は、Ｚセンサ７２ｃ，７２ｄと同一のＹ方向の直線上に位置している。Ｚセンサ７４_i,j及び７６_p,qは計測フレーム２１の底面に固定されている。

なお、図４では、計測ステージＭＳＴの図示が省略されるとともに、その計測ステージＭＳＴと先端レンズ１９１との間に保持される水Ｌｑで形成される液浸領域１４が示されている。また、この図４において、符号７８は、多点ＡＦ系（９０ａ，９０ｂ）のビーム路近傍に所定温度に温度調整されたドライエアーを、図４中の白抜き矢印で示されるように、例えばダウンフローにて送風する局所空調システムを示す。また、符号ＵＰは、ウエハテーブルＷＴＢ上のウエハのアンロードが行われるアンロードポジションを示し、符号ＬＰはウエハテーブルＷＴＢ上へのウエハのロードが行われるローディングポジションを示す。本実施形態では、アンロードポジションＵＰと、ローディングポジションＬＰとは、直線ＬＶに関して対称に設定されている。なお、アンロードポジションＵＰとローディングポジションＬＰとを同一位置としても良い。

図７には、露光装置１００の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ（又はワークステーション）から成る主制御装置２０を中心として構成されている。なお、図７においては、前述した照度むらセンサ９４、空間像計測器９６及び波面収差計測器９８などの計測ステージＭＳＴに設けられた各種センサが、まとめてセンサ群９として示されている。

上述のようにして構成された本実施形態の露光装置１００では、前述したようなウエハテーブルＷＴＢ上のＸスケール、Ｙスケールの配置及び前述したようなＸヘッド、Ｙヘッドの配置を採用したことから、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）などに例示されるように、ウエハステージＷＳＴの有効ストローク範囲（すなわち、本実施形態では、アライメント及び露光動作のために移動する範囲）では、必ず、Ｘスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂とヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄ（Ｘヘッド６６）とがそれぞれ対向し、かつＹスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂とヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃ（Ｙヘッド６４）又はＹヘッド６４ｙ₁，６４ｙ₂とがそれぞれ対向するようになっている。なお、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）中では、対応するＸスケール又はＹスケールに対向したヘッドが丸で囲んで示されている。

このため、主制御装置２０は、前述のウエハステージＷＳＴの有効ストローク範囲では、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｄの少なくとも３つの計測値に基づいて、ステージ駆動系１２４を構成する各モータを制御することで、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）を、高精度に制御することができる。エンコーダ７０Ａ〜７０Ｄの計測値が受ける空気揺らぎの影響は、干渉計に比べては無視できるほど小さいので、空気揺らぎに起因する計測値の短期安定性は、干渉計に比べて格段に良い。なお、本実施形態では、ウエハステージＷＳＴの有効ストローク範囲及びスケールのサイズ（すなわち、回折格子の形成範囲）などに応じて、ヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄ，６２Ａ，６２Ｃのサイズ（例えば、ヘッドの数及び／又は間隔など）を設定している。従って、ウエハステージＷＳＴの有効ストローク範囲では、４つのスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂、３９Ｙ₁，３９Ｙ₂が全てヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄ，６２Ａ，６２Ｃとそれぞれ対向するが、４つのスケールが全て対応するヘッドユニットと対向しなくても良い。

例えば、Ｘスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂の一方、及び／又はＹスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂の一方がヘッドユニットから外れても良い。Ｘスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂の一方、又はＹスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂の一方がヘッドユニットから外れる場合、ウエハステージＷＳＴの有効ストローク範囲では３つのスケールがヘッドユニットと対向するので、ウエハステージＷＳＴのＸ軸、Ｙ軸及びθｚ方向の位置情報を常時計測可能である。また、Ｘスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂の一方、及びＹスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂の一方がヘッドユニットから外れる場合、ウエハステージＷＳＴの有効ストローク範囲では２つのスケールがヘッドユニットと対向するので、ウエハステージＷＳＴのθｚ方向の位置情報は常時計測できないが、Ｘ軸及びＹ方向の位置情報は常時計測可能である。この場合、干渉計システム１１８によって計測されるウエハステージＷＳＴのθｚ方向の位置情報を併用して、ウエハステージＷＳＴの位置制御を行っても良い。

また、図８（Ａ）中に白抜き矢印で示されるようにウエハステージＷＳＴをＸ方向に駆動する際、そのウエハステージＷＳＴのＹ方向の位置を計測するＹヘッド６４が、同図中に矢印ｅ₁，ｅ₂で示されるように、隣のＹヘッド６４に順次切り換わる。例えば、実線の丸で囲まれるＹヘッド６４から点線の丸で囲まれるＹヘッド６４へ切り換わる。このため、その切り換わりの前後で、図７のＹエンコーダ７０Ａ，７０Ｃ内の切り替え制御部によって計測値が引き継がれる。すなわち、本実施形態では、このＹヘッド６４の切り換え及び計測値の引継ぎを円滑に行うために、前述の如く、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃが備える隣接するＹヘッド６４の間隔を、Ｙスケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂のＸ方向の幅よりも狭く設定したものである。

また、本実施形態では、前述の如く、ヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄが備える隣接するＸヘッド６６の間隔は、前述のＸスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂のＹ方向の幅よりも狭く設定されている。従って、上述と同様に、図８（Ｂ）中に白抜き矢印で示されるようにウエハステージＷＳＴをＹ方向に駆動する際、そのウエハステージＷＳＴのＸ方向の位置を計測するＸヘッド６６が、順次隣のＸヘッド６６に切り換わり（例えば実線の丸で囲まれるＸヘッド６６から点線の丸で囲まれるＸヘッド６６へ切り換わる）、その切り換わりの前後で図７のＸエンコーダ７０Ｂ，７０Ｄ内の切り替え制御部によって計測値が引き継がれる。

また、エンコーダ７０Ａ〜７０ＦのＹヘッド６４は、一例として対応するＹスケール３９Ｙ_１，３９Ｙ_２に１対のレーザビームを照射する照射系と、それらのスケールから発生する１対の回折光を同軸に合成して干渉光として検出する受光系とを含んで構成されている。さらに、Ｙヘッド６４には、位相が９０°異なる干渉光を検出する光学系も組み込まれており、２相の検出信号を用いて内挿を行うことによって、それらのスケールのピッチの１／２よりもかなり細かい分解能で、変位計測を行うことができる。エンコーダ７０Ａ〜７０ＦのＸヘッド６６も同様に構成されている。

以下、本実施形態の図１の露光装置１００において、図７の主制御装置２０の制御のもとで１ロットのウエハに順次レチクルＲのパターンの像を露光する際の動作の一例につき、図１７及び図１８のフローチャートを参照して説明する。
先ず図１７のステップ３０１において、図１のレチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲをロードし、主制御装置２０は、不図示の露光データファイルよりレチクルＲの照明条件及び投影光学系ＰＬの開口数等の露光条件を読み出して、照明系１０等の設定を行う。また、主制御装置２０は、その露光データファイルより露光対象のウエハのショット配列の情報を読み出し、このショット配列の情報から、ウエハ上のショット領域のＸ方向の配列ピッチ、即ちウエハ上の各ショット領域に付設されているウエハマークのＸ方向の間隔（設計上の間隔）を求める。

ウエハのショット配列は、一例として図１３（Ｃ）に示すように設定され、ウエハＷ上の全部のショット領域から選ばれた例えば黒色で区別される１６個のショット領域よりなるアライメントショット（サンプルショット）ＡＳに付設されたウエハマークをアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄で計測するものとする。この場合、ウエハＷ上のアライメントショットＡＳは、＋Ｙ方向から順にＸ方向に４つのショット領域の幅を配列ピッチとして、３つのアライメントショット、５つのアライメントショット、５つのアライメントショット、及び３つのアライメントショットから構成されている。なお、ウエハマークは、ショット領域内に形成されていてもよいが、本実施形態では、ウエハマークはショット領域間のストリートラインに形成されているものとする。

また、前工程でのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の配置が図９の状態であるとする。そして、プライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心に対するセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₂，ＡＬ２₃，ＡＬ２₄の検出中心のＸ方向の間隔、即ちセカンダリベースラインＳＢＬ１，ＳＢＬ２，ＳＢＬ３，ＳＢＬ４が、図１０に示すようにそのウエハマークのＸ方向の間隔の所定の整数倍となるように、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を駆動して固定する。一例として、セカンダリベースラインＳＢＬ１，ＳＢＬ２，ＳＢＬ３，ＳＢＬ４の初期値は、そのウエハマークのＸ方向の間隔の８倍、４倍、４倍、及び８倍であり（図１３（Ｃ）参照）、これらの値の情報はアライメント演算系２０ａにも供給される。この結果、プライマリアライメント系ＡＬ１及びセカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄は、ウエハＷ上のアライメントショットＡＳの計測対象のウエハマークの配置に合わせて、そのＸ方向の位置調整が行われたことになる。なお、この段階では、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出中心のＸ方向の間隔には、設定誤差が含まれている。

次のステップ３０２において、図３（Ａ）のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄用のＡＦ系６Ａ〜６Ｅのキャリブレーションを行うために、図２の状態（ただし、ウエハＷは載置されていない）から計測ステージＭＳＴを駆動して、計測ステージＭＳＴのＣＤバー４６の複数の基準マークＭ１，Ｍ２₁〜Ｍ２₄をアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜Ａ
Ｌ２₄の検出領域に移動する。そして、計測ステージＭＳＴのＺ・レベリング機構を介し
て、図３（Ａ）の状態からＣＤバー４６の上面（マーク形成面）を、それまでの工程で求められているアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のベストフォーカス位置の範囲よりも広い範囲でＺ方向にスキャンする。さらに、このスキャンに同期して、主制御装置２０の制御のもとでオフセット補正部１３２は、ＣＤバー４６のＺ位置が所定量ΔＺＦＭ（ＡＦ系６Ａ〜６Ｅの計測分解能程度の値）だけ変化する毎に、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像素子５ｄから得られる撮像信号ＳＸ，ＳＹ及びＡＦ系６Ａ〜６Ｅを介して得られるフォーカス信号ＦＳを取り込む。

次に、オフセット補正部１３２は、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄毎に撮像信号ＳＸ，ＳＹのコントラストが最も高くなるときのＣＤバー４６のＺ位置の平均位置（ベストフォーカス位置）で、対応するＡＦ系６Ａ〜６Ｅで計測されるフォーカス信号ＦＳが０となるように、フォーカス信号のオフセットを検出信号処理部１３１Ａ〜１３１Ｅに設定する。これ以降は、ＡＦ系６Ａ〜６Ｅを介して得られるフォーカス信号ＦＳから、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のベストフォーカス位置に対する被検面のデフォーカス量が正確に求められ、このデフォーカス量の情報が主制御装置２０に供給される。

次のステップ３０３において、図４のＹヘッド６４，６４ｙ₁，６４ｙ₂及びＸヘッド６６を含む図７のエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値を用いて、即ちエンコーダ基準でウエハステージＷＳＴを駆動することによって、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像素子の原点設定を行う。なお、これ以降のアライメント及び露光時にウエハステージＷＳＴはエンコーダ基準で駆動される。即ち、先ず、図１１（Ａ）に示すように、プライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心（撮像素子の中心の共役点）に基準マークＦＭの中心を合わせる。なお、この段階では、ウエハステージＷＳＴ上にウエハＷはロードされていない。その後、ウエハステージＷＳＴをセカンダリベースラインＳＢＬ２だけ＋Ｘ方向に駆動して、セカンダリアライメント系ＡＬ２₂で基準マークＦＭを検出し、そのときの基準マークＦＭの像の中心にある撮像素子の画素を撮像面の原点とする。同様に、図１０のセカンダリベースラインＳＢＬ１，ＳＢＬ３，ＳＢＬ４だけウエハステージＷＳＴを＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移動して、それぞれセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₃，ＡＬ２₄で基準マークＦＭを検出し、そのときの基準マークＦＭの像の中心にある撮像素子の画素を撮像面の原点とする。その原点は、撮像信号を補間して得られるマーク像の中心でもよい。これ以降は、経時変化がないものとすると、プライマリアライメント系ＡＬ１の撮像面の原点と、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像面の原点とに対応する被検面（ウエハの上面等）上の点（検出中心）のＸ方向の間隔が正確にセカンダリベースラインＳＢＬ１〜ＳＢＬ４の初期値となる。

しかしながら、実際には、僅かな経時変化が生じ得るため、ステップ３０６〜３０８において各ウエハの露光前に、ＣＤバー４６上の基準マークの既知の位相（間隔の情報）を基準として、セカンダリベースラインＳＢＬ１〜ＳＢＬ４の変化量を計測する。即ち、ウエハステージＷＳＴがローディングポジションに向かった後、ステップ３０６において、計測ステージＭＳＴを駆動して図１２（Ａ）に示すように、ＣＤバー４６上の基準マークＭ１，Ｍ２₁〜Ｍ２₄をアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出領域に移動する。そして、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁で基準マークＭ２₁を検出し、同時にＡＦ系６
Ａ及び６Ｂからのフォーカス信号を用いて、アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₁で被検面
がそれぞれベストフォーカス位置に来るようにＣＤバー４６のレベリングを行いながら、プライマリアライメント系ＡＬ１でも基準マークＭ１を検出する。２つの基準マークＭ１，Ｍ２₁の検出結果（検出中心からの位置ずれ量）は図７のアライメント演算系２０ａに供給される。

次のステップ３０７において、図１２（Ｂ）に示すように、ＡＦ系６Ａ及び６Ｃからのフォーカス信号を用いて、アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₂で被検面がそれぞれベスト
フォーカス位置に来るようにＣＤバー４６のレベリングを行いながら、同時に、アライメント系ＡＬ１及びＡＬ２₂で基準マークＭ１及びＭ２₂を検出し、２つの基準マークＭ１，Ｍ２₂の検出結果（検出中心からの位置ずれ量）を図７のアライメント演算系２０ａに供
給する。同様に、他のセカンダリアライメント系ＡＬ２₃，ＡＬ２₄についても、ＣＤバー４６のレベリングを行って合焦した状態で、それぞれプライマリアライメント系ＡＬ１と同時に対応する基準マークを検出し、検出結果をアライメント演算系２０ａに供給する。

次のステップ３０８において、アライメント演算系２０ａでは、２つの基準マークＭ１とＭ２₁（又はＭ２₂〜Ｍ２₄）との既知の間隔の情報と、その２つの基準マークの計測さ
れた位置ずれ量の情報とを用いて、図１０のセカンダリベースラインＳＢＬ１〜ＳＢＬ４の経時変化後の値を求めて記憶する。この場合、外乱等によって計測ステージＭＳＴ（ＣＤバー４６）の位置は僅かに変動している。しかしながら、この実施形態のように、常にレベリングを行いながら検出領域が可変の１つのセカンダリアライメント系（ＡＬ２₁〜
ＡＬ２₄のいずれか）と同時にプライマリアライメント系ＡＬ１（検出領域が固定されて
いるアライメント系）でも基準マークを検出することによって、ＣＤバー４６の位置変動に影響されずに、ベストフォーカス位置で高精度にセカンダリベースラインを計測することができる。

なお、例えば図１２（Ｂ）の例において、２つのセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，
ＡＬ２₂でレベリングを行いながら同時に基準マークＭ２₁，Ｍ２₂の位置を検出してもよ
い。この場合には、図１２（Ａ）の基準マークＭ１，Ｍ２₁の間隔から基準マークＭ２₁，Ｍ２₂の間隔を差し引くことによって、ＣＤバー４６の位置変動に影響されずに、ベスト
フォーカス位置で図１０のセカンダリベースラインＳＢＬ２を高精度に計測できる。従って、順次、レベリングを行いながら２つのアライメント系（ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のいずれか２つ）で同時に基準マークを検出する際に、共通のアライメント系はプライマリアライメント系ＡＬ１でなくともよい。

さらに、例えば図１２（Ａ）において、３つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁，ＡＬ
２₂のベストフォーカス位置が直線上にあることが分かっている場合には、レベリングに
よってＣＤバー４６の上面をその直線に合わせて傾斜させて、３つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁，ＡＬ２₂で同時に対応する基準マークの位置を検出してもよい。この場合には、１回の計測によって、ベストフォーカス位置で、２つのセカンダリベースラインＳＢＬ１，ＳＢＬ２を高精度に計測できる。

次に、図１７のステップ３０９において、図１３（Ａ）のローディングポジションＬＰにおいて、ウエハステージＷＳＴ上に１ロットの先頭のウエハ（ウエハＷとする）をロードする。ウエハＷのショット配列は図１３（Ｃ）に示す通りである。その後、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴを、図１３（Ａ）中の左斜め上に向けて移動させ、ウエハＷの中心が直線ＬＶ上に位置する、所定の位置（アライメント開始位置）に位置決めする。アライメント開始位置に位置決めされた状態では、ウエハＷの中心を通りＹ軸に平行に配列されたショット領域に付設されたウエハマークの中心を通る直線は、ほぼプライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心を通り、以下のアライメント時には、ウエハステージＷＳＴは、ほぼＹ軸に沿って移動する。このため、アライメントを効率的に行うことができる。

次のステップ３１０において、プライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心と、図１のレチクルＲの投影光学系ＰＬによる像の中心とのＹ方向の間隔であるベースラインＢＬを計測するための１つの工程として、ウエハステージＷＳＴをＹ方向に駆動して、図１１（Ａ）に示すように、プライマリアライメント系ＡＬ１でウエハステージＷＳＴ上の計測プレート３０の基準マークＦＭを検出する。この検出結果（検出中心からの位置ずれ量）と、このときのウエハステージＷＳＴのエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆで計測される座標とがアライメント演算系２０ａに供給される。
なお、ステップ３０３の原点設定の動作を、１ロットの先頭ウエハに関するステップ３１０の動作の前後に実行してもよい。

次に図１８のステップ３１１において、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷが１ロットの先頭ウエハかどうかを判定し、先頭ウエハである場合にはステップ３１５に移行し、先頭ウエハでない場合にはステップ３２０に移行する。この段階では、ウエハＷは先頭ウエハであるため、動作はステップ３１５に移行する。そして、実際のウエハマークに対応するアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄用のＡＦ系６Ａ〜６Ｅのキャリブレーションを行うために、主制御装置２０はウエハステージＷＳＴをＹ方向に駆動して、図１４（Ａ）に示すように、一例としてウエハＷ上のＸ方向に配列された５つのアライメントショットのウエハマークＷＭＡ，ＷＭＢ，ＷＭＣ，ＷＭＤ，ＷＭＥを５つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₂〜ＡＬ２₄の検出領域に移動する。このとき、ウエハマークＷＭＡ〜ＷＭＥは凹凸マークであり、かつ計測方向（ここではＸ方向）に非対称である場合もあるため、ステップ３０２で設定したオフセットを用いてＡＦ系６Ａ〜６Ｅで計測されるベストフォーカス位置と、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の撮像信号から上記の評価基準Ａ〜Ｃによって定まるベストフォーカス位置との間に新たなオフセットが生じる恐れがある。

そこで、次のステップ３１６において、ウエハステージＷＳＴのＺ・レベリング機構を介して、図１４（Ｂ）に示すように、ＡＦ系６Ｃ，６Ｄのフォーカス信号（ステップ３０２でオフセットが設定されている）に基づいて、ウエハＷの表面を内側のセカンダリアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃のベストフォーカス位置を結ぶ直線に平行に傾斜させた状態で、その直線を含む所定範囲（ステップ３０２でのＣＤバー４６のＺ方向へのスキャン幅よりも狭い範囲）でウエハＷをＺ方向にスキャンする。さらに、このスキャンに同期して、図３（Ａ）のオフセット補正部１３２は、ウエハＷのＺ位置が上記のΔＺFMだけ変化する毎に、アライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃から得られる撮像信号及びＡＦ系６Ｃ，６Ｄを介して得られるフォーカス信号を取り込む。

次のステップ３１７において、オフセット補正部１３２は、アライメント系ＡＬ２₂，
ＡＬ２₃の撮像信号のコントラスト（又は計測方向の変化率等）が最も高くなるときのウ
エハＷのＺ位置（ウエハマークに対応するベストフォーカス位置）で、対応するＡＦ系６Ｃ，６Ｄを用いて計測されるフォーカス信号が０となるように、新たなオフセットを図１４（Ｃ）の検出信号処理部１３１Ｃ，１３１Ｄに設定する。これ以降は、ＡＦ系６Ｃ，６Ｄを介して得られるフォーカス信号から、アライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃のウエハマークに対するベストフォーカス位置（補正後のベストフォーカス位置）を基準とするウエハＷの表面のデフォーカス量が正確に求められ、このデフォーカス量の情報が主制御装置２０に供給される。そこで、このデフォーカス量に基づいてウエハＷのレベリングを行って、２つのアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃の補正後のベストフォーカス位置にウエハＷの上面を合焦させた状態で、アライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃によって対応するウエハマークＷＭＣ，ＷＭＤを検出し、検出結果（マークの位置ずれ量及びウエハステージＷＳＴのエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆによって計測される座標値）をアライメント演算系２０ａに供給する。

次のステップ３１８において、図１４（Ａ）のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ
２₄中で、２眼のアライメント系が残っている場合には、ステップ３１６に戻って、例え
ば外側の２眼のアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄について、ステップ３１６及び３１７の動作を繰り返す。即ち、ウエハマークに対するアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄のベストフォーカス位置に合わせて、ＡＦ系６Ｂ，６Ｅのフォーカス信号に対する新たなオフセットを求める。その後、ウエハＷのレベリングを行って補正後のアライメント系ＡＬ２₁，
ＡＬ２₄のベストフォーカス位置にウエハＷの上面を合焦させて、アライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄によって対応するウエハマークＷＭＢ，ＷＭＥを検出し、検出結果をアライメント演算系２０ａに供給する。

次に動作はステップ３１８からステップ３１９に移行して、残りの一つのアライメント系であるプライマリアライメント系ＡＬ１に対して、ステップ３１６及び３１７の動作を繰り返す（ただし、ウエハＷの表面はＸＹ面に平行でよい）。即ち、ウエハマークに対するアライメント系ＡＬ１のベストフォーカス位置に合わせて、ＡＦ系６Ａのオフセットを求めた後、アライメント系ＡＬ１によって合焦状態で対応するウエハマークＷＭＡを検出し、検出結果をアライメント演算系２０ａに供給する。

なお、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の個数が偶数である場合には、ステップ３１９は省略することができる。このように、２眼のアライメント系毎に、ウエハマークに対するベストフォーカス位置を求めることによって、その後で補正後の２眼のアライメント系のベストフォーカス位置にウエハＷの上面を合焦させてウエハマークの位置を検出できる。従って、ほぼ通常のウエハマークの検出動作に合わせてウエハマークに対するアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄のベストフォーカス位置を求めることができ、露光工程のスループットが殆ど低下しない。

なお、ステップ３１６〜３１９の動作の代わりに、ステップ３０２と同様に、図１４（Ａ）に示すように、全部のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄でウエハマークＷＭＡ〜ＷＭＥを検出した状態で、ウエハＷをＺ方向にスキャンしてウエハマークに対するベストフォーカス位置を求めてもよい。この場合には、ウエハマークに対する５眼のアライメント系のベストフォーカス位置を効率的に求めることができる。しかしながら、その後で別途、２眼のアライメント系及び最後の１眼のアライメント系を用いてウエハマークを検出する動作を実行する必要がある。

また、例えば予めウエハマークの対称性が良好である等の理由によって、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の基準マークに対するベストフォーカス位置とウエハマークに対するベストフォーカス位置との相違が小さいことが分かっているような場合には、ステップ３１１〜ステップ３１９の動作を省略してもよい。この場合には、先頭ウエハについても、直ちにステップ３２０以降のウエハマークの検出動作が行われる。

次に、ステップ３２０において、主制御装置２０は、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値に基づいて、ウエハステージＷＳＴをＹ方向に所定距離移動して図１３（Ａ）に示される位置に位置決めし、プライマリアライメント系ＡＬ１、セカンダリアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃を用いて、３つのファーストアライメントショットＡＳに付設されたウエハマークをほぼ同時にかつ個別に検出する（図１３（Ａ）中の星マーク参照）。この際に、図１４（Ｂ）の場合と同様に、例えば先ず２眼のセカンダリアライメント系ＡＬ２₂，Ａ
Ｌ２₃でＡＦ系６Ｃ，６Ｄで計測されるデフォーカス量が０になるようにウエハＷのレベ
リングを行いながら、ウエハマークの検出を行う。次のステップ３２１において、残りの
プライマリアライメント系ＡＬ１を用いて、ＡＦ系６Ａのフォーカス信号を用いてウエハＷの上面をプライマリアライメント系ＡＬ１のベストフォーカス位置に合焦させた状態で、ウエハマークを検出する。上記３つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₂，ＡＬ２₃の検出結果とその検出時の上記エンコーダ７０Ａ〜７０Ｅの計測値とを関連付けてアライメント演算系２０ａに供給する。なお、このときウエハマークを検出していない、両端のセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄は、ウエハテーブルＷＴＢ（又はウエハ）に検出光を照射しないようにしても良いし、照射するようにしても良い。

次に、ステップ３２２で主制御装置２０は計測対象のウエハマークがあるかどうかを判定し、計測対象が残っている場合には、ステップ３２０に戻る。この段階では、主制御装置２０は、上記エンコーダ７０Ａ〜７０Ｅの計測値に基づいて、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に所定距離移動して５つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄が、図１５（Ａ）に示すウエハＷ上の５つのセカンドアライメントショットＡＳに付設されたウエハマークＷＭＦ，ＷＭＧ，ＷＭＨ，ＷＭＩ，ＷＭＪをほぼ同時にかつ個別に検出可能となる位置に位置決めする。

そして、先ず外側の２眼のセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄を用いて、ＡＦ系６Ｂ，６Ｅ（図１４（Ａ）参照）で計測されるデフォーカス量が０になるようにウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷのレベリングを行いながら、セカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄でウエハマークＷＭＧ，ＷＭＪを同時に検出する。
続いて、図１５（Ｂ）に示すように、内側の２眼のセカンダリアライメント系ＡＬ２₂
，ＡＬ２₃を用いて、ＡＦ系６Ｃ，６Ｄで計測されるデフォーカス量が０になるようにウ
エハステージＷＳＴを駆動してウエハＷのレベリングを行いながら、セカンダリアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃でウエハマークＷＭＨ，ＷＭＩを同時に検出する。次のステップ３２１において、図１５（Ｃ）に示すように、プライマリアライメント系ＡＬ１を用いて、ＡＦ系６Ａで計測されるデフォーカス量が０になるようにウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷのＺ位置を制御しながら、プライマリアライメント系ＡＬ１でウエハマークＷＭＦを検出する。これらのウエハマークＷＭＦ〜ＷＭＪの検出結果及びその検出時のエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値もアライメント演算系２０ａに供給される。

なお、この図１５（Ａ）〜（Ｃ）に示すウエハマークの検出時に、ステップ３１５〜３１９に示す実際のウエハマークに合わせてアライメント系のＡＦ系６Ａ〜６Ｅのオフセットを求める動作を実行してもよい。その代わりに、図１３（Ｃ）の３つのファーストアライメントショット領域ＡＳのウエハマークの検出時に、対応するＡＦ系６Ａ，６Ｃ，６Ｄのオフセットを求める動作を実行し、次の図１５（Ａ）の両側のセカンダリアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄でウエハマークを検出する際に、対応するＡＦ系６Ｂ，６Ｅのオフセットを求める動作を実行してもよい。

次に、動作は再びステップ３２２からステップ３２０に戻り、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に所定距離移動して、図１３（Ｂ）に示すように、５つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄がウエハＷ上の５つのサードアライメントショットＡＳに付設されたウエハマークをほぼ同時にかつ個別に検出可能となる位置に位置決めする。そして、ステップ３２０、３２１を実行して、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜
ＡＬ２₄による５つのウエハマークの検出結果とその検出時のエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆ
の計測値とを関連付けてアライメント演算系２０ａに供給する。

次に、動作はステップ３２２からステップ３２０に戻り、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に所定距離移動してプライマリアライメント系ＡＬ１，セカンダリアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃を用いて、ウエハＷ上の３つのフォースアライメントショットＡＳに付設されたウエハマークをほぼ同時にかつ個別に検出可能となる位置に位
置決めする。そして、ステップ３２０、３２１を実行して、３つのアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₂，ＡＬ２₃による３つのウエハマークの検出結果とその検出時のエンコーダ７０Ａ〜７０Ｅの計測値とを関連付けてアライメント演算系２０ａに供給する。この段階でウエハマークの計測は終了するため、動作はステップ３２２からステップ３２３に移行して、主制御装置２０はウエハステージＷＳＴをＹ方向に駆動して、図１１（Ｂ）に示すように、ウエハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとを連結する。

次に、投影光学系ＰＬの下方にウエハステージＷＳＴの計測プレート３０のスリットパターンＳＬ（図５（Ａ）参照）を移動して、図１のレチクルステージＲＳＴを駆動してレチクルＲの中心を光軸ＡＸに合わせて照明光ＩＬを照射する。そして、レチクルＲのアライメントマークの像をスリットパターンＳＬで走査して、計測ステージＭＳＴ内の空間像計測装置を用いてその位置を検出し、その像の位置の情報（エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値）をアライメント演算系２０ａに供給する。アライメント演算系２０ａは、ステップ３１０の検出結果とステップ３２３の検出結果とから図１１（Ａ）に示すベースラインＢＬを求めることができる。

なお、このステップ３２３の動作は、図１３（Ｃ）の４行のアライメントショットのウエハマークを計測する途中で、投影光学系ＰＬの先端部が計測プレート３０に近づいた段階で実行することができる。これによって、ウエハステージＷＳＴの移動量が少なくなり、露光工程のスループットが向上する。
次のステップ３２４において、アライメント演算系２０ａは、ステップ３０８で求めたセカンダリベースラインＳＢＬ１〜ＳＢＬ４、ステップ３２３で求めたベースラインＢＬ、及び上記の合計１６個のウエハマークの検出結果と対応するエンコーダ７０Ａ〜７０Ｅの計測値とを用いて、例えば特開昭６１−４４４２９号公報（対応する米国特許第４，７８０，６１７号明細書）などに開示されるＥＧＡ方式にて統計演算を行う。そして、上記のエンコーダ７０Ａ〜７０Ｅの計測軸で規定されるステージ座標系（例えば、投影光学系ＰＬの光軸を原点とするＸＹ座標系）上におけるウエハＷ上の全てのショット領域の配列を算出する。

次に、ステップ３２５において、図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）に示すように、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に駆動して、斜入射方式の多点ＡＦ系（９０ａ，９０ｂ）を用いて、ウエハＷの表面のＺ位置の分布（凹凸分布）を計測する。そして、ステップ３２６において、主制御装置２０の制御のもとで、図１６に示すように、アライメント演算系２０ａから供給された配列座標に基づいてエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値を用いてウエハステージＷＳＴを駆動することで、液浸方式で、かつステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターン像が露光される。露光済みのウエハＷはウエハステージＷＳＴからアンローディングされる。

次のステップ３２７において１ロット中に未露光のウエハがないかどうかを判定し、未露光のウエハがある場合には、動作は図１７のステップ３０６に移行して、以下、ＣＤバー４６の基準マークを用いたセカンダリベースラインの計測、新たなウエハのローディング等が実行される。今回は２枚目以降のウエハであるため、動作はステップ３１１からステップ３２０に移行して、ウエハ上のウエハマークの検出が行われた後、ウエハの走査露光が行われる。そして、ステップ３２７で未露光のウエハがなくなった時点で、１ロットのウエハの露光工程が終了する。

このように、本実施形態では、ウエハステージＷＳＴをＹ方向に移動させ、その移動経路上における４箇所にウエハステージＷＳＴを位置決めすることにより、５眼のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を用いて合計１６箇所のアライメントショットＡＳにおけるウエハマークの位置情報を検出できる。この際に、ウエハステージＷＳＴをＸ方向に
移動させる必要が無いため、単一のアライメント系を用いてウエハステージをＸ方向、Ｙ方向に駆動して順次ウエハマークを検出する場合などに比べて、格段に短時間に多数のウエハマークの位置情報を得ることができる。従って、短時間にアライメントを行うことができる。

なお、上記の実施形態の５眼のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄は５つの少なくともＸ方向に離れた検出領域を持つ１つのアライメント系（マーク検出系）とみなすことも可能である。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
（１）上記の実施形態の露光装置１００によるアライメント方法は、少なくともＸ方向（１軸方向）に関する検出領域が互いに異なる複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜
ＡＬ２₄で、少なくともＸ方向に関して互いに異なる位置に配置されたウエハＷ上のウエ
ハマークを検出するマーク検出方法であって、主制御装置２０及びアライメント演算系２０ａによって以下のような制御が行われる。即ち、そのＸ方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係（既知のＸ方向、Ｙ方向の間隔）でＣＤバー４６上に配置された複数の基準マークのうち、第１の一組の基準マークＭ１，Ｍ２₁を対応する一組のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁で検出するステップ３０６と（図１２（Ａ））、その複数の基準マークのうちその第１の一組の基準マークと一つの基準マークＭ１が共通の第２の一組の基準マークＭ１，Ｍ２₂を、対応する一組のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₂で検出するステップ３０７と（図１２（Ｂ））、そのアライメント系の対応するその基準マークの検出結果およびその複数の基準マークのその特定位置関係に基づいて、その複数のアライメント系の位置関係の情報（セカンダリベースライン）を取得するステップ３０８とを有する。

本実施形態によれば、少なくともＸ方向に関する検出領域が互いに異なる複数のアライメント系（又は少なくともＸ方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたアライメント系）を用いており、実質的に同時に複数のアライメント系（又は２つの検出領域）で異なる複数のマークの検出が可能であるため、ウエハＷ上の複数のウエハマークを効率的に検出できる。

さらに、ＣＤバー４６上の複数（１組）の基準マークを対応する複数（１組）のアライメント系で検出することによって、ＣＤバー４６の位置が変動しても、複数のアライメント系の位置関係（セカンダリベースライン）を高精度に計測でき、それ以降の計測精度が向上する。
（２）また、上記の実施形態のアライメント方法は、少なくともＸ方向に関する検出領域が互いに異なる複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄で、少なくともＸ方向に関して互いに異なる位置に配置されたウエハＷ上のウエハマークを検出するマーク検出方法であって、主制御装置２０、オフセット補正部１３２、ＡＦ系６Ａ〜６Ｅ（デフォーカス情報計測系）、及びウエハステージＷＳＴ（Ｚ・レベリング機構）によって以下の制御が行われる。即ち、その複数のアライメント系のその検出領域にそれぞれウエハＷ上の互いに異なる位置のウエハマークＷＭＡ〜ＷＭＥを移動してこれらのマークを検出するステップ３１５と（図１４（Ａ））、そのウエハＷのＺ位置（高さ）および傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、その複数のアライメント系のそれぞれの撮像信号（検出情報）およびその検出領域のフォーカス信号（デフォーカス情報）を計測するステップ３１６と、その複数のアライメント系のそれぞれの撮像信号から求められるベストフォーカス位置（合焦状態）の情報とその検出領域のフォーカス信号とから、そのフォーカス信号のオフセット（補正情報）を求めるステップ３１７とを有する。

これによれば、ウエハ上の複数のウエハマークを複数のアライメント系で並行に検出してデフォーカス情報を補正しているため、効率的にデフォーカス情報を補正できるとともに、それ以降のウエハマークの合焦精度が向上して計測精度が向上する。
（３）また、図１の露光装置１００によるアライメント方法は、少なくともＸ方向（１軸方向）に関する位置が互いに異なる複数の検出領域ＡＬ１ｆ〜ＡＬ２₄ｆを備えたアラ
イメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄で、少なくともＸ方向に関して互いに異なる位置に配置されたウエハ（物体）上のウエハマークを検出するマーク検出方法であって、Ｘ方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数の基準マークを配置したＣＤバー４６を、そのＸ軸に対して傾けた姿勢で、その複数の検出領域の２つに位置づけて、ＣＤバー４６と２つの検出領域とをそのＸ方向に相対移動することなく、その２つの検出領域内の基準マークＭ１，Ｍ２₁を略同時に検出している（図１２（Ａ）、ステップ３０６）。さらに、その２つの検出領域内のマークを検出した結果とそのＣＤバー４６内の複数の基準マークの配置に関するその特定位置関係の情報とから、その２つの検出領域の位置関係情報（セカンダリベースライン）を求め、その２つの検出領域とそのウエハ上のウエハマークとをそのＸ方向に相対移動することなく、その２つの検出領域でそのウエハマークＷＭＧ，ＷＭＪを実質的に同時に検出し（図１５（Ａ）、ステップ３２０）、その２つの検出領域でそのウエハマークを略同時に検出した結果と、その２つの検出領域の位置関係情報（セカンダリベースライン）とから、その２つの検出領域のそれぞれで検出したそのウエハマークそれぞれの位置情報を求めるものである。

また、図１の露光装置１００によるアライメント装置は、少なくともＸ方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域ＡＬ１ｆ，ＡＬ２₁ｆ〜ＡＬ２₄ｆを備え、少なくともＸ方向に関して互いに異なる位置に配置されたウエハ上のウエハマークを実質的に同時に検出するアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を含むマーク検出装置であって、そのＸ方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数の基準マークを配置したＣＤバー４６と、そのＣＤバー４６を、Ｘ軸に関して傾けた姿勢で、その複数の検出領域の２つに位置づける計測ステージＭＳＴと、そのＣＤバー４６と２つの検出領域とをそのＸ方向に相対移動することなく、その２つの検出領域内の基準マークを実質的に同時に検出した結果とＣＤバー４６内の複数の基準マークの配置に関するその特定位置関係の情報とから、その２つの検出領域の位置関係情報（セカンダリベースライン）を求めるアライメント演算系２０ａと、を備えている。そして、その２つの検出領域とそのウエハ上のウエハマークとをＸ方向に相対移動することなく、その２つの検出領域でそのウエハマークを実質的に同時に検出し、その２つの検出領域でそのウエハマークを略同時に検出した結果と、その２つの検出領域の位置関係情報とから、その２つの検出領域のそれぞれで検出したそのウエハマークそれぞれの位置情報を求めるものである。

本実施形態によれば、ＣＤバー４６上の２つの基準マークをレベリングを行いながら２つの検出領域で検出することによって、合焦状態で高精度にセカンダリベースラインを計測できる。従って、その後で複数のアライメント系を用いてウエハマークの位置を高精度に検出できる。
（４）また、上記の実施形態のアライメント方法は、少なくともＸ方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄で、少なくともＸ方向に関して互いに異なる位置に配置されたウエハ上のウエハマークを検出するマーク検出方法であって、その複数の検出領域のうち２つにそのウエハを位置づけて（２つの検出領域でマーク検出を行うようにして）、そのウエハのＺ方向（高さ方向）の位置とそのウエハの傾きとの少なくとも一方を次第に変えながらその２つの検出領域それぞれに位置するそのウエハ上の第１組のウエハマークＷＭＣ，ＷＭＤを検出し（図１４（Ｂ）、ステップ３１５，３１６）、その２つの検出領域で検出した結果のそれぞれを所定の評価基準で評価し、そのウエハを、その評価の結果に基づいて傾けて配置し、そのウエハ上のその第１組のウエハマークとは異なる第２組のウエハマークＷＭＨ，ＷＭＩをその２つの検出領域で検出するものである（図１５（Ｂ）、ステップ３２０）。

このマーク検出方法によれば、ウエハ上の２つのウエハマークを対応する２つの検出領
域で検出し、デフォーカス情報を補正した後で、そのまま合焦状態でウエハマークの検出を行うことができる。従って、デフォーカス情報を補正するための動作に基づく、スループットの低下が抑制されるとともに、それ以降のウエハマークの検出時の合焦精度が向上して計測精度が向上する。

（５）また、上記の実施形態のアライメント方法は、少なくともＸ方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄で、少なくともＸ方向に関して互いに異なる位置に配置されたウエハ上のウエハマークを検出するマーク検出方法であって、その上に基準マークが形成されたＣＤバー４６のＺ方向の位置を次第に変えながらその複数の検出領域のそれぞれに位置するＣＤバー４６上の基準マークＭ１，Ｍ２₁を検出し（図３（Ａ）、ステップ３０２）、その複数の検出領域で検出した結果のそれぞれを所定の評価基準で評価し、ウエハを、その評価の結果に基づいて傾けてその複数の検出領域のうちの２つに配置し（図１５（Ｂ）、ステップ３２０）、その２つの検出領域でそのウエハマークＷＭＨ，ＷＭＩを実質的に同時に検出するものである。

このマーク検出方法によれば、基準マークを用いてアライメント系のベストフォーカス位置を決定することでアライメント系の合焦精度を向上できるとともに、ウエハ上の２つのウエハマークを２つの検出領域で検出することによって、そのウエハマークを同時に効率的に、かつ合焦状態で高精度に計測できる。
（６）また、上記の実施形態は、ウエハＷを保持して、Ｘ方向およびこれに交差するＹ方向に移動可能なウエハステージＷＳＴと、ウエハステージＷＳＴの一面に設けられて、Ｘ方向、Ｙ方向に格子が周期的に配列されるスケール３９Ｘ₁，３９Ｘ₂及び３９Ｙ₁，３
９Ｙ₂（第１および第２格子部）と、Ｙ方向に関して位置が異なる複数のＸヘッド６６を
有するエンコーダ７０Ｂ，７０Ｄと、Ｘ方向に関して位置が異なる複数のＹヘッド６４を有するエンコーダ７０Ａ，７０Ｃとを有する計測装置とを備え、スケール３９Ｘ₁，３９
Ｘ₂と対向するＸヘッド６６によってウエハステージＷＳＴのＸ方向の位置情報を計測し
、スケール３９Ｙ₁，３９Ｙ₂と対向するＹヘッド６４によってウエハステージＷＳＴのＹ方向の位置情報を計測している。

従って、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｄの検出光の光路長が短いため、レーザ干渉計を用いる場合に比べて揺らぎの影響を殆ど受けることなく高精度にウエハステージＷＳＴの位置を計測できる。
なお、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｄ及び７０Ｅ，７０Ｆとしては、極性が反転する発磁体を微小ピッチで形成した周期的な磁気スケールと、この磁気スケールを読み取る磁気ヘッドとを含む磁気式のリニアエンコーダ等を使用することも可能である。また、光路の揺らぎの影響が小さい場合には、ウエハステージＷＳＴの位置をレーザ干渉計のみを用いて計測してもよい。

（７）また、上記の実施形態の露光装置は、ウエハＷ（物体）を照明光ＩＬ（エネルギビーム）で露光する露光装置であって、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴ（移動体）と、上記の実施形態の複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を含むマーク検出装置とを備え、そのマーク検出装置を用いて、ウエハＷ上の所定の複数のウエハマークを検出し、そのウエハマークの検出結果に基づいて、照明光ＩＬの照射位置（レチクルＲのパターンの像）とウエハＷとの位置合わせを行うためにウエハステージＷＳＴを介してウエハＷを駆動しながら、照明光ＩＬでウエハＷを露光している。

また、上記の実施形態の露光装置は、上記の実施形態の複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を含む位置制御装置を含み、その位置制御装置を用いて位置を制御されたウエハ上にデバイスパターンを露光する露光装置でもある。
また、上記の実施形態のアライメント方法又は装置は、上記の実施形態の複数のアライ
メント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を用いるマーク検出方法を用いて求められたウエハＷ上のウエハマークの位置情報を用いて、ウエハＷの位置を制御する物体の位置制御方法又は装置でもある。

これらの場合、複数のベストフォーカス位置のオフセット調整がなされたアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を用いることによって、複数のマークを効率的にかつ高精度に計測できるため、位置制御及び露光を効率的に、かつ高精度に行うことができる。
なお、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する場合、マイクロデバイスは、図１９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置１００（投影露光装置）によりレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。

言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いて基板（物体）を露光することと、その露光された基板を現像することと、を含んでいる。また、このデバイス製造方法は、上記の実施形態のアライメント方法（位置制御方法）を用いて位置を制御された基板（物体）上にデバイスパターンを露光することを含んでいる。
この際に、複数のアライメント系を用いて効率的に基板のアライメント（アライメントマークの検出）を行うことができるため、デバイスを高いスループットで量産することができる。

なお、本発明は、上述のステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の投影露光装置（スキャナ）の他に、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー等）にも適用できる。さらに、本発明は、液浸型露光装置以外の、ドライ露光型の露光装置にも同様に適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子やプラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックスウエハ上に転写する露光装置、並びに撮像素子（ＣＣＤなど）、有機ＥＬ、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems)、及びＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置及びＥＵＶ露光装置などで使用されるマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

本発明の実施形態の一例に係る露光装置の概略構成を示す図である。 図１のステージ装置を示す平面図である。 図３（Ａ）は実施形態の一例の５眼のアライメント系及びアライメント系用のＡＦ系の概略構成を示す図、図３（Ｂ）はＡＦ系のフォーカス信号の一例を示す図、図３（Ｃ）はアライメント系の撮像信号の一例を示す図である。 図１のアライメント系ＡＬ１、ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄及び位置計測用のエンコーダの配置を示す図である。 図５（Ａ）は、ウエハステージを示す平面図、図５（Ｂ）は、ウエハステージＷＳＴを示す一部を断面とした側面図である。 図６（Ａ）は、計測ステージを示す平面図、図６（Ｂ）は、計測ステージを示す一部を断面とした側面図である。 図１の露光装置の制御系の主要な構成を示すブロック図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、アレイ状に配置された複数のヘッドをそれぞれ含む複数のエンコーダによるウエハテーブルのＸＹ平面内の位置計測及びヘッド間の計測値の引き継ぎについて説明するための図である。 アライメント系ＡＬ１、ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の配置の一例を示す図である。 セカンダリアライメント系ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄を駆動した状態を示す図である。 図１１（Ａ）はプライマリアライメント系ＡＬ１で基準マークＦＭを計測する状態を示す図、図１１（Ｂ）はレチクルのパターンの像をスリットパターンで走査する状態を示す図である。 図１２（Ａ）は２眼のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁でＣＤバー４６上の基準マークを検出する状態を示す図、図１２（Ｂ）は２眼のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₂でＣＤバー４６上の基準マークを検出する状態を示す図である。 図１３（Ａ）はファーストアライメントショットＡＳの計測を行う状態を示す図、図１３（Ｂ）はサードアライメントショットＡＳの計測を行う状態を示す図、図１３（Ｃ）は、ウエハのアライメントショットＡＳの配列の一例を示す図である。 図１４（Ａ）はアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄の検出領域にウエハＷ上のウエハマークを移動した状態を示す図、図１４（Ｂ）は２眼のアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃でウエハＷ上のウエハマークを検出する状態を示す図である。 図１５（Ａ）は２眼のアライメント系ＡＬ２₁，ＡＬ２₄でウエハマークを検出する状態を示す図、図１５（Ｂ）は２眼のアライメント系ＡＬ２₂，ＡＬ２₃でウエハマークを検出する状態を示す図、図１５（Ｃ）はアライメント系ＡＬ１でウエハマークを検出する状態を示す図である。 ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハを移動しながらウエハを走査露光する状態を示す平面図である。 実施形態の露光動作の一例の一部を示すフローチャートである。 図１７に続くの露光動作を示すフローチャートである。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

ＡＬ１…プライマリアライメント系、ＡＬ２₁〜ＡＬ２₄…セカンダリアライメント系、Ｒ…レチクル、Ｗ…ウエハ、ＷＴＢ…ウエハテーブル、ＷＳＴ…ウエハステージ、ＭＴＢ…計測テーブル、ＭＳＴ…計測ステージ、２０…主制御装置、３２…ノズルユニット、３９Ｘ₁，３９Ｘ₂…Ｘスケール、３９Ｙ₁，３９Ｙ₂…Ｙスケール、４６…ＣＤバー、６２Ａ〜６２Ｄ…ヘッドユニット、６４…Ｙヘッド、６６…Ｘヘッド、７０Ａ，７０Ｃ…Ｙエンコーダ、７０Ｂ，７０Ｄ…Ｘエンコーダ

Claims (50)

1. 少なくとも１軸方向に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系で、少なくとも前記１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、
   前記複数のマーク検出系の前記検出領域にそれぞれ前記物体上の互いに異なる位置のマークを移動して該マークを検出する工程と；
   前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報および前記検出領域のデフォーカス情報を計測する工程と；
   前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報から求められる合焦状態の情報と前記検出領域のデフォーカス情報とから、前記デフォーカス情報の補正情報を求める工程と；を有するマーク検出方法。
2. 前記複数のマーク検出系の前記検出領域にそれぞれ前記物体上の互いに異なる位置のマークを移動して、該マークを検出する工程と、
   前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報および前記検出領域のデフォーカス情報を計測する工程とは、
   前記複数のマーク検出系のうち２つのマーク検出系で前記物体上の対応するマークを検出する工程と；
   前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記２つのマーク検出系のそれぞれの検出情報および前記検出領域のデフォーカス情報を計測する工程と；を含む請求項１に記載のマーク検出方法。
3. 前記複数のマーク検出系は奇数個であり、
   前記複数のマーク検出系のうちの所定の一つのマーク検出系で前記物体上の対応するマークを検出する工程と；
   前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記所定の一つのマーク検出系の検出情報および前記検出領域のデフォーカス情報を計測する工程と；を含む請求項２に記載のマーク検出方法。
4. 前記複数のマーク検出系は、前記マークに検出光を照射して、前記マークからの反射光を受光し、
   前記合焦状態は、前記マーク検出系によって得られる検出信号のコントラストおよび変化率の少なくとも一方に基づいて判定され、
   前記デフォーカス情報は、前記マーク検出系内で前記反射光から分岐した光束に基づいて得られる請求項１から３のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
5. 前記複数のマーク検出系のうち少なくとも一つは、その検出領域が前記１軸方向に沿って可動であり、
   前記複数のマーク検出系によって前記物体上のマークを検出して、前記補正情報を求めるまでの工程は、前記複数のマーク検出系の少なくとも一つの検出領域を前記１軸方向に沿って移動した後に実行される請求項１から４のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
6. 前記複数のマーク検出系のうち少なくとも一つは、その検出領域が固定されている請求項１から５のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
7. 前記１軸方向に平行な第１方向およびこれに交差する第２方向に移動可能な移動体上に前記物体を載置する工程を備え、
   前記移動体の一面に、前記第１および第２方向に格子が周期的に配列される第１および第２格子部が設けられ、
   前記第２方向に関して位置が異なる複数の第１ヘッドを有する第１エンコーダと、前記第１方向に関して位置が異なる複数の第２ヘッドを有する第２エンコーダとを有する計測装置を用い、
   前記移動体を移動する際に、前記第１格子部と対向する第１ヘッドによって前記移動体の前記第１方向の位置情報を計測し、前記第２格子部と対向する第２ヘッドによって前記移動体の前記第２方向の位置情報を計測する請求項１から６のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
8. 物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
   請求項１から７のいずれか一項に記載のマーク検出方法を用いて、前記物体上の所定の複数のマークを検出する工程と；
   前記マークの検出結果に基づいて、前記エネルギビームの照射位置と前記物体との位置合わせを行うために前記物体を駆動しながら、前記エネルギビームで前記物体を露光する工程と；を有する露光方法。
9. 請求項８に記載の露光方法を用いて物体を露光することと、
   前記露光された物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
10. 少なくとも１軸方向に関する検出領域が互いに異なる複数のマーク検出系で、少なくとも前記１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出装置であって、
    前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を制御する姿勢制御機構と；
    前記複数のマーク検出系の前記検出領域のデフォーカス情報を求めるデフォーカス情報計測系と；
    制御装置と；を備え、
    前記制御装置は、
    前記複数のマーク検出系の前記検出領域にそれぞれ前記物体上の互いに異なる位置のマークを移動して、前記複数のマーク検出系を用いて前記マークを検出し、
    前記姿勢制御装置を介して、前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報および前記デフォーカス情報計測系によるデフォーカス情報を求め、
    前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出情報から求められる合焦状態の情報と前記検出領域のデフォーカス情報とから、前記デフォーカス情報の補正情報を求めることを特徴とするマーク検出装置。
11. 前記制御装置は、
    前記複数のマーク検出系のうち２つのマーク検出系を用いて前記物体上の対応するマークを検出し、
    前記姿勢制御装置を介して、前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記２つのマーク検出系のそれぞれの検出情報および前記検出領域のデフォーカス情報を求める請求項１０に記載のマーク検出装置。
12. 前記複数のマーク検出系は奇数個であり、
    前記制御装置は、
    前記複数のマーク検出系のうちの所定の一つのマーク検出系を用いて前記物体上の対応するマークを検出し、
    前記姿勢制御装置を介して、前記物体の高さおよび傾斜角の少なくとも一方を次第に変えながら、前記所定の一つのマーク検出系の検出情報および前記検出領域のデフォーカス情報を求める請求項１１に記載のマーク検出装置。
13. 前記複数のマーク検出系は、前記マークに検出光を照射して、前記マークからの反射光を受光し、
    前記デフォーカス情報計測系は、前記マーク検出系内で前記反射光から分岐した光束に基づいて前記デフォーカス情報を求め、
    前記制御装置は、前記マーク検出系によって得られる検出信号のコントラストおよび変化率の少なくとも一方に基づいて前記合焦状態を判定する請求項１０から１２のいずれか一項に記載のマーク検出装置。
14. 前記複数のマーク検出系のうち少なくとも一つは、その検出領域が前記１軸方向に沿って可動である請求項１０から１３のいずれか一項に記載のマーク検出装置。
15. 前記複数のマーク検出系のうち少なくとも一つは、その検出領域が固定されている請求項１０から１４のいずれか一項に記載のマーク検出装置。
16. 前記物体を保持して、前記１軸方向に平行な第１方向およびこれに交差する第２方向に移動可能な移動体と；
    前記移動体の一面に設けられて、前記第１および第２方向に格子が周期的に配列される第１および第２格子部と、
    前記第２方向に関して位置が異なる複数の第１ヘッドを有する第１エンコーダと、前記第１方向に関して位置が異なる複数の第２ヘッドを有する第２エンコーダとを有する計測装置と；を備え、
    前記第１格子部と対向する第１ヘッドによって前記移動体の前記第１方向の位置情報を計測し、前記第２格子部と対向する第２ヘッドによって前記移動体の前記第２方向の位置情報を計測する請求項１０から１５のいずれか一項に記載のマーク検出装置。
17. 物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
    前記物体を保持して移動する移動体と、
    請求項１０から１６のいずれか一項に記載のマーク検出装置とを備え、
    前記マーク検出装置を用いて、前記物体上の所定の複数のマークを検出し、
    前記マークの検出結果に基づいて、前記エネルギビームの照射位置と前記物体との位置合わせを行うために前記移動体を介して前記物体を駆動しながら、前記エネルギビームで前記物体を露光する露光装置。
18. 請求項１７に記載の露光装置を用いて物体を露光することと、
    前記露光された物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
19. 少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系で、少なくとも前記１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、
    前記１軸方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数のマークを配置した基準部材を、前記１軸に対して傾けた姿勢で、前記複数の検出領域の２つに位置づけて、
    前記基準部材と２つの検出領域とを前記１軸方向に相対移動することなく、前記２つの検出領域内のマークを略同時に検出し、
    前記２つの検出領域内のマークを検出した結果と前記基準部材内の複数のマークの配置に関する前記特定位置関係の情報とから、前記２つの検出領域の位置関係情報を求め、
    前記２つの検出領域と前記物体上のマークとを前記１軸方向に相対移動することなく、前記２つの検出領域で前記物体上のマークを実質的に同時に検出し、
    前記２つの検出領域で前記物体上のマークを略同時に検出した結果と、前記２つの検出領域の位置関係情報とから、前記２つの検出領域のそれぞれで検出した前記物体上のマークそれぞれの位置情報を求めるマーク検出方法。
20. 前記マーク検出系は、前記複数の検出領域それぞれに対応する複数の検出光学系を含み、
    前記複数の検出光学系それぞれのフォーカス位置に応じて、前記基準部材の傾きを決定することを含む請求項１９記載のマーク検出方法。
21. 前記マーク検出系は３つ以上の検出領域を備え、
    前記３つ以上の検出領域のうちの２つの検出領域で前記基準部材のマークを略同時に検出して、前記２つの検出領域の位置関係情報を求めた後、
    前記２つの検出領域の少なくとも１つが異なる、別の２つの検出領域で前記マークを略同時に検出して、前記別の２つの検出領域の位置関係を求めることを含む請求項１９または請求項２０記載のマーク検出方法。
22. 前記２つの検出領域で前記基準部材のマークを略同時に検出する際と、前記別の２つの検出領域で前記基準部材のマークを略同時に検出する際とのいずれの際にも、２つの検出領域の１つが特定の検出領域である請求項２１記載のマーク検出方法。
23. 前記マーク検出系の複数の検出領域のうちの一部の検出領域は前記１軸方向に関して固定され、前記一部の検出領域を除く前記検出領域は前記１軸方向に関して変位可能であり、
    前記特定の検出領域は、前記１軸方向に関して固定された検出領域である請求項２２記載のマーク検出方法。
24. 前記１軸方向に関して固定された検出領域が前記複数の検出領域の中の１つである請求項２３記載のマーク検出方法。
25. 前記検出領域の位置関係を求められた２つの検出領域と、前記物体上のマークを略同時に検出する２つの検出領域とは、少なくとも一つの検出領域が異なる請求項２１から２４のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
26. 前記物体は、その上にデバイスパターンが形成される半導体ウエハである請求項１９から２５いずれか一項に記載のマーク検出方法。
27. 請求項１９から２６いずれか一項に記載のマーク検出方法を用いて求められた前記物体上のマークの位置情報を用いて、前記物体の位置を制御する物体の位置制御方法。
28. 請求項２７に記載の位置制御方法を用いて位置を制御された物体上にデバイスパターンを露光することを含むデバイス製造方法。
29. 少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備え、少なくとも前記１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを実質的に同時に検出するマーク検出装置であって、
    前記１軸方向に関する位置が互いに異なる特定位置関係で複数のマークを配置した基準
    部材と、
    前記基準部材を、前記１軸に関して傾けた姿勢で、前記複数の検出領域の２つに位置づける駆動装置と、
    前記基準部材と２つの検出領域とを前記１軸方向に相対移動することなく、前記２つの検出領域内のマークを実質的に同時に検出した結果と前記基準部材内の複数のマークの配置に関する前記特定位置関係の情報とから、前記２つの検出領域の位置関係情報を求める演算装置と、を備え、
    前記２つの検出領域と前記物体上のマークとを前記１軸方向に相対移動することなく、前記２つの検出領域で前記物体上のマークを実質的に同時に検出し、
    前記２つの検出領域で前記物体上のマークを略同時に検出した結果と、前記２つの検出領域の位置関係情報とから、前記２つの検出領域のそれぞれで検出した前記物体上のマークそれぞれの位置情報を求めるマーク検出装置。
30. 前記マーク検出系は、前記複数の検出領域それぞれに対応する複数の検出光学系を含み、
    前記駆動装置は、前記複数の検出光学系それぞれのフォーカス位置に応じて、前記基準部材を傾ける請求項２９記載のマーク検出装置。
31. 前記マーク検出系は３つ以上の検出領域を備え、
    前記３つ以上の検出領域のうちの２つの検出領域で前記基準部材のマークを略同時に検出して、前記２つの検出領域の位置関係情報を求めた後、
    前記２つの検出領域の少なくとも１つが異なる、別の２つの検出領域で前記マークを略同時に検出して、前記別の２つの検出領域の位置関係を求める請求項２９または請求項３０記載のマーク検出装置。
32. 前記２つの検出領域で前記基準部材のマークを略同時に検出する際と、前記別の２つの検出領域で前記基準部材のマークを略同時に検出する際とのいずれの際にも、２つの検出領域の１つが特定の検出領域である請求項３１記載のマーク検出装置。
33. 前記マーク検出系の複数の検出領域の一部は前記１軸方向に関して固定され、前記一部を除く検出領域は前記１軸方向に関して変位可能であり、
    前記特定の検出領域は、前記１軸方向に関して固定された検出領域である請求項３２記載のマーク検出装置。
34. 前記１軸方向に関して固定された検出領域が前記複数の検出領域の中で１つである請求項３３記載のマーク検出装置。
35. 前記物体は、その上にデバイスパターンが形成される半導体ウエハである請求項２９から３４のいずれか一項に記載のマーク検出装置。
36. 請求項２９から３５のいずれか一項に記載のマーク検出装置を用いて求められた前記物体上のマークの位置情報を用いて、前記物体の位置を制御する物体の位置制御装置。
37. 請求項３６に記載の位置制御装置を含み、前記位置制御装置を用いて位置を制御された物体上にデバイスパターンを露光する露光装置。
38. 少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系で、少なくとも前記１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、
    前記複数の検出領域のうち２つに前記物体を位置づけて、前記物体の高さ方向の位置と
    前記物体の傾きとの少なくとも一方を次第に変えながら前記２つの検出領域それぞれに位置する前記物体上の第１組のマークを検出し、
    前記２つの検出領域で検出した結果のそれぞれを所定の評価基準で評価し、
    前記物体を、前記評価の結果に基づく前記高さ方向の位置で前記評価の結果に基づいて傾けて配置し、前記物体上の前記第１組のマークとは異なる第２組のマークを前記２つの検出領域で検出するマーク検出方法。
39. 前記評価結果を求めるためにマークを検出した前記物体とは別の物体を、前記評価結果に基づく前記高さ方向の位置で前記評価結果に基づいて傾けて、前記２つの検出領域に配置し、前記別の物体上のマークを前記２つの検出領域で検出する請求項３８記載のマーク検出方法。
40. 前記所定の評価基準は、前記マークの像を光電変換して得られる信号のコントラストおよび変化率の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項３８または請求項３９記載のマーク検出方法。
41. 前記物体を前記複数の検出領域のうちの２つに位置づける前に、
    その上にマークが形成された基準部材の高さ方向の位置を次第に変えながら前記複数の検出領域のそれぞれに位置する前記基準部材上のマークを検出し、
    前記基準部材上のマークを検出した結果に基づいて前記物体を傾けて前記２つの検出領域に位置づけて、前記２つの検出領域で前記物体上のマークを実質的に同時に検出する請求項３８から４０のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
42. 前記物体は、その上にデバイスパターンが形成される半導体ウエハである請求項３８から４１のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
43. 請求項３８から４２のいずれか一項に記載のマーク検出方法を用いて求められた前記物体上のマークの位置情報を用いて、前記物体の位置を制御する物体の位置制御方法。
44. 請求項４３に記載の位置制御方法を用いて位置を制御された物体上にデバイスパターンを露光するデバイス製造方法。
45. 少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数の検出領域を備えたマーク検出系で、少なくとも前記１軸方向に関して互いに異なる位置に配置された物体上のマークを検出するマーク検出方法であって、
    その上にマークが形成された基準部材の高さ方向の位置を次第に変えながら前記複数の検出領域のそれぞれに位置する前記基準部材上のマークを検出し、
    前記複数の検出領域で検出した結果のそれぞれを所定の評価基準で評価し、
    前記物体を、前記評価の結果に基づく前記高さ方向の位置で前記評価の結果に基づいて傾けて前記複数の検出領域のうちの２つに配置し、前記２つの検出領域で前記物体上のマークを実質的に同時に検出するマーク検出方法。
46. 前記所定の評価基準は、前記マークの像を光電変換して得られる信号のコントラストおよび変化率の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項４５に記載のマーク検出方法。
47. 前記基準部材は、少なくとも１軸方向に関する位置が互いに異なる複数のマークを備え、
    前記複数の検出領域のそれぞれで前記基準部材上のマークを検出する際に、前記基準部材と前記複数の検出領域とを前記１軸方向に相対的に移動することなく、前記基準部材上の複数のマークを検出する請求項４５または請求項４６に記載のマーク検出方法。
48. 前記物体は、その上にデバイスパターンが形成される半導体ウエハである請求項４５から４７のいずれか一項に記載のマーク検出方法。
49. 請求項４５から４８のいずれか一項に記載のマーク検出方法を用いて求められた前記物体上のマークの位置情報を用いて、前記物体の位置を制御する物体の位置制御方法。
50. 請求項４９に記載の位置制御方法を用いて位置を制御された物体上にデバイスパターンを露光する露光装置。

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