TW201701428A - 真空相容的發光二極體基板加熱器 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露了一種在可保持於真空條件下的室內加熱基板的系統。發光二極體基板加熱器包括基座，所述基座具有被側壁環繞的凹陷部。多個發光二極體（LED）安置於所述凹陷部內。所述發光二極體可為GaN發光二極體或GaP發光二極體，其發射易於被矽或所述矽上的塗層吸收的波長的光，從而高效且迅速地加熱所述基板。透明窗口安置於所述凹陷部上方，從而形成用以在其中安置所述發光二極體的被密封的殼體。密封襯墊可安置於所述側壁與所述窗口之間。
Description
本發明的實施例有關一種用於加熱基板、且更具體而言，用於例如在真空室中使用發光二極體加熱基板的系統。
半導體元件的製造有關多個分立且複雜的製程。半導體基板通常在製造過程期間經歷許多製程。這些製程可在加工室中進行，所述加工室可保持於與環境不同的加工條件下。例如，加工室可保持於真空條件下。
在加工之前及/或在加工之後對基板進行加熱在許多半導體製造製程中是常見的。在許多情況下，基板被加熱至接近於製程溫度的溫度並且隨後被運送至台板（platen）。此種預熱可有助於防止當冷的基板接觸熱的台板時發生基板翹曲、爆裂及移動。這些現象可導致顆粒的產生及處理不當，並且可降低總的加工良率。
另外，在某些實施例中，可在基板經受冷加工之後對基板進行加溫，以消除當基板自室中離開時發生冷凝的可能性。
在某些實施例中，可使用專用預熱站來執行此功能。預熱站可包括聚焦於基板上的一個或多個紅外燈。雖然預熱站對於升高基板的溫度有效，但預熱站對生產量具有負面影響。具體而言，為了使基板達到期望的溫度，基板可安置於預熱站處達很長的時間。另外，紅外燈對於加熱基板而言效率相當低。此外，紅外燈可能是相當大的並且耗用室內的大量空間。例如，紅外燈可為4英寸至8英寸厚。
如果存在不使用紅外燈來加熱基板的裝置，則將是有益的。此外，如果裝置佔用室內的較少空間，則也將是有利的。
本發明揭露了一種在可保持於真空條件下的室內加熱基板的系統。發光二極體基板加熱器包括基座，所述基座具有由側壁限定的凹陷部。多個發光二極體（light emitting diode，LED）安置於所述凹陷部內。所述發光二極體可為GaN發光二極體或GaP發光二極體，其發射易於被矽或所述矽上的塗層吸收的波長的光，從而高效且迅速地加熱所述基板。窗口安置於所述凹陷部上方，從而形成用以在其中安置所述多個發光二極體的被密封的殼體。密封襯墊可安置於所述側壁與所述窗口之間。
根據一個實施例，揭露了一種裝置。所述裝置包括被密封的殼體，所述被密封的殼體包含電性電路，所述電性電路包括多個發光二極體，其中所述被密封的殼體的頂表面包括對於由所述多個發光二極體發射的波長透明的窗口。在某些實施例中，所述被密封的殼體被填充囊封劑以移除空氣。
根據另一實施例，揭露了一種發光二極體基板加熱器。所述發光二極體基板加熱器包括：基座，具有被側壁環繞的凹陷部；電性電路，包括多個發光二極體，安置於所述凹陷部中；以及窗口，安置於所述側壁的頂上並覆蓋所述凹陷部，從而形成用以在其中安置所述電性電路的被密封的殼體，其中所述窗口對於由所述多個發光二極體發射的波長透明。在某些實施例中，所述電性電路包括印刷電路板，且所述印刷電路板與所述凹陷部的上表面熱連通。在某些實施例中，所述電性電路包括絕緣跡線及導電跡線，其中所述絕緣跡線被直接應用至所述凹陷部的上表面，所述導電跡線被應用於所述絕緣跡線的頂上，且所述導電跡線與所述多個發光二極體電性連通。
根據另一實施例，揭露了一種發光二極體基板加熱器。所述發光二極體基板加熱器包括：基座，具有被側壁環繞的凹陷部；電性電路，包括被排列成由同心圓形成的圖案的多個發光二極體，安置於所述凹陷部中；囊封劑，安置於所述凹陷部中；以及窗口，安置於所述側壁的頂上，覆蓋所述凹陷部並接觸所述囊封劑，從而形成用以在其中安置所述電性電路的被密封的殼體，其中所述窗口及所述囊封劑對於由所述多個發光二極體發射的波長透明。在某些實施例中，所述圖案包括多個帶，其中安置於特定帶中的所有同心圓具有相同數目的發光二極體。在某些實施例中，存在五個帶。
如上所述，在許多應用中，在加工基板之前對基板進行預先加熱可能是有利的。此外，基板常常在保持於真空條件下的室內進行加工。
使用真空條件給發光二極體基板加熱器的設計帶來許多挑戰。例如，對可用於構造發光二極體基板加熱器的材料的選擇可能受到限制，因為許多材料可釋放氣體，從而污染所述室。另外，安置於所述室內的被密封的殼體可在殼體的內部與所述室之間存在壓力差，此可使此被密封的殼體的壁承受顯著或不可接受的應力。另外，應移除發光二極體基板加熱器所產生的過多的熱量，此可因所述室中缺乏空氣而變得更加困難。
圖1示出與真空條件相容的發光二極體基板加熱器100的第一實施例的立體圖。圖2示出圖1所示發光二極體基板加熱器100的剖面圖。
發光二極體基板加熱器100包括基座110，基座110可由導熱材料（例如鋁、銅或其他合適的材料）構造而成。基座110可具有在某些實施例中可為相同尺寸的長度及寬度。例如，基座110的長度及寬度可形成尺寸比發光二極體基板加熱器100用以加熱的基板的直徑大的正方形。例如，如果基板為具有300 mm的直徑的矽晶圓，則基座110的長度及寬度可大到足以容置至少與晶圓一樣大的發光二極體陣列。在其他實施例中，基座110可為直徑等於或大於安置於其上的基板的直徑的圓形。例如，在一個實施例中，基板可具有300 mm的直徑，且發光二極體陣列可具有大於300 mm的直徑以確保均勻加熱。例如，發光二極體130陣列可具有330 mm的直徑。
基座110還可具有與長度及寬度正交的高度。基座110的高度可在某些實施例中小於0.5英寸。安置於基座110內的可為一個或多個導管115。這些導管115可延伸貫穿基座110的長度，從而在基座110的一側進入並在基座110的相對側離開。在某些實施例中，導管115可至少部分地帶有螺紋，從而允許帶有類似螺紋的軟管或管插入導管115中並附接至基座110。在操作中，流體（例如水、另一種液體、或氣體）經過軟管並穿過導管115。此動作允許容納於基座110內的熱量通過流動的流體而被移除。因此，導管115用作冷卻劑通道。在其他實施例中，基座110可安置於用作散熱器（heat sink）的熱質量（thermal mass）上。在這些實施例中，可不採用導管115。
基座110的頂表面可具有凹陷部117，凹陷部117被側壁118環繞。凹陷部117的尺寸可被設計成容置印刷電路板120。如上所述，印刷電路板可等於或略大於所要加熱的基板。凹陷部117的頂表面可經拋光以使其反射來自基板或發光二極體的入射發光的能力最佳化。雖然圖1示出具有正方形凹陷部117的正方形基座110，但也可具有其他實施例。例如，基座110及凹陷部117可均為圓形。在另一實施例中，基座110及凹陷部117中的一者為正方形而另一者為圓形。
雖然圖1將基座110示出為其中具有凹陷的整體元件，但也可具有其他實施例。例如，基座可具有平坦的頂表面，且與基座分開的側壁可在基座的頂表面上安置於基座的周邊周圍。在此實施例中，由側壁限定且位於基座上方的體積被視為凹陷部。因此，術語「具有凹陷部的基座」並非旨在僅限於具有凹陷的整體元件。而是，其更包括可用於形成可容置發光二極體且可被密封的體積的其他構型。
印刷電路板120可包括多個高功率發光二極體130，其發射易於被基板吸收的一個或多個波長的光。例如，矽在處於約0.4 mm與1.0 mm之間的波長範圍內呈現高吸收率及低透射率。矽在自0.4 mm至1.0 mm的波長範圍內吸收所發射的能量的大於50%。可使用在此波長範圍內發射光的發光二極體。在某些實施例中，可採用由GaN製成的發光二極體。這些GaN發光二極體發射波長為約450 nm的光。在某些實施例中，採用GaP發光二極體，GaP發光二極體發射波長處於610 nm與760 nm之間的光。
發光二極體130可在大小上有所變化。在某些實施例中，每一發光二極體可為1.3 mm x 1.7 mm。在另一實施例中，每一發光二極體130可為1 mm x 1 mm。當然，其他尺寸的發光二極體也在本發明的範圍內。印刷電路板120上的發光二極體130的密度可有所變化。例如，在一個實施例中，可使用8.65個發光二極體/cm2的密度。在另一實施例中，可使用18.1個發光二極體/cm2的密度。在其他實施例中，可使用最多78個發光二極體/cm2的密度。因此，發光二極體130的密度不受本發明限制。
發光二極體130可安置成具有固定數目的行及列的規則陣列。在其他實施例中，發光二極體130可以不均勻的方式間隔開以使對基板的加熱最佳化。在某些實施例中，每一同心圓中的發光二極體的數目可與此特定圓的半徑相關，使得外側同心圓可比內側同心圓具有更多的發光二極體。圖5示出被排列成同心圓的發光二極體130的代表性圖案。在此實施例中，同心圓500被組織成帶510a、510b、510c、510d、510e，其中特定帶中的所有圓具有相同數目的發光二極體130。當然，也可具有其他構型。具體而言，在距圖案的中心最遠的最外側的帶510e中，每一同心圓500可具有約308個發光二極體。在最外側的帶510e中可存在約9個同心圓500。相比之下，在最靠近中心的最內側的帶510a中，同心圓500可各自具有僅44個發光二極體。在最內側的帶510a中可存在約3個同心圓500。位於最內側的帶510a與最外側的帶510e之間的帶510b、510c及510d中的同心圓500可分別具有77個、154個及231個發光二極體。在帶510b中可存在10個同心圓，在帶510c中可存在十二個同心圓500且在帶510d中可存在八個同心圓500。在最內側的帶510a內部，可存在被組織成行及列（例如5行及5列）的發光二極體的小矩形陣列520。當然，發光二極體的圖案可包括不同數目的帶，所述帶可具有任何數目的發光二極體。此外，每一帶中的同心圓500的數目可不同於上述數目。因此，發光二極體130的構型不受本發明限制。
參見圖1及圖2，發光二極體130通過印刷電路板120電性連接至電源（圖中未示出）。在某些實施例中，印刷電路板120可為金屬芯印刷電路板。金屬芯印刷電路板利用金屬基底層，所述金屬基底層可有助於將熱量傳導離開安置於印刷電路板120上的發光二極體130。在某些實施例中，印刷電路板120通過使用熱黏結劑（圖中未示出）而熱黏結至凹陷部117上的頂表面。在其他實施例中，印刷電路板120可例如通過螺釘或更多緊固構件（圖中未示出）而物理附連至基座110。緊固構件可確保印刷電路板120的下側與凹陷部117的頂表面之間進行物理接觸以確保熱傳導。
如圖1所示，窗口140可安置於側壁118的頂上。窗口140可包含石英、硼矽玻璃或對於由發光二極體130發射的波長透明的任何其他材料。窗口140的大小可被設計成延伸超過凹陷部117並倚靠在側壁118上。窗口140可具有幾毫米以上的厚度。
在某些實施例中，窗口140可使用機械緊固件（例如托架）而附接至側壁118的頂部。
在其中欲在真空條件下使用發光二極體基板加熱器100的實施例中，可使用囊封劑160來填充凹陷部117的體積。因此，在印刷電路板120安裝完之後，可呈液體形式的囊封劑160然後可將凹陷部117的其餘體積填充至達到側壁118的水平。這樣，便沒有空氣存留在凹陷部117中。在囊封劑160灌注或以其他方式引入至凹陷部117中之後，囊封劑160可被固化以形成固體材料。囊封劑160可被選擇成對於由發光二極體130發射的波長透明。術語「透明」旨在闡述其中由發光二極體130發射的光能的至少80%穿過囊封劑160的性質。此外，囊封劑160可被選擇成使得材料不在真空環境下釋放氣體。在某些實施例中，囊封劑160可為矽酮或矽酮油。在其他實施例中，可使用其他透光的環氧樹脂材料，例如聚胺基甲酸酯。如上所述，被密封的殼體可在內部與真空室之間存在差壓。通過使用囊封劑160自凹陷部117移除空氣，可消除此壓力差。囊封劑160還可用作窗口140的機械支撐件。在某些實施例中，囊封劑160可用於使窗口140保持就位，此使得不需要緊固件。
在其中不在真空條件下安置發光二極體基板加熱器的實施例中，既可採用也可不採用囊封劑160。例如，在處於或接近大氣壓力下操作的環境中，凹陷部117的內部與外部之間不存在壓力差。因此，在這些實施例中可不使用囊封劑160。
密封襯墊150可安置於窗口140與側壁118之間。在其中側壁118與基座110分開的實施例中，密封襯墊也可安置於側壁118與基座110之間。密封襯墊150還防止囊封劑160自凹陷部117向真空室釋放氣體。另外，密封襯墊150可防止其他材料自發光二極體130向真空室遷移。密封襯墊150可由Viton®
或任何合適的材料製成。這些材料可因其與真空條件相容而被選擇。
在某些實施例中，窗口140可在一個或兩個表面上塗有光學塗層141。此光學塗層141可用於將來自基板的波長（例如紅外輻射）朝基板向回反射。另外，如上所述，凹陷部117的頂表面可經拋光以也將光及其他輻射朝基板向回反射。窗口140上的光學塗層141及經拋光表面可用來使發光二極體130保持較冷、同時還有助於減少晶圓熱損失。
雖然圖1示出安置於凹陷部117中的印刷電路板120，但其他實施例也在本發明的範圍內。例如，圖3示出發光二極體基板加熱器200的第二實施例的立體圖。在這兩個實施例之間共用的元件已被賦予相同的參考標示符。
在此實施例中，印刷電路板被直接安置於凹陷部117的頂表面上的多個厚膜絕緣跡線及導電跡線取代。如前一實施例一樣，發光二極體基板加熱器200包括基座110，基座110可具有導管115。基座110具有被側壁118環繞的凹陷部117。如上所述，側壁118可與基座110成一整體，或者可為分開的組件。窗口140安置於側壁118上。密封襯墊150可安置於窗口140與側壁118之間。囊封劑160可安置於由側壁118形成的凹陷部117中。
圖4示出圖3所示實施例的凹陷部117的放大圖。直接安置於凹陷部117的上表面上的是多個絕緣跡線210。絕緣跡線210可覆蓋凹陷部117的整個上表面。在其他實施例（例如圖4所示實施例）中，絕緣跡線210安置成圖案，使得凹陷部117的上表面的部分保持暴露。安置在絕緣跡線210上是多個導電跡線220。導電跡線220用於將電流載送至發光二極體130。絕緣跡線210用於將導電跡線220與凹陷部117電性隔離。導電跡線220電性連接至電源（圖中未示出）並且電性連接至發光二極體130。
與前一實施例不同，絕緣跡線210被直接應用至凹陷部117。因此，不採用緊固件。此外，由於絕緣跡線210直接安置於基座110的凹陷部117的上表面上，故可大大改善導熱率。換言之，圖4所示實施例可更有效地將熱量自發光二極體130拉離並將此熱量散失至基座110。在某些實施例中，可使用厚膜材料系統，例如可自Heraeus Celcion®
購得的厚膜材料系統。
在這兩個實施例中，發光二極體130為安置於基座110的凹陷部117中的電性電路的一部分。在發光二極體130與電源之間建立電性連接。如上所述，在某些實施例中，電性電路製作於印刷電路板或金屬芯印刷電路板上。在其他實施例中，電性電路是使用厚膜製作而成。這些膜用於形成絕緣跡線及導電跡線。當然，電性電路也可以其他方式製作。
此外，在某些實施例中，可使用反射材料或反射面來使自發光二極體130至基板的光能傳遞最大化。此可使對基板的加熱最大化，同時還使發光二極體130保持於較低溫度。如上所述，在某些實施例中，光學塗層141可安置於窗口140上。此光學塗層141用來朝基板向回反射紅外輻射。在某些實施例中，凹陷部117的頂表面可經拋光以提高其反射率。在某些實施例中，反射材料可安置於電性電路的頂上，例如發光二極體130之間。在為印刷電路板120的情形中，反射材料可安置於印刷電路板的頂表面上。在為厚膜的情形中，反射材料可安置於這些厚膜的頂上。此反射材料（其可為焊接掩模）也將光朝基板向回反射。
圖6示出在室中採用的發光二極體基板加熱器300。發光二極體基板加熱器300可為本文所述實施例中的任一者。發光二極體基板加熱器300與流體源310流體連通。流體源310可為液體容器，所述液體容器具有泵以迫使液體穿過管道系統315並進入發光二極體基板加熱器300的基座110中的導管115。在其他實施例中，流體源310可為冷卻氣體源。另外，發光二極體基板加熱器300中的發光二極體電性連接至電源320。在某些實施例中，通往發光二極體的電力連接通過基座110中的小孔離開。
在操作中，本文所述發光二極體基板加熱器可安置於水平面上，使得基板10可安置於發光二極體基板加熱器300的窗口140上。在此實施例中，發光二極體基板加熱器300自下方加熱基板10。
在其他實施例（圖中未示出）中，發光二極體基板加熱器300可安置於升高的位置處且被定向成使得窗口140面朝下。在此實施例中，發光二極體基板加熱器300自上方加熱基板。在又一實施例中，兩個發光二極體基板加熱器300可被排列成使得基板10安置於第一發光二極體基板加熱器的窗口140上，而第二發光二極體基板加熱器被定向成向下朝基板10發射光。以此方式，可同時自上方及下方加熱基板10。
本申請中的上述實施例可具有許多優點。首先，如上所述，發光二極體基板加熱器可小於0.5英寸厚。由於發光二極體基板加熱器的緊湊大小，這些加熱器可安置於所述室內先前無法獲得的空間中。其次，發光二極體基板加熱器利用與常規加熱燈相比對於加熱基板而言更加高效的發光二極體。因此，相較於先前的加熱系統，對基板進行加溫所使用的電力更少。此外，發光二極體以特定波長提供所有能量，其中傳統的加熱系統在光譜方面更寬。此使得能夠選擇高效地耦合至被加熱基板的波長。此外，所有輸入能量均處於此目標波長。此也使得能夠在印刷電路板上方添加反射此目標波長的反射面（例如焊接掩模），以將光向回朝基板反射。再其次，發光二極體基板加熱器的設計允許加熱器用於自下方（當基板安置於窗口上時）或上方加熱基板。最後，發光二極體可靠得多，因為相較於傳統加熱燈不到一年的壽命，發光二極體具有大約五年的壽命。
本發明在範圍上不受本文所述具體實施例限制。實際上，根據上文說明及附圖，除本文所述之外的本發明的其他各種實施例及修改對於所屬領域的普通技術人員將顯而易見。因此，此類其他實施例及修改旨在落於本發明的範圍內。此外，儘管本文已出於特定目的而在特定環境中在特定實施方案的上下文中闡述了本發明，但所屬領域的普通技術人員將認識到其適用性並不僅限於此且本發明可有利地出於任意數目的目的而在任意數目的環境中實施。因此，下文所提出的權利要求應根據本文所述本發明的全部廣度及精神來解釋。
10‧‧‧基板
100‧‧‧發光二極體基板加熱器
110‧‧‧基座
115‧‧‧導管
117‧‧‧凹陷部
118‧‧‧側壁
120‧‧‧印刷電路板
130‧‧‧發光二極體陣列/發光二極體
140‧‧‧窗口
141‧‧‧光學塗層
150‧‧‧密封襯墊
160‧‧‧囊封劑
200‧‧‧發光二極體基板加熱器
210‧‧‧絕緣跡線
220‧‧‧導電跡線
300‧‧‧發光二極體基板加熱器
310‧‧‧流體源
315‧‧‧管道系統
320‧‧‧電源
500‧‧‧同心圓
510a‧‧‧帶
510b‧‧‧帶
510c‧‧‧帶
510d‧‧‧帶
510e‧‧‧帶
100‧‧‧發光二極體基板加熱器
110‧‧‧基座
115‧‧‧導管
117‧‧‧凹陷部
118‧‧‧側壁
120‧‧‧印刷電路板
130‧‧‧發光二極體陣列/發光二極體
140‧‧‧窗口
141‧‧‧光學塗層
150‧‧‧密封襯墊
160‧‧‧囊封劑
200‧‧‧發光二極體基板加熱器
210‧‧‧絕緣跡線
220‧‧‧導電跡線
300‧‧‧發光二極體基板加熱器
310‧‧‧流體源
315‧‧‧管道系統
320‧‧‧電源
500‧‧‧同心圓
510a‧‧‧帶
510b‧‧‧帶
510c‧‧‧帶
510d‧‧‧帶
510e‧‧‧帶
圖1是根據一個實施例的基板加熱系統的立體圖。 圖2是根據一個實施例的圖1所示基板加熱系統的側視圖。 圖3是根據另一實施例的基板加熱系統的立體圖。 圖4是圖3所示基板加熱系統的凹陷部的放大圖。 圖5示出可用於發光二極體的代表性圖案。 圖6示出在室中使用的發光二極體基板加熱器。
100‧‧‧發光二極體基板加熱器
110‧‧‧基座
115‧‧‧導管
117‧‧‧凹陷部
118‧‧‧側壁
120‧‧‧印刷電路板
130‧‧‧發光二極體陣列/發光二極體
140‧‧‧窗口
150‧‧‧密封襯墊
160‧‧‧囊封劑
Claims (15)
- 一種裝置，包括： 被密封的殼體，包含電性電路，所述電性電路包括多個發光二極體，其中所述被密封的殼體的頂表面包括對於由所述多個發光二極體發射的波長透明的窗口。
- 如申請專利範圍第1項所述的裝置，其特徵在於，所述被密封的殼體被填充囊封劑以移除空氣。
- 如申請專利範圍第1項所述的裝置，其特徵在於，所述多個發光二極體發射波長處於約0.4 mm與1.0 mm之間的光。
- 如申請專利範圍第1項所述的裝置，其特徵在於，所述多個發光二極體被排列成同心圓的圖案，其中距所述圖案的中心較遠地安置的同心圓比距所述圖案的所述中心較近地安置的同心圓具有更多的所述發光二極體。
- 如申請專利範圍第1項所述的裝置，其特徵在於，更包括位於所述窗口上的光學塗層，以朝基板反射紅外輻射。
- 一種發光二極體基板加熱器，包括： 基座，具有被側壁環繞的凹陷部； 電性電路，包括多個發光二極體，安置於所述凹陷部中；以及 窗口，安置於所述側壁的頂上並覆蓋所述凹陷部，從而形成用以在其中安置所述電性電路的被密封的殼體，其中所述窗口對於由所述多個發光二極體發射的波長透明。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，所述電性電路包括印刷電路板，且所述印刷電路板與所述凹陷部的上表面熱連通。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，所述印刷電路板包括金屬芯印刷電路板。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，所述電性電路包括絕緣跡線及導電跡線，其中所述絕緣跡線被直接應用至所述凹陷部的上表面，所述導電跡線被應用於所述絕緣跡線的頂上，且所述導電跡線與所述多個發光二極體電性連通。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，更包括填充所述凹陷部的其餘體積的囊封劑，其中所述囊封劑對於由所述多個發光二極體發射的波長透明。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，所述多個發光二極體被排列成同心圓的圖案，其中距所述圖案的中心較遠地安置的同心圓比距所述圖案的所述中心較近地安置的同心圓具有更多的所述發光二極體。
- 如申請專利範圍第11項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，所述圖案包括多個帶，其中安置於特定帶中的每一同心圓具有相同數目的所述發光二極體。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，更包括位於所述窗口上的光學塗層，以朝基板反射紅外輻射。
- 一種發光二極體基板加熱器，包括： 基座，具有被側壁環繞的凹陷部； 電性電路，包括被排列成同心圓的圖案的多個發光二極體，並安置於所述凹陷部中； 囊封劑，安置於所述凹陷部中；以及 窗口，安置於所述側壁的頂上，覆蓋所述凹陷部並接觸所述囊封劑，從而形成用以在其中安置所述電性電路的被密封的殼體，其中所述窗口及所述囊封劑對於由所述多個發光二極體發射的波長透明。
- 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體基板加熱器，其特徵在於，所述圖案包括多個帶，其中安置於特定帶中的所有同心圓具有相同數目的所述發光二極體。
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