TW201643588A - 電壓調節器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種即使存在電源電壓的變動亦會抑制輸出電壓的變動，且穩定地動作的電壓調節器。本發明的電壓調節器包括控制電路，所述控制電路包括連接於輸出電晶體的汲極的第一輸入端子、連接於電源端子的第二輸入端子、連接於第一輸入端子的過衝檢測電路、以及連接於第二輸入端子的電源電壓檢測電路，且當輸出電壓與電源電壓發生變動而大於規定的電壓時，使增壓電流流至誤差放大電路。

Description

電壓調節器
本發明是有關於一種即使電源發生變動亦可抑制輸出電壓的變動的電壓調節器（voltage regulator）。
對習知的電壓調節器進行說明。圖3是表示習知的電壓調節器的電路圖。 習知的電壓調節器包括P通道金屬氧化物半導體（P-channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS）電晶體106、PMOS電晶體107、PMOS電晶體108、PMOS電晶體301、PMOS電晶體302、PMOS電晶體303；N通道金屬氧化物半導體（N-channel Metal Oxide Semiconductor，NMOS）電晶體103、NMOS電晶體104、NMOS電晶體105、NMOS電晶體304、NMOS電晶體305、NMOS電晶體306、NMOS電晶體307、NMOS電晶體308；電阻109、電阻110、電阻309；電容310；接地端子100；電源端子101；以及輸出端子102。
由PMOS電晶體301、PMOS電晶體302、PMOS電晶體303與NMOS電晶體305、NMOS電晶體306、NMOS電晶體308以及電阻309構成偏壓（bias）電路。由NMOS電晶體304、NMOS電晶體307與電容310構成控制電路。由PMOS電晶體106、PMOS電晶體107與NMOS電晶體103、NMOS電晶體104、NMOS電晶體105構成誤差放大電路。由PMOS電晶體108與電阻109、電阻110構成輸出電路。
當電源接通時，電容310兩端的電壓變得大致相同，NMOS電晶體304的閘極電壓被提昇至電源電壓VDD，NMOS電晶體304導通（on），且PMOS電晶體303的閘極電壓降低至接地電壓為止。因此，PMOS電晶體303導通，且NMOS電晶體103的閘極電壓上昇。藉此，流經NMOS電晶體103的電流變大，而使誤差放大電路的動作速度暫時地高速化。如此一來，不會發生由誤差放大電路的動作速度緩慢而引起的過衝（overshoot）或下衝（undershoot），可防止對連接於輸出端子102的後段的電路的不良影響。
而且，當進行電容310的充電時，NMOS電晶體304的閘極電壓降低。當NMOS電晶體304的閘極電壓降低至臨限值Vth以下時，將關斷（off）。因此，控制電路整體停止動作。此時，電源電壓VDD為恆定狀態，且電壓調節器進行通常的動作。
此後，當電源電壓VDD發生驟變時，首先，當該電壓降低時，電容310的電荷放電，其次，當該電源電壓VDD上昇時，藉由與上述相同的動作而誤差放大電路的動作電流變大，因此與上述同樣地不會發生過衝或下衝（例如參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-22455號公報 [發明所欲解決之課題]
然而，習知的電壓調節器於電源電壓VDD小幅變動的情況下，PMOS電晶體303的閘極電壓亦會擺動。由此，誤差放大電路的尾電流頻繁地變化，且誤差放大電路的動作點發生變化，因此存在電壓調節器的動作變得不穩定的課題。另外，於電源電壓VDD大幅變動的情況下，無法阻止PMOS電晶體303的電流增大而使誤差放大電路的尾電流過剩地增大，從而存在電壓調節器的動作變得不穩定的課題。
本發明是鑒於所述問題而成，提供一種即使存在電源電壓的變動亦會抑制輸出電壓的變動、且穩定地動作的電壓調節器。 [解決課題之手段]
為了解決習知的課題，本發明的電壓調節器設為以下構成。 包括控制電路，所述控制電路包括連接於輸出電晶體的汲極的第一輸入端子、連接於電源端子的第二輸入端子、連接於第一輸入端子的過衝檢測電路、以及連接於第二輸入端子的電源電壓檢測電路，且當輸出電壓與電源電壓發生變動而大於規定的電壓時，使增壓（boost）電流流至誤差放大電路。 [發明的效果]
本發明的即使電源變動亦可抑制輸出電壓的變動的電壓調節器可藉由使誤差放大電路的電流增加來抑制輸出電壓的變動。另外，對於因電源電壓等的小的變動而產生的輸出電壓的小的變動不會作出反應，且於因電源電壓等的大的變動而產生的輸出電壓的大的變動中，可防止過剩的電流流至誤差放大電路而使電壓調節器的動作不穩定。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。 ＜第一實施形態＞ 圖1是第一實施形態的電壓調節器的電路圖。
第一實施形態的電壓調節器包括PMOS電晶體106、PMOS電晶體107、PMOS電晶體108；NMOS電晶體103、NMOS電晶體104、NMOS電晶體105、NMOS電晶體112、NMOS電晶體113、NMOS電晶體121、NMOS電晶體122、NMOS電晶體123、NMOS電晶體132、NMOS電晶體133；電阻109、電阻110；電容126、電容136；基準電壓電路111；定電流電路114、定電流電路115、定電流電路127、定電流電路124、定電流電路137、定電流電路134；接地端子100；電源端子101；以及輸出端子102。
由PMOS電晶體106、PMOS電晶體107與NMOS電晶體103、NMOS電晶體104、NMOS電晶體105構成誤差放大電路。由定電流電路124、定電流電路127、定電流電路137、定電流電路134與電容126、電容136以及NMOS電晶體123、NMOS電晶體122、NMOS電晶體133、NMOS電晶體132、NMOS電晶體121構成控制電路。由電容126與定電流電路124、定電流電路127構成對輸出電壓Vout的過衝進行檢測的過衝檢測電路。由電容136與定電流電路134、定電流電路137構成對電源電壓VDD的上昇進行檢測的電源電壓檢測電路。
繼而，對第一實施形態的電壓調節器的連接進行說明。定電流電路114的其中一個端子連接於電源端子101，另一端子連接於NMOS電晶體113的閘極及汲極。NMOS電晶體113的源極連接於接地端子100。定電流電路115的其中一個端子連接於電源端子101，另一端子連接於NMOS電晶體112的閘極及汲極。NMOS電晶體112的源極連接於接地端子100。NMOS電晶體103的閘極連接於NMOS電晶體113的閘極及汲極，汲極連接於NMOS電晶體104的源極，源極連接於接地端子100。NMOS電晶體121的閘極連接於NMOS電晶體112的閘極及汲極，汲極連接於NMOS電晶體104的源極，源極連接於NMOS電晶體132的汲極。NMOS電晶體132的閘極連接於NMOS電晶體133的閘極及汲極，源極連接於NMOS電晶體122的汲極。NMOS電晶體122的閘極連接於NMOS電晶體123的閘極及汲極，源極連接於接地端子100。NMOS電晶體123的汲極連接於定電流電路124的其中一個端子，源極連接於接地端子100。定電流電路124的另一端子連接於接地端子100。NMOS電晶體133的汲極連接於定電流電路134的其中一個端子，源極連接於接地端子100。定電流電路134的另一端子連接於接地端子100。基準電壓電路111的正極連接於NMOS電晶體104的閘極，負極連接於接地端子100。PMOS電晶體106的閘極連接於PMOS電晶體107的閘極及汲極，汲極連接於NMOS電晶體104的汲極，源極連接於電源端子101。PMOS電晶體107的源極連接於電源端子101，汲極連接於NMOS電晶體105的汲極。NMOS電晶體105的源極連接於NMOS電晶體104的源極，閘極連接於電阻109與電阻110的連接點。電阻110的另一端子連接於輸出端子102，電阻109的另一端子連接於接地端子100。PMOS電晶體108的閘極連接於NMOS電晶體104的汲極，汲極連接於輸出端子102，源極連接於電源端子101。定電流電路127的其中一個端子連接於電源端子101，另一端子連接於NMOS電晶體123的汲極及閘極。電容126連接於輸出端子102與NMOS電晶體123的汲極及閘極之間。電流電路137的其中一個端子連接於電源端子101，另一端子連接於NMOS電晶體133的汲極及閘極。電容136連接於電源端子101與NMOS電晶體133的汲極及閘極之間。
繼而，對第一實施形態的電壓調節器的動作進行說明。當對電源端子101輸入電源電壓VDD時，電壓調節器自輸出端子102輸出輸出電壓Vout。電阻109與電阻110對輸出電壓Vout進行分壓，並輸出分壓電壓Vfb。誤差放大電路將基準電壓電路111的基準電壓Vref與分壓電壓Vfb進行比較，並對PMOS電晶體108（輸出電晶體）的閘極電壓進行控制，以使輸出電壓Vout固定。將流至定電流電路114、定電流電路115、定電流電路127、定電流電路124、定電流電路137、定電流電路134的電流分別設為I1、I2、I3、I4、I3'、I4'。於恆定狀態下，以I3＜I4、I3'＜I4'的關係設定電流值，因此，NMOS電晶體122、NMOS電晶體132中，閘極電壓被箝制為接地電壓而未流動電流。
若輸出電壓Vout高於規定電壓，則分壓電壓Vfb變得高於基準電壓Vref。因此，誤差放大電路的輸出信號變高，PMOS電晶體108關斷，因此輸出電壓Vout變低。另外，若輸出電壓Vout低於規定電壓，則進行與上述相反的動作，從而輸出電壓Vout變高。如此，電壓調節器以使輸出電壓Vout固定的方式進行動作。
此處，考慮電源電壓VDD發生變動的情況。將NMOS電晶體123的閘極設為節點N1。將自電容126與定電流電路127的連接點流至NMOS電晶體123的汲極與定電流電路124的連接點的電流設為I5。將流至NMOS電晶體122的電流設為I6。將NMOS電晶體133的閘極設為節點N1'。將自電容136與定電流電路137的連接點流至NMOS電晶體133的汲極與定電流電路134的連接點的電流設為I5'。將流至NMOS電晶體132的電流設為I6'，將流至NMOS電晶體121的電流設為I7。
若電源電壓VDD大幅上昇，則於輸出電壓Vout中發生過衝。而且，電流IC1自輸出端子102（輸出電壓Vout）經由電容126而流動。電流I5具有I5= I3+ IC1的關係，若電流IC1增加而使得I5＞I4，則節點N1的電壓上昇且使增壓電流I6流至NMOS電晶體122。另外，電流IC1'自電源端子101（電源電壓VDD）經由電容136而流動。電流I5'具有I5'= I3'+ IC1'的關係，若電流IC1'增加而使得I5'＞I4'，則節點N1'的電壓上昇且使增壓電流I6'流至NMOS電晶體132。此處，誤差放大電路中藉由I6與I6'而流動有較小的電流。如此一來，誤差放大電路的電流增加而暫態響應性提高，輸出電壓Vout中產生的過衝得以抑制。
於成為IC1＞I4-I3之前不流動增壓電流I6，且於成為IC1'＞I4'-I3'之前不流動增壓電流I6'，因此，對於因電源電壓VDD的小的變動而產生的輸出電壓Vout的小的變動不會作出反應，可使電壓調節器穩定動作。另外，對於電源電壓VDD未變動而僅輸出電壓Vout發生的變動不會作出反應，可使電壓調節器穩定動作。另外，增壓電流I6與增壓電流I6'的最大值藉由電流I7受到限制。因此，即使輸出電壓Vout大幅變動，亦不會流動大於電流I7的增壓電流I6與增壓電流I6'，即，不會過度增加誤差放大電路的尾電流，因此電壓調節器可穩定地動作。
再者，即使去除NMOS電晶體123、NMOS電晶體133，亦可同樣地使增壓電流I6、增壓電流I6'流動。另外，若去除NMOS電晶體122、NMOS電晶體123與定電流電路127、定電流電路124以及電容126（將NMOS電晶體132的源極連接於接地端子100），則形成為當電源電壓VDD發生變動時使增壓電流I6'流動的構成。
如以上所說明般，第一實施形態的電壓調節器可藉由使誤差放大電路的電流增加來抑制輸出電壓Vout的過衝。另外，對於因電源電壓等的小的變動而產生的輸出電壓Vout的小的變動不會作出反應，且於因電源電壓等的大的變動而產生的輸出電壓Vout的大的變動中，不會使過剩的尾電流流至誤差放大電路，可使電壓調節器穩定地動作。
＜第二實施形態＞ 圖2是第二實施形態的電壓調節器的電路圖。 第二實施形態的電壓調節器包括PMOS電晶體205、PMOS電晶體206、PMOS電晶體207、PMOS電晶體210、PMOS電晶體212、PMOS電晶體213、PMOS電晶體214、PMOS電晶體215、PMOS電晶體219、PMOS電晶體220、PMOS電晶體235、PMOS電晶體236、PMOS電晶體251；NMOS電晶體203、NMOS電晶體204、NMOS電晶體211、NMOS電晶體216、NMOS電晶體218、NMOS電晶體250；電阻208、電阻209；電容226、電容246；基準電壓電路225；定電流電路221、定電流電路222、定電流電路223、定電流電路224、定電流電路243、定電流電路244；接地端子100；電源端子101；以及輸出端子102。由PMOS電晶體205、PMOS電晶體206、PMOS電晶體212、PMOS電晶體213 、PMOS電晶體214與NMOS電晶體203、NMOS電晶體204、NMOS電晶體211、NMOS電晶體218構成誤差放大電路。由定電流電路224、定電流電路223、定電流電路244、定電流電路243與電容226、電容246以及PMOS電晶體210、PMOS電晶體215、PMOS電晶體235、PMOS電晶體236、PMOS電晶體251以及NMOS電晶體216、NMOS電晶體250構成控制電路。由電容226與定電流電路223、定電流電路224構成對輸出電壓Vout的過衝進行檢測的過衝檢測電路。由電容246與定電流電路243、定電流電路244構成對電源電壓VDD的上昇進行檢測的電源電壓檢測電路。
繼而，對第二實施形態的電壓調節器的連接進行說明。定電流電路221的其中一個端子連接於PMOS電晶體219的閘極與汲極，另一端子連接於接地端子100。PMOS電晶體219的源極連接於電源端子101，閘極連接於PMOS電晶體214的閘極。PMOS電晶體214的源極連接於電源端子101，汲極連接於PMOS電晶體205的源極。定電流電路222的其中一個端子連接於PMOS電晶體220的閘極與汲極，另一端子連接於接地端子100。PMOS電晶體220的源極連接於電源端子101，閘極連接於PMOS電晶體210的閘極。PMOS電晶體210的源極連接於PMOS電晶體235的汲極，汲極連接於PMOS電晶體205的源極。PMOS電晶體235的閘極連接於PMOS電晶體236的閘極及汲極，源極連接於PMOS電晶體215的汲極。PMOS電晶體215的閘極連接於PMOS電晶體251的閘極及汲極，源極連接於電源端子101。PMOS電晶體251的源極連接於電源端子101。NMOS電晶體250的汲極連接於PMOS電晶體251的閘極及汲極，源極連接於接地端子100。基準電壓電路225的正極連接於PMOS電晶體205的閘極，負極連接於接地端子100。NMOS電晶體203的閘極及汲極連接於PMOS電晶體205的汲極，源極連接於接地端子100。NMOS電晶體211的閘極連接於NMOS電晶體203的閘極及汲極，汲極連接於PMOS電晶體212的閘極及汲極，源極連接於接地端子100。PMOS電晶體212的閘極連接於PMOS電晶體213的閘極，源極連接於電源端子101。PMOS電晶體213的汲極連接於NMOS電晶體218的汲極，源極連接於電源端子101。NMOS電晶體218的閘極連接於NMOS電晶體204的閘極及汲極，源極連接於接地端子100。PMOS電晶體206的汲極連接於NMOS電晶體204的閘極及汲極，閘極連接於電阻208與電阻209的連接點，源極連接於PMOS電晶體205的源極。電阻209的另一端子連接於輸出端子102。電阻208的另一端子連接於接地端子100。NMOS電晶體204的源極連接於接地端子100。PMOS電晶體207的閘極連接於PMOS電晶體213的汲極，汲極連接於輸出端子102，源極連接於電源端子101。定電流電路224的其中一個端子連接於接地端子100，另一端子連接於NMOS電晶體216的閘極及汲極。NMOS電晶體216的閘極連接於NMOS電晶體250的閘極，源極連接於接地端子100。定電流電路223的其中一個端子連接於NMOS電晶體216的閘極及汲極，另一端子連接於電源端子101。電容226的其中一個端子連接於輸出端子102，另一端子連接於定電流電路223與定電流電路224的連接點。定電流電路244的其中一個端子連接於電源端子101，另一端子連接於PMOS電晶體236的閘極及汲極。PMOS電晶體236的源極連接於電源端子101。定電流電路243的其中一個端子連接於PMOS電晶體236的閘極及汲極，另一端子連接於接地端子100。電容246的其中一個端子連接於接地端子100，另一端子連接於定電流電路243與定電流電路244的連接點。
繼而，對第二實施形態的電壓調節器的動作進行說明。當對電源端子101輸入電源電壓VDD時，電壓調節器自輸出端子102輸出輸出電壓Vout。電阻208與電阻209對輸出電壓Vout進行分壓，並輸出分壓電壓Vfb。誤差放大電路將基準電壓電路225的基準電壓Vref與分壓電壓Vfb進行比較，並對作為輸出電晶體而動作的PMOS電晶體207的閘極電壓進行控制，以使輸出電壓Vout固定。當將流至定電流電路221、定電流電路222、定電流電路223、定電流電路224、定電流電路243、定電流電路244的電流分別設為I1、I2、I3、I4、I3'、I4'時，於恆定狀態下，以I3＜I4、I3'＜I4'的關係設定電流值。因此，PMOS電晶體215、PMOS電晶體235的閘極電壓被箝制為電源電壓VDD，於PMOS電晶體215、PMOS電晶體235中未流動電流。
若輸出電壓Vout高於規定電壓，則分壓電壓Vfb變得高於基準電壓Vref。因此，誤差放大電路的輸出信號變高，PMOS電晶體207關斷，因此輸出電壓Vout變低。另外，若輸出電壓Vout低於規定電壓，則進行與上述相反的動作，從而輸出電壓Vout變高。如此，電壓調節器以使輸出電壓Vout固定的方式進行動作。
此處，考慮電源電壓VDD發生變動的情況。將NMOS電晶體216的閘極設為節點N1。將PMOS電晶體251的閘極設為節點N2。將自電容226與定電流電路223的連接點流至NMOS電晶體216的汲極與定電流電路224的連接點的電流設為I5。將流至PMOS電晶體215的電流設為I6。將PMOS電晶體236的閘極設為節點N2'。將自PMOS電晶體236的汲極與定電流電路244的連接點流至電容246與定電流電路243的連接點的電流設為I5'。將流至PMOS電晶體235的電流設為I6'，將流至PMOS電晶體210的電流設為I7。
若電源電壓VDD大幅上昇，則於輸出電壓Vout中發生過衝。而且，電流IC1自輸出電壓Vout經由電容226而流動。電流I5具有I5= I3+ IC1的關係，若電流IC1增加而成為I5＞I4，則節點N1的電壓上昇且NMOS電晶體250導通，因此節點N2的電壓變低，使增壓電流I6流至PMOS電晶體215。另外，若電源電壓VDD大幅上昇，則使電流IC1'流至電容246。電流I5'具有I5'= I3'+ IC1'的關係，若電流IC1'增加而成為I5'＞I4'，則節點N2'的電壓下降且使增壓電流I6'流至NMOS電晶體235。此處，誤差放大電路中藉由I6與I6'而流動有較小的電流。如此一來，誤差放大電路的電流增加而暫態響應性提高，輸出電壓Vout中產生的過衝得以抑制。
於成為IC1＞I4-I3之前不流動增壓電流I6，且於成為IC1'＞I4'-I3'之前不流動增壓電流I6'，因此，對於因電源電壓VDD的小的變動而產生的輸出電壓Vout的小的變動不會作出反應，可使電壓調節器穩定動作。另外，對於電源電壓VDD未變動而僅輸出電壓Vout發生的變動不會作出反應，可使電壓調節器穩定動作。另外，增壓電流I6與增壓電流I6'的最大值藉由電流I7受到限制。因此，即使輸出電壓Vout大幅變動，亦不會流動大於電流I7的增壓電流I6與增壓電流I6'，即，不會過度增加誤差放大電路的尾電流，因此電壓調節器可穩定地動作。
再者，即使去除NMOS電晶體216、NMOS電晶體236，亦可同樣地使增壓電流I6、增壓電流I6'流動。另外，若去除NMOS電晶體216、NMOS電晶體250與PMOS電晶體251、PMOS電晶體215、定電流電路223、定電流電路224以及電容226，則形成為當電源電壓VDD發生變動時使增壓電流I6'流動的構成。
如以上所說明般，第二實施形態的電壓調節器可藉由使誤差放大電路的電流增加來抑制輸出電壓Vout的過衝。另外，對於因電源電壓等的小的變動而產生的輸出電壓Vout的小的變動不會作出反應，且於因電源電壓等的大的變動而產生的輸出電壓Vout的大的變動中，不會使過剩的尾電流流至誤差放大電路，可使電壓調節器穩定地動作。
再者，第二實施形態的電壓調節器設為藉由PMOS電晶體236與電容246以及定電流電路243、定電流電路244而於電源電壓VDD發生變動的情況下使增壓電流I6'流動的構成，但亦可與圖1同樣地，設為藉由NMOS電晶體133、電容136、定電流電路134、定電流電路137以及電流鏡電路而折返的構成。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
102‧‧‧輸出端子
103、104、105、112、113、121、122、123、132、133、203、204、211、216、218、250、304、305、306、307、308‧‧‧NMOS電晶體
106、107、108、205、206、207、210、212、213、214、215、219、220、235、236、251、301、302、303‧‧‧PMOS電晶體
109、110、208、209、309‧‧‧電阻
111、225‧‧‧基準電壓電路
114、115、124、127、134、137、221、222、223、224、243、244‧‧‧定電流電路
126、136、226、246、310‧‧‧電容
I1、I2、I3、I3'、I4、I4'、I5、I5'、I7、IC1、IC1'‧‧‧電流
I6'、I6‧‧‧增壓電流
N1、N1'、N2、N2'‧‧‧節點
圖1是表示第一實施形態的電壓調節器的構成的電路圖。 圖2是表示第二實施形態的電壓調節器的構成的電路圖。 圖3是表示習知的電壓調節器的構成的電路圖。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
102‧‧‧輸出端子
103、104、105、112、113、121、122、123、132、133‧‧‧NMOS電晶體
106、107、108‧‧‧PMOS電晶體
109、110‧‧‧電阻
111‧‧‧基準電壓電路
114、115、124、127、134、137‧‧‧定電流電路
126、136‧‧‧電容
I1、I2、I3、I3'、I4、I4'、I5、I5'、I7、IC1、IC1'‧‧‧電流
I6、I6'‧‧‧增壓電流
N1、N1'‧‧‧節點

Claims (5)

  1. 一種電壓調節器，使自電源端子輸入的電源電壓穩定化而加以輸出，所述電壓調節器的特徵在於包括： 誤差放大電路，將對輸出電晶體所輸出的輸出電壓進行分壓而得的分壓電壓與基準電壓的差加以放大而輸出，並控制所述輸出電晶體的閘極；以及 控制電路，包括連接於所述輸出電晶體的汲極的第一輸入端子、連接於所述電源端子的第二輸入端子、連接於所述第一輸入端子的過衝檢測電路、以及連接於所述第二輸入端子的電源電壓檢測電路，且當所述輸出電壓與所述電源電壓發生變動而大於規定的電壓時，使增壓電流流至所述誤差放大電路。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中所述過衝檢測電路包括： 第一定電流電路及第二定電流電路，串聯連接於所述電源端子與接地端子之間；以及 第一電容元件，一端連接於所述第一輸入端子，另一端連接於所述第一定電流電路與所述第二定電流電路的連接點， 所述電源電壓檢測電路包括： 第三定電流電路及第四定電流電路，串聯連接於所述電源端子與所述接地端子之間；以及 第二電容元件，與所述第四定電流電路並聯連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電壓調節器，其中 所述第一定電流電路的流動電流大於所述第二定電流電路的流動電流， 所述第三定電流電路的流動電流大於所述第四定電流電路的流動電流。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電壓調節器，其中所述控制電路包括： 第一電晶體，若所述第二定電流電路的流動電流與所述第一電容元件的流動電流的和大於所述第一定電流電路的流動電流，則使電流流動； 第二電晶體，若所述第四定電流電路的流動電流與所述第二電容元件的流動電流的和大於所述第三定電流電路的流動電流，則使電流流動； 第三電晶體，根據所述第一電晶體的流動電流而使所述增壓電流流至所述誤差放大電路；以及 第四電晶體，根據所述第二電晶體的流動電流而使所述增壓電流流至所述誤差放大電路， 所述第三電晶體與所述第四電晶體串聯連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電壓調節器，其中所述控制電路包括： 第五電晶體，將所述誤差放大電路的所述增壓電流限制於規定的電流以下。
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