TW201640157A - 複層膜，光學異方性積層體，圓偏光板，有機電激發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種複層膜、以及其製造方法及用途，其中該複層膜係具備：長條狀第一基材；及含有硬化液晶分子的光學異方性層，其係直接形成在前述第一基材上；前述第一基材之Nz係數為1.1~3.0，配向角偏差為1.0°以下，且具有藉由延伸所產生的配向規制力，而且前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為0°以上且小於90°。

Description

複層膜，光學異方性積層體，圓偏光板，有機電激發光顯示裝置及其製造方法
本發明係有關於一種具有光學異方性層之複層膜及光學異方性積層體。而且，本發明係有關於一種具有該光學異方性層之圓偏光板、有機電激發光顯示裝置及其製造方法。
相位差板係被廣泛地使用作為液晶顯示裝置及有機電激發光(以下，有稱為「有機EL」之情形)顯示裝置等顯示裝置的構成要素。使用在顯示裝置之相位差板，係在用以顯示的全部波長區域(通常為可見區域)，有被要求藉由均勻地顯現λ/4、λ/2等所需要的相位差，使得其效果顯現在用以顯示的全部波長區域之情形。
就具有所需要的寬度之長條狀薄膜而言，只要此種相位差板能夠在製造生產線連續地製造且從此種長條狀相位差板，切取適合顯示裝置的矩形顯示面之形狀的矩形相位差板時，就能夠有效率地製造。而且，只要能夠在長條狀相位差板的長度方向及對寬度方向為接近平行的方向，以相當於矩形相位差板的邊之方式進行切取時，就能夠更有效率地製造。
作為在顯示裝置之相位差板，係有同時被要求對所使用的偏光板之透射軸於15°、45°、或75°之預定角度具有 遲相軸之情形。例如，將直線偏光鏡與λ/4波長板組合而使其顯現對外部光線的抗反射功能時，相位差板係被要求對直線偏光鏡的透射軸於45°角度具有遲相軸。偏光板的偏光軸，多半的情況係對顯示裝置的矩形顯示面的縱橫任一邊為平行方向具有透射軸。又，將直線偏光鏡設作長條狀薄膜而製造時，使透射軸對長度方向為平行或垂直方向、特別是對長度方向為垂直方向者，係特別能夠容易地製造。因而，只要能夠製造長條狀相位差板，在對其寬度方向於15°、45°、或75°之預定角度具有遲相軸者，在製造顯示裝置用相位差板係非常有利的。
作為用以得到相位差板的方法之一，已知將能夠呈現液晶相之化合物，在呈現液晶相的狀態下，成形為固體薄膜之方法。作為此種方法的例子，可舉出將含有具有聚合性且能夠呈現液晶相的聚合性液晶化合物之組成物，塗佈在適當基材的表面而成為層，藉由使層內的聚合性液晶化合物配向且維持在配向後的狀態使其聚合，來形成具有光學異方性之薄膜之方法。使用此種方法時，能夠得到使相位差在面內均勻地顯現之相位差板，又，藉由適當地選擇聚合性液晶化合物，能夠得到使相同相位差在可見光波長區域產生之相位差板(例如專利文獻1)。
作為使能夠呈現此種液晶相的化合物配向之方法，通常係進行塗佈含有能夠對基材表面賦予配向規制力且在其上呈現液晶相的化合物之組成物，而且預先在適合配向的條件下進行。作為對基材表面賦予配向規制力之方法的例子，可舉出藉由摩擦之方法(例如專利文獻2~4)、及藉由光配向(例如專利文 獻5~6)之方法。又，亦已知藉由使用藉由延伸處理而賦予配向規制力之薄膜作為基材，來使液晶化合物配向在薄膜上之方法(例如專利文獻7~9)。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開平11-52131號公報
[專利文獻2]日本特開平8-160430號公報
[專利文獻3]日本特開2000-267105號公報
[專利文獻4]日本特開2002-6322號公報
[專利文獻5]日本特許第2980558號公報(對應外國公報：歐洲專利申請公開第0525478號說明書)
[專利文獻6]日本特開平11-153712號公報
[專利文獻7]日本特開平3-9325號公報(對應外國公報：美國專利第5132147號說明書)
[專利文獻8]日本特開平4-16919號公報
[專利文獻9]日本特開2003-207641號公報(對應外國公報：歐洲專利申請公開第1452892號說明書)
但是進行摩擦時，在該處理步驟中容易產生靜電，而有因產生此種靜電致使異物附著、或因產生配向缺陷可能致使製品的品質劣化之問題。又，對長條狀基材連續地進行傾斜方向的摩擦時，亦有嚴密地控制配向方向係非常困難之問 題點。另一方面，藉由光配向而賦予配向規制力，有高成本且處理速度較慢之問題點。又，藉由延伸處理而對薄膜賦予配向規制力時，提供充分的配向規制力係困難的。特別是對傾斜方向賦予配向規制力時，必須對傾斜方向進行延伸，此時，以均勻且較高的精確度施加充分的配向規制力係困難的，其結果，在得到的光學異方性層容易產生紋影缺陷等的缺陷。
因而，本發明之目的，係提供一種複層膜及光學異方性積層體、以及其製造方法，其中該複層膜及光學異方性積層體係能夠使用作為λ/2波長板、λ/4波長板等相位差板的材料，在面內均勻地顯現相位差且能夠有效率地製造，而且含有因產生異物引起缺陷及因配向規制力不足引起缺陷較少之光學異方性層。本發明之另外的目的，係提供一種圓偏光板及有機電激發光顯示裝置，其中該圓偏光板係能夠有效率地製造，而且因產生異物引起缺陷及因配向規制力不足引起缺陷較少。
為了解決前述課題，本發明者進行研討之結果，係構想使用對與其長度方向不同方向以特定樣態態賦予遲相軸而成者作為基材。而且，發現在此種基材上直接形成含有具有配向規則性的硬化液晶分子之光學異方性層時，能夠解決上述課題而完成了本發明。亦即，依照本發明，係提供以下事項。
[1]一種複層膜、以及其製造方法及用途，其中該複層膜係具備：長條狀第一基材；及含有硬化液晶分子的光學異方性層，其係直接形成在前述第一基材上； 前述第一基材之Nz係數為1.1~3.0，配向角偏差為1.0°以下，且具有藉由延伸所產生的配向規制力，而且前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為0°以上且小於90°。
[2]如[1]所述之複層膜，其中前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為40°~80°。
[3]如[2]所述之複層膜，其中前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為55°~80°。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之複層膜，其中前述第一基材係具有正的固有雙折射性之樹脂的薄膜。
[5]如[1]至[4]項中任一項所述之複層膜，其中前述第一基材係含有含脂環式結構的聚合物之樹脂的薄膜。
[6]如[1]至[5]項中任一項所述之複層膜，其中前述第一基材係藉由包含1次以上的傾斜延伸之延伸步驟延伸而成之延伸膜。
[7]如[1]至[6]項中任一項所述之複層膜，其中前述光學異方性層係具有逆波長分散性。
[8]如[1]至[7]項中任一項所述之複層膜，其中前述光學異方性層為λ/4波長板。
[9]如[1]至[7]項中任一項所述之複層膜，其中前述光學異方性層為λ/2波長板。
[10]如[1]至[9]項中任一項所述之複層膜，其中前述光學異方性層的厚度為5μm以下。
[11]一種光學異方性積層體，係將光學異方性層從如[1] 至[10]項中任一項所述之複層膜剝離， 將前述光學異方性層貼合在長條狀第二基材而成。
[12]一種圓偏光板，係採用捲繞式將光學異方性層與長條狀直線偏光鏡貼合而成之圓偏光板，前述光學異方性層係從如[1]至[10]項中任一項所述之複層膜剝離而成之層。
[13]一種有機電激發光顯示裝置，係具備如[12]所述之圓偏光板。
[14]一種製造方法，係如[1]至[10]項中任一項所述之複層膜之製造方法，包含以下步驟：步驟(I)，其係將條狀第一基材於長度方向抽出之步驟，前述第一基材之Nz係數為1.1~3.0、配向角偏差為1.0°以下，具有藉由延伸而產生的配向規制力，而且前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為0°以上且小於90°；步驟(II)，其係在經抽出之前述第一基材的表面上，直接塗佈含有聚合性液晶化合物之液晶組成物而得到液晶組成物層；步驟(III)，其係使前述液晶組成物層中的前述聚合性液晶化合物配向；及步驟(IV)，其係使前述聚合性液晶化合物聚合，形成硬化液晶分子。
[15]如[14]所述之複層膜的製造方法，其中前述液晶組成物的塗佈方向、與前述聚合性液晶化合物的配向方向為不同。
本發明的複層膜及光學異方性積層體，係能夠使 用作為λ/2波長板、λ/4波長板等相位差板的材料，在面內均勻地顯現相位差且能夠有效率地製造，而且能夠供給因產生異物引起缺陷及因配向規制力不足引起缺陷較少之光學異方性層。又，依照本發明的製造方法，能夠有效率地製造前述本發明的複層膜。
而且，藉由使用逆波長分散聚合性液晶化合物作為硬化液晶分子的材料形成具有逆波長分散特性之光學異方性層，能夠提供一種以高水準兼備下列之光學材料：藉由傾斜延伸之製造效率較高、遲相軸方向的設定自由度較高、在面內之特性較均勻、因異物引起的缺陷較少、以及藉由逆波長分散特性而得到有用性。
本發明的圓偏光板及有機電激發光顯示裝置係具有均勻的特性，係能夠作為能夠有效率地製造，而且因產生異物引起的缺陷及因配向規制力不足引起的缺陷較少之圓偏光板及有機電激發光顯示裝置。
10‧‧‧貼合物
11‧‧‧捲物
21‧‧‧複層膜
30‧‧‧直線偏光鏡
120‧‧‧貼合裝置
121‧‧‧夾輥
122‧‧‧夾輥
130‧‧‧捲軸
第1圖係顯示採用捲繞式之貼合的例子之概略圖。
第2圖係在實施例13之測定經入射圓偏光板的評價用積層體的偏光鏡側的面後之光線的反射率，且顯示從所測得的反射率計算反射亮度的結果之圖表。
用以實施發明之形態
以下，舉出例示物及實施形態而詳細地說明本發 明，但是本發明係不被以下所舉出的例示物及實施形態限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，亦可任意地變更而實施。
在本發明，「偏光板」、「λ/2波長板」、「λ/4波長板」及「相位差板」之具有板狀的形狀之構件，係不限定於剛直的構件，亦可設作薄膜狀之具有可撓性者。
在本發明，某層的面內遲滯值Re及厚度方向的遲滯值Rth，係依照式Re=(nx-ny)×d及Rth=[{(nx+ny)/2}-nz]×d而算出。nx係該層的面內的遲相軸方向之折射率(面內的最大折射率)，ny係對該層之面內與遲相軸垂直之方向之折射率，nz係該層的厚度方向之折射率，d係該層的厚度(nm)。而且，Nz係數係只要未預先告知，就表示Nz=(nx-nz)/(nx-ny)=Rth/Re+0.5之值。測定波長係只要未預先告知，就設為590nm。
[1.複層膜]
本發明的複層膜，係具備：長條狀第一基材；及含有硬化液晶分子的光學異方性層，其係直接形成在前述第一基材上。
在本發明，所謂「硬化液晶分子」，係意味著使能夠呈現液晶相之化合物，在呈現液晶相的狀態下成為固體時之該化合物的分子。作為硬化液晶分子的例子，可舉出使聚合性液晶化合物聚合而成之聚合物。在以下的說明，係只要未特別預先告知，就將該特定之含有硬化液晶分子的光學異方性層簡稱為「光學異方性層」。
[1.1.第一基材]
在本發明所使用之第一基材係長條狀基材。在本發明，所 謂「長條狀」，係指相對於寬度具有至少5倍以上的長度之形狀為佳，較佳是具有10倍或是其以上的長度，具體而言，係指具有能夠捲取成為捲物狀而能夠保管或搬運程度的長度之薄膜形狀。相對於薄膜的寬度之長度的比例之上限，係沒有特別限定，例如能夠設為100,000倍以下。
在本發明所使用之第一基材，係在與其長度方向為不同方向具有遲相軸。亦即，第一基材的遲相軸與第一基材的寬度方向之構成角度為0°以上且小於90°。在本發明，所謂第一基材及光學異方性層的遲相軸方向，只要未預先告知，係指面內方向的遲相軸方向。
又，在本發明，表現基材及光學異方性層的遲相軸方向之角度，只要未特別預先告知時，係將基材的寬度方向設作基準，以表示其角度。又，有將基材或光學異方性層的遲相軸方向、與基材或光學異方性層的寬度方向所構成之角度簡稱為「配向角」之情形。
第一基材的遲相軸與第一基材的寬度方向所構成之角度，具體而言，係能夠設為0°~80°。藉由具有此種範圍的角度之遲相軸，能夠使本發明的複層膜，成為能夠有效率地製造圓偏光板等的材料。
又，在某態樣，第一基材的遲相軸與第一基材的寬度方向所構之角度，係以40°~80°為佳，以55°~80°為特佳。藉由設為此種角度，能夠使本發明的複層膜，作為能夠有效率地製造特定圓偏光板等的材料。具體而言，係能夠有效率地製造具有直線偏光鏡、及一片相位差板之圓偏光板。本發明的複層膜係藉 由使第一基材成為具有預定Nz係數者，在具有此種角度時，亦能夠使由傾斜延伸而顯現良好的配向規制力，其結果，能夠成為具有較少缺陷的光學異方性層之複層膜。
又，在另外的某態樣，藉由將第一基材的遲相軸與第一基材的寬度方向所構成之角度，設為較佳為15°±5°、22.5±5°、45°±5°、75°±5°、更佳為15°±4°、22.5°±4°、45°±4°、75°±4°、又更佳為15°±3°、22.5°±3°、45°±3°、75°±3°之特定範圍，能夠使本發明的複層膜成為能夠有效率地製造特定圓偏光板之材料。
第一基材的材料係沒有特別限定，能夠使用可藉由賦予雙折射性來對其表面賦予配向規制力之各種樹脂。作為樹脂的例子，可舉出含有各種聚合物之樹脂。作為該聚合物，可舉出含脂環式結構的聚合物、纖維素酯、聚乙烯醇、聚醯亞胺、UV透射丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚碸(polysulfone)、聚醚碸(polyethersulfone)、環氧聚合物、聚苯乙烯、及該等組合。該等之中，從透明性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，係以含脂環式結構的聚合物及纖維素酯為佳，以含脂環式結構的聚合物為較佳。
第一基材係以具有正的固有雙折射性之樹脂的薄膜為佳。將具有正的固有雙折射性之樹脂使用作為材料時，能夠容易地得到具備配向規制力較高、強度較高、成本較低等良好的特性之第一基材。
含脂環式結構的聚合物，係能夠使用在重複單元中具有脂環式結構之非晶性聚合物，在主鏈中具有脂環式結構 之聚合物、及在側鏈含有脂環式結構之聚合物之任一種。
作為脂環式結構，例如可舉出環烷結構、環烯結構等，從熱安定性等的觀點而言，係以環烷結構為佳。
構成1個脂環式結構的重複單元之碳數係沒有特別限制，通常為4~30個，以5~20個為佳，較佳為6~15個。
含脂環式結構的聚合物中之具有脂環式結構之重複單元的比例，係能夠按照使用目的而適當地選擇，通常為50重量%以上，以70重量%以上為佳，較佳為90重量%以上。
具有脂環式結構之重複單元太少時，薄膜的耐熱性有低落之可能性。
含脂環式結構的聚合物，係具體而言可舉出(1)降莰烯(norbornene)聚合物、(2)單環的環狀烯烴聚合物、(3)環狀共軛二烯聚合物、(4)乙烯基脂環式烴聚合物、及該等氫化物等。
該等之中，從透明性和成形性的觀點而言，係以降莰烯聚合物及該等氫化物為較佳。
作為降莰烯聚合物，例如可舉出降莰烯單體的開環聚合物、降莰烯單體與能夠開環共聚合的其它單體之開環共聚物、及該等的氫化物；降莰烯單體的加成聚合物、降莰烯單體與能夠共聚合的其它單體之加成共聚物等。該等之中，從透明性的觀點而言，係以降莰烯單體的開環聚合物氫化物為最佳。
上述含脂環式結構的聚合物，例如能夠選自在特開2002-321302號公報等所揭示之習知的聚合物。
含脂環式結構的聚合物之玻璃轉移溫度，係以80 ℃以上為佳，較佳為100~250℃的範圍。
玻璃轉移溫度在此種範圍之含脂環式結構的聚合物，係在高溫下使用不會產生變形和應力，而具有優異的耐久性。
含脂環式結構的聚合物之分子量，係藉由使用環己烷(樹脂不溶解時為甲苯)作為溶劑之凝膠滲透層析法(以下，簡稱為「GPC」)所測得之聚異戊二烯換算(溶劑為甲苯時，係聚苯乙烯換算)的重量平均分子量(Mw)，通常為10,000~100,000，以25,000~80,000為佳，較佳為25,000~50,000。
重量平均分子量在此種範圍時，薄膜的機械強度及成形加工性能夠高度地平衡，乃是較佳。
含脂環式結構的聚合物之分子量分布(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))係有特別限制，通常為1~10，以1~4為佳，較佳為1.2~3.5的範圍。
含有含脂環式結構的聚合物之樹脂，其分子量2,000以下的樹脂成分(亦即寡聚物(oligomer)成分)的含量，係以5重量%以下為佳，較佳為3重量%以下，更佳為2重量%以下。
寡聚物成分之量在前述範圍內時，在表面產生微細的凸部減少，厚度不均變小且面精確度提升。
為了減低寡聚物成分之量，將聚合觸媒和氫化觸媒的選擇、聚合、氫化等的反應條件、在將樹脂作為成形用材料而進行丸粒化之步驟之溫度條件等最佳化即可。
寡聚物的成分量，係能夠藉由前述的GPC而測定。
使用含脂環式結構的聚合物之樹脂作為第一基材 的材質時，第一基材的厚度係沒有特別限制，從容易提升生產性、薄型化及輕量化的觀點而言，其厚度係通常1~1000μm，以5~300μm為佳，較佳為30~100μm。
含有含脂環式結構的聚合物之樹脂，亦可只由含脂環式結構的聚合物所構成，但是只要不顯著地損害本發明的效果，亦可含有任意的調配劑。含有含脂環式結構的聚合物之樹脂中之含脂環式結構的聚合物的比例，係以70重量%以上為佳，較佳為80重量%以上。
作為含有含脂環式結構的聚合物之樹脂的較佳具體例，能夠舉出日本ZEON公司製「ZEONOR 1420、ZEONOR 1420R」。
作為纖維素酯，化表性有纖維素的低級脂肪酸酯(例如：乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素及乙酸丙酸纖維素酯)。低級脂肪酸係意味著每1分子的碳原子數係6以下的脂肪酸。乙酸酯纖維素係包含三乙酸纖維素(TAC)和二乙酸纖維素(DAC)。
乙酸酯纖維素的酯化度，係以50~70%為佳，以55~65%為特佳。重量平均分子量係以70000~120000為佳，以80000~100000為特佳。又，上述乙酸酯纖維素係不僅是乙酸，只要滿足上述酯化度，亦可以是一部分被丙酸、酪酸等的脂肪酸酯化。又，構成第一基材之樹脂，亦可將乙酸纖維素與乙酸酯纖維素以外的纖維素酯(丙酸纖維素及丁酸纖維素等)組合而含有。此時，係以該等纖維素酯的全體滿足上述酯化度為佳。
使用三乙酸纖維素的薄膜作為第一基材時，作為此種薄膜，從環境保護的觀點而言，係以三乙酸纖維素薄膜為 特佳，該三乙酸纖維素薄膜，係能夠使用將三乙酸纖維素藉由低溫溶解法或高溫溶解法而溶解在實質上不含有二氯甲烷的溶劑所調製成的三乙酸纖維素膠漿來製造成。三乙酸纖維素的薄膜係能夠使用共流延法來製造。共流延法係能夠藉由將三乙酸纖維素的原料碎片溶解在溶劑，在此按照必要添加任意的添加劑來調製溶液(膠漿)，將該膠漿從膠漿供給手段(塑模)流延至支撐體上，將流延物進行某種程度乾燥而在被賦予剛性的時點，從支撐體剝離作為薄膜，藉由將該薄膜進一步乾燥而除去溶劑來進行。作為將原料碎片溶解之溶劑的例子，可舉出鹵化烴類(二氯甲烷等)、醇類(甲醇、乙醇、丁醇等)、酯類(甲酸甲酯、乙酸甲酯等)、醚類(二噁烷(dioxane)、二氧戊烷(dioxolane)、二乙醚等)等。作為添加在膠漿之添加劑的例子，可舉出遲滯值上升劑、可塑劑、紫外線吸收劑、劣化防止劑、滑劑、剝離促進劑等。作為使膠漿流延之支撐體的例子，可舉出水平式的環狀金屬帶及旋轉滾筒。在流延時，能夠將單獨的膠漿進行單層流延，亦能夠將複數層進行共流延。將複數層進行共流處時，係例如能夠以形成低濃度的纖維素酯膠漿層、及接觸其表面及背面而設置之高濃度的纖維素酯膠漿層之方式將複數種膠漿依次流延。作為將薄膜乾燥而除去溶劑之手段的例子，可舉出將薄膜進行搬運且使其通過已將內部設定為適合乾燥的條件之乾燥部之手段。
作為三乙酸纖維素的薄膜之較佳例，可舉出TAC-TD80U(富士照相FILM(股)製)等習知者及在日本發明協會公開技報公技號碼2001-1745號所公開者。三乙酸纖維素薄 膜的厚度係沒有特別限定，以20~150μm為佳，以40~130μm為較佳，以70~120μm為更佳。
第一基材係具有藉由延伸而產生之配向規制力，而且具有0°以上且小於90°的配向角。而且第一基材之Nz係數為特定範圍且配向角偏差為特定範圍。
第一基材的Nz係數為1.1以上，以1.2以上為佳，較佳為1.6以上，另一方面，為3.0以下，以2.9以下為佳，較佳為2.3以下。因為通常薄膜的Nz係數係在面內並非定值，所以通常係藉由平均Nz係數來進行評價其薄膜的Nz係數。薄膜的平均Nz係數，係能夠藉由於薄膜的寬度方向以50mm間隔在複數個地點進行測定Nz係數，且計算在該等地點的Nz係數之平均值來求取。又，從Nz係數的各測定值之最大值減去最小值而得到的值(Nz係數的偏差)為0.10以下，以0.09以下為佳，較佳為0.08以下。
第一基材的配向角偏差為1.0°以下，較佳為0.8°以下。配向角偏差的下限係沒有特別限定，理想上為0°。第一基材的配向角偏差，係表示在第一基材的任意地點之寬度方向與遲相軸所構成之角度之中，其最大值與最小值之差值。
Nz係數係能夠與Re等其它的光學特性，同時使用相位差計(例如商品名「AxoScan」、Axometrics公司製)而測定。又，配向角偏差係例如能夠藉由使用偏光顯微鏡進行觀察來測定。
依照本申請發明者所發現，第一基材的Nz係數及配向角偏差為以上所敘述的特定範圍內時，能夠得到良好的配 向規制力，其結果，能夠形成紋影缺陷等缺陷較少的光學異方性層。又，Nz係數及配向角，係能夠以第一基材的光學特性的方式進行監控。因而，在連續地製造複層膜時，能夠容易地測定作為配向規制力的指標，其結果，製造的品質管理係變為容易且能夠有效率地製造高品質的製品。
所謂紋影缺陷，係指在透明基材上塗佈液晶化合物，由於在使液晶分子配向時，因為配向為局部地雜亂而未均勻地配向之液晶配向缺陷。在光學異方性層之紋影缺陷的數目，係能夠藉由在使用偏光顯微鏡觀察光學異方性層時，計算在偏光鏡或檢光鏡(analyzer)的光軸與液晶分子的配向軸或光軸為平行或正交的暗視野部分能夠看到放射狀之配向缺陷，來進行評價。
具有此種特定Nz係數及配向角偏差之第一基材，係能夠藉由將由上述的材料所構成者等的薄膜進行延伸且賦予光學異方性來調製。延伸方向係能夠按照光學異方性層被要求之所需要的配向方向而適當地設定。延伸係可以是只有傾斜延伸，亦可以是只有橫向延伸(在第一基材的寬度方向之延伸)，亦可以將傾斜延伸與縱向延伸(在第一基材的長度方向之延伸)及/或橫向延伸組合而進行。從使傾斜方向顯現配向規制力的觀點而言，係以包含1次以上的傾斜延伸之延伸為佳。延伸倍率係能夠在基材表面產生配向規制力之範圍適當地設定。第一基材係使用具有正的固有雙折射性的樹脂作為材料時，分子係配向在延伸方向且在延伸方向顯現遲相軸。
作為較佳延伸態樣的例子，可舉出將1次以上的 傾斜延伸與1次以上的自由縱向單軸延伸組合而成之延伸。藉由進行此種延伸，能夠容易地製造具有所需要的Nz係數及配向角偏差之第一基材。在此，進行傾斜延伸及自由縱向單軸延伸之順序及各自的延伸倍率係沒有特別限定，以進行傾斜延伸，隨後進行自由縱向單軸延伸為佳。更具體地，可舉出包含以下步驟之延伸作為較佳態樣：步驟(a)：以延伸倍率B1，將長條延伸前基材在傾斜方向進行延伸而得到長條中間薄膜之步驟；及步驟(b)：在步驟(a)之後，邊連續地搬運中間薄膜邊以比延伸倍率B1更小的延伸倍率B2進行自由縱向單軸延伸而得到長條延伸膜。
步驟(a)的傾斜延伸，係能夠使用拉幅機裝置等已知的裝置，在與延伸前基材的寬度方向所構之角度為大於且0°且小於90°的方向連續地進行延伸。
在步驟(a)之延伸倍率B1，係以1.1倍以上為佳，較佳為1.5倍以上，以4.0倍以下為佳，較佳為3.0倍以下。藉由在步驟(a)之延伸倍率B1成為前述範圍的下限值以上，能夠使所得到的第一基材之Nz係數成為所需要之較大的值。又，藉由成為上限值以下，能夠容易地控制所得到的第一基材之配向角。
在步驟(a)之延伸溫度T1，係以Tg以上為佳，較佳為(Tg+2)℃以上，特佳為(Tg+5)℃以上，以(Tg+40)℃以下為佳，較佳為(Tg+35)℃以下，特佳為(Tg+30)℃以下。在此，所謂Tg係形成延伸前基材之樹脂的玻璃轉移溫度。又，所謂延 伸溫度，係指在進行延伸之裝置的延伸區之溫度。藉由使在步驟(a)之延伸溫度T1成為前述的範圍，因為能夠使在延伸前基材所含有的分子確實地配向，所以能夠容易地得到具有所需要的光學特性之中間薄膜。
因為藉由步驟(a)之延伸，在中間薄膜所含有的分子係進行配向，所以中間薄膜係具有遲相軸。在步驟(a)，因為係在傾斜方向進行延伸，所以中間薄膜的遲相軸係在中間薄膜的傾斜方向顯現。具體而言，中間薄膜係在對其寬度方向於平均通常為5°~85°的範圍具有遲相軸。在此，所謂薄膜係在其寬度方向於平均範圍具有遲相軸，係意味著在其薄膜的寬度方向之複數個地點測定該薄膜的寬度方向與遲相軸所構成之配向角θ時，在該等的地點所測定的配向角θ之平均值為落入前述的範圍。尤其是中間薄膜的遲相軸方向，係以按照欲製造的第一基材的遲相軸方向而設定為佳。通常藉由步驟(b)所得到之第一基材的遲相軸對其寬度方向所構成之角度，係變為比中間薄膜對其寬度方向所構成之角度更大。因此，相較於所得到之第一基材的遲相軸對其寬度方向所構成之角度，係以使中間薄膜的遲相軸對其寬度方向所構成之角度較小為佳。例如中間薄膜係對其寬度方向於平均較佳為10°以上、更佳為20°以上，而且較佳為40°以下、較佳為35°以下的範圍具有遲相軸。藉此，使用能夠用在各種用途之相對於薄膜的寬度方向傾斜的遲相軸之薄膜，能夠容易地得到配向角θ為45°附近的第一基材。
所謂在步驟(b)之自由單軸延伸，係指在某一方向延伸，且不對被延伸之方向以外的方向施加拘束力。因此，自 由縱向單軸延伸係指不將薄膜的寬度方向的端部拘束而進行之縱向延伸。在步驟(b)之此種延伸，係通常將中間薄膜邊在長度方向連續地搬運、邊使用輥筒延伸機而進行。
在步驟(b)之延伸倍率B2係比在步驟(a)之延伸倍率B1更小。藉此，不會因延伸而產生皺紋且能夠使第一基材顯現較大的Nz係數。如此，藉由組合依照以下的順序進行在傾斜方向延伸及自由縱向單軸延伸、及將延伸倍率設為B1>B2，能夠容易地製造對寬度方向於傾斜方向具有遲相軸，而且具有較大的Nz係數及較小的配向角偏差之第一基材。
在步驟(b)之具體的延伸倍率B2，係以1.1倍以上為佳，較佳為1.15倍以上，特佳為1.2倍以上，以2.0倍以下為佳，較佳為1.8倍以下，特佳為1.6倍以下。藉由使在步驟(b)之延伸倍率B2成為前述範圍的下限值以上，能夠防止所得到的第一基材產生皺紋。又，藉由成為上限值以下，能夠增大所得到之第一基材的Nz係數。
又，將在步驟(a)之延伸倍率B1與在步驟(b)之延伸倍率B2合在一起的總延伸倍率(B1×B2)，係以1.1倍以上為佳，較佳為1.5倍以上，特佳為1.9倍以上，以4.5倍以下為佳，較佳為4.2倍以下，特佳是4.0倍以下。藉由使總延伸倍率成為前述範圍的下限值以上，能夠增大所得到之第一基材的Nz係數。又，藉由成為上限值以下，能夠容易地控制所得到之第一基材的配向角。
將在步驟(a)之延伸溫度T1設作基準，在步驟(b)之延伸溫度T2係以高於(T1-5)℃為佳，較佳為(T1-4)℃以上， 特佳為(T1-3)℃以上，以低於(T1+5)℃為佳，較佳為(T1+4)℃以下，特佳為(T1+3)℃以下。藉由使在步驟(b)之延伸溫度T2成為前述範圍，所得到之第一基材能夠得到良好的性質。
第一基材的面內方向之相位差Re，係以30nm以上為佳，較佳為50nm以上，另一方面，係以500nm以下為佳，較佳為300nm以下。第一基材的雙折射率△n之下限，係以0.000050以上為佳，較佳為0.000070以上，另一方面，第一基材的雙折射率△n之上限係以0.007500以下為佳，較佳為0.007000以下。特別是藉由使用含有上面所敘述之含有含脂環式結構的聚合物之樹脂或含有三乙酸纖維素之樹脂作為第一基材的材料，而賦予該範圍內的光學特性，分子指向矢(molecular director)係大略均勻地配向在遍及第一基材的厚度方向全體且能夠提供第一基材表面良好的配向規制力。延伸係能夠使用拉幅機延伸機等已知的延伸機來進行。
另一方面，摩擦處理時，係只能夠對基材的表面層提供配向規制力；使用光配向膜時，亦只能夠對配向膜層的薄膜表面層提供配向規制力。只有在表面層顯現之配向規制力，係在時間經過之同時，由於環境的影響(熱、光、氧等)而變弱，在形成光學異方性層時較可能產生配向缺陷。
[1.2.在第一基材上形成光學異方性層]
本發明的複層膜，係具備直接形成在第一基材上之含有硬化液晶分子之光學異方性層。
所謂「直接」形成在第一基材上之光學異方性層，係指在第一基材表面，不透過其它層。而形成光學異方性層。藉由採 用具有藉由延伸而產生的配向規制力之第一基材，而且，光學異方性層為直接形成在其上者，能夠在沒有因摩擦而產生的灰塵、刮痕和異物混入的狀態下得到在所需要的方向具有遲相軸之光學異方性層。其結果，能夠成為在配向之缺陷較少的光學異方性層。具體而言，係能夠成為在進行顯微鏡觀察光學異方性層時，觀察到的刮痕和異物較少且線缺陷等的配向缺陷較少之光學異方性層。而且，藉由採用上述之具有特定Nz係數及配向角偏差之第一基材且在其上直接形成光學異方性層，能夠得到良好的配向規制力，其結果，能夠容易地得到紋影缺陷等缺陷較少之光學異方性層。
在第一基材上形成光學異方性層，典型地係能夠藉由包含以下步驟之方法來進行：步驟(I)：將上述的特定長條狀第一基材在長度方向抽出之步驟；步驟(II)：在抽出後的第一基材上，直接塗佈含有聚合性液晶化合物之液晶組成物來形液晶組成物層之步驟；步驟(III)：使在液晶組成物層之聚合性液晶化合物配向之步驟；及步驟(IV)：使聚合性液晶化合物聚合而形成硬化液晶分子之步驟。
步驟(I)，係準備上述的特定長條狀第一基材的捲物，而進行將第一基材從該捲物抽出。
步驟(II)，係能夠藉由在連續地被搬運之第一基材的一面上直接塗佈液晶組成物來進行。基材的搬運方向、與液 晶組成物的塗佈方向係通常能夠成為相同方向。作為塗佈方法的例子，可舉出簾流塗佈法、擠製塗佈法、輥塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、斜板式塗佈法、印刷塗佈法、凹版塗佈法、模塗佈法、帽式塗布法(CAP coating)、及浸漬法。例如在模塗佈法，將模塗佈機的模唇方向以成為與基材寬度方向平行之方式配置時，液晶組成物的塗佈方向係與基材的搬運方向，亦即基材的長度方向相同。被塗佈之液晶組成物層的厚度係能夠按照光學異方性層被要求之所需要的厚度而適當地設定。
步驟(III)，亦有藉由塗佈而立刻達成之情況，亦有必要時，在塗佈之後，藉由施行加溫等的配向處理來達成之情況。配向處理的條件，能夠按照所使用的液晶組成物之性質而適當地設定，例如能夠設為在50~160℃的溫度條件處理30秒~5分鐘之條件。藉由適當地設定所使用的液晶組成物之組成及處理條件，能夠達成沿著與第一基材的遲相軸方向大略相同方向之配向。藉此，能夠使所使用的液晶組成物之塗佈方向、與聚合性液晶化合物的配向方向不同，亦即使其交叉。液晶組成物的塗佈方向、與聚合性液晶化合物的配向方向所構成之角度，係以大於5°之角度為佳，較佳為10~90°，更佳是能夠成為40~50°。
步驟(III)之後，亦可立刻進行步驟(IV)，但必要時，亦可在步驟(III)之後且步驟(IV)之前，進行使液晶組成物層乾燥之步驟。此種乾燥，能夠藉由自然乾燥、加熱乾燥、減壓乾燥、減壓加熱乾燥等的乾燥方法來達成。藉由此種乾燥， 能夠將溶劑從液晶組成物層除去。
步驟(IV)，係能夠適當地選擇適合聚合性化合物及聚合起始劑等液晶組成物成分的性質之方法。例如可舉出照射活性能量線之方法、及熱聚合法。因為不必加熱且能夠使其在室溫反應，以照射活性能量線之方法為佳。在此，被照射之活性能量線，係能夠包含可見光線、紫外線、及紅外線等的光、以及電子射線等任意的能量線。尤其是因為操作簡便，以照射紫外線等的光線之方法為佳。紫外線照射時的溫度之上限，係以設為基材的玻璃轉移溫度(Tg)以下為佳。通常為150℃以下，較佳為100℃以下，特佳為80℃以下的範圍。照射紫外線時的溫度下限係能夠設為15℃以上。紫外線照射強度係通常介於0.1mW/cm2~1000mW/cm2的範圍間，較佳為介於0.5mW/cm2~600mW/cm2的範圍間。紫外線照射時間係介於1秒~300秒的範圍間，較佳為介於5秒~100秒的範圍間。能夠依照紫外線累計光量(mJ/cm2)=紫外線照射強度(mW/cm2)×照射時間(秒)而求取。作為紫外線照射光源，能夠使用高壓水銀燈、鹵化金屬燈、低壓水銀燈。
[1.3.光學異方性層]
在本發明的複層膜，硬化液晶分子係能夠具有沿著與第一基材的遲相軸方向大略相同方向之配向規則性。硬化液晶分子較佳係能夠具有沿著與第一基材的遲相軸方向大略相同方向之水平配向(homogeneous alignment)規則性。在此，所謂「具有水平配向規則性」，係指將硬化液晶分子的液晶原(mesogen)之長軸方向投影在薄膜面而得到之線的平均方向，係在薄膜面 於水平的某一方向(例如基材薄膜的表面指向矢方向)排列。而且，所謂「沿著」某預定方向之水平配向規則性，係指該排列方向與前述預定方向大略一致。所謂前述預定方向，例如係指基材薄膜的表面指向矢的方向或基材薄膜的遲相軸方向。硬化液晶分子是否具有水平配向規則性、及其排列方向，係能夠藉由使用例如以AXoScan(A Xometrics公司製)為代表之相位差計，以測定遲相軸方向、以及測定在遲相軸方向、與遲相軸正交的方向之每個入射角的遲滯值分布來確認。
在此，硬化液晶分子係使具有棒狀分子結構的聚合性液晶化合物聚合而成者時，通常該聚合性液晶化合物的液晶原之長軸方向，係成為硬化液晶分子的液晶原之長軸方向。又，如使用逆波長分散聚合性液晶化合物(後述)作為聚合性液晶化合物時，在光學異方性層中係存在配向方向不同之複數種類的液晶原時，該等之中最長的種類之液晶原的長軸方向所排列的方向係成為該排列方向。
而且，所謂沿著與第一基材的遲相軸方向「大略」相同的方向之配向，係指第一基材的遲相軸方向與液晶原的排列方向所構成之角度為5°以內。該角係以3°以內為佳，較佳為1°以內。
具有上述說明的具有預定遲相軸者作為第一基材，且藉由適當地選擇光學異方性層的材料，能夠對光學異方性層賦予沿著與遲相軸方向大略相同方向之水平配向規則性等的配向規則性，其結果，能夠得到具有此種配向規則性之光學異方性層。
光學異方性層的厚度係沒有特別限定，能夠以成為所需要的範圍之方式適當地調整遲滯值等的特性。具體而言，厚度的下限係以0.5μm以上為佳，以1.0μm以上為較佳，另一方面，厚度的上限係以10μm以下為佳，以7μm以下為較佳，以5μm以下為更佳。
光學異方性層形狀和長度及寬度，係能夠設為與第一基材同樣的長條薄膜狀的形狀，能夠將其按照必要而裁斷成適合所需要的用途之矩形等的形狀。
光學異方性層係以具有逆波長分散性為佳。亦即，光學異方性層係相較於短波長，以對長波長的透射光具有顯示較高的面內相位差之波長分散為佳。光學異方性層係以至少在可見光區域的一部分、較佳是全部具有此種逆波長分散性為佳。藉由具有逆波長分散性的光學異方性層，能夠在λ/4波長板或λ/2波長板之光學用途上，發現在廣闊帶域中能均勻地顯現之功能。
作為較佳態樣，光學異方性層係λ/4波長板或λ/2波長板。具體而言，係在測定波長590nm所測得的面內遲滯值Re為108nm~168nm的範圍時，能夠使用作為λ/4波長板。又，在測定波長590nm所測得的面內遲滯值Re為245nm~305nm的範圍時，能夠使用作為λ/2波長板。更具體而言，λ/4波長板時，在測定波長590nm所測得的面內遲滯值Re，係以128nm~148nm為佳，較佳為133nm~143nm的範圍。又，λ/2波長板時，在測定波長590nm所測得的面內遲滯值Re，係以265nm~285nm為佳，較佳為270nm~280nm的範圍。光學異方 性層為此種λ/4波長板或λ/2波長板時，利用其而能夠容易地製造具有λ/4波長板或λ/2波長板之圓偏光板等的光學元件。
光學異方性層的遲相軸與光學異方性層的寬度方向所構成之角度，係能夠和第一基材的遲相軸與第一基材的寬度方向所構成之角度相同。具體而言，光學異方性層的遲相軸與光學異方性層的寬度方向所構成之角度，具體而言係能夠設為0°~80°。又，在某態樣，光學異方性層的遲相軸與光學異方性層的寬度方向所構之角度，係以40°~50°為特佳。又，具體而言，光學異方性層的遲相軸與光學異方性層的寬度方向所構成之角度，係以15°±5°、22.5°±5°、45°±5°、75°±5°為佳，較佳為15°±4°、22.5°±4°、45°±4°、75°±4°，更佳是能夠設為15°±3°、22.5°±3°、45°±3°、75°±3°之特定範圍。藉由具有此種角度關係，能夠將本發明的複層膜作為能夠有效率地製造特定圓偏光板之材料。
[1.4.液晶組成物]
說明在製造本發明的複層膜，能夠使用之含有聚合性液晶化合物之液晶組成物(以下，有將該組成物簡稱為「組成物(A)」之情形)。
在本發明，所謂作為組成物(A)的成分之液晶化合物，係指使其調配在組成物(A)時，能夠呈現液晶相之化合物。所謂聚合性液晶化合物，係指能夠在呈現此種液晶相的狀態下在組成物(A)中進行聚合，且能夠在維持液晶相分子配向的狀態下成為聚合物之液晶化合物。而且，所謂逆波長分散聚合性液晶化合物，係指如此地成為聚合物時，所得到的聚合物係顯 示逆波長分散性之聚合性液晶化合物。
又，在本發明，係有將組成物(A)的成分且具有聚合性之化合物(聚合性液晶化合物及其它具有聚合性之化合物等)，總稱且簡稱為「聚合性化合物」之情形。
[1.4.1.聚合性液晶化合物]
作為聚合性液晶化合物，係具有聚合性基之液晶化合物，可舉出能夠形成側鏈型液晶聚合物之化合物、圓盤狀液晶性化合物等。作為具有聚合性基之液晶化合物，例如可舉出在特開平11-513360號公報、特開2002-030042號公報、特開2004-204190號公報、特開2005-263789號公報、特開2007-119415號公報、特開2007-186430號公報等所記載之具有聚合性基之棒狀液晶化合物等。又，作為側鏈型液晶聚合物化合物，例如可舉出在特開2003-177242號公報等所記載之側鏈型液晶聚合物化合物等。又，以製品名舉出較佳液晶化合物的例子時，可舉出BASF公司製「LC242」等。作為圓盤狀液晶性化合物的具體例，係記載在特開平8-50206號公報、文獻(C.Destrade et al.,Mol.Crysr.Lig.Cryst,vol.71,page 111(1981)；日本化學會編、季刊化學總說、第22期、液晶化學、第5章、第10章第2節(1994年)；B.Kohne et.al.,Angew.Chem.Soc.Chem.Comm,page1794(1985；J.Zhang et.al.,J.Am.Chem.Soc.,vol.116卷，page2655(1994)。該等液晶化合物及以下說明之逆波長分散聚合性液晶化合物，係可單獨使用1種類，亦可以任意比例組合2種類以上而使用。
[1.4.2.逆波長分散聚合性液晶化合物]
作為聚合性液晶化合物的一部分或全部，能夠使用逆波長分散聚合性液晶化合物。藉由使用逆波長分散聚合性液晶化合物，能夠容易地得到具有逆波長分散性之光學異方性層。
作為逆波長分散聚合性液晶化合物的例子，可舉出在該其分子中具有主鏈液晶原、及鍵結在主鏈液晶原的側鏈液晶原之化合物。在此種逆波長分散聚合性液晶化合物配向的狀態下，側鏈液晶原係能夠配向在與主鏈液晶原不同的方向。因而，在光學異方性層，主鏈液晶原及側鏈液晶原係能夠配向在不同方向。藉由此種配向，光學異方性層係能夠呈現逆波長分散特性。
[1.4.2.1.化合物(I)]
作為逆波長分散聚合性液晶化合物的例子，能夠舉出下述式(I)所顯示的化合物(以下，有稱為「化合物(I)」之情形)。
逆波長分散聚合性液晶化合物為化合物(I)時，基團-Y5-A4-Y8-A2-Y1-A1-Y2A3-Y4-A5-Y6-係成為主鏈液晶原，另一方面，基團>A1-C(Q1)=N-N(Ax)Ay係成為側鏈液晶原，基團A1影響主鏈液晶原及側鏈液晶原雙方的性質。
式中，Y1~Y8係各自獨立且化學上的單鍵，表示 -O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-、-C(=O)-NR1-、-O-C(=O)-NR1-、-NR1-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-NR1-、-O-NR1-或-NR1-O-。
在此，R1係表示氫原子或碳數1~6的烷基。
作為R1之碳數1~6的烷基，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基等。
作為R1，係以氫原子或碳數1~4的烷基為佳。
在化合物(I)，Y1~Y8係各自獨立且化學的單鍵、以-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、或-O-C(=O)-O-為佳。
G1、G2係表示各自獨立且亦可具有取代基之碳數1~20的二價脂肪族基。
作為碳數1~20的二價脂肪族基，可舉出碳數1~20的伸烷基、碳數2~20的伸烯基等具有鏈狀結構之二價脂肪族基；碳數3~20的環烷二基、碳數4~20的環烯二基、碳數10~30的二價脂環式縮合環基等的二價脂肪族基等。
作為G1、G2的二價脂肪族基之取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；甲氧基、環氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基等的碳數1~6的烷氧基等。尤其是以氟原子、甲氧基、環氧基為佳。
又，-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2-C(=O)-、-C(=O)-NR2-、-NR2-或-C(=O)-亦可介於前述脂肪族基之間。但各別鄰接2個以上的-O-或-S-介於之間的情況除外。在此，R2係表示與前述R1同樣的氫原子或碳數1~6的 烷基，以氫原子或甲基為佳。
作為介於前述脂肪族基之間之基，係以-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-C(=O)-為佳。
團介於脂肪族基之間的基團的具體例，可舉出-CH2-CH2-O-CH2-CH2-、-CH2-CH2-S-CH2-CH2-、-CH2-CH2-O-C(=O)-CH2-CH2-、-CH2-CH2-C(=O)-O-CH2-CH2-、-CH2-CH2-C(=O)-O-CH2-、-CH2-O-C(=O)-O-CH2-CH2-、-CH2-CH2-NR2-C(=O)-CH2-CH2-、-CH2-CH2-C(=O)-NR2-CH2-、-CH2-NR2-CH2-CH2-、-CH2-C(=O)-CH2-等。
該等之中，從使本發明所需要的效果更良好地顯現之觀點而言，G1、G2係以各自獨立且碳數1~20的伸烷基、碳數2~20的伸烯基等具有鏈狀結構之二價脂肪族基為佳，以亞甲基、伸乙基、三亞甲基、丙烯基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、八亞甲基、十亞甲基(-(CH2)10-等碳數1~12的伸烷基為較佳，以四亞甲基[-(CH2)4-]、六亞甲基[-(CH2)6-]、八亞甲基[-(CH2)8-]、及十亞甲基[-(CH2)10-]為特佳。
Z1、Z2係表示各自獨立且未取代或被鹵素原子取代之碳數2~10的烯基。
作為該烯基的碳數，係以2~6為佳。作為Z1及Z2的烯基的取代基之鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子等，以氯原子為佳。
作為Z1及Z2之碳數2~10的烯基之具體例，可舉出CH2=CH-、CH2=C(CH3)-、CH2=CH-CH2-、CH3-CH=CH-、CH2=CH-CH2-CH2-、CH2=C(CH3)-CH2-CH2-、(CH3)2C=CH- CH2-、(CH3)2C=CH-CH2-CH2-、CH2=C(Cl)-、CH2=C(CH3)-CH2-、CH3-CH=CH-CH2-等。
尤其是以更良好地顯現本發明所需要的效果的觀點而言，Z1及Z2，係為各自獨立的CH2=CH-、CH2C(CH3)-、CH2=C(Cl)-、CH2=CH-CH2-、CH2-C(CH3)-CH2-或CH2=C(CH3)-CH2-CH2-為佳，以CH2=CH-、CH2=C(CH3)-、或CH2=C(Cl)-為較佳，以CH2=CH-為特佳。
Ax係表示具有至少一個選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成群組的芳香環之碳數2~30的有機基團。
在本發明，「芳香環」係意味著具有依照休克耳規則(Huckel’s rule)之廣義的芳香族性之環狀結構，亦即具有(4n+2)個π電子之環狀共軛結構、及以噻吩、呋喃、苯并噻唑等作為代表之硫、氧、氮等雜原子的孤立電子對參與π電子系統而顯示芳香族性者。
Ax之具有至少一個選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成群組的芳香環之碳數2~30的有機基，可為具有複數個芳香環者，亦可為具有芳香族烴環及芳香族雜環者。
作為前述芳香族烴環，可舉出苯環、萘環、蒽環等。作為前述芳香族雜環，可舉出吡咯(pyrrole)環、呋喃(furan)環、噻吩(thiophene)環、吡啶環、嗒嗪(pyridazine)環、嘧啶(pyrimidine)環、吡嗪(pyrazine)環、吡唑(pyrazole)環、咪唑(imidazole)環、噁唑(oxazole)環、噻唑(thiazole)環等的單環之芳香族雜環；苯並噻唑(benzothiazole)環、苯並噁唑(benzoxazole)環、喹啉(quinoline)環、酞嗪(phthalazine)環、苯 並咪唑(benzimidazole)環、苯並吡唑(benzopyrazole)環、苯並呋喃(benzofuran)環、苯並噻吩(benzothiophene)環、噻唑吡啶(thiazolopyridine)環、噁唑吡啶(oxazolopyridine)環、噻唑吡嗪(thiazolopyrazine)環、噁唑吡嗪(oxazole pyridine)環、噻唑噠嗪(thiazolopyridazine)環、噁唑嗒嗪(oxazolpyridazine)環、噻唑嘧啶(thiazolopyrimidine)環、噁唑嘧啶(oxazolopyrimidine)環等的縮合環的芳香族雜環等。
Ax所具有之芳香環亦可具有取代基。作為此種取代基，可舉出氟原子、氯原子等的鹵素原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1~6的烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2~6的烯基；三氟甲基等碳數1~6的鹵化烷基；二甲基胺基等的取代胺基；甲氧基、環氧基、異丙氧基等碳數1~6的烷氧基；硝基；苯基、萘基等的芳基；-C(=O)-R5；-C(=O)-OR5；-SO2R6等。在此，R5係表示碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基、或碳數3~12的環烷基，R6係表示與後述R4同樣之碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基、苯基、或4-甲基苯基。
又，Ax所具有之芳香環，可具有複數個相同或不同之取代基，相鄰的二個取代基亦可一起鍵結而形成環。所形成的環可為單環，亦可為縮合多環，可為不飽環，亦可為飽和環。
而且，Ax之碳數2~30的有機基團的「碳數」，係意味著不包含取代基的碳原子之有機基團全體的總碳數(後述之Ay相同)。
作為Ax之具有至少一個選自由芳香族烴環及芳香 族雜環所組成群組的芳香環之碳數2~30的有機基團，可舉出具有選自由芳香族烴環基；芳香族雜環基；芳香族烴環基及芳香族雜環基所組成群組的至少一個芳香環之碳數3~30的烷基；選自由芳香族烴環基及芳香族雜環基所組成群組的至少一個芳香環之碳數4~30的烯基；選自由芳香族烴環基及芳香族雜環基所組成群組的至少一個芳香環之碳數4~30的炔基等。
將Ax的較佳具體例顯示在以下。但是，在本發明，Ax係不被以下所表示者限定。又，下述式中，「-」係表示從環的任意位置延伸之鍵結(以下相同)。
(1)芳香烴環基
(2)芳香族雜環基
上述式中，E係表示NR6a、氧原子或硫原子。在此，R6a係表示氫原子；或是甲基、乙基、丙基等的碳數1~6的烷基。
上述式中，X、Y、Z係各自獨立表示NR7、氧原子、硫原子、-SO-、或-SO2-(但是，各別鄰接氧原子、硫原子、-SO-、-SO2-的情況除外)。R7係表示與前述R6a同樣的氫原子；或甲基、乙基、丙基等碳數1~6的烷基。
(上述式中，X係表示與前述相同意思)。
(3)具有至少一個選自由芳香族烴環基及芳香族雜環基所組成群組的芳香環之烷基
(4)具有至少一個選自由芳香族烴環基及芳香族雜環基所組成群組的芳香環之烯基
(5)具有至少一個選自由芳香族烴環基及芳香族雜環基所組成群組的芳香環之炔基
上述的Ax之中，係以碳數6~30的芳香族烴基、或碳數4~30的芳香族雜環基為佳，以下述顯示之任一基為較佳，
以下述顯示之任一基為更佳。
Ax所具有的環可具有取代基。作為此種取代基，可舉出氟原子、氯原子等的鹵素原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1~6的烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2~6的烯基；三氟甲基等碳數1~6的鹵化烷基；二甲基胺基等的取代胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1~6的烷氧基；硝基；苯基、萘基等的芳基；-C(=O)-R8；-C(=O)-OR8；-SO2R6等。在此，R8係表示甲基、乙基等碳數1~6的烷基；或苯基等碳數6~14的芳基。尤其是以鹵素原子、氰基、碳數1~6的烷基、及碳數 1~6的烷氧基為佳。
又，Ax所具有之環可具有複數個相同或不同的取代基，相鄰的二個取代基可一起鍵結而形成環。所形成的環可為單環可為縮合多環。
而且，Ax之碳數2~30的有機基團的「碳數」，係意味著不包含取代基的碳原子之有機基團全體的總碳數(後述之Ay相同)。
Ay係表示氫原子、可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數2~20的烯基、可具有取代基之碳數3~12的環烷基、可具有取代基之碳數2~20的炔基、具有至少一個選自由-C(=O)-R3、-SO2-R4、-C(=S)NH-R9或芳香族烴環及芳香族雜環所組成群組的芳香環之碳數2~30的有機基。在此，R3係表示可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數2~20的烯基、可具有取代基之碳數3~12的環烷基、碳數5~12的芳香族烴基，R4係表示碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基、苯基、或4-甲基苯基，R9係表示可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數2~20的烯基、可具有取代基之碳數3~12的環烷基、可具有取代基之碳數5~20的芳香族基。
Ay之可具有取代基之碳數1~20的烷基可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、1-甲基戊基、1-乙基戊基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、正十三基、正十四基、正十五基、正十六基、 正十七基、正十八基、正十九基、正二十基等。亦可具有取代基之碳數1~20的烷基之碳數作為碳數1~20的烷基，，係以1~12為佳、4~10為更佳。
Ay之可具有取代基之碳數2~20的烯基，可舉出乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十一烯基、十二烯基、十三烯基、十四烯基、十五烯基、十六烯基、十七烯基、十八烯基、十九烯基、二十烯基等作為碳數2~20的烯基。
亦可具有取代基之碳數2~20的烯基之碳數，係以2~12為佳。
Ay之可具有取代基之碳數3~12的環烷基，可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基等作為碳數3~12的環烷基。
Ay之亦可具有取代基之碳數2~20的炔基，可舉出乙炔基、丙炔基、2-丙炔基(炔丙基)、丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、2-戊炔基、己炔基、5-己炔基、庚炔基、辛炔基、2-辛炔基、壬炔基、癸炔基、7-癸炔基等作為碳數2~20的炔基。
Ay之可具有取代基之碳數1~20的烷基、及亦可具有取代基之碳數2~20的烯基之取代基，可舉出氟原子、氯原子等的鹵素原子；氰基；二甲基胺基等的取代胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等的碳數1~20的烷氧基；甲氧基甲氧基、甲氧基環氧基等被碳數1~12的烷氧基取代之碳數1~12的烷氧基；硝基；苯基、萘基等的芳基；環丙基、環戊 基、環己基等的碳數3~8的環烷基；環戊氧基、環己氧基等碳數3~8的環烷氧基；四氫呋喃基、四氫吡喃基、二氧戊環基、二噁烷基等碳數2~12的環狀醚基；苯氧基、萘氧基等碳數6~14的芳基氧基；三氟甲基、五氟乙基、-CH2CF3等被至少1個為氟原子取代之碳數1~12的氟烷氧基；苯並呋喃基；苯並吡喃基；苯併二氧戊環基；苯並二噁烷基；-C(=O)-R7a；-C(=O)-OR7a；-SO2R8a；-SR10；被-SR10取代之碳數1~12的烷氧基；羥基等。在此，R7a及R10係表示各自獨立且碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基、碳數3~12的環烷基、或碳數6~12的芳香族烴基，R8a係表示與前述R4同樣之碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基、苯基、或4-甲基苯基。
作Ay之可具有取代基之碳數3~12的環烷基，可舉出氟原子、氯原子等的鹵素原子；氰基；二甲基胺基等的取代胺基；甲基、乙基、丙基等碳數1~6的烷基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1~6的烷氧基；硝基；苯基、萘基等的芳基；環丙基、環戊基、環己基等碳數3~8的環烷基；-C(=O)-R7a；-C(=O)-OR7a；-SO2R8a；羥基等作為取代基。在此，R7a、R8a係表示與前述相同意思。
Ay之可具有取代基之碳數2~20的炔基之取代基，可舉出與可具有取代基之碳數1~20的烷基、及可具有取代基之碳數2~20的烯基之取代基相同的取代基。
在Ay之以-C(=O)-R3表示之基，R3係表示可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數2~20的烯基、可具有取代基之碳數3~12的環烷基、碳數5~12的芳香族 烴基。該等具體例，可舉出與前述作為Ay之亦可具有取代基之碳數1~20的烷基、亦可具有取代基之碳數2~20的烯基、亦可具有取代基之碳數3~12的環烷基的例子所列出者相同的基。
在Ay之以-SO2-R4表示之基，R4係表示碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基、苯基、或4-甲基苯基。
R4之碳數1~20的烷基、及碳數2~20的烯基之具體例，係可舉出與前述作為Ay之碳數1~20的烷基、碳數2~20的烯基的例子所列出者同樣的基團。
作為Ay之具有至少一個選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成群組的芳香環之碳數2~30的有機基，可舉出在前述Ax所例示者同樣的基團。
該等之中，作為Ay，係以具有至少一個選自由氫原子、亦可具有取代基之碳數1~20的烷基、亦可具有取代基之碳數2~20的烯基、可具有取代基之碳數3~12的環烷基、可具有取代基之碳數2~20的炔基、-C(=O)-R3、-SO2-R4、或芳香族烴環及芳香族雜環所組成的群組的芳香環之碳數2~30的有機基表示之基為佳，以氫原子、可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數2~20的烯基、可具有取代基之碳數3~12的環烷基、可具有取代基之碳數2~20的炔基、可具有取代基之碳數6~12的芳香族烴基、可具有取代基之碳數3~9的芳香族雜環基、以-C(=O)-R3、-SO2-R4表示之基為更佳。在此，R3、R4係表示與前述相同意思。
Ay之可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取 代基之碳數2~20的烯基、亦可具有取代基之碳數2~20的炔基之取代基，係以鹵素原子、氰基、碳數1~20的烷氧基、被碳數1~12的烷氧基取代之碳數1~12的烷氧基、苯基、環己基、碳數2~12的環醚基、碳數6~14的苯氧基、羥基、苯並二噁烷基、苯磺酸基、4-甲基苯磺酸基、苯甲醯基、-SR10為佳。在此，R10係表示與前述相同意思。
作為Ay之可具有取代基之碳數3~12的環烷基、可具有取代基之碳數6~12的芳香族烴基、可具有取代基之碳數3~9的芳香族雜環基之取代基，係以氟原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、氰基為佳。
又，Ax與Ay可一起形成環。此種環可具有取代基，可舉出具有碳數4~30的不飽和雜環、碳數6~30的不飽和碳環。
作為前述碳數4~30的飽和雜環、碳數6~30的不飽和碳環，係沒有特別的限制，可具有亦可不具有芳香族性。例如可舉出下述所表示之環。又，下述所表示之環，係表示式(I)中以
方式表示之部分。
(式中，X、Y、Z係表示與前述相同意思)。
又，該等環亦可具有取代基。作為此種取代基，可舉出與作為Ax所具有之芳香環的取代基所例示者同樣的基團。
從更良好地顯現本發明所需要的效果的觀點而言，在Ax與Ay所含有的π電子之總數，係以4以上且24以下為佳，以6以上且20以下為較佳，以6以上且18以下為更佳。
作為Ax與Ay的較佳組合，可舉出 (α)Ax為碳數4~30的芳香族烴基或芳香族雜環基，Ay為氫原子、碳數3~8的環烷基、亦可具有(鹵素原子、氰基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、或是碳數3~8的環烷基)作為取代基之碳數6~12的芳香族烴基、具有(鹵素原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、氰基)作為取代基之碳數3~9的芳香族雜環基、可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數1~20的烯基、可具有取代基之碳數2~20的炔基，該取代基係可舉出鹵素原子、氰基、碳數1~20的烷氧基、被碳數1~12的烷氧基取代之碳數1~12的烷氧基、苯基、環己基、碳數2~12的環醚基、碳數6~14的苯氧基、羥基、苯並二噁烷基、苯磺醯基、苯甲醯基、-SR10的任一者之組合、及(β)Ax與Ay一起形成不飽和雜環或不飽和碳環者。在此，R10係表示與前述相同意思。
作為Ax與Ay的較佳組合，可舉出(γ)Ax為具有下述構造之任一基團，Ay為氫原子、碳數3~8的環烷基、可具有(鹵素原子、氰基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、或是碳數3~8的環烷基)作為取代基之碳數6~12的芳香族烴基、可具有(鹵素原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、氰基)作為取代基之碳數3~9的芳香族雜環基、可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數1~20的烯基、可具有取代基之碳數2~20的炔基，該取代基係鹵素原子、氰基、碳數1~20的烷氧基、被碳數1~12的烷氧基取代之碳數1~12的烷氧基、苯基、環己基、碳數2~12的環醚基、碳數6~14的苯氧基、羥基、苯並二噁烷基、苯磺醯基、苯甲醯 基、-SR10的任一者之組合。在此，R10係表示與前述相同意思。
(式中，X、Y係表示與前述相同意思)
作為Ax與Ay的特佳組合，(δ)Ax為具有下述構造之任一基團，Ay為氫原子、碳數3~8的環烷基、亦可具有(鹵素原子、氰基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基或是碳數3~8的環烷基)作為取代基之碳數6~12的芳香族烴基、可具有(鹵素原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、氰基)作為取代基之碳數3~9的芳香族雜環基、可具有取代基之碳數1~20的烷基、可具有取代基之碳數1~20的烯基、可具有取代基之碳數2~20的炔基，該取代基係鹵素原子、氰基、碳數1~20的烷氧基、被碳數1~12的烷氧基取代之碳數1~12的烷氧基、苯基、環己基、碳數2~12的環醚 基、碳數6~14的苯氧基、羥基、苯並二噁烷基、苯磺醯基、苯甲醯基、-SR10的任一者之組合。下述式中，X係表示與前述相同意思。在此，R10係表示與前述相同意思。
A1表示可具有取代基之三價芳香族基。作為三價芳香族基，可為三價碳環式芳香族基，亦可為三價雜環式芳香族基。從更良好地顯現本發明所需要的效果之觀點而言，以三價碳環式芳香族基為佳，以三價苯環基或三價萘環基為較佳，以下述式所表示之三價苯環基或三價萘環基為更佳。
又，在下述式，為了使鍵結狀態更明確，而簡單地記載取代基Y1、Y2(Y1、Y2係表示與前述相同意思。以下相同)。
該等之中，A1以下述所顯示之(A11)~(A25)所表示 的基團為較佳，以式(A11)、(A13)、(A15)、(A19)、(A23)表示之基為更佳，以式(A11)、(A23)表示之基為特佳。
作為A1的三價芳香族基亦可具有的取代基，可舉出已例示作為前述Ax的芳香族基的取代基之相同者。A1為不 具有取代基者為佳。
A2、A3係表示各自獨立且可具有取代基之碳數3~30的二價脂環式烴基。
碳數3~30的二價脂環式烴基可舉出碳數3~30的環烷二(diyl)基、碳數10~30的二價脂環式縮合環基等。
作為碳數3~30的環烷二基，可舉出環丙烷二基；環丁烷-1,2-二基、環丁烷-1,3-二基等的環丁烷二基；環戊烷-1,2-二基、環戊烷-1,3-二基等的環戊烷二基；環己烷-1,2-二基、環己烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基等的環己烷二基；環庚烷-1,2-二基、環庚烷-1,3-二基、環庚烷-1,4-二基等的環庚烷二基；環辛烷-1,2-二基、環辛烷-1,3-二基、環辛烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等的環辛烷二基；環癸烷-1,2-二基、環癸烷-1,3-二基、環癸烷-1,4-二基、環癸烷-1,5-二基等的環癸烷二基；環十二烷-1,2-二基、環十二烷-1,3-二基、環十二烷-1,4-二基、環十二烷-1,5-二基等的環十二烷二基；環十四烷-1,2-二基、環十四烷-1,3-二基、環十四烷-1,4-二基、環十四烷-1,5-二基、環十四烷-1,7-二基等的環十四烷二基；環二十烷-1,2-二基、環二十烷-1,10-二基等的環二十烷二基等。
作為碳數10~30的二價脂環式縮合環基，可舉出十氫萘(decalin)-2,5-二基、十氫萘-2,7-二基等的十氫萘二基；金剛烷(adamantane)-1,2-二基、金剛烷-1,3-二基等的金剛烷二基；雙環[2.2.1]庚烷-2,3-二基、雙環[2.2.1]庚烷-2,5-二基、雙環[2.2.1]庚烷-2,6-二基等的雙環[2.2.1]庚烷二基等。
該等二價脂環式烴基在任意位置可具有取代基。 取代基可舉出與前述已例示之Ax的芳香族基的取代基之相同者。
該等之中，作為A2、A3，係以碳數3~12的二價脂環式烴基為佳，以碳數3~12的環烷二基為較佳，以下述式(A31)~(A34)
表示之基團為更佳，以前述式(A32)表示之基團為特佳。
前述碳數3~30的二價脂環式烴基，根據與Y1、Y3(或Y2、Y4)鍵結之碳原子的立體配置的不同，而能夠存在順式、反式的立體異構物。例如，如下所示，環己烷-1,4-二基存在順式異構物(A32a)及反式異構物(A32b)。
在本發明，可為順式亦可為反式，或者亦可為順式與反式異構物之混合物，因為配向性良好，以反式型或順式型為佳，以反式型為較佳。
A4、A5係表示各自獨立且具有取代基之碳數6~30 的二價芳香族基。
A4、A5的芳香族基可為單環者，亦可為多環者。
作為A4、A5的較佳具體例，可舉出下述者。
上述A4、A5的二價芳香族基，係在任意位置可具有取代基。該取代基可舉出鹵素原子、氰基、羥基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、硝基、-C(=O)-OR8b基等。在此R8b係碳數1~6的烷基。尤其以鹵素原子、碳數1~6的烷基、烷氧基為佳。又，鹵素原子以氟原子；碳數1~6的烷基以甲基、乙基、丙基；烷氧基以甲氧基、環氧基為較佳。
該等之中，從更良好地顯現本發明所需要的效果之觀點而言，A4、A5係以各自獨立且可具有取代基之下述式(A41)、(A42)及(A43)表示之基團為較佳，以可具有取代基之式(A41)表示之基團為特佳。
Q1係表示氫原子、可具有取代基之碳數1~6的烷基。
作為可具有取代基之碳數1~6的烷基，可舉出與前述例示之Ax相同的基團。
該等之中，Q1以氫原子或碳數1~6的烷基為佳，以氫原子及甲基為較佳。
化合物(I)，例如能夠藉由在國際公開第WO2012/147904號所記載之以肼(hydrazine)化合物與羰基化合物進行反應來製造。
[1.4.3.聚合性單體]
組成物(A)係能夠含有聚合性單體作為任意成分。在本發明，所謂「聚合性單體」係指具有聚合能力且能作為單體之化合物者，特別是指逆波長分散聚合性液晶化合物以外的化合物。
聚合性單體例如為能夠使用每1分子具有1個以上的聚合性基團者。藉由具有此種聚合性基團，在形成光學異方性層時，能夠達成聚合。當聚合性單體為每1分子具有2個以上的聚合性基團之交聯性單體時，能夠達成交聯性聚合。此種聚合性基團的例子可舉出與化合物(I)中的基團Z1-Y7-及Z2-Y8-相同的基團，更具體地，例如能夠舉出丙烯醯基、甲基丙烯醯基、及環氧基。
聚合性單體之本身可為液晶，亦可為非液晶。在此，所謂其本身為「非液晶」係指將該聚合性單體本身放置於室溫至200℃的任一溫度時，在經配向處理後的第一基材上均不顯示配向者。是否顯示配向，係藉由在偏光顯微鏡的正交尼科耳棱鏡(crossed Nicol)透射觀察，使摩擦方向在面相旋轉時是否有明暗的對比來判斷。
組成物(A)之聚合性單體的調配比例，係相對於逆波長分散聚合性液晶化合物100重量份，通常為1~100重量份，較佳為5~50重量份。藉由在該範圍內，以能夠顯示所需要的逆波長分散特性之方式適當地調整聚合性單體的調配比例，變得容易精密控制逆波長分散特性。
聚合性單體係能夠藉由以已知的製造方法來製造。或是針對與化合物(I)具有類似的構造者，能夠依據化合物(I)的製造方法製造。
[1.4.4.組成物(A)的其它成分]
必要時，組成物(A)係除了聚合性液晶化合物及聚合性單體以外，亦能夠含有以下例示的任意成分。
組成物(A)係能夠含有聚合起始劑。作為聚合起始劑，能夠按照組成物(A)中的聚合性液晶化合物、聚合性單體及其它聚合性化合物所具有的聚合性基之種類而適當地選擇。例如各自能夠如以下使用：聚合性基為自由基聚合性時，能夠使用自由基聚合起始劑；陰離子聚合性基時，能夠使用陰離子聚合起始劑；陽離子聚合性基時，能夠使用陽離子聚合起始劑。
作為自由基聚合起始劑，係能夠使用以下的任一者：藉由加熱而產生能夠使聚合性化合物開始聚合的化合物之熱自由基產生劑；及藉由可見光、紫外光(i線等)、遠紫外光、電子射線、X射線等曝光光線的曝光而產生能夠使聚合性化合物開始聚合的活性種之化合物之光自由基產生劑；以使用光自由基產生劑為佳。
作為光自由基產生劑，例如能夠舉出在國際公開第WO2012/147904號所記載之苯乙酮系化合物、雙咪唑系化合物、三嗪系化合物、O-醯基肟(acyloxime)系化合物、鎓(onium)鹽系化合物、苯偶姻(benzoin)系化合物、二苯甲酮(Benzophenone)系化合物、α-二酮系化合物、多核醌(quinone)系化合物、氧雜蒽酮(xanthone)系化合物、重氮(diazo)系化合物、磺醯亞胺系化合物等。
作為前述陰離子聚合起始劑，例如可舉出烷基鋰化合物；聯苯、萘、芘(pyrene)等的單鋰鹽或單鈉鹽；二鋰鹽、三鋰鹽等的多官能性起始劑等。
又，作為前述陽離子聚合起始劑，例如可舉出硫 酸、磷酸、過氯酸、三氟甲磺酸等的質子酸；如三氟化硼、氯化鋁、四氯化鈦、四氯化錫的路易士酸；芳香族鎓鹽或芳香族鎓鹽還原劑的併用系列。
該等聚合起始劑係能夠單獨一種或是組合二種以上而使用。
在組成物(A)，相對於聚合性化合物100重量份，聚合起始劑的調配比例係通常為0.1~30重量份，較佳為0.5~10重量份。
組成物(A)係為了調整表面張力，而能夠含有界面活性劑。該界面活性劑並沒有特別限定，通常以非離子系界面活性劑為佳。作為該非離子系界面活性劑，能夠使用市售品。例如能夠使用分子量為數千左右的寡聚物之非離子系界面活性劑。作為該等界面活性劑的具體例，能夠使用OMNOVA公司PolyFox的「PF-151N」、「PF-636」、「PF-6320」、「PF-656」、「PF-6520」、「PF-3320」、「PF-651」、「PF-652」；NEOS公司Ftergent的「FTX-209F」、「FTX-208G」、「FTX-204D」；SEIMI CHEMICAL公司SURFLON的「KH-40」、「S-420」等。又，界面活性劑係可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上而使用。在組成物(A)，相對於聚合性化合物100重量份，界面活性劑的調配比例係通常為0.01~10重量份，較佳為0.1~2重量份。
組成物(A)係能夠含有有機溶劑等的溶劑。此種有機溶劑的例子可舉環戊酮、環己酮、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮等的酮類；乙酸丁酯、乙酸戊酯等的乙酸酯類；氯仿、 二氯甲烷、二氯乙烷等的鹵化烴類；1,4-二噁烷、環戊基甲醚、四氫呋喃、四氫吡喃、1,3-二氧戊環、1,2-二甲氧基乙烷等的醚類；及甲苯、二甲苯、均三甲苯(mesitylene)等的芳香族烴。從具有優異的操作性的觀點而言，溶劑的沸點係以60~250℃為佳，以60~150℃為較佳。相對於聚合性化合物100重量份，溶劑的使用量係通常為100~1000重量份。
組成物(A)能進一步含有金屬、金屬錯合物、染料、顏料、螢光材料、磷光材料、調平劑、觸變劑、凝膠化劑、多糖類、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、抗氧化劑、離子交換樹脂、氧化鈦等的金屬氧化物等任意的添加劑。在本發明的聚合性組成物，相對於聚合性化合物100重量份，此種任意的添加劑之調配比例係通常各自為0.1~20重量份。
組成物(A)係通常能夠藉由混合上面已敘述的成分來調製。
[2.光學異方性積層體]
本發明的光學異方性積層體，係將光學異方性層從前述本發明的複層膜剝離且將其貼合在長條狀第二基材而成。
作為第二基材的一個例子，可舉出遮蔽膜等能夠保護光學異方性層之薄膜。作為遮蔽膜，能夠使用已知者(例如，Tredegar公司製的FF1025、「FF1035」；Sun A化研公司製的「SAT116T」、「SAT2038T-JSL」及「SAT4538T-JSL」；藤森工業公司製的「NBO-0424」、「TFB-K001」、「TFB-K0421」及「TFB-K202」；日立化成公司製的「DT-2200-25」及「K-6040」；寺岡製作所公司製的「6010#75」、「6010#100」、 「6011#75」及「6093#75」)。具有此種第二基材之光學異方性積層體能夠容易地將光學異方性層轉印至其它構件。因而，能夠容易地製造具有光學異方性層之光學元件。
作為第二基材之另外一例，可舉光學等方性的基材薄膜。所謂光學等方性，具體而言，係面內遲滯值Re以小於10nm為佳，以小於5nm為較佳。又，在光學等方性的基材，厚度方向的遲滯值Rth亦以小於10nm為佳，以小於5nm為較佳。面內遲滯值Re的下限係能夠設為0nm。厚度方向的遲滯值Rth之下限，係以大於-10nm為佳，以大於-5nm為較佳。
作為光學等方性的基材薄膜之材料的例子，可舉出除了與上面已敘述的第一基材薄膜同樣者以外之纖維素酯等。形成此種材料的長條狀薄膜，不將其延伸而能夠直接使用作為第二基材。具備光學等方性作為第二基材的基材薄膜之光學異方性積層體，係能夠使用作為光學構件直接組裝於顯示裝置等的光學裝置。
關於本發明的光學異方性積層體係能夠藉由捲繞式操作來製造，以進行將光學異方性層從複層膜剝離且將其貼合在長條狀第二基材之步驟。
[3.圓偏光板]
本發明的圓偏光板，係採用捲繞式將1層以上的光學異方性層與長條狀直線偏光鏡貼合而成。
作為本發明的圓偏光板之具體態樣，可舉出下述的2個態樣。
圓偏光板(i)：採用捲繞式將光學異方性層與長條狀直線偏 光鏡貼合而成之圓偏光板，此圓偏光板的光學異方性層係從前述本發明的複層膜剝離而形成的層。
圓偏光板(ii)：採用捲繞式將長條狀λ/4波長板或長條狀λ/2波長板、及長條狀直線偏光鏡貼合而成之圓偏光板，且圓偏光板的長條狀λ/4波長板、長條狀λ/2波長板或上述兩者係從前述本發明的複層膜剝離的光學異方性層。
本發明的圓偏光板所包含的光學異方性層係可直接使用從本發明之複層膜剝離而成者。或者，作為本發明的圓偏光板所包含的光學異方性層，亦可直接使用從本發明的複層膜剝離後與第二基材貼合成的前述本發明的光學異方性積層體，或者亦可使用從該光學異方性積層體再次剝離者。
將光學異方性層從複層膜剝離之步驟及將光學異方性層與其它層(其它光學異方性層、直線偏光鏡等)貼合之步驟，係任一者先進行均可。例如能夠藉由將複層膜的光學異方性層側之面與直線偏光鏡的一面貼合，隨後進行將第一基材剝離之步驟，來進行此種剝離步驟及貼合步驟。
在圓偏光板(ii)中，λ/4波長板的遲相軸、λ/2波長板的遲相軸及直線偏光鏡的透射軸之間的關係，係能夠設成已知的各式各樣的關係。例如，使用本發明的複層膜的光學異方性層作為λ/4波長板及λ/2波長板兩者時，係能夠設作以下的關係：λ/2波長板的遲相軸方向相對於偏光鏡的透射軸或吸收軸方向為15°或與其相近的角度(例如15°±5°、較佳為15°±4°、更佳為15°±3°)，λ/4波長板的遲相軸方向相對於偏光鏡的透射軸或吸收軸方向為75°或與其相近的角度(例如75°±5°、較佳為 75°±4°、更佳為75°±3°)。藉由具有此種態樣，能夠將圓偏光板用於有機EL顯示裝置使用的廣帶域抗反射薄膜。
與本發明相關之製品(如複層膜、圓偏光板、顯示裝置等)，其面內的光學軸(遲相軸、透射軸、吸收軸等)的方向及幾何學的方向(薄膜的長度方向及寬度方向等)之間的角度關係，係規定成將某方向的位移設為正，在其它方向的位移設為負，而且在該製品內的構成要素中係共同地規定正和負方向。例如，在某圓偏光板，所謂「λ/2波長板的遲相軸方向相對於直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向為15°，且λ/4波長板的遲相軸方向相對於直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向為75°」，係表示如下述的2種情況：
．從某一面觀察該圓偏光板時，λ/2波長板的遲相軸方向係從直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向順時針旋轉位移15°，且λ/4波長板的遲相軸方向係從直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向順時針旋轉位移75°。
．從某一面觀察該圓偏光板時，λ/2波長板的遲相軸方向係從直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向逆時針旋轉位移15°，且λ/4波長板的遲相軸方向係從直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向逆時針旋轉位移75°。
作為圓偏光板(i)之更具體的態樣，係可舉出如以下的關係之態樣：具有1層λ/4波長板作為光學異方性層，λ/4波長板的遲相軸方向相對於直線偏光鏡的透射軸或吸收軸方向為45°或與其相近的角度(例如45°±5°、較佳是45°±4°、更佳為45°±3°)。藉由具有此種態樣，能夠將圓偏光板用於作為 有機EL顯示裝置使用的抗反射薄膜。
所謂採用捲繞式之貼合，係指進行將薄膜從長條狀薄膜的捲物抽出等而連續地供給至薄膜進行搬運，且在搬運線上與其它薄膜貼含之步驟，而且將所得到的貼合物捲取而成為捲物的態樣之貼合。例如將直線偏光鏡與複層膜貼合時，係能夠藉由從長條狀複層膜的捲物抽出複層膜，將其搬運且在搬運線上與直線偏光鏡貼合之步驟，藉由將得到的貼合物捲取成捲物以進行捲繞式之貼合。此時，直線偏光鏡亦從捲物抽出而供給至貼合步驟。
參照第1圖以說明採用捲繞式進行貼合的例子。在第1圖，將從捲出捲物(未圖示)抽出的複層膜21搬運至貼合裝置120。貼合裝置120係具備以互相按壓的方式設置之夾輥121及122。將搬運至貼合裝置120之複層膜21送入前述的夾輥121與122之間。
又，將直線偏光鏡30供給至貼合裝置120。將所供給的直線偏光鏡30送入夾輥121與122之間且將其貼合至複層膜21。藉此，能夠得到具備複層膜21、及直線偏光鏡30之貼合物10。
將由此得到的貼合物10搬運至捲軸130且藉由捲軸130捲取成為捲物狀。藉此，能夠得到貼合物10的捲物11。藉由進行從該貼合物10的捲物進一步拉出貼合物，且將第一基材剝離之步驟，得到以捲繞式將光學異方性層與直線偏光鏡貼合而成之圓偏光板。
能夠使用習知用於液晶顯示裝置及其它光學裝置 等裝置的偏光鏡作為直線偏光鏡。直線偏光鏡的例子，可舉出藉使聚乙烯醇薄膜吸附碘或二色性染料之後，在硼酸浴中進行單軸延伸而得到者；及藉由使聚乙烯醇薄膜吸附碘或二色性染料且進行延伸，而且將分子鏈中的聚乙烯醇單位之一部分改性成為聚乙烯基(polyvinylene)單元而得到者。作為直線偏光鏡的其它例子，可舉出具有將偏光分離成反射光與透射的功能之偏光鏡，例如格柵偏光鏡、多層偏光鏡、膽固醇(Cholesteric)型液晶偏光鏡。該等之中，以含有聚乙烯醇之偏光鏡為佳。
當自然光入射至本發明所使用的偏光鏡時，只有一方的偏光透射。本發明使用的偏光鏡之偏光度沒有特別限定，以98%以上為佳，較佳為99%以上。偏光鏡的平均厚度較佳為5~80μm。
本發明的圓偏光板用途之一可舉將其作為具有有機EL元件之顯示裝置的抗反射薄膜。亦即，在顯示裝置的表面上，藉由將具有上述構成之圓偏光板設成以直線偏光鏡側的面朝向觀看側之方式，能夠抑制從裝置外部入射的光線在裝置內反射而往裝置外部射出，其結果，能夠抑制顯示裝置的顯示面減少產生不希望的閃耀等。具體而言，藉由從裝置外部入射後的光線，只有其一部分的直線偏光通過直線偏光鏡，其次該一部分的直線偏光係通過光學異方性層且成為圓偏光。在此所稱之圓偏光，係實質上在顯現抗反射功能之範圍時，亦包含橢圓偏光。圓偏光係藉由將裝置內的光線進行反射之構成要素(有機EL元件中的反射電極等)而被反射，而且再次通過光學異方性層而成為與入射後的直線偏光的偏光軸正交之方向具 有偏光軸之直線偏光，而不通過直線偏光鏡。藉此，能夠達成抗反射的功能。特別是以上所敘述的圓偏光板(ii)時，能夠達成在廣帶域的抗反射功能。因為光學異方性層中的異物等引起的缺陷較少，所以本發明的圓偏光板能夠特別良好地得到此種抗反射效果。又，針對光學異方性層的三維折射率(nx、ny、nz)之關係，例如能夠使用具有「nx>ny=nz」「nx>ny>nz」「nx>nz>ny」等的關係之光學異方性層。藉由具有三維折射率為「nx>nz>ny」的關係之光學異方性層，不僅是具有正面方向的抗反射功能，亦具有傾斜方向的抗反射功能。
必要時，本發明的圓偏光板亦可具有其它任意層。作為任意層的例子，可舉出用以與其它構件黏著之黏著層、使薄膜的滑性良好之接墊層、耐衝擊性聚甲基丙烯酸酯樹脂層等的硬塗層、抗反射層、防污層等。
[4.顯示裝置]
本發明的圓偏光板能夠用於作為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等顯示裝置的構成要素。特別是作為較佳態樣，本發明的有機EL顯示裝置係具有前述本發明的圓偏光板。具體而言，如以上所說明，本發明的有機EL顯示裝置，係在具有顯示元件的有機EL元件之顯示裝置具備本發明的圓偏光板作為抗反射薄膜。
[實施例]
以下，顯示實施例而具體地說明本發明，但是本發明係不被以下所說明的實施例限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，亦可任意地變更而實施。
在以下的說明，表示量之「%」及「份」，係只要未預先告知就是重量基準。又，以下說明的操作，係只要未預先告知就是在常溫及常壓的條件下進行。
[評價方法]
[第一基材及中間薄膜的遲相軸方向及配向角偏差之測定]
使用偏光顯微鏡(Olympus公司製、偏光顯微鏡BX51)，對薄膜的寬度方向以50mm的間隔進行測定配向角，將其平均值設作平均配向角(亦即遲相軸方向相對於寬度方向)，將配向角的最大值與配向角的最小值之差設作配向角偏差。
[測定第一基材及中間薄膜的Re、以及第一基材的Nz係數]
使用相位差計(AxoScan：Axometrics公司製)，於薄膜的寬度方向以50mm間隔測定在590nm測定Re及Nz係數，且將該等的平均值各自設為Re及Nz係數。
[光學異方性層的Re及遲相軸方向之測定]
在光學異方性層轉印在玻璃板而成之樣品，使用AxoScan(Axometrics公司製)以測定波長590nm進行測定。
[配向狀態的評價]
製造將光學異方性層轉印至玻璃板而成之樣品，且放置在2片直線偏光鏡(偏光鏡及檢光鏡)之間。此時，以從厚度方向觀看時，前述的直線偏光鏡，以互相的偏光透射軸為垂直之方式設定方向。又，以從厚度方向觀看時，以光學異方性層的遲相軸方向與直線偏光鏡的偏光透射軸平行或垂直之方式設定，使用日本分光公司製的分光光度計「V7200」及自動偏光 薄膜測定裝置「VAP-7070S」測定透射該樣品之光線透射率(正交尼科耳棱鏡透射率)，且以下述基準進行評價。
優：在底部的波長之正交尼科耳棱鏡透射率為0.010%以下。
良：在底部的波長之正交尼科耳棱鏡透射率為大於0.010%且0.020%以下。
可：在底部的波長之正交尼科耳棱鏡透射率為大於0.020%且0.030%以下。
不可：在底部的波長之正交尼科耳棱鏡透射率為大於0.030%。
[配向缺陷的評價]
將配向狀態評價所使用之相同的試品，切割成10平方公分的尺寸，使用偏光顯微鏡計算紋影缺陷的個數。根據1平方公分的樣品內之紋影缺陷的數目，採用以下的3階段來進行評價配向缺陷。
A：在1平方公分內之紋影缺陷的數目為10個以下。
B：在1平方公分內之紋影缺陷的數目為11個以上且20個以下。
C：在1平方公分內之紋影缺陷的數目為21個以上。
[光斑及異物的評價]
使用偏光顯微鏡觀察光學異方性層且計算在光學異方性層之光斑及異物，根據1平方公分的樣品內光斑．異物的數目，採用以下的4階段來進行評價。
SA：在1平方公分內之光斑的數目為0個。
A：在1平方公分內之光斑的數目為1個以上5個以下。
B：在1平方公分內之光斑的數目為6個以上且15個以下。
C：在1平方公分內之光斑的數目為16個以上。
[圓偏光板之目視觀察]
將圓偏光板放置在擴散反射板(商品名「Metalumy TS50」、TORAY公司製、鋁蒸鍍PET(聚對酞酸乙二酯)薄膜)上，基於以下的基準進行評價正面對比及視野角特性。
針對正面對比，係基於從正面(亦即，從對圓偏光板面為垂直之方向)目視觀察而觀察到的反射色來進行評價。反射色為特別黑時，評定為「A」(最佳)，為黑色時，評定為「B」(良)，反射色為明亮且變藍時，評定為「C」(不良)。
針對視野角特性，係基於從正面觀察時與從傾斜45°觀察時之反射色、明亮度、及顏色不均而進行評價。
從正面觀察時與從傾斜45°觀察時，在反射色及明亮度無變化且從傾斜45°觀察時，看不到顏色不均時，係評定為「A」(最佳)。
從正面觀察時與從傾斜45°觀察時，在反射色及明亮度無變化，而且從傾斜45°觀察時，幾乎未看到顏色不均時評定為「B」(良好)。
從正面觀察時與從傾斜45°觀察時，反射色及明亮度有變化，而且從傾斜45°觀察時，能夠微弱地看到顏色不均時，評定為「C」(不是良好但是可使用)。
從正面觀察時與從傾斜45°觀察時，在反射色及明亮度有變化且從傾斜45°觀察時，能夠清楚地能夠看到顏色不均時， 評定為「D」(不良)。
(製造例1：延伸前基材(A)的調製)
將熱塑性降莰烯樹脂的丸粒(日本ZEON股份公司製、商品名「ZEONOR 1420R」、Tg137℃)於100℃乾燥5小時。乾燥後的丸粒供給至擠製機且在擠製機內使其熔融，通過聚合物管路及聚合物過濾機且從T型模具在鑄件(casting)上擠製成為薄片狀，進行冷卻且邊使用遮蔽膜(Tredegar公司製、FF1025)保護邊捲取，來得到厚度100μm、寬度1490mm之延伸前基材(A)的捲物。
[製造例2：延伸前基材(B)的調製]
除了將熱塑性降莰烯樹脂丸粒變更成為另外的降莰烯樹脂丸粒(日本ZEON股份公司製、Tg126℃)以外，係與製造例1同樣地進行而得到厚度100μm、寬度1490mm之延伸前基材(B)的捲物。
[製造例3：延伸前基材(C)的調製]
除了將熱塑性降莰烯樹脂丸粒變更成為另外的降莰烯樹脂丸粒(日本ZEON股份公司製、Tg126℃)且除了變更T型模具以外，係與製造例1同樣地進行而得到厚度60μm、寬度1350mm之延伸前基材(C)的捲物。
[製造例4：延伸前基材(D)的調製]
除了將熱可塑性降莰烯樹脂丸粒變更成為另外的降莰烯樹脂丸粒(日本ZEON股份公司製、Tg126℃)且除了變更T型模具以外，係與製造例1同樣地進行而得到、厚度90μm、寬度1060mm之延伸前基材(D)的捲物。
[製造例5：液晶組成物(A)的調製]
將聚合性液晶化合物(商品名「LC242」BASF公司製、式(A1)表示之化合物)24.15份、界面活性劑(商品名「Ftergent FTX-209F」、NEOS公司製)0.12份、聚合起始劑(商品名「IRGACURE379」、BASF公司製)0.73重量份、及溶劑(甲基乙基酮)75.00份進行混合來調製液晶組成物」。
[製造例6：液晶組成物(B)的調製]
將式(B1)表示之逆波長分散聚合性液晶化合物21.25份、 界面活性劑(商品名「SURFLON S420」、AGC SEIMI CHEMICAL 公司製)0.11份、聚合起始劑(商品名「IRGACURE379」、BASF 公司製)0.64份、及溶劑(環戊酮、日本ZEON股份公司製)78.00 份混合，來調製液晶組成物。
[實施例1]
(1-1.第一基材的調製)
從製造例1所得到之延伸前基材(A)的捲物拉出延伸前基 材(A)，連續地將遮蔽膜剝離而供給至拉幅延伸機，來進行傾斜延伸。藉此，得到中間薄膜。在傾斜延伸之延伸倍率為1.9倍，延伸溫度係設為132℃，所得到的中間薄膜之平均配向角對寬度方向為25°，Re為360nm。
將所得到的中間薄膜進一步採用自由縱向單軸延伸進行延伸。自由縱向單軸延伸的延伸方向係設為薄膜搬運方向，延伸倍率係設為1.25倍，延伸溫度係設為129℃。
延伸後，將所基材薄膜寬度方向的兩端修剪而得到寬度1350mm之長條狀第一基材(A-1)。所得到之延伸基材的遲相軸係相對於寬度方向為45°，配向角偏差為0.5°，Nz係數為2.3，Re為141nm，膜厚為42μm。所得到的第一基材(A-1)係邊使用新的遮蔽膜(Tredegar公司製、FF 1025)邊捲取來得到第一基材(A-1)的捲物。
(1-2.液晶組成物層之形成)
從(1-1)所得到之第一基材(A-1)的捲物抽出第一基材(A-1) 及剝離遮蔽膜而搬運。於室溫25℃使用模塗佈機將製造例5 所得到的液晶組成物(A)直接塗佈在被搬運之第一基材(A-1)的 一面(貼合有遮蔽膜之側的面)而形成液晶組成物層。
藉由模塗佈機塗佈，係藉由搬運第一基材，使其表面接近被固定的模塗佈機之吐出口，且將液晶組成物(A)從模塗佈機吐出來進行。因而，模塗佈機對被搬運的第一基材(A-1)表面之相對的塗佈方向為長度方向(亦即對寬度方向為90°)。
(1-3.配向處理及聚合)
將(1-2)所得到之第一基材(A-1)上的液晶組成物層於110 ℃進行配向處理2.5分鐘。隨後，在氮氣環境下，對液晶組成物層照射累計光量100mJ/cm2(照射強度10mW/cm2照射時間10秒)以上的紫外線，使液晶組成物中的聚合性液晶化合物聚合而形成硬化液晶分子。藉此，得到乾燥膜厚1.1μm之水平配向的光學異方性層，而且得到具有(第一基材)/(光學異方性層)的層構成之複層膜。
(1-4.評價)
針對所得到之複層膜的光學異方性層，進行面內遲滯值的測定、遲相軸與寬度方向所構成的角度之測定、配向狀態的評價、配向缺陷的評價、以及光斑及異物的評價。
(實施例2)
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在將(1-1)之延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄膜之步驟，將延伸溫度設為133℃且亦變更延伸方向(延伸倍率沒有變更，為1.9倍)。所得到的中間薄膜，其平均配向角為23°，Re為325nm(隨後的自由縱向單軸延伸之上限係沒有變更)。
．在(1-3)，係將光學異方性層的乾燥膜厚變更成為2.2μm。
[實施例3]
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在將(1-1)之延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄膜之步驟，將延伸倍率設為2.0倍，將延伸溫度設為136℃且 亦變更延伸方向。所得到的中間薄膜之平均配向角係對寬度方向為30°，Re為450nm。
．在將(1-1)之採用自由縱向單軸延伸將中間薄膜進行延伸之步驟，將延伸倍率變更成為1.20倍，將延伸溫度變更成為132℃。
[實施例4]
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在將(1-1)之延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄膜之步驟，將延伸倍率設為3.0倍，將延伸溫度設為131℃且亦變更延伸方向。所得到的中間薄膜之平均配向角係對寬度方向為15°，Re為300nm。
．在將(1-1)之採用自由縱向單軸延伸將中間薄膜進行延伸之步驟，將延伸倍率變更成為1.40倍，(延伸溫度沒有變更而為129℃)。
[實施例5]
(5-1.第一基材的調製)
從製造例1所得到之延伸前基材(A)的捲物拉出延伸前基材(A)，連續地將遮蔽膜剝離且進行自由縱向單軸延伸而得到中間薄膜。自由縱向單軸延伸的延伸方向係設為薄膜搬運方向，延伸倍率為1.2倍，延伸溫度係設為140℃，所得到的中間薄膜之平均配向角相對於寬度方向為90°，Re為160nm。
將所得到的中間薄膜，進一步供給至拉幅延伸機且進行傾斜延伸。在傾斜延伸之延伸倍率為1.70倍，延伸溫度係設為 136℃。
延伸後，將基材薄膜寬度方向的兩端修剪而得到寬度1350mm之長條狀第一基材(A-1)。所得到之延伸基材的遲相軸相對於寬度方向為45°，配向角偏差為0.3°，Nz係數為1.6，Re為140nm，膜厚為49μm。
所得到的第一基材(A-1)係邊使用新的遮蔽膜(Tredegar公司製、FF 1025)邊捲取來得到第一基材(A-1)的捲物。
(5-2.複層薄膜的製造及評價)
除了使用(5-1)所得到者代替實施例1的(1-1)所得到者作為第一基材(A-1)的捲物，且將光學異方性層的乾燥膜厚變更成為1.5μm以外，係與實施例1的(1-2)~(1-4)同樣地進行而製造複層膜且進行評價。
[實施例6]
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在將(1-1)之延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄膜之步驟，將延伸倍率設為1.25倍，將延伸溫度設為135℃，且亦變更延伸方向。所得到的中間薄膜之平均配向角相對於寬度方向為15°，Re為140nm。
．在(1-1)之採用自由縱向單軸延伸將中間薄膜進行延伸之步驟，將延伸倍率設為1.60倍，將延伸溫度變更成為138℃。
．在(1-2)，使用在製造例6所得到的液晶組成物(B)代替液晶組成物(A)。
．在(1-3)，係將光學異方性層的乾燥膜厚變更成為2.2μm。
[實施例7]
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在(1-1)，使用製造例2所得到之延伸前基材(B)的捲物代替延伸前基材(A)的捲物。
．在(1-1)之將延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄膜之步驟，係將延伸倍率設為1.25倍，將延伸溫度設為135℃，且亦變更延伸方向。所得到的中間薄膜之平均配向角相對於寬度方向為45°，Re為140nm。
．在(1-1)之採用自由縱向單軸延伸將中間薄膜進行延伸之步驟，將延伸倍率設為1.40倍，將延伸溫度變更成為133℃。
．在(1-3)，係將光學異方性層的乾燥膜厚變更成為1.2μm。
(實施例8)
(8-1.第一基材的調製)
從製造例3所得到之延伸前基材(C)的捲物拉出延伸前基材(C)，連續地剝離遮蔽膜且提供至拉幅延伸機，並進行傾斜延伸。在傾斜延伸之延伸倍率為1.5倍，延伸溫度係設為142℃。
延伸後，將基材薄膜寬度方向的兩端修剪而得到寬度1350mm之長條狀第一基材(A-1)。所得到之延伸基材的遲相軸相對於寬度方向為15°，配向角偏差為0.7°，Nz係數為1.1，Re為141nm，膜厚為22μm。
所得到的第一基材(A-1)係邊使用新的遮蔽膜(Tredegar公司製、FF 1025)邊捲取來得到第一基材(A-1)的捲物。
(8-2.複層膜的製造及評價)
除了使用(8-1)所得到者代替實施例1(1-1)所得到者作為第一基材(A-1)的捲物以外，係與實施例1的(1-2)~(1-4)同樣地進行而製造複層膜且進行評價。
[實施例9]
(9-1.第一基材的調製)
從製造例4所得到之延伸前基材(D)的捲物拉出延伸前基材(D)，連續地將遮蔽膜剝離而提供至拉幅延伸機且進行傾斜延伸。在傾斜延伸之延伸倍率為1.96倍，延伸溫度係設為142℃。
延伸後，將基材薄膜寬度方向的兩端修剪而得到寬度1350mm之長條狀第一基材(A-1)。所得到之延伸基材的遲相軸相對於寬度方向為22.5°，配向角偏差為0.2°，Nz係數為1.35，Re為259nm，膜厚為43μm。
所得到的第一基材(A-1)係邊使用新的遮蔽膜(Tredegar公司製、FF 1025)邊捲取來得到第一基材(A-1)的捲物。
(9-2.複層膜的製造及評價)
除了使用(9-1)所得到者代替實施例1的(1-1)所得到者作為第一基材(A-1)的捲物以外，係與實施例1的(1-2)~(1-4)同樣地進行而製造複層膜且進行評價。
[比較例1]
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在(1-1)之將延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄 膜之步驟，係將延伸倍率設為3.0倍，將延伸溫度設為131℃，且亦變更延伸方向。所得到的中間薄膜之平均配向角相對於寬度方向為15°，Re為300nm。
．在(1-1)之採用自由縱向單軸延伸將中間薄膜進行延伸之步驟，將延伸倍率設為1.80倍，將延伸溫度變更成為128℃。
[比較例2]
除了以下的事項以外，係與實施例1同樣地操作且得到第一基材及複層膜而進行評價。
．在(1-1)之將延伸前基材(A)進行傾斜延伸而成為中間薄膜之步驟，係將延伸倍率設為1.5倍，將延伸溫度設為144℃，且亦變更延伸方向。所得到的中間薄膜之平均配向角相對於寬度方向為55°，Re為300nm。
．在(1-1)之採用自由縱向單軸延伸將中間薄膜進行延伸之步驟，將延伸倍率設為2.0倍，將延伸溫度變更成為145℃。
實施例1~9及比較例1~2的結果，如表1~表2。
[實施例10]
(10-1.圓偏光板的製造)
使用實施例1所得到之複層膜的光學異方性層作為λ/4波長板且製成圓偏光板。
首先，準備偏光薄膜(SANRITZ公司製、商品名「HLC2-5618S」、厚度180μm、在對寬度方向為0°的方向具有透射軸)作為長條狀直線偏光鏡。將該一方的面與實施例1所得到之複層膜的光學異方性層(亦即λ/4波長板)側之面貼合。貼合係透過黏著劑層(日東電工製、商品名「C59621」)而進行。藉此，得到具有(偏光鏡)/(黏著劑層)/(λ/4波長板)/(第一基材)的層構成之積層體(10-i)。
其次，將第一基材從積層體(10-i)剝離而得到具有(偏光鏡)/(黏著劑層)/(λ/4波長板)的層構成之圓偏光板。
該等貼合及剝離的操作，任一者均是在第1圖所例示之態樣採用捲繞式連續地進行。因而，貼合操作係在使任一長條狀薄膜的長度方向一致的狀態下進行。
所得到的圓偏光板的構成要素之光學軸，係具有下述的角度關係。亦即，從偏光鏡側之面觀察圓偏光板時，λ/4波長板的遲相軸係從偏光板的透射軸方向順時針旋轉位移45°。
(10-2.評價)
(10-1)將所得到的長條狀圓偏光板裁斷成適當的大小且目視觀察而進行評價。
[實施例11~12]
除了使用實施例5所得到的者(實施例11)、或實施例6所 得到者(實施例12)代替實施例1作為複層膜以外，係與實施例10的(10-1)同樣地操作而得到圓偏光板。
所得到之圓偏光板的構成要素之光學軸的角度關係與在實施例10所得到的圓偏光板相同。
將所得到之長條狀圓偏光板裁斷成為適當的大小且目視觀察而進行評價。
實施例10
實施例10~12之目視觀察的評價結果如表3所示。
[實施例13]
將在實施例12所製成之圓偏光板的λ/4波長板側的面、與反射板(商品名「Metalumy TS50」、TORAY公司製、鋁蒸鍍PET(聚對酞酸乙二酯)薄膜)的反射面貼合。貼合係透過黏著劑層(日東電工製、商品名「CS9621」)而進行。藉此，得到具有(偏光鏡)/(黏著劑層)/(λ/4波長板)/(黏著劑層)/(反射板)的層構成之評價用積層體(12-v)。
針對所得到的評價用積層體(12-v)，測定對偏光鏡側之面入射的光線的反射率。測定係使用分光光度計V7200與絕對反射率單元VAR7020(日本分光股份公司製)。在測定時，極角係使其在5°~60°的範圍內各式各樣地變化。又，方位角係設為在從偏光鏡側的面觀察圓偏光板時，從偏光板的透射 軸方向順時針旋轉0°、45°、90°、及135°。結果顯示如第2圖。
從表1~3及第2圖的結果，得知在本發明實施例，能夠製造因產生異物引起的缺陷及因配向規制力不足引起的缺陷較少之複層膜，而且能夠使用其而製造具有良好的性能之圓偏光板。

Claims (15)

  1. 一種複層膜，係具備：長條狀第一基材；及含有硬化液晶分子的光學異方性層，直接形成在前述第一基材上；前述第一基材之Nz係數為1.1~3.0，配向角偏差為1.0°以下，且具有藉由延伸所產生的配向規制力，而且前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為0°以上且小於90°。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為40°~80°。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之複層膜，其中前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為55°~80°。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述第一基材係具有正的固有雙折射性之樹脂的薄膜。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述第一基材係含有含脂環式結構的聚合物之樹脂的薄膜。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述第一基材係藉由包含1次以上的傾斜延伸之延伸步驟延伸而成之延伸膜。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述光學異方性層係具有逆波長分散性。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述光學異方性層為λ/4波長板。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述光學異方性層為λ/2波長板。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述光學異方性層的厚度為5μm以下。
  11. 一種光學異方性積層體，係將光學異方性層從如申請專利範圍第1項所述之複層膜剝離，將前述光學異方性層貼合在長條狀第二基材而成。
  12. 一種圓偏光板，係採用捲繞式將光學異方性層與長條狀直線偏光鏡貼合而成之圓偏光板，前述光學異方性層係從如申請專利範圍第1項所述之複層膜剝離而成之層。
  13. 一種有機電激發光顯示裝置，係具備如申請專利範圍第12項所述之圓偏光板。
  14. 一種製造方法，係如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之複層膜之製造方法，包含以下步驟：步驟(I)，其係將條狀第一基材於長度方向抽出之步驟，前述第一基材之Nz係數為1.1~3.0、配向角偏差為1.0°以下，具有藉由延伸而產生的配向規制力，而且前述第一基材的遲相軸與前述第一基材的寬度方向之構成角度為0°以上且小於90°；步驟(II)，其係在經抽出之前述第一基材的表面上，直接塗佈含有聚合性液晶化合物之液晶組成物而得到液晶組成物 層；步驟(III)，其係使前述液晶組成物層中的前述聚合性液晶化合物配向；及步驟(IV)，其係使前述聚合性液晶化合物聚合，形成硬化液晶分子。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之複層膜的製造方法，其中前述液晶組成物的塗佈方向、與前述聚合性液晶化合物的配向方向為不同。
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