JP2002006322A - 液晶表示装置のラビング方法および液晶表示装置ならびにラビング装置 - Google Patents
液晶表示装置のラビング方法および液晶表示装置ならびにラビング装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示品位の優れた液晶表示装置およびその製
造方法ならびに配向膜を均一にラビングすることができ
るラビング装置を提供する。 【解決手段】 本発明のラビング方法は、配向膜が基板
上に配置された表示電極の両端を除いて全体を覆うよう
に配置されて基板と共にステージに置かれ、基板のラビ
ングローラに対する相対移動方向に対してラビングロー
ラが斜めに配置される斜めラビング方式によって基板の
上に形成された配向膜をラビングする方法であって、基
板の相対移動方向に対してラビングローラの軸が直交す
る位置からのラビングローラのずらし角θ（|θ|＜９０
°）が時計回りを正方向としてθ＞０であるときに、基
板の相対移動方向に対して左側の配向膜の辺近傍のラビ
ング強度が低下するようにラビングを行う一方、θ＜０
であるときに、基板の相対移動方向に対して右側の配向
膜の辺近傍のラビング強度が低下するようにラビングを
行う。
造方法ならびに配向膜を均一にラビングすることができ
るラビング装置を提供する。 【解決手段】 本発明のラビング方法は、配向膜が基板
上に配置された表示電極の両端を除いて全体を覆うよう
に配置されて基板と共にステージに置かれ、基板のラビ
ングローラに対する相対移動方向に対してラビングロー
ラが斜めに配置される斜めラビング方式によって基板の
上に形成された配向膜をラビングする方法であって、基
板の相対移動方向に対してラビングローラの軸が直交す
る位置からのラビングローラのずらし角θ（|θ|＜９０
°）が時計回りを正方向としてθ＞０であるときに、基
板の相対移動方向に対して左側の配向膜の辺近傍のラビ
ング強度が低下するようにラビングを行う一方、θ＜０
であるときに、基板の相対移動方向に対して右側の配向
膜の辺近傍のラビング強度が低下するようにラビングを
行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のラ
ビング方法および液晶表示装置ならびにラビング装置に
関する。
ビング方法および液晶表示装置ならびにラビング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】画面サイズおよび画素数に関して液晶表
示装置とＣＲＴとを比較するとＣＲＴが有利であるが、
装置の重量および体積に関しては液晶表示装置がＣＲＴ
よりもはるかに有利である。従って液晶表示装置は、携
帯性に優れた製品分野に位置することができた。現在ノ
ート型パソコンやワープロに用いられる液晶表示装置
は、画面サイズ１０〜１２インチサイズ程度で６４０×
４８０ドット、または６００×８００ドットの画素数を
有する。このような液晶表示装置は優れた表示を行うこ
とができる。
示装置とＣＲＴとを比較するとＣＲＴが有利であるが、
装置の重量および体積に関しては液晶表示装置がＣＲＴ
よりもはるかに有利である。従って液晶表示装置は、携
帯性に優れた製品分野に位置することができた。現在ノ
ート型パソコンやワープロに用いられる液晶表示装置
は、画面サイズ１０〜１２インチサイズ程度で６４０×
４８０ドット、または６００×８００ドットの画素数を
有する。このような液晶表示装置は優れた表示を行うこ
とができる。
【０００３】近年、液晶表示装置の大画面化および高精
細化に伴い、表示の均一化が要求されている。表示の均
一性は、液晶分子の並び方の指標となる配向の均一性
と、液晶層を挟持する基板間のギャップの均一性とによ
り決定される。現在、液晶分子の配向を制御する方法と
してラビング方法が主流となっている。ラビング方法
は、高分子膜を塗布した基板面を、レーヨンなどの布が
巻きつけられたラビングローラで擦る方法である。
細化に伴い、表示の均一化が要求されている。表示の均
一性は、液晶分子の並び方の指標となる配向の均一性
と、液晶層を挟持する基板間のギャップの均一性とによ
り決定される。現在、液晶分子の配向を制御する方法と
してラビング方法が主流となっている。ラビング方法
は、高分子膜を塗布した基板面を、レーヨンなどの布が
巻きつけられたラビングローラで擦る方法である。
【０００４】ラビング角度調整によるラビング装置の形
態には、図８（ａ）に示される斜めラビング方式（ラビ
ングローラ角度可変方式）および図８（ｂ）に示される
直交ラビング方式（基板角度可変方式）がある。本明細
書において、「斜めラビング方式」とは、ステージ５２
に支持された基板２のラビングローラ３０に対する相対
移動方向Ｘに対して、ラビングローラ３０が斜めに配置
されてラビングが行われる方式、すなわち、ラビング方
向Ｒに対して基板２を斜めに移動させながらラビングを
行う方式を意味する。これに対して「直交ラビング方
式」とは、基板２とラビングローラ３０との相対移動方
向Ｘに対して、ラビングローラ３０が直角に配置されて
ラビングが行われる方式、すなわち、ラビング方向Ｒと
平行な方向に基板２を移動させながらラビングを行う方
式をいう。図８（ａ）に示される斜めラビング方式によ
ると、ラビングローラ３０の基板接触面全域でラビング
布が均一接触するために、布の磨耗が均一になり安定し
た状態を長持ちさせることができるという利点がある。
これに対して図８（ｂ）に示される直交ラビング方式で
は、ラビングローラ３０の基板接触面の中央と両端では
ラビング布の磨耗度が異なり、ラビング状態の不均一に
つながり、ラビング布の交換頻度が多くなる。
態には、図８（ａ）に示される斜めラビング方式（ラビ
ングローラ角度可変方式）および図８（ｂ）に示される
直交ラビング方式（基板角度可変方式）がある。本明細
書において、「斜めラビング方式」とは、ステージ５２
に支持された基板２のラビングローラ３０に対する相対
移動方向Ｘに対して、ラビングローラ３０が斜めに配置
されてラビングが行われる方式、すなわち、ラビング方
向Ｒに対して基板２を斜めに移動させながらラビングを
行う方式を意味する。これに対して「直交ラビング方
式」とは、基板２とラビングローラ３０との相対移動方
向Ｘに対して、ラビングローラ３０が直角に配置されて
ラビングが行われる方式、すなわち、ラビング方向Ｒと
平行な方向に基板２を移動させながらラビングを行う方
式をいう。図８（ａ）に示される斜めラビング方式によ
ると、ラビングローラ３０の基板接触面全域でラビング
布が均一接触するために、布の磨耗が均一になり安定し
た状態を長持ちさせることができるという利点がある。
これに対して図８（ｂ）に示される直交ラビング方式で
は、ラビングローラ３０の基板接触面の中央と両端では
ラビング布の磨耗度が異なり、ラビング状態の不均一に
つながり、ラビング布の交換頻度が多くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、斜めラ
ビング方式によるラビング処理を行った配向膜を液晶表
示装置に使用すると、配向膜の特定の辺近傍（端部領
域）でしきい値電圧が高くなり、高精細での中間調表示
においてムラとなって表示されるという課題があった。
ビング方式によるラビング処理を行った配向膜を液晶表
示装置に使用すると、配向膜の特定の辺近傍（端部領
域）でしきい値電圧が高くなり、高精細での中間調表示
においてムラとなって表示されるという課題があった。
【０００６】以下に従来の斜めラビング方式によるラビ
ング方法について、図９および図１０を参照して説明す
る。図９は従来のラビング装置６０を示す平面図であ
り、図１０は図９のＥ−Ｅ’ 線の端面図である。
ング方法について、図９および図１０を参照して説明す
る。図９は従来のラビング装置６０を示す平面図であ
り、図１０は図９のＥ−Ｅ’ 線の端面図である。
【０００７】図９および図１０に示されるように、ＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）からなる表示電極４の上にポ
リイミドなどからなる配向膜５６が形成されたガラス基
板２を、ラビング装置６０のステージ５２上に配置す
る。基板２の移動方向Ｘに対して斜めに配置されたラビ
ングローラ３０を、ラビングローラ３０の基板接触面側
における回転方向が例えば相対移動方向Ｘと同じになる
ように（図９の矢印Ｙ方向）回転させながら配向膜５６
を擦ってラビングを行う。上述のように斜めラビングを
行うと、配向膜５６の辺５５近傍部でしきい値電圧が高
くなり、高精細での中間調表示においてムラとなって表
示される。
Ｏ（インジウム錫酸化物）からなる表示電極４の上にポ
リイミドなどからなる配向膜５６が形成されたガラス基
板２を、ラビング装置６０のステージ５２上に配置す
る。基板２の移動方向Ｘに対して斜めに配置されたラビ
ングローラ３０を、ラビングローラ３０の基板接触面側
における回転方向が例えば相対移動方向Ｘと同じになる
ように（図９の矢印Ｙ方向）回転させながら配向膜５６
を擦ってラビングを行う。上述のように斜めラビングを
行うと、配向膜５６の辺５５近傍部でしきい値電圧が高
くなり、高精細での中間調表示においてムラとなって表
示される。
【０００８】一方、ラビングローラ３０を図９のラビン
グローラ３０αのように配置して上記と同様にラビング
を行うと、配向膜５６の辺５７近傍部でしきい値電圧が
高くなり、高精細での中間調表示においてムラとなって
表示される。
グローラ３０αのように配置して上記と同様にラビング
を行うと、配向膜５６の辺５７近傍部でしきい値電圧が
高くなり、高精細での中間調表示においてムラとなって
表示される。
【０００９】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、表示品位の優れた液晶表示装
置のラビング方法および液晶表示装置ならびにラビング
装置を提供することを目的とする。
めになされたものであり、表示品位の優れた液晶表示装
置のラビング方法および液晶表示装置ならびにラビング
装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】従来の斜めラビング方式
によるラビングを行った場合に、配向膜の特定の辺近傍
においてしきい値電圧が上昇し、表示むらが発生するの
は、配向膜面内において上記特定の辺近傍のラビング強
度が部分的に高いことが原因であると考えられる。な
お、本明細書において、「しきい値電圧」とは、液晶表
示装置の電圧−透過率特性における相対透過率が例えば
５０％の時の電圧を意味する。しきい値電圧が液晶表示
装置の基板面内で均一であれば、均一でむらのない表示
を行うことができる。一般にラビング強度を高くすると
しきい値電圧が上昇し、ラビング強度を低くするとしき
い値電圧が低下する。
によるラビングを行った場合に、配向膜の特定の辺近傍
においてしきい値電圧が上昇し、表示むらが発生するの
は、配向膜面内において上記特定の辺近傍のラビング強
度が部分的に高いことが原因であると考えられる。な
お、本明細書において、「しきい値電圧」とは、液晶表
示装置の電圧−透過率特性における相対透過率が例えば
５０％の時の電圧を意味する。しきい値電圧が液晶表示
装置の基板面内で均一であれば、均一でむらのない表示
を行うことができる。一般にラビング強度を高くすると
しきい値電圧が上昇し、ラビング強度を低くするとしき
い値電圧が低下する。
【００１１】従って、本発明の液晶表示装置のラビング
方法は、一対の配向膜によって液晶層を挟持してなる液
晶表示装置の前記配向膜をラビングするにあたり、前記
配向膜は基板上に配置された表示電極の両端を除いて全
体を覆うように配置されて前記基板と共にステージに置
かれ、前記基板のラビングローラに対する相対移動方向
に対して前記ラビングローラが斜めに配置される斜めラ
ビング方式によって前記基板の上に形成された前記配向
膜をラビングする方法であって、前記基板の相対移動方
向に対して前記ラビングローラの軸が直交する位置から
の前記ラビングローラのずらし角θ（|θ|＜９０°）が
時計回りを正方向として、θ＞０であるときに、前記基
板の相対移動方向に対して左側の前記配向膜の辺近傍の
ラビング強度が低下するようにラビングを行う一方、θ
＜０であるときに、前記基板の相対移動方向に対して右
側の前記配向膜の辺近傍のラビング強度が低下するよう
にラビングを行うことを特徴とする。このような本発明
の液晶表示装置のラビング方法によると、従来の斜めラ
ビング方式によるラビングを行った場合に、ラビング強
度が部分的に強いためにしきい値電圧が高くなり、表示
むらが生じていた配向膜の特定の返近傍において、ラビ
ング強度を弱めることができる。従って配向膜の面内に
おいて実質的に均一なラビング強度でラビングすること
ができるので、配向膜の面内において同等のしきい値電
圧を得ることができる。よって、均一で表示むらのない
高い表示品位を有する液晶表示装置を容易に製造するこ
とができる。
方法は、一対の配向膜によって液晶層を挟持してなる液
晶表示装置の前記配向膜をラビングするにあたり、前記
配向膜は基板上に配置された表示電極の両端を除いて全
体を覆うように配置されて前記基板と共にステージに置
かれ、前記基板のラビングローラに対する相対移動方向
に対して前記ラビングローラが斜めに配置される斜めラ
ビング方式によって前記基板の上に形成された前記配向
膜をラビングする方法であって、前記基板の相対移動方
向に対して前記ラビングローラの軸が直交する位置から
の前記ラビングローラのずらし角θ（|θ|＜９０°）が
時計回りを正方向として、θ＞０であるときに、前記基
板の相対移動方向に対して左側の前記配向膜の辺近傍の
ラビング強度が低下するようにラビングを行う一方、θ
＜０であるときに、前記基板の相対移動方向に対して右
側の前記配向膜の辺近傍のラビング強度が低下するよう
にラビングを行うことを特徴とする。このような本発明
の液晶表示装置のラビング方法によると、従来の斜めラ
ビング方式によるラビングを行った場合に、ラビング強
度が部分的に強いためにしきい値電圧が高くなり、表示
むらが生じていた配向膜の特定の返近傍において、ラビ
ング強度を弱めることができる。従って配向膜の面内に
おいて実質的に均一なラビング強度でラビングすること
ができるので、配向膜の面内において同等のしきい値電
圧を得ることができる。よって、均一で表示むらのない
高い表示品位を有する液晶表示装置を容易に製造するこ
とができる。
【００１２】配向膜の特定の辺近傍のラビング強度が低
下するようにラビングを行うためには、例えば、前記ず
らし角θが、θ＞０であるときに、前記基板の相対移動
方向に対して左側の前記配向膜の辺近傍直下の前記基板
を凹状に変形しながらラビングを行う一方、θ＜０であ
るときに、前記基板の相対移動方向に対して右側の前記
配向膜の辺近傍直下の前記基板を凹状に変形しながらラ
ビングを行うことが好ましい。
下するようにラビングを行うためには、例えば、前記ず
らし角θが、θ＞０であるときに、前記基板の相対移動
方向に対して左側の前記配向膜の辺近傍直下の前記基板
を凹状に変形しながらラビングを行う一方、θ＜０であ
るときに、前記基板の相対移動方向に対して右側の前記
配向膜の辺近傍直下の前記基板を凹状に変形しながらラ
ビングを行うことが好ましい。
【００１３】基板を凹状に変形しながらラビングを行う
ためには、例えば、ラビング中に前記基板を吸着して支
持するステージの表面に凹部を設けることにより、前記
基板を凹状に変形しながらラビングを行うことが好まし
い。
ためには、例えば、ラビング中に前記基板を吸着して支
持するステージの表面に凹部を設けることにより、前記
基板を凹状に変形しながらラビングを行うことが好まし
い。
【００１４】本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板
の前記液晶層側に設けられ前記液晶層に電圧を印加する
ための一対の電極と、前記一対の電極上に形成されて前
記液晶層の液晶分子を配向させる一対の配向膜とを有
し、前記配向膜が、ラビング方向に対して前記基板を斜
めに移動させながらラビングを行う斜めラビング方式に
よってラビングされた液晶表示装置であって、前記液晶
分子を前記ラビング方向に束縛する配向規制力が前記配
向膜の面内で実質的に均一であることを特徴とする。従
って、液晶分子をラビング方向に束縛する配向規制力が
配向膜の面内で実質的に均一であるので、均一で表示む
らのない優れた表示品位の液晶表示装置を提供すること
ができる。
前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板
の前記液晶層側に設けられ前記液晶層に電圧を印加する
ための一対の電極と、前記一対の電極上に形成されて前
記液晶層の液晶分子を配向させる一対の配向膜とを有
し、前記配向膜が、ラビング方向に対して前記基板を斜
めに移動させながらラビングを行う斜めラビング方式に
よってラビングされた液晶表示装置であって、前記液晶
分子を前記ラビング方向に束縛する配向規制力が前記配
向膜の面内で実質的に均一であることを特徴とする。従
って、液晶分子をラビング方向に束縛する配向規制力が
配向膜の面内で実質的に均一であるので、均一で表示む
らのない優れた表示品位の液晶表示装置を提供すること
ができる。
【００１５】本発明のラビング装置は、配向膜を表面に
有する基板を吸着して支持するステージと、前記ステー
ジ上に設置されたラビングローラと、前記ステージを前
記ラビングローラに対して相対的に移動させるための搬
送機構とを有し、前記ステージの相対移動方向に対して
前記ラビングローラが斜めに配置される斜めラビング方
式のラビング装置であって、前記ステージが、前記相対
移動方向と平行な前記配向膜のいずれか一方の辺であっ
て、前記配向膜の外から内向きにラビングされる前記配
向膜の前記相対移動方向と平行な辺近傍のラビング強度
を低下させるように、前記ステージがその相対移動方向
に伸びることを特徴とする。このようなラビング装置に
よると、従来の斜めラビング方式のラビング装置を用い
て配向膜のラビングを行った場合に、ラビング強度が部
分的に強いためにしきい値電圧が高くなり、表示むらが
生じていた配向膜の特定の辺近傍において、ラビング強
度を弱めることができる。従って配向膜面内にわたって
実質的に均一なラビング強度でラビングすることができ
るラビング装置を提供することができる。
有する基板を吸着して支持するステージと、前記ステー
ジ上に設置されたラビングローラと、前記ステージを前
記ラビングローラに対して相対的に移動させるための搬
送機構とを有し、前記ステージの相対移動方向に対して
前記ラビングローラが斜めに配置される斜めラビング方
式のラビング装置であって、前記ステージが、前記相対
移動方向と平行な前記配向膜のいずれか一方の辺であっ
て、前記配向膜の外から内向きにラビングされる前記配
向膜の前記相対移動方向と平行な辺近傍のラビング強度
を低下させるように、前記ステージがその相対移動方向
に伸びることを特徴とする。このようなラビング装置に
よると、従来の斜めラビング方式のラビング装置を用い
て配向膜のラビングを行った場合に、ラビング強度が部
分的に強いためにしきい値電圧が高くなり、表示むらが
生じていた配向膜の特定の辺近傍において、ラビング強
度を弱めることができる。従って配向膜面内にわたって
実質的に均一なラビング強度でラビングすることができ
るラビング装置を提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１〜図４、図６および図７を参
照しながら本発明の液晶表示装置のラビング方法および
ラビング装置を説明する。図１、図２および図６は本発
明のラビング装置１２０を示す平面図である。図２は特
に図１のニップ幅３０Ｋを説明するための図である。図
３は図１のＡ−Ａ’線の端面図、図４は図１のＢ−Ｂ’
線の端面図であり、図７は図６のＣ−Ｃ’線の端面図で
ある。
照しながら本発明の液晶表示装置のラビング方法および
ラビング装置を説明する。図１、図２および図６は本発
明のラビング装置１２０を示す平面図である。図２は特
に図１のニップ幅３０Ｋを説明するための図である。図
３は図１のＡ−Ａ’線の端面図、図４は図１のＢ−Ｂ’
線の端面図であり、図７は図６のＣ−Ｃ’線の端面図で
ある。
【００１７】図１、図３、図６および図７に示されるよ
うに、本発明の斜めラビング方式のラビング装置１２０
は、配向膜６を表面に有する基板２を吸着して支持する
ステージ３２と、ステージ３２上に設置されたラビング
ローラ３０と、ステージ３２をラビングローラ３０に対
して相対的に移動させるための搬送機構（不図示）とを
有する。ラビングローラ３０は例えば図４に示されるよ
うに、回転ローラ３４の表面にラビング布３８が両面テ
ープ３６によって貼り付けられて形成されている。
うに、本発明の斜めラビング方式のラビング装置１２０
は、配向膜６を表面に有する基板２を吸着して支持する
ステージ３２と、ステージ３２上に設置されたラビング
ローラ３０と、ステージ３２をラビングローラ３０に対
して相対的に移動させるための搬送機構（不図示）とを
有する。ラビングローラ３０は例えば図４に示されるよ
うに、回転ローラ３４の表面にラビング布３８が両面テ
ープ３６によって貼り付けられて形成されている。
【００１８】配向膜６は、図１および図６に示されるよ
うに基板２上に配置された表示電極４の両端を除いて全
体を覆うように配置されて基板２と共にステージ３２に
置かれる。基板２のラビングローラ３０に対する相対移
動方向Ｘに対して斜めに配置されたラビングローラ３０
を回転させながら基板２上の配向膜６を擦り、ラビング
を行う。
うに基板２上に配置された表示電極４の両端を除いて全
体を覆うように配置されて基板２と共にステージ３２に
置かれる。基板２のラビングローラ３０に対する相対移
動方向Ｘに対して斜めに配置されたラビングローラ３０
を回転させながら基板２上の配向膜６を擦り、ラビング
を行う。
【００１９】本発明では特に、基板２の相対移動方向Ｘ
と平行な配向膜６の辺のいずれか一方の辺であって、配
向膜６の外から内向き（図２および図６のＺ方向）にラ
ビングされる配向膜６の相対移動方向Ｘと平行な辺近傍
のラビング強度が低下するようにラビングを行うことに
特徴を有する。
と平行な配向膜６の辺のいずれか一方の辺であって、配
向膜６の外から内向き（図２および図６のＺ方向）にラ
ビングされる配向膜６の相対移動方向Ｘと平行な辺近傍
のラビング強度が低下するようにラビングを行うことに
特徴を有する。
【００２０】具体的には図１、図２および図３に示され
るように、基板２の相対移動方向Ｘに対してラビングロ
ーラ３０の軸３０Ａが直交する位置３０Ｒからのラビン
グローラのずらし角θ（|θ|＜９０°、時計回りを正方
向とする）がθ＞０である場合には、基板２の相対移動
方向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍直下の基板
２に凹部１が形成されるように、基板２を吸着して支持
するステージ３２に、ステージ３２の相対移動方向Ｘに
伸びる凹部３１を設ける。このようにして、ラビングロ
ーラのずらし角θがθ＞０である場合には、基板２の相
対移動方向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラ
ビング強度が低下するようにラビングを行う。
るように、基板２の相対移動方向Ｘに対してラビングロ
ーラ３０の軸３０Ａが直交する位置３０Ｒからのラビン
グローラのずらし角θ（|θ|＜９０°、時計回りを正方
向とする）がθ＞０である場合には、基板２の相対移動
方向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍直下の基板
２に凹部１が形成されるように、基板２を吸着して支持
するステージ３２に、ステージ３２の相対移動方向Ｘに
伸びる凹部３１を設ける。このようにして、ラビングロ
ーラのずらし角θがθ＞０である場合には、基板２の相
対移動方向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラ
ビング強度が低下するようにラビングを行う。
【００２１】また図６および図７に示されるように、基
板２の相対移動方向Ｘに対して上記ラビングローラのず
らし角θがθ＜０である場合には、基板２の相対移動方
向Ｘに対して右側の配向膜６の辺６Ｒ近傍直下の基板２
に凹部３が形成されるように、ステージ３２にステージ
３２の相対移動方向Ｘに伸びる凹部３３を設ける。この
ようにして、ラビングローラのずらし角θがθ＜０であ
る場合には、基板２の相対移動方向Ｘに対して右側の配
向膜６の辺６Ｒ近傍のラビング強度が低下するようにラ
ビングを行う。
板２の相対移動方向Ｘに対して上記ラビングローラのず
らし角θがθ＜０である場合には、基板２の相対移動方
向Ｘに対して右側の配向膜６の辺６Ｒ近傍直下の基板２
に凹部３が形成されるように、ステージ３２にステージ
３２の相対移動方向Ｘに伸びる凹部３３を設ける。この
ようにして、ラビングローラのずらし角θがθ＜０であ
る場合には、基板２の相対移動方向Ｘに対して右側の配
向膜６の辺６Ｒ近傍のラビング強度が低下するようにラ
ビングを行う。
【００２２】上述の本発明のラビング方法によると、従
来の斜めラビング方法を行った場合に部分的にラビング
強度が上昇していた配向膜の特定の辺近傍において、ラ
ビング強度を低下させることができるので、配向膜６面
内にわたって実質的に均一な強度でラビングすることが
できる。従って配向膜全体にわたって同等のしきい値電
圧を得ることができ、均一でむらのない高い表示品位を
有する液晶表示装置を提供することができる。
来の斜めラビング方法を行った場合に部分的にラビング
強度が上昇していた配向膜の特定の辺近傍において、ラ
ビング強度を低下させることができるので、配向膜６面
内にわたって実質的に均一な強度でラビングすることが
できる。従って配向膜全体にわたって同等のしきい値電
圧を得ることができ、均一でむらのない高い表示品位を
有する液晶表示装置を提供することができる。
【００２３】なお本発明において、配向膜の特定の辺近
傍のラビング強度を低下させる方法は上記の方法に限定
されることはない。例えばラビング装置のステージ３２
端部を反らせて、配向膜の上記特定の辺近傍のラビング
強度を低下させてもよい。
傍のラビング強度を低下させる方法は上記の方法に限定
されることはない。例えばラビング装置のステージ３２
端部を反らせて、配向膜の上記特定の辺近傍のラビング
強度を低下させてもよい。
【００２４】以下に上述の本発明のラビング方法によっ
て配向膜が均一な強度でラビングされる理由について説
明する。
て配向膜が均一な強度でラビングされる理由について説
明する。
【００２５】図２に示されるように、回転するラビング
ローラ３０の表面に設けられたラビング布３８の毛先は
配向膜６を有する基板２に対してある一定の幅（以下
「ニップ幅」と称する）３０Ｋで接し、このニップ幅３
０Ｋを基板２が移動することで配向膜６のラビング処理
が行われる。基板２の相対移動方向Ｘと平行な配向膜６
の辺のいずれか一方の辺であって、配向膜６の外から内
向きにラビングされる配向膜６の上記相対移動方向Ｘと
平行な辺近傍、すなわち配向膜６の辺６Ｌ（図１および
図２参照）近傍および配向膜６の辺６Ｒ（図６参照）近
傍は、ニップ幅３０Ｋにおいてラビングローラ３０の領
域３０Ｇと領域３０Ｈとによって擦られる。ラビングロ
ーラ３０の回転に伴ってラビングローラ３０の領域３０
Ｈは配向膜６を連続的に擦るが、領域３０Ｇは配向膜６
と表示電極４との両方を交互に擦る。
ローラ３０の表面に設けられたラビング布３８の毛先は
配向膜６を有する基板２に対してある一定の幅（以下
「ニップ幅」と称する）３０Ｋで接し、このニップ幅３
０Ｋを基板２が移動することで配向膜６のラビング処理
が行われる。基板２の相対移動方向Ｘと平行な配向膜６
の辺のいずれか一方の辺であって、配向膜６の外から内
向きにラビングされる配向膜６の上記相対移動方向Ｘと
平行な辺近傍、すなわち配向膜６の辺６Ｌ（図１および
図２参照）近傍および配向膜６の辺６Ｒ（図６参照）近
傍は、ニップ幅３０Ｋにおいてラビングローラ３０の領
域３０Ｇと領域３０Ｈとによって擦られる。ラビングロ
ーラ３０の回転に伴ってラビングローラ３０の領域３０
Ｈは配向膜６を連続的に擦るが、領域３０Ｇは配向膜６
と表示電極４との両方を交互に擦る。
【００２６】上記配向膜６の特定の辺（図１および図２
の配向膜６の辺６Ｌおよび図６の配向膜６の辺６Ｒ）近
傍は基板２の移動に伴って、ラビングローラ３０の領域
３０Ｈで擦られた後に、表示電極４と配向膜６とを交互
に擦る領域３０Ｇで擦られるので、最終的に得られる上
記配向膜６の特定の辺近傍にはラビングローラ３０の領
域３０Ｇによって擦られたラビング状態が残る。ラビン
グローラ３０の領域３０Ｈは、配向膜６を擦ったときに
生じる塵埃をラビング布３８に付着したまま連続的に配
向膜６を擦るが、領域３０Ｇは表示電極４を擦るときに
上記塵埃がラビング布３８から落ちた状態で配向膜６を
擦る。塵埃が落ちたラビング布３８で配向膜６が擦られ
ると、塵埃が付着したラビング布で擦られるよりもラビ
ング強度が上昇してしまう。上記配向膜６の特定の辺近
傍には、ラビングローラ３０の領域３０Ｇによってラビ
ングされた状態が最終的に残るので、従来の斜めラビン
グ方法によると、上記配向膜６の特定の辺近傍における
ラビング強度が他の部分よりも高くなってしまう。
の配向膜６の辺６Ｌおよび図６の配向膜６の辺６Ｒ）近
傍は基板２の移動に伴って、ラビングローラ３０の領域
３０Ｈで擦られた後に、表示電極４と配向膜６とを交互
に擦る領域３０Ｇで擦られるので、最終的に得られる上
記配向膜６の特定の辺近傍にはラビングローラ３０の領
域３０Ｇによって擦られたラビング状態が残る。ラビン
グローラ３０の領域３０Ｈは、配向膜６を擦ったときに
生じる塵埃をラビング布３８に付着したまま連続的に配
向膜６を擦るが、領域３０Ｇは表示電極４を擦るときに
上記塵埃がラビング布３８から落ちた状態で配向膜６を
擦る。塵埃が落ちたラビング布３８で配向膜６が擦られ
ると、塵埃が付着したラビング布で擦られるよりもラビ
ング強度が上昇してしまう。上記配向膜６の特定の辺近
傍には、ラビングローラ３０の領域３０Ｇによってラビ
ングされた状態が最終的に残るので、従来の斜めラビン
グ方法によると、上記配向膜６の特定の辺近傍における
ラビング強度が他の部分よりも高くなってしまう。
【００２７】一方、配向膜の上記特定の辺にそれぞれ対
向し、配向膜６の内から外向きにラビングされる配向膜
６の辺近傍、すなわち、図２の配向膜６の辺６Ｌに対向
する辺近傍および図４の配向膜６の辺６Ｒに対向する辺
近傍は、ラビングローラ３０の領域３０Ｈと領域３０Ｉ
とによって擦られる。ラビングローラ３０の回転に伴っ
てラビングローラ３０の領域３０Ｉは上述したように配
向膜６を連続的に擦るが、領域３０Ｈは配向膜６と電極
端子４との両方を連続的に擦る。上記辺近傍は、基板１
０の移動に伴ってラビングローラ３０の領域３０Ｉで擦
られた後に、配向膜を連続的に擦る領域３０Ｈで擦られ
る。従って、配向膜の上記辺近傍にはラビングローラ３
０の領域３０Ｈによってラビングされた状態が最終的に
残るので、ラビング強度が部分的に上昇することはな
い。
向し、配向膜６の内から外向きにラビングされる配向膜
６の辺近傍、すなわち、図２の配向膜６の辺６Ｌに対向
する辺近傍および図４の配向膜６の辺６Ｒに対向する辺
近傍は、ラビングローラ３０の領域３０Ｈと領域３０Ｉ
とによって擦られる。ラビングローラ３０の回転に伴っ
てラビングローラ３０の領域３０Ｉは上述したように配
向膜６を連続的に擦るが、領域３０Ｈは配向膜６と電極
端子４との両方を連続的に擦る。上記辺近傍は、基板１
０の移動に伴ってラビングローラ３０の領域３０Ｉで擦
られた後に、配向膜を連続的に擦る領域３０Ｈで擦られ
る。従って、配向膜の上記辺近傍にはラビングローラ３
０の領域３０Ｈによってラビングされた状態が最終的に
残るので、ラビング強度が部分的に上昇することはな
い。
【００２８】以上の理由により、従来の斜めラビング方
式でラビングすれば、基板１０の相対移動方向Ｘと平行
な配向膜のいずれか一方の辺であって、配向膜の外から
内向き（図２および図６のＺ方向）にラビングされる配
向膜の相対移動方向Ｘと平行な辺近傍におけるラビング
強度が他の部分よりも高くなってしまうと考えられる。
本発明によると、配向膜６の上記特定の辺近傍における
ラビング強度を低下させることができるので、配向膜面
内を実質的に均一なラビング強度でラビングすることが
できる。
式でラビングすれば、基板１０の相対移動方向Ｘと平行
な配向膜のいずれか一方の辺であって、配向膜の外から
内向き（図２および図６のＺ方向）にラビングされる配
向膜の相対移動方向Ｘと平行な辺近傍におけるラビング
強度が他の部分よりも高くなってしまうと考えられる。
本発明によると、配向膜６の上記特定の辺近傍における
ラビング強度を低下させることができるので、配向膜面
内を実質的に均一なラビング強度でラビングすることが
できる。
【００２９】なお図１、図２、図３、図６および図７に
示されるように、配向膜の特定の辺近傍におけるラビン
グ強度を低下させるために、ステージ３２および基板２
に設けられた相対移動方向Ｘに伸びる凹部の幅Ｗ’は、
配向膜６と表示電極４とを連続的に擦るラビングローラ
３０の領域３０Ｇの幅Ｗと同程度とする。幅Ｗは、基板
２の相対移動方向Ｘに対してラビングローラ３０の軸３
０Ａが直交する位置３０Ｒからのラビングローラ３０の
ずらし角θと、配向膜６を有する基板２に対するラビン
グ布３８の押し込み量とによって決まり、幅Ｗは下記の
式（１）で表される。Ｗ ＝ tanθ×２√｛（φ／２＋
ｄ1＋ｄ2）2−（φ／２＋ｄ1＋ｄ2−Δｄ）2｝・・・
（１）ただし、ラビングローラ３０のロール径をφ、両
面テープ３６の厚みをｄ1、ラビング布３８の厚みを
ｄ2、ラビング布３８の押し込み量をΔｄとする。
示されるように、配向膜の特定の辺近傍におけるラビン
グ強度を低下させるために、ステージ３２および基板２
に設けられた相対移動方向Ｘに伸びる凹部の幅Ｗ’は、
配向膜６と表示電極４とを連続的に擦るラビングローラ
３０の領域３０Ｇの幅Ｗと同程度とする。幅Ｗは、基板
２の相対移動方向Ｘに対してラビングローラ３０の軸３
０Ａが直交する位置３０Ｒからのラビングローラ３０の
ずらし角θと、配向膜６を有する基板２に対するラビン
グ布３８の押し込み量とによって決まり、幅Ｗは下記の
式（１）で表される。Ｗ ＝ tanθ×２√｛（φ／２＋
ｄ1＋ｄ2）2−（φ／２＋ｄ1＋ｄ2−Δｄ）2｝・・・
（１）ただし、ラビングローラ３０のロール径をφ、両
面テープ３６の厚みをｄ1、ラビング布３８の厚みを
ｄ2、ラビング布３８の押し込み量をΔｄとする。
【００３０】図５を参照しながら本発明の液晶表示装置
１００の製造方法の一例を簡単に説明する。図５（ａ）
〜（ｄ）は本発明の液晶表示装置１００の製造方法を示
す図である。なお下記の説明は単純マトリクス駆動方式
のＳＴＮ型液晶表示装置に関するが、本発明はこれに限
定されることはなく、例えばアクティブマトリクス型の
液晶表示装置にも適用できる。
１００の製造方法の一例を簡単に説明する。図５（ａ）
〜（ｄ）は本発明の液晶表示装置１００の製造方法を示
す図である。なお下記の説明は単純マトリクス駆動方式
のＳＴＮ型液晶表示装置に関するが、本発明はこれに限
定されることはなく、例えばアクティブマトリクス型の
液晶表示装置にも適用できる。
【００３１】図５（ａ）に示されるように、洗浄された
基板２の上に例えばＩＴＯ膜を形成し、露光、現像およ
びエッチング工程を含むフォトリソグラフィー法などに
よって表示電極４を形成する。次に図５（ｂ）に示され
るように、例えばポリイミドからなる配向膜６を塗布
し、図５（ｃ）に示されるように斜めラビング方式によ
ってラビングを行い、信号電極基板２２を作製する。上
述と同様の製造方法を用いて、表示電極１４および配向
膜１６を有する走査電極基板２４を適宜作製し、図５
（ｄ）のように、信号電極基板２２と走査電極基板２４
との間に液晶層８を挟持して液晶表示装置１００を完成
する。
基板２の上に例えばＩＴＯ膜を形成し、露光、現像およ
びエッチング工程を含むフォトリソグラフィー法などに
よって表示電極４を形成する。次に図５（ｂ）に示され
るように、例えばポリイミドからなる配向膜６を塗布
し、図５（ｃ）に示されるように斜めラビング方式によ
ってラビングを行い、信号電極基板２２を作製する。上
述と同様の製造方法を用いて、表示電極１４および配向
膜１６を有する走査電極基板２４を適宜作製し、図５
（ｄ）のように、信号電極基板２２と走査電極基板２４
との間に液晶層８を挟持して液晶表示装置１００を完成
する。
【００３２】以下、実施例を用いて本発明のラビング方
法をさらに具体的に説明する。
法をさらに具体的に説明する。
【００３３】（実施例１）図１〜図４を参照して実施例
１によるラビング方法を説明する。本実施例１において
は、最終的に得られる液晶表示装置１００（図５（ｄ）
参照）に含まれる液晶層８の液晶分子１０のツイスト角
度を例えば右ねじれの２５０°とするために、ラビング
装置１２０において、基板２のラビングローラ３０に対
する相対移動方向Ｘに対してラビングローラ３０の軸３
０Ａが直交する位置３０Ｒからのラビングローラ３０の
ずらし角θ（|θ|＜９０°）を＋３５°（時計回りを正
方向とする）に設定する。このようにラビングローラ３
０を基板２に対して配置し、基板２の相対移動方向Ｘに
対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラビング強度が低
下するようにラビングを行う。
１によるラビング方法を説明する。本実施例１において
は、最終的に得られる液晶表示装置１００（図５（ｄ）
参照）に含まれる液晶層８の液晶分子１０のツイスト角
度を例えば右ねじれの２５０°とするために、ラビング
装置１２０において、基板２のラビングローラ３０に対
する相対移動方向Ｘに対してラビングローラ３０の軸３
０Ａが直交する位置３０Ｒからのラビングローラ３０の
ずらし角θ（|θ|＜９０°）を＋３５°（時計回りを正
方向とする）に設定する。このようにラビングローラ３
０を基板２に対して配置し、基板２の相対移動方向Ｘに
対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラビング強度が低
下するようにラビングを行う。
【００３４】本実施例１のラビング装置１２０のステー
ジ３２は、図１に示されるように、基板２の相対移動方
向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラビング強
度が低下するようにステージ３２の相対移動方向Ｘに伸
びる凹部３１を有する。ステージ３２に設けられた凹部
３１により、凹部３１直上の基板部分が凹状に変形し、
基板２に凹部１が形成される。基板２の凹部１により、
基板２上に設けられた配向膜６の辺６Ｌ近傍が凹状に変
形する。このように基板２上の配向膜６を変形させなが
らラビングを行うことによって、ステージ３２の相対移
動方向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラビン
グ強度を低下させることができる。なお、ラビングロー
ラ３０の領域３０Ｇの幅Ｗおよびステージ３２が有する
凹部３１の幅Ｗ’ をそれぞれ１０．２ｍｍ（＝ tan３
５×２√｛（１３０／２＋１．８＋０．０５）2−（１
３０／２＋１．８＋０．０５−０．４）2｝）および
８．４ｍｍ（＝sin３５×２√｛（１３０／２＋１．８
＋０．０５）2−（１３０／２＋１．８＋０．０５−
０．４）2｝）とした。また、凹部３１の深さを約０．
１ｍｍとした。
ジ３２は、図１に示されるように、基板２の相対移動方
向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラビング強
度が低下するようにステージ３２の相対移動方向Ｘに伸
びる凹部３１を有する。ステージ３２に設けられた凹部
３１により、凹部３１直上の基板部分が凹状に変形し、
基板２に凹部１が形成される。基板２の凹部１により、
基板２上に設けられた配向膜６の辺６Ｌ近傍が凹状に変
形する。このように基板２上の配向膜６を変形させなが
らラビングを行うことによって、ステージ３２の相対移
動方向Ｘに対して左側の配向膜６の辺６Ｌ近傍のラビン
グ強度を低下させることができる。なお、ラビングロー
ラ３０の領域３０Ｇの幅Ｗおよびステージ３２が有する
凹部３１の幅Ｗ’ をそれぞれ１０．２ｍｍ（＝ tan３
５×２√｛（１３０／２＋１．８＋０．０５）2−（１
３０／２＋１．８＋０．０５−０．４）2｝）および
８．４ｍｍ（＝sin３５×２√｛（１３０／２＋１．８
＋０．０５）2−（１３０／２＋１．８＋０．０５−
０．４）2｝）とした。また、凹部３１の深さを約０．
１ｍｍとした。
【００３５】ラビングローラ３０は、ラビングローラ３
０の基板接触面側における回転方向が相対移動方向Ｘと
同じになるように（図２および図４のＹ方向）回転させ
る。ラビングローラ３０の回転数を９００ｒｐｍ、基板
２のラビングローラ３０に対する相対移動速度を４０ｍ
ｍ／ｓｅｃとし、ラビング布３８の毛先の基板２表面に
対する押込み量を０．４０ｍｍとする。ラビングローラ
３０は図４に示されるように、回転ローラ３４の表面に
レーヨン製のラビング布３８（吉川加工製：ＹＡ２０
Ｒ）が両面テープ３６によって貼り付けられて形成され
ている。
０の基板接触面側における回転方向が相対移動方向Ｘと
同じになるように（図２および図４のＹ方向）回転させ
る。ラビングローラ３０の回転数を９００ｒｐｍ、基板
２のラビングローラ３０に対する相対移動速度を４０ｍ
ｍ／ｓｅｃとし、ラビング布３８の毛先の基板２表面に
対する押込み量を０．４０ｍｍとする。ラビングローラ
３０は図４に示されるように、回転ローラ３４の表面に
レーヨン製のラビング布３８（吉川加工製：ＹＡ２０
Ｒ）が両面テープ３６によって貼り付けられて形成され
ている。
【００３６】上述したようにラビングを行った配向膜を
使用した液晶表示装置１００の表示品位を確認したとこ
ろ、しきい値電圧が配向膜６面内にわたってほぼ同等で
あり、表示むらのない優れた表示品位を有することが分
かった。
使用した液晶表示装置１００の表示品位を確認したとこ
ろ、しきい値電圧が配向膜６面内にわたってほぼ同等で
あり、表示むらのない優れた表示品位を有することが分
かった。
【００３７】（実施例２）図６および図７を参照して実
施例２によるラビング方法を説明する。本実施例２は、
液晶分子１０のツイスト角度を左ねじれの２５０°とす
るためにラビングローラ３０のずらし角θを−３５°に
設定し、基板２の相対移動方向Ｘに対して右側の配向膜
６の辺６Ｒ近傍のラビング強度が低下するようにラビン
グを行うことにおいて上述の実施例１と異なる。実施例
１と実質的に同様の機能を有する部材は同じ参照符号で
示し、その詳細な説明は省略する。
施例２によるラビング方法を説明する。本実施例２は、
液晶分子１０のツイスト角度を左ねじれの２５０°とす
るためにラビングローラ３０のずらし角θを−３５°に
設定し、基板２の相対移動方向Ｘに対して右側の配向膜
６の辺６Ｒ近傍のラビング強度が低下するようにラビン
グを行うことにおいて上述の実施例１と異なる。実施例
１と実質的に同様の機能を有する部材は同じ参照符号で
示し、その詳細な説明は省略する。
【００３８】本実施例２のラビング装置１２０において
は図６および図７に示されるように、基板２の相対移動
方向Ｘに対して右側の配向膜６の辺６Ｒ近傍のラビング
強度が低下するように、ラビング中に基板２を吸着して
支持するステージ３２が、ステージ３２の相対移動方向
Ｘに伸びる凹部３３を有する。ステージ３２に設けられ
た凹部３３により凹部３３直上の基板部分が凹状に変形
し、基板２に凹部３が形成される。基板２の凹部３によ
り基板２上に設けられた配向膜６の辺６Ｒ近傍が凹状に
変形する。このように基板２上の配向膜６を変形させな
がらラビングを行うことによって、ステージ３２の相対
移動方向Ｘに対して右側の配向膜６の辺６Ｒ近傍のラビ
ング強度を低下させることができる。なお、ラビングロ
ーラ３０の領域３０Ｇの幅Ｗおよびステージ３２が有す
る凹部３３の幅Ｗ’ をそれぞれ１０．２ｍｍおよび
８．４ｍｍとした。また、凹部３３の深さを約０．１ｍ
ｍとした。
は図６および図７に示されるように、基板２の相対移動
方向Ｘに対して右側の配向膜６の辺６Ｒ近傍のラビング
強度が低下するように、ラビング中に基板２を吸着して
支持するステージ３２が、ステージ３２の相対移動方向
Ｘに伸びる凹部３３を有する。ステージ３２に設けられ
た凹部３３により凹部３３直上の基板部分が凹状に変形
し、基板２に凹部３が形成される。基板２の凹部３によ
り基板２上に設けられた配向膜６の辺６Ｒ近傍が凹状に
変形する。このように基板２上の配向膜６を変形させな
がらラビングを行うことによって、ステージ３２の相対
移動方向Ｘに対して右側の配向膜６の辺６Ｒ近傍のラビ
ング強度を低下させることができる。なお、ラビングロ
ーラ３０の領域３０Ｇの幅Ｗおよびステージ３２が有す
る凹部３３の幅Ｗ’ をそれぞれ１０．２ｍｍおよび
８．４ｍｍとした。また、凹部３３の深さを約０．１ｍ
ｍとした。
【００３９】本実施例２においても実施例１と同様に、
ラビングローラ３０の回転方向、回転数、基板２の相対
移動速度、およびラビング布３８の毛先の基板２表面に
対する押込み量を設定した。
ラビングローラ３０の回転方向、回転数、基板２の相対
移動速度、およびラビング布３８の毛先の基板２表面に
対する押込み量を設定した。
【００４０】上述したようにラビングを行った配向膜を
使用した液晶表示装置１００の表示品位を確認したとこ
ろ上述の実施例１と同様に、しきい値電圧が配向膜６面
内にわたってほぼ同等であり、表示むらのない優れた表
示品位を有することが分かった。
使用した液晶表示装置１００の表示品位を確認したとこ
ろ上述の実施例１と同様に、しきい値電圧が配向膜６面
内にわたってほぼ同等であり、表示むらのない優れた表
示品位を有することが分かった。
【００４１】
【発明の効果】上述のように本発明によると、均一で表
示品位の優れた液晶表示装置およびそのラビング方法を
提供することができる。また、配向膜を均一にラビング
することができるラビング装置を提供することができ
る。本発明の液晶表示装置は、映像表示機器、パーソナ
ルコンピュータやワードプロセッサなどのＯＡ機器、産
業分野のハンディ端末機器、および携帯型情報通信機器
などに好適に用いられる。
示品位の優れた液晶表示装置およびそのラビング方法を
提供することができる。また、配向膜を均一にラビング
することができるラビング装置を提供することができ
る。本発明の液晶表示装置は、映像表示機器、パーソナ
ルコンピュータやワードプロセッサなどのＯＡ機器、産
業分野のハンディ端末機器、および携帯型情報通信機器
などに好適に用いられる。
【図１】 本発明のラビング装置を示す平面図である。
【図２】 本発明のラビング装置を示す平面図である。
【図３】 図１のＡ−Ａ’線の端面図である。
【図４】 図１のＢ−Ｂ’線の端面図である。
【図５】 （ａ）〜（ｄ）は本発明の液晶表示装置の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図６】 本発明のラビング装置を示す平面図である。
【図７】 図６のＣ−Ｃ’線の端面図である。
【図８】 （ａ）は斜めラビング方式を示す図であり、
（ｂ）は直交ラビング方式を示す図である。
（ｂ）は直交ラビング方式を示す図である。
【図９】 従来のラビング装置を示す平面図である。
【図１０】 図９のＥ−Ｅ’線の端面図である。
１ 凹部 ２ 基板 ３ 凹部 ４ 表示電極 ６ 配向膜 ６Ｌ 配向膜の辺 ６Ｒ 配向膜の辺 ８ 液晶層 １０ 液晶分子 ２２ 信号電極基板 ２４ 走査電極基板 ３０ ラビングローラ ３０Ａ ラビングローラの軸 ３０Ｒ 直交位置 ３０Ｇ 領域 ３０Ｈ 領域 ３０Ｉ 領域 ３０Ｋ ニップ幅 ３１ 凹部 ３２ ステージ ３４ 回転ローラ ３６ 両面テープ ３８ ラビング布 ５２ ステージ ５５ 配向膜の辺 ５６ 配向膜 ５７ 配向膜の辺 ６０ ラビング装置 １００ 液晶表示装置 １２０ ラビング装置 Ｗ 幅 Ｗ’ 幅 Ｘ 基板のラビングローラに対する相対移動方向 Ｙ ラビングローラの回転方向
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の配向膜によって液晶層を挟持して
なる液晶表示装置の前記配向膜をラビングするにあた
り、前記配向膜は基板上に配置された表示電極の両端を
除いて全体を覆うように配置されて前記基板と共にステ
ージに置かれ、前記基板のラビングローラに対する相対
移動方向に対して前記ラビングローラが斜めに配置され
る斜めラビング方式によって前記基板の上に形成された
前記配向膜をラビングする方法であって、 前記基板の相対移動方向に対して前記ラビングローラの
軸が直交する位置からの前記ラビングローラのずらし角
θ（|θ|＜９０°）が時計回りを正方向として、 θ＞０であるときに、前記基板の相対移動方向に対して
左側の前記配向膜の辺近傍のラビング強度が低下するよ
うにラビングを行う一方、 θ＜０であるときに、前記基板の相対移動方向に対して
右側の前記配向膜の辺近傍のラビング強度が低下するよ
うにラビングを行う液晶表示装置のラビング方法。 - 【請求項２】 前記ずらし角θが、 θ＞０であるときに、前記基板の相対移動方向に対して
左側の前記配向膜の辺近傍直下の前記基板を凹状に変形
しながらラビングを行う一方、 θ＜０であるときに、前記基板の相対移動方向に対して
右側の前記配向膜の辺近傍直下の前記基板を凹状に変形
しながらラビングを行う請求項１に記載の液晶表示装置
のラビング方法。 - 【請求項３】 ラビング中に前記基板を吸着して支持す
るステージの表面に凹部を設けることにより、前記基板
を凹状に変形しながらラビングを行う請求項２に記載の
液晶表示装置のラビング方法。 - 【請求項４】 一対の基板と、前記一対の基板に挟持さ
れた液晶層と、前記一対の基板の前記液晶層側に設けら
れ前記液晶層に電圧を印加するための一対の電極と、前
記一対の電極上に形成されて前記液晶層の液晶分子を配
向させる一対の配向膜とを有し、前記配向膜が、ラビン
グ方向に対して前記基板を斜めに移動させながらラビン
グを行う斜めラビング方式によってラビングされた液晶
表示装置であって、 前記液晶分子を前記ラビング方向に束縛する配向規制力
が前記配向膜の面内で実質的に均一である液晶表示装
置。 - 【請求項５】 配向膜を表面に有する基板を吸着して支
持するステージと、前記ステージ上に設置されたラビン
グローラと、前記ステージを前記ラビングローラに対し
て相対的に移動させるための搬送機構とを有し、前記ス
テージの相対移動方向に対して前記ラビングローラが斜
めに配置される斜めラビング方式のラビング装置であっ
て、 前記ステージが、前記相対移動方向と平行な前記配向膜
のいずれか一方の辺であって、前記配向膜の外から内向
きにラビングされる前記配向膜の前記相対移動方向と平
行な辺近傍のラビング強度を低下させるように、前記ス
テージがその相対移動方向に伸びる凹部を有するラビン
グ装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000186216A JP2002006322A (ja) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | 液晶表示装置のラビング方法および液晶表示装置ならびにラビング装置 |
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