TW201631673A - 佈線基板之製造方法及半導體封裝之製造方法 - Google Patents

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山戶元
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Abstract

本發明係依序包含下述步驟：準備構造體1000之步驟(S102)，該構造體1000係具有至少於一表面具有導電圖案24的基板22、與積層於基板22而被覆導電圖案24的阻焊層10，且阻焊層10位於構造體1000之最外側；與於阻焊層10之既定區域，形成使導電圖案24之一部分露出之開口部28的步驟(S104)；形成開口部28之步驟係包含在阻焊層10之應形成開口部28之區域進行噴砂處理的製程。

Description

佈線基板之製造方法及半導體封裝之製造方法
本發明係關於佈線基板之製造方法及半導體封裝之製造方法。
作為半導體元件之最外層之墊部的開口形成製程，已知有以下文獻所記載之製程。
專利文獻1中記載以下般之製程。
首先，使用感光性樹脂組成物形成阻焊層。接著，使阻焊層積層於基板以被覆形成於基板上之導電墊表面。接著，使用具有上述導電墊露出之圖案的遮罩進行曝光，於阻焊層形成開口部。其後，依序進行除膠渣處理與電漿處理，藉此將附著於露出之導電墊表面之樹脂殘留物(膠渣)去除。接著，於露出之導電墊上連接焊錫凸塊或接合線。
專利文獻2記載以下般之製程。
首先，使用熱硬化性樹脂組成物形成阻焊層。接著，使阻焊層積層於基板以被覆形成於基板上之導電墊表面。接著，依使上述導電墊露出之方式，例如對阻焊層照射二氧化碳氣體雷射而形成開口部。其後，依序進行除膠渣處理與電漿處理，藉此將附著於露出之導電墊表面之樹脂殘留物(膠渣)去除。接著，於露出之導電墊上連 接焊錫凸塊或接合線。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-115672號公報
[專利文獻2]日本專利特開2013-129170號公報
然而，專利文獻1記載之製程具有以下技術性課題。亦即，使用感光性樹脂組成物形成阻焊層之專利文獻1記載的製造製程中，如圖10所示般，在於阻焊層10形成開口部時，有阻焊層10之存在於導電墊(導電圖案24)側方之部分被侵蝕、所謂側蝕刻(under etching)之現象的可能性。亦即，於專利文獻1記載之製造製程中，有由於發生側侵蝕而開口部擴大的問題。
另一方面，專利文獻2記載之製程雖可消除上述側蝕刻之問題，但有以下之技術性課題。亦即，在於阻焊層形成開口部時，為了使導電墊之上面露出於開口部，難以將阻焊層依短時間、效率佳地均勻去除。而且，藉專利文獻2記載之製造製程所得的半導體封裝，於導電墊、與形成於該導電墊上之焊錫凸塊或接合線間之連接可靠性等方面，尚有改善空間。亦即，於專利文獻2記載之製造製程中，有無法充分提升連接可靠性優越之半導體封裝之產率的問題。
基於以上情事，本發明之目的在於提供一種不發生側蝕刻、且可產率良好地製作連接可靠性優越之半導體封裝的佈線基 板之製造方法。又，本發明之其他目的在於提供連接可靠性優越之半導體封裝之製造方法。
根據本發明，提供一種佈線基板之製造方法，係依序包含下述步驟：準備構造體之步驟，該構造體係具有至少於一表面具有導電圖案的基板、與積層於上述基板而被覆上述導電圖案的阻焊層；與於上述阻焊層，形成使上述導電圖案之一部分露出之開口部的步驟；上述形成開口部之步驟，係包含在上述阻焊層之應形成上述開口部之區域進行噴砂處理的製程。
再者，根據本發明，提供一種半導體封裝之製造方法，係依序包含下述步驟：準備構造體之步驟，該構造體係具有至少於一表面具有導電圖案的基板、與積層於上述基板而被覆上述導電圖案的阻焊層；於上述阻焊層，形成使上述導電圖案之一部分露出之開口部的步驟；與於上述露出之導電圖案上，使焊錫凸塊或接合線之端部熔融而融黏的步驟；上述形成開口部之步驟，係包含在上述阻焊層之應形成上述開口部之區域進行噴砂處理的製程。
根據本發明，可提供一種不發生側蝕刻、且可產率良好地製作連接可靠性優越之半導體封裝的佈線基板之製造方法。 又，可提供連接可靠性優越之半導體封裝之製造方法。
10‧‧‧阻焊層
12‧‧‧剝離薄膜
20‧‧‧佈線基板
22‧‧‧基板
24‧‧‧導電圖案
28‧‧‧開口部
30‧‧‧焊錫凸塊(焊錫球)
40‧‧‧密封樹脂
50‧‧‧接合線
60‧‧‧半導體元件
62‧‧‧黏晶材
70‧‧‧電子裝置
102‧‧‧半導體封裝
110‧‧‧凹部
120‧‧‧填充材
242‧‧‧連接線
244‧‧‧連接盤
246‧‧‧鍍覆膜
710‧‧‧母板
712‧‧‧導電圖案
714‧‧‧導電部
716‧‧‧連接部
720‧‧‧電子零件
1000‧‧‧構造體
圖1為表示本實施形態之佈線基板之製造方法之流程一例的流程圖。
圖2(a)及(b)為表示本實施形態之佈線基板之製造方法之一例的概略圖。
圖3(a)及(b)為表示本實施形態之佈線基板之製造方法之一例的概略圖。
圖4為本實施形態之佈線基板之於阻焊層所形成之開口部附近的擴大概略圖；圖4(a)為開口部附近之概略俯視圖，圖4(b)為開口部附近之概略剖面圖。
圖5為概略表示本實施形態之阻焊層之表面形態之例子的剖面圖。
圖6為表示本實施形態之佈線基板之構造之例子的概略圖。
圖7為表示本實施形態之半導體封裝之構造之一例的剖面概略圖。
圖8為表示本實施形態之電子裝置之構造之一例的剖面概略圖。
圖9(a)至(c)為表示本實施形態之佈線基板之製造方法之一例的概略圖。
圖10為用於說明習知製造製程之佈線基板的擴大剖面圖。
以下使用圖式說明本發明之實施形態。又，所有圖式 中，對同樣之構成要件加註相同符號，並適當省略說明。
<<第1實施形態>> <佈線基板20之製造方法>
圖1為表示本實施形態之佈線基板20之製造方法之流程一例的流程圖。圖2(圖2(a)及(b))及圖3(圖3(a)及(b))為表示本實施形態之佈線基板20之製造方法之一例的概略圖。
如圖1所示，本實施形態之佈線基板20之製造方法，係依序包含準備構造體1000之步驟(S102)、與於阻焊層10形成開口部28之步驟(S104)。
準備構造體1000之步驟(S102)中，係準備具有至少於一表面具有導電圖案24的基板22、與積層於基板22而被覆上述導電圖案24的阻焊層10的構造體1000。本實施形態中，上述阻焊層10係位於(積層於)該構造體1000之最外側(參照圖2(b))。
在於阻焊層10形成開口部28之步驟(S104)中，於阻焊層10形成使導電圖案24之一部分露出之開口部28。而且，此步驟(S104)係包含在阻焊層10之應形成上述開口部28之既定區域進行噴砂處理的製程。藉由此製程，可不發生側蝕刻，將阻焊層10依短時間、效率佳地均勻去除。藉此，可使導電圖案24之上面確實露出於開口部28。因此，根據本實施形態之製造方法，相較於專利文獻1及2記載之製造製程，可得到能產率良好地製作連接可靠性優越之半導體封裝102(參照圖7)的佈線基板20。
再者，根據本實施形態之製造方法，亦可如圖3(a) 所示般形成複數之開口部28。根據本實施形態之製造方法，可無偏差、確實地將各開口部28之開口形狀形成為既定形狀。尤其是在應形成為相同形狀之複數開口部28間，可確實防止於開口形狀或開口深度發生偏差的情形。因此，可於所形成之所有開口部28中，使導電圖案24之上面露出於開口部28。
接著，參照圖1~圖3，詳細說明本實施形態之佈線基板20的製造方法。
首先，於準備構造體1000之步驟(S102)中，準備於表背之最外面側中之至少一面設有導電圖案24的基板22。如圖2(a)所示，本實施形態中，係使用於兩面形成了導電圖案24的兩面基板22。於此，基板22可為核基板，亦可為無核基板。
以下針對本實施形態之製造方法，列舉基板22為核基板之情況進行說明。
如圖2(b)般，以被覆基板22之導電圖案24的方式，於導電圖案24上積層阻焊層10。具體而言，係於設有導電圖案24之位於最外側之面上，塗佈清漆狀之後述熱硬化性樹脂組成物(P)(阻焊劑)。其後，使所塗佈之阻焊劑乾燥，形成阻焊層10。如以上般進行，於本實施形態之製造方法中係製作構造體1000。
阻焊層10之膜厚並無特別限定，可設為例如5μm以上且300μm以下。
接著，如圖3(a)所示般，於阻焊層10之既定區域形成使導電圖案24之一部分露出的開口部28。具體而言，於阻焊層10之既定區域形成開口部28而使導電圖案24之連接盤244露出。根據本實施形態之製造方法，在形成此開口部28時，重要的量對 阻焊層10之應形成開口部28之既定區域進行噴砂處理。如此，可不發生側蝕刻，依使導電圖案24上面露出於開口部28之方式，將阻焊層10短時間並有效率地均勻去除。
通常，於此噴砂處理中，係於阻焊層10上設置噴砂用之阻擋遮罩(未圖示)而進行處理。藉此，可防止因噴砂處理而對阻焊層10之應形成開口部28之區域以外的區域(以下簡稱為「保護區域」)所進行的研磨(切削)。
阻擋遮罩係例如使用以下(I)或(II)記載之方法，可設置於阻焊層10上。於(I)之方法中，事先準備形成了對應於阻焊層10之開口部28之開口圖案的光阻薄膜(乾薄膜)，將此光阻薄膜壓黏於阻焊層10。又，於(II)之方法中，係將液狀之光阻材賦予於阻焊層10上，使其乾燥而形成薄膜後，對此薄膜進行曝光、顯影處理，形成對應於阻焊層10之開口部28的開口圖案。
作為此種阻擋遮罩的構成材料，可使用正型或負型之光阻材。
作為光阻材並無特別限定，可舉例如含有感光性丙烯酸樹脂、感光性胺基甲酸酯樹脂、感光性酚樹脂、感光性聚醯亞胺等各種感光性樹脂的感光性樹脂組成物。此等感光性樹脂中，特佳係使用感光性丙烯酸樹脂。由於感光性丙烯酸樹脂具有優越的成形性，故可得到所形成之圖案的解析度高的阻擋遮罩。又，此種感光性丙烯酸樹脂較廉價，且容易形成圖案，故可壓低阻擋遮罩的製造成本。
形成阻擋遮罩之光阻薄膜的厚度並無特別限定，較佳係15μm以上且未滿50μm，更佳15μm以上且40μm以下，再更佳20μm以上且30μm以下。若光阻薄膜之厚度為上述範圍，藉由曝 光、顯影處理，可容易形成更高解析度的阻擋遮罩。尤其是如此種較輕薄的阻擋遮罩，藉由使用感光性丙烯酸樹脂可容易形成。
尚且，藉由使用噴砂處理所獲得的效果將於後述，但在後續步驟中於該導電圖案24上連接焊錫凸塊30或接合線50時，可使導電圖案24與焊錫凸塊30或接合線50間之連接關係牢固。此時，可實現即使在製造佈線基板20或半導體封裝102時施加了衝擊的情況，基板上之細微電路(導電圖案24)不由基板22剝離的高密黏性。
於此，本實施形態之噴砂處理，係指例如將平均粒徑(D50)為1μm以上且70μm以下粒子吹抵而對該處進行研磨加工的手法。一般而言，於噴砂處理中，藉由將吹抵之粒子粒徑增大，則研磨該處之力(研磨力)變大。從而，藉由將由噴砂處理所吹抵之粒子粒徑增大，可依短時間將該處研磨至既定深度。另一方面，藉由將吹抵之粒子粒徑減小，可依高精度控制所研磨之開口部28的深度、或規定開口部28之側壁部分的形狀。亦即，可依高研磨精度(加工精度)形成開口部28。
於本實施形態之製造方法中，作為此噴砂處理手法，較佳係使用例如將平均粒徑(D50)為1μm以上且25μm以下之細微粒子吹抵的微噴砂處理工法。如此，可更加高度地控制阻焊層10之規定開口部28之側壁部分的形狀及導電圖案24之上面部分的形狀。又，可更高度地控制樹脂殘留物(膠渣)對基板22的附著程度。因此，可得到能製作連接可靠性更優越之半導體封裝102的佈線基板20。
有，在使用微噴砂處理工法時，所吹抵之細微粒子的 平均粒徑(D50)係由提高開口部28之加工精度的觀點而言，較佳為1μm以上且20μm以下，更佳7μm以上且20μm以下，再更佳10.5μm以上且20μm以下。若細微粒子之D50為上述範圍內，則可進行研磨力與加工精度之平衡優越的噴砂處理。因此，可依高精度控制形成於阻焊層10之開口部28的深度及形狀，並可依更短時間形成所需深度及所需形狀的開口部28。
如上述，在使用噴砂處理於阻焊層10形成開口部28時，較佳係於阻焊層10上設置阻擋遮罩，經由此阻擋遮罩對阻焊層10進行噴砂處理。尤其在進行所吹抵之細微粒子之D50為上述範圍內的微噴砂處理的情況，可使用較薄(15μm以上且未滿50μm)、且具有較高之圖案解析度的阻擋遮罩。
於此，噴砂處理由於為具有高研磨力(切削力)之加工方法，故可認為較佳係選擇緩衝性高之胺基甲酸乙酯系材料(感光性胺基甲酸乙酯)作為阻擋遮罩之構成材料。又，為了提升阻擋遮罩之耐久性，可認為較佳將阻擋遮罩設計為較厚(例如50μm以上)。對此，本實施形態中，係藉由將於噴砂處理對阻焊層10所吹抵之粒子粒徑設為上述範圍內，即使在使用雖然耐久性較感光性胺基甲酸乙酯樹脂稍差、但廉價且成形性良好之感光性丙烯酸樹脂作為阻擋遮罩之構成材料，仍可確實地保護阻焊層10之保護區域。
再者，藉由於形成開口部28時使用微噴砂處理工法，可高度控制開口部28之深度。在如此高度控制開口部28之深度時，可使阻焊層10之存在於導電圖案24側方的部分不被去除而殘留。換言之，藉由高度控制開口部28之深度，可依與導電圖案24相接之方式使阻焊層10殘存。藉此，可不使細微電路露出而形 成開口部28。因此，即使在製造佈線基板20或半導體封裝102時施加衝擊的情況，可實現細微電路不由基板22剝離的高密黏性。
尚且，在藉微噴砂處理吹抵至阻焊層10之細微粒子的D50為上述範圍內的情況，所研磨(切削)之開口部28的深度較佳為10μm以上且50μm以下，更佳20μm以上且40μm以下。若所研磨之開口部28的深度為上述範圍內，則即使在較薄(15μm以上且未滿50μm)之阻擋遮罩的情況，仍可確實保護阻焊層10之保護區域。有，可使阻焊層10之存在於導電圖案24側方的部分確實殘存。藉此，在於阻焊層10形成開口部28時，可更確實地防止於開口部28周圍發生側蝕刻。
圖4係本實施形態之佈線基板20之於阻焊層10所形成之開口部28的擴大概略圖。更具體而言，圖4(a)係開口部附近之概略俯視圖，圖4(b)為開口部附近之概略剖面圖。
如圖4(a)所示，佈線基板20之形成於阻焊層10的開口部28，係該開口部28之開口部分(圖4(b)中之開口部28之上端部分)的開口面積、大於該開口部28之底面部分(圖4(b)中開口部28之下端部分)的開口面積。亦即，佈線基板20之阻焊層10所形成的開口部28，係由該開口部28之底面部分起朝開口部分呈擴徑。換言之，開口部28之開口面積係由阻焊層10之與導電圖案24相反側之面起朝導電圖案24逐漸減少。
而且，如圖4(b)所示，佈線基板20之形成於阻焊層10之開口部28的剖面形狀，係由開口部28之下面部分起朝上面部分擴展的推拔形狀。阻焊層10之規定開口部28的側壁部分，係形成為由開口部28之中心部起朝外方描畫凸之曲線。又，阻焊層10 之規定開口部28之側壁部分的端部(下端)，係與導電圖案24之側面(側面上端)相接。如此，藉由形成由特定形狀所構成的開口部28，可提升墊(導電圖案24露出於開口部28的部分)、與凸塊或導線間之連接可靠性。其理由雖尚未闡明，但推判藉由規定墊連接處附近之焊錫凸塊或導線端部之形狀，使墊與凸塊或導線間之界面應力減低，而提升界面密黏性所致。
尚且，開口部28之剖面形狀(圖4(b)所示之推拔形狀)，可藉由設定阻焊層10之構成材料、噴砂處理所使用之粒子的構成材料及平均粒徑(D50)、吹抵粒子之條件(來自噴嘴的吐出方向、吐出壓力)、形成於阻擋遮罩之開口圖案的形狀及其厚度等各種條件而予以變更。尤其是藉由使阻擋遮罩之厚度依成為上述範圍內(15μm以上且未滿50μm)方式充分減薄，則由噴嘴對阻焊層10之欲形成開口部28之區域所吹抵的粒子，係在衝突至阻焊層10後，朝阻擋遮罩之開口外側彈飛。從而，可防止研磨粒堆積於開口部28內，可對阻焊層10沿著厚度方向優先地進行研磨。其結果，所形成之開口部28的剖面形狀成為短形狀。
又，作為噴砂處理所使用之研磨材(噴砂材)，並無特別限定。可使用例如由SiC、SiO2、Al2O3、ZrO等所構成的粒子。此等粒子可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。
又，噴砂處理中之噴砂壓力較佳為0.1~1.0MPa左右，更佳0.15~0.8MPa左右。若噴砂壓力為上述範圍內，則可更確實地保護阻焊層10之保護區域，並可依更短時間形成開口部28。
如以上，可於阻焊層10形成開口部28。
尚且，上述般之阻擋遮罩，可例如使用含有氫氧化鈉、氫氧化 鉀、有機胺等之鹼性溶劑，由阻焊層10予以剝離。
接著，於除膠渣處理中，去除因開口部28之形成等所產生的膠渣。具體而言，係將於阻焊層10之規定開口部28之側壁部分與導電圖案24之上面部分(露出於開口部28之部分)所附著的膠渣去除。
除膠渣處理之方法並無特別限定，例如可依以下般進行。首先，將積層了去導電圖案24或阻焊層10之基板22，浸漬於含有有機溶劑的膨潤液。接著，浸漬於鹼性過錳酸鹽水溶液進行處理。
作為過錳酸鹽，可使用例如過錳酸鉀、過錳酸鈉等。
在使用過錳酸鉀作為過錳酸鹽時，所浸漬之過錳酸鉀水溶液的溫度較佳為45℃以上，較佳95℃以下。於過錳酸鉀水溶液的浸漬時間較佳為2分鐘以上，較佳20分鐘以下。溫度及浸漬時間若分別為上述上限值以下、且上述下限值以上，則可有效率地去除膠渣。
尚且，關於進行上述除膠渣處理之步驟，係藉由高度控制上述噴砂處理條件，亦可予以省略。具體而言，藉由高度控制噴砂處理時所吹抵之粒子的平均粒徑(D50)，可形成開口部28並抑制於露出之導電圖案24表面所附著的樹脂殘留物(膠渣)。因此，在高度控制了噴砂處理時所吹抵之粒子之平均粒徑(D50)的情況，可省略進行上述除膠渣處理的步驟，可使佈線基板20之製造步驟簡略化。
進行除膠渣處理之步驟，可僅進行上述濕式之除膠渣處理，亦可取代上述濕式之處理、或再加入電漿照射作為除膠渣處理。
此時，作為處理氣體可使用例如氬氣體、O2氣體、O3氣體、 CO氣體、CO2氣體、NO氣體、NO2氣體、或氟系氣體。噴砂處理時間較佳為30秒以上、更佳1分鐘以上。另一方面，該時間較佳為10分鐘以下、更佳5分鐘以下。若電漿處理時間為上述下限值以上、且上述上限值以下，則可效率佳地去除膠渣。又，藉由採用上述處理條件，亦可提升半導體封裝之與密封材間的密黏性。
接著，如圖3(b)所示般於露出之導電圖案24表面形成鍍覆膜246。具體而言，形成鍍覆膜246以被覆露出於開口部28之導電圖案24的導電部。
鍍覆膜246可設為例如焊錫鍍覆膜、鍍錫膜、或於鍍鎳膜上積層了鍍金膜的2層構造鍍覆膜，進而藉無電解鍍覆所形成的球下金屬(UBM)膜。
另外，鍍覆膜246之膜厚並無特別限定，可設為例如2μm以上且10μm以下。藉此，在使用了佈線基板20之安裝步驟中，可將連接盤244部分作成為適合打線接合或焊錫的連接部。
鍍覆處理之方法並無特別限定，可使用例如電解鍍覆法或無電解鍍覆法。在使用無電解鍍覆法的情況，可如下述般形成鍍覆膜246。又，於此針對由鍍鎳膜與鍍金膜之2層所構成之鍍覆膜246的例子進行說明，但並不限定於此。
首先，形成鍍鎳膜。在進行無電解鍍鎳時，於鍍覆液中浸漬設有開口部28之構造體1000。藉此，於露出在開口部28之導電圖案24的導電部上，可形成鍍鎳膜。
作為此種鍍覆液，可使用含有鎳鉛、及作為還原劑之例如次磷酸鹽的鍍覆液。接著，於鍍鎳膜上進行無電解鍍金。無電解鍍金之方法並無特別限定，可藉由例如由金離子與基底金屬之離子間的置 換所進行的置換鍍金進行。
接著，對阻焊層10及鍍覆膜246之表面進行電漿處理。
於電漿處理時，可使用例如氬氣、氧化性氣體、或氟系氣體作為處理氣體。作為氧化性氣體，可舉例如O2氣體、O3氣體、CO氣體、CO2氣體、NO氣體、NO2氣體等。
本實施形態之電漿處理的條件並無特別限定，除了灰化處理之外，亦可為與來自惰性氣體之電漿接觸的處理。又，此電漿處理較佳係並非伴隨阻焊層10之蝕刻的電漿處理。於此，所謂伴隨蝕刻之電漿處理，係指對處理對象施加偏電壓，且使用蝕刻氣體作為處理氣體的電漿處理。亦即，本實施形態之電漿處理，較佳係不對處理對象施加偏電壓而進行之電漿處理、或使用非反應性氣體所進行之電漿處理。
尚且，所謂不對處理對象施加偏電壓之構成，於本實施形態中，係指不對基板22之導電圖案24及鍍覆膜246之任一者施加偏電壓的構成。又，於電漿處理中對固定基板22之電漿處理裝置的試料台等亦不施加偏電壓。尚且，於不致提升阻焊層10所含之填充材120(參照圖5)之露出度的程度，亦可藉電漿處理稍微切削阻焊層10之表面。電漿處理時間較佳為30秒以上、更佳1分鐘以上。另一方面，該時間較佳為10分鐘以下、更佳5分鐘以下。電漿處理時間若為上述下限值以上、且上述上限值以下，則可更確實地提升封裝之耐久性。
本實施形態之製造方法中，如上述般製作佈線基板20。
又，本實施形態之佈線基板20之阻焊層10的表面， 係如圖5所示般，使至少一個填充材120之一部分埋設於阻焊層10中，其他部分由阻焊層10表面(圖5中為上面)突出。
又，於所製造之佈線基板20之阻焊層10的表面，較佳係形成使填充材120脫離而形成的凹坑狀之凹部110。
又，於所製造之佈線基板20之阻焊層10的表面，亦可僅存在因上述填充材120一部分由阻焊層10表面突出而形成的突出部、與凹部110之任一者，但較佳係上述突出部、與凹部110均存在。藉由作成此種阻焊層10之表面形態，可更確實地實現能製造耐久性優越之佈線基板20。
藉由複合性地適當調整上述填充材120之含有條件、除膠渣處理之條件、鍍覆處理之條件、電漿處理之條件等，可將阻焊層10之表面作成為上述形態。又，關於填充材120之細節將於後述。
尚且，專利文獻1及2記載之習知之製造製程中，在於阻焊層形成複數開口部的過程中，形成阻焊層之材料的硬化度等物性變動。因此，於最初所開口之開口部與最後所開口之開口部，在各開口部將發生其開口形狀或開口深度的偏差。根據本實施形態之製造方法，即使在如此形成複數開口部28的情況，仍不發生側蝕刻，可依短時間並效率佳、均勻(無偏差)地去除阻焊層10。藉此，可使導電圖案24之上面確實地露出於開口部28。
於專利文獻1及2記載之習知之製造製程中的開口部的形成方法，無法控制所去除之阻焊層10的深度。另一方面，根據本實施形態之製造方法，藉由使用噴砂處理等特定工法，可控制在形成開口部28時所去除之阻焊層10的深度。因此，於本實施形 態之製造方法中，根據噴砂處理之條件，可在不致使設於基板上之細微電路(導電圖案24)中與焊錫凸塊或接合線連接之部分(後述之連接盤244)以外的區域露出的情況下，形成開口部28。
更具體而言，根據本實施形態之製造方法，藉由高度控制噴砂處理之條件，可控制開口部28的深度。因此，可依成為使阻焊層10之端部相接至導電圖案24之側面的方式，控制開口部28的形狀。在作成此種開口形狀情況，可藉由阻焊層10保護導電圖案24之側面。藉此，即使在製造佈線基板20或半導體封裝102時施加衝擊，由於細微電路與基板22間之密黏性高，故可防止細微電路由基板22剝離的情形。
又，於本實施形態之製造方法中，在高度控制噴砂處理條件時，不需進行除膠渣處理，而使焊錫凸塊(焊錫球)30(參照圖7)或接合線50(參照圖7)與導電圖案24依優良之連接可靠性被連接。因此，根據本實施形態之製造方法，相較於專利文獻1及2記載之習知之製造製程，亦可使佈線基板20之製造步驟簡略化。
再者，根據本實施形態之製造方法，由於使用噴砂處理等特定工法於阻焊層10形成開口部28，故可於露出之導電圖案24表面造成適度之粗糙(凹凸)。在導電圖案24表面具有上述適度粗糙(凹凸)的情況，於後續步驟中可使該導電圖案24與焊錫凸塊30或接合線50更加牢固地連接。因此，根據本實施形態之製造方法，即使在利用所得佈線基板20之半導體封裝102或電子機器的製造時或利用時施加了熱履歷，或長期間使用半導體封裝102或電子機器，仍可經時性地維持高可靠性。
尚且，專利文獻1及2記載之習知之製造製程中，在 為了於阻焊層形成開口部，而使用化學蝕刻法或電漿處理法的情況，亦有於露出之導電圖案24表面產生粗糙的情形。然而，如本實施形態之製造方法般於使用噴砂處理等特定工法之情況所產生之導電圖案24的表面粗糙、與專利文獻1及2記載之習知之製造製程中所產生之導電圖案的表面粗糙，係導電圖案表面之形狀或化學狀態相異。而且，在如本實施形態之製造方法般使用噴砂處理等特定工法的情況，其理由雖未闡明，但可使導電圖案24與焊錫凸塊30或接合線50間之連接牢固。
而且，本實施形態之佈線基板20的製造方法中，亦可對阻焊層10之規定開口部28之側壁部分與露出之導電圖案24於開口部28所露出之部分(上面部分)進行除膠渣處理。藉此，假設並未控制噴砂處理之條件，仍可將在阻焊層10之規定開口部28之內周面、亦即阻焊層10之規定開口部28之側壁部分與導電圖案24之露出於開口部28之部分所附著的樹脂殘留物(膠渣)完全去除。因此，在藉由噴砂處理等特定工法形成開口部28後、進行除膠渣處理的情況，相較於專利文獻1及2記載之習知之製造製程，可得到能產率佳地製作具有更優越之連接可靠性之半導體封裝102的佈線基板20。
再者，於如上述般藉噴砂處理形成開口部28後、進行除膠渣處理的情況，可產率良好地製造密封劑(密封樹脂)間之密黏性優越的佈線基板20。其理由雖未確定，但可認為係因佈線基板之表面的化學狀態、形態適當所致。
<佈線基板20>
圖6為表示本實施形態之佈線基板20之構造一例的概略圖。
如圖6所示，藉由本實施形態之佈線基板20之製造方法所得的佈線基板20，係具備基板22、導電圖案24、及阻焊層10。導電圖案24係設於基板22表背之最外側面中之至少一面。阻焊層10為佈線基板20之最外側之層，依被覆導電圖案24之一部分的方式設於導電圖案24上。於阻焊層10之既定區域中，設置例如複數之開口部28，於至少一個開口部28內，存在導電圖案24之導電部的一部分。
在基板22為核基板的情況，係含有至少一層之絕緣層。此時，基板22所具備之絕緣層，例如為對纖維基材浸含樹脂組成物而成的樹脂基材。如上述般，針對本實施形態之佈線基板20，以基板22為核基板的情況為例進行說明。
構成基板22之絕緣層的樹脂組成物，可使用熱硬化性樹脂。基板22可為剛性基板，亦可為可撓性基板。基板22之厚度並無特別限定，可設為例如10μm以上且300μm以下。
又，基板22可為僅具有1層之絕緣層，並僅於該單面形成了導電圖案24的單面板；亦可為僅具有1層之絕緣層，並於其表背面之兩面設置了導電圖案24的雙面板；亦可為具有2層以上之絕緣層的多層板。在基板22為多層板的情況，於基板22內係形成一層以上之由2層絕緣層所挾持的佈線層。
又，在基板22為雙面板或多層板的情況，設於基板22之1表面(一方之最外側之面)的導電圖案24，係與使設於相反側之表面(其一方之最外側之面)的導電圖案24或設於基板22內部之佈線層，經由貫通至少一部分絕緣層之貫通孔(未圖示)而彼此電氣連接。
於基板22之表面與背面之至少一表面(最外側之面)，設置導電圖案24。導電圖案24係例如對積層於基板22之銅膜進行選擇蝕刻而形成的圖案。
導電圖案24係包含連接盤244與連接線242作為導電部。連接盤244主要為將安裝於佈線基板20之元件或零件、與導電圖案24電氣連接的連接部，例如連接於導電圖案24之其他部分或基板22內之佈線層的圓形或四角形的部分。
尚且，於連接盤244之中心亦可設置用於插入電子零件之端子等的孔。而且，連接線242主要係將連接盤244彼此電氣連接的線狀部分。
於佈線基板20中，於導電圖案24上積層了阻焊層10。
於阻焊層10，主要於設有連接盤244之區域設置開口部28，於連接盤244上面未被覆阻焊層10。亦即，於連接盤244上並未設置阻焊層10，連接盤244呈露出。
尚且，連接盤244上，亦可積層例如鎳及金之鍍覆膜或焊錫之鍍覆膜等之導電膜。其中，於阻焊層10可進一步於連接盤244以外之部分設置開口部28，亦可為使連接線242之一部分露出的開口部28。又，並不需要使所有連接盤244位於開口部28，亦可為被阻焊層10所被覆的連接盤244。
佈線基板20之阻焊層10中，較佳係其表面之算術平均粗度Ra為0.08μm以上、更佳0.25μm以上。又，Ra較佳為0.50μm以下、更佳0.40μm以下。算術平均粗度Ra可根據JIS-B0601進行測定。
藉由Ra為上述下限值以上、且上述上限值以下，由於因溫度變化所造成之阻焊層10與密封樹脂40間之密黏性的變動較小，故得到穩定的耐久性。又，若Ra為上述上限值以下，則在阻焊層10上進行液狀密封樹脂之轉印時，可得到高圖案精度。因此，並不侷限於轉移成形，於阻焊層10上形成密封樹脂之製程的選擇自由度優越。
例如在無法充分獲得圖案精度的情況，於樹脂密封時將於阻焊層10上之不需要的部分形成密封樹脂，封裝變得不良。因此，無法依塗佈法或轉印法進行密封樹脂的成形。從而，藉由Ra為上述上限值以下、且下限值以上，可實現圖案精度與耐久性之性能平衡良好的佈線基板20。又，藉由Ra為上述上限值以下、且上述下限值以上，可確實抑制高溫下之阻焊層10與密封樹脂40間之密黏性的降低。
阻焊層10之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為例如150℃以上。藉此，可達到阻焊層10之耐熱性及耐迴焊性之提升等。另一方面，上述Tg值之上限值並無特別限定，可設為例如280℃。
阻焊層10於25℃下之貯藏彈性係數較佳為1GPa以上、更佳5GPa以上。又，較佳為20GPa以下。若阻焊層10於25℃下之貯藏彈性係數為上述上限值以下、且上述下限值以上，則可更確實地得到可製造耐久性優越之封裝的佈線基板20。又，若該貯藏彈性係數為上述下限值以上，可得到對曲翹等具備優良耐性的佈線基板20。
本實施形態中，上述貯藏彈性係數及上述Tg例如可使用動態黏彈性測定裝置，依頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘之條件 進行動態黏彈性試驗，由藉此所得的測定結果可予以算出。作為動態黏彈性測定裝置並無特別限定，可使用例如TA Instrument公司製DMA983。
阻焊層10之線膨脹率係於Tg以下時，較佳為10ppm/℃以上。又，較佳為50ppm/℃以下。若線膨脹率為上述上限值以下、且上述下限值以上，則可更確實地實現能製造耐久性優越之封裝的佈線基板20。
本實施形態中，例如可使用熱機械測定裝置，依升溫速度10℃/分鐘之條件進行測定，算出藉此所得之線膨脹率於25~50℃下的平均，將此作為Tg以下之上述線膨脹率。
尚且，本實施形態中，例如可藉由適當選擇後述之熱硬化性樹脂組成物(P)中所含的各成分的種類或調配量、熱硬化性樹脂組成物(P)之調製方法等，而控制上述貯藏彈性係數、上述Tg、及上述線熱膨脹率。
佈線基板20例如可使用作為中介層或母板。
為了製造封裝或電子裝置，於佈線基板20上形成密封樹脂40。
在使用上述般之佈線基板20的封裝等完成品中，係確保阻焊層10與密封樹脂40間之高密黏性。藉此，可穩定製造耐久性、耐濕性優越、高可靠性的封裝或電子裝置。又，所謂封裝，係指於佈線基板20上搭載各種配件，藉由例如密封樹脂40將此等配件一概密封的電子零件。半導體封裝102為封裝之一例，於封裝中亦包含經一概密封的ECU(Electric Control Unit)等。
<半導體封裝102>
圖7為表示本實施形態之半導體封裝102之構造一例的剖面概略圖。
如圖7所示，本實施形態之半導體封裝102具備佈線基板20、半導體元件60、及密封樹脂40。半導體元件60係配設於佈線基板20上。密封樹脂40係被覆佈線基板20之至少設有半導體元件60之面及半導體元件60。佈線基板20具備基板22、導電圖案24及阻焊層10。導電圖案24係設於基板22之表背(圖7中為上下面)之最外側之面中的至少一面。阻焊層10為佈線基板20之最外側的層，設於導電圖案24上。於阻焊層10設有複數之開口部28，於至少一個開口部28內，具有導電圖案24之導電部的一部分。以下詳細說明。
本實施形態之半導體封裝102，係於上述佈線基板20之一面(以下稱為「上面」)之阻焊層10上，配置至少1個半導體元件60。
於半導體封裝102中，佈線基板20為例如中界層，半導體元件60為例如由半導體晶圓所切出之LSI晶片。
又，於佈線基板20上面係除了半導體元件60之外，亦可進一步配設具有作為電阻或電容之機能的電子零件等。半導體元件60係經由黏晶材62固定於阻焊層10上。
於半導體元件60，設有可電氣連接於其表面之連接墊(未圖示)，連接墊係例如連接於內置於半導體元件60內部之電路。設於佈線基板20之屬於導電圖案24一部分的連接盤244，係設於阻焊層10之開口部28。
而且，連接盤244與半導體元件60之連接墊係藉由接合線50所連接。又，本實施形態之半導體封裝102中，係於連接盤244上進一步設置鍍覆膜246，連接盤244係經由鍍覆膜246而連接於接合線50。又，亦可取代接合線50之連接而藉由引線或焊錫予以連接。
密封樹脂40係被覆於佈線基板20之上面表面所露出之阻焊層10、基板22、鍍覆膜246、半導體元件60中藉黏晶材62而與佈線基板20接合之面以外的面、與接合線50。又，密封樹脂40亦可被覆佈線基板20之設有半導體元件60之面的全面，亦可使該面之一部分露出而被覆。
於半導體封裝102之佈線基板20，係於與上面相反側之面(以下稱為「下面」)進一步設置複數之開口部28、與開口部28之內部之連接盤244。而且，各個連接盤244係由鍍覆膜246所被覆，進而設置連接於鍍覆膜246的焊錫凸塊30。
於此，以倒裝晶片連接之封裝作為本實施形態之半導體封裝102為例進行了說明，但並不限定於此。作為半導體封裝，亦可為例如打線接合或TAB(Tape Automated Bonding)所連接的封裝。
於半導體封裝102中，在將阻焊層10與密封樹脂40之間之於25℃下的剪切強度設為S1時，S1較佳為15N/mm2以上、更佳29N/mm2以上。該剪切強度若為上述下限值以上，則阻焊層10與密封樹脂40之間的密黏性優越，更確實提升半導體封裝102之耐久性。
於半導體封裝102中，在將阻焊層10與密封樹脂40之間之於260℃下的剪切強度設為S2時，S2較佳為8N/mm2以上。該剪切強度若為上述下限值以上，則更確實提升半導體封裝102之 耐久性。即使在高溫環境下使用、或因電路動作之發熱而半導體封裝102之溫度上升，仍可保持阻焊層10與密封樹脂40間之高密黏性。
再者，於半導體封裝102中，S2/S1較佳為0.1以上、更佳0.2以上。可將S2/S1設為0.9以下。若S2/S1為上述下限值以上，則更確實提升半導體封裝102之耐久性。有效抑制高溫下之阻焊層10與密封樹脂40間之密黏性的降低。
各溫度下之剪切強度可例如使用剪切強度測定裝置(DAGE公司製，PC2400)進行測定。
<電子裝置70>
圖8為表示本實施形態之電子裝置70之構造一例的剖面概略圖。
如圖8所示，本實施形態之電子裝置70具備半導體封裝102。半導體封裝102具備佈線基板20、半導體元件60、及密封樹脂40。半導體元件60係配設於佈線基板20上。密封樹脂40係被覆佈線基板20之至少一面(圖8中為上面)及被覆半導體元件60。佈線基板20具備基板22、導電圖案24及阻焊層10。導電圖案24係設於基板22之表背之最外側之面中的至少一面。阻焊層10為佈線基板20之最外側的層，設於導電圖案24上。於阻焊層10設有複數之開口部28，於至少一個開口部28內，具有導電圖案24之導電部的一部分。以下詳細說明。
電子裝置70係於屬於佈線基板之母板710上配置至少一個半導體封裝102。母板710可為與上述佈線基板20相同之佈 線基板，亦可為相異之佈線基板。半導體封裝102之含有上述佈線基板20之半導體封裝102。於母板710上係除了半導體封裝102之外，亦可進一步配設一個以上之連接器、電阻、電容等必要之電子零件720。
配設於母板710上之半導體封裝102、或其他電子零件720等，係藉由連接部716，連接於母板710之導電圖案712中所露出之導電部714。半導體封裝102或電子零件720係連接至設於母板710的導電圖案712，構成電子電路。
<半導體封裝102之製造方法>
本實施形態之半導體封裝102的製造方法，係依序包括：準備圖2(b)所示之構造體1000的步驟；如圖3(a)所示般，於阻焊層10形成使導電圖案24之一部分露出的開口部28的步驟；與於露出之導電圖案24上，將焊錫凸塊30或接合線50之端部熔融而使其融黏的步驟。而且，在阻焊層10形成開口部28的步驟，係包括於阻焊層10中，對應形成開口部28之既定區域進行噴砂處理的製程。藉由此製程，可不發生側蝕刻，將阻焊層10依短時間、效率佳地均勻去除。藉此，可使導電圖案24之上面確實露出於開口部28。因此，根據本實施形態之製造方法，相較於專利文獻1及2記載之習知製造製程，可產率佳地獲得連接可靠性優越的半導體封裝。
根據本實施形態之製造方法，可使導電圖案24與焊錫凸塊30或接合線50牢固地連接。因此，相較於專利文獻1及2記載之習知製造製程，可提升連接可靠性。
而且，於專利文獻1及2記載之習知製造製程的開口部28形 成方法中，並無法控制所去除之阻焊層10的深度。另一方面，根據本實施形態之製造方法，藉由使用噴砂處理之特定工法，可控制在形成開口部28時所去除之阻焊層10的深度。因此，於本實施形態之製造方法中，視噴砂處理之條件，可在設於基板上之細微電路中、使與焊錫凸塊或接合線連接之部分以外之區域不露出，而形成開口部28。藉此，可防止在製造佈線基板20或半導體封裝102時因所施加之衝擊而細微電路破損的情形。可得到耐久性優越的半導體封裝102。
又，根據本實施形態之製造方法，使用噴砂處理之特定工法於阻焊層10形成開口部28。因此，形成開口部28時，可抑制樹脂殘留物(膠渣)附著於阻焊層10之規定開口部28之側壁部分及導電圖案24之上面部分的情形。而且，在高度控制噴砂處理條件時，可不進行除膠渣處理而形成與焊錫凸塊30或接合線50間之連接可靠性優越的導電圖案24。因此，根據本實施形態之製造方法，相較於專利文獻1及2記載之習知製造製程，亦可使半導體封裝102之製造步驟簡略化。
以下詳細說明本實施形態之半導體封裝102之製造方法。於本實施形態之製造方法中，首先係與上述佈線基板20之製造方法同樣地準備佈線基板20。
接著，於配設半導體元件60之步驟中，係於所準備之佈線基板20之阻焊層10上，配設半導體元件60。此時，例如經由黏晶材62將半導體元件60搭載於佈線基板20上。連接半導體元件60與佈線基板20之接合線50，係例如對佈線基板20之上面之露出於開口部28的導電圖案24進行黏接。接著，於密封步驟中， 將佈線基板20上面、半導體元件60及接合線50藉密封樹脂40進行密封。作為密封樹脂40可使用例如環氧樹脂組成物。作為藉密封樹脂40將佈線基板20等進行鑄模(密封)的方法，可使用轉移成形法、射出成形法、轉印法、塗佈法等。又，密封樹脂40之硬化係例如依150℃以上且200℃以下進行加熱而施行。
又，於在佈線基板20設置屬於外部連接端子之焊錫凸塊30的例子中，係例如於佈線基板20之下面側之露出於開口部28的導電圖案24上，形成焊錫凸塊30。尚且，雖以倒裝晶片連接之封裝例作為本實施形態之半導體封裝102進行了說明，但半導體封裝102並不限定於此。作為半導體封裝，亦可為例如打線接合或TAB連接的封裝。
<電子裝置之製造方法>
圖8所例示之電子裝置70係將如上述所得之半導體封裝102與其他電子零件720一起安裝於母板710上而獲得。
半導體封裝102及電子零件720係具有連接部716或焊錫凸塊30等之連接端子各1個以上，於連接端子中，電氣連接於母板710之導電圖案712中所露出之導電部714。連接端子與導電部714的連接可例如如下述般進行。
首先，於母板710之露出之導電部714的必要處，印刷焊錫膏。於此，在半導體封裝102具有焊錫凸塊30的情況，於連接焊錫凸塊30之導電部714並不需要焊錫膏之印刷。
接著，於母板710上之既定位置配置電子零件720及半導體封裝102。
其後，將載置了半導體封裝102或電子零件720之母板710導入至迴焊爐，進行迴焊處理(加熱處理)。藉迴焊處理使所印刷之焊錫膏或焊錫凸塊30熔解，其後予以冷卻，藉此將半導體封裝102及電子零件720分別焊接至母板710。
本實施形態之電子裝置70的製造方法，係包含加熱處理步驟。加熱處理例如為迴焊處理。例如，在半導體封裝102為藉打線接合連接於母板710的封裝的情況，為了將電子零件720進行表面安裝亦可進行加熱處理。藉此，即使於經過加熱處理後，若阻焊層10與密封樹脂40間之接合強度充分高，可更確實地提升封裝耐久性。
又，電子裝置70有時於高濕度下使用。於此種情況下，若阻焊層10與密封樹脂40間之接合強度充分高，仍可更確實地提升封裝耐久性。
而且，藉由使電子裝置70所含之半導體封裝102具有優越之耐久性及優越之耐濕性，可得到可靠性高之電子裝置70。又，電子裝置70亦可進一步藉密封樹脂進行一概密封。在母板710為上述佈線基板20、電子裝置70經一概密封的情況，亦可製造電子裝置70作為封裝。
根據本實施形態之製造方法，可不發生側蝕刻，將阻焊層10依短時間、效率佳地均勻去除。藉此，可使導電圖案24之上面確實露出於開口部28。因此，根據本實施形態之製造方法，相較於專利文獻1及2記載之習知製造製程，可產率佳地獲得連接可靠性優越的半導體封裝102。
而且，根據本實施形態之製造方法，藉由使用噴砂處理之特定 工法，可控制在形成開口部28時所去除之阻焊層10的深度。藉此，可使阻焊層10殘存為與導電圖案24側面相接。藉此，可不使細微電路露出而形成開口部28。因此，即使在製造佈線基板20或半導體封裝102時施加了衝擊的情況，仍可實現細微電路不由基板22剝離的高密黏性。
又，根據本實施形態之製造方法，使用噴砂處理之特定工法於阻焊層10形成開口部28。因此，形成開口部28時，可抑制樹脂殘留物(膠渣)附著於阻焊層10之規定開口部28之側壁部分及導電圖案24之上面部分的情形。
而且，在高度控制噴砂處理條件時，可不進行除膠渣處理而形成與焊錫凸塊30或接合線50間之連接可靠性優越的導電圖案24。因此，根據本實施形態之製造方法，相較於專利文獻1及2記載之習知製造製程，亦可使製造步驟簡略化。
再者，根據本實施形態之製造方法，即使在形成複數開口部28之情況，仍可於所有開口部28中，使導電圖案24上面露出於開口部28，又，可形成於各開口部28之開口形狀或開口深度無偏差的複數開口部28。亦即，根據本實施形態之製造方法，可依高精度形成複數開口部28而使其開口形狀或開口深度無偏差，不發生側蝕刻，且使導電圖案24之上面露出於開口部28，而可將阻焊層10依短時間且效率佳地均勻去除。
<<第2實施形態>>
圖9(圖9(a)至(c))為表示本實施形態之佈線基板之製造方法一例的概略圖。
本實施形態之製造方法，首先，如圖9(a)所示，準備於雙面形成了導電圖案24的雙面基板22。接著，如圖9(b)所示，將積層了剝離薄膜12與阻焊層10之積層薄膜，以被覆基板22之導電圖案24的方式，貼附(層合)於導電圖案24上。其後，將此進行真空加熱加壓成形。接著，如圖9(c)所示，剝離剝離薄膜12，而製作構造體1000。本實施形態之佈線基板之製造方法係於此點於第1實施形態相異。
上述剝離薄膜12並無特別限定，例如由PET(Poly ethylene terephthalate)所構成。又，藉由本實施形態，可得到與第1實施形態相同的效果。
接著，說明本實施形態之阻焊層10的構成。阻焊層10例如可由以下般之熱硬化性樹脂組成物(P)形成，但並無特別限定。
熱硬化性樹脂組成物(P)若為可使用作為佈線基板20之絕緣材料的樹脂組成物，則無特別限定。熱硬化性樹脂組成物(P)可設為例如於環氧樹脂、氰酸酯樹脂、酚樹脂、雙順丁醯二醯亞胺-三樹脂、聚醯亞脂樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯基苄基樹脂等之熱硬化性樹脂中至少調配了其硬化劑的組成物。其中，較佳為含有環氧樹脂(A)之組成物。
(環氧樹脂(A))
熱硬化性樹脂組成物(P)主要可含有環氧樹脂(A)。環氧樹脂(A)例如可含有選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂(4,4'-(1,3-伸苯基二異丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚P型 環氧樹脂(4,4'-(1,4-伸苯基二異丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚Z型環氧樹脂(4,4'-環己二烯雙酚型環氧樹脂)等之雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、四苯基乙烷型酚醛清漆型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；二甲苯型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂等之芳烷基型環氧樹脂；萘醚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、雙萘基型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等之具有萘骨架的環氧樹脂；蒽型環氧樹脂；苯氧基型環氧樹脂；二環戊二烯型環氧樹脂；降烯型環氧樹脂；金剛烷型環氧樹脂；茀型環氧樹脂、含磷環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙二甲苯酚型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯酚乙烷型環氧樹脂、三環氧丙基三聚異氰酸酯等之雜環式環氧樹脂；N,N,N',N'-四環氧丙基甲基二甲苯二胺、N,N,N',N'-四環氧丙基雙胺基甲基環己烷、N,N-二環氧丙基苯胺等之環氧丙基胺類；或環氧丙基(甲基)丙烯酸酯與具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物的共聚合物、具有丁二烯構造之環氧樹脂、雙酚之二環氧丙基醚化物、萘二醇之二環氧丙基醚化物、酚類之環氧丙基醚化物的1種或2種以上。
此等之中，由提升阻焊層10與基板22、導電圖案24、及密封樹脂40間之密黏性、或埋覆性的觀點而言，較佳為含有具有萘骨架之環氧樹脂。藉此，可使阻焊層10之線膨脹率低化，並可提升其彈性係數。又，亦可提升佈線基板20之剛性而有助於提升作業性，或實現半導體封裝102之耐迴焊性提升及曲翹抑制。又， 由提升阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性，或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性的觀點而言，特佳為含有3官能以上之具有萘骨架的環氧樹脂。
本實施形態中，作為環氧樹脂(A)，可舉例如含有下式(1)所示之環氧樹脂者為較佳態樣之一例。
(式(1)中，n為0~10之整數，R1及R2彼此獨立為氫原子、碳數1~6之烷基、或碳數1~6之烷氧基。)
環氧樹脂(A)之含量，例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份較佳為3質量%以上、更佳5質量%以上。藉由將環氧樹脂(A)之含量設為上述下限值以上，可有助於提升使用熱硬化性樹脂組成物(P)所形成之阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性、或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性。另一方面，環氧樹脂(A)之含量例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份，較佳為30質量%以下、更佳20質量%以下。藉由將環氧樹脂(A)之含量設為上述上限值以下，可達到使用熱硬化性樹脂組成物(P)所形成之阻焊層10之耐熱性或耐濕性的提升。又，所謂熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份，係指熱硬化性樹脂組成物(P)中所含之溶劑以外的成分全體。以下，本說明書中亦相同。
(填充材(B))
熱硬化性樹脂組成物(P)較佳係含有填充材(B)。作為填充材(B)可舉例如環狀二氧化矽、及破碎二氧化矽等。由提升阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性、或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性的觀點而言，更佳為含有球狀二氧化矽。又，填充材(B)為例如熔融二氧化矽。填充材(B)係如圖5所示般，作為填充材120而含於阻焊層10中。
作為填充材(B)，更佳係使平均粒徑為2nm以上且100nm以下之微粒子二氧化矽含於熱硬化性樹脂組成物(P)中。藉此，可提升阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性、或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性。作為使阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性、或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性提升的較佳態樣之一例，可舉例如使平均粒徑為2nm以上且100nm以下之微粒子二氧化矽、與平均粒徑超過100nm之二氧化矽均含於熱硬化性樹脂組成物(P)中。
尚且，填充材(B)之平均粒徑例如可使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(HORIBA公司製，LA-500)進行測定。
填充材(B)之含量，例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份較佳為30質量%以上、更佳50質量%以上。藉由將填充材(B)之含量設為上述下限值以上，可有效提升使用熱硬化性樹脂組成物(P)所形成之阻焊層10之耐熱性或耐濕性。又，若填充材之含量為上述下限值以上，可使阻焊層10之線膨脹率降低，並可提升其彈性係數。藉此，亦有助於所得半導體封裝102的曲翹減低。另一方面，填充材(B)之含量例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P) 之總固形份，較佳為95質量%以下、更佳85質量%以下。藉由將填充材(B)之含量設為上述上限值以下，可提升阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性、或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性。
(氰酸酯樹脂(C))
熱硬化性樹脂組成物(P)可含有例如氰酸酯樹脂(C)。藉此，可降低阻焊層10之線膨脹率，亦可達到彈性係數及剛性的提升。又，亦有助於所得半導體裝置之耐熱性或耐濕性的提升。
氰酸酯樹脂(C)可包含例如由酚醛清漆型氰酸酯樹脂；雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等之雙酚型氰酸酯樹脂；萘酚芳烷基型酚樹脂、與鹵化氰之反應所得的萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂；二環戊二烯型氰酸酯樹脂；聯苯烷基型氰酸酯樹脂所選擇之一種或二種以上。此等之中，由阻焊層10之低線膨脹率化、或提升彈性係數及剛性的觀點而言，較佳為含有酚醛清漆型氰酸酯樹脂及萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂中之至少一者，特佳為含有酚醛清漆型氰酸酯樹脂。
氰酸酯樹脂(C)之含量，例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份較佳為3質量%以上、更佳5質量%以上。藉由將氰酸酯樹脂(C)之含量設為上述下限值以上，可使使用熱硬化性樹脂組成物(P)所形成之阻焊層10之線膨脹率有效降低，並可提升其彈性係數。又，有助於阻焊層10與基板22、導電圖案24及密封樹脂40間之密黏性、或導電圖案24對阻焊層10之埋覆性的提升。
另一方面，氰酸酯樹脂(C)之含量例如相對於熱硬化性樹脂組 成物(P)之總固形份，較佳為30質量%以下、更佳20質量%以下。藉由將氰酸酯樹脂(C)之含量設為上述上限值以下，可達到使用熱硬化性樹脂組成物(P)所形成之阻焊層10的耐熱性或耐濕性的提升。
(硬化促進劑(D))
熱硬化性樹脂組成物(P)可含有例如硬化促進劑(D)。藉此，可提升熱硬化性樹脂組成物(P)之硬化性。
作為硬化促進劑(D)，可使用促進環氧樹脂(A)之硬化反應的硬化促進劑。其種類並無特別限定。本實施形態中，作為硬化促進劑(D)，可含有例如選自萘酸鋅、萘酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、辛酸鋅、雙乙醯丙酮鈷(II)、參乙醯丙酮鋅(III)等之有機金屬鹽，三乙基胺、三丁基胺、二吖雙環[2,2,2]辛烷等之3級胺類，2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等之咪唑類，酚、雙酚A、壬基酚等之酚化合物，醋酸、安息香酸、水楊酸、對甲苯磺酸等之有機酸，及鎓鹽化合物的一種或二種以上。此等之中，由有效提升硬化性的觀點而言，更佳為含有鎓鹽化合物。
作為硬化促進劑(D)所使用之鎓鹽化合物，並無特別限定，可使用例如下述一般式(2)所示之化合物。
[化2]
(式(2)中，P表示磷原子，R3、R4、R5及R6分別表示取代或無取代之具有芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代之脂肪族基，彼此可為相同或相異。A-表示於分子內具有至少1個以上可釋出至分子外之質子的n(n≧1)價之質子予體的陰離子、或其錯陰離子)。
硬化促進劑(D)之含量，例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份較佳為0.1質量%以上、更佳0.3質量%以上。藉由將硬化促進劑(D)之含量設為上述下限值以上，可有效提升熱硬化性樹脂組成物(P)之硬化性。
另一方面，硬化促進劑(D)之含量例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份，較佳為10質量%以下、更佳5質量%以下。藉由將硬化促進劑(D)之含量設為上述上限值以下，可提升熱硬化性樹脂組成物(P)之保存性。
(著色劑(E))
熱硬化性樹脂組成物(P)可含有例如著色劑(E)。
著色劑(E)係包含例如選自綠、紅、藍、黃及黑等之染料、顏料及色素的一種或二種以上。此等之中，由提升開口部28之辨視性等觀點而言，較佳為含有綠色之著色劑，特佳為含有綠色染料。作為綠色之著色劑，可含有例如蒽醌系、酞菁系、及苝系等公知著色 劑的一種或二種以上。
著色劑(E)之含量，例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份較佳為0.05質量%以上、更佳0.1質量%以上。藉由將著色劑(E)之含量設為上述下限值以上，可有效提升使用熱硬化性樹脂組成物(P)所形成之阻焊層10之開口部28的辨識性或隱蔽性。
另一方面，著色劑(E)之含量例如相對於熱硬化性樹脂組成物(P)之總固形份，較佳為5質量%以下、更佳3質量%以下。藉由將著色劑(E)之含量設為上述上限值以下，可更有效地提升熱硬化性樹脂組成物(P)之硬化性等。
(其他成分)
於熱硬化性樹脂組成物(P)中，除了上述各成分以外，視需要亦可添加由偶合劑、均平劑、硬化劑、感光劑、消泡劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、及離子捕捉劑等所選擇之一種或二種以上的添加物。
作為偶合劑，可舉例如環氧基矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑等之矽烷偶合劑，鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑等。
作為均平劑，可舉例如丙烯酸系共聚合物。
作為硬化劑，可舉例如酚樹脂等之酚系硬化劑、萘酚型酚醛清漆樹脂等之萘酚系硬化劑、胺系硬化劑、胍系硬化劑、咪唑系硬化劑、酸酐系硬化劑或此等之環氧基加成物或微膠囊化之化合物、氰酸酯樹脂等。其中較佳為酚系硬化劑或萘酚系硬化劑。
作為感光劑，可舉例如感光性二氮醌化合物。
又，熱硬化性樹脂組成物(P)係由基板22與阻焊層10之密黏性提升、以及密封樹脂40與阻焊層10之密黏性提升的觀點而言，亦可含有聚乙烯縮醛樹脂。作為聚乙烯縮醛樹脂，可舉例如聚乙烯丁醛樹脂或聚乙烯乙醯縮醛樹脂等。
(溶劑)
熱硬化性樹脂組成物(P)例如可含有溶劑。
作為溶劑，可含有例如由丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乳酸丁酯、四甲基苯、乙二醇單乙基醚、環己烷、庚烷、環己烷、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基碸、乙二醇、賽路蘇系、卡必醇系、苯甲醚、及N-甲基吡咯啶酮等之有機溶劑所選擇之一種或二種以上。
在熱硬化性樹脂組成物(P)為清漆狀的情況，清漆中之熱硬化性樹脂組成物(P)的固形份含量較佳為例如30質量%以上且80質量%以下，更佳40質量%以上且70質量%以下。藉此，可得到作業性或成膜性非常優越的熱硬化性樹脂組成物(P)。又，清漆狀之熱硬化性樹脂組成物(P)例如可將上述各成分使用超音波分散方式、高壓衝突式分散方式、高速旋轉分散方式、珠磨方式、高速剪切分散方式、及自轉公轉式分散方式等各種混合機，於溶劑中進行溶解、混合、攪拌而予以調製。
本實施形態之熱硬化性樹脂組成物(P)亦可含有例如玻璃纖維基材等之纖維基材或紙基材。藉此，可提升阻焊層10之剛性，並抑制佈線基板20之曲翹。
在熱硬化性樹脂組成物(P)為薄膜狀的情況，作為使用熱硬化性樹脂組成物(P)所得的樹脂膜，可直接使此薄膜狀熱硬化性樹脂組成物(P)。另一方面，在熱硬化性樹脂組成物(P)為清漆狀的情況，可將對於將此清漆狀熱硬化性樹脂組成物(P)進行成膜所得之熱硬化性樹脂膜，進行溶劑去除處理而得的樹脂膜，使用作為利用熱硬化性樹脂組成物(P)所得的樹脂膜。此溶劑去除處理係依熱硬化性樹脂膜之溶劑含有率相對於熱硬化性樹脂膜整體為5質量%以下的條件進行。又，溶劑去除處理後之熱硬化性樹脂膜，係170℃、2分鐘之熱處理前後的重量變化率為5質量%以下。本實施形態中，可例如依100~160℃、5分鐘~60分鐘的條件進行溶劑去除處理。
尚且，本發明並不限定於上述實施形態。在可達成本發明目的之範圍內的變形、改良等亦涵括於本發明中。
以上參照圖式說明本發明實施形態，但此等為本發明之例示，亦可採用上述以外之各種構成。
(實施例)
以下說明本發明之具體實施例。又，本發明並不限定於此。
1.佈線基板之製造 (實施例1) [1]熱硬化性樹脂組成物(P)之調整
將作為環氧樹脂(A)之具有萘骨架之環氧樹脂(DIC Corporation製，SBM-0150)13.3重量份、作為填充材(B)之平均粒徑D50為2μm的球狀二氧化矽(Admatechs Co.,LTD.製，SC4050-KNR)64.6重量份及平均粒徑D50為0.05μm的球狀二氧化矽(Admatechs Co.,LTD. 製，Admanano)7重量份、作為氰酸酯樹脂(C)之苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan LTD.製，PT30)13.4重量份、作為硬化促進劑(D)之四苯基鏻之雙(萘-2,3-二氧基)苯基磷酸酯加成物0.6重量份、作為著色劑(E)之綠色染料(Nippon Kayaku CO.,LTD.製，Kayaset Green A-B)0.4重量份、偶合劑(Momentive Performance Materials Inc.製，A-187)0.4重量份、及均平劑(BYK-Chemie Japan K.K.製，BYK-361N)0.3重量份，於甲基乙基酮中溶解，得到混合液。將此混合液使用高速攪拌裝置攪拌1小時，藉此得到清漆狀之熱硬化性樹脂組成物(P)。
[2]構造體之準備
首先，準備於厚240μm之核基材(SUMITOMO BAKELITE CO.,LTD.製，LαZ-4785TH-G)之雙面，積層厚12μm之銅箔而成的雙面銅箔積層板。接著，對此銅箔積層板之銅箔進行蝕刻處理，得到於雙面形成了導體圖案的電路基板。接著，於電路基板之一面，以被覆導體圖案之方式賦予清漆狀之熱硬化性樹脂組成物(P)後，以150℃乾燥10分鐘，藉此於電路基板之一面形成厚40μm的阻焊層。又，同樣地，於電路基板之另一面形成厚40μm之阻焊層。藉此，得到如圖2(b)所示之構造體。
[3]阻擋遮罩之形成
於如上述所得之構造體之一方之阻焊層上，賦予含有感光性丙烯酸樹脂之光阻液後，使其乾燥。藉此，於構造體之一側之阻焊層上形成厚25μm的光阻薄膜。又，同樣地於構造體之另一阻焊層上 形成厚25μm的光阻薄膜。
接著，對各光阻薄膜進行曝光、顯影處理，於阻焊層形成對應於應形成開口部之開口圖案。如此，於各阻焊層上形成阻擋遮罩。
[4]開口部之形成
接著，經由阻擋遮罩，對構造體之各阻焊層進行噴砂處理，形成使導電圖案一部分(複數之連接盤)露出的複數開口部。尚且，噴砂處理係使用平均粒徑(D50)為3μm之SiC珠球作為研磨材，依噴射壓0.15MPa進行。又，藉噴砂處理所研磨之開口部之平均深度為30μm左右。
其後，使用含有氫氧化鈉之鹼水溶液，由各阻焊層去除阻擋遮罩，如圖3(b)所示般得到於阻焊層形成了6個以上開口部的佈線基板。
(實施例2~6)
除了使用表1所示材質及D50(μm)之研磨材作為噴砂處理之研磨材以外，其餘與上述實施例1同樣進行，得到佈線基板。
2.評價 2-1.開口部之形成時間
於實施例1~6中，在對一方之阻焊層進行噴砂處理時，依以下基準評價導電圖案之連接盤由開口部露出為止的時間。
A：所有連接盤露出於開口部為止的時間為10秒以下
B：所有連接盤露出於開口部為止的時間為超過10秒且20秒 以下
C：所有連接盤露出於開口部為止的時間為超過20秒且30秒以下
D：所有連接盤露出於開口部為止的時間為超過30秒
2-2.開口部之加工精度
於實施例1~6中，依以下基準評價藉噴砂處理所形成之各開口部的加工精度。
A：於所有開口部中，阻焊層之存在於連接盤上面的部分被完全去除，且阻焊層之存在於連接盤側方的部分殘存。
B：於複數開口部中，於1個或2個開口部中，連接盤上面殘存著阻焊層之一部分，或於連接盤周圍露出核基材。
C：於複數開口部中，於3個以上開口部中，連接盤上面殘存著阻焊層之一部分，或於連接盤周圍露出核基材。
D：於複數開口部中，於3個以上開口部中，連接盤上面殘存著阻焊層之一部分，且於連接盤周圍露出核基材。
上述2-1及2-2的評價結果示於表1。
由表1可明顯得知，實施例1~6中，依高精度控制形成於阻焊層之開口部的深度或形狀，又，可依短時間形成此種開口部。
3.佈線基板之製造 (實施例7~11)
除了將各阻焊層上所形成之阻擋遮罩(光阻薄膜)之材質及厚度、噴砂處理之研磨材的種類設為如表2所示般以外，其餘與上述實施例1同樣進行得到佈線基板。
4.評價 4-1.耐噴砂性
針對實施例7~11所得之各佈線基板，以目視觀察阻焊層之上面，依以下基準評價形成了開口部之區域以外的區域(保護區域)狀態。
A：於阻焊層之保護區域，完全無缺損、或裂痕。
B：於阻焊層之保護區域，於1或2處見到缺損、或裂痕。
C：於阻焊層之保護區域，於3或4處見到缺損、或裂痕。
D：於阻焊層之保護區域，於5處以上見到缺損、或裂痕。
將上述4-1之評價結果示於表2。又，表2中，「Ac」為感光性丙烯酸樹脂，「Ur」為感光性胺基甲酸乙酯樹脂。
由表2可明顯得知，實施例7~11中，於阻焊層之保 護區域均幾乎未確認到缺損或裂痕。由此結果，可謂在噴砂處理時，阻焊層之保護區域由阻擋遮罩充分保護。尤其是實施例7~11中，雖使用較薄之阻擋遮罩，但藉由調整噴砂處理之研磨材的粒徑(D50)，可保護阻焊層之保護區域。又，耐久性雖較感光性胺基甲酸乙酯樹脂稍微劣化，但即使是使用廉價且成形性良好之感光性丙烯酸樹脂的情況，仍可保護阻焊層之保護區域。

Claims (11)

  1. 一種佈線基板之製造方法，係依序包含下述步驟：準備構造體之步驟，該構造體係具有至少於一表面具有導電圖案的基板、與積層於上述基板而被覆上述導電圖案的阻焊層；與於上述阻焊層，形成使上述導電圖案之一部分露出之開口部的步驟；上述形成開口部之步驟，係包含在上述阻焊層之應形成上述開口部之區域進行噴砂處理的製程。
  2. 如請求項1之佈線基板之製造方法，其中，上述噴砂處理為微噴砂處理。
  3. 如請求項1或2之佈線基板之製造方法，其中，上述噴砂處理所使用之粒子的平均粒徑(D50)為1μm以上且25μm以下。
  4. 如請求項1之佈線基板之製造方法，其中，進一步包含對上述阻焊層之規定上述開口部的側壁部分與上述導電圖案之露出於上述開口部的部分，進行除膠渣處理的步驟。
  5. 如請求項4之佈線基板之製造方法，其中，於上述進行除膠渣處理之步驟中，係將上述構造體浸漬於膨潤液後，浸漬於45℃以上且95℃以下之過錳酸鉀水溶液中。
  6. 如請求項1之佈線基板之製造方法，其中，於上述形成開口部之步驟後，上述開口部之開口面積係由上述阻焊層之與上述導電圖案為相反側之面起，朝上述導電圖案減少。
  7. 如請求項1之佈線基板之製造方法，其中，於上述形成開口部之步驟後，依序包含：於上述露出之導電圖案之表面形成鍍覆膜的步驟；與 對上述阻焊層之表面及上述鍍覆膜之表面進行噴砂處理的步驟。
  8. 如請求項7之佈線基板之製造方法，其中，進一步包含：於上述鍍覆膜上，將焊錫凸塊或接合線之端部熔融而予以連接的步驟。
  9. 一種半導體封裝之製造方法，係依序包含下述步驟：準備構造體之步驟，該構造體係具有至少於一表面具有導電圖案的基板、與積層於上述基板而被覆上述導電圖案的阻焊層；於上述阻焊層，形成使上述導電圖案之一部分露出之開口部的步驟；與於上述露出之導電圖案上，使焊錫凸塊或接合線之端部熔融而予以融黏的步驟；上述形成開口部之步驟，係包含在上述阻焊層之應形成上述開口部之區域進行噴砂處理的製程。
  10. 如請求項9之半導體封裝之製造方法，其中，進一步包含對上述阻焊層之規定上述開口部的側壁部分與上述導電圖案之露出於上述開口部的部分，進行除膠渣處理的步驟。
  11. 如請求項9或10之半導體封裝之製造方法，其中，進一步包含於上述露出之導電圖案之表面形成鍍覆膜的步驟。
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