TW201628973A - 芯線保持器和矽的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的芯材保持器3安裝在電極2上，該電極2布置在利用西門子法製造矽的矽製造裝置20之底座上，芯材保持器3具有近似圓錐台形的矽芯線保持部9，該矽芯線保持部9用來保持矽芯線4並對矽芯線4通電。在近似圓錐台形的矽芯線保持部9之上表面上形成有用來保持矽芯線4的矽芯線插入孔7，矽芯線保持部9具有倒角部8，該倒角部8是由該矽芯線保持部9之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的。

Description

芯線保持器和矽的製造方法

本發明關於一種利用西門子法製造矽的矽製造裝置所使用的新型芯線保持器。本發明還關於一種使用了芯線保持器的矽製造方法。

一直以來，作為製造多晶矽的方法之一，提出了稱為西門子法的多晶矽製造方法，該多晶矽作為半導體用晶片或太陽能發電用晶片之原料使用。該西門子法的特徵在於能夠獲得高純度多晶矽，在多晶矽的製造方法中，該西門子法是最普遍地被實施的方法。

圖8中示出在該西門子法中使用的矽製造裝置之一例。該矽製造裝置50由底座1和鐘罩型容器6構成，在該底座1上布置有用來對矽芯線4通電的金屬製電極2，該容器6覆蓋底座1。並且，在電極2上例如以螺釘固定等方式固定有芯線保持器30，為了保持矽芯線4的端部並且對矽芯線4的端部通電，該芯線保持器30具有供矽芯線4插入的插入孔。

在製造多晶矽棒之際，首先，將形成為倒U字型的矽芯線4之兩端固定在芯線保持器30上。接著，利用電極2經由芯線保持器30對矽芯線4通電，從而將矽芯線4加熱到矽的析出溫度。然後，在該加熱狀態下，向反應裝置內供給三氯矽烷、單矽烷等矽烷化合物以及氫等還原性氣體，由此在矽芯線4上生成矽、使矽析出，從而得到矽棒5並將矽棒5回收。

近年來，在上述多晶矽棒的製造方法中，為了獲得大量的矽，謀求增加矽棒的長度和直徑。在此，發生了這樣的問題：由於在使這樣的矽棒大型化之際，在矽的析出階段或矽析出後的冷卻階段中，由矽棒的膨脹、收縮所引起的變形或局部負荷會增加，因此在矽棒腳部會發生破損(龜裂)，其結果是造成矽棒5倒塌。

作為引起該矽棒5倒塌的一個原因，可以舉出的是：由電極2的冷卻構造引起的、在矽棒5的腳部即矽棒5(矽芯線4)與芯線保持器30接觸之接觸部分產生的應力。

更具體而言，在矽製造裝置50中，電極2一般是由SUS、銅等金屬製成，為了避免電極2在高溫環境中受損，矽製造裝置50具有用來對其內部進行水冷的冷卻機構(未在圖中示出)。其結果是，固定在電極2上的芯線保持器30被冷卻，而且插入芯線保持器30內的矽芯線4上的、與芯線保持器30接觸之接觸部分之溫度降低。因此，就加熱該矽芯線4來使矽析出而獲得的矽棒5來說，特別是在矽的析出剛結束後且高溫的矽棒5因冷卻而熱收縮時，在矽棒5與芯線保持器30接觸之接觸部分上會產生較大的應力。其結果是，導致了下述問題：在芯線保持器30或析出的矽之腳部上產生龜裂，造成矽棒5倒塌。

於是，作為解決上述問題的方法，提出了：為了降低成為應力產生源之矽棒的內部產生的變形，先使矽棒的溫度上升，之後使溫度降低(例如參照專利文獻1)。藉由這樣的方法，能夠抑制矽棒內部產生的變形。

但是，近年來，由於矽棒更為大直徑化，從而變形量和負荷增加，因此在矽棒腳部中產生的應力也增加，只靠上述專利文獻1方法，已經難以有效地抑制矽棒之腳部產生的龜裂和由 該龜裂引起的倒塌。

於是，作為解決該問題的方法，提出了：藉由使用設有環狀皺摺的芯線保持器，使芯線保持器之外壁的厚度部份地變薄來降低導熱性，並且使形成在皺摺之間的空氣層發揮絕熱部之作用來抑制熱從電極傳導出去(例如參照專利文獻2)。

〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本專利第3357675號

[專利文獻2]日本特開2011-84419號公報

然而，就上述專利文獻2所述的方法來說，雖然藉由採用芯線保持器，從而改善了腳部上的龜裂成長這一情況，但是擔心的是：由於形成環狀的皺摺，因此芯線保持器本身的厚度部分地變薄，其結果是該厚度變薄之部分的強度會下降。而且，也擔心這樣的問題：用來在芯線保持器上形成環狀皺摺的加工較複雜。

於是，本發明是鑑於上述問題而完成的，其目的在於提供一種芯線保持器，該芯線保持器使用在以西門子法製造矽的製造裝置中，該芯線保持器能夠以廉價且簡單的加工方法來製造，而且能夠藉由簡單的構造來降低在芯線保持器與矽芯線接觸之接觸部產生的應力且不造成芯線保持器的強度下降，從而能夠避免矽棒之腳部產生龜裂，防止矽棒倒塌之現象發生。

本發明的發明人為了達成上述目的，進行了深入的研究。其結果是，發現了具有後述形狀上之特徵的芯線保持器能夠達成上述目的。亦即，現有的芯線保持器30具有如圖8所示的圓錐台形矽芯線保持部和圓柱形基部，矽芯線保持部呈具有如圖2中的虛線所示的角之形狀。相對於此，本發明的發明人發現， 藉由使矽芯線保持部與矽棒接觸之接觸部中的矽芯線保持部上的接觸部形成為曲面狀，能夠抑制應力發生或者使應力分散，該應力是以往當被加熱至高溫的矽棒冷卻而熱收縮時，在矽芯線保持部與矽棒接觸之接觸部處產生的、超過矽棒之斷裂強度且會導致矽棒倒塌那樣大的應力，其結果是，由於能夠有效地防止接觸部成為破損之起點，因此能達成所述目的，從而完成了本發明。

更具體而言，本發明之芯線保持器安裝在金屬電極上，該金屬電極布置在利用西門子法製造矽的矽製造裝置之底座上，該芯線保持器具有近似圓錐台形的矽芯線保持部，該矽芯線保持部用來保持矽芯線並對矽芯線通電，該芯線保持器的特徵在於：在近似圓錐台形的矽芯線保持部之上表面上形成有用來保持矽芯線的矽芯線插入孔，矽芯線保持部具有倒角部，該倒角部是由該矽芯線保持部之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的。

本發明之芯線保持器也可以構成為：所述芯線保持器具有圓柱形或圓錐台形的基部。

本發明之芯線保持器也可以構成為：設近似圓錐台形的矽芯線保持部所內切的圓錐台之上表面上的圓的直徑為a、設該圓錐台之底面上的圓的直徑為b、設該圓錐台的高度為h，並且設矽芯線保持部上的形成為曲面狀的倒角部的曲率半徑為R時，a<b、ah15a且a/10R2b之關係成立。

本發明之芯線保持器也可以構成為：當設矽棒的熱膨脹率為1時，用來製成芯線保持器的材料具有該材料的熱膨脹率與矽棒的熱膨脹率之比率為0.7~1.7之材質。

本發明之芯線保持器也可以構成為：所述芯線保持器是由 碳製成的。

本發明之利用西門子法來製造多晶矽的製造方法的特徵在於：使用本發明之芯線保持器，並且使多晶矽析出到矽芯線上。

就本發明之芯線保持器來說，在使用基於西門子法的矽製造裝置來進行的多晶矽棒的製造中，當被加熱到高溫的矽棒因冷卻而熱收縮時，由於矽棒收縮而在芯線保持器的矽芯線保持部與矽棒之間的接觸部產生的束縛力被矽芯線保持部上的形成為曲面狀的倒角部所分散。因此，能夠使在該接觸部產生的應力降低且不造成芯線保持器的強度下降，因此能夠有效地將該應力抑制為在矽的斷裂強度以下，從而減少在矽棒腳部上產生的龜裂。

其結果是，在使矽棒大直徑化時，也能夠有效地防止矽棒倒塌。

此外，本發明之芯線保持器的構造簡單，例如能夠按照後述的方式那樣，藉由對由現有的芯線保持器之矽芯線保持部的上表面和側面所構成的稜部進行研磨等作法來形成曲面形狀，能夠容易地製造，就加工方面、成本方面來說，也有利於工業生產。

1‧‧‧底座

2‧‧‧電極

3‧‧‧芯線保持器

4‧‧‧矽芯線

5‧‧‧矽棒

6‧‧‧鐘罩容器

7‧‧‧矽芯線插入孔

8‧‧‧倒角部

9‧‧‧矽芯線保持部

10‧‧‧基部

圖1為簡圖，其示出本發明之利用西門子法製造矽的矽製造裝置。

圖2為簡圖，其示出本發明之芯線保持器的一個型態，並且圖2是圖1中的A部分的放大圖。

圖3為簡圖，其示出本發明之芯線保持器的一個型態。

圖4為簡圖，其示出本發明之芯線保持器的一個型態。

圖5為簡圖，其示出本發明之芯線保持器的一個型態。

圖6為簡圖，其示出本發明之芯線保持器中的矽芯線保持部的一個型態。

圖7為簡圖，其用來說明本發明之芯線保持器中的矽芯線保持部的曲率半徑。

圖8為簡圖，其示出現有的利用西門子法製造矽的矽製造裝置。

以下，根據示出本發明之芯線保持器的實施型態之圖式來說明本發明之芯線保持器。需要說明的是，本發明不限於以下的實施方式。

圖1為簡圖，其示出本發明之利用西門子法製造矽的矽製造裝置。圖2為簡圖，其示出本發明之芯線保持器的一個型態，並且圖2是圖1中的A部分的放大圖。圖3~圖5為簡圖(剖視圖)，其示出本發明之芯線保持器的結構的一個型態。

本發明之矽製造裝置20係如後述那樣的、利用西門子法製造矽的矽製造裝置20，即：在開始進行容器6內的預熱後，邊對矽芯線4通電，邊向容器6內供給矽析出用原料氣體，由此使多晶矽析出在矽芯線4上。

如圖1所示，在該矽製造裝置20之底座1上布置有電極2。需要說明的是，在本發明之矽製造裝置20中，在容器6內布置有至少一對電極2。矽芯線4的兩端連接在上述電極2上。

如圖1、圖2所示，矽製造裝置20具備安裝在電極2上的芯線保持器3。該芯線保持器3用來保持矽芯線4和對矽芯線4通電。

如圖2所示，本發明之芯線保持器3具備近似圓錐台形的矽 芯線保持部9。近似圓錐台形的該矽芯線保持部9的上表面上形成有用來保持矽芯線4的矽芯線插入孔7。

在此，矽芯線保持部9之特徵在於：如圖2所示，在本發明之芯線保持器3中的矽芯線保持部9上形成有倒角部8，該倒角部8是由矽芯線保持部9之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的。

在使用現有的芯線保持器的情況下，就加熱插入到矽芯線插入孔內的矽芯線並且使矽析出而獲得的矽棒來說，特別是在析出剛結束後且高溫的矽棒被冷卻時，芯線保持器中的矽芯線保持部與矽棒接觸之接觸部因為矽棒熱收縮而被束縛住，從而在該接觸部產生了較大的應力。

另一方面，由於本發明之芯線保持器3中的矽芯線保持部9具有形成為曲面狀的倒角部8，因此能夠使產生的應力分散開，而不是集中在一處。因此，在矽棒5之腳部，應力被抑制為在矽之斷裂強度以下，即使是在腳部較粗的矽棒5的情況下，也能夠有效地防止矽棒5之腳部產生的龜裂和由龜裂引起的倒塌。

芯線保持器3中的矽芯線保持部9之倒角部8以外的部位的形狀沒有特別的限制，能夠採用已知的芯線保持器的形狀。

此外，較佳的是，本發明之芯線保持器3具備位於近似圓錐台形之矽芯線保持部9下方的圓柱形、圓錐台形或倒圓錐台形的基部10。

在圖3~圖5中，舉例示出具有圓柱形或倒圓錐台形基部10的芯線保持器。其中，如圖2所示，最普遍的形狀是：近似圓錐台形的矽芯線保持部9之底面的直徑與圓柱形基部10之上表面的直徑相等的形狀。

此外，構成芯線保持器3之圓柱形或圓錐台形基部10與近似圓錐台形的矽芯線保持部9可以形成為一體，也可以形成為以可分離的方式組裝起來而相接合。該接合部之構造只要是不會因為承受矽棒之重量而破損，並且能夠順利地進行通電之構造即可，沒有特別的限制，能舉出的接合型態例如有利用螺旋型(螺紋接合型)、吻合型、研砵型等形狀進行接合之型態。

接下來，詳細說明本發明之芯線保持器中的矽芯線保持部之形狀。

圖6為簡圖，其示出本發明之芯線保持器中的矽芯線保持部的一個型態。

如圖6所示，由於本發明之矽芯線保持部9的形狀近似圓錐台形，因此當設想存在有矽芯線保持部9所內切的一圓錐台，並且設圓錐台之上表面上的圓的直徑為a、圓錐台之底面上的圓的直徑為b時，a<b之關係就成立。

在此，如圖6所示，當設圓錐台之高度為h時，h較佳為落在ah15a之範圍內，更佳為落在2ah10a之範圍內。這是因為當h的值小於a時，有可能：矽芯線保持部9的頂端部之形狀變得扁平，從而難以保持成長出來的矽棒5。當h的值大於15a時，有可能：從矽芯線4導向矽芯線保持部9的導熱量變大，矽芯線4經由矽芯線保持部9被過度地冷卻，從而阻礙矽芯線4之基部處的矽的成長。

此外，當設形成為曲面狀之倒角部8的曲率半徑為R時，曲面可以由具有單一曲率半徑之曲線構成。當曲面是由具有不同的曲率半徑之複數條曲線構成時，“形成為曲面狀之倒角部的曲率半徑R”是指由複數條曲線構成之曲面狀倒角部整體的曲率半徑。

需要說明的是，如圖6所示，當矽芯線保持部9之倒角部8是由單一的圓周線構成時，這裡說的“曲率半徑”是指該圓周線的半徑，而如圖7所示，當矽芯線保持部9之倒角部8是由複數條圓周線(圖7的情況是圓周線L₁~L₄這四條圓周線)之組合構成時，這裡說的“曲率半徑”是指與各條圓周線L₁~L₄相對應的各半徑的全部。

此外，曲率半徑R較佳為落在a/10R2b之範圍內，更佳為落在a/8Rb之範圍內。這是因為當R的值小於a/8時，有可能難以將倒角部8形成為曲面狀。並且，這是因為當R的值大於b時，有可能難以相對於矽芯線保持部9之上表面或側面平滑地形成該曲面。

需要說明的是，如圖7所示，當矽芯線保持部9之倒角部8是由複數條圓周線L₁~L₄之組合構成時，較佳的是最小的曲率半徑落在a/10R之範圍內，並且最大的曲率半徑落在R2b之範圍內。

如圖6所示，當設存在於矽芯線保持部9所內切之圓錐台的上表面之直徑方向上的倒角部8之起點為Q和S，並且設線段Q-S之長度為p時，p的最適當的範圍根據下述因素而有所不同，即：芯線保持器3整體的大小、形狀；矽芯線保持部9的大小、形狀；以及形成在矽芯線保持部9之上表面上的矽芯線插入孔7的大小。因此，較佳的是預先進行實驗來決定腳部能充分地成長的最適當範圍，在本發明中，長度p較佳的是落在1/10ap9/10a之範圍內，更佳的是落在1/5ap4/5a之範圍內。

這是因為當p的值小於1/5a時，有可能：矽芯線保持部9的強度下降，從而難以保持成長出來的矽棒5。並且，這是因為當p的值大於4/5a時，有可能：從矽芯線4導向矽芯線保持部9 的導熱量變大，矽芯線4經由矽芯線保持部9被過度地冷卻，從而阻礙矽芯線4之腳部處的矽的成長；矽棒5與矽芯線保持部9接觸之接觸部上的曲面的比例較少，從而分散由矽棒5之熱收縮所引起的束縛力之效果降低。

此外，如圖6所示，設圓錐台之側面的長度為c、圓錐台之側面上的倒角部的起點為Y、圓錐台之側線與底邊的交點為Z時，線段Y-Z之長度x較佳為落在1/10cx4/5c之範圍內，更佳為落在1/5cx2/3c之範圍內。

這是因為當x之範圍小於1/5c時，有可能：矽不容易析出到矽芯線保持部9之頂端部分上，從而難以保持成長出來的矽棒5。並且，這是因為當x之範圍大於2/3c時，有可能：矽棒5與矽芯線保持部9接觸之接觸部上的曲面的比例較少，從而分散由矽棒5之熱收縮所引起的束縛力之效果降低。

在本發明中，芯線保持器3之材質沒有特別的限制，只要具有作為芯線保持器3所需要的導電性即可。需要說明的是，就工業上來說，最適合使用的是碳。

此外，作為形成芯線保持器3之材料，當設矽棒5之熱膨脹率為1時，較佳的是選擇具有下述材質的材料，即該材料之熱膨脹率與矽棒5之熱膨脹率的比率為0.7~1.7，更佳的是選擇具有下述材質的材料，即該材料之熱膨脹率與矽棒5之熱膨脹率的比率為0.8~1.5。這是因為當熱膨脹率的比率落到該範圍外時，有可能：由冷卻矽棒5時產生的熱收縮所引起的束縛力會變大。

需要說明的是，這裡所說的“熱膨脹率”可以從利用熱機械分析裝置(TMA：Thermo Mechanical Analysis)測量得到的物體之線膨脹率的值來計算出。最近，有時也從利用在測量過程中 使用了雷射的望遠測微法所測量得到的物體之線膨脹率的值來計算熱膨脹率，由於能夠利用望遠測微法來得到與利用熱機械分析裝置得到的測量值實質上相同的值，因此也可以從在測量過程中使用了雷射的望遠測微法所得到的測量值來計算熱膨脹率。

此外，作為芯線保持器3之材料，一般的碳(燒結體)約有90~130個種類，其中適用的材料是具有矽棒5之熱膨脹率乘以上述比率而得到的熱膨脹率之材料。在以上述碳作為基材的情況下，具體而言，能夠使用各向同性化材料、各向異性化材料中任一者。

在此，一般而言，“碳”材料指的是以天然鱗片狀石墨、石油焦、煤瀝青焦或碳黑等作為原料來製造成的人造石墨。能夠按下述方式得到該碳材料的成型體：將原料粉碎並調整粒度，然後在製作出添加了煤焦油、瀝青等黏結劑的混合物後，將該混合物放入模具內，藉由壓縮該混合物就能成型出該碳材料的成型體，或者藉由將該混合物擠出就能成型出該碳材料的成型體。

此時，利用均壓成形法來壓縮成型而得到的材料稱為各向同性化材料，從單一方向進行加壓而得到之材料稱為各向異性化材料。

使用各向異性化材料的情況下，較佳的是選擇具有上述熱膨脹率之比率的最大值的範圍為0.7~1.7之材質的材料。

在本發明中，在由矽芯線保持部9之上表面和側面所構成的稜部上形成曲面狀倒角部8的方法沒有特別的限制，能夠採用已知的方法。具體而言，當矽芯線保持部9的基材為碳時，較佳的是藉由切削加工等來形成倒角部8。此外，本發明之芯 線保持器3也可以藉由對由如圖8所示的現有的圓錐台形矽芯線保持部之上表面和側面所構成的稜部進行加工來製作。

在本發明中，能夠考慮矽析出反應後的矽棒5之直徑、矽棒5所帶來的負荷等來使芯線保持器3的大小為能夠充分地支持矽棒5之大小。一般而言，矽芯線保持部9之底面的直徑b為35mm~60mm，矽芯線保持部9之高度h為50mm~150mm。

此外，能夠根據下述因素來適當地決定設在芯線保持器3上的矽芯線插入孔7的直徑和深度，即：使用的矽芯線4的直徑；在矽的析出反應進行之期間中的、在高溫下的矽芯線4的膨脹；以及矽棒5所帶來的負荷。

此外，本發明之芯線保持器3係與金屬製的電極2接合。接合部的構造沒有特別的限制，只要能夠順利地進行通電即可，能舉出的接合型態例如有利用螺紋型(螺紋接合型)、吻合型、研砵型等形狀進行接合之型態。

需要說明的是，如上述那樣，為了避免部件在高溫環境中受損，電極2通常具有能藉由水冷等方式來冷卻的構造，在矽析出之期間中，使電極2冷卻。

在本發明之芯線保持器3中，使用直徑為5~12mm的矽芯線4，該矽芯線4在製造直徑為100mm以上、特別是120mm以上的矽棒5時特別有效。

【實施例】

以下，利用實施例來更詳細地說明本發明，但這些實施例不對本發明造成任何限制。

(實施例1~24)

使用如圖3所示的芯線保持器，並計算出析出後的矽棒腳部的龜裂發生率。更具體而言，使用下述芯線保持器，並且在 截面為8mm見方的矽芯線上析出多晶矽，從而製造了直徑約為150mm的矽棒。上述芯線保持器具有圖6中示出的長度a、b、c、h、p、x和曲率半徑R被設定為表1中示出的值的矽芯線保持部，並且具有表1中示出的熱膨脹率。接下來，計算出析出後的矽棒之腳部的龜裂發生率。以上的結果示於表1。

需要說明的是，評價中使用的矽棒之腳部的龜裂發生率(N(%))是利用下述算式(1)求得的。

(算式1)N(%)=(取出矽棒時在腳部上發現龜裂的矽棒的根數)/(矽棒總根數)×100...(1)

(比較例1~3)

使用如圖3所示的芯線保持器，並計算出析出後的矽棒腳 部的龜裂發生率。更具體而言，使用與實施例1~24不同的下述芯線保持器，除此以外，按照與實施例1~24相同的方式，在截面為8mm見方的矽芯線上析出多晶矽，從而製造了直徑約為150mm的矽棒。上述本比較例的芯線保持器具有矽芯線保持部，並且具有表2中示出的熱膨脹率，該矽芯線保持部的如圖6中示出的長度a、b、c、h、p、x被設定為表1中示出的值，並且在由上表面和側面所構成的稜部上沒有形成曲面狀倒角部。接下來，按照與實施例1~24相同的方式，計算出析出後的矽棒腳部的龜裂發生率。以上的結果示於表2。

如表1、表2所示，能夠得知：就實施例1~24的芯線保持器來說，由於具有由矽芯線保持部之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的倒角部，因此應力被抑制為在矽之斷裂強度以下，其結果是，在取出矽棒時，以往產生的、以矽棒與矽芯線保持部接觸之接觸部為起點之矽棒的腳部上的龜裂的發生率降低了。

1‧‧‧底座

2‧‧‧電極

3‧‧‧芯線保持器

4‧‧‧矽芯線

5‧‧‧矽棒

6‧‧‧鐘罩容器

20‧‧‧矽製造裝置

Claims (6)

1. 一種芯線保持器，其安裝在金屬電極上，該金屬電極布置在利用西門子法製造矽的矽製造裝置之底座上，該芯線保持器具有近似圓錐台形的矽芯線保持部，該矽芯線保持部用來保持矽芯線並對矽芯線通電，其中：在近似圓錐台形的所述矽芯線保持部之上表面上形成有用來保持所述矽芯線的矽芯線插入孔，所述矽芯線保持部具有倒角部，該倒角部是由該矽芯線保持部之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的。
2. 如請求項1所述的芯線保持器，其中：所述芯線保持器具有圓柱形或圓錐台形的基部。
3. 如請求項1或2所述的芯線保持器，其中：設近似圓錐台形的所述矽芯線保持部所內切的圓錐台之上表面上的圓的直徑為a、設該圓錐台之底面上的圓的直徑為b、設該圓錐台的高度為h，並且設所述矽芯線保持部上的形成為曲面狀的所述倒角部的曲率半徑為R時，a<b、ah15a且a/10R2b之關係成立。
4. 如請求項1或2所述的芯線保持器，其中：所述芯線保持器是由碳製成的。
5. 如請求項1或2所述的芯線保持器，其中：當設矽棒的熱膨脹率為1時，用來製成所述芯線保持器的材料具有該材料的熱膨脹率與矽棒的熱膨脹率之比率為0.7~1.7之材質。
6. 一種利用西門子法來製造多晶矽的製造方法，其中： 在上述利用西門子法來製造多晶矽的製造方法中，使用如請求項1~5中任一項所述的芯線保持器，並且使多晶矽析出到所述矽芯線上。