JP7345441B2 - 多結晶シリコン製造装置 - Google Patents
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Description
シーメンス法により多結晶シリコンを製造する多結晶シリコン製造装置であって、
ベースプレートに水平方向に移動可能に設置され、芯線ホルダと電極を電気的に接続する保持体であって、前記芯線ホルダを前記ベースプレートに対して回転可能に保持する保持体を備えている。
前記保持体は、ベースプレートに水平方向に移動可能に設置された台座と、前記台座に回転可能に設置され、芯線ホルダと電極を電気的に接続する電極アダプタとを有してもよい。
前記台座は、上部に曲面部を有し、
前記電極アダプタは、前記曲面部に沿って回転可能となり、かつ前記電極に対して水平方向にスライド可能となってもよい。
前記電極アダプタは、前記曲面部に回転可能に設置される電極アダプタ本体部と、前記電極アダプタ本体部から水平方向に延在し、前記電極に接触する電極アダプタスライド部とを有し、
前記電極を前記電極アダプタスライド部とともに挟持するための抑え部が設けられてもよい。
前記台座、前記電極アダプタ及び前記電極の各々が平面と半径5mm以上の曲面部又は球面のみで構成されてもよい。
前記台座、前記電極アダプタ及び前記電極の各々が角度90度未満の入隅部がなくてもよい。
前記ベースプレートに設置された前記台座が絶縁体であってもよい。
2 電極アダプタ
2a 電極アダプタ本体部
2b 電極アダプタスライド部
3 アダプタ台(台座)
4 金属電極(電極)
5 絶縁体
9a ボルト
9b ナット
10 抑え板
20 反応器ベースプレート(ベースプレート)
30 冷媒
100 保持体
S1,S2 スライド方向
R1,R2 回転方向(揺動方向)
Claims (7)
- シーメンス法により多結晶シリコンを製造する多結晶シリコン製造装置であって、
ベースプレートの上面に対して水平方向に移動可能に設置され、芯線ホルダと電極を電気的に接続する保持体であって、前記芯線ホルダを前記ベースプレートに対して少なくとも上下方向で揺動可能に保持する保持体を備えることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。 - 前記保持体は、ベースプレートに水平方向に移動可能に設置された台座と、前記台座に対して少なくとも上下方向で揺動可能に設置され、芯線ホルダと電極を電気的に接続する電極アダプタとを有することを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン製造装置。
- 前記台座は、上部に曲面部を有し、
前記電極アダプタは、前記曲面部に沿って少なくとも上下方向で揺動可能となり、かつ前記電極に対して水平方向にスライド可能となっていることを特徴とする請求項2に記載の多結晶シリコン製造装置。 - 前記電極アダプタは、前記曲面部に沿って少なくとも上下方向で揺動可能に設置される電極アダプタ本体部と、前記電極アダプタ本体部から水平方向に延在し、前記電極に接触する電極アダプタスライド部とを有し、
前記電極を前記電極アダプタスライド部とともに挟持するための抑え部が設けられることを特徴とする請求項3に記載の多結晶シリコン製造装置。 - 前記台座、前記電極アダプタ及び前記電極の各々が平面と半径5mm以上の曲面部又は球面のみで構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多結晶シリコン製造装置。
- 前記台座、前記電極アダプタ及び前記電極の各々が角度90度未満の入隅部がないことを特徴とする請求項5に記載の多結晶シリコン製造装置。
- 前記ベースプレートに設置された前記台座が絶縁体であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多結晶シリコン製造装置。
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