KR20220003971A - 다결정 실리콘 제조 장치 - Google Patents

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KR20220003971A
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

[과제] 전극 어댑터의 수평 방향 운동 및 회전 운동이 가능하며 청소가 용이한 다결정 실리콘의 제조 장치를 제공한다.
[해결수단] 지멘스법에 의해 다결정 실리콘을 제조하는 다결정 실리콘 제조 장치가, 베이스 플레이트(20)에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되고, 심선 홀더(1)와 전극(4)을 전기적으로 접속하는 보유 지지체(100)로서, 상기 심선 홀더(1)를 상기 베이스 플레이트(20)에 대하여 회전 가능하게 보유 지지하는 보유 지지체(100)를 갖는다.

Description

다결정 실리콘 제조 장치{MANUFACTURING DEVICE FOR POLYCRYSTALLINE SILICON}
본 발명은 지멘스법에 의해 다결정 실리콘을 제조하는 장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘은 반도체 제조용의 단결정 실리콘이나 태양 전지 제조용 실리콘의 원료이다. 다결정 실리콘의 제조 방법으로서는 지멘스법이 알려져 있고, 이 방법에서는 일반적으로 실란계 원료 가스를 가열된 실리콘 심선에 접촉시킴으로써, 해당 실리콘 심선의 표면에 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 다결정 실리콘을 석출시킨다.
지멘스법은 실리콘 심선을 연직 방향 2개, 수평 방향 1개의 기둥문형(역U자형)으로 조립하고, 그의 양단부 각각을 심선 홀더에 접속하고, 베이스 플레이트 상에 배치한 한 쌍의 금속제의 전극에 고정한다. 일반적으로 반응 로 내에는 복수조의 역U자형 실리콘 심선을 배치한 구성으로 되어 있다.
역U자형의 실리콘 심선을 석출 온도까지 통전에 의해 가열하고, 원료 가스로서 예를 들어 트리클로로실란과 수소의 혼합 가스를 실리콘 심선 상에 접촉시키면, 다결정 실리콘이 실리콘 심선 상에서 기상 성장하여, 원하는 직경의 다결정 실리콘 막대가 역U자형으로 형성된다.
전극은 절연물을 끼워서 베이스 플레이트를 관통하고 있고, 다른 전극에 접속되거나, 혹은 반응 로 외에 배치된 전원에 접속된다. 다결정 실리콘의 석출 공정 중에 이 전극부에 다결정 실리콘이 석출되어 버리는 것을 방지하거나, 전극부의 온도 상승에 의해 석출 중의 다결정 실리콘을 금속 오염시켜 버리는 것을 방지하거나 하기 위해서, 전극, 베이스 플레이트 및 벨 자는 물 등의 냉매에 의해 냉각된다.
도 4는, 종래 기술에 있어서의 전극 홀더가 전극에 설치되어서 심선 홀더(11)를 보유 지지하고 있는 양태를 예시적으로 설명하기 위한 개념도이다. 이 도면에 나타낸 예에서, 금속제의 전극(14)과 카본제의 심선 홀더(11)는 전극(14)의 소모를 억제하는 등의 목적으로, 전극 어댑터(13)를 통해 접속되고, 전극 어댑터(13)는 전극(14)에 나사 결합에 의해 고정되어 있다.
전극(14)으로부터 심선 홀더(11)를 통해 심선 홀더(11)의 정상부에 보유 지지된 실리콘 심선(도시하지 않음)에 전류를 공급하고, 줄 열에 의해 실리콘 심선의 표면을 수소 분위기 중에서 900℃ 내지 1200℃ 정도의 온도 범위로 가열한다. 이 상태에서, 원료 가스로서 예를 들어 트리클로로실란과 수소의 혼합 가스를 반응 로 내에 공급함으로써, 실리콘 심선 상에 고순도의 실리콘을 기상 성장시켜서 다결정 실리콘 로드(다결정 실리콘 막대)를 육성한다.
이 공정 중, 다결정 실리콘 로드의 직경 증대에 수반하여 카본제의 심선 홀더(1)측에도 다결정 실리콘의 석출이 진행되어, 점차 심선 홀더(11)와 일체화된다. 또한, 다결정 실리콘 로드의 성장에 수반하여 전기 저항이 저하되기 때문에, 다결정 실리콘 로드의 표면 온도를 석출 반응에 적합한 온도로 유지하기 위해서, 공급하는 전류는 서서히 높여 간다.
또한, 일반적으로 다결정 실리콘 로드에 공급되는 전류는 석출 반응 종료 시점에서 2000 암페어 내지 4000 암페어의 대전류가 된다. 다결정 실리콘 로드의 직경이 커짐에 따라, 로드 표면으로부터의 방열량은 증가한다. 이 때문에, 석출 반응에 필요한 온도(900 내지 1200℃)를 유지하기 위해서는, 그의 방열에 의해 상실되는 열량을 보상하도록, 다결정 실리콘 로드에 공급하는 전기 에너지를 높게 해 갈 필요가 있다.
또한, 다결정 실리콘은 온도의 상승과 함께 전기 저항률이 낮아지는 성질이 있기 때문에, 기본적으로 고온이 되는 로드의 중심에 가장 전류가 흐른다. 이 때문에, 로드의 브리지부에서는 역U자형의 내측이 고온, 최대 전류가 된다.
이것은 로드가 역U자형이기 때문에, 코너에서 내측을 통한 쪽이 전기 회로로서 거리가 짧아지는 것과, 코너의 직동(直胴)과 브리지가 각각의 복사를 받기 쉬워 달구어지기 쉽다는 등의 요인이 원인으로서 생각된다.
일본 특허 공개 제2006-240934호 공보 일본 특허 제2805457호
그 때문에, 로드 직경이 굵어짐에 따라 브리지부의 내측과 외측에서 온도 차가 커지고, 성장 중의 브리지부의 신장의 차나 성장 종료 후의 냉각 시의 수축이 보다 현저해져 크랙이 발생하기 쉬워진다고 하는 문제가 있다.
성장 중의 크랙은 로드 역U자부의 코너 내측의 고온에 대하여 외측의 저온에 의해 역U자가 개방되는 것과 같은 힘이 발생한다. 이때 지반의 전극이 고정되어 있으면 로드가 변형되지 못하고 응력이 일정값을 초과하여 크랙에 이른다. 이 성장 중의 크랙은 통전 전류에 흐트러짐을 야기하고, 로드 온도가 흐트러져, 결정의 균질성에 나쁜 영향을 부여한다. 또한 크랙의 영향이 커지면 통전 불가능하게 되어 도중에 반응을 중단하지 않을 수 없게 되어 버린다.
한편, 성장 종료 후의 냉각 시에는, 보다 고온의 코너 내측이 가장 수축되기 때문에, 역U자가 닫히는 것과 같은 힘이 발생한다. 그리고, 로드가 변형되지 못하고 응력이 일정값을 초과하면 크랙에 이른다. 냉각 시의 크랙은 성장 시의 크랙보다 대규모가 되는 것이 경험적으로 알려져 있고, 로드 전체에 크랙이 전파되어 로드의 도괴를 초래하는 경우가 있다.
이렇게 지멘스법에 있어서 로드의 크랙 발생 원인에는 역U자의 내측과 외측의 온도 차에 의해 발생하고, 그 때문에 로드 전체 온도 변화에 의한 단순한 신축 이외에, 로드 직동부와 브리지부의 접점을 지지점으로 한 회전시키는 힘을 포함하는 2차원적인 힘이 가해지는 것을 알 수 있다.
크랙 발생이 부여하는 로드 제조의 경제적인 대미지는 크고 현안 사항이었다. 그러나, 앞에서 설명한 2차원적인 힘에 대응하기 위해서는, 신축과 회전하는 기구가 필요한데다, 지멘스법의 성질상 사용 가능한 재질이 내고온성, 고강도, 저오염원일 필요가 있고, 나아가 효율적·품질적으로 안정된 제조를 계속하기 위해서는 배치 간의 청소 및 설치가 용이하게 가능할 필요가 있다. 이 때문에, 과제 해결은 매우 곤란하였다.
전극 어댑터에 대해서는, 지금까지도 신규한 구조가 제안되어 오고 있다.
예를 들어 특허문헌 1(일본 특허 공개 제2006-240934호 공보)에는, 전극과 홀더가 전기적으로 접속되어 접동 가능하게 한 장치가 제안되어 있지만, 로드 직동부와 브리지부의 접점을 지지점으로 한 회전 운동에 대응할 수 없다.
특허문헌 2(일본 특허 제2805457호)에서는 스프링 요소에 의해 전극 홀더의 수평 및 경사 운동을 가능하게 하고 있지만, 스프링 요소를 사용하고 있기 때문에 형상은 복잡하므로 배치 간의 청소는 매우 곤란하며 모든 표면을 청정하게 유지하는 것은 불가능에 가깝다. 또한, 스프링에 의한 보유 지지는 이동량이 커지면 거질수록 이동에 필요한 힘이 커지고, 보다 대경화가 진행되어 필요 이동량이 커지면 충분한 이동량을 확보할 수 없게 된다고 하는 문제점이 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술의 전극 어댑터는 이동에 대한 자유도 및/또는 배치 간에서 행하여지는 청소에 대한 대책이 충분하지 않다. 따라서 본 특허는 전극 어댑터의 수평 방향 운동 및 회전 운동이 가능하며 청소가 용이한 다결정 실리콘의 제조 장치를 제공하는 것이 목적이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치는,
지멘스법에 의해 다결정 실리콘을 제조하는 다결정 실리콘 제조 장치이며,
베이스 플레이트에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되고, 심선 홀더와 전극을 전기적으로 접속하는 보유 지지체로서, 상기 심선 홀더를 상기 베이스 플레이트에 대하여 회전 가능하게 보유 지지하는 보유 지지체를 구비하고 있다.
본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치에 있어서,
상기 보유 지지체는, 베이스 플레이트에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치된 받침대와, 상기 받침대에 회전 가능하게 설치되며, 심선 홀더와 전극을 전기적으로 접속하는 전극 어댑터를 가져도 된다.
본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치에 있어서,
상기 받침대는 상부에 곡면부를 갖고,
상기 전극 어댑터는, 상기 곡면부를 따라 회전 가능하게 되고, 또한 상기 전극에 대하여 수평 방향으로 슬라이드 가능하게 되어도 된다.
본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치에 있어서,
상기 전극 어댑터는, 상기 곡면부에 회전 가능하게 설치되는 전극 어댑터 본체부와, 상기 전극 어댑터 본체부로부터 수평 방향으로 연장되며, 상기 전극에 접촉하는 전극 어댑터 슬라이드부를 갖고,
상기 전극을 상기 전극 어댑터 슬라이드부와 함께 협지하기 위한 누름부가 마련되어도 된다.
본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치에 있어서,
상기 받침대, 상기 전극 어댑터 및 상기 전극의 각각이 평면과 반경 5mm 이상의 곡면부 또는 구면으로만 구성되어도 된다.
본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치에 있어서,
상기 받침대, 상기 전극 어댑터 및 상기 전극의 각각이 각도 90도 미만의 내부 코너부가 없어도 된다.
본 발명에 의한 다결정 실리콘 제조 장치에 있어서,
상기 베이스 플레이트에 설치된 상기 받침대가 절연체여도 된다.
본 발명에 의해, 전극 어댑터의 수평 방향 운동 및 회전 운동이 가능하고, 또한 청소가 용이한 다결정 실리콘의 제조를 할 수 있고, 다결정 실리콘의 성장 중 및 성장 후의 냉각 시의 크랙을 저감시키는 것이 가능하게 된다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 전극 홀더가 금속 전극에 설치되어서 심선 홀더를 보유 지지하고 있는 일 양태의 개념을 도시한 평면도이다.
도 2는, 도 1의 I-I 단면으로 절단한 측방 단면도이다.
도 3은, 도 1에 대응한 도면이고, 본 발명의 실시 형태의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 4는, 종래 형의 전극 홀더가 금속 전극에 설치되어서 심선 홀더를 보유 지지하고 있는 일 양태의 개념을 나타내는 측방 단면도이다.
본 실시 형태에서는, 지멘스법에 의해 다결정 실리콘을 제조하는 다결정 실리콘 제조 장치를 제공한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 다결정 실리콘 제조 장치는 반응기 베이스 플레이트(베이스 플레이트)(20)에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되며, 심선 홀더(1)와 금속 전극(전극)(4)을 전기적으로 접속하는 보유 지지체(100)를 갖고 있다. 이 보유 지지체(100)는, 심선 홀더(1)를 반응기 베이스 플레이트(20)에 대하여 회전 가능(요동 가능)하게 보유 지지하는 구성으로 되어 있다. 보유 지지체(100)는 심선 홀더(1)를 반응기 베이스 플레이트(20)에 대하여 상하 방향으로 회전 가능하게 보유 지지해도 되고, 수평면 내에 있어서 회전 가능하게 보유 지지해도 된다. 도 2에서는, 보유 지지체(100)가 심선 홀더(1)를 반응기 베이스 플레이트(20)에 대하여 상하 방향으로 회전 가능(요동 가능)하게 보유 지지하고 있는 것을 나타내기 위한 화살표(R1, R2)가 도시되어 있다. 또한, 도 2에서는, 보유 지지체(100)가 반응기 베이스 플레이트(20)에 대하여 수평 방향으로 이동 가능하게 되어 있는 것을 나타내기 위한 화살표(S1, S2)도 도시되어 있다.
보유 지지체(100)는, 반응기 베이스 플레이트(20)에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치된 어댑터대(받침대)(3)와, 어댑터대(3)에 대하여 회전 가능(요동 가능)하게 설치되며, 심선 홀더(1)와 금속 전극(4)을 전기적으로 접속하는 전극 어댑터(2)를 가져도 된다.
어댑터대(3)는 상부에 곡면부(3a)를 가져도 된다. 전극 어댑터(2)는 곡면부(3a)를 따라 회전 가능하게 되고, 또한 금속 전극(4)에 대하여 수평 방향으로 슬라이드 가능하게 되어도 된다.
전극 어댑터(2)는, 받침대(3)의 곡면부(3a)에 회전 가능하게 설치되는 전극 어댑터 본체부(2a)와, 전극 어댑터 본체부(2a)로부터 수평 방향으로 연장되며, 금속 전극(4)에 접촉하는 전극 어댑터 슬라이드부(2b)를 가져도 된다. 전극 어댑터 본체부(2a)와 전극 어댑터 슬라이드부(2b)는 일체로 형성되어도 된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 전극 어댑터 본체부(2a)는 평면 보기에서 사각 형상을 포함하고, 전극 어댑터 슬라이드부(2b)도 평면 보기에서 사각 형상을 포함해도 된다. 또한 어댑터대(3)도 평면 보기에서 사각 형상을 포함해도 된다. 또한, 어댑터대(3)의 곡면부(3a)는 평면 보기에서 원 형상이 되어도 된다.
도 1 및 도 2에 도시한 양태에서는, 금속 전극(4)이 절연체(5)를 통해 반응기 베이스 플레이트(20) 상에 고정되어서, 대략 직육면체의 돌출부로 구성되어 있다. 이 금속 전극(4)을 끼워넣도록 전극 어댑터 슬라이드부(2b)가 누름판(10) 등을 포함하는 누름부를 볼트(9a) 및 너트(9b)로 체결함으로써 접촉되어 있다. 전극 어댑터 슬라이드부(2b)의 소정의 간격(W) 사이에서 금속 전극(4)을 전극 어댑터 슬라이드부(2b)와 누름판(10)으로 협지할 수 있다. 볼트(9a) 및 너트(9b)의 체결을 느슨하게 함으로써, 금속 전극(4)에 대한 전극 어댑터(2)의 위치를 수평 방향으로 슬라이드시킬 수 있다. 전극 어댑터 본체부(2a)는 상부에 심선 홀더(1)를 접속 가능한 볼록부(2a1)를 갖고 있다. 전극 어댑터 본체부(2a)의 하부는 어댑터대(3)와 곡면부(3a)에서 접속되어 있다. 이러한 양태를 채용함으로써, 심선 홀더(1)를 슬라이드 이동시키고, 또한 회전 운동시킬 수 있게 된다.
금속 전극(4) 내에서는 냉매(30)가 제공되고(도 2 참조), 금속 전극(4)을 내부로부터 냉각하도록 구성되어도 된다.
도 2에 도시하는 양태에서는, 전극 어댑터 본체부(2a)와 어댑터대(3) 사이에 상하 방향으로 간극(G)이 마련되어 있고, 전극 어댑터 본체부(2a)는 도 2의 상하 방향을 따라서 회전 가능(요동 가능)하게 되고(도 2의 R1 참조), 또한 도 2의 좌우 방향으로 이동 가능하게 되어 있다(도 2의 S1 참조). 또한, 전극 어댑터 본체부(2a)가 상하 방향을 따라서 회전되는 경우에는 전극 어댑터 슬라이드부(2b)도 상하 방향을 따라서 회전되는 것이 되고(도 2의 R2 참조), 전극 어댑터 본체부(2a)가 좌우 방향을 따라서 이동하는 경우에는 전극 어댑터 슬라이드부(2b)도 좌우 방향을 따라서 이동되게 된다(도 2의 S2 참조).
또한, 일례로서는, 금속 전극(4)이 수평 방향으로 회전 가능(요동 가능)하게 설치되어도 된다. 이 경우에는 전극 어댑터 본체부(2a)는 어댑터대(3)에 대하여, 수평 방향으로도 회전 가능하게 된다.
배치 간에 걸쳐 연속 사용하는 전극 어댑터(2), 어댑터대(3), 금속 전극(4) 및 누름판(10)은 모두 평면과 반경 5mm 이상의 아르의 느슨한 간단한 구면 또는 곡면부로 구성되어도 되고, 나아가 각도 90도 미만의 내부 코너부를 갖지 않는 형상으로 해도 된다. 이 경우에는, 예를 들어 벰코트 등의 일반적인 크로스상의 청소 도구를 사용하여 사람의 손으로 용이하게 청소할 수 있다. 또한, 볼트(9a) 및 너트(9b)는 소형 부품이기 때문에, 배치마다 신품으로 교환해도 경제적인 부하는 경미하다. 또한, 볼트(9a) 및 너트(9b)를 2세트 준비하여 한쪽을 사용하는 중에 다른 쪽을 청소해도 시간적인 부하는 경미하다. 또한, 90도 미만의 내부 코너부를 갖지 않는 양태를 채용함으로써, 청소하기 어려운 부분을 만들지 않는 양태가 되는 점에서 유익하다. 또한, 예각의 모퉁이부에 퇴적된 막은 (퇴적된 막의 응력이 높아져 막이 두꺼워지거나 및/또는 당해 내부 코너부에 대하여 충분한 밀착성을 유지하지 않고 퇴적되거나 하기 때문에) 퇴적 시에 탈락을 일으키고, 챔버 내에서 날아 올라 오염원이 될 가능성이 있지만, 90도 미만의 내부 코너부가 존재하지 않는 양태를 채용함으로써, 당해 사상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 120도 미만의 내부 코너부가 존재하지 않는 양태를 채용함으로써, 청소의 용이함을 더욱 향상시키고, 또한 오염원이 될 가능성을 더 저감시킬 수 있는 점에서 보다 바람직하다. 또한, 60도 미만의 내부 코너부가 존재하지 않는 양태를 채용하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 90도 미만의 내부 코너부가 존재하지 않는 양태와 비교하면 효과는 낮아지지만, 청소의 용이함이나, 오염원이 될 가능성을 저감시키는 점에서 일정 정도의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 도 1의 「c1」 및 도 2의 「c2」는 90도로 되어 있고, 「c3」은 90도 초과의 각도로 되어 있다.
또한, 어댑터대(3)는 반응기 베이스 플레이트(20)로의 통전을 방지하기 위하여 절연체인 것이 바람직하다. 단, 이것에 한정되는 것은 아니고, 어댑터대(3)로서 도전성이 있는 부재를 사용해도 된다. 이 경우에는, 접동성이 높은 재질을 사용하여, 어댑터대(3)와 반응기 베이스 플레이트(20) 사이에 절연체의 평판을 넣음으로써도 목적으로 하는 기능은 달성된다.
또한, 전극 어댑터 슬라이드부(2b)가 금속 전극(4)으로부터 의도하지 않게 벗어나지 않도록, 금속 전극(4)의 정점부에 스토퍼가 되는 커버(40)를 설치시켜도 된다(도 3 참조).
도 3에 도시한 바와 같이, 어댑터대(3)는 수평 방향으로 연장된 가이드부(50)에 마련되고, 당해 가이드부(50)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 되어도 된다. 도 3에 도시하는 양태에서는, 평면 보기에서 가이드부(50)가 전극 어댑터 슬라이드부(2b)와 동일한 방향으로 연장되어 있다.
금속 전극(4)과 전극 어댑터 슬라이드부(2b)의 가동부를 보호하는 커버를 설치해도 되고, 또한 접촉부에서의 통전, 접동의 보조가 되는 카본 시트를 끼워도 된다.
[실시예]
지멘스법에 의해, 다결정 실리콘 로드의 직경이 약 φ160mm가 될 때까지 성장시키는 반응을 5배치씩 행하고, 크랙의 발생률을 확인하였다. 도 4에 해당하는 가장 일반적인 고정된 종래 형의 금속 전극 및 전극 어댑터에서는 성장 시에 2배치에서 로드의 크랙 발생에 의한 전류의 흐트러짐이 확인되고, 냉각 시의 크랙은 5배치 모두에서 확인되고, 그 중 1배치에서 로드의 도괴가 확인되었다. 한편, 도 1 및 도 2에 도시한 본 실시 형태에 의한 구성의 것을 사용한 경우에는, 성장 중에 크랙 발생이 원인이라고 생각되는 전류의 흐트러짐은 없고, 냉각 시의 크랙은 3배치에서 확인된 로드의 도괴는 없었다.
1: 심선 홀더
2: 전극 어댑터
2a: 전극 어댑터 본체부
2b: 전극 어댑터 슬라이드부
3: 어댑터대(받침대)
4: 금속 전극(전극)
5: 절연체
9a: 볼트
9b: 너트
10: 누름판
20: 반응기 베이스 플레이트(베이스 플레이트)
30: 냉매
100: 보유 지지체
S1, S2: 슬라이드 방향
R1, R2: 회전 방향(요동 방향)

Claims (7)

  1. 지멘스법에 의해 다결정 실리콘을 제조하는 다결정 실리콘 제조 장치이며,
    베이스 플레이트에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되고, 심선 홀더와 전극을 전기적으로 접속하는 보유 지지체로서, 상기 심선 홀더를 상기 베이스 플레이트에 대하여 회전 가능하게 보유 지지하는 보유 지지체를 구비하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보유 지지체는, 베이스 플레이트에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치된 받침대와, 상기 받침대에 회전 가능하게 설치되며, 심선 홀더와 전극을 전기적으로 접속하는 전극 어댑터를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 받침대는 상부에 곡면부를 갖고,
    상기 전극 어댑터는, 상기 곡면부를 따라 회전 가능하게 되고, 또한 상기 전극에 대하여 수평 방향으로 슬라이드 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전극 어댑터는, 상기 곡면부에 회전 가능하게 설치되는 전극 어댑터 본체부와, 상기 전극 어댑터 본체부로부터 수평 방향으로 연장되며, 상기 전극에 접촉하는 전극 어댑터 슬라이드부를 갖고,
    상기 전극을 상기 전극 어댑터 슬라이드부와 함께 협지하기 위한 누름부가 마련되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 받침대, 상기 전극 어댑터 및 상기 전극의 각각이 평면과 반경 5mm 이상의 곡면부 또는 구면으로만 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 받침대, 상기 전극 어댑터 및 상기 전극의 각각이 각도 90도 미만의 내부 코너부가 없는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스 플레이트에 설치된 상기 받침대가 절연체인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조 장치.
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