TW201626422A - 描繪資料生成方法,多重帶電粒子束描繪裝置及圖樣檢查裝置 - Google Patents

描繪資料生成方法,多重帶電粒子束描繪裝置及圖樣檢查裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201626422A
TW201626422A TW104129795A TW104129795A TW201626422A TW 201626422 A TW201626422 A TW 201626422A TW 104129795 A TW104129795 A TW 104129795A TW 104129795 A TW104129795 A TW 104129795A TW 201626422 A TW201626422 A TW 201626422A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
trapezoid
pattern
data
drawing data
charged particle
Prior art date
Application number
TW104129795A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI596642B (zh
Inventor
Kenichi Yasui
Shigehiro Hara
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of TW201626422A publication Critical patent/TW201626422A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI596642B publication Critical patent/TWI596642B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/392Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31764Dividing into sub-patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

依一個實施形態之描繪資料生成方法,係生成用於多重帶電粒子束描繪裝置之描繪資料。此方法,將設計資料中包含之多角形圖形,分割成包含複數個梯形圖形之複數個圖形,該複數個梯形圖形各者的1組對邊沿著第1方向而平行,且以平行於該第1方向之邊作為共通邊而沿著與該第1方向正交之第2方向連結,並將第1梯形與和該第1梯形鄰接的第2梯形之共通的頂點的位置,表現成從該第2梯形與和該第2梯形鄰接的第3梯形之共通的頂點的位置出發時之前述第1方向及前述第2方向的位移,以生成前述描繪資料。

Description

描繪資料生成方法,多重帶電粒子束描繪裝置及圖樣檢查裝置
本發明有關描繪資料生成方法,多重帶電粒子束描繪裝置及圖樣檢查裝置。
隨著LSI的高度積體化,半導體裝置之電路線寬年年持續地微細化。為了對半導體裝置形成所需的電路圖樣,會採用下述手法,即,利用縮小投影型曝光裝置,將形成於石英上之高精度的原圖圖樣(光罩,或特別是用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖樣,係藉由電子束描繪裝置來描繪,運用所謂的電子束微影技術。
作為電子束描繪裝置,例如已知有利用多射束一口氣照射許多射束,以使產能提升之多射束描繪裝置。該多射束描繪裝置中,例如,從電子槍放出的電子束,通過具有複數個孔之孔徑構件藉此形成多射束,各射束於遮沒板受到遮沒控制。未被遮蔽的射束,藉由光學系統而被縮小,照射至描繪對象的光罩上的所需位置。
當利用多射束描繪裝置進行電子束描繪的情形下,首先會設計半導體積體電路的佈局,並生成設計資料以作為佈局資料。然後,將該設計資料中含有之多角形圖形分割成複數個梯形,藉此生成欲輸入至多射束描繪裝置之描繪資料。該描繪資料,針對各梯形,係將1個頂點訂為配置原點,而具有該配置原點的座標資料、以及示意從配置原點至其他3個頂點為止的位移之資料。
當設計資料包含像橢圓形圖形這類藉由具有多數個邊的多角形圖形來近似地表現之圖形的情形下,該多角形圖形會被分割成多數個梯形。針對多數個梯形的各者,描繪資料中具有配置原點的座標資料及示意從配置原點至其他3頂點為止的位移之資料,其資料量變得龐大,造成問題。
雖能將多角形圖形表現成多邊形(polygon)來藉此減小描繪資料的資料量,但當將這樣的描繪資料輸入至多射束描繪裝置的情形下,在裝置內的光柵化(rasterisation)處理等資料處理所必須之計算量會增大,造成問題。
本發明之實施形態,提供一種可抑制資料量及多重帶電粒子束描繪裝置內的計算量之描繪資料生成方法、多重帶電粒子束描繪裝置及圖樣檢查裝置。
1‧‧‧描繪裝置
10‧‧‧描繪部
12‧‧‧電子束鏡筒
14‧‧‧電子槍
16‧‧‧照明透鏡
18‧‧‧孔徑構件
20‧‧‧遮沒板
22‧‧‧縮小透鏡
24‧‧‧限制孔徑構件
26‧‧‧對物透鏡
28‧‧‧偏向器
30‧‧‧描繪室
32‧‧‧XY平台
34‧‧‧光罩底板
36‧‧‧鏡
40‧‧‧電子束
40a~40e‧‧‧多射束(電子束)
50‧‧‧控制部
52‧‧‧控制計算機
54‧‧‧偏向控制電路
56‧‧‧偏向控制電路
58‧‧‧平台位置檢測器
60‧‧‧記憶裝置
70‧‧‧變換裝置
100‧‧‧多角形圖形
D0‧‧‧設計資料
D1、D2‧‧‧描繪資料
圖1為本發明實施形態之多重帶電粒子束描繪裝置的概略圖。
圖2為多角形圖形的分割處理例子示意圖。
圖3(a)、3(b)為多角形圖形的分割處理例子示意圖,圖3(c)為描繪資料的資料結構例子示意圖。
圖4(a)、4(b)、4(c)、4(d)為多角形圖形的分割處理例子示意圖,圖4(e)為描繪資料的資料結構例子示意圖。
圖5(a)、5(b)為多角形圖形的分割處理例子示意圖,圖5(c)為描繪資料的資料結構例子示意圖。
圖6(a)、6(b)為多角形圖形的分割處理例子示意圖,圖6(c)為描繪資料的資料結構例子示意圖,圖6(d)為方向旗標例子示意圖。
圖7(a)、7(b)為描繪資料的資料結構例子示意圖。
圖8為描繪資料的資料結構例子示意圖。
圖9為多角形圖形的分割處理例子示意圖。
圖10為多角形圖形的分割處理例子示意圖。
圖11(a)、11(b)為多角形圖形的分割處理例子示意圖。
圖12(a)為描繪資料的資料結構例子示意圖,圖12(b)為旗標例子示意圖。
圖13(a)為多角形圖形的分割處理例子示意圖,圖 13(b)為描繪資料的資料結構例子示意圖。
圖14為圖樣檢查裝置的概略構成圖。
依一個實施形態之描繪資料生成方法,係生成用於多重帶電粒子束描繪裝置之描繪資料。此方法,將設計資料中包含之多角形圖形,分割成包含複數個梯形圖形之複數個圖形,該複數個梯形圖形各者的1組對邊沿著第1方向而平行,且以平行於該第1方向之邊作為共通邊而沿著與該第1方向正交之第2方向連結,並將第1梯形與和該第1梯形鄰接的第2梯形之共通的頂點的位置,表現成從該第2梯形與和該第2梯形鄰接的第3梯形之共通的頂點的位置出發時之前述第1方向及前述第2方向的位移,以生成前述描繪資料。
以下,依據圖面說明本發明之實施形態。
圖1為依本實施形態之利用描繪資料進行描繪之多重帶電粒子束描繪裝置的概略圖。本實施形態中,作為帶電粒子束的一例,係以使用了電子束之構成來做說明。但,帶電粒子束不限於電子束,也可以是離子束等其他帶電粒子束。
圖1所示之描繪裝置1,具備:描繪部10,對光罩或晶圓等對象物照射電子束以描繪所需圖樣;及控制部50,控制描繪部10所做的描繪動作。描繪部10具備電子束鏡筒12與描繪室30。
在電子束鏡筒12內,配置有電子槍14、照明透鏡16、孔徑構件18、遮沒板20、縮小透鏡22、限制孔徑構件24、對物透鏡26及偏向器28。在描繪室30內配置有XY平台32。在XY平台32上,載置有作為描繪對象基板之光罩底板34。作為對象物,例如包含晶圓、或包含利用以準分子雷射為光源之步進機或掃描機等縮小投影型曝光裝置或極紫外線曝光裝置來將圖樣轉印至晶圓之曝光用光罩。此外,描繪對象基板中,例如還包含已形成有圖樣之光罩。例如,雷文生(Levenson)型光罩需要2次的描繪,因此可能會對曾對光罩描繪1次而加工過之物描繪第2次的圖樣。在XY平台32上還配置XY平台32位置測定用的鏡(mirror)36。
控制部50,具有控制計算機52、偏向控制電路54,56及平台位置檢測器58。控制計算機52、偏向控制電路54,56及平台位置檢測器58,透過匯流排彼此連接。
從電子槍14放出之電子束40,會藉由照明透鏡16而近乎垂直地對孔徑構件18全體做照明。在孔徑構件18,有孔(開口部)以規定之排列間距形成為矩陣狀。電子束40,對包含孔徑構件18的所有孔之區域做照明。電子束40的一部分分別通過該些複數個孔,藉此會形成如圖1所示般的多射束40a~40e。
在遮沒板20,係配合孔徑構件18的各孔的配置位置而形成通過孔,在各通過孔,分別配置有由成對的2個電極所構成之遮沒器。通過各通過孔的電子束40a~40e,會 分別獨立地藉由遮沒器施加之電壓而被偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。像這樣,複數個遮沒器,係對通過了孔徑構件18的複數個孔的多射束當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。
通過了遮沒板20的多射束40a~40e,會藉由縮小透鏡22而被縮小,朝向形成於限制孔徑構件24之中心的孔行進。此處,藉由遮沒板20的遮沒器而被偏向的電子束,其位置會偏離限制孔徑構件24的中心的孔,而被限制孔徑構件24遮蔽。另一方面,未受到遮沒板20的遮沒器偏向的電子束,會通過限制孔徑構件24的中心的孔。
像這樣,限制孔徑構件24,是將藉由遮沒板20的遮沒器而被偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。然後,從成為射束ON開始至成為射束OFF為止通過了限制孔徑構件24的射束,便成為1次份的擊發的射束。通過了限制孔徑構件24的多射束40a~40e,藉由對物透鏡26而被合焦,成為所需縮小率的圖樣像。通過了限制孔徑構件24的各射束(多射束全體),會藉由偏向器28朝同方向被一齊偏向,照射至各射束於光罩底板34上各自之照射位置。
當XY平台32在連續移動時,射束的照射位置會受到偏向器28控制,以便追隨XY平台32的移動。XY平台32的移動是藉由未圖示之平台控制部來進行,XY平台32的位置藉由平台位置檢測器58被檢測出來。
一次所照射之多射束,理想上會成為以孔徑構件18 的複數個孔的編排間距乘上上述所需之縮小率而得之間距而並排。本描繪裝置係以連續依序逐一照射擊發射束之逐線掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作,當描繪所需圖樣時,因應圖樣不同,必要之射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。
控制計算機52,從記憶裝置60讀取描繪資料D1,實施複數段的資料變換處理,生成裝置固有的擊發資料。擊發資料中,定義著各擊發的照射量及照射位置座標等。
控制計算機52,依據擊發資料將各擊發的照射量輸出至偏向控制電路54。偏向控制電路54,將輸入的照射量除以電流密度來求出照射時間t。然後,偏向控制電路54,當進行相對應之擊發時,係對遮沒板20的相對應之遮沒器施加偏向電壓,使得遮沒器僅於照射時間t成為射束ON。
此外,控制計算機52,將偏向位置資料輸出至偏向控制電路56,使得各射束被偏向至擊發資料所示之位置(座標)。偏向控制電路56演算偏向量,對偏向器28施加偏向電壓。藉此,該次被擊發之多射束會受到一齊偏向。
接著,說明描繪資料D1的生成方法。首先,設計半導體積體電路的佈局,並生成作為佈局資料之設計資料(CAD資料)D0。然後,設計資料D0在變換裝置70受到變換,生成描繪資料D1以輸入至描繪裝置1的控制計算機52。
設計資料D0中包含多角形圖形,變換裝置70進行將多角形圖形分割成複數個梯形之分割處理。藉由該分割處理生成的複數個梯形,各自具有沿著第1方向(例如縱方向)而平行之1組對邊。複數個梯形,沿著與第1方向正交之第2方向(例如橫方向)而連結。連結之相互鄰接的梯形,於第1方向共有平行的邊以作為共通邊。
例如如圖2所示,多角形圖形100,藉由分割處理被分割成複數個梯形T1~Tn。此處n為2以上的整數。梯形T1~Tn各自具有沿著縱方向(y方向)而平行之1組對邊,而於橫方向(x方向)連結。例如,梯形T2具有1組平行的邊S1及S2,邊S1成為和梯形T1之共通邊,邊S2成為和梯形T3之共通邊。另,連結方向兩端部的梯形T1、Tn的邊S0、Sn不成為共通邊。
因應多角形圖形的形狀,會進行如圖3(a)、3(b)、圖4(a)~4(d)、圖5(a)、5(b)、圖6(a)、6(b)所示般各種的分割處理。
圖3(a)中,如同圖2,進行分割處理使得各梯形具有沿著縱方向而平行之1組對邊,於橫方向連結。圖3(b)中,進行分割處理使得各梯形具有沿著橫方向而平行之1組對邊,於縱方向連結。
圖4(a)中,多角形圖形具有於縱方向平行之邊S0、S4,及將邊S0、S4的下端彼此予以連結之於橫方向平行之邊Sx1。藉由分割處理而生成的複數個梯形,各自具有沿著縱方向而平行之1組對邊,於橫方向連結,且下側 的邊於橫方向以直線狀相連。
圖4(b)中,多角形圖形具有於縱方向平行之邊S0、S4,及將邊S0、S4的上端彼此予以連結之於橫方向平行之邊Sx2。藉由分割處理而生成的複數個梯形,各自具有沿著縱方向而平行之1組對邊,於橫方向連結,且上側的邊於橫方向以直線狀相連。
圖4(c)中,多角形圖形具有於橫方向平行之邊S0、S4,及將邊S0、S4的右端彼此予以連結之於縱方向平行之邊Sy1。藉由分割處理而生成的複數個梯形,各自具有沿著橫方向而平行之1組對邊,於縱方向連結,且右側的邊於縱方向以直線狀相連。
圖4(d)中,多角形圖形具有於橫方向平行之邊S0、S4,及將邊S0、S4的左端彼此予以連結之於縱方向平行之邊Sy2。藉由分割處理而生成的複數個梯形,各自具有沿著橫方向而平行之1組對邊,於縱方向連結,且左側的邊於縱方向以直線狀相連。
圖5(a)、5(b)揭示當多角形圖形單純由於縱方向或橫方向平行之邊所構成的情形下之分割處理。在此情形下,多角形圖形被分割成複數個長方形(矩形)。圖5(a)揭示分割的長方形於橫方向連結之例子,圖5(b)揭示於縱方向連結之例子。
圖6(a)、6(b)揭示當多角形圖形單純由於縱方向或橫方向平行之邊以及對縱方向(橫方向)夾45°之邊所構成的情形下之分割處理。圖6(a)揭示分割的梯形 於橫方向連結之例子,圖6(b)揭示於縱方向連結之例子。
變換裝置70,將多角形圖形分割成複數個梯形後,便將梯形的頂點位置表現成和鄰接的梯形的頂點位置相距之位移,以生成描繪資料D1。例如,圖2所示例子中,邊S0的下端的頂點P01之座標(x0、y0)被定義為該多角形圖形的圖形配置位置原點。
然後,邊S0的上端的頂點P02之位置,被定義為圖形配置位置原點P01以及由此開始垂直延伸之邊S0的長度L0
平行於邊S0且與邊S0鄰接之邊S1的下端的頂點P11之位置,被定義為梯形T1的高(邊S0與邊S1之間隔)L1以及從鄰接之頂點P01出發時之縱方向的位移δ11。此外,邊S1的上端的頂點P12之位置,被定義為梯形T1的高L1以及從鄰接之頂點P02出發時之縱方向的位移δ12
平行於邊S1且與邊S1鄰接之邊S2的下端的頂點P21之位置,被定義為梯形T2的高L2以及從鄰接之頂點P11出發時之縱方向的位移δ21。此外,邊S2的上端的頂點P22之位置,被定義為梯形T2的高L2以及從鄰接之頂點P12出發時之縱方向的位移δ22
換言之,將梯形T2與梯形T3的共通的頂點P21、P22之位置,定義為從梯形T1與梯形T2的共通的頂點P11、P12之位置出發時之縱方向的位移δ21、δ22以及橫方向的位移L2
其後同樣地,平行於邊Sm-1且與邊Sm-1鄰接之邊Sm的下端的頂點Pm1之位置,被定義為梯形Tm的高(邊Sm-1與邊Sm之間隔)Lm以及從鄰接之頂點P(m-1)1出發時之縱方向的位移δm1。此外,邊Sm的上端的頂點Pm2之位置,被定義為梯形Tm的高Lm以及從鄰接之頂點P(m-1)2出發時之縱方向的位移δm2。此處m為2~n之整數。
像這樣,和多角形圖形相對應之連結梯形群,能夠藉由圖形配置位置原點P01的座標(x0、y0)、邊S0的長度L0、各梯形T1~Tn的高L1~Ln、從鄰接之頂點出發時之與梯形連結方向正交之方向的位移δ11、δ12n1、δn2來定義其形狀。另,位移δ11、δ12n1、δn2為附符號之值。各梯形T1~Tn的高L1~Ln,能夠視為從鄰接之頂點出發時之梯形連結方向的位移。
圖7(a)揭示定義連結梯形群之描繪資料D1的資料結構一例。描繪資料D1,具有標頭PH及形狀資訊EP。標頭PH中定義著圖形代碼(Code)、旗標(flag)及圖形要素數(N)。
圖形代碼,為示意連結梯形群是將怎樣的多角形圖形做了分割處理之資訊,例如示意其對應於圖3(a)、3(b)、圖4(a)~4(d)、圖5(a)、5(b)、圖6(a)、6(b)當中的哪種分割處理。
旗標中包含識別圖形表現所必要之資訊,例如包含後述形狀資訊EP中含有之資料的位元長度等。圖形要素數(N),表示圖形代碼為相同之連結梯形群(多角形圖 形)的數量。形狀資訊EP,是依每一連結梯形群而作成,因此當圖形要素數(N)為2以上的情形下,如圖7(b)所示,會作成複數個形狀資訊EP1~EPN。
形狀資訊EP中,包含用來定義連結梯形群的形狀之資訊,例如圖形配置位置原點的座標(x0、y0)、邊S0的長度L0、各梯形T1~Tn的高L1~Ln、從鄰接之頂點出發時之與梯形連結方向正交之方向的位移δ11、δ12n1、δn2。此外,形狀資訊EP,包含梯形的連結數Nconnect。
例如,表現圖3(a)、3(b)所示連結梯形群之描繪資料D1會成為如圖3(c)般之資料結構。圖形代碼中,定義著梯形的連結方向、或以哪個頂點作為圖形配置位置原點等以供判別。連結數Nconnect為4。
表現圖4(a)~4(d)所示連結梯形群之描繪資料D1會成為如圖4(e)般之資料結構。圖形代碼中,定義著梯形的連結方向、複數個梯形的哪個邊以直線狀相連、以哪個頂點作為圖形配置位置原點等以供判別。連結數Nconnect為4。圖4(a)~4(d)中,連結的梯形的一邊以直線狀相連,針對此邊的頂點,鄰接的頂點之間於與梯形連結方向正交之方向沒有位移。是故,當連結數Nconnect相同的情形下,相較於圖3(a)、3(b)而言形狀資訊EP的資料量會變小。
表現圖5(a)、5(b)所示連結梯形群之描繪資料D1會成為如圖5(c)般之資料結構。圖形代碼中,定義著分割成複數個長方形、長方形的連結方向、以哪個頂點 作為圖形配置位置原點等以供判別。
表現圖6(a)、6(b)所示連結梯形群之描繪資料D1會成為如圖6(c)般之資料結構。形狀資訊EP中定義著圖6(d)所示般之方向旗標(flag)。這是因為,當多角形圖形單純由於縱方向或橫方向平行之邊以及對縱方向(橫方向)夾45°之邊所構成的情形下,能夠將各邊以圖6(d)的方向旗標的其中一種來表示之緣故。圖形代碼中,定義著梯形的連結方向、以哪個頂點作為圖形配置位置原點等以供判別。另,圖6(c)為表示圖6(a)的連結梯形群之描繪資料D1。
像這樣,本實施形態中,將多角形圖形視為複數個平行梯形於某一方向連結而成之梯形群,僅有圖形配置位置原點是以座標表示,其他梯形的頂點之位置則表現成從鄰接之頂點出發時之位移,而生成描繪資料D1。因此,相較於將各梯形表現成配置位置原點的座標以及由此開始至其他3頂點為止之位移的情形,能夠減低描繪資料的資料量。
例如,將具有100個頂點的多角形圖形表現成連結梯形群,相較於將各梯形表現成配置位置原點的座標以及由此開始至其他3頂點為止之位移的描繪資料而言,像本實施形態這樣僅有1個梯形的圖形配置位置原點是以座標表示,而此梯形的其他頂點及其他梯形的頂點之位置則是表現成從鄰接之頂點出發時之位移的描繪資料,能夠將資料量減低至1/3程度。
此外,將多角形圖形表現成連結梯形群之描繪資料D1,相較於由多邊形形狀圖形所構成之描繪資料而言,在描繪裝置1的控制計算機52內容易做資料處理,能夠抑制計算量。
如圖8所示,描繪資料D1中,亦可設計成能夠定義連結的梯形的各者之照射量(劑量)。梯形T1~Tn的劑量AI1~AIn包含標頭PHd。標頭PHd的旗標flag,表示劑量AI1~AIn的資料的位元長度等。此外,標頭PHd的要素數N,表示有定義劑量之梯形的數量。此外,描繪資料D1中,除了照射量以外,亦可定義圖層資訊等其他的屬性資訊。
如圖9所示,依多角形圖形的形狀不同,連結梯形群的端部(一端或兩端)亦可呈三角形。在此情形下,沒有相當於邊S0的邊,因此描繪資料D1的形狀資訊EP中會省略長度L0的項目。
上述實施形態中,如圖2所示,雖定義了從邊Sm-1的下端頂點出發時之邊Sm的下端頂點的縱方向的位移δm1、從邊Sm-1的上端頂點出發時之邊Sm的上端頂點的縱方向的位移δm2,但亦可如圖10所示,將位移δm2訂為以邊Sm的下端頂點為基準。像這樣,將邊Sm的一端的頂點之位置,定義為從邊Sm-1的一端的頂點之位置出發時之位移,而將邊Sm的另一端的頂點之位置定義為從邊Sm的該一端的頂點之位置出發時之位移,如此仍會和上述實施形態獲得同樣效果。此外,以鄰接之2個梯形的共通邊的一 端的頂點為基準來定義另一端的頂點的位移,藉此,於檢查工程中,容易確認鄰接之梯形的連結。
上述實施形態中,是將鄰接之梯形的共通邊的兩端的頂點之位置,表現成從鄰接之頂點出發時之位移,但若依此手法,則如圖11(a)所示共通邊S2的上側頂點般,針對鄰接之梯形的單側的邊以直線狀相連而不需要定義位置之處,也會被定義從鄰接之頂點出發時之位移。在此情形下,如圖11(b)所示,較佳是共通邊S2的上側頂點之位置不定義,而將共通邊S3的上側頂點之位置表現成從共通邊S1的上側頂點出發時之位移。藉此,能夠將圖11(a)中位移δ22的量從描繪資料D1的資料量中刪減。
這樣的描繪資料D1,如圖12(a)所示,會對各梯形T1~Tn的高L1~Ln附加旗標(flag1),並對此旗標賦予如圖12(b)所示般之2位元的值。藉此,便可知共通邊的兩端之位置是否有被定義。
又,如圖12(a)所示,亦可對位移δ11、δ12n1、δn2附加旗標(flag2、3),並對此旗標賦予如圖12(b)所示般之2位元的值。當flag2、flag3的值為“00”或“10”的情形下,由梯形T1~Tn的高L1~Ln可決定位移δ11、δ12n1、δn2,因此能夠省略描繪資料D1中的位移δ11、δ12n1、δn2,能夠進一步刪減描繪資料D1的資料量。
例如,表現圖13(a)所示連結梯形群之描繪資料D1會成為如圖13(b)般之資料結構。因能夠省略位移δ12、δ21、δ32等,故能夠進一步減低描繪資料D1的資料 量。
藉由依上述實施形態之變換裝置70而生成的描繪資料D1,亦可被輸入至圖樣檢查裝置。例如,如圖14所示,對於圖樣檢查裝置80,係輸入藉由變換裝置70而生成之描繪資料D1(第1描繪資料)、及依據圖1所示描繪裝置1基於描繪資料D1在描繪對象基板實際描繪的圖樣而作成之描繪資料D2(第2描繪資料)。描繪資料D2,從未圖示之記憶裝置透過有線或無線網路被輸入至圖樣檢查裝置80。
圖樣檢查裝置80,依據輸入的描繪資料D1、D2,來檢查藉由描繪裝置1在描繪對象基板實際描繪的圖樣。此檢查中,例如會進行將描繪資料D1與描繪資料D2予以比較之檢查。另,檢查中會進一步使用描繪條件等各種資訊。
藉由變換裝置70而生成之描繪資料D1,其資料量小,且容易做資料處理,因此能夠使圖樣檢查裝置80的處理效率提升。
變換裝置70,亦可設於圖樣檢查裝置80內。在該情形下,圖樣檢查裝置80具備:變換部,依據輸入的設計資料D0來生成描繪資料D1;及檢查部,將描繪資料D1與描繪資料D2予以比較以進行在描繪對象基板實際描繪的圖樣之檢查。
依上述實施形態之描繪資料D1的生成,亦可在描繪裝置1的控制計算機52內進行。控制計算機52,當被輸 入設計資料D0,便將多角形圖形分割成平行梯形以作成連結梯形群,並將各頂點的位置以從鄰接之頂點位置出發時之位移來表示,以生成描繪資料D1。
上述實施形態中說明的變換裝置70的至少一部分可由硬體來構成,亦可由軟體來構成。當由軟體構成的情形下,亦可將實現變換裝置70的至少一部分功能之程式存放於軟碟或CD-ROM等記錄媒體,並令電腦讀入以執行。記錄媒體,不限定於磁碟或光碟等可裝卸者,亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體。
此外,亦可將實現變換裝置70的至少一部分功能之程式,透過網際網路等通訊線路(亦包含無線通訊)來發佈。又,亦可將同程式加密、或施以調變、或在壓縮的狀態下透過網際網路等有線線路或無線線路,或是存放於記錄媒體來發佈。
另,本發明並不限定於上述實施形態本身,於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外,藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合,能夠形成種種發明。例如,亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又,亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
100‧‧‧多角形圖形

Claims (6)

  1. 一種描繪資料生成方法,係生成用於多重帶電粒子束描繪裝置之描繪資料的描繪資料生成方法,其特徵為:將設計資料中包含之多角形圖形,分割成包含複數個梯形圖形之複數個圖形,該複數個梯形圖形各者的1組對邊沿著第1方向而平行,且以平行於該第1方向之邊作為共通邊而沿著與該第1方向正交之第2方向連結,將第1梯形與和該第1梯形鄰接的第2梯形之共通的頂點的位置,表現成從該第2梯形與和該第2梯形鄰接的第3梯形之共通的頂點的位置出發時之前述第1方向及前述第2方向的位移,以生成前述描繪資料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之描繪資料生成方法,其中,前述描繪資料,包含複數個梯形的連結方向、圖形配置位置原點的座標及各梯形的高之資訊。
  3. 一種多重帶電粒子束描繪裝置,具備:描繪部,形成由複數個帶電粒子束所構成之多射束,對前述多射束當中各個相對應之射束個別地進行射束的ON/OFF,而將帶電粒子束照射至對象物上以描繪圖樣;控制部,將設計資料中包含之多角形圖形,分割成複數個梯形圖形,該複數個梯形圖形各者至少1組對邊沿著第1方向而平行,且以平行於該第1方向之邊作為共通邊而沿著與該第1方向正交之第2方向連結,並將第1梯形與和該第1梯形鄰接的第2梯形之共通的頂點的位置,表現成從該第2梯形與和該第2梯形鄰接的第3梯形之共通 的頂點的位置出發時之前述第1方向及前述第2方向的位移以生成描繪資料,依據該描繪資料來控制前述描繪部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之多重帶電粒子束描繪裝置,其中,前述描繪資料,包含複數個梯形的連結方向、圖形配置位置原點的座標及各梯形的高之資訊。
  5. 一種圖樣檢查裝置,具備:變換部,將設計資料中包含之多角形圖形,分割成複數個梯形圖形,該複數個梯形圖形各者至少1組對邊沿著第1方向而平行,且以平行於該第1方向之邊作為共通邊而沿著與該第1方向正交之第2方向連結,並將第1梯形與和該第1梯形鄰接的第2梯形之共通的頂點的位置,表現成從該第2梯形與和該第2梯形鄰接的第3梯形之共通的頂點的位置出發時之前述第1方向及前述第2方向的位移以生成第1描繪資料;檢查部,將前述第1描繪資料、與依據在對象物上照射帶電粒子束所描繪成的圖樣而作成之第2描繪資料予以比較,以進行該圖樣之檢查。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之圖樣檢查裝置,其中,前述第1描繪資料,包含複數個梯形的連結方向、圖形配置位置原點的座標及各梯形的高之資訊。
TW104129795A 2014-10-08 2015-09-09 A drawing data generation method, a multi-charged particle beam drawing apparatus, and a pattern inspection apparatus TWI596642B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014207332A JP2016076654A (ja) 2014-10-08 2014-10-08 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201626422A true TW201626422A (zh) 2016-07-16
TWI596642B TWI596642B (zh) 2017-08-21

Family

ID=55655622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104129795A TWI596642B (zh) 2014-10-08 2015-09-09 A drawing data generation method, a multi-charged particle beam drawing apparatus, and a pattern inspection apparatus

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9558315B2 (zh)
JP (1) JP2016076654A (zh)
KR (1) KR101782335B1 (zh)
TW (1) TWI596642B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108717720A (zh) * 2017-03-30 2018-10-30 纽富来科技股份有限公司 描绘数据制作方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6679933B2 (ja) * 2016-01-05 2020-04-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法
JP6756320B2 (ja) 2017-09-20 2020-09-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JP7119688B2 (ja) 2018-07-18 2022-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7172420B2 (ja) 2018-10-15 2022-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4280186A (en) * 1978-07-07 1981-07-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Exposure apparatus using electron beams
JPS559433A (en) * 1978-07-07 1980-01-23 Toshiba Corp Electron beam exposure device
JPS6066427A (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 Mitsubishi Electric Corp 二次元パタ−ン発生装置
US4837447A (en) * 1986-05-06 1989-06-06 Research Triangle Institute, Inc. Rasterization system for converting polygonal pattern data into a bit-map
JPS63211625A (ja) * 1986-10-17 1988-09-02 Jeol Ltd 円弧パタ−ン露光方法及び装置
JPH05175107A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法
CN1820346B (zh) * 2003-05-09 2011-01-19 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
JP4068081B2 (ja) 2004-05-26 2008-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線描画装置
JP2007033902A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Advanced Mask Inspection Technology Kk パターン検査装置、パターン検査方法、及び被検査物
JP2008177224A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Nuflare Technology Inc 図形データの検証方法
JP2009109580A (ja) 2007-10-26 2009-05-21 Toshiba Corp マスク描画データ作成方法
JP2009111116A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Orc Mfg Co Ltd 描画装置
JP5658997B2 (ja) 2010-12-17 2015-01-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および描画データ生成方法
JP2012253316A (ja) * 2011-05-12 2012-12-20 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
TWI476806B (zh) * 2012-03-29 2015-03-11 Nuflare Technology Inc Charging Particle Beam Mapping Device and Inspection Method for Drawing Data
JP6133603B2 (ja) * 2013-01-21 2017-05-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置用の検査データ処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108717720A (zh) * 2017-03-30 2018-10-30 纽富来科技股份有限公司 描绘数据制作方法
US10503860B2 (en) 2017-03-30 2019-12-10 Nuflare Technology, Inc. Method of creating writing data
TWI704591B (zh) * 2017-03-30 2020-09-11 日商紐富來科技股份有限公司 描繪資料作成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI596642B (zh) 2017-08-21
US20160103945A1 (en) 2016-04-14
US9558315B2 (en) 2017-01-31
KR20160041765A (ko) 2016-04-18
KR101782335B1 (ko) 2017-09-27
JP2016076654A (ja) 2016-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI596642B (zh) A drawing data generation method, a multi-charged particle beam drawing apparatus, and a pattern inspection apparatus
US11774860B2 (en) Writing data generating method, multi charged particle beam writing apparatus, pattern inspecting apparatus, and computer-readable recording medium
JP7392805B2 (ja) 描画データ生成プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI710006B (zh) 描畫資料產生方法、記錄程式之電腦可讀取記錄媒體以及多帶電粒子束描畫裝置
JP5985852B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6662248B2 (ja) 描画データの作成方法
KR102071926B1 (ko) 묘화 데이터 작성 방법
JP6717406B2 (ja) 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JP6171062B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6350204B2 (ja) 描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2018133494A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置の評価方法