TW201625418A - 薄膜狀密封材料、密封片及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種薄膜狀密封材料1A,1B，其為含有包含吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層12之、由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料1A,1B，薄膜狀密封材料1A,1B之兩面對被著體顯示接著性，從水蒸氣阻障性樹脂層12中除去吸濕劑之材料之水蒸氣透過率，當用50μm之厚度進行測定之情形時為10g/(m2．day)以下，薄膜狀密封材料1A,1B由複數個層所構成之情形時，位於薄膜狀密封材料1B之最外側之、水蒸氣阻障性樹脂層12以外之層之水蒸氣透過率，當用50μm之厚度進行測定之情形時為30g/(m2．day)以下，水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例為薄膜狀密封材料1A,1B之厚度之50~100%。上述薄膜狀密封材料1A,1B具有更優異之水蒸氣阻障性。

Description

薄膜狀密封材料、密封片及電子裝置
本發明係關於能夠密封電子元件等之薄膜狀密封材料及密封片、以及藉由這些密封電子元件而得到之電子裝置。
於有機電子裝置、例如有機發光二極管(有機EL)元件、具有電子紙等顯示裝置用模組、具有有機薄膜太陽電池元件之太陽電池模組等中，因為水分、氧氣等侵入到裝置內部之電子元件中而劣化，所以有必要防止水分、氧氣之侵入。作為這樣之防止方法之例子，於有機EL元件中，有使用能够形成空間之玻璃構件覆蓋電子元件之方法。
將這樣之玻璃構件、電子元件、用於固定這些之基板一體化之情形時，有用接著劑固定玻璃構件與基板之接點，於這些之間所出現之空間設置電子元件之方法。於像這樣所製造之電子裝置中，有存在於外部之水分透過用於固定之接著劑而侵入到內部空間之虞。於專利文獻1及2中，公開了一種含有用於將像這樣侵入到內部之水分除去之吸濕劑之物質。
具體的而言，於專利文獻1中，公開了一種以特定之比率含有物理吸著系乾燥劑與化學吸著系乾燥劑之樹脂(專利文獻1之申請專利範圍第1項)。又，公開了於樹脂中兩 種乾燥劑合計之含有率能夠設為40~80重量%(同申請專利範圍第2項)。該樹脂於電子裝置內部，於面向電子元件之位置被設置成片狀，而吸收存在於電子裝置內之水分(於專利文獻1中，作為專利文獻1所引用之日本特開2001-277395號公報之圖2)。
於專利文獻2中，公開了一種包含含有Al-OR鍵之化合物與、硬化性單體之組成物。上述化合物因為於Al-OR鍵藉由進行水解反應而從周圍除去水分子，所以作為吸濕劑發揮作用。於電子裝置之內部，與面對電子元件之位置，片狀地設置該組成物，或將該組成物充填於電子裝置內部之空間，由此來將於電子裝置內所存在之水分吸收(專利文獻2之圖1及圖2)。
又，作為防止水分侵入到電子裝置內部之其他方法，存在使用薄膜狀密封材料之方法。此種情形時，電子裝置例如，作為以密封用基板、薄膜狀密封材料、電子元件及基板之順序所積層之積層體而進行製造。此種情形時，為使水分不從積層體之主面向厚度方向侵入，密封用基板使用玻璃板、高氣體阻障性薄膜、金屬箔等。但是，存在水分從積層體之邊緣的、薄膜狀密封材料露出外部之部分侵入，向面方向移動而到達電子元件之可能性。為此，開發了具有水蒸氣阻障性之密封材料。例如，於專利文獻3中公開了一種含有環烯烴系樹脂的具備水蒸氣阻障性樹脂層之薄膜狀密封材料。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-116501號公報
[專利文獻2]日本特開2013-108057號公報
[專利文獻3]日本特開2014-124927號公報
但是，近年於受到關注之具有有機EL元件之顯示裝置用模組、電子紙等之電子裝置中，對於從水分保護電子元件，要求有更高之水平。於專利文獻1及專利文獻2中所公開之物質，由於為用於乾燥電子裝置內空間之物質，所以不能夠作為密封片使用。再者，專利文獻2之物質因為係液狀之密封劑，所以為使液狀物不流出來需要於裝置周圍設置防止流出用之溝槽等操作性差。又，使用像於專利文獻3中所記載之那樣的薄膜狀密封材料雖然具有一定之有効性，但是要求有更高的水蒸氣阻障性之密封材料。再者，於上述顯示裝置用模組及電子裝置等中，以不遮蔽來自電子元件之光或射向電子元件之光，而使其透過為佳，對用於這些裝置之密封材料要求具有高光透過性。
本發明係鑒於像這樣之實際情形所進行之發明，以提供具有更優異之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料、密封片及電子裝置為目的。
為達成上述之目的，第一，本發明提供一種薄膜狀密封材料，其為含有包含吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層之、 由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料，其特徵在於：上述薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性，從上述水蒸氣阻障性樹脂層除去吸濕劑之材料之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時，為10g/(m2．day)以下，上述薄膜狀密封材料由複數個層所構成之情形時，位於上述薄膜狀密封材料之最外側之、上述水蒸氣阻障性樹脂層以外之層之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時，為30g/(m2．day)以下，上述水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例為薄膜狀密封材料之厚度之50~100%(發明1)。
上述發明(發明1)所述之薄膜狀密封材料中，從水蒸氣阻障性樹脂層除去吸濕劑之材料顯示高水蒸氣阻障性，除了防止水分之透過外，侵入到水蒸氣阻障性樹脂層中之水分被吸濕劑所吸收，所以可以達到非常高之水蒸氣阻障性。
於上述發明(發明1)中，上述吸濕劑之最大吸濕量，於用具有50μm之厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時以1.0g/m2以上為佳(發明2)。
第二，本發明提供一種薄膜狀密封材料，其為含有包含吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層之、由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料，其特徵在於：上述薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性，上述薄膜狀密封材料之最大吸濕量，於用具有50μm厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上，上述吸濕劑之含有量，相對於上述水蒸氣阻障性樹脂層為1~35質量%，上述水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例為薄膜狀密封材料之厚度之50 ~100%(發明3)。
上述發明(發明3)所述之薄膜狀密封材料中，藉由於水蒸氣阻障性樹脂層所含有之吸濕劑具有最高吸濕量，侵入之水分被吸濕劑充分地吸收，有効地防止水分之透過。再者，藉由使用具有最高吸濕量之吸濕劑，能夠將吸濕劑之含有量抑製得較低，構成水蒸氣阻障性樹脂層之樹脂之含有量相對地變高，可以實現高水蒸氣阻障性，同時可以良好地製造水蒸氣阻障性樹脂層。結果是，薄膜狀密封材料之水蒸氣阻障性變得非常優異。
於上述發明(發明1~3)中，以將積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側、對被著體顯示接著性之1個接著性樹脂層，或積層於水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側及另一方之面側、對被著體顯示接著性之2個接著性樹脂層，作為位於上述薄膜狀密封材料之最外側之層而含有為佳(發明4)。
於上述發明(發明4)中，上述接著性樹脂層之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時，以30g/(m2．day)以下為佳(發明5)。
於上述發明(發明1~5)中，上述吸濕劑以含有矽氧金屬鍵(metalloxane bond)之化合物為佳(發明6)。
於上述發明(發明6)中，含有上述矽氧金屬鍵之化合物，於具有由式[M(OR)n’-O]m(M為金屬元素，R為至少含有氫及碳之化合物，n’為1以上之整數，為從金屬元素之氧化數中减去2所得之值，m表示1以上之整數)所表示之構造之化合物中，以於M-O-M之部位為與水反應之化合物為佳(發明 7)。
於上述發明(發明1~5)中，上述吸濕劑以金屬氧化物為佳(發明8)。
於上述發明(發明1~5)中，上述吸濕劑以與水分子發生反應而生成水合物之化合物為佳(發明9)。
第三，本發明提供一種薄膜狀密封材料，其為含有水蒸氣阻障性樹脂層之、由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料，其特徵在於：上述薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示有接著性，於溫度60℃、相對濕度90%RH之環境下，從上述薄膜狀密封材料之端面之水蒸氣侵入速度為10μm/h以下(發明10)。
於上述發明(發明10)所述之薄膜狀密封材料中，從薄膜狀密封材料之端面所侵入之水分之移動速度非常慢，所以抑製水蒸氣從薄膜狀密封材料端面之侵入，則達到非常高之水蒸氣阻障性。
於上述發明(發明10)中，上述水蒸氣阻障性樹脂層以含有吸濕劑為佳(發明11)。
於上述發明(發明10，11)中，以進一步含有積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側、對被著體顯示接著性之1個接著性樹脂層，或積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側及另一方之面側、對被著體顯示接著性之2個接著性樹脂層為佳(發明12)。
於上述發明(發明10~12)中，上述水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例以係上述薄膜狀密封材料之厚度之50~ 100%為佳(發明13)。
於上述發明(發明10~13)中，上述水蒸氣阻障性樹脂層以含有選擇自橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂及環氧系樹脂所組成之組群中之至少1種樹脂為佳(發明14)。
於上述發明(發明12)，上述接著性樹脂層以含有選擇自橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂及環氧系樹脂所組成之組群中之至少1種樹脂為佳(發明15)。
上述發明(發明11)中，上述吸濕劑之最大吸濕量，於用具有50μm之厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，以1.0g/m2以上為(發明16)。
上述發明(發明11)中，上述吸濕劑以含有矽氧金屬鍵之化合物為佳(發明17)。
於上述發明(發明11)中，上述吸濕劑以金屬氧化物為佳(發明18)。
於上述發明(發明11)中，上述吸濕劑以與水分子反應生成水合物之化合物為佳(發明19)。
於上述發明(發明10~19)中，將上述薄膜狀密封材料之任意一方之表面，用120℃貼合於玻璃板上之際之接著力，以1N/25mm以上為佳(發明20)。
第四，本發明提供一種薄膜狀密封材料，其特徵在於：其具備對被著體顯示有接著性之第1及第2接著性樹脂層與、位於上述第1接著性樹脂層與上述第2接著性樹脂層之間之、含有環烯烴系樹脂及吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層(發 明21)。
上述發明(發明21)所述之薄膜狀密封材料，藉由環烯烴系樹脂而達到高水蒸氣阻障性，再者由於侵入到水蒸氣阻障性樹脂層中之水分被吸濕劑所吸收，而達到非常高之水蒸氣阻障性。
於上述發明(發明21)中，上述吸濕劑以金屬氧化物為佳(發明22)。
於上述發明(發明21，22)中，上述吸濕劑以與水分子反應生成水合物之化合物為佳(發明23)。
第五，本發明提供一種薄膜狀密封材料，其特徵在於：其具備對被著體顯示接著性之第1及第2接著性樹脂層與、位於上述第1接著性樹脂層與上述第2接著性樹脂層之間之、含有環烯烴系樹脂及吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層，全光線透過率為80%以上，霧度值為10%以下(發明24)。
上述發明(發明24)所述之薄膜狀密封材料，藉由環烯烴系樹脂而達到高水蒸氣阻障性，再者因為侵入到水蒸氣阻障性樹脂層之水分被吸濕劑所吸收，所以達到非常高之水蒸氣阻障性。又，藉由環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性高，可以將吸濕劑之含有量降得比較低，吸濕劑對薄膜狀密封材料之光學特性之影響得到抑製，達到高光透過性。再者，因為水蒸氣阻障性充分，所以沒有必要使薄膜狀密封材料1之厚度過度地厚或使其含有其他成分，於該方面亦達到高光透過性。
於上述發明(發明24)中，上述吸濕劑以與水分子反應生成水合物之化合物為佳(發明25)。
於上述發明(發明24，25)中，上述吸濕劑之含有量，相對於上述水蒸氣阻障性樹脂層，以1~35質量%為佳(發明26)。
於上述發明(發明21~26)中，上述環烯烴系樹脂，以選擇自由下述構造式(a)
(式(a)中，m及n為1以上之整數。R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)
所示之環烯烴聚合物、下記構造式(b)
(式(b)中、m及n為1以上之整數。R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合 而形成環。)
所示之環烯烴聚合物、下記構造式(c)
(式(c)中、n為1以上之整數，R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)
所示之環烯烴聚合物、及下記構造式(d)
(式(d)中、m及n為1以上之整數，R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所成之組群中之至少一種為佳(發明27)。
於上述發明(發明21~27)中，上述薄膜狀密封材料之最大吸濕量，於用具有50μm之厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，以1．0g/m2以上為佳(發明28)。
於上述發明(發明21~28)中，將上述薄膜狀密封材料中上述第1接著性樹脂層或上述第2接著性樹脂層之任意一方之面，用120℃貼合於玻璃板上之際之接著力，以5N/25mm以上為佳(發明29)。
於上述發明(發明21~29)中，上述第1及第2接著性樹脂層，以直接積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層上，由這些之3層構造所構成為佳(發明30)。
第六，本發明提供一種密封片，其特徵在於：其具備上述薄膜狀密封材料(發明21~28)與、積層於上述薄膜狀密封材料之片面上之氣體阻障膜(發明31)。
第七，本發明提供一種電子裝置，其特徵在於：其由上述薄膜狀密封材料(發明1~30)密封(發明31)。
第八，本發明提供一種電子裝置，其特徵在於：其由上述密封片(發明31)密封(發明33)。
本發明所述之薄膜狀密封材料具有更優異之水蒸氣阻障性。
1A,1B‧‧‧薄膜狀密封材料
11A‧‧‧第1接著性樹脂層
11B‧‧‧第2接著性樹脂層
12‧‧‧水蒸氣阻障性樹脂層
2‧‧‧密封片
21‧‧‧氣體阻障膜
3A,3B‧‧‧電子裝置
31‧‧‧基板
32‧‧‧電子元件
33‧‧‧密封構件
[圖1]係本發明之一實施形態所述之薄膜狀密封材料之概略斷面圖。
[圖2]係本發明之其他實施形態所述之薄膜狀密封材料之概略斷面圖。
[圖3]係本發明之一實施形態所述之密封片之概略斷面 圖。
[圖4]係本發明之一實施形態所述之電子裝置之概略斷面圖。
[圖5]係本發明之其他實施形態所述之電子裝置之概略斷面圖。
以下，關於本發明之實施形態進行說明。
〔薄膜狀密封材料〕
1．第1實施形態所述之薄膜狀密封劑
第1實施形態所述之薄膜狀密封劑含有具有吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層，由一層或複數個層所構成。該當薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性。又，從該當水蒸氣阻障性樹脂層除出吸濕劑之材料之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時為10g/(m2．day)以下。又，該當薄膜狀密封材料由複數個層所構成之情形時，位於該當薄膜狀密封材料之最外侧之該當水蒸氣阻障性樹脂層以外之層之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時為30g/(m2．day)以下。再者，該當水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例為薄膜狀密封材料之厚度之50~100%。
第1實施形態所述之薄膜狀密封材料即可以由一層所構成亦可以由複數個層所構成。薄膜狀密封材料由一層所構成之情形時，薄膜狀密封材料僅由水蒸氣阻障性樹脂層所構成。另一方面，薄膜狀密封材料由複數個層所構成之情形時，薄膜狀密封材料由水蒸氣阻障性樹脂層及1個以上之其他之層 所構成。
於由複數個層所構成之薄膜狀密封材料中，當其他層存在1個之情形時，將水蒸氣阻障性樹脂層與1個之其他層進行直接積層。另一方面，當其他層存在複數個之情形時，可以將水蒸氣阻障性樹脂層及複數個之其他層以各種順序進行積層，例如，可以將水蒸氣阻障性樹脂層積層於複數個之其他層之間。作為其他層之例子可以較佳擧出接著性樹脂層。
第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性。當薄膜狀密封材料由一層所構成之情形時，即僅由水蒸氣阻障性樹脂層所構成之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層具有接著性。另一方面，當薄膜狀密封材料由複數個層所構成之情形時，位於薄膜狀密封材料最外側之層具有接著性。例如，於薄膜狀密封材料一方之面上存在水蒸氣阻障性樹脂層，於另一方之面上存在接著性樹脂層之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層與接著性樹脂層具有接著性。又，於薄膜狀密封材料兩方之面上，分别存在2個接著性樹脂層之情形時，2個接著性樹脂層具有接著性。
於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之兩面上，用於保護具有接著性之面等之目的可以積層有剝離片。該剝離片當使用薄膜狀密封材料之際，被適當地剝離。
再者，於本說明書中「位於最外側之層」係指當薄膜狀密封材料用於密封之時，位於最外側之層。因此，於「位於最外側之層」中不包含剝離片。
於圖1及圖2中，顯示薄膜狀密封材料之具體例 子。
圖1為一實施形態所述之薄膜狀密封材料1A之概略斷面圖。如圖1所示，該當實施形態所述之薄膜狀密封材料1A具備水蒸氣阻障性樹脂層12。
圖2為其他實施形態所述之薄膜狀密封材料1B之概略斷面圖。如圖2所示，該當實施形態所述之薄膜狀密封材料1B，具備第1及第2接著性樹脂層11A,11B與、位於第1接著性樹脂層11A與第2接著性樹脂層11B之間之水蒸氣阻障性樹脂層12。
(1)水蒸氣阻障性樹脂層12
水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑。進一步，從水蒸氣阻障性樹脂層12中除去吸濕劑之材料(以下稱為「主材M」)具有高水蒸氣阻障性。具體而言，主材M之水蒸氣透過率，當以50μm之厚度進行測定之情形時，為10g/(m2．day)以下。顯示高水蒸氣阻障性之主材M除防止水分之透過之外，即使水分侵入到水蒸氣阻障性樹脂層12，吸濕劑也會把該水分吸收。結果是，水蒸氣阻障性樹脂層12成為具有更進一步高之水蒸氣阻障性，具有這樣之水蒸氣阻障性樹脂層12之薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣阻障性亦成為非常優異者。此外，水蒸氣阻障性樹脂層12即可以為單層亦可以為複數個層。
(1.1)構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂
構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂，以水蒸氣透過率低之樹脂為佳。構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂之例子，為橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、環烯烴系樹脂及環 氧系樹脂。這些樹脂可以單獨使用1種，或亦可以組合2種以上使用。
含有上述樹脂之主材M之水蒸氣透過率，當用厚度為50μm由主材M所構成之層進行測定之情形時，為10g/(m2．day)以下，以8g/(m2．day)以下為佳，特别是以6g/(m2．day)以下為佳。再者，於本說明書中，水蒸氣透過率係關於具有一定厚度之測定對象，以於1日之間透過其1m2之區域之水之質量(g/(m2．day))而定義。此時之厚度例如設為50μm。藉由具有10g/(m2．day)以下這一低水蒸氣透過率，則薄膜狀密封材料1A,1B能夠達到非常高之水蒸氣阻障性。再者，當水蒸氣阻障性樹脂層12除吸濕劑以外僅含有環烯烴系樹脂之情形時，環烯烴系樹脂之較佳之水蒸氣透過率，成為上述之水蒸氣透過率。
再者，主材M之水蒸氣透過率，例如能夠不使用吸濕劑而製造層，藉由測定其水蒸氣透過率而得到。
再者，水蒸氣阻障性樹脂層12可以為具有接著性者。即，為使水蒸氣阻障性樹脂層12具有接著性，可以選擇構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂。特别是，像如圖1所示之薄膜狀密封材料1A那樣，當不含有接著性樹脂層之情形時或含有1層之接著性樹脂層之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12以具有接著性為佳。具有接著性之水蒸氣阻障性樹脂層12，對後述之氣體阻障膜、電子元件能夠良好地接著。
橡膠系樹脂從能夠同時達到高水蒸氣阻障性與高接著性之觀點考慮為佳。作為橡膠系樹脂，可以擧出例如天 然橡膠、於天然橡膠上使選自(甲基)丙稀酸烷基酯、苯乙烯及(甲基)丙烯腈中之1種或2種以上之單體接枝聚合所得到之變性天然橡膠、聚異丁烯系樹脂、丁二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、鹵化丁基橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)、苯乙烯-異戊二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯之共聚物(丁腈橡膠)、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯共聚物、氨基甲酸脂橡膠、苯乙烯-1，3-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、乙烯-丙烯-非共軛二烯三元共聚物等。這些之橡膠系化合物可以單獨使用1種或亦可以組合2種以上使用。這些之中，作為橡膠系樹脂以含有聚異丁烯系樹脂者為佳。
聚異丁烯系樹脂是指作為單體成分含有異丁烯之聚合物(含有共聚物之概念)，單體成分可以為僅由異丁烯所構成之均聚物，作為單體成分亦可以為聚合異丁烯與其他之單體所得到之共聚物。聚異丁烯系樹脂可以為將一部分溴化或氯化所得到之鹵化聚異丁烯系樹脂，亦可以為將一部分用羥基、羧基等之官能基進行置換所得到者。
作為上述其他之單體可以擧出例如異戊二烯、n-丁烯、丁二烯、異戊二烯、苯乙烯等。其他之單體可以單獨使用或亦可以併用2種以上使用。再者，聚異丁烯系樹脂為共聚物之情形時，於原料單體中異丁烯作為主成分為最大量之單體。
於上述之中，聚異丁烯系樹脂從水蒸氣阻障性優異之觀點考慮，以單體成分僅由異丁烯所構成之均聚物或作為 單體成分聚合異丁烯與異戊二烯所得到之異丁烯-異戊二烯共聚物為佳。
於水蒸氣阻障性樹脂層12所使用之橡膠系樹脂之數均分子量，通常為10萬~500萬，較佳為10萬~300萬，更較佳為10萬~100萬。
聚酯系樹脂係指藉由多元羧酸與多元醇之聚縮合所能夠得到之聚合物、或將其變性而得到者。作為多元羧酸之例子可以擧出對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、環己烷二羧酸、苯三甲酸等。作為多元醇之例子可以擧出乙二醇、丙二醇等之脂肪族醇、及聚乙二醇、聚丙二醇等之聚醚多元醇。這些聚酯系樹脂能夠單獨使用1種，或組合2種以上使用。
聚烯烴樹脂係指作為構成聚合物之單體成分僅含有1種或2種以上烯烴之聚合物(包含共聚物之概念)。即，這裡所說之聚烯烴樹脂為1種烯烴之均聚物或2種以上烯烴之共聚物。作為烯烴以碳數為2~8之α-烯烴為佳，可以擧出例如乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯、苯乙烯等，其中以乙烯及丙烯為佳。
作為上述聚烯烴樹脂，具體地可以擧出直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE，密度：910kg/m3以上、未滿915kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上、未滿915kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915kg/m3以上、未滿942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3以上)等之聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂(PP)、乙烯-丙烯共聚物等。這些可以單獨使用 1種，或可以組合2種以上使用。上述之中，以低密度聚乙烯為佳，特别是以直鏈狀低密度聚乙烯為佳。
環烯烴系樹脂係指，以作為構成聚合物之單體成分含有環烯烴之聚合物(含有共聚物之概念)作為主成分之樹脂，即可以為作為單體成分僅含有環烯烴之聚合物，亦可以為作為單體成分含有環烯烴及其他單體之聚合物(共聚物)。作為上述其他之單體，只要不阻礙第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B之目的則沒有特别限定，可以擧出例如乙烯、丙烯等碳數為2以上之α烯烴、(甲基)丙烯酸酯等。再者，於本說明書中，(甲基)丙烯酸係指丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者。其他之類似用語亦同様。
於上述之中，環烯烴系樹脂從與後述之接著性樹脂層11A,11B之密著性優異，能夠防止薄膜狀密封材料1B之層間剝離之觀點考慮，作為單體成分以含有環烯烴與乙烯之共聚物為佳。
環烯烴系樹脂以玻璃轉移溫度為20℃~150℃者為佳，特别是以25℃~130℃者為佳，進一步是以30℃~110℃者為佳。若環烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度為20℃以上，則於該當環烯烴系樹脂中作為單體成分之環烯烴之含有量變多，容易表現出水蒸氣阻障性。又，若環烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度為150℃以下，則水蒸氣阻障性樹脂層12能良好地追隨電子元件等密封對象物之段差等，能夠確實地將密封對象物密封。
環烯烴系樹脂以不具有親水性基為佳。若具有親水性基，則有水蒸氣阻障性降低之慮。作為親水性基可以 擧出例如羥基、羧基、氨基、醯胺基、醯亞胺、磺酸基、巯基等。另一方面，環烯烴系樹脂亦可以具有疏水基。若為疏水基則沒有水蒸氣阻障性將低之慮。作為疏水基，可以擧出例如烷基、芳基等。
作為較佳之環烯烴系樹脂，可以擧出下記構造式(a)
(式(a)中、m及n為1以上之整數。R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物(作為單體成分含有環烯烴與乙烯之共聚物；COC)、下記構造式(b)
(式(b)中、m及n為1以上之整數。R1及R2表示氫原子或 烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物(作為單體成分含有環烯烴與乙烯之共聚物；COC)、下記構造式(c)
(式(c)中，n為1以上之整數，R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物(作為單體成分僅含有環烯烴之聚合物；COP)、及下記構造式(d)
(式(d)中，m及n為1以上之整數，R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物(作為單體成分僅含有環烯烴之聚合物；COP)。這些環烯烴聚合物水蒸氣阻障性非常優異，亦容易得到。這些環烯烴聚合物可以單獨使用1種，或亦可以組合2種以上使用。
環烯烴聚合物可以使用市售品。作為市售品，可以擧出例如ZEONEX(註冊商標)(日本Zeon公司製，降冰片烯系單體之開環複分解聚合物氫化聚合物)、TOPAS(註冊商標)(Polyplastics公司製，降冰片烯與乙烯之共聚物)、ZEONOR(註冊商標)(日本Zeon公司製，基於雙環戊二烯與四環十五碳烯之開環重合之共聚物)、Apel(註冊商標)(三井化學公司製，乙烯與四環十二碳烯之共聚物)、ARTON(註冊商標)(JSR公司製，以雙環戊二烯及甲基丙烯酸酯為原料之含極性基之環狀烯烴樹脂)等。
作為環氧系樹脂，可以擧出例如1官能性環氧化合物、2官能性環氧化合物、3官能以上之多官能性環氧化合物、具有環氧基之聚合物或低聚物、及具有環氧基之乙烯基單體與其他乙烯基單體等之共聚物聚合物或低聚物。這些環氧系樹脂能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂以外，亦可以含有其他之樹脂成分。作為其他之樹脂成分，可以擧出例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等烯烴系樹脂、氨基甲酸脂系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯胺基甲酸酯(polyesterurethane)系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
(1.2)吸濕劑
水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑。吸濕劑一般地分為化學系吸濕劑及物理系吸濕劑之兩大類。
化學系吸濕劑為利用水分子作為化學反應之反應 物，由此而將周圍之水分進行吸收之吸濕劑。於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B中，能夠使用所有化學系吸濕劑，但是，以使用金屬氧化物、與水分子反應生成水合物之化合物、或含有矽氧金屬鍵之化合物為佳。這些化學系吸濕劑，能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
作為化學系吸濕劑能夠使用之金屬氧化物之例子，為氧化鈣、氧化鋇、氧化鎂及氧化鍶。這些金屬氧化物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。這之中，氧化鈣與水分子之間進行以下之式(1)之反應。該反應之結果為水分子被變換成反應生成物即氫氧化鈣中之羥基。氧化鈣以外之金屬氧化物亦進行與式(1)同様之反應。
[化9]CaO+H2O → Ca(OH)2…(1)
能夠作為化學系吸濕劑使用之、與水分子進行反應生成水合物之化合物之例子，為硫酸鈉、硫酸鉀‧鋁、硫酸鎂、硫酸鈣、硫酸鋁、碳酸鈉、乙酸鈉、硫代硫酸鈉及硫酸銅。這些化合物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。這之中，硫酸鎂於水分子之間進行以下之式(2)之反應。該反應之結果為水分子被變換成水合物中之水合水。硫酸鎂以外之化合物亦進行與式(2)同様之反應。
[化10]MgSO4+7H2O → MgSO4．7H2O…(2)
所謂含有矽氧金屬鍵之化合物係含有矽氧金屬鍵 、即含有金屬元素與氧之鍵之化合物。那樣之化合物之例子為具有由通式M(OR)n(M為金屬元素，R為至少含有氫及碳之化合物，n表示金屬元素之氧化數)所表示之化合物、及由式[M(OR)n’-O]m(M為金屬元素，R為含有氫及碳之化合物、n’為1以上之整數，為從金屬元素之氧化數减去2所得之值，m表示1以上之整數)所表示之構造之化合物。再者，R之化合物可以進一步含有氧。又，R之例子為烷基及醯基。又，含有矽氧金屬鍵之化合物含有一般被稱為矽氧金屬化合物或聚矽氧金屬化合物之化合物。再者，於本說明書中，作為意味著矽氧金屬化合物及聚矽氧金屬化合物這兩方之表現，有使用(聚)矽氧金屬化合物這一語句之情形。含有矽氧金屬鍵之化合物之更具體之例子，為金屬醇鹽、金屬醯化物(acylate)及金屬螯合物。與含有矽氧金屬鍵之化合物之水進行反應之部位，主要為M-O-R或M-O-M。這些化合物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
金屬醇鹽(別名：金屬醇合物)為於M-O-R之部位與水進行反應之化合物之例子。金屬醇鹽之例子為具有於通式M(OR)n中，R為烷基之化合物，或於式[M(O-R)n’-O]m中，R為烷基之構造之化合物。金屬醇鹽之更具體例子為正鈦酸四甲酯(Orthotitanate tetramethyl)(別名：四甲氧基钛(IV)、钛(IV)四甲醇)、乙醇鋁及氧化鋁異丙醇三聚物(aluminum oxide isopropoxide trimer)。這些之金屬醇鹽能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
上述乙醇鋁在與水分子之間進行以下之式(3)之反 應。於該反應中，水分子被用於乙醇鋁之水解，其結果係生成氫氧化鋁及乙醇。乙醇鋁以外之化合物亦進行與式(3)同様之反應。
[化11]Al(OC2H5)3+3H2O → Al(OH)3+3C2H5OH…(3)
金屬醯化物為於M-O-R或M-O-M之部位與水反應之化合物之例子。於金屬醯化物中於M-O-R之部位與水反應之化合物之例子為於通式M(OR)n中，R為醯基之化合物。於金屬醯化物中，於M-O-M之部位與水反應之化合物之例子為，於式[M(O-R)n’-O]m中，具有R為醯基之構造之化合物。金屬醯化物之具體例子為環狀氧化鋁辛酸及環狀氧化鋁硬脂酸。這些金屬醯化物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。環狀氧化鋁辛酸與水分子之間進行以下之式(4)之反應，生成物僅為1種。環狀氧化鋁辛酸以外之化合物亦進行與式(4)同様之反應。
[化12]-[Al(OCOC7H15)-O]3-+3H2O → 3[C7H15COOAl(OH)2]…(4)
物理系吸濕劑為不藉由化學反應而將周圍之水分吸收之吸濕劑，例如，使周圍之水分子吸著於吸濕劑之表面。於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B中，能夠使用所有物理系吸濕劑，能夠使用例如沸石、活性氧化鋁、矽氧凝膠及粘土化合物。作為沸石能夠使用分子篩。這些之吸濕劑能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
吸濕劑以對電子元件所造成之影響少或對電子元件不造成影響之物質為佳。特别是於使用化學系吸濕劑之情形時，以使用不會因為吸濕反應而產生腐食電子元件之物質之吸濕劑為佳。又，以使用即使由於吸濕反應或溫度變化亦不產生氣體，不使電子裝置發生膨張之吸濕劑為佳。再者，以使用於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際，與構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂良好地混和，即使實施加熱等處理亦不變性之吸濕劑為佳。
若考慮這些觀點，則以使用上述含矽氧金屬鍵之化合物、金屬氧化物及與水分子反應生成水合物之化合物為佳，作為含有矽氧金屬鍵之化合物，特别是以使用於M-O-M之部位與水反應之化合物為佳。這些吸濕劑於發生吸濕反應之情形時，產生比較穩定之生成物，其氣化產生氣體之傾向少，與成為材料之樹脂良好地混和，於水蒸氣阻障性樹脂層12之製造過程中難以變性。結果是能夠得到顯示非常優異之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
水蒸氣阻障性樹脂層12中吸濕劑之含有量，以1~35質量%為佳，特别是以3~30質量%為佳，進一步以5~25質量%為佳。藉由吸濕劑之含有量為1質量%以上，則透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分被充分地吸收，薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣阻障性進一步提高。又，藉由吸濕劑之含有量為35質量%以下，則於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際能夠良好地成膜。
吸濕劑之形狀沒有特别之限定，但是可以為例如 液體、粉末或粒狀。為粉末或粒狀之情形時，吸濕劑之平均粒徑沒有特别之限定，但是例如以0.1~20μm為佳，特别是以0.1~10μm為佳，進一步以0.1~5μm為佳。這裡，於本說明書中「平均粒徑」設為藉由雷射繞射式粒度分布測定裝置進行測定所得之值。
吸濕劑之最大吸濕量，以具有50μm厚度之水蒸氣阻障性樹脂層12所吸收之水之量來表示之情形時，以1.0g/m2以上為佳，特别是以1.5g/m2以上為佳，進一步以2.0g/m2以上為佳。藉由使用最大吸濕量為1.0g/m2以上之吸濕劑，則能夠將透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分進行充分地吸收，能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
(1.3)其他成分
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂及吸濕劑以外，依照需要，亦可以含有黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、填充劑、分散劑、交聯劑(硬化劑；使用環氧系樹脂等硬化性樹脂之情形)、矽烷偶聯劑等各種添加劑等。特别是當水蒸氣阻障性樹脂層12含有橡膠系樹脂之情形時，以含有黏著賦予劑為佳。作為黏著賦予劑，可以擧出例如松香系樹脂、聚萜烯系樹脂等天然樹脂、C5系、C9系、雙環戊二烯系等石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、二甲苯樹脂等合成樹脂等。
(1.4)水蒸氣阻障性樹脂層12之物性等
水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度，以5~300μm為佳，特别是以10~200μm為佳，進一步以15~100μm為佳。藉由將
水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為5μm以上，則可以得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為300μm以下，則可以將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄。
又，水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例，以薄膜狀密封材料1A,1B之厚度之50~100%為佳，特别是以55~100%為佳，進一步以60~100%為佳。這裡，所謂水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例為100%係意味著薄膜狀密封材料1A,1B為僅由水蒸氣阻障性樹脂層12所構成。再者，關於薄膜狀密封材料1A,1B之厚度將於後文闡述。藉由水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度的比例為50%以上，則薄膜狀密封材料1A,1B能夠含有充分量之吸濕劑，能夠達到更高之水蒸氣阻障性。
(2)接著性樹脂層
第1接著性樹脂層11A及第2接著性樹脂層11B為對被著體顯示接著性之層，於第1實施形態中，可以於水蒸氣阻障性樹脂層12之片面或兩面進行任意地設置。當水蒸氣阻障性樹脂層12對被著體之接著性低之情形時，藉由設置第1及第2接著性樹脂層11A,11B之片方或兩方，能夠實現對被著體之接著性更優異之薄膜狀密封材料1B。第1及第2接著性樹脂層11A,11B可以分别為單層，亦可以為複數個層。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之水蒸氣透過率，用50μm之厚度進行測定之情形時，以30g/(m2．day)以下為佳，特别是以25g/(m2．day)以下為佳，進一步以20g/(m2．day)以下為佳。藉由接著性樹脂層11A,11B之水蒸氣透過率為 3og/(m2．day)以下，則於設置接著性樹脂層之情形時，能夠防止水分於接著性樹脂層中移動而到達電子元件，能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1B。
作為構成第1及第2接著性樹脂層11A,11B之樹脂，只要為對被著體顯示接著性者則沒有特别限定，可以擧出例如熱可塑性樹脂、硬化性樹脂等，作為硬化性樹脂可以擧出熱硬化性樹脂、能量線硬化型樹脂等。熱可塑性樹脂與硬化性樹脂亦可以混合著使用。
熱可塑性樹脂可以為具有熱接著性者，亦可以為具有感壓接著性者。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B含有熱可塑性樹脂，可以使薄膜狀密封材料1B牢固地接著於被著體同時亦提高第1及第2接著性樹脂層11A,11B與水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性。
作為熱可塑性樹脂，可以擧出例如橡膠系樹脂、聚烯烴系樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酯系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯胺基甲酸酯(polyesterurethane)系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。聚烯烴系樹脂可以為變性者，可以擧出例如酸變性聚烯烴系樹脂及矽烷變性聚烯烴系樹脂。這些之中，以橡膠系樹脂、酸變性聚烯烴系樹脂或矽烷變性聚烯烴系樹脂為佳。藉由熱可塑性樹脂為橡膠系樹脂、酸變性聚烯烴系樹脂或矽烷變性聚烯烴系樹脂，則第1及第2接著性樹脂層11A,11B，特别是對玻璃板、氣體阻障膜等之被著體，顯示高接著力。又，對第1及第2接著 性樹脂層11A,11B與、水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性亦優異。再者，上述熱可塑性樹脂可以單獨使用1種或可以組合2種以上使用。
作為橡膠系樹，可以擧出例如天然橡膠、於天然橡膠上使選擇自(甲基)丙稀酸烷基酯、苯乙烯及(甲基)丙烯腈中之1種或2種以上之單體接枝聚合所得到之變性天然橡膠、聚異丁烯系樹脂、丁二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)、苯乙烯-異戊二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯之共聚物(丁腈橡膠)、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯共聚物、聚氨基甲酸脂橡膠、苯乙烯-1，3-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、乙烯-丙烯-非共軛二烯三元共聚物等。這些之橡膠系化合物可以單獨使用1種，或亦可以組合2種以上使用。這些之中，作為橡膠系樹脂以含有聚異丁烯系樹脂者為佳。
聚異丁烯系樹脂作為單體成分是指含有異丁烯之聚合物(含有共聚物之概念)，單體成分可以為僅由異丁烯所構成之均聚物，作為單體成分亦可以為聚合異丁烯與其他之單體所得到之共聚物。聚異丁烯系樹脂可以為將一部分溴化或氯化所得到之鹵化聚異丁烯系樹脂，亦可以為將一部分用羥基、羧基等之官能基進行置換所得到者。
作為上述其他之單體，可以擧出例如異戊二烯、n-丁烯、丁二烯、異戊二烯、苯乙烯等。其他之單體可以單獨使用，或亦可以併用2種以上使用。再者，聚異丁烯系樹脂為共聚物之情形時，於原料單體中異丁烯作為主成分為最大量之 單體。
即使於上述之中，從聚異丁烯系樹脂水蒸氣阻障性優異之觀點考慮，以單體成分僅由異丁烯所構成之均聚物、作為單體成分聚合異丁烯與異戊二烯所得到之異丁烯-異戊二烯共聚物為佳。
於接著性樹脂層所使用之橡膠系樹脂之數均分子量，通常為10萬~500萬，較佳為10萬~300萬，更較佳為10萬~100萬。
橡膠系樹脂亦能夠使用市售品。作為市售品，可以擧出例如ExxonButyl(日本Butyl公司製)、Vistanex(Exxon Chemical Co．製)、Hycar(註冊商標)(Goodrich公司製)、Oppanol(註冊商標)(BASF公司製)、Epol(註冊商標)(出光興產公司製)等。
聚烯烴系樹脂(沒有變性之聚烯烴系樹脂)係指作為構成聚合物之單體成分，含有烯烴之聚合物(包含共聚物之概念)，單體成分可以為僅由烯烴所構成之聚合物，作為單體成分亦可以為含有烯烴及其他之單體之聚合物(共聚物)。
作為上述烯烴以碳數為2~8之α-烯烴為佳，例如可以擧出乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯、苯乙烯等，其中以乙烯及丙烯為佳，特别是以乙烯為佳。作為上述之其他單體，只要不阻礙第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1B之目的則沒有特别限定，例如可以擧出乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯酸酯等。
作為上述聚烯烴系樹脂，具體而言，可以擧出超 低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上、未滿910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上、未滿915kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915kg/m3以上、未滿942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等之聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂(PP)、乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。這些可以單獨使用1種或組合2種以上使用。上述之中，以超低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯等之聚乙烯樹脂、乙烯-丙烯共聚物或烯烴系彈性體(TPO)為佳，特别是以超低密度聚乙烯為佳。
所謂酸變性聚烯烴系樹脂係意味著用酸接枝變性了之聚烯烴系樹脂，可以擧出例如使不飽和羧酸與聚烯烴系樹脂反應，導入(接枝變性)羧基者。再者，於本說明書，所謂不飽和羧酸包含羧酸酐之概念，所謂羧基包含羧基酐之概念。
作為與上述聚烯烴系樹脂所反應之不飽和羧酸，可以擧出例如、馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、馬來酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、氫鄰苯二甲酸酐等。這些能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。於上述之中，特别是以接著力優異之馬來酸酐為佳。
作為上述酸變性聚烯烴系樹脂，以馬來酸酐變性聚烯烴系樹脂為佳，特别是以馬來酸酐變性聚乙烯樹脂為佳。
作為與聚烯烴系樹脂反應之不飽和羧酸之量，相 對於聚烯烴系樹脂100質量份，以0.1~5質量份為佳，特别是以0.2~3質量份為佳，進一步以0.2~1質量份。藉由使所反應之不飽和羧酸之量位於上述之範圍，則所得到之酸變性聚烯烴系樹脂接著力優異。
酸變性聚烯烴系樹脂以維卡軟化點(vicat softening point)為90℃以下為佳，特别是以30~70℃為佳，進一步以30~60℃為佳。若維卡軟化點為上述範圍，則於室溫，不表現接著性，所以薄膜狀密封材料1B之操作性優異，又，因為用較短時間之熱壓著能夠接著，所以能夠効率良好地製造具有有機EL元件之顯示裝置用模組、電子紙、有機薄膜太陽電池等之電子裝置。再者，維卡軟化點設為基於ASTM D1525所測定之值。
酸變性聚烯烴系樹脂，以於190℃、荷重20.2N之熔體流動速率(MFR)為0.5~30g/10分為佳，特别是以1~15g/10分為佳，進一步以2~10g/10分為佳。當將第1及第2接著性樹脂層11A,11B，藉由押出成形進行成形之情形時，若MFR為未滿0.5g/10分，則有押出成形變困難之慮，若MFR超過30g/10分，則藉由押出成形進行製膜之際，有厚度精度降低之慮。再者，於本說明書中之MFR設為基於ASTMD1238所測定之值。
酸變性聚烯烴系樹脂亦能夠使用市售品。作為市售品，可以擧出例如Admer(註冊商標)(三井化學公司製)、BondyRam(註冊商標)(Polyram公司製)、orevac(註冊商標)(ARKEMA公司製)、Modic(註冊商標)(三菱化學公司製)等。
所謂矽烷變性聚烯烴系樹脂為藉由使不飽和矽烷化合物與聚烯烴系樹脂反應，而將聚烯烴系樹脂接枝變性者。矽烷變性聚烯烴系樹脂特别是當被著體為玻璃板之情形時能夠牢地接著。
作為矽烷變性聚烯烴系樹脂之聚烯烴系樹脂，可以擧出由上述之酸變性聚烯烴系樹脂所例示之聚烯烴系樹脂。
矽烷變性聚烯烴系樹脂以矽烷變性聚乙烯樹脂及矽烷變性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物為佳，特别是以矽烷變性低密度聚乙烯、矽烷變性超低密度聚乙烯、矽烷變性直鏈狀低密度聚乙烯等之矽烷變性聚乙烯樹脂為佳。
作為與上述聚烯烴系樹脂反應之不飽和矽烷化合物，以乙烯基矽烷化合物為佳，可以擧出例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷、乙烯基三戊氧基矽烷、乙烯基三苯氧基矽烷、乙烯基三苄氧基矽烷、乙烯基三亚甲二氧基矽烷、乙烯基三乙烯二氧基矽烷、乙烯基丙氧基矽烷、乙烯基三乙酰氧基矽烷、乙烯基三羧基矽烷等。這些能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
作為與聚烯烴系樹脂所反應之不飽和矽烷化合物之量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，以0.1~10質量份為佳，特别是以0.3~7質量份為佳，進一步以0.5~5質量份為佳。藉由使所反應之不飽和矽烷化合物之量位於上述之範圍，則所得到之矽烷變性聚烯烴系樹脂接著力優異。
矽烷變性聚烯烴系樹脂，以於190℃、荷重20.2N 之熔體流動速率(MFR)為0.5~30g/10分為佳，特别是以0.5~15g/10分為佳，進一步以0.5~10g/10分為佳。將第1及第2接著性樹脂層11A,11B，藉由押出成形進行成形之情形時，若MFR為未滿0.5g/10分，則有押出成形變困難之慮，若MFR超過30g/10分，則藉由押出成形進行製膜之際，有厚度精度降低之慮。
矽烷變性聚烯烴系樹脂亦能夠使用市售品。作為市售品，可以擧出例如Linklon(註冊商標)(三菱化學公司製)等，其中，可以較佳使用低密度聚乙烯系之Linklon、直鏈狀低密度聚乙烯系之Linklon、超低密度聚乙烯系之Linklon、及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系之Linklon。
又，上述熱可塑性樹脂可以為藉由金屬陽離子使分子間結合之離聚物。作為離聚物，可以擧出例如烯烴系離聚物、氨基甲酸脂系離聚物、苯乙烯系離聚物、氟系離聚物等。這些之中，從與含有環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性優異之觀點考慮，以使用烯烴系離聚物為佳。作為烯烴系離聚物，可以擧出例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-富馬酸共聚物、乙烯-馬來酸共聚物、乙烯-馬來酸單甲基共聚物、乙烯-馬來酸單乙基共聚物等之將烯烴系樹脂之分子間用金屬離子結合者。作為金屬離子之金屬，可以擧出例如像鈉、鋰等之鹼金屬、亞鉛、鎂、鈣等鹼土類金屬這樣之多價金屬等。離聚物能夠單獨使用1種，或混合2種以上使用。
於使用熱可塑性樹脂之情形時，第1及第2接著性樹脂層11A,11B以含有60~100質量%之熱可塑性樹脂為佳 ，特别是以含有70~100質量%為佳，進一步以含有80~100質量%為佳。
又，熱可塑性樹脂可以與後述之硬化性樹脂進行混合。熱可塑性樹脂與硬化性樹脂之混合質量比以1：99~99：1為佳，以10：90~90：10為更佳，以20：80~80：20為特别佳，進一步以30：70~70：30為佳。
作為硬化性樹脂，能夠使用例如環氧系樹脂、苯酚系樹脂、尿素系樹脂、三聚氰胺系樹脂、不飽和聚酯系樹脂及氨基甲酸脂系樹脂。這些硬化性樹脂能夠單獨使用1種，或組合2種以上使用。
作為環氧系樹脂，能夠使用例如1官能性環氧化合物、2官能性環氧化合物、3官能以上之多官能性環氧化合物、具有環氧基之聚合物或低聚物、及具有環氧基之乙烯基單體與其他乙烯基單體等之共聚物聚合物或低聚物。這些環氧系樹脂能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
於使用硬化性樹脂之情形時，第1及第2接著性樹脂層11A,11B，以含有60~100質量%之硬化性樹脂為佳，特别是以含有70~100質量%為佳，進一步以含有80~100質量%為佳。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B除上述樹脂以外，依照需要，亦可以含有例如黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、分散劑、填充劑、交聯劑(硬化劑；使用環氧系樹脂等硬化性樹脂之情形)、矽烷偶聯劑、吸濕劑等各種添加劑 等。特别是當第1及第2接著性樹脂層11A,11B含有橡膠系樹脂之情形時，以含有黏著賦予劑為佳。作為黏著賦予劑，可以擧出例如松香系樹脂、聚萜烯系樹脂等天然樹脂、C5系、C9系、雙環戊二烯系等石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、二甲苯樹脂等合成樹脂等。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度(1層)，分别以1~100μm為佳，特别是以3~80μm為佳，進一步以5~50μm為佳。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為1μm以上，則能夠得到充分之接著性。另一方面，藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為100μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1B之厚度維持得很薄。
再者，第1及第2接著性樹脂層11A,11B之材料、厚度等，可以分别相同，亦可以不同。
(3)薄膜狀密封材料1A,1B之物性等
薄膜狀密封材料1A,1B之厚度以7~500μm為佳，特别是以15~400μm為佳，進一步以20~200μm為佳。藉由薄膜狀密封材料1A,1B之厚度為7μm以上，則能夠得到充分的水蒸氣阻障性與接著性。另一方面，藉由薄膜狀密封材料1A,1B之厚度為500μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄，例如即使用於電子裝置時，亦能夠避免電子裝置之厚度變得過厚。
薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣透過率，當用厚度為50μm之薄膜狀密封材料1A,1B進行測定之情形時，以20g/(m2．day)以下為佳，特别是以15g/(m2．day)以下為佳，進 一步以10g/(m2．day)以下為佳。若薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣透過率為20g/(m2．day)以下，則從外部侵入之水蒸氣由該當薄膜狀密封材料1A,1B有効地阻擋，防止．抑製水蒸氣到達密封對象物，密封對象物不易受到水分之不良影響。第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B，藉由水蒸氣阻障性樹脂層含有具有高水蒸氣阻障性之主材M，進一步水蒸氣阻障性樹脂層含有吸濕劑，能夠達到如上所述之水蒸氣透過率。
薄膜狀密封材料1A,1B在將薄膜狀密封材料1A,1B之最外層之任意一方之面，以120℃貼合於無鹼玻璃之際之接著力，以3N/25mm以上為佳，特别是以5N/25mm以上為佳。藉由接著力為3N/25mm以上，則能夠將密封對象物確實地密封，能夠防止與玻璃板、氣體阻障膜等之被著體之間，發生浮起、剝離等。再者，接著力之測定方法為如後述實驗例所示。
(4)薄膜狀密封材料1A,1B之製造方法
作為形成水蒸氣阻障性樹脂層12(水蒸氣阻障性樹脂薄膜)之方法，沒有特别之限定，可以例示將構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂與吸濕劑之混合物，藉由熔融押出法、壓延法、乾式法、溶液法等而薄膜化之方法。當用溶液法之情形時，將構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂及吸濕劑溶解於有機溶劑所得到之溶液，藉由公知之塗佈方法進行塗佈，將所得到之塗膜進行適宜地乾燥，由此而形成水蒸氣阻障性樹脂層12即可。
作為形成第1及第2接著性樹脂層11A,11B(第1 接著性樹脂薄膜，第2接著性樹脂薄膜)之方法，沒有特别之限定，可以例示熔融押出法、壓延法、乾式法、溶液法等。於溶液法之情形時，將上述之樹脂溶解於有機溶劑所得之溶液，藉由公知之塗佈方法進行塗佈，將所得到之塗膜進行適宜地乾燥，由此而形成各層即可。
具有如圖2所示之第1及第2接著性樹脂層11A,11B之薄膜狀密封材料1B，能夠藉由常規之方法來製造。例如，能夠藉由以下之方法來製造：以將第1接著性樹脂層11A、水蒸氣阻障性樹脂層12與第2接著性樹脂層11B，依據該順序進行積層之方式，進行共押出成形之方法；分别準備作為第1接著性樹脂層11A之單層之薄膜(第1接著性樹脂薄膜)及作為第2接著性樹脂層11B之單層之薄膜(第2接著性樹脂薄膜)，於第1接著性樹脂薄膜上形成水蒸氣阻障性樹脂層12之後，於該當水蒸氣阻障性樹脂層12上積層第2接著性樹脂薄膜之方法；準備作為水蒸氣阻障性樹脂層12之單層之薄膜(水蒸氣阻障性樹脂薄膜)，於該水蒸氣阻障性樹脂薄膜之兩面上，形成第1及第2接著性樹脂層11A,11B之方法；準備第1接著性樹脂薄膜、水蒸氣阻障性樹脂薄膜、與第2接著性樹脂薄膜，將這3張樹脂薄膜，依據上述順序重叠進行積層之方法等方法。又，亦能夠藉由下述之方法製造薄膜狀密封材料1B：於剝離片上，形成第1及第2接著性樹脂層11A,11B，分别準備帶第1及第2接著性樹脂層11A,11B之剝離片，於預先所準備之水蒸氣阻障性樹脂薄膜之兩面上，將帶第1及第2接著性樹脂層11A,11B之剝離片進行積層之方法。再者，關於僅具有 第1及第2接著性樹脂層11A,11B之任意一者之薄膜狀密封材料1B，能夠模仿上述之方法進行製造。
當將第1及第2接著性樹脂層11A,11B(第1接著性樹脂薄膜、第2接著性樹脂薄膜)與水蒸氣阻障性樹脂層12(水蒸氣阻障性樹脂薄膜)進行積層之際，可以一邊加熱一邊積層。加熱溫度以第1及第2接著性樹脂層11A,11B(第1接著性樹脂薄膜，第2接著性樹脂薄膜)軟化之溫度以上為佳。
(5)薄膜狀密封材料1A,1B之用途
第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B因為水蒸氣阻障性非常優異，所以能夠使用於各種裝置之密封，特别是能夠適宜用於電子裝置中電子元件之密封。具體而言，可以擧出具有液晶元件、發光二極管(LED元件)、有機發光二極管(有機EL)元件等之顯示裝置用模組、電子紙、太陽電池模組等。其中，於具有有機EL元件之顯示裝置用模組(有機EL模組)、電子紙中，要求高水蒸氣阻障性，所以能夠適宜使用第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B。
2.第2實施形態所述之薄膜狀密封劑
第2實施形態所述之薄膜狀密封劑，包含含有吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層，由一層或複數個層構成。該當薄膜狀密封材料之兩面對於被著體顯示接著性。又，該當薄膜狀密封材料之最大吸濕量，用具有50μm之厚度之該當水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上。再者，該當吸濕劑之含有量，相對於該當水蒸氣阻障性樹脂層為1~35質量%。進一步，該當水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例， 為薄膜狀密封材料之厚度之50~100%。
第2實施形態所述之薄膜狀密封材料，於第1實施形態所述之薄膜狀密封劑中，可以具有與上述之層構成相同之層構成。又，第2實施形態所述之薄膜狀密封材料之兩面，與第1實施形態所述之薄膜狀密封劑同様，顯示上述之黏著性。進一步，於第2實施形態所述之薄膜狀密封材料之兩面上，與第1實施形態所述之薄膜狀密封劑同様地可以積層上述之剝離片。
於第2實施形態所述之薄膜狀密封材料中，水蒸氣阻障性樹脂層含有吸濕劑，該薄膜狀密封材料之最大吸濕量，以具有50μm之厚度之水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上。進一步，該吸濕劑之含有量，相對於水蒸氣阻障性樹脂層為1~35質量%。於第2實施形態所述之薄膜狀密封材料中，藉由水蒸氣阻障性樹脂層以上述之含有量含有具有上述之最大吸濕量之吸濕劑，則侵入到水蒸氣阻障性樹脂層內之水分能夠由吸濕劑充分地吸收，能夠有效地防止水分透過水蒸氣阻障性樹脂層。又，由於吸濕劑之最大吸濕量為如上所述之大，所以能夠將吸濕劑之含有量控製得比較低。具體而言，能夠使吸濕劑之含有量為35質量%以下，由此，能夠相對地提高構成水蒸氣阻障性樹脂層之樹脂之含有量，於達到高水蒸氣阻障性之同時，能夠良好地製造水蒸氣阻障性樹脂層。結果是具有該水蒸氣阻障性樹脂層之薄膜狀密封材料之水蒸氣阻障性成為非常之優異者。
(1)水蒸氣阻障性樹脂層12
水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑。水蒸氣阻障性樹脂層12可以為單層，亦可以為複數個層。
(1.1)構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂
構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂，以水蒸氣透過率低之樹脂為佳。構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂之例子，為橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、環烯烴系樹脂及環氧系樹脂。這些樹脂能夠單獨使用1種，或亦能夠組合2種以上使用。作為這些樹脂，能夠使用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料中所能夠使用之上述橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、環烯烴系樹脂及環氧系樹脂。
再者，水蒸氣阻障性樹脂層12可以為具有接著性者。即，為使水蒸氣阻障性樹脂層12具有接著性，可以選擇構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂。特别是，像第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A那樣，於不含接著性樹脂層之情形時，或含有1個接著性樹脂層之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12以具有接著性為佳。具有接著性之水蒸氣阻障性樹脂層12，對後述之氣體阻障膜、電子元件能夠良好地接著。
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂以外，亦可以含有其他之樹脂成分。作為其他之樹脂成分，可以擧出例如乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等之烯烴系樹脂、氨基甲酸脂系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯氨基甲酸脂系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
含有上述樹脂之從水蒸氣阻障性樹脂層12除去吸濕劑之材料(以下稱為「主材M」)之水蒸氣透過率，當用由50μm厚度之主材M所構成之層12進行測定時，以10g/(m2．day)以下為佳，特别是以8g/(m2．day)以下為佳，進一步以6g/(m2．day)以下為佳。藉由具有10g/(m2．day)以下這一低水蒸氣透過率，則薄膜狀密封材料1A,1B能夠達到非常高之水蒸氣阻障性。
再者，主材M之水蒸氣透過率，例如能夠藉由不使用吸濕劑而製造層，測定其水蒸氣透過率而得到。
(1.2)吸濕劑
水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑。水蒸氣阻障性樹脂層12中吸濕劑之含有量，相對於水蒸氣阻障性樹脂層為1~35質量%，以2~30質量%為佳，特别是以3~25質量%為佳。藉由以1質量%以上含有吸濕劑，則侵入到水蒸氣阻障性樹脂層12內之水分被吸濕劑充分地吸收。再者，藉由吸濕劑之含有量成為35質量%以下，則構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂之含有量相對地提高，能夠達到高水蒸氣阻障性，同時能夠良好地製造水蒸氣阻障性樹脂層12。結果是能夠得到具有非常高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
吸濕劑可以為用於吸濕而一般所使用之物質。吸濕劑一般分為化學系吸濕劑及物理系吸濕劑之兩大類。作為這些吸濕劑，能夠使用能夠用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之、上述之化學系吸濕劑及物理系吸濕劑。
吸濕劑以對電子元件所造成之影響少或對電子元件不造成影響之物質為佳。特别是於使用化學系吸濕劑之情形 時，以使用不會因為吸濕反應而產生腐食電子元件之物質之吸濕劑為佳。又，以使用即使由於吸濕反應或溫度變化亦不產生氣體，不使電子裝置發生膨張之吸濕劑為佳。再者，以使用於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際，與構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂良好地混和，即使實施加熱等處理亦不變性之吸濕劑為佳。
若考慮這些觀點，則以使用上述含矽氧金屬鍵之化合物、金屬氧化物及與水分子反應生成水合物之化合物為佳，作為含有矽氧金屬鍵之化合物，特别是以使用於M-O-M之部位與水反應之化合物為佳。這些吸濕劑於發生吸濕反應之情形時，產生比較穩定之生成物，其氣化產生氣體之傾向少，與成為材料之樹脂良好地混和，於水蒸氣阻障性樹脂層12之製造過程中難以變性。結果是能夠得到顯示非常優異之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
吸濕劑之形狀沒有特别之限定，但是可以為例如液體、粉末或粒狀。為粉末或粒狀之情形時，吸濕劑之平均粒烴沒有特别之限定，但是例如以0.1~20μm為佳，特别是以0.1~10μm為佳，進一步以0.1~5μm為佳。
(1.3)其他成分
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂及吸濕劑以外，依照需要，亦可以含有黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、分散劑、交聯劑(硬化劑；使用環氧系樹脂等硬化性樹脂之情形)等各種添加劑等。特别是當水蒸氣阻障性樹脂層12含有橡膠 系樹脂之情形時，以含有黏著賦予劑為佳。作為黏著賦予劑，可以擧出例如松香系樹脂、聚萜烯系樹脂等天然樹脂、C5系、C9系、雙環戊二烯系等石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、二甲苯樹脂等合成樹脂等。
(1.4)水蒸氣阻障性樹脂層12之物性等
水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度，以5~300μm為佳，特别是以10~200μm為佳，進一步以15~100μm為佳。藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為5μm以上，則能夠得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為300μm以下，則可以將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄。
又，水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例，為薄膜狀密封材料1A,1B之厚度之50~100%，以55~100%為佳，特别是以60~100%為佳。這裡，所謂水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例為100%係意味著薄膜狀密封材料僅由水蒸氣阻障性樹脂層12所構成。再者，關於薄膜狀密封材料1A,1B之厚度將於後文闡述。藉由水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度的比例為50%以上，則薄膜狀密封材料1A,1B能夠含有充分量之吸濕劑，能夠達到更高之水蒸氣阻障性。
(2)接著性樹脂層
第1接著性樹脂層11A及第2接著性樹脂層11B為對被著體顯示接著性之層，於第2實施形態中，可以於水蒸氣阻障性樹脂層12之片面或兩面進行任意地設置。當水蒸氣阻障性樹脂層12對被著體之接著性低之情形時，藉由設置第1及第2 接著性樹脂層11A,11B之片方或兩方，能夠實現對被著體之接著性更優異之薄膜狀密封材料1A,1B。第1及第2接著性樹脂層11A,11B可以分别為單層，亦可以為複數個層。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之水蒸氣透過率，用50μm之厚度進行測定之情形時，以30g/(m2．day)以下為佳，特别是以25g/(m2．day)以下為佳，進一步以20g/(m2．day)以下為佳。藉由接著性樹脂層11A,11B之水蒸氣透過率為30g/(m2．day)以下，則於設置接著性樹脂層之情形時，能夠防止水分於接著性樹脂層中移動而到達電子元件，能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
作為構成第1及第2接著性樹脂層11A,11B之樹脂，只要為對被著體顯示接著性者則沒有特别限定，可以擧出例如熱可塑性樹脂、硬化性樹脂等，作為硬化性樹脂可以擧出熱硬化性樹脂、能量線硬化型樹脂等。熱可塑性樹脂與硬化性樹脂亦可以混合著使用。作為熱可塑性樹脂及硬化性樹脂，能夠使用能夠用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之上述熱可塑性樹脂及硬化性樹脂。又，將這些樹脂單獨或組合起來使用之情形時之配合量，能夠設為關於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料所闡述之配合量。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B除上述樹脂以外，依照需要，亦可以含有例如黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、分散劑、填充劑、交聯劑(硬化劑；使用環氧系樹脂等硬化性樹脂之情形)、吸濕劑、矽烷偶聯劑等各種添加劑 等。特别是第1及第2接著性樹脂層11A,11B含有橡膠系樹脂之情形時，以含有黏著賦予劑為佳。作為黏著賦予劑，可以擧出例如松香系樹脂、聚萜烯系樹脂等天然樹脂、C5系、C9系、雙環戊二烯系等石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、二甲苯樹脂等合成樹脂等。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度(1層)，分别以1~100μm為佳，特别是以3~80μm為佳，進一步以5~50μm為佳。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為1μm以上，則能夠得到充分之接著性。另一方面，藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為100μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄。
再者，第1及第2接著性樹脂層11A,11B之材料、厚度等，可以分别相同，亦可以不同。
(3)薄膜狀密封材料1A,1B之物性等
薄膜狀密封材料之最大吸濕量，用具有50μm之厚度之水蒸氣阻障性樹脂層12所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上，以1.5g/m2以上為佳，特别是以2.0g/m2以上為佳。藉由最大吸濕量為1.0g/m2以上，則能夠將透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分進行充分地吸收，能夠得到具有非常高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
薄膜狀密封材料1A,1B之厚度以7~500μm為佳，特别是以15~400μm為佳，進一步以20~200μm為佳。藉由薄膜狀密封材料1A,1B之厚度為7μm以上，則能夠得到充分的水蒸氣阻障性與接著性。另一方面，藉由薄膜狀密封材料 1A,1B之厚度為500μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄，例如即使於用電子裝置時，亦能夠避免電子裝置之厚度變得過厚。
薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣透過率，當用厚度為50μm之薄膜狀密封材料1A,1B進行測定之情形時，以20g/(m2．day)以下為佳，特别是以15g/(m2．day)以下為佳，進一步以10g/(m2．day)以下為佳。若薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣透過率為20g/(m2．day)以下，則從外部侵入之水蒸氣由該當薄膜狀密封材料1A,1B有効地阻擋，防止．抑製水蒸氣到達密封對象物，密封對象物不易受到水分之不良影響。
薄膜狀密封材料1A,1B在將薄膜狀密封材料1A,1B之最外層之任意一方之面，以120℃貼合於無鹼玻璃之際之接著力，以3N/25mm以上為佳，特别是以5N/25mm以上為佳。藉由接著力為3N/25mm以上，則能夠將密封對象物確實地進行密封，能夠防止與玻璃板、氣體阻障膜等之被著體之間，發生浮起、剝離等。再者，接著力之測定方法為如後述實驗例所示。
(4)薄膜狀密封材料1A,1B之製造方法
第2實施形態所述之薄膜狀密封材料，能夠藉由關於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料所闡述之製造方法，進行製造。
(5)薄膜狀密封材料1A,1B之用途
第2實施形態所述之薄膜狀密封材料，能夠使用於關於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料所闡述之用途。
3.第3實施形態所述之薄膜狀密封劑
第3實施形態所述之薄膜狀密封劑含有水蒸氣阻障性樹脂層，由一層或複數個層所構成。該當薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性。又，於溫度60℃、相對濕度90%RH之環境下，從該當薄膜狀密封材料之端面之水蒸氣侵入速度為10μm/h以下。
第3實施形態所述之薄膜狀密封材料，於第1實施形態所述之薄膜狀密封劑中，可以具有與上述之層構成相同之層構成。又，第3實施形態所述之薄膜狀密封材料之兩面，與第1實施形態所述之薄膜狀密封劑同様，顯示上述之黏著性。進一步，於第3實施形態所述之薄膜狀密封材料之兩面上，與第1實施形態所述之薄膜狀密封劑同様地可以積層上述之剝離片。
於溫度60℃、相對濕度90%RH之環境下之從薄膜狀密封材料1A,1B之端面之水蒸氣侵入速度，為10μm/h以下，以8μm/h以下為佳，特别是以5μm/h以下為佳。所謂從端面之水蒸氣侵入速度係指水蒸氣從薄膜狀密封材料1A,1B之端面侵入向面內方向移動之速度。例如，圖4表示具備基板31、於基板31上所形成之電子元件32、將電子元件32進行密封之薄膜狀密封材料1B、於與薄膜狀密封材料1B之電子元件32之相反側所積層之密封構件33之電子裝置3B，水蒸氣從薄膜狀密封材料1B之端面13侵入到其內部，向水平方向移動而到達電子元件32，那時之每個單位時間之移動量成為水蒸氣侵入速度。水蒸氣侵入速度之測定方法如後述實驗例所示。像這樣 ，藉由從薄膜狀密封材料1A,1B內之端面之水蒸氣侵入速度非常慢，則即使水蒸氣從薄膜狀密封材料1A,1B之端面侵入，水分亦難以到達電子元件，結果是能夠達到非常高之水蒸氣阻障性。
(1)水蒸氣阻障性樹脂層12
(1.1)構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂
構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂，從降低水蒸氣侵入速度之觀點考慮，以水蒸氣透過率低之樹脂為佳。構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂之例子，為橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、環烯烴系樹脂及環氧系樹脂。這些樹脂能夠單獨使用1種，或能夠組合2種以上使用。作為這些樹脂，能夠使用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料中所能夠使用之上述橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、環烯烴系樹脂及環氧系樹脂。
水蒸氣阻障性樹脂層12可以為具有接著性者。即，為使水蒸氣阻障性樹脂層12具有接著性，可以選擇構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂。特别是，像第1實施形態所述之薄膜狀密封材料1A那樣，於不含接著性樹脂層之情形時，或含有1個接著性樹脂層之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12以具有接著性為佳。具有接著性之水蒸氣阻障性樹脂層12，對後述之氣體阻障膜、電子元件能夠良好地接著。
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂以外，亦可以含有其他之樹脂成分。作為其他之樹脂成分，可以擧出例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基 )丙烯酸酯共聚物等之烯烴系樹脂、氨基甲酸脂系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯氨基甲酸脂系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
含有上述樹脂之從水蒸氣阻障性樹脂層12除去吸濕劑之材料(以下稱為「主材M」)之水蒸氣透過率，當用由50μm厚度之主材M所構成之層12進行測定之情形時，以10g/(m2．day)以下為佳，特别是以8g/(m2．day)以下為佳，進一步以6g/(m2．day)以下為佳。藉由具有10g/(m2．day)以下這一低水蒸氣透過率，則從水蒸氣阻障性樹脂層12之端部之水蒸氣侵入速度降低，薄膜狀密封材料1A,1B能夠達到更高之水蒸氣阻障性。
再者，主材M之水蒸氣透過率，例如能夠藉由不使用吸濕劑而製造層，測定其水蒸氣透過率而得到。
(1．2)吸濕劑
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂以外以含有吸濕劑為佳。藉由水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑，則侵入到水蒸氣阻障性樹脂層12之水蒸氣被吸濕劑所吸收，所以易於降低從水蒸氣阻障性樹脂層12之端面之水蒸氣侵入速度，能夠達到更高之水蒸氣阻障性。吸濕劑一般分為化學系吸濕劑及物理系吸濕劑之兩大類。作為這些吸濕劑，能夠使用能夠用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之上述化學系吸濕劑及物理系吸濕劑。
吸濕劑以對電子元件所造成之影響少或對電子元件不造成影響之物質為佳。特别是於使用化學系吸濕劑之情形 時，以使用不會因為吸濕反應而產生腐食電子元件之物質之吸濕劑為佳。又，以使用即使由於吸濕反應或溫度變化亦不產生氣體，不使電子裝置發生膨張之吸濕劑為佳。再者，以使用於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際，與構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂良好地混和，即使實施加熱等處理亦不變性之吸濕劑為佳。
若考慮這些觀點，則以使用上述含矽氧金屬鍵之化合物、金屬氧化物及與水分子反應生成水合物之化合物為佳，作為含有矽氧金屬鍵之化合物，特别是以使用於M-O-M之部位與水反應之化合物為佳。這些吸濕劑於發生吸濕反應之情形時，產生比較穩定之生成物，其氣化產生氣體之傾向少，與成為材料之樹脂良好地混和，於水蒸氣阻障性樹脂層12之製造過程中難以變性。結果是能夠得到顯示非常優異之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
水蒸氣阻障性樹脂層12中吸濕劑之含有量，以1~35質量%為佳，特别是以3~30質量%為佳，進一步以5~25質量%為佳。藉由吸濕劑之含有量為1質量%以上，則透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分被充分地吸收，薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣阻障性進一步提高。又，藉由吸濕劑之含有量為35質量%以下，則於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際能夠良好地成膜。
吸濕劑之形狀沒有特别之限定，但是，例如可以為液體、粉末或粒狀。在為粉末或粒狀之情形時，吸濕劑之平均粒徑沒有特别之限定，但是例如以0.1~20μm為佳，特别是 以0.1~10μm為佳，進一步以0.1~5μm為佳。
吸濕劑之最大吸濕量，以具有50μm厚度之水蒸氣阻障性樹脂層12所吸收之水之量來表示之情形時，以1.0g/m2以上為佳，特别是以1.5g/m2以上為佳，進一步以2.0g/m2以上為佳。藉由使用最大吸濕量為1.0g/m2以上之吸濕劑，則能夠將透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分進行充分地吸收，能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1A,1B。
(1.3)其他成分
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述樹脂及吸濕劑以外，依照需要，亦可以含有黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、填充劑、分散劑、交聯劑(硬化劑；使用環氧系樹脂等硬化性樹脂之情形)、矽烷偶聯劑等各種添加劑等。特别是當水蒸氣阻障性樹脂層12含有橡膠系樹脂之情形時，以含有黏著賦予劑為佳。作為黏著賦予劑，可以擧出例如松香系樹脂、聚萜烯系樹脂等天然樹脂、C5系、C9系、雙環戊二烯系等石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、二甲苯樹脂等合成樹脂等。
(1.4)水蒸氣阻障性樹脂層12之物性等
水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度，以5~300μm為佳，特别是以10~200μm為佳，進一步以15~100μm為佳。藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為5μm以上，則能夠得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為300μm以下，則可以將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄。再者，水蒸氣阻障性樹脂層12可以為單層 ，亦可以為複數個層。
又，水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例，以薄膜狀密封材料1A,1B之厚度之50~100%為佳，特别是以55~100%為佳，進一步以60~100%為佳。這裡，所謂水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例為100%係意味著薄膜狀密封材料1A,1B僅由水蒸氣阻障性樹脂層12所構成。再者，關於薄膜狀密封材料1A,1B之厚度將於後文闡述。藉由水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度的比例為50%以上，則薄膜狀密封材料1A,1B能夠含有充分量之吸濕劑，能夠達到更高之水蒸氣阻障性。
(2)接著性樹脂層
第1接著性樹脂層11A及第2接著性樹脂層11B，為對被著體顯示接著性之層，於第3實施形態中，可以於水蒸氣阻障性樹脂層12之片面或兩面進行任意地設置。當水蒸氣阻障性樹脂層12對被著體之接著性低之情形時，藉由設置第1及第2接著性樹脂層11A,11B之片方或兩方，能夠實現對被著體之接著性更優異之薄膜狀密封材料1B。第1及第2接著性樹脂層11A,11B可以分别為單層，亦可以為複數個層。
作為構成第1及第2接著性樹脂層11A,11B之樹脂，只要為對被著體顯示接著性者則沒有特别限定，可以擧出例如熱可塑性樹脂、硬化性樹脂等，作為硬化性樹脂可以擧出熱硬化性樹脂、能量線硬化型樹脂等。熱可塑性樹脂與硬化性樹脂亦可以混合著使用。作為熱可塑性樹脂及硬化性樹脂，能夠使用能夠用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之上述之熱可塑性樹脂及硬化性樹脂。又，將這些樹脂單獨或組合起來 使用之情形時之配合量，能夠設為關於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料所闡述之配合量。
熱可塑性樹脂可以為具有熱接著性者，亦可以為具有感壓接著性者。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B含有熱可塑性樹脂，則可以使薄膜狀密封材料1B牢固地接著於被著體上，同時亦提高第1及第2接著性樹脂層11A,11B與水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B除上述樹脂以外，依照需要，亦可以含有黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、分散劑、填充劑、交聯劑(硬化劑；使用環氧系樹脂等硬化性樹脂之情形)、矽烷偶聯劑、吸濕劑等各種添加劑等。特别是第1及第2接著性樹脂層11A,11B含有橡膠系樹脂之情形時，以含有黏著賦予劑為佳。作為黏著賦予劑，可以擧出例如松香系樹脂、聚萜烯系樹脂等天然樹脂、C5系、C9系、雙環戊二烯系等石油樹脂、苯並呋喃-茚樹脂、二甲苯樹脂等合成樹脂等。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之水蒸氣透過率，用50μm之厚度進行測定之情形時，以30g/(m2．day)以下為佳，特别是以25g/(m2．day)以下為佳，進一步以20g/(m2．day)以下為佳。藉由接著性樹脂層11A,11B之水蒸氣透過率為30g/(m2．day)以下，則易於降低從接著性樹脂層11A,11B端面之水蒸氣侵入速度，於設置接著性樹脂層之情形時，能夠防止水分於接著性樹脂層中移動而到達電子元件，能夠得到具有更 高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1B。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度(1層)，分别以1~100μm為佳，特别是以3~80μm為佳，進一步以5~50μm為佳。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為1μm以上，則能夠得到充分之接著性。另一方面，藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為100μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1B之厚度維持得很薄。
再者，第1及第2接著性樹脂層11A,11B之材料、厚度等可以分别相同，亦可以不同。
(3)薄膜狀密封材料1A,1B之物性等
薄膜狀密封材料1A,1B之厚度以7~500μm為佳，特别是以15~400μm為佳，進一步以20~200μm為佳。藉由薄膜狀密封材料1A,1B之厚度為7μm以上，則能夠得到充分的水蒸氣阻障性與接著性。另一方面，藉由薄膜狀密封材料1A,1B之厚度為500μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1A,1B之厚度維持得很薄，例如即使用於電子裝置時，亦能夠避免電子裝置之厚度變得過厚。
薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣透過率，當用厚度為50μm之薄膜狀密封材料1A,1B進行測定之情形時，以20g/(m2．day)以下為佳，特别是以15g/(m2．day)以下為佳，進一步以10g/(m2．day)以下為佳。若薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣透過率為20g/(m2．day)以下，則從薄膜狀密封材料1A,1B之端面侵入之水蒸氣被有効地阻擋，進一步因為從薄膜狀密封材料1A,1B之主面之厚度方向之水蒸氣之侵入亦被抑製，防止 ．抑製水分到達密封對象物，使密封對象物不易受到水分之不良影響。第3實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B，藉由水蒸氣阻障性樹脂層含有具有高水蒸氣阻障性之主材M，進一步水蒸氣阻障性樹脂層含有吸濕劑，則能夠達到如上所述之水蒸氣透過率。
薄膜狀密封材料1A,1B在將薄膜狀密封材料1A,1B之最外層之任意一方之面，以120℃貼合於無鹼玻璃之際之接著力，以1N/25mm以上為佳，特别是3N/25mm以上為佳，進一步以5N/25mm以上為佳。藉由接著力為1N/25mm以上，則能夠將密封對象物確實地進行密封，能夠防止與玻璃板、氣體阻障膜等之被著體之間，發生浮起、剝離等。再者，接著力之測定方法如後述實驗例所示。
(4)薄膜狀密封材料1A,1B之製造方法
第3實施形態所述之薄膜狀密封材料能夠藉由關於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料所闡述之製造方法進行製造。
(5)薄膜狀密封材料1A,1B之用途
第3實施形態所述之薄膜狀密封材料能夠用於關於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料所闡述之用途。
4.第4實施形態所述之薄膜狀密封劑
第4實施形態所述之薄膜狀密封劑，具備對被著體顯示接著性之第1及第2接著性樹脂層與、位於該當第1接著性樹脂層與該當第2接著性樹脂層之間之、含有環烯烴系樹脂及吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層。
如圖2所示，第4實施形態所述之薄膜狀密封材 料1B，具備第1及第2接著性樹脂層11A,11B與、位於第1接著性樹脂層11A與第2接著性樹脂層11B之間之水蒸氣阻障性樹脂層12。於第4實施形態中，第1及第2接著性樹脂層11A,11B直接積層於水蒸氣阻障性樹脂層12上，第4實施形態所述之薄膜狀密封材料1B由這些3層構造所構成，但是本發明並非限定於此者。例如，第1接著性樹脂層11A及/或第2接著性樹脂層11B，亦可以經由其他之層而積層於水蒸氣阻障性樹脂層12上。又，於第1接著性樹脂層11A及/或第2接著性樹脂層11B上，亦可以積層有剝離片。再者，剝離片為形成接著性樹脂層時所利用或用於保護接著性樹脂層之目的而設置，使用薄膜狀密封材料1B之際被剝離。
(1)水蒸氣阻障性樹脂層12
水蒸氣阻障性樹脂層12含有環烯烴系樹脂及吸濕劑。
(1.1)構成水蒸氣阻障性樹脂層12之樹脂
作為該當環烯烴系樹脂，能夠使用於第1實施形態所述薄膜狀密封材料中所能夠使用之上述環烯烴系樹脂。
水蒸氣阻障性樹脂層12除了環烯烴系樹脂以外，亦可以含有其他之樹脂成分。作為其他之樹脂成分，可以擧出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等之烯烴系樹脂(但是，除去環烯烴系樹脂)、氨基甲酸脂系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯氨基甲酸脂系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
水蒸氣阻障性樹脂層12，作為吸濕劑以外之成分，以僅由環烯烴系樹脂所夠成為佳。但是，於含有上述其他之樹脂成分之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12，以含有50質量%以上之環烯烴系樹脂為佳，特别是以含有60質量%以上之環烯烴系樹脂為佳。
由除去了吸濕劑之材料所構成之水蒸氣阻障性樹脂層12之水蒸氣透過率，用厚度為50μm之除去了吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層12進行測定之情形時，以7g/(m2．day)以下為佳，特别是以5g/(m2．day)以下為佳，進一步以3g/(m2．day)以下為佳。藉由適當選擇吸濕劑以外之成分設定為7g/(m2．day)以下等之高水蒸氣阻障性，則能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1B。再者，當水蒸氣阻障性樹脂層12除吸濕劑以外僅含有環烯烴系樹脂之情形時，環烯烴系樹脂之較佳之水蒸氣透過率成為上述之水蒸氣透過率。
(1.2)吸濕劑
水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑。吸濕劑一般地分為化學系吸濕劑及物理系吸濕劑之兩大類。作為這些吸濕劑，能夠使用能夠用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之上述化學系吸濕劑及物理系吸濕劑。
吸濕劑以對電子元件所造成之影響少或對電子元件不造成影響之物質為佳。特别是於使用化學系吸濕劑之情形時，以使用不會因為吸濕反應而產生腐食電子元件之物質之吸濕劑為佳。又，以使用即使由於吸濕反應或溫度變化亦不產生氣體，不使電子裝置發生膨張之吸濕劑為佳。再者，以使用於 製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際，與環烯烴系樹脂良好地混和，即使實施加熱等處理亦不發生變性之吸濕劑為佳。
從這些觀點考慮，當於第4實施形態所述之薄膜狀密封材料1B使用化學系吸濕劑之情形時，以使用與金屬氧化物或水分子反應生成水合物之化合物為佳。這些吸濕劑於發生吸濕反應之情形時，產生比較穩定之生成物，其氣化產生氣體之傾向少，與環烯烴系樹脂良好地混和，於水蒸氣阻障性樹脂層12之製造過程中難以變性。結果是能夠得到顯示非常優異之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1B。
水蒸氣阻障性樹脂層12中吸濕劑之含有量，以1~35質量%為佳，特别是以3~30質量%為佳，進一步以5~25質量%為佳。藉由吸濕劑之含有量為1質量%以上，則透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分被充分地吸收，薄膜狀密封材料1B之水蒸氣阻障性進一步提高。又，藉由吸濕劑之含有量為35質量%以下，則於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際能夠良好地成膜。
吸濕劑之形狀沒有特别之限定，但是，例如可以為粉末或粒狀。吸濕劑之平均粒徑沒有特别之限定，但是例如以0.1~20μm為佳，特别是以0.1~10μm為佳，進一步以0.1~5μm為佳。
(1.3)其他成分
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述環烯烴系樹脂及吸濕劑以外，依照需要，亦可以含有黏著賦予劑、紫外線吸収劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結 塊劑、分散劑等各種添加劑等。
(1.4)水蒸氣阻障性樹脂層12之物性等
水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度，以5~300μm為佳，特别是以10~200μm為佳，進一步以15~100μm為佳。藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為5μm以上，則可以得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為300μm以下，則可以將薄膜狀密封材料1B之厚度維持得很薄。
又，水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例，以薄膜狀密封材料1B之厚度之10~99%為佳，以30~95%為更佳，特别是以40~90%為佳，進一步以50~80%為佳。再者，關於薄膜狀密封材料1B之厚度將於後文闡述。藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例設為10%以上，則能夠得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例設為薄膜狀密封材料1B之厚度之99%以下，則第1及第2接著性樹脂層11A,11B具有充分之厚度，能夠達到充分之接著性。
(2)接著性樹脂層
第1接著性樹脂層11A及第2接著性樹脂層11B為對被著體顯示接著性之層，於第4實施形態中，可以設置於薄膜狀密封材料1B之兩面之最外層。上述水蒸氣阻障性樹脂層12對被著體之接著性低，僅水蒸氣阻障性樹脂層12不能作為密封材料使用，但是於第4實施形態所述之薄膜狀密封材料1B中，藉由於水蒸氣阻障性樹脂層12之兩面上積層第1及第2接著 性樹脂層11A,11B，則對被著體之接著性亦優異。第1及第2接著性樹脂層11A,11B可以分别為單層，亦可以為複數個層。
作為構成第1及第2接著性樹脂層11A,11B之樹脂，只要為對被著體顯示接著性者則沒有特别限定，可以擧出例如熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、能量線硬化型樹脂等。其中，第1及第2接著性樹脂層11A,11B以含有熱可塑性樹脂為佳。熱可塑性樹脂可以為具有熱接著性者，亦可以為具有感壓接著性者。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B含有熱可塑性樹脂，能夠將薄膜狀密封材料1B牢固地接著於被著體，同時第1及第2接著性樹脂層11A,11B與水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性亦提高。
作為熱可塑性樹脂，可以擧出例如聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯氨基甲酸脂系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂、橡膠系樹脂等。聚烯烴系樹脂可以為變性者，可以擧出例如酸變性聚烯烴系樹脂及矽烷變性聚烯烴系樹脂。這些之中，以酸變性聚烯烴系樹脂或矽烷變性聚烯烴系樹脂為佳。藉由熱可塑性樹脂為酸變性聚烯烴系樹脂或矽烷變性聚烯烴系樹脂，則第1及第2接著性樹脂層11A,11B，特别是對玻璃板、氣體阻障膜等之被著體顯示高接著力。又，與第1及第2接著性樹脂層11A,11B、含有環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性亦優異。
作為聚烯烴系樹脂(沒有變性之聚烯烴系樹脂)，可以擧出超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上、未滿 910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上、未滿915kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915kg/m3以上、未滿942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3以上)等之聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂(PP)、乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物等。這些可以單獨使用1種或組合2種以上使用。上述之中，作為烯烴系樹脂，從對被著體之接著力優異，與水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性亦優異之觀點考慮，以乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物為佳。從接著力之觀點考慮，以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物為更佳。
所謂酸變性聚烯烴系樹脂係意味著用酸接枝變性了之聚烯烴系樹脂，可以擧出例如使不飽和羧酸與聚烯烴系樹脂反應，導入(接枝變性)羧基者。
作為上述與聚烯烴系樹脂反應之不飽和羧酸，可以擧出例如、馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、馬來酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、氫鄰苯二甲酸酐等。這些能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。於上述之中，特别是以接著力優異之馬來酸酐為佳。
作為上述酸變性聚烯烴系樹脂，以馬來酸酐變性 聚烯烴系樹脂為佳，特别是以馬來酸酐變性聚乙烯樹脂為佳。
作為與聚烯烴系樹脂所反應之不飽和羧酸之量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，以0.1~5質量份為佳，特别是以0.2~3質量份為佳，進一步以0.2~1質量份為佳。藉由使所反應之不飽和羧酸之量位於上述之範圍，則所得到之酸變性聚烯烴系樹脂接著力優異。
酸變性聚烯烴系樹脂以維卡軟化點(vicat softening point)為90℃以下為佳，特别是以30~70℃為佳，進一步以30~60℃為佳。若維卡軟化點為上述範圍，則於室溫，不表現接著性，所以薄膜狀密封材料1B之操作性優異，又，因為用較短時間之熱壓著能夠接著，所以能夠効率良好地製造具有有機EL元件之顯示裝置用模組、電子紙、有機薄膜太陽電池等之電子裝置。再者，維卡軟化點設為基於ASTM D1525所測定之值。
酸變性聚烯烴系樹脂，以於190℃、荷重20.2N之熔體流動速率(MFR)為0.5~30g/10分為佳，特别是以1~15g/10分為佳，進一步以2~10g/10分為佳。將第1及第2接著性樹脂層11A,11B，藉由押出成形進行成形之情形時，若MFR為未滿0.5g/10分，則有押出成形變困難之慮，若MFR超過30g/10分，則藉由押出成形進行製膜之際，有厚度精度降低之慮。
酸變性聚烯烴系樹脂亦能夠使用市售品。作為市售品，可以擧出例如Admer(註冊商標)(三井化學公司製)、BondyRam(註冊商標)(Polyram公司製)、orevac(註冊商標 )(ARKEMA公司製)、Modic(註冊商標)(三菱化學公司製)等。
所謂矽烷變性聚烯烴系樹脂為藉由使不飽和矽烷化合物與聚烯烴系樹脂反應，而將聚烯烴系樹脂接枝變性者。矽烷變性聚烯烴系樹脂特别是當被著體為玻璃板之情形時能夠牢地接著。
作為矽烷變性聚烯烴系樹脂之聚烯烴系樹脂，可以擧出由上述之酸變性聚烯烴系樹脂所例示之聚烯烴系樹脂。
矽烷變性聚烯烴系樹脂以矽烷變性聚乙烯樹脂及矽烷變性乙烯-乙酸乙烯酯共聚物為佳，特别是以矽烷變性低密度聚乙烯、矽烷變性超低密度聚乙烯、矽烷變性直鏈狀低密度聚乙烯等之矽烷變性聚乙烯樹脂為佳。
作為與上述聚烯烴系樹脂反應之不飽和矽烷化合物，以乙烯基矽烷化合物為佳，可以擧出例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷、乙烯基三戊氧基矽烷、乙烯基三苯氧基矽烷、乙烯基三苄氧基矽烷、乙烯基三亚甲二氧基矽烷、乙烯基三乙烯二氧基矽烷、乙烯基丙氧基矽烷、乙烯基三乙酰氧基矽烷、乙烯基三羧基矽烷等。這些能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
作為與聚烯烴系樹脂所反應之不飽和矽烷化合物之量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，以0.1~10質量份為佳，特别是以0.3~7質量份為佳，進一步以0.5~5質量份為佳。藉由使所反應之不飽和矽烷化合物之量位於上述之範圍，則所得到之矽烷變性聚烯烴系樹脂接著力優異。
矽烷變性聚烯烴系樹脂，以於190℃、荷重20.2N之熔體流動速率(MFR)為0.5~30g/10分為佳，特别是以0.5~15g/10分為佳，進一步以0.5~10g/10分為佳。將第1及第2接著性樹脂層11A,11B，藉由押出成形進行成形之情形時，若MFR為未滿0.5g/10分，則有押出成形變困難之慮，若MFR超過30g/10分，則藉由押出成形進行製膜之際，有厚度精度降低之慮。
矽烷變性聚烯烴系樹脂亦能夠使用市售品。作為市售品，可以擧出例如Linklon(註冊商標)(三菱化學公司製)等，其中，可以較佳使用低密度聚乙烯系之Linklon、直鏈狀低密度聚乙烯系之Linklon、超低密度聚乙烯系之Linklon、及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系之Linklon。
又，上述熱可塑性樹脂可以為藉由金屬陽離子使分子間結合之離聚物。作為離聚物，可以擧出例如烯烴系離聚物、氨基甲酸脂系離聚物、苯乙烯系離聚物、氟系離聚物等。這些之中，從與含有環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性樹脂層12之密著性優異之觀點考慮，以使用烯烴系離聚物為佳。作為烯烴系離聚物，可以擧出例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-富馬酸共聚物、乙烯-馬來酸共聚物、乙烯-馬來酸單甲基共聚物、乙烯-馬來酸單乙基共聚物等之將烯烴系樹脂之分子間用金屬離子結合者。作為金屬離子之金屬，可以擧出例如像鈉、鋰等之鹼金屬、亞鉛、鎂、鈣等鹼土類金屬這樣之多價金屬等。離聚物能夠單獨使用1種或混合2種以上使用。
作為聚酯系樹脂，只要為具有接著性者即可，能 夠使用公知之聚酯系樹脂。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B以含有60~100質量%之熱可塑性樹脂為佳，特别是以含有70~100質量%為佳，進一步以含有80~100質量%為佳。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B除了上述樹脂以外，依照需要，亦可以含有例如黏著賦予劑、紫外線吸収劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、分散劑、填充劑、吸濕劑等各種添加劑等。
第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度(1層)，分别以1~100μm為佳，特别是以3~80μm為佳，進一步以5~50μm為佳。藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為1μm以上，則能夠得到充分之接著性。另一方面，藉由第1及第2接著性樹脂層11A,11B之厚度為100μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1B之厚度維持得很薄。
再者，第1及第2接著性樹脂層11A,11B之材料、厚度等，可以分别相同亦可以不同。
(3)薄膜狀密封材料1B之物性等
薄膜狀密封材料1B之最大吸濕量，以具有50μm厚度之水蒸氣阻障性樹脂層12所吸收之水之量來表示之情形時，以1.0g/m2以上為佳，特别是以1.5g/m2以上為佳，進一步以2.0g/m2以上為佳。藉由薄膜狀密封材料1B之最大吸濕量為1.0g/m2以上，則能夠將侵入到薄膜狀密封材料1B內之水分進行充分地吸收，能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1B。
薄膜狀密封材料1B之厚度以7~500μm為佳，特别是以15~400μm為佳，進一步以20~200μm為佳。藉由薄膜狀密封材料1B之厚度為7μm以上，則能夠得到充分的水蒸氣阻障性與接著性。另一方面，藉由薄膜狀密封材料1B之厚度為500μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1B之厚度維持得很薄，例如即使用於電子裝置時，亦能夠避免電子裝置之厚度變得過厚。
薄膜狀密封材料1B之水蒸氣透過率，當用厚度為50μm之薄膜狀密封材料1B進行測定之情形時，以7g/(m2．day)以下為佳，特别是以5g/(m2．day)以下為佳，進一步以3g/(m2．day)以下為佳。若薄膜狀密封材料1B之水蒸氣透過率為7g/(m2．day)以下，則從外部侵入之水蒸氣由該當薄膜狀密封材料1B有効地阻擋，防止．抑製水蒸氣到達密封對象物，密封對象物不易受到水分之不良影響。第4實施形態所述之薄膜狀密封材料1B，藉由具備含有上述環烯烴系樹脂及上述吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層12，則能夠達到上述那樣之水蒸氣透過率。
薄膜狀密封材料1B，用120℃進行貼合之際，對無鹼玻璃之接著力以5N/25mm以上為佳，特别是以10N/25mm以上為佳。藉由接著力為5N/25mm以上，則能夠將密封對象物確實地密封，能夠防止與玻璃板、氣體阻障膜等之被著體之間，發生浮起、剝離等。又，接著力之測定方法如後述實驗例所示。
(4)薄膜狀密封材料1B之製造方法
薄膜狀密封材料1B，能夠藉由常規之方法來製造。例如 ，能夠藉由以下之方法來製造：以將第1接著性樹脂層11A、水蒸氣阻障性樹脂層12與第2接著性樹脂層11B，依據該順序進行積層之方式，進行共押出成形之方法；分别準備作為第1接著性樹脂層11A之單層之薄膜(第1接著性樹脂薄膜)及作為第2接著性樹脂層11B之單層之薄膜(第2接著性樹脂薄膜)，於第1接著性樹脂薄膜上形成水蒸氣阻障性樹脂層12之後，於該當水蒸氣阻障性樹脂層12上積層第2接著性樹脂薄膜之方法；準備作為水蒸氣阻障性樹脂層12之單層之薄膜(水蒸氣阻障性樹脂薄膜)，於該水蒸氣阻障性樹脂薄膜之兩面上，形成第1及第2接著性樹脂層11A,11B之方法；準備第1接著性樹脂薄膜、水蒸氣阻障性樹脂薄膜、與第2接著性樹脂薄膜，將這3張樹脂薄膜，依據上述順序重叠進行積層之方法等方法。又，亦能夠藉由下述之方法製造薄膜狀密封材料1B：於剝離片上，形成第1及第2接著性樹脂層11A,11B，分别準備帶第1及第2接著性樹脂層11A,11B之剝離片，於預先所準備之水蒸氣阻障性樹脂薄膜之兩面上，將帶第1及第2接著性樹脂層11A,11B之剝離片進行積層之方法。
再者，作為形成第1及第2接著性樹脂層11A,11B(第1接著性樹脂薄膜，第2接著性樹脂薄膜)之方法，沒有特别之限定，可以例示熔融押出法、壓延法、乾式法、溶液法等。於用溶液法之情形時，將上述之樹脂溶解於有機溶劑所得到之溶液，藉由公知之塗佈方法進行塗佈，將所得到之塗膜進行適宜地乾燥，由此而形成各層即可。
又，作為形成水蒸氣阻障性樹脂層12(水蒸氣阻障 性樹脂薄膜)之方法，沒有特别之限定，可以例示將環烯烴系樹脂與吸濕劑之混合物，藉由熔融押出法、壓延法、乾式法、溶液法等而薄膜化之方法。於用溶液法之情形時，將環烯烴系樹脂及吸濕劑溶解於有機溶劑所得到之溶液，藉由公知之塗佈方法進行塗佈，將所得到之塗膜進行適宜地乾燥，由此而形成水蒸氣阻障性樹脂層12即可。
當將第1及第2接著性樹脂層11A,11B(第1接著性樹脂薄膜、第2接著性樹脂薄膜)與水蒸氣阻障性樹脂層12(水蒸氣阻障性樹脂薄膜)進行積層之際，可以一邊加熱一邊積層。加熱溫度以第1及第2接著性樹脂層11A,11B(第1接著性樹脂薄膜，第2接著性樹脂薄膜)軟化之溫度以上為佳。
(5)薄膜狀密封材料1B之用途
第4實施形態所述之薄膜狀密封材料1B，因為水蒸氣阻障性非常優異，所以能夠使用於各種裝置之密封，特别是能夠適宜用於電子裝置中電子元件之密封。具體而言，可以擧出具有液晶元件、發光二極管(LED元件)、有機發光二極管(有機EL)元件等之顯示裝置用模組、電子紙、太陽電池模組等。其中，於具有有機EL元件之顯示裝置用模組(有機EL模組)、電子紙中，要求高水蒸氣阻障性，所以能夠適宜使用第4實施形態所述之薄膜狀密封材料1B。
5．第5實施形態所述之薄膜狀密封劑
第5實施形態所述之薄膜狀密封劑，具備對被著體顯示接著性之第1及第2接著性樹脂層與、位於該當第1接著性樹脂層與該當第2接著性樹脂層之間含有環烯烴系樹脂及吸濕劑之 水蒸氣阻障性樹脂層。該當薄膜狀密封劑全光線透過率為80%以上，霧度值為10%以下。
如圖2所示，第5實施形態所述之薄膜狀密封材料1B，具備第1及第2接著性樹脂層11A,11B與、位於第1接著性樹脂層11A與第2接著性樹脂層11B之間之水蒸氣阻障性樹脂層12。於第5實施形態中，第1及第2接著性樹脂層11A,11B直接積層於水蒸氣阻障性樹脂層12上，第5實施形態所述之薄膜狀密封材料1B由這些3層構造所構成，但是本發明並非限定於此者。例如，第1接著性樹脂層11A及/或第2接著性樹脂層11B，亦可以經由其他之層而積層於水蒸氣阻障性樹脂層12上。又，於第1接著性樹脂層11A及/或第2接著性樹脂層11B上，亦可以積層有剝離片。再者，剝離片為形成接著性樹脂層時所利用或用於保護接著性樹脂層之目的而設置，使用薄膜狀密封材料1B之際被剝離。
於第5實施形態所述薄膜狀密封材料1中，水蒸氣阻障性樹脂層12含有環烯烴系樹脂及吸濕劑。並且，薄膜狀密封材料1具有80%以上之全光線透過率及10%以下之霧度值。由於環烯烴系樹脂一般水蒸氣阻障性高，所以含有環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性樹脂層12水蒸氣阻障性優異。又，即使水分侵入到水蒸氣阻障性樹脂層12中，藉由吸濕劑該水分將會被吸收。結果是水蒸氣阻障性樹脂層12具有更進一步高之水蒸氣阻障性，具有像這樣之水蒸氣阻障性樹脂層12之薄膜狀密封材料1之水蒸氣阻障性亦非常優異。又，藉由環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性高，則能夠使吸濕劑之含有量比較少， 抑製吸濕劑對薄膜狀密封材料之光學特性之影響，達到高光透過性。再者，為提高水蒸氣阻障性，沒有必要使薄膜狀密封材料1之厚度過度地厚或含有其他成分，可能影響薄膜狀密封材料1之光學特性之要因被控製，從這點上亦能夠實現高光透過性。
(1)水蒸氣阻障性樹脂層12
水蒸氣阻障性樹脂層12含有環烯烴系樹脂及吸濕劑。水蒸氣阻障性樹脂層12可以為單層，亦可以為複數個層。
(1.1)環烯烴系樹脂
水蒸氣阻障性樹脂層12含有環烯烴系樹脂。作為該當環烯烴系樹脂，能夠使用能夠用於第1實施形態所述之薄膜狀密封材料之上述環烯烴系樹脂。
水蒸氣阻障性樹脂層12除環烯烴系樹脂以外，亦可以含有其他之樹脂成分。作為其他之樹脂成分，可以擧出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等之烯烴系樹脂(但是，除去環烯烴系樹脂)、氨基甲酸脂系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚氨基甲酸脂系樹脂、聚酯氨基甲酸脂系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺基系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
水蒸氣阻障性樹脂層12作為吸濕劑以外之成分，以僅由環烯烴系樹脂所構成為佳，但是在含有上述其他樹脂成分之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12以含有50質量%以上之環烯烴系樹脂為佳，特别是以含有60質量%以上為佳。
由除去了吸濕劑之材料所構成之水蒸氣阻障性樹脂層12之水蒸氣透過率，用厚度為50μm之除去了吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層12進行測定之情形時，以7g/(m2．day)以下為佳，特别是以5g/(m2．day)以下為佳，進一步以3g/(m2．day)以下為佳。藉由適當選擇吸濕劑以外之成分設定為7g/(m2．day)以下等之高水蒸氣阻障性，則能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1。再者，當水蒸氣阻障性樹脂層12除吸濕劑以外僅含有環烯烴系樹脂之情形時，環烯烴系樹脂之較佳之水蒸氣透過率成為上述之水蒸氣透過率。
(1.2)吸濕劑
水蒸氣阻障性樹脂層12含有吸濕劑。吸濕劑一般地分為化學系吸濕劑及物理系吸濕劑之兩大類。
化學系吸濕劑為利用水分子作為化學反應之反應物，由此而將周圍之水分進行吸收之吸濕劑。於第5實施形態所述之薄膜狀密封材料1中，能夠使用所有之化學系吸濕劑，例如能夠使用金屬氧化物、與水分子反應生成水合物之化合物、或含有矽氧金屬鍵之化合物。這些化學系吸濕劑能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
作為化學系吸濕劑能夠使用之金屬氧化物之例子，為氧化鈣、氧化鋇、氧化鎂及氧化鍶。這些之金屬氧化物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。這之中，氧化鈣與水分子之間進行以下之式(1)之反應。該反應之結果為水分子被變換成反應生成物即氫氧化鈣中之羥基。氧化鈣以外之金屬氧化物亦進行與式(1)同様之反應。
[化13]CaO+H2O → Ca(OH)2…(1)
能夠作為化學系吸濕劑使用之、與水分子進行反應生成水合物之化合物之例子，為硫酸鈉、硫酸鉀‧鋁、硫酸鎂、硫酸鈣、硫酸鋁、碳酸鈉、乙酸鈉、硫代硫酸鈉及硫酸銅。這些之化合物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。這之中，硫酸鎂於水分子之間進行以下之式(2)之反應。該反應之結果為水分子被變換成水合物中之水合水。硫酸鎂以外之化合物亦進行與式(2)同様之反應。作為與水分子反應生成水合物之化合物，以使用硫酸鉀‧鋁或硫酸鎂為佳。
[化14]MgSO4+7H2O → MgSO4．7H2O…(2)
所謂含有矽氧金屬鍵之化合物為含有矽氧金屬鍵、即含有金屬元素與氧之鍵之化合物。那樣之化合物之例子，為具有由通式M(OR)n(M為金屬元素，R為烷基或醯基，n表示金屬元素之氧化數)所表示之化合物、及由式[M(OR)n’-O]m(M為金屬元素，R為烷基或醯基，n’為1以上之整數，為從金屬元素之氧化數减去2所得之值，m表示1以上之整數)所表示之構造之化合物。又，含有矽氧金屬鍵之化合物含有一般被稱為矽氧金屬化合物或聚矽氧金屬化合物之化合物。含有矽氧金屬鍵之化合物之更具體之例子，為金屬醇鹽、金屬醯化物(acylate)及金屬螯合物。與含有矽氧金屬鍵之化合物之水進行反應之部位，主要為M-O-R或M-O-M。這些化 合物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
金屬醇鹽(別名：金屬醇合物)為於M-O-R之部位與水進行反應之化合物之例子。金屬醇鹽之例子為具有於通式M(OR)n中，R為烷基之化合物，或於式[M(O-R)n’-O]m中，R為烷基之構造之化合物。金屬醇鹽之更具體例子為正鈦酸四甲酯(Orthotitanate tetramethyl)(別名：四甲氧基钛(IV)、钛(IV)四甲醇)、乙醇鋁。這些之金屬醇鹽能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。其中，乙醇鋁在與水分子之間進行以下之式(3)之反應。於該反應中，水分子被用於乙醇鋁之水解，其結果係生成氫氧化鋁及乙醇。乙醇鋁以外之化合物亦進行與式(3)同様之反應。
[化15]Al(OC2H5)3+3H2O → Al(OH)3+3C2H5OH…(3)
金屬醯化物為於M-O-R或M-O-M之部位與水反應之化合物之例子。於金屬醯化物中於M-O-R部位與水反應之化合物之例子為於通式M(OR)n中，R為醯基之化合物。於金屬醯化物中，於M-O-M部位與水反應之化合物之例子為，於式[M(O-R)n’-O]m中，具有R為醯基之構造之化合物。金屬醯化物之具體例子為環狀氧化鋁辛酸及環狀氧化鋁硬脂酸。這些金屬醯化物能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。環狀氧化鋁辛酸與水分子之間進行以下之式(4)之反應，生成物僅為1種。環狀氧化鋁辛酸以外之化合物亦進行與式(4)同様之反應。
[化16] -[Al(OCOC7H15)-O]3-+3H2O → 3[C7H15COOAl(OH)2]…(4)
物理系吸濕劑為不藉由化學反應而將周圍之水分吸收之吸濕劑，例如，使周圍之水分子吸著於吸濕劑之表面。於第5實施形態所述之薄膜狀密封材料1中，能夠使用所有物理系吸濕劑，能夠使用例如沸石、活性氧化鋁、矽氧凝膠及粘土化合物。作為沸石能夠使用分子篩。這些吸濕劑能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
吸濕劑以對電子元件所造成之影響少或對電子元件不造成影響之物質為佳。特别是於使用化學系吸濕劑之情形時，以使用不會因為吸濕反應而產生腐食電子元件之物質之吸濕劑為佳。又，以使用即使由於吸濕反應或溫度變化亦不產生氣體，不使電子裝置發生膨張之吸濕劑為佳。再者，以使用於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際，與環烯烴系樹脂良好地混和，即使實施加熱等處理亦不發生變性之吸濕劑為佳。進一步，以吸濕劑對作為薄膜狀密封材料1之光學特性所給予之影響小為佳，特别是以不易降低薄膜狀密封材料1之光透過性為佳。
從這些觀點考慮，則於第5實施形態所述之薄膜狀密封材料1中使用化學系吸濕劑之情形時，以使用與水分子反應生成水合物之化合物為佳，特别是作為與水分子反應生成水合物之化合物，以使用硫酸鉀‧鋁或硫酸鎂為佳。這些吸濕劑於發生吸濕反應之情形時，產生比較穩定之生成物，其氣化產生氣體之傾向少，與環烯烴系樹脂良好地混和，於水蒸氣阻障性樹脂層12之製造過程中難以變性。又，因為這些吸濕劑 具有充分之吸濕性，所以能夠使水蒸氣阻障性樹脂層12中之含有量較少，能夠抑製對薄膜狀密封材料1之光學特性之影響，達到高光透過性。結果是能夠得到顯示非常優異之水蒸氣阻障性與光透過性之薄膜狀密封材料1。
水蒸氣阻障性樹脂層12中吸濕劑之含有量，以1~35質量%為佳，以2~20質量%為更佳，特别是以3~10質量%為佳，進一步以3~8質量%為佳。藉由吸濕劑之含有量為1質量%以上，則透過水蒸氣阻障性樹脂層12之水分被充分地吸收，薄膜狀密封材料1之水蒸氣阻障性進一步提高。又，藉由吸濕劑之含有量為35質量%以下，則於製造水蒸氣阻障性樹脂層12之際能夠良好地成膜。又，能夠抑製對水蒸氣阻障性樹脂層12之光學特性所給予之影響，能夠提高光透過性。
又，作為吸濕劑，當使用與水分子反應生成水合物之化合物之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12中其含有量以1~10%為佳。特别是，作為吸濕劑，當使用硫酸鎂之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12中其含有量以2~8%為佳，當使用硫酸鉀‧鋁之情形時，水蒸氣阻障性樹脂層12中其含有量以3~6%為佳。
吸濕劑之形狀沒有特别之限定，但是例如可以為粉末、粒狀。吸濕劑之平均粒徑沒有特别之限定，但是例如以0.1~20μm為佳，特别是以0.1~10μm為佳，進一步以0.1~5μm為佳。
(1.3)其他成分
水蒸氣阻障性樹脂層12除上述環烯烴系樹脂及吸濕劑以 外，依照需要，亦可以含有黏著賦予劑、紫外線吸収劑、紫外線安定劑、抗靜電劑、顏料、阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、防結塊劑、分散劑等各種添加劑等。
(1.4)水蒸氣阻障性樹脂層12之物性等
水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度，以5~300μm為佳，特别是以10~200μm為佳，進一步以15~100μm為佳。藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為5μm以上，則可以得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度設為300μm以下，則可以將薄膜狀密封材料1之厚度維持得很薄。又，能夠縮短薄膜狀密封材料1中之光路，能夠提高光透過性。
又，水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例，以薄膜狀密封材料1之厚度之10~99%為佳，以30~95%為更佳，以40~90%為特别佳，進一步以50~80%為佳。再者，關於薄膜狀密封材料1之厚度將於後文闡述。藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例設為薄膜狀密封材料1之厚度之10%以上，則能夠得到充分之水蒸氣阻障性。另一方面，藉由將水蒸氣阻障性樹脂層12之厚度之比例設為薄膜狀密封材料1之厚度之99%以下，則第1及第2接著性樹脂層11A,11B具有充分之厚度，能夠達到充分之接著性。
(2)接著性樹脂層
作為第5實施形態所述之薄膜狀密封材料中之接著性樹脂層，能夠使用於第4實施形態所述之薄膜狀密封材料中上述之接著性樹脂層。
(3)薄膜狀密封材料1之物性等
薄膜狀密封材料1之全光線透過率為80%以上，以83%以上佳，特别是以86%以上為佳。所謂全光線透過率係指依據JIS K7361：1997所測定之值。全光線透過率之測定方法如後述實驗例所示。於實施形態所述之薄膜狀密封材料1中，環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性高，能夠使吸濕劑之含有量比較少，能夠降低吸濕劑對薄膜狀密封材料之光學特性所造成之影響。又，因為水蒸氣阻障性充分，所以沒有必要使薄膜狀密封材料1之厚度過度地厚或含有其他成分。藉由這些，能夠達到80%以上之全光線透過率這樣之高光透過性。使用像這樣之薄膜狀密封材料1所製造之顯示裝置用模組及電子裝置等，在電子元件與外部之間能夠以高効率進行光之交換，能夠發揮優異之性能。
薄膜狀密封材料1之霧度值為10%以下，以8%以下為佳，以5%以下為更佳，以3%以下為特别佳。所謂霧度值係指依據JIS K7136：2000所測定之值。霧度值之測定方法如後述實驗例所示。於實施形態所述之薄膜狀密封材料1中，環烯烴系樹脂之水蒸氣阻障性高，能夠使吸濕劑之含有量比較少，能夠降低吸濕劑對薄膜狀密封材料之光學特性所造成之影響。又，因為水蒸氣阻障性充分，所以沒有必要過度地加厚薄膜狀密封材料1之厚度，或含有其他成分。藉由這些，霧度值能夠達到10%以下這樣之高透明性，伴隨與此能夠實現高光透過性。使用像這樣之薄膜狀密封材料1所製造之顯示裝置用模組及電子裝置等，在電子元件與外部之間，能夠以高効率進行光之 交換，能夠發揮優異之性能。
薄膜狀密封材料1之最大吸濕量，以具有50μm厚度之水蒸氣阻障性樹脂層12所吸收之水之量來表示之情形時，以1.0g/m2以上為佳，特别是以1.5g/m2以上為佳，進一步以2.0g/m2以上為佳。藉由薄膜狀密封材料1之最大吸濕量為1．0g/m2以上，則能夠將侵入到薄膜狀密封材料1內之水分進行充分地吸收，能夠得到具有更高之水蒸氣阻障性之薄膜狀密封材料1。
薄膜狀密封材料1之厚度以7~500μm為佳，特别是以15~400μm為佳，進一步以20~200μm為佳。藉由薄膜狀密封材料1之厚度為7μm以上，則能夠得到充分的水蒸氣阻障性與接著性。另一方面，藉由薄膜狀密封材料1之厚度為500μm以下，則能夠將薄膜狀密封材料1之厚度維持得很薄，例如即使用於電子裝置時，亦能夠避免電子裝置之厚度變得過厚，同時能夠縮短於薄膜狀密封材料1中之光路，能夠提高光透過性。
薄膜狀密封材料1之水蒸氣透過率，當用厚度為50μm之薄膜狀密封材料1進行測定之情形時，以7g/(m2．day)以下為佳，特别是以5g/(m2．day)以下為佳，進一步以3g/(m2．day)以下為佳。若薄膜狀密封材料1之水蒸氣透過率為7g/(m2．day)以下，則從外部侵入之水蒸氣由該當薄膜狀密封材料1有効地阻擋，防止．抑製水蒸氣到達密封對象物，密封對象物不易受到水分之不良影響。第5實施形態所述之薄膜狀密封材料1，藉由具備含有上述環烯烴系樹脂及上述吸濕劑之水蒸氣 阻障性樹脂層12，能夠達到上述那樣之水蒸氣透過率。
薄膜狀密封材料1，以120℃進行貼合之際之對無鹼玻璃之接著力，以5N/25mm以上為佳，特别是以10N/25mm以上為佳。藉由接著力為5N/25mm以上，則能夠將密封對象物確實地進行密封，能夠防止與玻璃板、氣體阻障膜等之被著體之間，發生浮起、剝離等。再者，接著力之測定方法如後述實驗例所示。
(4)薄膜狀密封材料1之製造方法
第5實施形態所述之薄膜狀密封材料，能夠藉由關於第4實施形態所述之薄膜狀密封材料所述之製造方法進行製造。
(5)薄膜狀密封材料1之用途
第5實施形態所述薄膜狀密封材料，能夠使用於關於第4實施形態所述之薄膜狀密封材料中上述之用途。
〔密封片〕
本發明之一實施形態所述之密封片，具備第1~5實施形態所述之薄膜狀密封材料與、積層於該當薄膜狀密封材料之片面上之氣體阻障膜。
圖3為具備圖2所示之薄膜狀密封材料1B之密封片2之概略斷面圖。該密封片2除了薄膜狀密封材料1B之外，具備於薄膜狀密封材料1B之片面上所積層之氣體阻障膜21。再者，密封片2不限於圖3所示者，代替圖2所示之薄膜狀密封材料1B，可以為具備圖1所示之薄膜狀密封材料1A者。即，可以為從圖3之密封片2中除去第1及第2接著性樹脂層11A,11B者。進一步，密封片可以為從圖3之密封片2中除去 第1及第2接著性樹脂層11A,11B之任意一方者。
氣體阻障膜21為具有難以使水蒸氣、氧氣等之氣體透過之特性之薄膜。根據密封片2之適用對象，氣體阻障膜21有必要為透明。作為氣體阻障膜21，以基材薄膜與氣體阻障層之積層體為佳。作為這樣之氣體阻障膜21，例如能夠使用於基材薄膜之片面或兩面上，直接或經由其他之層形成了氣體阻障層者、於基材薄膜之中間設置有氣體阻障層者等。
作為基材薄膜，例如可列舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等之聚烯烴、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚氨基甲酸脂、聚碳酸酯、聚醯胺基、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫、聚芳酯、聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯系樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、ABS樹脂、離聚物樹脂等之樹脂所構成之薄膜、或這些之積層薄膜等。這些之中，從強度之觀點考慮，以聚乙烯對苯二甲酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺基、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫、聚芳酯等所構成之薄膜為佳。基材薄膜可以為拉伸薄膜，亦可以為無拉伸薄膜。又，基材薄膜可以為含有紫外線吸収劑等之各種添加劑者。
基材薄膜之厚度以1~500μm為佳，特别是以5~300μm為佳，進一步以10~100μm為佳。
氣體阻障層以賦予基材薄膜氣體阻障性為目的而積層。作為氣體阻障層之材料，只要為能使氣體阻障膜21之 氣體阻障性達到所期望之水平者，則沒有特别之限定。作為氣體阻障層之材料，例如可以列擧出聚矽氮烷化合物、聚矽碳烷化合物、聚矽烷化合物、聚有機矽氧烷化合物、四有機矽烷化合物等之矽化合物、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮氧化鋁、氧化鎂、氧化亞鉛、氧化銦、氧化錫等之無機氧化物、氮化矽、氮化鋁等之無機氮化物、氮氧化矽等之無機氧化氮化物等、鋁、鎂、亞鉛、錫等之金屬等。這些能夠單獨使用1種或組合2種以上使用。
氣體阻障層之厚度以1nm~10μm為佳，以10~1000nm為更佳，以20~500nm為特别佳，進一步以50~200nm為佳。
氣體阻障層可以為單層，亦可以為複數個層，但是從能夠得到更高之氣體阻障性之觀點考慮，氣體阻障層以複數個層為佳。
形成氣體阻障層之方法，根據所使用之材料進行適當選擇即可。例如、將上述氣體阻障層之材料，藉由蒸著法、濺射法、離子電鍍法、熱CVD法、等離子體CVD法等形成於基材薄膜上之方法，或將上述氣體阻障層之材料溶解於有機溶劑而所得之溶液塗佈於基材薄膜上，對所得到之塗膜進行等離子體離子注入之方法等。於等離子體離子注入中作為所注入之離子，可列舉出例如氬、氦、氖、氰、氙等之稀有氣體；氟化碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等之離子；金、銀、銅、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等之金屬離子等。
氣體阻障膜21之水蒸氣透過率，於40℃、90%RH，以0.5g/(m2．day)以下為佳，特别是以0.1g/(m2．day)以下為佳，進一步以0.05g/(m2．day)以下為佳。
製造密封片2只要將薄膜狀密封材料1A,1B與氣體阻障膜21進行重合積層即可。第1~5實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B，因為水蒸氣阻障性樹脂層12本身具有接著性或薄膜狀密封材料1B具有接著性樹脂層11A,11B，所以與氣體阻障膜21牢固地接著。因此，使用密封片2將電子裝置等進行了密封之情形時，能夠有效地防止水蒸氣侵入到氣體阻障膜21與薄膜狀密封材料1A,1B之間。再者，氣體阻障膜21於其片面具有氣體阻障層之情形時，以氣體阻障層成為薄膜狀密封材料1A,1B側之方式，將氣體阻障膜21與薄膜狀密封材料1A,1B進行積層為佳。
將薄膜狀密封材料1A,1B與氣體阻障膜21進行積層之際，可以一邊加熱一邊積層。加熱溫度以薄膜狀密封材料1A,1B之接著性樹脂層11軟化之溫度以上為佳。
密封片2能夠用於與上述薄膜狀密封材料1A,1B之用途同様之用途，特别是能夠適宜使用於具有要求高水蒸氣阻障性之有機EL元件等之顯示裝置用模組、電子紙、太陽電池模組等之電子裝置中之電子元件之密封。使用密封片2進行密封之情形時，能夠藉由將與氣體阻障膜21所積層之側相反側之面(於圖3中，為第2接著性樹脂層11B)貼合於被著體上，進行密封。
〔電子裝置〕
本發明之一實施形態所述之電子裝置，藉由第1~5實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B所密封。該當實施形態所述之電子裝置3A，具體而言，如圖4所示，具備基板31、形成於基板31上之電子元件32、密封電子元件32之薄膜狀密封材料1B、與薄膜狀密封材料1B之電子元件32之相反側所積層之密封構件33。作為密封構件33沒有特别之限製，例如可以擧出玻璃板等。
又，本發明其他之實施形態所述之電子裝置藉由第1~5實施形態所述之密封片2所密封。該當實施形態所述之電子裝置3B，具體而言，如圖5所示，具備基板31、形成於基板31上之電子元件32、密封電子元件32之密封片2。再者，密封片2為薄膜狀密封材料1B與、於該薄膜狀密封材料1B之片面上所積層之氣體阻障膜21之積層體。
再者，電子裝置不限於圖4及5所示者，代替圖2所示之薄膜狀密封材料1B，亦可以為具備圖1所示之薄膜狀密封材料1A者。即，可以為從圖4或5之電子裝置3A,3B中除去第1及第2接著性樹脂層11A,11B者。進一步，電子裝置可以為從圖4或5之電子裝置3A,3B中除去第1及第2接著性樹脂層11A,11B之任意一方者。
這些電子裝置3A,3B，例如為作為電子元件32具有液晶元件、LED元件、有機EL元件等之顯示裝置用模組，作為電子元件32具有電氣泳動型元件、電子粉粒體型元件、膽甾相液晶元件等之電子紙，作為電子元件32具有太陽電池組件之太陽電池模組等，但是並不限定於這些。又，電子裝置 3A,3B即可以為頂部發射型之電子裝置，亦可以為底部發射型之電子裝置。例如，當電子裝置3A,3B為底部發射型之裝置之情形時，基板31以透明基板為佳。又，電子裝置3A,3B為頂部發射型之電子裝置之情形時，密封構件33及氣體阻障膜21以透明為佳。
作為基板31，根據電子裝置3A,3B之種類適宜選擇，但是例如能夠較佳擧出玻璃板、基材薄膜。作為玻璃板之材料，可以擧出例如無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、含有鋇．鍶之玻璃、石英等所組成之無機玻璃、混合玻璃等。作為基材薄膜，可以擧出例如於氣體阻障膜21所例示者。
基板31之厚度根據電子裝置3A,3B之種類而適當設定。
製造電子裝置3A之方法沒有特别地限定。例如，首先藉由常規方法於基板31上形成電子元件32。其後，以覆蓋該當電子元件32之方式，載置薄膜狀密封材料1A,1B，進一步於薄膜狀密封材料1A,1B之上載置玻璃板等之密封構件33，將這些進行貼合，藉由密封電子元件32，能夠製造電子裝置3A。再者，亦可以預先得到將薄膜狀密封材料1A,1B與密封構件33進行貼合所成之積層體，將該積層體與電子元件32貼合而製造電子裝置3A。
另一方面，關於製造電子裝置3B之方法沒有特别地限定。例如，以覆蓋形成於基板31上之電子元件32之方式，以薄膜狀密封材料1A,1B成為電子元件32側之方式載置密 封片2，將這些進行貼合，藉由密封電子元件32，能夠製造電子裝置3B。
密封可以於常壓下進行，亦可以於減壓環境下進行，或亦可以將這些組合來進行。又，將薄膜狀密封材料1A,1B與電子元件32進行貼合之際亦可以加熱。藉由加熱，薄膜狀密封材料1A,1B與電子元件32、基板31、及密封構件33或氣體阻障膜21牢固地接著。
貼合時之加熱溫度通常以第1及第2接著性樹脂層11A,11B及水蒸氣阻障性樹脂層12軟化之溫度以上為佳。
於電子裝置3A,3B中，由於電子元件32被第1~5實施形態所述之薄膜狀密封材料1A,1B所覆蓋，從外部侵入之水蒸氣由薄膜狀密封材料1A,1B之水蒸氣阻障性樹脂層12所阻擋，防止‧抑製到達電子元件32，所以電子元件32難以受到水分之不良影響。又，薄膜狀密封材料1A,1B因為水蒸氣阻障性樹脂層12具有接著性或具備第1及第2接著性樹脂層11A,11B，所以薄膜狀密封材料1A,1B與基板31、薄膜狀密封材料1A,1B與電子元件32、薄膜狀密封材料1A,1B與密封構件33、薄膜狀密封材料1A,1B與氣體阻障膜21牢固地接著，防止‧抑製於這些之間發生浮起、剝離等或水蒸氣侵入到這些之間。
以上所說明之實施形態係為易於理解本發明所作之記載，並非為限定本發明所作之記載。因此，上述實施形態所公開之各要素，其趣旨亦包含屬於本發明之技術範圍之所有設計變更或均等物。
【實施例】
以下，藉由實施例等而更具體地說明本發明。但是，本發明之範圍不被這些實施例所限定。
〔實施例1-1〕
<薄膜狀密封材料之製作>
將構成表1所示之接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，藉由押出機(東洋精機製作所公司製)進行共押出成形，製造將厚度為7.5μm之第1接著性樹脂層與、厚度為35μm之水蒸氣阻障性樹脂層與、厚度為7.5μm之第2接著性樹脂層，依據該順序積層所得之薄膜狀密封材料。
<密封片之製作>
將所得之薄膜狀密封材料與、具有鋁箔之氣體阻障膜(為於厚度為7μm之鋁箔之片面，將厚度為12μm之聚乙烯對苯二甲酸酯片，用氨基甲酸脂系接著劑層進行接著所得之積層薄膜，Ajiyaarumi公司製)之鋁箔面，以120℃一邊加熱一邊貼合，而得到密封片。
<底部發射型電子裝置之製造>
藉由下述之方法，於玻璃基板上將陽極、發光層及陰極，依據該順序進行積層，形成電子元件(有機EL元件)。
首先，於玻璃基板之表面藉由濺射法形成氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm，薄片電阻：30Ω/□)，接著，藉由進行溶劑洗浄及UV/溴氧處理，製作陽極。
於所得到之陽極(ITO膜)上，將60nm之N，N’-雙(萘-1-基)-N，N’-雙(苯基)-聯苯胺)(Luminescence Technology 公司製)、40nm之三(8-羥基-喹啉)鋁(Luminescence Technology公司製)、10nm之2，9-二甲基-4,7-二苯基-1，10-菲咯啉(Luminescence Technology公司製)、10nm之(8-羥基-喹啉)鋰(Luminescence Technology公司製)，以0.1~0.2nm/s之速度，順次進行蒸著，形成發光層。
於所得到之發光層上，使鋁(Al)(高純度化學研究所公司製)以0.1nm/s之速度，進行100nm蒸著，形成陰極，得到有機EL元件。再者，蒸著時之真空度全部為1×10-4Pa以下。
接著，將上述密封片，於氮氣環境下，使用加熱板於120℃加熱30分鐘，將密封片中所含之水分除去之後，就那樣地放置冷却到室溫。並且，於玻璃基板上以覆蓋所形成之有機EL元件之方式，以薄膜狀密封材料位於有機EL元件側之方式載置密封片，以從密封片之端部到有機EL元件之距離成為5mm之方式進行調整。將這些於100℃一邊加熱一邊貼合，密封有機EL元件，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例1-2及1-3〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表1所示那樣地進行變更以外，與實施例1-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例1-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例1-4〕
將含有表1所示之構成接著性樹脂層之材料之塗液塗佈於 剝離片上，於100℃乾燥2分鐘，於其上貼合剝離片，形成厚度為7.5μm之接著性樹脂層，製作2張於兩面積層有剝離片之接著性樹脂層。
另一方面，將混和有表1所示之構成水蒸氣阻障性樹脂層之樹脂及吸濕劑所得之物質，藉由押出機(東洋精機製作所公司製)進行押出成形，得到厚度為35μm之水蒸氣阻障性樹脂薄膜。
接著，於所得之水蒸氣阻障性樹脂薄膜之兩面之每個面上，將上述接著性樹脂層用120℃一邊加熱一邊進行貼合。此時，將積層於接著性樹脂層之一方之剝離片剝離，將所露出之接著性樹脂層之面與水蒸氣阻障性樹脂層之面進行貼合。接著，將另一方之剝離片剝離，製造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例1-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例1-5及1-6〕
將含有表1所示之構成水蒸氣阻障性樹脂層之材料之塗液，塗佈於剝離片上，於100℃乾燥2分鐘，於其上貼合剝離片，得到厚度為25μm之水蒸氣阻障性樹脂層，將此作為薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例1-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例1-1、1-2及1-4〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表1所示那樣地進行變更以外，與實施例1-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施 例1-1同様地製作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例1-3〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表1所示那樣地進行變更以外，與實施例1-4同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例1-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例1-5〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料及厚度，如表1所示那樣地進行變更以外，與實施例1-1同樣地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例1-1同様地操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
再者，表1所記載之略號等之詳細內容如下所述。
[接著性樹脂層]
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧Exxon Butyl 365：異丁烯系樹脂(Exxon Mobil公司製，商品名「Exxon Butyl 365」)
‧黏著賦予劑：脂肪族系石油樹脂(日本Zeon公司製，商品名「QuintoneA-100」)
‧polyesterSNT：酯系樹脂(日本合成化學公司製，商品名「polyesterSNT」)
‧SumikatheneL705：低密度聚乙烯(住友化學公司製，商 品名「SumikatheneL705」，軟化點86℃)
[水蒸氣阻障性樹脂層]
‧TOPAS9506F-04：由上述構造式(a)所示之環烯烴聚合物(polyplastics公司製，商品名「TOPAS9506F-04」，玻璃轉移溫度65℃)
‧SumikatheneL705：低密度聚乙烯(住友化學公司製，商品名「SumikatheneL705」，軟化點86℃)
‧Exxon Butyl 365：異丁烯系樹脂(Exxon Mobil公司製，商品名「Exxon Butyl 365」)
‧黏著賦予劑：脂肪族系石油樹脂(日本Zeon公司製，商品名「QuintoneA-100」)
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧氧化鈣：氧化鈣(近江化學工業公司製，商品名「CML#35」，平均粒徑15μm)
‧硫酸鎂：無水硫酸鎂(富田製薬公司製，商品名「無水硫酸鎂」，平均粒徑10μm)
‧環狀鋁低聚物：金屬醯化物化合物(川研Fine Chemicals公司製，商品名「Argomer800AF」)
‧鋁氧烷：由以下構造式(e)所表示之聚矽氧金屬化合物(式中，L表示作為有機配位子之3-氧代丁酸乙基，n表示1以上之整數)(ART科學公司製，商品名「聚鋁氧烷50%甲苯溶液」)
[化17]
〔實驗例1-1〕(主材M之水蒸氣透過率之測定)
關於於實施例1-1~1-6或比較例1-1~1-5所得到之薄膜狀密封材料，測定主材M之水蒸氣透過率。具體而言，僅用從表1所示之水蒸氣阻障性樹脂層除去吸濕劑之材料，製作樹脂薄膜，使用LYSSY公司製之透過率測定機「L80-5000」，於40℃、90%RH之條件，測定該樹脂薄膜之水蒸氣透過率。從測定結果，使用以下之計算式，算出樹脂薄膜之厚度為50μm之情形時之水蒸氣透過率。將結果示於表1。
水蒸氣透過率(50μm換算)=水蒸氣透過率(實測值)×(實測膜厚/50)
〔實驗例1-2〕(接著性樹脂層之水蒸氣透過率之測定)
關於於實施例1-1~1-4或比較例1-1~1-5中所得到之薄膜狀密封材料，測定接著性樹脂層之水蒸氣透過率。具體而言，關於從於上述兩面積層了剝離片之接著性樹脂層剝離一方之剝離片者，使用LYSSY公司製之透過率測定機「L80-5000」，於40℃、90%RH之條件，測定接著性樹脂層之水蒸氣透過率。從測定結果，使用以下之計算式，算出測定試料之厚度為 50μm之情形時之水蒸氣透過率。將結果示於表1。
水蒸氣透過率(50μm換算)=水蒸氣透過率(實測值)×(實測膜厚/50)
〔實驗例1-3〕(最大吸濕量之測定)
測定於實施例1-1~1-6或比較例1-1~1-5所得到之薄膜狀密封材料之最大吸濕量。具體而言，將裁斷成70mm×70mm之薄膜狀密封材料，於70mm×70mm之玻璃上，用120℃進行熱積層，得到測定用樣品。製作成樣品後，於1小時以內測定質量(玻璃及薄膜狀密封材料之合計質量)。測定後，於60℃、90%RH之環境下靜置，使其吸收水分直到沒有質量變化為止，再次測定質量，藉由從吸收水分後之質量之值减去吸收水分前之質量之值，求出水蒸氣吸濕量。從測定結果，使用以下之計算式，算出具有50μm之厚度之水蒸氣阻障性樹脂層中最大吸濕量(g/m2)。將結果示於表1。最大吸濕量(50μm換算)={水蒸氣吸濕量(實測值)/(0.07×0.07)}×(50/水蒸氣阻障性樹脂層之厚度)
〔實驗例1-4〕(接著力之測定)
關於於實施例1-1~1-6或比較例1-1~1-5所得到之密封片，將一方之剝離片剝離，將所露出之第1接著性樹脂層之表面貼合於作為支持基材之聚乙烯對苯二甲酸酯片上，裁斷成25mm×300mm之大小。接著，將另一方之剝離片剝離，將所露出之第2接著性樹脂層之表面與作為被著體之玻璃板(鈉鈣玻璃，日本板硝子公司製)重合，於120℃一邊進行加熱一邊貼合，得到實驗片。
使所得到之實驗片貼合後，於23℃、50%RH之環境下，放置24小時之後，於同環境下，使用拉伸實驗機(Orientec公司製，Tensilon)，以剝離速度300mm/分、剝離角度180°之條件，進行剝離實驗，測定接著力(N/25mm)。將結果示於表1。再者，於表1中，當接著力為1N/25mm以下之情形時，表記為「<1」。
〔實驗例1-5〕(電子裝置之評價)
將於實施例1-1~1-6或比較例1-1~1-5所得到之底部發射型之電子裝置，於60℃、90%RH之環境下，放置500小時後，起動有機EL元件，測定非發光部分之面積，用以下之基準進行評價。將結果示於表1。
A：非發光部分之面積未滿初期發光面積之10%
B：非發光部分之面積為初期發光面積之10%以上
[表1]
由表1所知，於實施例所得到之薄膜狀密封材料，水蒸氣阻障性及接著性優異。又，於實施例所得到之電子裝置，几乎沒有水分從端部侵入。進一步，藉由於實施例所得到之薄膜狀密封材料所密封之有機EL元件，耐久性優異，几乎沒有非發光部分，電子裝置之性能良好。
另一方面，比較例1-1之薄膜狀密封材料接著力非常小，不能密封電子元件。因此，不能進行電子裝置評價。比 較例1-2~1-5之薄膜狀密封材料，雖然能夠密封電子元件，但是於電子裝置評價上差。又，於比較例1-2之薄膜狀密封材料中，主材M之水蒸氣透過率高。於比較例1-3之薄膜狀密封材料中，接著性樹脂層之水蒸氣透過率非常高。於比較例1-4之薄膜狀密封材料中，因為不含有吸濕劑不能進行水分之吸收。於比較例1-5之薄膜狀密封材料中，因為水蒸氣阻障性樹脂層之厚度薄，所以吸濕能力不充分。
〔實施例2-1〕
藉由與實施例1-1同樣之製造方法，製造薄膜狀密封材料、密封片及電子裝置。
〔實施例2-2〕
除將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表2所示地進行變更以外，與實施例2-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例2-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例2-3〕
將含有構成表2所示之水蒸氣阻障性樹脂層之材料之塗液塗佈於剝離片上，於100℃乾燥2分鐘，於其上貼合剝離片，形成厚度為25μm之水蒸氣阻障性樹脂層，作為薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例2-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例2-1及2-2〕
除將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表2所示地進行變更以外，與實施例2-1同様地進行操製作造 薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例2-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例2-3及2-4〕
除將構成水蒸氣阻障性樹脂層之材料如表2所示地進行變更以外，與實施例2-3同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例2-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
再者，表2所記載之略號等之詳細內容如下所述。
[接著性樹脂層]
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧PolyesterSNT：聚酯系樹脂(日本合成化學公司製，商品名「PolyesterSNT」)
‧黏著賦予劑：脂肪族系石油樹脂(日本Zeon公司製，商品名「QuintoneA-100」)
[水蒸氣阻障性樹脂層]
‧TOPAS9506F-04：由上述構造式(a)所示之環烯烴聚合物(polyplastics公司製，商品名「TOPAS9506F-04」，玻璃轉移溫度65℃)
‧Exxon Butyl 365：異丁烯系樹脂(Exxon Mobil公司製，商品名「Exxon Butyl 365」)
‧氧化鈣：氧化鈣(近江化學工業公司製，商品名「CML#35」，平均粒徑15μm)
‧硫酸鎂：無水硫酸鎂(富田製薬公司製，商品名「無水硫 酸鎂」，平均粒徑10μm)
‧環狀鋁低聚物：金屬醯化物化合物(川研Fine Chemicals公司製，商品名「Argomer800AF」)
〔實驗例2-1〕(主材M之水蒸氣透過率之測定)關於於實施例2-1~2-3或比較例2-1~2-4所得到之薄膜狀密封材料，藉由實驗例1-1所記載之方法，測定主材M之水蒸氣透過率(g/(m2．day))。將結果示於表2。
〔實驗例2-2〕(接著性樹脂層之水蒸氣透過率之測定)
關於於實施例2-1~2-2或比較例2-1~2-4所得到之薄膜狀密封材料，藉由實驗例1-2所記載之方法，測定接著性樹脂層之水蒸氣透過率(g/(m2．day))。將結果示於表2。
〔實驗例2-3〕(最大吸濕量之測定)
將於實施例2-1~2-3或比較例2-1~2-4所得到之薄膜狀密封材料之最大吸濕量(g/m2)，藉由實驗例1-3所記載之方法進行測定。將結果示於表2。
〔實驗例2-4〕(接著力之測定)
關於於實施例2-1~2-3或比較例2-1~2-4所得到之各密封片，藉由實驗例1-4所記載之方法，測定接著性樹脂層之接著力(N/25mm)。將結果示於表2。
〔實驗例2-5〕(電子裝置之評價)
關於於實施例2-1~2-3或比較例2-1~2-4所得到之底部發射型之電子裝置，藉由實驗例1-5所記載之方法進行評價。將結果示於表2。
由表2可知，於實施例所得到之薄膜狀密封材料水蒸氣阻障性及接著性優異。又，於實施例所得到之電子裝置，几乎沒有水分從端部侵入。進一步，藉由於實施例所得到之薄膜狀密封材料所密封之有機EL元件耐久性優異，几乎沒有黑斑，電子裝置之性能良好。
比較例2-2及2-4之薄膜狀密封材料，因為製膜性差，不能夠得到良好之薄膜狀密封材料，所以不能夠密封電子元件。因此，不能夠進行電子裝置之評價。比較例2-1及2-3之薄膜狀密封材料雖然能夠密封電子元件，但是於電子裝置評價方面差。又，於比較例2-1及2-3之薄膜狀密封材料中，吸濕劑之最大吸濕量低。進一步，於比較例2-3之薄膜狀密封材 料中，因為水蒸氣阻障性樹脂層之厚度薄，所以吸濕能力不充分。
〔實施例3-1〕
<薄膜狀密封材料之製作>
將表3所示之構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，藉由押出機(東洋精機製作所公司製)進行共押出成形，製造將厚度為5μm之第1接著性樹脂層與、厚度為40μm之水蒸氣阻障性樹脂層與、厚度為5μm之第2接著性樹脂層，依據該順序積層所得之薄膜狀密封材料。
<密封片之製作>
將所得到之薄膜狀密封材料與、具有鋁箔之氣體阻障膜(為於厚度為7μm之鋁箔之片面，將厚度為12μm之聚乙烯對苯二甲酸酯片，用氨基甲酸脂系接著劑層進行接著所得之積層薄膜，Ajiyaarumi公司製)之鋁箔面，以120℃一邊加熱一邊貼合，而得到密封片。
<底部發射型電子裝置之製造>
藉由下述之方法，於玻璃基板上將陽極、發光層及陰極，依據該順序進行積層，形成電子元件(有機EL元件)。
首先，於玻璃基板之表面藉由濺射法形成氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm，薄片電阻：30Ω/□)，接著，藉由進行溶劑洗浄及UV/溴氧處理，製作陽極。
於所得到之陽極(ITO膜)上，將60nm之N，N’-雙(萘-1-基)-N，N’-雙(苯基)-聯苯胺)(Luminescence Technology公司製)、40nm之三(8-羥基-喹啉)鋁(Luminescence Technology公司製)、10nm之2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(Luminescence Technology公司製)、10nm之(8-羥基-喹啉)鋰(Luminescence Technology公司製)，以0.1~0.2nm/s之速度，順次進行蒸著，形成發光層。
於所得到之發光層上，使鋁(Al)(高純度化學研究所公司製)以0.1nm/s之速度，進行100nm蒸著，形成陰極，得到有機EL元件。再者，蒸著時之真空度全部為1×10-4Pa以下。
接著，將上述密封片，於氮氣環境下，使用加熱板用120℃加熱30分鐘將密封片中所含之水分除去之後，就那樣地放置冷却到室溫。並且，於玻璃基板上以覆蓋所形成之有機EL元件之方式，以薄膜狀密封材料位於有機EL元件側之方式載置密封片，以從密封片之端部到有機EL元件之距離成為5mm之方式進行調整。將這些用100℃一邊加熱一邊貼合，密封有機EL元件，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例3-2〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表3所示那樣地進行變更以外，與實施例3-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例3-3〕
將含有構成表3所示之水蒸氣阻障性樹脂層之材料之塗液塗佈於剝離片上，於100℃使其乾燥2分鐘，於其上貼合剝離片，得到厚度為20μm之水蒸氣阻障性樹脂層，以這作為薄膜 狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例3-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例3-1~3-3〕
除將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表3所示地進行變更以外，與實施例3-1同様地操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例3-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例3-4〕
除將構成水蒸氣阻障性樹脂層之材料，如表3所示地進行變更以外，與實施例3-3同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例3-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
再者，表3所記載之略號等之詳細內容如下所述。
[接著性樹脂層]
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
[水蒸氣阻障性樹脂層]
‧TOPAS9506F-04：由上述構造式(a)所示之環烯烴聚合物(Polyplastics公司製，商品名「TOPAS9506F-04」，玻璃轉移溫度65℃)
‧Exxon Butyl 365：異丁烯系樹脂(Exxon Mobil公司製，商品名「Exxon Butyl 365」)
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧氧化鈣：氧化鈣(近江化學工業公司製，商品名「CML#35」，平均粒徑15μm)
‧硫酸鎂：無水硫酸鎂(富田製薬公司製，商品名「無水硫酸鎂」，平均粒徑10μm)
‧環狀鋁低聚物：金屬醯化物化合物(川研Fine Chemicals公司製，商品名「Argomer800AF」)
〔實驗例3-1〕(薄膜狀密封材料之水蒸氣透過率之測定)
測定於實施例3-1~3-3或比較例3-1~3-4所得到之薄膜狀密封材料之水蒸氣透過率。具體而言，使用LYSSY公司製之透過率測定機「L80-5000」，於40℃、90%RH之條件下進行測定。使用以下之計算式，從測定結果，算出測定試料之厚度為50μm之情形時之水蒸氣透過率。將結果示於表3。
水蒸氣透過率(50μm換算)=水蒸氣透過率(實測值)×(實測膜厚/50)
〔實驗例3-2〕(最大吸濕量之測定)
將於實施例3-1~3-3或比較例3-1~3-4所得之薄膜狀密封材料之最大吸濕量(g/m2)，藉由實驗例1-3所記載之方法進行測定。將結果示於表3。
〔實驗例3-3〕(接著力之測定)
關於於實施例3-1~3-3或比較例3-1~3-4中所得到之密封片，將一方之剝離片進行剝離，將所露出之第1接著性樹脂層表面，貼合於作為支持基材之聚乙烯對苯二甲酸酯片上(厚度50μm)，裁斷成25mm×300mm之大小。接著，將另一方之 剝離片進行剝離，將所露出之第2接著性樹脂層之表面與作為被著體之玻璃板(鈉鈣玻璃，日本板硝子公司製)重合，用120℃一邊加熱貼合，得到實驗片。
將所得到之實驗片進行貼合之後，於23℃、50%RH之環境下，放置24小時之後，於同環境下，使用引張實驗機(ORIENTEC公司製，Tensilon)，以剝離速度300mm/分、剝離角度180°之條件，進行剝離實驗，測定接著力(N/25mm)。將結果示於表3。
〔實驗例3-4〕(水蒸氣侵入速度之測定)
首先，藉由下述之方法，將金屬鈣蒸著於玻璃基板上，形成水蒸氣侵入速度評價用實驗體。升始，藉由溶劑(丙酮及異丙醇)及UV/溴氧處理，洗浄玻璃基板。接著，以0.1~0.2nm/s之速度，使金屬鈣(Sigma-Aldrich公司製)蒸著於玻璃基板上。蒸著時之真空度全部設為1×10-4Pa以下。藉由此，得到蒸著有150nm厚度之金屬鈣之玻璃基板。
接著，將於實施例3-1~3-3或比較例3-1~3-4所得到之密封片，於氮氣環境下，使用加熱板於120℃加熱30分鐘，將密封片中所含水分除去之後，那樣放置冷却到室溫。並且，以於玻璃基板上所形成之金屬鈣與密封片之薄膜狀密封材料之面接触之方式，將密封片載置於玻璃基板上。此時，用密封片覆蓋金屬鈣之全體，進一步，將從密封片之端部到金屬鈣之距離調整為5mm。其後，將這些於100℃一邊加熱一邊貼合，藉由密封片密封金屬鈣，得到水蒸氣侵入速度評價用實驗體。
將所得到之水蒸氣侵入速度評價用實驗體，放置於60℃、90%RH之環境下，計測金屬鈣之端部與侵入之水反應，到變成透明所需之時間。從測定結果，使用以下之計算式，算出水蒸氣侵入速度(μm/h)。將結果示於表3。
水蒸氣侵入速度(μm/h)=從密封片之端部到金屬鈣之距離(μm)/金屬鈣之端部與侵入之水反應到變成透明所需之時間(h)
〔實驗例3-5〕(電子裝置之評價)
關於於實施例3-1~3-3或比較例3-1~3-4所得到之底部發射型之電子裝置，藉由實驗例1-5所記載之方法進行評價。將結果示於表3。
從表3可知，於實施例所得到之薄膜狀密封材料，顯示水蒸氣侵入速度非常慢，又，顯示低水蒸氣透過率及高接著力。其結果係藉由於實施例所得到之薄膜狀密封材料所密封之有機EL元件耐久性優異，非發光部分几乎沒有，電子裝置之性能良好。
另一方面，比較例3-1~3-4之薄膜狀密封材料，顯示水蒸氣侵入速度快，於電子裝置評價中，評價低。
〔實施例4-1〕
藉由與實施例1-1同樣之製造方法，製造薄膜狀密封材料、密封片及電子裝置。
〔實施例4-2~4-4〕
除將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料如表4所示地進行變更以外，與實施例4-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例4-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例4-1~4-3〕
除將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料如表4所示地進行變更以外，與實施例4-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用薄膜狀密封材料，與實施例4-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例4-4〕
將構成表4所示之接著性樹脂層之材料，藉由押出機(東洋精機製作公司社製)，進行押出成形，製造由厚度為50μm之接著性樹脂層所成之薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材 料，與實施例4-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
再者，表4所記載之略號等之詳細內容如下所述。
[接著性樹脂層]
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧LinklonXLE815N：矽烷變性直鏈狀低密度聚乙烯(三菱化學公司製，商品名「LinklonXLE815N」)
‧SumikatheneL705：低密度聚乙烯(住友化學公司製，商品名「SumikatheneL705」，軟化點86℃)
[水蒸氣阻障性樹脂層]
‧TOPAS9506F-04：由上述構造式(a)所示之環烯烴聚合物(Polyplastics公司製，商品名「TOPAS9506F-04」，玻璃轉移溫度65℃)
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧氧化鈣：氧化鈣(近江化學工業公司製，商品名「CML#35」，平均粒徑15μm)
‧硫酸鎂：無水硫酸鎂(富田製薬公司製，商品名「無水硫酸鎂」，平均粒徑10μm)
‧硫酸鋁．鉀：硫酸鋁．鉀(大明化學工業公司製，商品名「TaiesuK20」，平均粒徑5μm)
〔實驗例4-1〕(水蒸氣透過率之測定)
測定實施例4-1~4-4或比較例4-1~4-4中得之薄膜狀密 封材料之水蒸氣透過率。具體而言，使用LYSSY公司製之透過率測定機「L80-5000」，於40℃、90%RH之條件進行測定。從測定結果，使用以下之計算式，算出測定試料之厚度為50μm之情形時之水蒸氣透過率。將結果示於表4。
水蒸氣透過率(50μm換算)=水蒸氣透過率(實測值)×(實測膜厚/50)
〔實驗例4-2〕(最大吸濕量之測定)
測定於實施例4-1~4-4或比較例4-1~4-4中所得之薄膜狀密封材料之水蒸氣阻障性樹脂層之最大吸濕量。因為僅含有吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層吸濕，所以藉由測定薄膜狀密封材料，能夠測定水蒸氣阻障性樹脂層之最大吸濕量。具體而言，將裁斷成70mm×70mm之薄膜狀密封材料，於70mm×70mm之玻璃上，用120℃進行熱積層，得到測定用樣品。樣品製作後，於1小時以內測定質量(玻璃與薄膜狀密封材料之合計質量)。測定後，於60℃、90%RH之環境下靜置，使其吸收水分直到沒有質量變化為止，求出水蒸氣吸濕量。從測定結果，使用以下之計算式，算出於具有50μm之厚度之水蒸氣阻障性樹脂層中最大吸濕量(g/m2)。將結果示於表4。
最大吸濕量(50μm換算)={水蒸氣吸濕量(實測值)/(0.07×0.07)}×(50/水蒸氣阻障性樹脂層之厚度)
〔實驗例4-3〕(接著力之測定)
關於實施例4-1~4-4或比較例4-1~4-4中所得之密封片，藉由實驗例1-4所記載之方法，測定接著性樹脂層之接著力(N/25mm)。將結果示於表4。
〔實驗例4-4〕(電子裝置之評價)
關於實施例4-1~4-4或比較例4-1~4-4中所得之底部發射型之電子裝置，藉由實驗例1-5所記載之方法，進行評價。將結果示於表4。
由表4可知，於實施例所得到之薄膜狀密封材料水蒸氣阻障性及接著性優異。又，藉由於實施例所得到之薄膜狀密封材料所密封之有機EL元件，耐久性優異，几乎見不到非發光部分，電子裝置之性能良好。
另一方面，具有以低密度聚乙烯為材料之接著性樹脂層之比較例4-1之薄膜狀密封材料，顯示非常小之接著力，不能密封有機EL元件。因此，不能夠進行電子裝置評價。又，具有以酸變性聚烯烴系樹脂為主要之材料添加了吸濕劑之 水蒸氣阻障性樹脂層之比較例4-2、及未添加吸濕劑之比較例4-4之薄膜狀密封材料，由於水蒸氣阻障性差，藉由該當薄膜狀密封材料所密封之有機EL元件，即使添加吸濕劑耐久性亦低，可以見到很多非發光部分，電子裝置之性能差。具有含有環烯烴系樹脂但是不含有吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層之比較例3之薄膜狀密封材料，雖然能夠得到一定之水蒸氣阻障性及接著性，但是不及實施例4-1~4-4之薄膜狀密封材料之水蒸氣阻障性及接著性。
〔實施例5-1〕
<薄膜狀密封材料之製作>
將構成表5所示之接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料，藉由押出機(東洋精機製作所公司製)進行共押出成形，製造將厚度為5μm之第1接著性樹脂層、厚度為40μm之水蒸氣阻障性樹脂層與厚度為5μm之第2接著性樹脂層，以上述順序積層而所成之薄膜狀密封材料。
<密封片之製作>
將所得到之薄膜狀密封材料與、具有鋁箔之氣體阻障膜(為於厚度為7μm之鋁箔之片面，將厚度為12μm之聚乙烯對苯二甲酸酯片，用氨基甲酸脂系接著劑層進行接著所得之積層薄膜，Ajiyaarumi公司製)之鋁箔面，於120℃一邊加熱一邊貼合，而得到密封片。
<底部發射型電子裝置之製造>
藉由下述之方法，於玻璃基板上將陽極、發光層及陰極，依據該順序進行積層，形成電子元件(有機EL元件)。
首先，於玻璃基板之表面，藉由濺射法形成氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm，薄片電阻：30Ω/□)，接著，藉由進行溶劑洗浄及UV/溴氧處理，製作陽極。
於所得到之陽極(ITO膜)上，將60nm之N，N’-雙(萘-1-基)-N，N’-雙(苯基)-聯苯胺)(Luminescence Technology公司製)、40nm之三(8-羥基-喹啉)鋁(Luminescence Technology公司製)、10nm之2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(Luminescence Technology公司製)、10nm之(8-羥基-喹啉)鋰(Luminescence Technology公司製)，以0.1~0.2nm/s之速度，順次進行蒸著，形成發光層。
於所得到之發光層上，使鋁(Al)(高純度化學研究所公司製)以0.1nm/s之速度，進行100nm蒸著，形成陰極，得到有機EL元件。再者，蒸著時之真空度全部為1×10-4Pa以下。
接著，將上述密封片，於氮氣環境下，使用加熱板於120℃加熱30分鐘，將密封片中所含之水分除去之後，就那樣地放置冷却到室溫。並且，於玻璃基板上以覆蓋所形成之有機EL元件之方式，以薄膜狀密封材料位於有機EL元件側之方式載置密封片，以從密封片之端部到有機EL元件之距離成為5mm之方式進行調整。將這些於100℃一邊加熱一邊貼合，密封有機EL元件，得到底部發射型之電子裝置。
〔實施例5-2及5-3〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料如表5所示地進行變更以外，與實施例5-1同様地進行操製作 造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例5-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
〔比較例5-1及5-2〕
除了將構成接著性樹脂層及水蒸氣阻障性樹脂層之材料如表5所示地進行變更以外，與實施例5-1同様地進行操製作造薄膜狀密封材料。使用該薄膜狀密封材料，與實施例5-1同様地進行操製作作密封片，得到底部發射型之電子裝置。
再者，表5所記載之略號等之詳細內容如下所述。
[接著性樹脂層]
‧Admer SF731：馬來酸酐變性聚乙烯(三井化學公司製，商品名「Admer SF731」，維卡軟化點43℃)
‧Linklon XLE815N：矽烷變性直鏈狀低密度聚乙烯(三菱化學公司製，商品名「Linklon XLE815N」)
[水蒸氣阻障性樹脂層]
‧TOPAS9506F-04：由上述構造式(a)所示之環烯烴聚合物(Polyplastics公司製，商品名「TOPAS9506F-04」，玻璃轉移溫度65℃)
‧氧化鈣：氧化鈣(近江化學工業公司製，商品名「CML#35」，平均粒徑15μm)
‧硫酸鎂：無水硫酸鎂(富田製薬公司製，商品名「無水硫酸鎂」，平均粒徑10μm)
‧硫酸鋁．鉀：硫酸鋁．鉀(大明化學工業公司製，商品名「TaiesuK20」，平均粒徑5μm)
〔實驗例5-1〕(水蒸氣透過率之測定)
藉由實驗例4-1所記載之方法，測定於實施例5-1~5-3或比較例5-1~5-2所得到之薄膜狀密封材料之水蒸氣透過率。將結果示於表5。
〔實驗例5-2〕(最大吸濕量之測定)
藉由實驗例4-2所記載之方法，測定於實施例5-1~5-3或比較例5-1~5-2所得到之薄膜狀密封材料之水蒸氣阻障性樹脂層之最大吸濕量。將結果示於表5。
〔實驗例5-3〕(接著力之測定)
關於於實施例5-1~5-3或比較例5-1~5-2所得到之密封片，藉由實驗例1-4所記載之方法，測定接著性樹脂層之接著力(N/25mm)。將結果示於表5。
〔實驗例5-4〕(全光線透過率之測定)
關於於實施例5-1~5-3或比較例5-1~5-2中所得到之薄膜狀密封材料，使用玻璃板(鈉鈣玻璃，日本板硝子公司製)，以玻璃板/薄膜狀密封材料/玻璃板之順序進行積層，用120℃一邊加熱一邊進行貼合，得到實驗片。關於該實驗片，依據JIS K7361：1997，使用霧度計(日本電色工業公司製，NDH-2000)，測定全光線透過率(%)。將結果示於表5。
〔實驗例5-5〕(霧度值之測定)
關於於實施例5-1~5-3或比較例5-1~5-2中所得之薄膜狀密封材料，與實驗例4同様地製作實驗片。關於該實驗片，依據JIS K7136：2000，使用霧度計(日本電色工業公司製，NDH-2000)，測定霧度值(%)。將結果示於表5。
〔實驗例5-6〕(電子裝置之評價)
關於於實施例5-1~5-3或比較例5-1~5-2所得之底部發射型之電子裝置，藉由實驗例1-5所記載之方法進行評價。將結果示於表5。
由表5可知，於實施例所得到之薄膜狀密封材料，水蒸氣阻障性及接著性優異。進一步，於實施例所得到之薄膜狀密封材料，顯示高全光線透過率及低霧度值，光之透過性優異。又，藉由於實施例所得到之薄膜狀密封材料所密封之有機EL元件，耐久性優異，几乎見不到非發光部分，電子裝置之性能良好。
另一方面，於作為吸濕劑使用了10質量份之氧化鈣之比較例5-1，全光線透過率比實施例還差，又，霧度值成為非常高之值，不能夠得到充分之光透過性。不含吸濕劑之比 較例5-2不顯示吸濕性，於電子裝置評價中結果差。
【產業上之可利用性】
本發明所述之薄膜狀密封材料及密封片可適宜用於例如有機EL模組、電子紙。又，本發明所述之電子裝置例如適宜作為有機EL模組、電子紙。
1B‧‧‧薄膜狀密封材料
11A‧‧‧第1接著性樹脂層
11B‧‧‧第2接著性樹脂層
12‧‧‧水蒸氣阻障性樹脂層

Claims (33)

  1. 一種薄膜狀密封材料，其為含有包含吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層之、由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料，其特徵在於：上述薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性，從上述水蒸氣阻障性樹脂層除去吸濕劑之材料之水蒸氣透過率，當用50μm之厚度進行測定之情形時，為10g/(m2．day)以下，上述薄膜狀密封材料由複數個層所構成之情形時，位於上述薄膜狀密封材料之最外側之、上述水蒸氣阻障性樹脂層以外之層之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時，為30g/(m2．day)以下，上述水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例為薄膜狀密封材料之厚度之50~100%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑之最大吸濕量，於用具有50μm之厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時為1.0g/m2以上。
  3. 一種薄膜狀密封材料，其為含有包含吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層之、由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料，其特徵在於：上述薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示接著性，上述薄膜狀密封材料之最大吸濕量，於用具有50μm厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上，上述吸濕劑之含有量，相對於上述水蒸氣阻障性樹脂層為1~35質量%，上述水蒸氣阻障性樹脂層之厚 度之比例為薄膜狀密封材料之厚度之50~100%。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之薄膜狀密封材料，其中將積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側、對被著體顯示接著性之1個接著性樹脂層，或積層於水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側及另一方之面側、對被著體顯示接著性之2個接著性樹脂層，作為位於上述薄膜狀密封材料之最外側之層而含有。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜狀密封材料，其中上述接著性樹脂層之水蒸氣透過率，於用50μm之厚度進行測定之情形時為30g/(m2．day)以下。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為含有矽氧金屬鍵(metalloxane bond)之化合物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜狀密封材料，其中含有上述矽氧金屬鍵之化合物為，於具有由式[M(OR)n’-O]m(M為金屬元素，R為至少含有氫及碳之化合物，n’為1以上之整數，為從金屬元素之氧化數中减去2所得之值，m表示1以上之整數)所表示之構造之化合物中，於M-O-M之部位為與水反應之化合物。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為金屬氧化物。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為與水分子反應而生成水合物之化合物。
  10. 一種薄膜狀密封材料，其為含有水蒸氣阻障性樹脂層之、由一層或複數個層所構成之薄膜狀密封材料，其特徵在於：上述薄膜狀密封材料之兩面對被著體顯示有接著性，於溫度60℃、相對濕度90%RH之環境下，從上述薄膜狀密封材料之端面之水蒸氣侵入速度為10μm/h以下。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜狀密封材料，其中上述水蒸氣阻障性樹脂層含有吸濕劑。
  12. 如申請專利範圍第10或11項所述之薄膜狀密封材料，其中其進一步含有積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側、對被著體顯示接著性之1個接著性樹脂層，或積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層之一方之面側及另一方之面側、對被著體顯示接著性之2個接著性樹脂層。
  13. 如申請專利範圍第10或11項所述之薄膜狀密封材料，其中上述水蒸氣阻障性樹脂層之厚度之比例為上述薄膜狀密封材料之厚度之50~100%。
  14. 如申請專利範圍第10或11項所述之薄膜狀密封材料，其中上述水蒸氣阻障性樹脂層含有選擇自橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂及環氧系樹脂所組成之組群中之至少1種樹脂。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之薄膜狀密封材料，其中上述接著性樹脂層含有選擇自橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂及環氧系樹脂所組成之組群中之至少1種樹脂。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜狀密封材料，其中上述 吸濕劑之最大吸濕量，於用具有50μm之厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為含有矽氧金屬鍵之化合物。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為金屬氧化物。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為與水分子反應生成水合物之化合物。
  20. 如申請專利範圍第10或11項所述之薄膜狀密封材料，其中將上述薄膜狀密封材料之任意一方之表面，用120℃貼合於玻璃板上之際之接著力，為1N/25mm以上。
  21. 一種薄膜狀密封材料，其特徵在於：其具備對被著體顯示有接著性之第1及第2接著性樹脂層與、位於上述第1接著性樹脂層與上述第2接著性樹脂層之間之、含有環烯烴系樹脂及吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為金屬氧化物。
  23. 如申請專利範圍第21或22項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為與水分子反應生成水合物之化合物。
  24. 一種薄膜狀密封材料，其特徵在於：其具備對被著體顯示接著性之第1及第2接著性樹脂層與、位於上述第1接著性樹脂層與上述第2接著性樹脂層之間之、含有環烯烴系樹脂及吸濕劑之水蒸氣阻障性樹脂層，全光線透過率為80% 以上，霧度值為10%以下。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑為與水分子反應生成水合物之化合物。
  26. 如申請專利範圍第24或25項所述之薄膜狀密封材料，其中上述吸濕劑之含有量，相對於上述水蒸氣阻障性樹脂層，為1~35質量%。
  27. 如申請專利範圍第21、22、24或25項所述之薄膜狀密封材料，其中上述環烯烴系樹脂，為選擇自由下述構造式(a)： (式(a)中，m及n為1以上之整數。R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物、下記構造式(b)： (式(b)中、m及n為1以上之整數。R1及R2表示氫原子或 烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物、下記構造式(c)： (式(c)中、n為1以上之整數，R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所示之環烯烴聚合物、及下記構造式(d)： (式(d)中、m及n為1以上之整數，R1及R2表示氫原子或烷基，可以分别相同，亦可以不同。R1及R2可以為這些結合而形成環。)所成之組群中之至少一種。
  28. 如申請專利範圍第21項、第22項、第24或25項所述之薄膜狀密封材料，其中上述薄膜狀密封材料之最大吸濕量，於用具有50μm之厚度之上述水蒸氣阻障性樹脂層所吸收之水之量來表示之情形時，為1.0g/m2以上。
  29. 如申請專利範圍第21、22、24或25項所述之薄膜狀密封材料，其中將上述薄膜狀密封材料中上述第1接著性樹脂 層或上述第2接著性樹脂層之任意一方之面，用120℃貼合於玻璃板上之際之接著力，為5N/25mm以上。
  30. 如申請專利範圍第21、22、24或25項所述之薄膜狀密封材料，其中上述第1及第2接著性樹脂層，直接積層於上述水蒸氣阻障性樹脂層上，由這些之3層構造所構成。
  31. 一種密封片，其特徵在於：其具備申請專利範圍第1項~第3項、第10項~第11項、第16項~第22項及第24項~第25項中任一項所述之薄膜狀密封材料與、積層於上述薄膜狀密封材料之片面上之氣體阻障膜。
  32. 一種電子裝置，其特徵在於：其由申請專利範圍第1項~第3項、第10項~第11項、第16項~第22項及第24項~第25項中任一項所述之薄膜狀密封材料密封。
  33. 一種電子裝置，其特徵在於：其由申請專利範圍第31項所述之密封片密封。
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