TW201622123A - 半導體裝置及固體攝像裝置 - Google Patents

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河野光貴
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Abstract

實施形態之半導體裝置具備：半導體基板，其具有元件部；絕緣膜，其設於上述半導體基板之主面上；配線，其設於上述絕緣膜上，與上述元件部電性連接；凹凸部，其設於上述半導體基板之上述主面側；及保護膜，其以接觸上述配線及上述凹凸部，且接觸上述絕緣膜之方式設置。

Description

半導體裝置及固體攝像裝置 [相關申請案]
本案享有以日本專利申請2014-249703號(申請日：2014年12月10日)為基礎申請之優先權。本案藉由參照上述基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。
本發明之實施形態係關於一種半導體裝置及固體攝像裝置。
作為WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)類型之半導體裝置之一例，已知有如下固體攝像裝置，該固體攝像裝置含有具有像素部之感測器部、呈環狀形成於上述感測器部上之接著層、及配置於接著層上之玻璃基板。此種WLCSP類型之固體攝像裝置中，於感測器部之下表面側，介隔絕緣膜而形成有與像素部電性連接之配線。又，以接觸包含上述配線在內之絕緣膜之方式形成阻焊劑膜。阻焊劑膜係以覆蓋配線之方式形成，因此能保護配線。
此種先前WLCSP類型之固體攝像裝置中，與對含有金屬之配線之密接強度相比，阻焊劑膜對絕緣膜之密接強度極其微弱。因此，固體攝像裝置之製造步驟中固體攝像裝置受損，且固體攝像裝置製造後固體攝像裝置受到來自外部之損傷，使得絕緣膜產生裂痕、缺陷、龜裂等，由於上述理由而有阻焊劑膜自絕緣膜剝落、固體攝像裝置之可 靠性下降等問題。
本發明之實施形態提供一種能抑制可靠性下降之半導體裝置及固體攝像裝置。
實施形態之半導體裝置具備：半導體基板，其具有元件部；絕緣膜，其設於上述半導體基板之主面上；配線，其設於上述絕緣膜上，與上述元件部電性連接；凹凸部，其設於上述半導體基板之上述主面側；及保護膜，其以接觸上述配線及上述凹凸部，且接觸上述絕緣膜之方式設置。
10‧‧‧固體攝像裝置
11‧‧‧感測器部
12‧‧‧接著層
13‧‧‧透明基板
14‧‧‧半導體基板
15‧‧‧像素部
15a‧‧‧受光部
15b‧‧‧微透鏡
16‧‧‧配線層
17‧‧‧內部配線
18‧‧‧層間絕緣膜
19‧‧‧內部電極
20‧‧‧絕緣膜
21‧‧‧配線
22‧‧‧貫通電極
23‧‧‧絕緣膜
24‧‧‧外部電極
25a‧‧‧虛設配線
25b‧‧‧虛設配線
26‧‧‧保護膜
30‧‧‧固體攝像裝置
30'‧‧‧固體攝像裝置
30"‧‧‧固體攝像裝置
31‧‧‧感測器部
32‧‧‧絕緣膜
33‧‧‧槽
33'‧‧‧槽
33"‧‧‧槽
34‧‧‧保護膜
40‧‧‧固體攝像裝置
41‧‧‧保護膜
42‧‧‧感測器部
L1‧‧‧距離
L2‧‧‧距離
L3‧‧‧距離
L4‧‧‧距離
L5‧‧‧距離
P‧‧‧外周
R‧‧‧配線形成區域
S‧‧‧空間
圖1係第1實施例之固體攝像裝置之一剖視圖。
圖2係將第1實施例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。
圖3係用而言明配線形成區域之定義之圖。
圖4係第2實施例之固體攝像裝置之一剖視圖。
圖5A係將第2實施例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。
圖5B係將第2實施例之第1變化例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。
圖6係第2實施例之第2變化例之固體攝像裝置之一剖視圖。
圖7係第3實施例之固體攝像裝置之一剖視圖。
圖8係將第3實施例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。
以下參照圖式來詳細說明實施例之半導體裝置。於以下之各實施例之說明中，詳細地說明作為半導體裝置之一例之WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)類型之固體攝像裝置。再者，所謂WLCSP類型之固體攝像裝置，係指維持半導體晶圓狀態批次製造複數個固體攝像裝置，最後將半導體晶圓等切斷而形成之固體攝像裝置。以下，將WLCSP類型之固體攝像裝置稱為固體攝像裝置。
<第1實施例>
圖1係表示第1實施例之固體攝像裝置之一剖視圖。又，圖2係將第1實施例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。
圖1及圖2所示之固體攝像裝置10具有感測器部11、設於上述感測器部11上之接著層12、及透明基板13，上述透明基板13經由上述接著層12而設於感測器部11之上方。
感測器部11係藉由於作為半導體基板14之一主面之上表面側，設置作為元件部之像素部15而構成。半導體基板14之像素部15具有複數個受光部15a。半導體基板14係含有例如矽之矽基板，複數個受光部15a分別為例如光電二極體層。複數個受光部15a於半導體基板14之上表面之大致中央部二維排列。
感測器部11中，於半導體基板14之上表面上設有配線層16。配線層16係以如下方式構成之多層配線層：遍及複數層(例如2層)而層疊之複數個內部配線17利用層間絕緣膜18而相互絕緣。於上述配線層16之內部，設有與配線層16之內部配線17電性連接之複數個內部電極19。複數個內部配線17及複數個內部電極19分別含有例如Al、或Cu等金屬材料，層間絕緣膜18含有例如SiO2等。
再者，為了抑制對內部配線17接收入射光之妨礙，配線層16之內部配線17設為並不覆蓋形成於半導體基板14之上表面之受光部15a之正上方。
進而，感測器部11中，於配線層16之上表面上設有與複數個受光部15a一併構成像素部15之複數個微透鏡15b。複數個微透鏡15b設於 複數個受光部15a之上方，呈陣列狀排列。各個微透鏡15b含有例如熱流動性之透明樹脂材料。各個微透鏡15b亦可含有感光性透明樹脂材料。
於以此方式構成之感測器部11之上表面上設有接著層12。接著層12沿著感測器部11之四邊形外周而呈環狀設置。更詳細而言，接著層12於感測器部11之配線層16之上表面上之中，係包含上述上表面之外周之特定區域，以包圍複數個微透鏡15b之方式呈環狀設置。上述接著層12之厚度規定感測器部11之上表面(配線層16之上表面)、與後述透明基板13之下表面之距離。因此，為了使透明基板13不接觸微透鏡15b，接著層12之厚度至少厚於微透鏡15b之高度。此種接著層12含有例如環氧系熱硬化性樹脂。
於感測器部11之上方，經由接著層12而設有透明基板13。感測器部11藉由接著層12而固定於上述透明基板13。透明基板13係被作為使感測器部11之半導體基板14薄型化時之支持基板而使用之基板，含有例如玻璃基板。
由於感測器部11係以上述方式利用接著層12而固定於透明基板13，因此於感測器部11之微透鏡15b與透明基板13之間，設有由接著層12包圍之空間S。
此種固體攝像裝置10之感測器部11中，於作為半導體基板14之另一主面之下表面上(半導體基板14之上表面之相反一側之面即下表面上)，形成有絕緣膜20。絕緣膜20係厚度為例如5μm左右之SiO2膜。
又，感測器部11之半導體基板14之下表面側，於絕緣膜20之下表面上形成有複數個配線21。複數個配線21分別為含有例如Cu等金屬之金屬配線。
再者，複數個配線21分別經由貫通電極22而電性連接於形成於半導體基板14之上表面上之配線層16之內部電極19。即，於內部電極 19下方之半導體基板14及層間絕緣膜18形成有貫通其等之貫通孔，於貫通孔之側壁上設有自半導體基板14之下表面上之絕緣膜20延伸之絕緣膜23。並且，設有絕緣膜23之貫通孔內以填埋貫通孔之方式設有例如Cu等金屬作為貫通電極22。此種貫通電極22於一端部接觸內部電極19，另一端部接觸配線21。如此，複數個配線21之每一個與配線層16之內部電極19藉由貫通電極22而電性連接。因此，複數個配線21經由貫通電極22、內部電極19、及內部配線17，而與作為感測器部11之像素部15之元件部電性連接。
於各個配線21之下表面上，形成有外部電極24。外部電極24含有例如焊料球。
將圖3中以斜線表示之一區域定義為配線形成區域R。配線形成區域R係如下區域，即，設於半導體基板14之下表面側，由穿過複數個配線21之若干邊上之線連結形成之外周P閉合，且內部包含所有之配線21。所有之配線21包含於配線形成區域R內。
再次參照圖1及圖2。於半導體基板14之下表面側，於配線形成區域R之周圍設有構成複數個凹凸部之複數個凸部。複數個凸部含有作為與例如所有配線21實質上絕緣之浮遊配線之虛設配線25a、25b。虛設配線25a、25b分別係含有Cu等金屬之金屬配線，於包圍配線形成區域R之絕緣膜20之下表面上，沿著半導體基板14之下表面之外周而呈環狀設置。於本實施例中，兩根虛設配線25a、25b設置於相互隔開之位置上。外側之虛設配線25a係設於配線形成區域R之周圍之一根環狀配線。又，內側之虛設配線25b含有將一根環分割後之複數個配線。構成內側之虛設配線25b之複數個配線於配線形成區域R與外側之虛設配線25a之間，呈環狀排列。虛設配線25a、25b分別含有例如線寬10μm左右、厚度5μm左右之Cu等金屬配線，且設於如下位置：內側之虛設配線25b與配線形成區域R之距離L1為20μm、外側之虛設 配線25a與後述保護膜26之端面之距離L2為5μm。
再者，於本案中，虛設配線之根數並無限定，且設置之虛設配線可如外側之虛設配線25a般為一根環形狀，亦可如內側之虛設配線25b般為將一根環分割成複數個之形狀。進而，虛設配線25a、25b並非必須為金屬。虛設配線25a、25b較佳含有上述配線25a、25b與保護膜26之密接強度較絕緣膜32與保護膜26之密接強度強之材料。自密接強度之觀點出發，虛設配線25a、25b更佳為金屬。
於設有此種虛設配線25a、25b及複數個配線21之絕緣膜20之下表面上，以接觸複數個配線21及複數個虛設配線25a、25b之各個，且接觸自複數個配線21及複數個虛設配線25a、25b之間露出之絕緣膜20之下表面之方式，形成有保護膜26。保護膜26係用來至少保護配線21之膜，含有例如樹脂製之阻焊劑膜。
再者，為了抑制因施加於固體攝像裝置10之側面之損傷使得保護膜26自絕緣膜20剝落，保護膜26設為上述膜26之端面配置於較半導體基板14之側面略靠內側。雖省略了圖示，但當保護膜26有角之情形時，藉由將此角圓弧化，能夠進一步抑制因施加於側面之壓力導致之剝落。
根據以上說明之本實施例之固體攝像裝置10，於半導體基板14之下表面側，形成有含有虛設配線25a、25b之複數個凸部，且保護膜26設為與上述複數個凸部接觸。如此，藉由保護膜26與凸部之接觸面積部分便能增加保護膜26之接觸面積，從而能夠抑制保護膜26自絕緣膜20剝落。其結果，能夠抑制因保護膜26自絕緣膜20剝落導致之固體攝像裝置10之可靠性下降。
又，藉由使複數個凸部含有作為金屬配線之虛設配線25a、25b，能夠進一步增強複數個凸部對保護膜26之密接強度。因此，能夠更有效地抑制保護膜26自絕緣膜20剝落。
又，於本實施例之固體攝像裝置10中，含有虛設配線25a、25b之複數個凸部係於半導體基板14之下表面側設於配線形成區域R之周圍。通常，考慮到保護膜26自絕緣膜20之外周剝落之情形，藉由將複數個凸部設於配線形成區域R之周圍，能夠更有效地抑制保護膜26自絕緣膜20剝落。
<第2實施例>
圖4係表示第2實施例之固體攝像裝置之一剖視圖。又，圖5A係將第2實施例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。圖4及圖5A所示之固體攝像裝置30與第1實施例之固體攝像裝置10之不同點在於，於半導體基板14之下表面側形成凹部作為凹凸部。以下，於說明第2實施例之固體攝像裝置30時，說明與第1實施例之固體攝像裝置10不同之部分，關於與第1實施例之固體攝像裝置10相同之部分附加相同符號並省略其說明。
如圖4及圖5A所示，於感測器部31之半導體基板14之下表面上，設有厚度為例如5μm左右之SiO2膜即絕緣膜32。並且，於配線形成區域R之周圍之絕緣膜32，設有構成凹凸部之凹部。凹部包圍配線形成區域R，含有沿著半導體基板14之下表面之外周設於絕緣膜32之環狀槽33。半導體基板14之下表面自槽33露出。於本實施例中，設置一根環狀之槽33。槽33具有例如10μm左右之寬度，具有貫通絕緣膜32之程度之深度。此種槽33設於槽33與配線形成區域R之距離L3為20μm、槽33與保護膜34之端面之距離L4為15μm之位置上。
再者，於本案中，槽之根數並無限定，且設置之槽可如圖5A所示般為一根環形狀之槽33，亦可如圖5B所示之固體攝像裝置30"般為將一根環分割成複數個之形狀之槽33"。進而，關於槽之深度亦無限定。可如圖6所示之固體攝像裝置30'般，設置深度為貫通絕緣膜32並到達半導體基板14'之內部之槽33'。
於設有此種槽33(33"、33')及複數個配線21之絕緣膜32之下表面上，以接觸複數個配線21及槽33(33"、33')之內壁面之方式形成有保護膜34。
根據以上所說明之本實施例之固體攝像裝置30(30"、30')，於半導體基板14(14')之下表面側形成有含有槽33(33"、33')之凹部，且保護膜34設為與凹部之內壁面接觸。如此，藉由保護膜34與凹部之接觸面積部分便能增加保護膜34之接觸面積，因此能夠抑制保護膜34自絕緣膜32剝落。其結果，能夠抑制因保護膜34自絕緣膜32剝落導致之固體攝像裝置30(30"、30')之可靠性下降。
又，藉由使凹部含有深度為貫通絕緣膜32並到達半導體基板14'之內部之槽33'，能夠進一步增大保護膜34與凹部之接觸面積。因此，能夠更有效地抑制保護膜34自絕緣膜32剝落。
又，於本實施例之固體攝像裝置30(30"、30')中，含有槽33(33"、33')之凹部係於半導體基板14(14')之下表面側設於配線形成區域R之周圍。因此，根據與第1實施例說明之理由相同之理由，能夠更有效地抑制保護膜34自絕緣膜32剝落。
<第3實施例>
圖7係表示第3實施例之固體攝像裝置之一剖視圖。又，圖8係將第3實施例之固體攝像裝置之下表面之一部分放大表示之俯視圖。與第1實施例之固體攝像裝置10及第2實施例之固體攝像裝置30相比，圖7及圖8所示之固體攝像裝置40於半導體基板14之下表面側並不形成凹凸，保護膜41之形成區域不同。以下，說明第3實施例之固體攝像裝置40時，說明與第1實施例之固體攝像裝置10不同之部分，關於與第1實施例之固體攝像裝置10相同之部分附加相同符號且省略其說明。
如圖7及圖8所示，於上述固體攝像裝置40中，感測器部42之保護膜41形成為實質上僅覆蓋配線形成區域R。即，保護膜41形成為上 述膜41之端面配置於較配線形成區域R以特定量更靠外側。此處所謂特定量係指保護膜41用來適當地保護配線之最低限度必要量，於本實施例中為例如L5=15μm左右。
根據以上說明之本實施例之固體攝像裝置40，能夠抑制施加於固體攝像裝置40之側面之損傷到達保護膜41，因此能夠抑制保護膜41因損傷而剝落。其結果，能夠抑制因保護膜41自絕緣膜20剝落導致之固體攝像裝置40之可靠性下降。
對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為示例而提示者，並不意圖限定發明範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態實施，且於不脫離發明主旨之範圍內能進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變化包含於發明範圍或主旨，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
例如，於上述各實施例中，作為半導體裝置之一例，列舉於元件部設有像素部15之固體攝像裝置10、30、30"、30'、40為例進行說明。然而，本發明亦可適用於在元件部設有例如場效電晶體等半導體元件、或使用有此種半導體元件之電路之半導體裝置。
進而，於上述各實施例中，舉例說明於半導體基板14、14'之一主面側設置作為元件部之像素部15，於半導體基板14、14'之另一主面側設有凹凸部之固體攝像裝置10、30、30"、30'、40。然而，本發明亦可適用於在半導體基板之一主面側設有元件部，於元件部周圍之半導體基板之一主面側設有凹凸部之半導體裝置。
10‧‧‧固體攝像裝置
11‧‧‧感測器部
12‧‧‧接著層
13‧‧‧透明基板
14‧‧‧半導體基板
15‧‧‧像素部
15a‧‧‧受光部
15b‧‧‧微透鏡
16‧‧‧配線層
17‧‧‧內部配線
18‧‧‧層間絕緣膜
19‧‧‧內部電極
20‧‧‧絕緣膜
21‧‧‧配線
22‧‧‧貫通電極
23‧‧‧絕緣膜
24‧‧‧外部電極
25a‧‧‧虛設配線
25b‧‧‧虛設配線
26‧‧‧保護膜
L1‧‧‧距離
L2‧‧‧距離
R‧‧‧配線形成區域
S‧‧‧空間

Claims (14)

  1. 一種半導體裝置，其具備：半導體基板，其具有元件部；絕緣膜，其設於上述半導體基板之主面上；配線，其設於上述絕緣膜上，與上述元件部電性連接；凹凸部，其設於上述半導體基板之上述主面側；及保護膜，其以接觸上述配線及上述凹凸部，且接觸上述絕緣膜之方式設置。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中上述凹凸部係設於上述絕緣膜上之凸部。
  3. 如請求項2之半導體裝置，其中上述凸部係含有金屬配線之虛設配線。
  4. 如請求項3之半導體裝置，其具有複數個上述配線，且具有配線形成區域，其設於上述半導體基板之上述主面側，由將上述複數個配線之若干邊連結形成之外周閉合，且內部包含所有之上述配線，上述虛設配線設於上述配線形成區域之周圍。
  5. 如請求項4之半導體裝置，其中上述虛設配線為沿著上述半導體基板之上述主面之外周之環形狀。
  6. 如請求項4之半導體裝置，其中上述虛設配線為分割之環形狀。
  7. 如請求項1之半導體裝置，其中上述凹凸部含有設於上述絕緣膜之槽。
  8. 如請求項7之半導體裝置，其具有複數個上述配線，且具有配線形成區域，其設於上述半導體基板之上述主面側，由將上述複數個配線之若干邊連結形成之外周閉合，且內 部包含所有之上述配線，上述槽設於上述配線形成區域之周圍。
  9. 如請求項8之半導體裝置，其中上述槽為沿著上述半導體基板之上述主面之外周之環形狀。
  10. 如請求項8之半導體裝置，其中上述槽為分割之環形狀。
  11. 如請求項8之半導體裝置，其中上述槽貫通上述絕緣膜。
  12. 如請求項8之半導體裝置，其中上述槽以貫通上述絕緣膜，到達上述半導體基板之內部之方式設置。
  13. 一種半導體裝置，其具備：半導體基板，其具有元件部；絕緣膜，其設於上述半導體基板之主面上；複數個配線，其設於上述絕緣膜上，分別與上述元件部電性連接；及保護膜，其以僅覆蓋配線形成區域之方式設置，上述配線形成區域係於上述半導體基板之上述主面側，由將上述複數個配線之若干邊上之線連結形成之外周，以內部包含所有之上述配線之方式封閉之一區域。
  14. 一種固體攝像裝置，其具備：半導體基板，其於一主面側具有像素部；絕緣膜，其設於上述半導體基板之另一主面上；配線，其設於上述絕緣膜上，與上述像素部電性連接；凹凸部，其設於上述半導體基板之上述另一主面側；及保護膜，其以接觸上述配線及上述凹凸部，且接觸上述絕緣膜之方式設置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322538B2 (en) 2017-02-22 2022-05-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing imaging device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018046092A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US9996725B2 (en) * 2016-11-03 2018-06-12 Optiz, Inc. Under screen sensor assembly
CN109755262A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 中芯长电半导体（江阴）有限公司 一种封装结构及封装方法
TWI717846B (zh) * 2018-09-25 2021-02-01 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
FR3091787A1 (fr) * 2019-01-14 2020-07-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Capteur d'images à éclairement par la face arrière

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6683329B2 (en) * 2002-02-28 2004-01-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device with slot above guard ring
JP2006140404A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Renesas Technology Corp 半導体装置
KR100922837B1 (ko) * 2007-11-23 2009-10-23 박태석 마이크로 비아 홀 연결에 의한 실리콘 이미지 센서의웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법
KR101581431B1 (ko) * 2009-09-04 2015-12-30 삼성전자주식회사 가드링들을 갖는 반도체 칩들 및 그 제조방법들
US8642446B2 (en) * 2010-09-27 2014-02-04 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming protective structure around semiconductor die for localized planarization of insulating layer
KR101712630B1 (ko) * 2010-12-20 2017-03-07 삼성전자 주식회사 반도체 소자의 형성 방법
TWI505413B (zh) * 2011-07-20 2015-10-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322538B2 (en) 2017-02-22 2022-05-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing imaging device
US11769784B2 (en) 2017-02-22 2023-09-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing imaging device

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