CN109755262A - 一种封装结构及封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种封装结构及封装方法，所述封装结构包括：复合芯片，所述复合芯片包括介质层及结合于介质层第一面的电路层；且介质层还包括与第一面相对的第二面；介质层横向划分为感应区及逻辑区；感应区内包括若干沟槽隔离结构；聚光层位于介质层第二面；聚光层包括像素元件，像素元件的位置对应于感应区；本发明采用晶圆级封装方法，在一次封装过程中得到多个集成有感应区及逻辑区的复合芯片封装结构，具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低的优点，且不需要外部连线，从而有利于提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装领域，涉及一种封装结构及封装方法。
背景技术
CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)中文的全称为互补氧化金属半导体，是用于记录光线变化的元件，是最常用的感光器件之一，CMOS被称之为数码相机的大脑。
数码相机的本质，从专业的角度来看，就是把光能转化为信息储存起来。大致分为以下三个流程：成像→光电转换→记录，即镜头拍摄主体反射的光线通过镜头进入相机后聚焦，形成清晰图像，图像落在CMOS光电器材上，通过光电转换形成电信号，然后把信号记录在磁带或储存卡上。而光电转换的核心部件是传感器，传感器的作用就是把传到它身上的不同强度的光线进行光电转换，转换成电压信息最终生成我们想要的数字图片。
CMOS图像传感器(CMOS image sensor)分正面照明类型和背面照明类型两种。背面照明类型最大的优化之处在于将元件内部的结构改变了，其将感光层的元件调转方向，让光能从背面直射进去，避免了传统CMOS图像传感器结构中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响，从而显著提高光的效能，大大改善低光照条件下的拍摄效果。
因此，CMOS图像传感器芯片，通常需要搭配逻辑芯片集成使用，现有的制作方法是将单独封装好的CMOS图像传感器芯片通过外部连线与逻辑芯片进行电连接。这种封装方法使得器件的体积较大，组装工艺过程较为复杂，单独封装费用高，且需要外部连线使得结构的稳定性大大降低，严重影响最终器件结构的成品率。
基于以上所述，提供一种可以有效集成CMOS图像传感器芯片感应区及逻辑芯片逻辑区，并有效降低封装结构体积、简化封装工艺、降低成本以及提高器件稳定性，且具有高成品率的封装结构及封装方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种封装结构及封装方法，用于解决现有技术中CMOS图像传感器芯片及逻辑芯片的封装体积较大，器件稳定性低以及产品良率较低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种封装结构，所述封装结构包括：
复合芯片，所述复合芯片包括介质层及结合于所述介质层第一面的电路层；且所述介质层还包括与所述第一面相对的第二面；所述介质层横向划分为感应区及逻辑区；所述感应区内包括若干沟槽隔离结构；
聚光层，所述聚光层位于所述介质层第二面；所述聚光层包括像素元件，所述像素元件的位置对应于所述感应区。
优选地，所述复合芯片包括多个所述感应区及所述逻辑区。
优选地，所述像素元件与所述介质层第二面之间还包括吸收层、抗反射层中的一种或组合。
优选地，所述聚光层自上而下还包括透光层及连接层。
优选地，所述连接层包裹所述像素元件上表面及侧边。
优选地，所述连接层连接所述透光层及所述介质层第二面并形成腔室，所述像素元件位于所述腔室中。
优选地，所述像素元件包括微透镜层及滤光层。
优选地，所述封装结构还包括重新布线层，所述重新布线层包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述重新布线层包括外延层以及金属布线层。
优选地，所述电路层与所述重新布线层第二表面的所述金属布线层电连接。
优选地，所述封装结构还包括金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一表面上。
本发明还提供一种封装方法，所述封装方法包括：
提供晶圆级复合芯片；所述晶圆级复合芯片包括介质层及结合于所述介质层第一面的电路层，且所述介质层还包括与所述第一面相对的第二面；所述介质层横向划分为感应区及逻辑区；
于所述感应区内形成若干沟槽隔离结构；
于所述介质层第二面形成聚光层，所述聚光层包括像素元件，所述像素元件的位置对应于所述感应区；
切割所述晶圆级复合芯片，得到多个复合芯片封装结构。
优选地，还包括在所述感应区内形成光电转换结构，所述光电转换结构包括光电二极管。
优选地，还包括在所述像素元件与所述介质层第二面之间形成吸收层、抗反射层中的一种或组合。
优选地，所述聚光层自上而下还包括透光层及连接层。
优选地，采用粘合法形成所述连接层，所述连接层包裹所述像素元件上表面及侧边。
优选地，采用焊接掩膜法形成所述连接层，所述连接层连接所述透光层及所述介质层并形成腔室，所述像素元件位于所述腔室中。
如上所述，本发明的封装结构及封装方法，具有以下有益效果：本发明采用晶圆级封装方法，可以在一次封装过程中得到多个集成具有感应区及逻辑区的复合芯片封装结构；采用重新布线层实现复合芯片与金属凸块的电连接；该封装结构具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低的优点；且不需要外部连线，从而有利于提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
附图说明
图1～图6显示为本发明中的封装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中：
图1显示为晶圆级复合芯片固定于晶圆级支撑衬底上方的结构示意图。
图2显示为于感应区内形成若干沟槽隔离结构的结构示意图。
图3a显示为采用粘合法形成连接层后的聚光层的结构示意图。
图3b显示为采用焊接掩膜法形成连接层后的聚光层的结构示意图。
图4显示为去除晶圆级支撑衬底的结构示意图。
图5显示为晶圆级复合芯片固定于重新布线层的结构示意图。
图6显示为形成金属凸块的结构示意图。
元件标号说明
100 晶圆级支撑衬底
200 晶圆级复合芯片
201 电路层
202 介质层
203 沟槽隔离结构
300 抗反射层
400 聚光层
401 滤光层
402 微透镜层
403 连接层
404 透光层
500 重新布线层
501 外延层
502 金属布线层
600 金属凸块
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
如图1～图6所示，本实施例提供一种封装方法，所述封装方法包括以下步骤：
首先进行步骤1)，提供晶圆级复合芯片200；所述晶圆级复合芯片200包括介质层202及结合于所述介质层202第一面的电路层201，且所述介质层202还包括与所述第一面相对的第二面；所述介质层202横向划分为感应区及逻辑区。作为示例，所述介质层202的材料包括硅、氧化硅、氮化硅中的一种。由于当材料的折射率越高，使入射光发生折射的能力越强，光由相对光密介质射向相对光疏介质，且入射角大于临界角，即可发生全反射现象，因此，本实施例中所述介质层202的材料优选为价格低廉且具有折射率较高的硅(约为3.42)以作为光密介质。
作为示例，提供晶圆级支撑衬底100，所述晶圆级支撑衬底100包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。需要说明的是，也可以以所述电路层201直接作为衬底使用，从而简化工艺步骤。本实施例中，提供所述晶圆级支撑衬底100，以防后续工艺对所述电路层201中电路的损伤，所述晶圆级支撑衬底100对所述电路层201起到保护作用。
进行步骤2)，如图1所示，将所述晶圆级复合芯片200固定于所述晶圆级支撑衬底100上方。
作为示例，所述晶圆级支撑衬底100上方具有分离层，所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种，所述分离层采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。本实施例中采用聚合物层作为分离层，所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述晶圆级支撑衬底表面，然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。所述分离层可使得后续去除所述晶圆级支撑衬底100的工艺步骤简单化，减少对元件的损伤。
进行步骤3)，如图2所示，在所述感应区内形成若干沟槽隔离结构203。
作为示例，还包括在所述感应区内形成光电转换结构，所述光电转换结构包括光电二极管。形成所述光电转换结构的方法可以按照现有技术进行。
作为示例，形成所述沟槽隔离结构203的步骤包括：
3-1)减薄步骤2)中所述介质层202第二面，所述减薄方法包括机械研磨及蚀刻。
3-2)形成沟槽：在所述介质层202第二面上沉积掩膜层(未图示)，沉积所述掩膜层的方法包括化学气相沉积或物理气相沉积，在本实施例中，优选采用化学气相沉积。在所述掩膜层上涂布光刻胶(未图示)并对其曝光、显影，而后对未覆盖光刻胶的部分掩膜层进行蚀刻，在所述感应区上形成掩膜窗口，最后去胶。由于光刻、蚀刻工艺为本领域技术人员所熟知的内容，在此不再赘述。所述掩膜层为氮化硅或者氧化硅，在本实施例中，所述掩膜层优选为氮化硅。通过所述掩膜窗口对位于所述感应区的所述介质层202进行蚀刻，以在所述感应区中形成若干规则排列且相互平行的沟槽。所述蚀刻工艺为干法蚀刻，其中，所述干法蚀刻包括等离子体蚀刻或反应离子蚀刻，在本实施例中，蚀刻所述感应区采用反应离子蚀刻。
3-3)填充沟槽：采用物理气相沉积、化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层淀积或电镀工艺于所述沟槽内填充折射层材料，所述折射层材料包括氧化硅。本实施例中，由于氧化硅折射率(约为1.55)低于所述介质层202的折射率，因此，优选氧化硅作为折射层的材料，提供光疏介质。
3-4)形成所述沟槽隔离结构203，去除所述沟槽外多余的所述折射层材料，其方法包括机械研磨。
进行步骤4)，形成聚光层400，所述聚光层400包括像素元件，所述像素元件的位置对应于所述感应区。
作为示例，所述像素元件包括滤光层401及微透镜层402。本实施例中，所述滤光层401包括红、绿、蓝滤光片(未图示)，每个所述滤光片只允许特定颜色的入射光通过，该步骤可以按照现有技术进行。每个所述滤光片上具有微透镜，多个所述微透镜构成所述微透镜层402。
作为示例，所述微透镜层402可以是氧化物或有机材料，使用曝光和显影工艺对所述微透镜层402进行图形化；之后，使用回流工艺对图形化后的所述微透镜层402进行处理，以得到表面为凸面的微透镜，所述微透镜起到聚光作用，通过控制回流工艺中的温度能够实现控制凸面曲率半径，以获得较佳的聚光效果。
作为示例，在形成所述像素元件之前还包括在所述介质层202第二面上预先形成吸收层、抗反射层中的一种或组合的步骤。图3a～3b显示为所述像素元件与所述介质层202第二面之间形成有抗反射层300的情形，且所述抗反射层300同时覆盖所述感应区及逻辑区。然而在其它实施例中，所述抗反射层300也可仅覆盖所述感应区处的所述介质层202第二面。本领域技术人员可根据具体需求制备，其制备方法可以按照现有技术进行，此处不再赘述。
作为示例，所述聚光层400自上而下还包括透光层404及连接层403。
具体的，本实施例中形成所述聚光层400的步骤包括：
4-1)在所述介质层202第二面形成所述像素元件。
4-2)采用粘合法形成所述连接层403，所述连接层403包裹所述像素元件上表面及侧边，如图3a所示。
4-3)在所述连接层403上方形成透光层404。
如图3b所示，在另一实施例中，也可采用焊接掩膜法形成所述连接层403，所述连接层403连接所述透光层404及所述介质层202并形成腔室405，所述像素元件位于所述腔室405中。
作为示例，所述连接层优选为透明粘合剂，所述透光层优选为玻璃层。所述玻璃层、透明粘合剂及所述腔室有利于光线穿所述透光层，被所述所述微透镜层402所接收，以减少光的损失，提高光的效能。所述粘合法及焊接掩膜法均为本领域技术人员所熟知，此处不再赘述。
进行步骤5)，如图4所示，去除所述晶圆级支撑衬底100。
作为示例，去除所述晶圆级支撑衬底100的方法包括机械研磨法及剥离法。本实施例采用剥离法，工艺步骤简单化，可以减少对元件的损伤。
进行步骤6)，提供重新布线层500，所述重新布线层500包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层500包括外延层501以及金属布线层502。
作为示例，步骤6)中制作所述重新布线层500包括步骤：
6-1)，采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于衬底表面形成外延层501，并对所述外延层501进行刻蚀形成图形化的所述外延层501。
作为示例，所述外延层501的材料包括环氧树脂、硅胶、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述外延层501选用为氧化硅。
6-2)，采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化外延层501表面形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层502。
作为示例，所述金属布线层502的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述金属布线层502的材料选用为铜。
作为示例，所述重新布线层500包括N层金属布线层502，N≥1。依据连线需求，通过对各外延层501进行图形化或者制作通孔实现各层金属布线层502之间的互连，以实现不同功能的连线需求。
进行步骤7)，如图5所示，将所述晶圆级复合芯片200固定于所述重新布线层500第二表面上，实现所述晶圆级复合芯片200中的所述电路层201与所述重新布线层500中的所述金属布线层502的电连接。
作为示例，所述电路层201与所述重新布线层500第二表面之间具有间隙，所述间隙中形成有保护层。形成所述保护层的方法可以是采用包括点胶或者模压的方式填充所述间隙。所述保护层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。所述保护层可有效保护所述晶圆级复合芯片200，例如，可以防止水汽等进入晶圆级复合芯片200，同时，可以作为如撞击等的缓冲结构。
作为示例，所述重新布线层500，也可由直接翻转所述晶圆级复合芯片200，在所述电路层201表面直接制备所述重新布线层500，以减少固定所述晶圆级复合芯片200与所述重新布线层500的步骤，但该方法工艺复杂，不便于操作。
进行步骤8)，如图6所示，于所述重新布线层500第一表面的金属布线层502上形成金属凸块600。
作为示例，所述金属凸块600包括焊料凸点；或者所述金属凸块600包括金属柱以及位于金属柱上方的焊料凸点。所述金属柱的材料包括铜、镍中的一种，所述焊料凸点的材料包括铜、镍、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。
作为示例，所述金属凸块600的制作方法包括步骤：
8-1)采用电镀法于所述金属布线层501表面形成所述焊料凸点或形成金属柱及焊料凸点；
8-2)采用高温回流工艺形成所述金属凸块600。
接着进行步骤9)，切割所述步骤8)中产生的晶圆级复合芯片200，得到多个同时集成具有所述感应区及所述逻辑区的复合芯片封装结构。所述切割的具体方法为本领域技术人员所熟知，此处不再赘述。
本发明提供的封装方法，可以一次性制备多个同时集成有感应区及逻辑区的复合芯片；采用重新布线层实现复合芯片与金属凸块的电连接；具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低的优点，且不需要外部连线。从而有利于提高封装结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
实施例二
本实施例还提供一种封装结构，如图6所示，所述封装结构包括：
复合芯片200，所述复合芯片200包括介质层202及结合于所述介质层202第一面的电路层201；且所述介质层202还包括与所述第一面相对的第二面；所述介质层202横向划分为感应区及逻辑区；所述感应区内包括若干沟槽隔离结构203；
聚光层400，所述聚光层400位于所述介质层202第二面；所述聚光层400包括像素元件，所述像素元件位置对应于所述感应区。
作为示例，所述复合芯片包括多个所述感应区及所述逻辑区。
作为示例，所述介质层202的材料包括硅、氧化硅、氮化硅中的一种。由于当材料的折射率越高，使入射光发生折射的能力越强，光由相对光密介质射向相对光疏介质，且入射角大于临界角，即可发生全反射现象，因此，本实施例中所述介质层200的材料优选为价格低廉且具有折射率较高的硅(约为3.42)以作为光密介质。
作为示例，在所述感应区内具有光电转换结构，所述光电转换结构包括光电二极管。
作为示例，所述像素元件包括微透镜层402及滤光层401。本实施例中，所述滤光层401包括红、绿、蓝滤光片(未图示)，每个所述滤光片只允许特定颜色的入射光通过，每个所述滤光片上具有微透镜，多个所述微透镜构成所述微透镜层402。
作为示例，所述微透镜层402可以是氧化物或有机材料，使用曝光和显影工艺对所述微透镜层402进行图形化；之后，使用回流工艺对图形化后的所述微透镜层402进行处理，以得到表面为凸面的微透镜，所述微透镜起到聚光作用，通过控制回流工艺中的温度能够实现控制凸面曲率半径，以获得较佳的聚光效果。
作为示例，所述像素元件与所述介质层202第二面之间还包括吸收层、抗反射层中的一种或组合。本实施例中在所述像素元件与所述介质层202第二面之间形成有抗反射层300，且所述抗反射层300同时覆盖所述感应区及逻辑区。然而在其它实施例中，所述抗反射层300也可仅覆盖所述感应区处的所述介质层202第二面。本领域技术人员可根据具体需求制备。
作为示例，所述聚光层400自上而下还包括透光层404及连接层403。
作为示例，如图3a所示，所述连接层403包裹所述像素元件上表面及侧边。
作为示例，如图3b所示，所述连接层403连接所述透光层404及所述介质层并形成腔室405，所述像素元件位于所述腔室405中。
作为示例，所述连接层优选为透明粘合剂，所述透光层优选为玻璃层。所述玻璃层、透明粘合剂及所述悬空空间有利于光线穿所述透光层，被所述所述微透镜层402所接收，以减少光的损失，提高光的效能。所述粘合法及焊接掩膜法为本领域技术人员所熟知，此处不再赘述。
作为示例，所述封装结构还包括重新布线层500，所述重新布线层500包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述重新布线层500包括外延层501以及金属布线层502。
作为示例，所述外延层501的材料包括环氧树脂、硅胶、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述外延层501选用为氧化硅。
作为示例，所述金属布线层502的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。在本实施例中，所述金属布线层502的材料选用为铜。
作为示例，所述重新布线层500包括N层金属布线层502，N≥1。依据连线需求，通过对各外延层501进行图形化或者制作通孔实现各层金属布线层502之间的互连，以实现不同功能的连线需求。
作为示例，所述电路层201与所述重新布线层500第二表面的所述金属布线层502电连接。
作为示例，所述电路层201与所述重新布线层500第二表面之间具有间隙，所述间隙中具有保护层，所述保护层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。所述保护层可有效保护所述晶圆级复合芯片200，例如，可以防止水汽等进入晶圆级复合芯片200，同时，可以作为如撞击等的缓冲结构。
作为示例，所述封装结构还包括金属凸块600，所述金属凸块600形成于所述重新布线层500第一表面上。
作为示例，所述金属凸块600包括焊料凸点；或者所述金属凸块600包括金属柱以及位于金属柱上方的焊料凸点。所述金属柱的材料包括铜、镍中的一种，所述焊料凸点的材料包括铜、镍、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。
本发明的封装结构中同时集成有感应区以及逻辑区，具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低的优点，且不需要外部连线，从而有利于提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
综上所述，本发明的封装结构及封装方法具有以下有益效果：本发明采用晶圆级封装方法，在一次封装过程中得到多个集成有感应区及逻辑区的复合芯片封装结构，具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低的优点，且不需要外部连线，从而有利于提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (16)
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
复合芯片，所述复合芯片包括介质层及结合于所述介质层第一面的电路层；且所述介质层还包括与所述第一面相对的第二面；所述介质层横向划分为感应区及逻辑区；所述感应区内包括若干沟槽隔离结构；
聚光层，所述聚光层位于所述介质层第二面；所述聚光层包括像素元件，所述像素元件的位置对应于所述感应区。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述复合芯片包括多个所述感应区及所述逻辑区。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述像素元件与所述介质层第二面之间还包括吸收层、抗反射层中的一种或组合。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述聚光层自上而下还包括透光层及连接层。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述连接层包裹所述像素元件上表面及侧边。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述连接层连接所述透光层及所述介质层并形成腔室，所述像素元件位于所述腔室中。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述像素元件包括微透镜层及滤光层。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括重新布线层，所述重新布线层包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述重新布线层包括外延层以及金属布线层。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于：所述电路层与所述重新布线层第二表面的所述金属布线层电连接。
10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一表面上。
11.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
提供晶圆级复合芯片；所述晶圆级复合芯片包括介质层及结合于所述介质层第一面的电路层，且所述介质层还包括与所述第一面相对的第二面；所述介质层横向划分为感应区及逻辑区；
于所述感应区内形成若干沟槽隔离结构；
于所述介质层第二面形成聚光层，所述聚光层包括像素元件，所述像素元件的位置对应于所述感应区；
切割所述晶圆级复合芯片，得到多个复合芯片封装结构。
12.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于：还包括在所述感应区内形成光电转换结构，所述光电转换结构包括光电二极管。
13.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于：还包括在所述像素元件与所述介质层第二面之间形成吸收层、抗反射层中的一种或组合。
14.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于：所述聚光层自上而下还包括透光层及连接层。
15.根据权利要求14所述的封装方法，其特征在于：采用粘合法形成所述连接层，所述连接层包裹所述像素元件上表面及侧边。
16.根据权利要求14所述的封装方法，其特征在于：采用焊接掩膜法形成所述连接层，所述连接层连接所述透光层及所述介质层第二面并形成腔室，所述像素元件位于所述腔室中。
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