TW201620947A - 有機發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之鏈組成。

Description

有機發光裝置
日益關注將含活性有機材料之電子裝置用於諸如有機發光二極體(OLED)、有機光響應裝置(特定言之係有機光伏打裝置及有機光感測器)、有機電晶體及記憶體陣列裝置之裝置中。含有活性有機材料之裝置具有(例如)低重量、低功率消耗及可撓性之效益。另外，使用可溶性有機材料允許在裝置製造中使用溶液處理法(例如噴墨印刷或旋塗)。
OLED可包括載有陽極、陰極及在該陽極與該陰極之間之一或多個有機發光層之基板。
在該裝置之操作中，電洞係經由該陽極注入該裝置中及電子係經由該陰極注入。發光材料之最高佔用分子軌域(HOMO)中之電洞及最低未佔用分子軌域(LUMO)中之電子組合形成作為光釋放其能量的激子。
適宜之發光材料包括小分子、聚合及樹枝狀材料。適宜發光聚合物包括諸如聚(伸芳基伸乙烯基)之聚(對伸苯基伸乙烯基)及諸如聚茀之聚伸芳基。
發光層可包括半導體主體材料及發光摻雜劑，其中能量係自該主體材料傳輸至該發光摻雜劑。例如，J.Appl.Phys.65,3610,1989揭示一種摻雜螢光發射摻雜劑(亦即，經由單重態激子之衰變而發射光之發光材料)之主體材料。
亦知磷光摻雜劑(亦即，經由三重態激子之衰變而發射光之發光材料)。
US 2011/0198573描述一種具有可交聯基團之電洞傳輸聚合物。
JP 2007/204721描述一種藉由使有機聚合物材料與多孔顆粒接觸以將該有機聚合物材料分級之方法。
本發明之目標係提供一種具有改良性質(例如改良之裝置壽命)之OLED裝置。
本發明之第一態樣提供一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，之不超過5%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之鏈組成。
本發明之第二態樣提供一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，藉由凝膠滲透層析法測定，不超過10%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之鏈組成。
於本發明之第三態樣中提供一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中不超過5%之聚合物重量係由具有少於約100之p/r比率之聚合物鏈組成，其中p/r為絕對聚合物鏈重量/平均重複單元重量。
本發明之第四態樣提供一種製備根據本發明之第一或第二或第三態樣之OLED之方法，其包括以下步驟：(i)形成包括電洞傳輸聚合物之電洞傳輸層；及(ii)於該電洞傳輸層之上形成發光層，其中藉由沉積包括該層之材料及至少一種溶劑之調配物並蒸發該至少一種溶劑來形成該發光層。
於本發明之第五態樣中提供一種形成分級電洞傳輸聚合物之方法，其包括自電洞傳輸層分離低分子量部份之步驟。
第五態樣之該分級電洞傳輸聚合物可如本發明之第一、第二及第三態樣之任一態樣中所述。
如本文中所使用，「分子量」係以道爾頓計之重量。
如本文中所使用，「絕對聚合物鏈分子量」係如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定之聚合物鏈之絕對分子量。
如本文中所使用，「平均重複單元分子量」係聚合物之重複單元之以道爾頓計的平均分子質量，其係由用於形成該聚合物之單體之重量及(在包括兩種或更多種具有不同重量之重複單元之聚合物之情形下)單體之比例確定。
如本文所述之聚合物重量對應給定分子量範圍之百分比係該聚合物重量分佈對應該分子量範圍之標準化累積高度。
100‧‧‧OLED
101‧‧‧陽極
103‧‧‧電洞傳輸層
105‧‧‧發光層
107‧‧‧陰極
109‧‧‧基板
現將參照圖式更詳細地論述本發明，其中：圖1示意性地說明根據本發明之一實施例之OLED；圖2說明如比較實例中所描述之電洞傳輸聚合物之聚苯乙烯當量分子量分佈圖(藉由凝膠滲透層析法測定)及對應此分佈之累積高度；圖3說明如實例1中所描述之電洞傳輸聚合物之聚苯乙烯當量分子量分佈圖(藉由凝膠滲透層析法測定)及對應此分佈之累積高度；圖4說明如比較實例中所描述之電洞傳輸聚合物之絕對分子量分佈圖(藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定)及對應此分佈之累積高度；圖5說明如實例1中所描述之電洞傳輸聚合物之絕對分子量分佈圖(藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定)及對應此分佈之累積高度；及圖6說明比較含有形成自比較實例聚合物之電洞傳輸層之比較裝置1及含有形成自實例1之聚合物之電洞傳輸層的裝置實例1之標準化 亮度相對時間圖。
參照圖1，根據本發明之一實施例之OLED 100具有陽極101、陰極107、位於該陽極與該陰極之間之發光層105、及於陽極101及發光層105之間之電洞傳輸層103。該裝置係負載於基板109上，其可為玻璃或塑膠基板。
可在該陽極與該陰極之間提供一或多個其他層，例如電洞注入層、電子阻擋層、電子傳輸層或電子阻擋層。於一較佳實施例中，於該陽極及該電洞傳輸層間提供電洞注入層。若存在，該電洞注入層較佳係與該電洞傳輸層相鄰。較佳地，該電洞傳輸層係與該發光層相鄰。
發光層105可含有一種或多種螢光發射材料、一種或多種磷光發射材料或至少一種螢光發射材料及至少一種磷光發射材料之組合。
該OLED可含有多於一個發光層，例如複數個一起產生白光之發光層。
示例性OLED分層結構包括以下：陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極
陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極
陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極。
本發明之第一態樣提供一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之鏈組成。
於本發明之第一態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過1%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之聚合物鏈組成。最佳 地，該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，少於0.5%或少於0.2%或少於0.1%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之聚合物鏈組成。
於本發明之第一態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過10%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之聚合物鏈組成。較佳地，該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過5%、4%、3%、2%或1%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之聚合物鏈組成。
本發明之第二態樣提供一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過10%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之聚合物鏈組成。
於本發明之第二態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之聚合物鏈組成。較佳地，該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過4%、3%、2%或1%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之聚合物鏈組成。
於本發明之第一及第二態樣之一較佳實施例中，藉由凝膠滲透層析法測定，超過20%、視需要超過25%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有至少300,000之分子量之聚合物鏈組成。
於本發明之第三態樣中提供一種包括電洞傳輸層及發光層之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚合物重量係由具有少於約50之p/r比率之聚合物鏈組成，其中p/r為絕對聚合物鏈分子量/平均重複單 元分子量。
於第三態樣之一較佳實施例中，如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，少於4%、少於3%、少於2%、或少於1%之聚合物重量係由具有少於約50之p/r比率之聚合物鏈組成。
於第三態樣之一較佳實施例中，如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，少於10%、少於5%、少於4%、少於3%、少於2%、或少於1%之聚合物重量係由具有少於約100(較佳係少於約150)之p/r比率之聚合物鏈組成。
於第三態樣之一較佳實施例中，如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，大於20%、視需要之大於25%之聚合物重量係由具有大於約500之p/r比率之聚合物鏈組成。
於本發明之第一、第二或第三態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層包括具有少於4(較佳少於3或2、最佳約1.5)之多分散性指數之電洞傳輸聚合物。
如本文中所使用「多分散性指數」係指如藉由凝膠滲透層析法測定之聚苯乙烯當量分散性指數。
於本發明之第一、第二或第三態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層包括具有於5x104、視需要1×105上至5×105之範圍內，及較佳係於2×105至5×105之範圍內之數量平均分子量(Mn)的電洞傳輸聚合物。
如本文中所使用之「數量平均分子量」係指如藉由凝膠滲透層析法測定之聚苯乙烯當量數量平均分子量。
於本發明之第一、第二或第三態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層包括具有於70,000或1×105上至1×106之範圍內，及較佳係於2×105至5×105之範圍內之聚苯乙烯當量重量平均分子量(藉由凝膠滲透層析法測定)的電洞傳輸聚合物。
該電洞傳輸層可基本上由該電洞傳輸聚合物組成或其可包含一或多種與該電洞傳輸聚合物混合之其他材料，例如一或多種發光材料。
本發明之第四態樣提供一種製備根據本發明之第一、第二或第三態樣之OLED之方法，其包括以下步驟：(i)形成包括電洞傳輸聚合物之電洞傳輸層；及(ii)於該電洞傳輸層之上形成發光層，其中藉由沉積包含該層之材料及至少一種溶劑之調配物並蒸發該至少一種溶劑來形成該發光層。
於本發明之第四態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層係藉由沉積包含該層之材料及至少一種溶劑之調配物並蒸發該至少一種溶劑來形成。該電洞傳輸聚合物可溶於在步驟(ii)中用來形成該發光層之一種或多種溶劑中。可用於形成該電洞傳輸層及/或該發光層之示例性溶劑(單獨或組合地)包括經取代之苯，例如經一個或多個C1-10烷基或C1-10烷氧基基團取代之苯(諸如甲苯、二甲苯或苯甲醚及其混合物)；經一個或多個氯基團取代之苯；及四氫呋喃。
於本發明之第四態樣之一較佳實施例中，該電洞傳輸層係於形成該發光層之前交聯。較佳地，該電洞傳輸聚合物係藉由熱處理或照射而交聯。較佳地，該電洞傳輸聚合物係藉由熱處理交聯。熱交聯可係於約80至250℃，視需要約80至200℃或約130至200℃之範圍內之溫度下。
該電洞傳輸聚合物較佳包括一種或多種經可交聯基團取代之重複單元。較佳地，該聚合物之至少1莫耳%之重複單元包括可交聯基團。更佳地，至少2、3、4、5、6、7、8或9莫耳%之重複單元包括可交聯基團。最佳地，至少10莫耳%之重複單元包括可交聯基團。較佳地，不超過25莫耳%或不超過20莫耳%之重複單元包括可交聯基團。
可交聯基團係可於將聚合物沉積後交聯以在形成後續層之前形成交聯層之基團。例如，該電洞傳輸聚合物可於沉積後交聯以在形成通常為發光層之後續層之前形成交聯電洞傳輸層。交聯可降低該聚合物在溶劑中之溶解度。可交聯基團可作為該聚合物之任何重複單元之取代基提供。除了作為重複單元之取代基提供之可交聯基團或作為其替代，該聚合物之端基可經可交聯基團取代。可交聯基團可選自：-式(III)之芳基環丁烯：
其中Sp為間隔基，Ar為可係未經取代或經一個或多個取代基取代之芳基或雜芳基基團；n=0或1，R在每次出現時係獨立地選自H或取代基，及*係式(III)之基團與聚合重複單元或端基之附接點。
或者-式(IV)之基團：
其中Sp為間隔基，n=0或1，R在每次出現時係獨立地選自H或取代基，及*係式(IV)之基團與聚合重複單元或端基之附接點。
較佳地，各R係選自H及C1-20烴基。示例性烴基基團係C1-10烷基；苯基；及經一個或多個C1-10烷基基團取代之苯基。
較佳地，式(IV)之R基團為H。
較佳地，式(III)之R基團為H或C1-10烷基。
較佳地，式(III)之Ar為可係未經取代或經取代之苯(例如經一個或多個C1-10烷基基團取代)。
式(III)或(IV)之Sp(若存在)可為C1-20烷基基團，其中一個或多個非相鄰C原子係經視需要取代之芳基或雜芳基、O、S、C=O或-COO-置換，且一個或多個H原子可經F置換。示例性間隔基為烷基、烷氧基、苯基烷基。
第一、第二或第三態樣之電洞傳輸聚合物可為於共軛在一起之聚合物主鏈中包括重複單元之共軛聚合物，或可為非共軛聚合物。
較佳地，該電洞傳輸聚合物為共軛聚合物。較佳地，該共軛聚合物包括含有與相鄰重複單元之伸芳基共軛之伸芳基的重複單元。
示例性電洞傳輸聚合物包括式(V)之基團：
其中Ar8及Ar9在每次出現時係獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g係大於或等於1(較佳係1或2)，R13係H、取代基或與聚合物主鏈連接之鍵，且c及d各獨立地係1、2或3。
R13(當g>1時，其在每次出現時可係相同或不同)較佳係取代基，且更佳係選自由烷基(例如C1-20烷基)、Ar10或Ar10基團之分支鏈或直鏈(其中Ar10在每次出現時獨立地係視需要經取代之芳基或雜芳基)組成之群。示例性基團R13係C1-20烷基、苯基、及經一個或多個C1-20烷基基團取代之苯基。
式(V)之重複單元中直接鍵結至N原子的Ar8、Ar9及Ar10(若存在)中之任一者可經由直接鍵或二價鍵聯原子或基團鍵聯至直接鍵結至相同N原子的Ar8、Ar9、Ar10中之另一者。較佳二價鍵聯原子及基團包 括O、S；經取代之N；及經取代之C。
Ar8、Ar9及Ar10(若存在)中之任一者可經一或多個取代基取代。 示例性取代基為取代基R14，其中各R14可獨立選自由經取代或未經取代之烷基(視需要為C1-20烷基)組成之群，其中一或多個非相鄰C原子可經視需要經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子可經F置換。
若存在，經取代之N或經取代之C可係經一個烴基(在經取代之N的情況下)或兩個烴基(在經取代之C的情況下)(例如C1-10烷基、未經取代之苯基或經一或多個C1-10烷基取代之苯基)取代之N或C。
可於共軛聚合物之主鏈中提供式(V)之基團，在該情形下，其可為式(Va)之重複單元：
其中Ar8、Ar9、R13、c及d係如上為式(V)定義。
式(V)之基團可為包括式(VII)之重複單元之共軛或非共軛聚合物之側基：
其中RU為主鏈重複單元，例如由式(VIIa)之式群之重複單元組成之均聚物或包括其等之共聚物：
式(Va)之較佳重複單元具有子式1-3：
較佳地，式1之重複單元之Ar8及Ar10為苯基，及Ar9為苯基或多環芳族基團。更佳地，Ar9(最佳與兩個N原子直接鍵結之式1的中心Ar9基團)係C10-20多環芳族基團，視需要係視需要經取代之茀(例如如於WO 2005/049546及WO 2013/108022中所述，其內容以引用方式併入)。
在一較佳配置中，R13係Ar10且Ar8、Ar9及Ar10各獨立地係未經取代或經一或多個C1-20烷基取代。
於一較佳配置中，Ar8、Ar9及Ar10係苯基，其等各可獨立地經一或多個如上所述取代基取代。
在另一較佳配置中，Ar8及Ar9係苯基，其等各可經一或多個C1-20烷基取代，且R13係3,5-二苯基苯，其中各苯基可經一或多個C1-20烷基取代。
在另一較佳配置中，c、d及g各係1且Ar8及Ar9係經氧原子連接以形成吩噁嗪環的苯基。
可提供約0.5莫耳%至約50莫耳%(視需要至多40莫耳%)之莫耳量的胺重複單元。
如本文中所述之電洞傳輸聚合物可為均聚物，例如包括式(V)之 基團之重複單元的均聚物，或可為包括一種或更多種共重複單元之共聚物。
示例性共重複單元包括伸芳基重複單元，例如1,2-、1,3-及1,4-伸苯基重複單元、3,6-及2,7-連接型茀重複單元、茚并茀、萘、蒽及菲重複單元，其各者可為未經取代或經一個或更多個取代基取代。取代基可選自以下所述之基團R7。
一類較佳伸芳基重複單元係伸苯基重複單元，例如式(X)伸苯基重複單元：
其中w在每次出現時獨立地係0、1、2、3或4，視需要為1或2；n係1、2或3；且R7在每次出現時獨立地係取代基。
若存在，各R7可獨立地選自由以下組成之群：-烷基(視需要為C1-20烷基)，其中一或多個非相鄰C原子可經視需要經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子可經F置換；-芳基及雜芳基，其等可係未經取代或經一或多個取代基取代，較佳為經一或多個C1-20烷基取代之苯基；-直鏈或分支鏈之芳基或雜芳基，該等基團各者可獨立地經取代，例如式-(Ar3)r基團，其中各Ar3獨立地係芳基或雜芳基且r係至少2，較佳為分支鏈或直鏈之苯基，其各可係未經取代或經一或多個C1-20烷基取代；及-可交聯基團，例如基團，視需要為式(III)或(IV)之基團。
若存在，經取代之N可係-NR2-，其中R2係C1-20烷基；未經取代 之苯基；或經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
較佳地，各R7係獨立地選自C1-40烴基，且更佳係選自C1-20烷基；未經取代之苯基；經一或多個C1-20烷基取代之苯基；直鏈或分支鏈之苯基，其中各苯基可係未經取代或經一或多個取代基取代；及可交聯基團。
若n為1，則式(X)之示例性重複單元包括以下各者：
式(X)之尤佳重複單元具有式(Xa)：
式(Xa)之取代基R7係與該重複單元之鍵聯位置相鄰，此可在式(Xa)重複單元與相鄰重複單元之間造成空間位阻，導致式(Xa)重複單元相對於一或兩個相鄰重複單元扭轉出平面。
其中n為2或3的示例性重複單元包括以下各者：
較佳重複單元具有式(Xb)：
式(Xb)中的兩個R7基團可在其等鍵結的苯環之間造成空間位阻，導致兩個苯環相對於彼此扭轉。
另一類伸芳基重複單元係視需要經取代之茀重複單元，例如式 (XI)之重複單元：
其中R8在每次出現時係相同或不同且係取代基，其中該等兩個R8可連接形成環；R7係如上所述之取代基；且d係0、1、2或3。
各R8可獨立地選自由以下組成之群：
-烷基(視需要為C1-20烷基)，其中一或多個非相鄰C原子可經視需要經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子可經F置換；
-芳基及雜芳基，其等可係未經取代或經一或多個取代基取代，較佳為經一或多個C1-20烷基取代之苯基；及
-直鏈或分支鏈之芳基或雜芳基，該等基團各可獨立地經取代，例如式-(Ar7)r基團(其中各Ar7獨立地係芳基或雜芳基且r係至少2，視需要2或3)，較佳係分支鏈或直鏈之苯基，其各可係未經取代或經一或多個C1-20烷基取代。
-可交聯基團，視需要為式(III)或(IV)之基團。
較佳地，各R8獨立地係C1-40烴基基團。
於全文內容以引用方式併入之WO 2012/104579中揭示不同基團R8。
若存在，經取代之N可係-NR2-，其中R2係如上文所述。
示例性取代基R7係烷基(例如C1-20烷基)，其中一或多個非相鄰C原子可經O、S、C=O及-COO-、視需要經取代之芳基、視需要經取代之雜芳基、烷氧基、烷硫基、氟、氰基及芳基烷基置換。尤佳之取代基包括C1-20烷基及經取代或未經取代之芳基(例如苯基)。芳基之可選 取代基包含一或多個C1-20烷基。
可藉由以下方式控制式(XI)重複單元對聚合物主鏈中之相鄰重複單元的芳基或雜芳基的共軛程度：(a)經由3-及/或6位置連接該重複單元以限制跨越該重複單元的共軛程度，及/或(b)用一或多個取代基R8取代該重複單元中與該等連接位置相鄰的一或多個位置，以使該(等)相鄰重複單元產生扭轉，例如在3-及6位置中之一者或兩者上具有C1-20烷基取代基的2,7-連接型茀。
式(XI)重複單元可係式(XIa)之2,7-連接型重複單元：
視需要地，式(XIa)重複單元中與2-或7位置相鄰的位置係未經取代。當d=0，或當任意取代基R7不出現在與式(XIa)之2-或7連接位置相鄰的位置上時，可提供跨越式(XIa)之重複單元的相當高共軛程度。
當至少一個d為至少1時，及當至少一個取代基R7出現在與式(XIa)之2-或7連接位置相鄰的位置上時，可限制跨越式(XIa)之重複單元的共軛。視需要，各d為1，及式(XIa)之重複單元之3-及/或6位置係經取代基R7取代以提供跨越該重複單元之相對低共軛程度。於內容以引用的方式併入本文之WO 2013/191086中揭示位於3-及或6位置之取代。
式(XI)重複單元可係式(XIb)之3,6-連接型重複單元：
與式(XIa)之對應重複單元相比，跨越式(XIb)重複單元的共軛程度可係相對低。
另一示例性伸芳基重複單元具有式(VIII)：
其中R7、R8及d係如上文針對式(X)及(XI)所述。R7基團中之任一者可連接至其他任何R7基團以形成環。由此形成的環可係未經取代或可經一或多個取代基(視需要一或多個C1-20烷基)取代。
式(VIII)重複單元可具有式(VIIIa)或(VIIIb)：
一個或多個共重複單元可包含共軛破壞重複單元，其為在與該共軛破壞重複單元相鄰的重複單元之間不提供任何共軛途徑之重複單元。
如本文所述聚合物適宜係非晶型。
聚合物合成
一種用於形成如本文中所述共軛電洞傳輸聚合物之方法為鈴木聚合作用(例如如WO 00/53656或US 5777070中所述)，其容許在兩個芳族或雜芳族基團之間形成C-C鍵，且因此可形成具有跨越兩個或更多個重複單元之共軛之聚合物。鈴木聚合作用於鈀錯合物觸媒及鹼之存在下發生。
如反應圖1所示，在該鈴木聚合作用過程中，用於形成重複單元RU1之單體具有兩個脫離基LG1(諸如與RU1之相同或不同伸芳基或伸雜芳基鍵結之酸或酸酯基)，及用於形成重複單元RU2之單體具有兩個脫離基LG2(諸如與RU1之相同或不同伸芳基或伸雜芳基鍵結之鹵素、磺酸、磺酸酯)。該等單體在RU1及RU2之雜芳基或伸雜芳基之間聚合形成碳碳雙鍵。
n LG1-RU1-LG1+n LG2-RU2-LG2→-(RU1-RU2)n-反應圖1
示例性酸酯具有式(VI)：
其中R6在每次出現時獨立地係C1-20烷基基團，*表示酸酯與單體之芳族環之附接點，且兩個基團R6可連接形成環。於一較佳實施例中，兩個基團R6連接形成酸之頻哪醇酯：
技術熟練者應明白單體LG1-RU1-LG1將不會與另一單體LG1-RU1-LG1聚合形成直接碳-碳鍵結。單體LG2-RU2-LG2將不會與另一單體LG2-RU2-LG2聚合形成直接碳碳鍵結。
較佳地，LG1及LG2中之一者係溴或碘，及另一者為酸或酸酯。
該選擇性意為可控制該聚合物主鏈中之重複單元的排序，以便藉由LG1-RU1-LG1之聚合作用形成之全部或實質上全部RU1重複單元之兩側係與RU2重複單元相鄰。
於以上反應圖1之實例中，藉由使兩種比率為1：1之單體共聚形成 AB共聚物，然而應明白可於聚合作用中使用超過兩種單體，且可使用任何比率之單體。
於以上反應圖1之實例中，形成線性共聚物。於其他實施例中，一個或多個單體可含有3個或更多個脫離基以形成分支聚合物。
該鹼可為有機或無機鹼。示例性有機鹼包括四烷基銨氫氧化物、碳酸鹽及碳酸氫鹽。示例性無機鹼包括金屬(例如鹼金屬或鹼土金屬)氫氧化物、碳酸鹽及碳酸氫鹽。
鈀錯合物觸媒可為鈀(0)或鈀(II)化合物。
尤佳觸媒為肆(三苯基膦)鈀(0)及與膦混合之乙酸鈀(II)。
膦可作為鈀化合物觸媒之配體或作為添加至聚合作用混合物之獨立化合物提供。示例性膦類包括三芳基膦，例如三苯膦，其中各苯基可獨立地未經取代或經一個或多個取代基取代，例如一個或多個C1-5烷基或C1-5烷氧基基團。
尤佳係三苯膦及叁(鄰甲氧基三苯基)膦。
另一種聚合方法為山本聚合作用，其中帶有鹵素(較佳為溴)脫離基之單體在鎳觸媒之存在下反應。
該聚合作用反應可在單一有機液相中發生，反應混合物之全部組分均可溶於該液相中。該反應可於二相水性有機系統中發生，在該情形下，可使用相轉移劑。該反應可於藉由混合二相水性有機系統與乳化劑形成之乳液中發生。
該聚合物可藉由添加封端反應劑封端。適宜封端反應劑為僅經一個脫離基取代之芳族或雜芳族材料。該封端反應劑可包括用於與在聚合物鏈末端之酸或酸酯基反應之經鹵素取代之反應劑，及用於與在聚合物鏈末端之鹵素反應之經酸或酸酯基取代之反應劑。示例性封端反應劑為鹵代苯(例如溴化苯)、及苯基酸。可於聚合作用反應期間或於其結束時添加封端反應劑。
可於聚合物合成之後將該電洞傳輸聚合物改質以提供具有如在本發明之第一或第二態樣中所述之分子量之聚合物。
藉由通過尺寸排除透膜過濾可對該聚合物分子量分級。
較佳分級方法包含選擇性沈澱法或層析法(諸如製備型尺寸排除層析法)。最佳為藉由選擇性沈澱法分級。
選擇性沈澱法係一種其中將聚合物溶解於一種或多種溶劑中之方法。將於其中聚合物溶解度較低之溶劑或溶劑混合物添加至聚合物溶液以將該聚合物沈澱。將較高分子量聚合物鏈選擇性沈澱且因此沈澱固體無較低分子量聚合物鏈。
發光層
OLED可含有一個或多個發光層。用於發光層之適宜發光材料包括聚合性、小分子及樹枝狀發光材料，其中之各者可為發螢光或發磷光。
OLED之發光層可未經圖案化，或可經圖案化以形成離散像素。各像素可進一步分成子像素。該發光層可含有單一發光材料(例如用於單色顯示器或其他單色裝置)，或可含有發射不同顏色之材料，尤其用於全色顯示之紅光、綠光及藍光發射材料。
發光層可含有多於一種發光材料之混合物，例如可一起提供白光發射之發光材料之混合物。
藍光發射材料可具有峰在400至490nm範圍內的光致發光光譜。
綠光發射材料可具有峰在大於490nm至580nm範圍內的光致發光光譜。
紅光發射材料可視需要具有峰在大於580nm至650nm(較佳係600nm至630nm)之間的光致發光光譜。
示例性螢光聚合性發光材料包括含有伸芳基重複單元、伸芳基伸乙烯基重複單元及芳基胺重複單元中之一或多者之聚合物。螢光發 射層可由發光材料單獨組成或可另外包括與該發光材料混合之一種或多種其他材料。其他材料之實例可選自電洞傳輸材料；電子傳輸材料及三重態接受材料(例如如於內容以引用方式併入本文之WO 2013/114118中所述之三重態接受聚合物)。
較佳發光聚合物係包括一種或多種選自上文參照電洞傳輸聚合物所述之式(X)、(XI)及(VIII)及(V)之伸芳基重複單元；菲重複單元；萘重複單元；蒽重複單元；及苝重複單元之共聚物。此等重複單元中之各者可經由此等單元中之任何兩個芳族碳原子連接至相鄰重複單元。具體示例性鍵接包括9,10-蒽、2,6-蒽、1,4-萘、2,6-萘、2,7-菲及2,5-苝。此等重複單元中之各者可經取代或未經取代，例如經一或多個C1-40烴基取代。
示例性磷光發射材料包括金屬錯合物，其包括經取代或未經取代之式(IX)錯合物：ML1 qL2 rL3 s(IX)
其中M為金屬；L1、L2及L3各自為配位基；q為整數；r與s各自獨立地為0或整數；及(a.q)+(b.r)+(c.s)之總和等於M上可用配位位置之數量，其中a為L1上之配位位置數量，b為L2上之配位位置數量及c為L3上之配位位置數量。較佳地，a、b及c各為1或2。較佳地，a、b及c各為2(雙齒配體)。較佳地，q為2或3，及r及s為0或1。
重元素M引起強自旋軌道偶合以允許快速系統間交叉及自三重態或更高態發射。適宜重金屬M包括d區金屬，特定言之彼等位於第2及3排者，即元素39至48及72至80(特定言之釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑及金)。以銥尤佳。
示例性配體L1、L2及L3包括碳或氮供體，例如卟啉或式(I)雙齒配體：
其中Ar5及Ar6可係相同或不同且獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基；X1及Y1可係相同或不同且獨立地選自碳或氮；且Ar5及Ar6可稠合在一起。以其中X1係碳且Y1係氮之配體較佳，特定言之係其中Ar5係僅含N及C原子的單環或稠合雜芳族環(例如吡啶基或異喹啉)且Ar6係單環或稠合芳族環(例如苯基或萘基)的配體。
雙齒配體之實例係例舉如下：
Ar5與Ar6可各自載有一或多個取代基。該等取代基中之兩者或更多者可鍵聯形成環(例如芳族環)。
適用於d區元素之其他配體包括二酮酸根(特定言之，乙醯丙酮酸根(acac))、三芳基膦及吡啶，其等各可經取代。
取代基之實例包括如以上參照式(X)所描述之基團R7。尤佳取代基包括可用於使該錯合物之發射藍移之氟或三氟甲基(例如，如WO 02/45466、WO 02/44189、US 2002-117662及US 2002-182441中所揭示)；烷基或烷氧基(例如C1-20烷基或烷氧基)，其可如JP 2002-324679中所揭示；在用作發射材料時可用於輔助電洞傳輸至錯合物中之咔唑(例如，如WO 02/81448中所揭示)；可用於使該配體官能化以附接其他基團的溴、氯或碘(例如，如WO 02/68435及EP 1245659中所揭示)；可用於獲得或增強該金屬錯合物之溶液可處理性的樹狀突(例如，如WO 02/66552中所揭示)。
發光樹枝狀聚合物典型地包括鍵接至一或多個樹狀突之發光核，其中各樹狀突含有分支點及兩個或更多個樹枝狀分支。較佳地，該樹狀突係至少部分共軛，且該等分支點及樹枝狀分支中之至少一者包含芳基或雜芳基，例如苯基。於一配置中，該分支點基團及該等分支基團均為苯基，及各苯基可獨立地經一或多個取代基(例如烷基或烷氧基)取代。
樹狀突可具有視情況經取代之式(II)
其中BP代表用於與核連接之分支點，及G1代表第一代分支基團。
樹狀突可以為第一、第二、第三或更高代樹狀突。G1可經兩個或更多個第二代分支基團G2取代，且以此類推，如在視需要經取代之式(IIa)中所示：
其中u為0或1；若u為0則v為0，或若u為1則v可為0或1；BP代表用於與核連接之分支點，及G1、G2及G3代表第一、第二及第三代樹狀突分支基團。在一較佳實施例中，BP及G1、G2...Gn各係苯基，且各 苯基BP、G1、G2...Gn-1係3,5-連接型苯基。
一較佳樹狀突係經取代或未經取代之式(IIb)樹狀突：
其中*表示樹狀突與核心的附接點。
BP及/或任何基團G可經一或多個取代基(例如一或多個C1-20烷基或烷氧基)取代。
可於具有主體材料之發光層中提供磷光發射材料。該主體較佳具有比該磷光發射材料低不超過0.1eV之三重態能級，更佳具有與該磷光發射材料相同或大於其之三重態能級。
適宜之主體材料包括小分子、樹枝狀及聚合主體材料。聚合主體材料包括具有電荷傳輸側基之非共軛聚合物(例如聚乙烯咔唑)，及至少部分共軛聚合物(例如包括伸芳基重複單元及胺重複單元之一者或兩者之聚合物，例如式(X)、(XI)及(VIII)之伸芳基重複單元及式(V)之胺重複單元)。
磷光發射材料可構成主體/磷光發射材料組合物之約0.05莫耳%至多約20莫耳%，視情況約0.1至10莫耳%。
該磷光發射材料可為與該主體材料物理混合或可與其共價結合。在聚合物主體之情況下，該磷光發射材料可提供於該聚合物之側鏈、主鏈或端基中。在該磷光材料係提供於聚合物側鏈中的情況下，該磷光發射材料可直接鍵結至該聚合物之主鏈或經由間隔基(例如C1-20烷基間隔基，其中一或多個非相鄰C原子可經O或S置換)與其隔開。
當該裝置在使用時，如本文所述之電洞傳輸層可為非發射性， 或可在該電洞傳輸層含有如本文所述之與該電洞傳輸聚合物鍵結或與該電洞傳輸聚合物混合之發光材料之情形下發光。
電洞注入層
可在陽極與OLED之發光層之間設置可由導電有機或無機材料形成之導電電洞注入層，以改良電洞自該陽極注入於半導體聚合物層中。經摻雜之有機電洞注入材料之實例包括視情況經取代之經摻雜的聚(伸乙基二氧噻吩)(PEDT)，特定言之係摻雜電荷平衡多元酸(諸如於EP 0901176及EP 0947123中所揭示之聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸(例如Nafion ®))之PEDT；如US 5723873及US 5798170中所揭示之聚苯胺；及視情況經取代之聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導電無機材料之實例包括過渡金屬氧化物(例如VOx、MoOx及RuOx，如Journal of Physics D：Applied Physics(1996),29(11),2750-2753中所揭示)。
當電洞傳輸層存在時，可於該陽極及該電洞傳輸層間提供電洞注入層。
電荷傳輸層及電荷阻擋層
如上所述，可於該陽極與該(等)發光層之間設置電洞傳輸層。同樣地，可在該陰極與該(等)發光層之間提供電子傳輸層。
類似地，可在該陽極與該發光層之間提供電子阻擋層，且可在該陰極與該發光層之間提供電洞阻擋層。傳輸及阻擋層可組合使用。取決於其HOMO及LUMO能階，單一層可既傳輸電洞及電子中之一者且又阻擋電洞及電子中之另一者。
該電洞傳輸層較佳具有小於或等於5.5eV，更佳約4.8至5.5eV的HOMO能階(如藉由循環伏安法測得)。該電洞傳輸層的HOMO能階可經選擇以使其與相鄰層(例如發光層)相差在0.2eV之內(視需要相差在0.1eV之內)，以對此等層之間的電洞傳輸提供較小阻礙。該電洞傳輸 聚合物可係包含如上述式(I)之重複單元之聚合物：若存在，位於該等發光層與陰極之間電子傳輸層較佳具有約2.5至3.5eV的LUMO能階(如藉由循環伏安法測得)。例如，可在最接近陰極的發光層與該陰極之間提供具有0.2至2nm厚度之一氧化矽或二氧化矽層或其他薄介電層。可使用循環伏安法測量HUMO及LUMO能階。
電子傳輸層可包含含有視需要經取代之伸芳基重複單元之鏈(例如茀重複單元之鏈)的聚合物。
陰極
該陰極係選自具有容許電子注入至該發光層中之功函數之材料。有其他因素會影響該陰極之選擇，例如該陰極與發光材料之間之不良相互作用之可能性。該陰極可由單一材料(例如鋁層)組成。或者，其可包含複數種導電材料，例如複數種導電性金屬(例如低功函數材料及高功函數材料之雙層(諸如，如WO 98/10621中所揭示之鈣及鋁))。該陰極可包括元素鋇層(例如於WO 98/57381,Appl Phys.Lett.2002,81(4),634及WO 02/84759中所揭示)。該陰極可在有機半導體層與一個或更多個導電陰極層(特定言之為鹼金屬或鹼土金屬之氧化物或氟化物，例如氟化鋰(例如如WO 00/48258中所揭示)；氟化鋇(例如如Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中所揭示)及氧化鋇)之間包括金屬化合物薄層(例如少於5nm)，以輔助電子注入。為使電子有效注入該裝置中，該陰極較佳具有小於3.5eV(更佳小於3.2eV，最佳小於3eV)的功函數。金屬之功函數可見於(例如)Michaelson,J.Appl.Phys.48(11),4729,1977。
陰極可為不透明或透明的。透明陰極對主動矩陣裝置而言係特別有利，因為通過該等裝置中之透明陽極之發射係至少部分經位於發射像素下方之驅動電路阻擋。透明陰極包括足夠薄以至透明之電子注 入材料層。通常，由於此層較薄，因此其橫向導電性將較低。在此情況下，該電子注入材料層係與厚透明導電材料(例如氧化銦錫)層組合使用。
應瞭解透明陰極裝置並不需要具有透明陽極(當然，除非需要完全透明裝置)，因此可以反射材料層(例如鋁層)代替或補充用於底部發光裝置之透明陽極。透明陰極裝置之實例揭示於(例如)GB 2348316中。
封裝
有機光電裝置趨於對水分及氧氣敏感。因此，基板較佳具有防止水分及氧氣進入該裝置之良好阻隔性質。該基板通常為玻璃，然而，尤其在期望裝置具撓性之情況下，可使用另類基板。例如，該基板可包含一或多個塑膠層，例如交替塑膠層及介電阻隔層之基板或薄玻璃及塑膠之層壓片。
該裝置可經封裝劑(未顯示)封裝以防止水分及氧氣進入。適宜之封裝劑包括玻璃片、具有適宜阻隔性質之薄膜(例如二氧化矽、一氧化矽、氮化矽或聚合物與介電質之交替堆疊物)或氣密容器。在透明陰極裝置之情況下，可將透明封裝層(例如一氧化矽或二氧化矽)沉積至微米級厚度，然而，在一較佳實施例中，該層之厚度係在20至300nm的範圍內。可在該基板與封裝劑之間佈置用於吸收可滲透該基板或封裝劑之任何大氣水分及/或氧氣之吸氣劑材料。
調配物加工
可自形成彼層之組分及一或多種適宜溶劑形成適用於形成電洞傳輸層及發光層的調配物。
該調配物可係正在論述之層之組分的溶液，或可係含於一或多種溶劑中之分散液，其中一或多種組分未被溶解。較佳地，該調配物係溶液。
尤佳的溶液沉積技術包括印刷及塗佈技術(例如旋塗及噴墨印刷)。
塗佈方法係尤其適用於其中無需使發光層圖案化之裝置-例如照明應用或簡單單色分段顯示器。
印刷方法係特別適於高資訊內容顯示器，特定言之全色顯示器。可藉由於陽極上提供圖案化層並界定用於印刷一種色彩(在單色裝置之情況下)或多種色彩(在多色(特定言之全彩)裝置之情況下)的阱對裝置進行噴墨印刷。該圖案化層通常係如(例如)EP 0880303中所述經圖案化以界定阱之光阻劑層。
除阱以外，可將墨水印刷至界定於圖案化層內之通道中。特定言之，可使該光阻劑圖案化以形成通道，與阱不同，其延伸覆蓋複數個像素且通道末端可關閉或開放。
其他溶液沉積技術包括浸塗、狹縫模具式塗佈、輥軸印刷及絲網印刷。
為避免疑義，只要可行，本發明之任何實施例或態樣可結合本發明之任何其他實施例或態樣出現。
實例
比較電洞傳輸聚合物
藉由鈴木聚合作用(如WO 00/53656中所述)形成電洞傳輸聚合物，其包括：
- 50莫耳%之式(XIa)之重複單元，其中在各情形下R7為甲基，在各情形下d=1，及R8為取代基(如說明中所述)；
- 40莫耳%之式(V)子式1之重複單元，其中連接至兩個N原子的中心Ar9基團係經取代之茀，及在兩次出現時Ar10為苯基，及剩餘Ar基團為伸苯基(如說明中所述)。
- 10莫耳%之式(XIa)之可交聯重複單元。
該聚合物之平均重複單元分子量為約600Da。
該聚合物係藉由凝膠滲透層析法分析且該聚合物之聚苯乙烯當量重量平均分子量(Mw)為317,000，聚苯乙烯當量數量平均分子量(Mn)為55,000，及聚苯乙烯當量多分散性指數為5.7。藉由凝膠滲透層析法測得此聚合物之聚苯乙烯當量重量分佈圖係示於圖2中。藉由三重檢測凝膠滲透層析法測得此聚合物之絕對分子量分佈圖係示於圖4中。
電洞傳輸聚合物實例1
以上實例中所述之比較聚合物係藉由選擇性沈澱作用分級。將該比較聚合物溶解於甲苯中并一滴一滴地添加至異丙醇中。將所得固體或凝膠自溶劑中分離，及將此過程另外重複兩次以提供具有最優化的分子量分佈之聚合物。
該聚合物係藉由凝膠滲透層析法分析，且該聚合物之聚苯乙烯當量重量平均分子量(Mw)為523,000，聚苯乙烯當量數量平均分子量(Mn)為350,000，及聚苯乙烯當量多分散性指數為1.5。藉由凝膠滲透層析法測得此聚合物之聚苯乙烯當量重量分佈圖係示於圖3中。藉由三重檢測凝膠滲透層析法測得此聚合物之絕對分子量分佈圖係示於圖5中。
於表1中列出如藉由GPC測得之構成總聚合物重量之不同聚苯乙烯當量分子量範圍的聚合物主鏈之重量比例。
比較聚合物1及聚合物實例1之比例取自分別顯示於圖2及3中之標準累積高度。高度量測值係在1Hz之數據傳輸率下獲得，並使用獲自Agilent之Cirrus軟體求和及標準化。
於表2中列出如藉由三重檢測GPC測得之構成總聚合物重量之不同重量範圍的聚合物主鏈之分子量比例。
比較聚合物1及聚合物實例1之比例取自分別顯示於圖4及5中之標準累積高度。高度量測值係在1Hz之數據傳輸率下獲得，並使用Agilent GPC軟體求和及標準化。
電洞傳輸聚合物之比較
使用如下方法測量聚合物之不溶解度。
在溶劑中製備一系列不同聚合物濃度之溶液及藉由UV-VIS分光術測量各者之吸收率以提供校準曲線。接著藉由旋塗自溶液將該聚合物沉積至玻璃基板之上，沉積22nm之厚度(如藉由Dektak表面輪廓儀測得)。
不對該等基板之一者進行烘焙，及藉由於175℃下加熱60分鐘使另一者交聯。接著使交聯膜於測定體積之溶劑中浸泡特定時間，其後將該溶劑轉移至比色皿，且藉由UV-VIS分光術測量吸收光譜，並與校準曲線比較以測定溶液中聚合物之濃度。類似地處理非交聯膜，其導致該聚合物之完全溶解。藉由UV-VIS分光術測得之此樣品之此溶液的吸收光譜給出存在之聚合物之總量。
在以下表格中比較於分別使該比較電洞傳輸聚合物及電洞傳輸聚合物1交聯後仍為不可溶之電洞傳輸聚合物的量。
比較裝置
製得具有以下結構之裝置：ITO/HIL/HTL/LE/陰極
ITO/HIL/HTL/LEL/陰極
其中ITO為氧化銦錫陽極；HIL為含電洞注入材料之電洞注入層，HTL為電洞傳輸層，LEL為發光層。
使用UV/臭氧清潔載有經圖案化以形成像素陽極之ITO之基板。藉由旋塗將光阻劑之層沉積於基板之上，並將其圖案化以曝露像素陽 極及形成在阱之底部具有該等像素陽極之阱。藉由噴墨印刷將電洞注入材料印刷至該等阱中形成30nm電洞注入層。藉由噴墨印刷該比較電洞傳輸聚合物之溶液及將溶劑蒸發形成約22nm之厚度的電洞傳輸層。該電洞傳輸層於170℃下加熱1小時以使該聚合物之可交聯基團交聯。藉由噴墨印刷發光聚合物及添加劑聚合物之溶液形成約65nm之厚度的發光層，該發光聚合物包括式(XIa)之茀重複單元、式(VIIIa)之重複單元、式(Va-1)及(Va-3)之胺重複單元。藉由沉積約2nm厚度的氟化鈉層，沉積約100nm厚度的銀層及沉積約100nm厚度的鋁層來形成陰極。
裝置實例1
如對於比較裝置之描述製備裝置，但使用電洞傳輸聚合物實例1替代比較電洞傳輸聚合物。
相較於比較裝置，裝置實例1具有改良性能。如圖3中所示，相較於該比較裝置，裝置實例1具有改良裝置壽命。
雖然已描述本發明之具體示例性實施例，但應瞭解：在不脫離如以下申請專利範圍中所述之本發明範圍之情況下，熟習此項技術者將明白本文所揭示之特徵之各種修飾、改變及/或組合。
100‧‧‧OLED
101‧‧‧陽極
103‧‧‧電洞傳輸層
105‧‧‧發光層
107‧‧‧陰極
109‧‧‧基板

Claims (24)

  1. 一種OLED，其包括電洞傳輸層及發光層，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之鏈組成。
  2. 如請求項1之OLED，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過0.2%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於50,000之分子量之鏈組成。
  3. 如請求項1或2之OLED，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過10%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之聚合物鏈組成。
  4. 一種OLED，其包括電洞傳輸層及發光層，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過10%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之鏈組成。
  5. 如請求項4之OLED，其中藉由凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有少於100,000之分子量之鏈組成。
  6. 如前述請求項中任一項之OLED，其中藉由凝膠滲透層析法測定，超過20%之聚苯乙烯聚合物當量係由具有至少300,000之分子量之聚合物鏈組成。
  7. 一種OLED，其包括電洞傳輸層及發光層，其中該電洞傳輸層包括電洞傳輸聚合物，其中藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，不超過5%之聚合物重量係由具有少於約50之p/r比率之聚合物鏈組成，其中p/r為絕對聚合物鏈分子量/平均重複單元分子量。
  8. 如請求項7之OLED，其中如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測 定，少於1%之聚合物重量係由具有少於約50之p/r比率之聚合物鏈組成。
  9. 如請求項7或8之OLED，其中如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，少於10%之聚合物重量係由具有少於約100之p/r比率之聚合物鏈組成。
  10. 如請求項7、8或9之OLED，其中如藉由三重檢測凝膠滲透層析法測定，大於20%之聚合物重量係由具有大於約500之p/r比率之聚合物鏈組成。
  11. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物具有少於4之多分散性指數。
  12. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物具有於1×105至1×106之範圍內之數量平均分子量(Mn)。
  13. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物具有於1×105至1×106之範圍內之重量平均分子量。
  14. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物係經交聯。
  15. 如請求項14之OLED，其中該電洞傳輸聚合物之不超過25莫耳%之重複單元係交聯基團。
  16. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物係共軛聚合物。
  17. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物包括式(V)之重複單元： 其中Ar8及Ar9在每次出現時係獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g係大於或等於1，R13係H或取代基且c及d各獨立地係1、2或3。
  18. 如前述請求項中任一項之OLED，其中該電洞傳輸聚合物係分級聚合物(fractionated polymer)。
  19. 一種製備如前述請求項中任一項之OLED之方法，其包括以下步驟：(i)形成包括該電洞傳輸聚合物之電洞傳輸層；及(ii)於該電洞傳輸層之上形成發光層，其中藉由沉積包括該層之材料及至少一種溶劑之調配物並蒸發該至少一種溶劑來形成該發光層。
  20. 如請求項19之方法，其中藉由沉積包含該層之材料及至少一種溶劑之調配物並蒸發該至少一種溶劑來形成該電洞傳輸層。
  21. 如請求項20之方法，其中該電洞傳輸聚合物可溶於步驟(ii)中用來形成該發光層之一種或更多種溶劑中。
  22. 如請求項19至20中任一項之方法，其中該電洞傳輸層係於形成該發光層之前交聯。
  23. 一種形成分級電洞傳輸聚合物之方法，其包括自電洞傳輸聚合物分離低分子量部份之步驟。
  24. 如請求項23之方法，其中該聚合物包括式(V)之重複單元： 其中Ar8及Ar9在每次出現時係獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g係大於或等於1，R13係H或取代基且c及d各獨立地係1、2或3。
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