TW201609261A - 光觸媒及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種光觸媒，可藉由表面電漿子共振的顯現而獲得觸媒效率的更大的提高效果。光觸媒包含：金屬氧化物粒子，擔載有具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子，發揮光觸媒作用；以及含金屬元素，其中金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上。金屬氧化物粒子較佳為包含選自氧化鈦、氧化鎢、氧化釩、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鉍、鎢酸鉍、釩酸鉍、鈦酸鍶、氮氧化鉭所組成的組群中的1種或2種以上，金屬粒子較佳為包含選自金、銀中的至少1種以上的金屬元素。
Description
本發明是有關於一種光觸媒及其製造方法。
已知氧化鈦等化合物藉由照射光而顯示觸媒作用，被稱作光觸媒。觸媒作用之一是將存在於光觸媒表面的有機物氧化，分解成CO2或H2O等的氧化分解作用。藉由利用所述性質，將存在於環境中的有害物質氧化分解，轉變成無害的物質，以達成除臭、去除揮發性有機化合物(Volatile Organic Compound，VOC)、去污、抗菌/殺菌等環境淨化的商品開發正在發展。例如可列舉：利用所添加的光觸媒而具有抗菌作用的瓷磚、利用空氣過濾器(air filter)所擔載的光觸媒而將空氣中的有害物分解的空氣淨化機等。
光觸媒若被照射具有自身的帶隙(band gap)以上的能量(energy)的波長的光，會藉由吸收所述光而產生光激發。已激發至導帶(conduction band)的電子在價帶(valence band)會產生電子脫離而成的空孔(電洞)。所產生的電子與電洞不會發生相互作用而在空間上分離。而且，利用因已電荷分離的電洞或電子而產生的氧化、還原的化學反應，將有害物質分解。會對光觸媒
的效率(以下，簡稱作觸媒效率)產生影響的因素中，重要的是(1)光吸收、(2)電荷分離及(3)化學反應此三個。
為了謀求觸媒效率的提高且更快速地處理更大量的物質，進行了各種研究。
(1)以藉由提高光吸收而實現觸媒效率的提高為目的，進行了以下的研究。
氧化鈦的帶隙為3.2eV，僅可吸收大致400nm以下的紫外線。在太陽光的情況下，400nm以下的波長光的能量佔整體的比率約為3%。即，其表示當假設在太陽光下使用僅可吸收紫外線的氧化鈦時，最大僅可轉換3%的光能。即，為了提高光吸收，使光觸媒的吸收帶域更廣帶域化是有效的方法之一。
作為廣帶域化的方法，存在：1)使氧化鈦形成雜質能階，以減少激發所需的帶隙的方法；及2)使用帶隙較氧化鈦更小的氧化鈦以外的化合物的方法。
作為1)的方法，例如揭示有可見光響應型光觸媒的製造方法，包括：第1步驟，藉由使半導體的表面與作為與半導體的構成成分不同的成分的含陽離子的介質接觸，而使半導體含有陽離子；以及第2步驟，在還原環境中對含有陽離子的半導體進行加熱。所述方法例如是在氧化鈦晶格中注入過渡金屬離子等陽離子而使氧化鈦的吸收端向長波長側移動(專利文獻1)。
另外，揭示有如下方法：在N2/Ar氣體環境下對氧化鈦進行濺鍍，而製造作為氮取代型氧化鈦薄膜的光觸媒(專利文獻2)。
另外，揭示有如下方法：藉由在含氨環境下對氧化鈦進行熱處理以摻雜氮而獲得光觸媒物質(專利文獻3)。
然而，該些方法的製造裝置或製造步驟均繁雜，且成本高。
另一方面，作為2)的方法，已知有如下方法：使用氧化鎢、氧化釩等金屬氧化物，硫化鋅、硫化鎘等金屬硫化物，或其他金屬化合物作為光觸媒(例如專利文獻4)。
該些材料作為可見光區域中的觸媒效率高的光觸媒而受到期待。然而，該些材料的觸媒效率並不充分，觸媒效率的進一步提高仍為課題。
作為藉由(2)電荷分離及(3)化學反應的改善而提高觸媒性能的對策之一，已知有如下技術：使半導體的表面擔載含金屬元素的粒子即所謂的觸媒促進劑(promoter)。
據悉觸媒促進劑具有藉由氧化或還原位點(site)、電荷的累積而促進多電子反應或促進電荷分離等作用。作為觸媒促進劑，已知有例如Pt、Ni等(例如專利文獻5)。另一方面，觸媒促進劑有促進逆反應的情況，因此，重要的是根據所要使用的半導體或目標反應而選擇觸媒促進劑的種類或擔載方法。
作為使光觸媒的吸收帶域更廣帶域化的方法之一，有利用表面電漿子共振(Surface Plasmon Resonance)的方法。
所謂表面電漿子共振是指光的電場振動與物質的自由電子的振動發生共振的現象。
表面電漿子共振根據其方式而被分為傳播型與局部存在型。
傳播型表面電漿子共振為產生繞射現象的表面波，沿著金屬表面、金屬邊緣及槽傳播。局部存在型表面電漿子共振是在對奈米級(nanoscale)的金屬球或奈米棒(nanorod)照射光時發生。它們的共振波長根據物質的種類或大小、形狀、周圍的環境而變化。關於共振，已知有例如金、銀、銅等金屬奈米粒子利用可見光而發生共振，藉此吸收可見光。
表面電漿子共振對光觸媒產生的效果推測為如下。
若發生表面電漿子共振，會產生局部存在於金屬的表面且較入射光的電場被增強至數十至數百倍的電場。推測藉由該增強電場，半導體的莫耳消光係數(molar extinction coefficient)會提高，結果為半導體可更大量地進行光激發，而可提高觸媒效率。
或者，自表面電漿子共振金屬粒子向半導體或反應基質注入電子。有別於半導體進行光激發而產生的電子與電洞，推測藉由電子自進行表面電漿子共振的金屬向半導體或反應基質移動，可進一步提高觸媒效率。
不管如何，當欲獲得表面電漿子共振的效果時，可以說理想的是在半導體表面配置吸收半導體不會吸收的波長光的金屬。
另外，為了顯現利用金屬奈米粒子產生的表面電漿子共振，需要使各個金屬奈米粒子不相接而獨立存在。
作為具有表面電漿子共振金屬的光觸媒與其製作方法，例如揭示有如下與光觸媒相關的技術：利用濺鍍而在二氧化
矽基板形成氧化鈦層，進而利用蒸鍍而在氧化鈦層上形成表面電漿子共振金屬層(非專利文獻1)。
另外，揭示有如下方法：將光觸媒粉末分散液與作為金屬奈米粒子的前驅物的金屬錯合物溶液混合，對混合液照射光，藉此，在光觸媒表面形成金屬奈米粒子(非專利文獻2)。
根據該些技術，可利用表面電漿子共振而提高光的利用效率，因此可理解為能夠期待觸媒效率提高。
另一方面，提出有利用如下光觸媒的高效率氫產生裝置、氫產生方法及氫發生系統，所述光觸媒是使Ta3N5或InTaO4等光觸媒擔載Pt或NiO等觸媒促進劑、及顯示利用表面電漿子共振產生的吸收的金屬奈米粒子而成(參照專利文獻6)。藉此，可較現有技術高效率地進行水的氧化還原反應。
然而，例如Ta3N5的長波長側吸收端波長大致為600nm，例如金奈米粒子的電漿子共振產生的吸收波峰為450nm~700nm。因此，它們的吸收波長的一部分重疊，利用表面電漿子共振產生的吸收受到阻礙，而無法充分發揮效果。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-237598
[專利文獻2]日本專利特開2007-253148
[專利文獻3]日本專利特開2001-207082
[專利文獻4]日本專利特開平1-189322
[專利文獻5]日本專利特開平4-83537
[專利文獻6]日本專利特開2006-256901
[非專利文獻]
[非專利文獻1]「觸媒期刊(Journal of Catalysis)」307 (2013) 214-221
[非專利文獻2]「朗繆爾(Langmuir)」2012, 28, 13105-13111
所欲解決的問題點為藉由表面電漿子共振的顯現所產生的觸媒效率的提高效果並不充分。
本發明的光觸媒的特徵在於包含：金屬氧化物粒子，擔載有具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子，發揮光觸媒作用；以及含金屬元素的粒子，其中含金屬元素的粒子的金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上。
另外，本發明的光觸媒較佳為特徵在於，所述金屬氧化物粒子的長波長側吸收端波長較源自所述金屬粒子的由表面電漿子共振引起的吸收的吸收波峰波長位於更靠短波長側。
另外，本發明的光觸媒較佳為特徵在於，所述金屬氧化物粒子包含選自氧化鈦、氧化鎢、氧化釩、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鉍、鎢酸鉍、釩酸鉍、鈦酸鍶及氮氧化鉭所組成的組群中的1種或2種以上。
另外，本發明的光觸媒較佳為特徵在於，所述金屬粒子包含選自金及銀中的至少1種以上的金屬元素。
另外，本發明的光觸媒較佳為特徵在於，所述含金屬元素的粒子為氧化銅、氧化鈀或鈀。
另外，本發明的光觸媒較佳為特徵在於，所述金屬氧化物粒子的含量為60質量%~99.9質量%，所述金屬粒子的含量為0.099質量%~30質量%，所述含金屬元素的粒子的含量為0.001質量%~10質量%。
另外，本發明的光觸媒較佳為特徵在於，其為擔載有所述金屬粒子的所述金屬氧化物粒子與所述含金屬元素的粒子的粒子混合體。
另外，本發明的光觸媒的製造方法的特徵在於包括：擔載步驟，使發揮光觸媒作用的金屬氧化物粒子擔載具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子；以及混合步驟，將擔載有所述金屬粒子的所述金屬氧化物粒子與金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上的含金屬元素的粒子進行粒子混合。
另外，本發明的光觸媒的製造方法較佳為特徵在於，在所述擔載步驟中，對溶解有所述金屬粒子的前驅物即金屬錯合物的金屬氧化物粒子的分散液進行加熱，藉此，使所述金屬氧化物粒子擔載所述金屬粒子。
另外，本發明的光觸媒的製造方法較佳為特徵在於，在
所述擔載步驟中，向所述分散液中添加聚乙烯醇。
本發明的光觸媒包含：金屬氧化物粒子，擔載有具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子，發揮光觸媒作用；以及含金屬元素的粒子，其中含金屬元素的粒子的金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上，因此，可藉由表面電漿子共振的顯現而獲得觸媒效率的更大的提高效果。
另外，本發明的光觸媒的製造方法包括：擔載步驟，使發揮光觸媒作用的金屬氧化物粒子擔載具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子；以及混合步驟，將擔載有金屬粒子的所述金屬氧化物粒子與金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上的含金屬元素的粒子進行粒子混合，因此，可製造藉由表面電漿子共振的顯現而獲得觸媒效率的更大的提高效果的光觸媒。
圖1是表示實施例及比較例的光觸媒的漫反射光譜的圖。
圖2是表示所製作的分散有金屬粒子的光觸媒的掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)圖像的圖。
以下，對本發明的實施方式(以下，稱作本實施方式例)進行說明。
首先，對本實施方式例的光觸媒進行說明。
本實施方式例的光觸媒包含金屬氧化物粒子、金屬粒子及含金屬元素的粒子。金屬氧化物粒子發揮光觸媒作用。金屬粒子具有由表面電漿子共振引起的吸收。金屬粒子由金屬氧化物粒子擔載。含金屬元素的粒子中，金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上。
金屬氧化物粒子只要發揮光觸媒作用，則並無特別限定。
金屬氧化物粒子可自氧化鈦、氧化鎢、氧化釩、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鉍、鎢酸鉍、釩酸鉍、鈦酸鍶、氮氧化鉭或氧化鐵等中適當選擇而使用。金屬氧化物粒子較佳為包含選自氧化鈦、氧化鎢、氧化釩、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鉍、鎢酸鉍、釩酸鉍、鈦酸鍶及氮氧化鉭所組成的組群中的1種或2種以上，就更佳地發揮可見光區域中的光觸媒作用的觀點而言，更佳為氧化鈦、氧化鎢、氧化釩，進而較佳為氧化鈦、氧化鎢，進而更佳為氧化鎢。另外，金屬氧化物粒子亦可為該些金屬氧化物的混合物。
金屬氧化物粒子亦可使用市售品，但為了獲得更理想的材料，亦可利用公知的技術進行製作而使用。
作為可製作金屬氧化物粒子的公知的技術，可列舉：濺鍍法、蒸鍍法、化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等氣相法；或者水熱合成法、溶膠凝膠法(sol-gel method)、微胞法
(micelle method)、逆微胞法(reverse micelle method)、或微波加熱法等液相法，但並不限於此。
金屬氧化物粒子的一次粒子直徑並無特別限定，較佳為10nm~1000nm。此處，所謂一次粒子是指利用電子顯微鏡進行觀察時自外觀上的幾何學的形態判斷，認為是單位粒子的粒子。而且，此處所謂一次粒子直徑是指一次粒子的平均直徑。通常，就小於10nm的半導體粉末而言，若一次粒子直徑小，其電子狀態會變成接近團簇(cluster)的電子狀態。帶隙會變大，吸收波長端會向短波長側移動。若小於10nm，帶隙會變得過大，有可利用的光的波長範圍變窄的擔憂，因而不理想。若大於1000nm，比表面積會變得過小，有光觸媒反應的反應場小而觸媒效率變差的擔憂。金屬氧化物粒子的一次粒子直徑更佳為15nm~500nm。
金屬粒子只要具有由表面電漿子共振引起的吸收，則並無特別限定，較佳為具有利用局部存在型表面電漿子共振產生的吸收。
就有效利用表面電漿子共振的觀點而言，金屬粒子較佳為與金屬氧化物粒子的吸收波長之間的吸收帶域的重疊更少的金屬。即，較佳為金屬氧化物粒子的長波長側吸收端波長小於源自金屬粒子的由表面電漿子共振引起的吸收的吸收波峰波長，換言之為，金屬氧化物粒子的長波長側吸收端波長較源自金屬粒子的由表面電漿子共振引起的吸收的吸收波峰波長位於更靠短波長側。金屬粒子較佳為包含選自由表面電漿子共振引起的吸收強度高的
金及銀中的至少1種以上的金屬元素。進而較佳為在空氣中穩定存在的金屬，具體而言，較佳為以金或金以外的金屬為核且其表面由金被覆的形態的金屬複合體的任一種。
金屬粒子的一次粒子直徑並無特別限定，較佳為1nm~100nm。
通常，金屬粒子的一次粒子直徑越小，則由表面電漿子共振引起的吸收波長越向短波長移動，因此，根據選擇的金屬粒子與金屬氧化物粒子的組合，有金屬粒子的吸收帶域與金屬氧化物粒子的吸收帶域的重疊變得更大的擔憂。重疊的帶域的光由金屬粒子與金屬氧化物粒子雙方吸收，就光的利用效率的觀點而言不佳。另外，通常粒子的一次粒子直徑越小，則比表面積越大，表面自由能越大，因此，尤其是奈米尺寸易產生凝聚，且據悉更難分散。因此，若金屬粒子的一次粒子直徑小，例如大幅低於1nm，易產生凝聚，結果為估計有不顯示由表面電漿子共振引起的吸收的可能性。若金屬粒子的一次粒子直徑大於100nm，會變得不顯示由表面電漿子共振引起的吸收，無法有效利用光，觸媒效率低，因而不佳。金屬粒子的一次粒子直徑更佳為2.5nm~80nm。
含金屬元素的粒子較佳為氧化銅、氧化鈀或鈀，進而較佳為氧化銅。
含金屬元素的粒子的一次粒子直徑並無特別限定，較佳為1nm~10000nm。若一次粒子直徑大幅低於1nm，當有害物質的分子尺寸大時，有無法使分子整體吸附於含金屬元素的粒子的
表面的可能性，因此無法有效發揮作用而不佳。若一次粒子直徑超過10000nm，含金屬元素的粒子易變成阻礙光吸收的配置而不佳。一次粒子直徑更佳為2nm~5000nm
光觸媒的各成分的構成比率並無特別限定，較佳為在光觸媒中，以金屬氧化物粒子的含量為60質量%~99.9質量%，金屬粒子的含量為0.099質量份~30質量份，所述含金屬元素的粒子的含量為0.001質量份~10質量份的範圍進行配合。
在所述範圍內，可考慮金屬氧化物粒子、金屬粒子、含金屬元素的粒子的一次粒子直徑或接合狀態而適當選擇。
若金屬粒子的含量小於0.009質量份，表面電漿子共振產生的光的吸收量小，而不會提高觸媒效率，因而不佳。若金屬粒子的含量多於30質量份，金屬粒子對金屬氧化物粒子的被覆率變大，即，金屬氧化物粒子的露出表面積變小，因此觸媒效率差而不佳。
若含金屬元素的粒子的含量小於0.001質量%，無法獲得作為觸媒促進劑的較佳的作用效果而不佳。若含金屬元素的粒子的含量多於10質量%，含金屬元素的粒子對金屬氧化物粒子的被覆率大，因此，發揮光觸媒作用的金屬氧化物粒子的露出表面積小，因而不佳。
若金屬氧化物粒子含量低於60質量%，發揮光觸媒作用的有效表面積小，觸媒效率低，因而不佳。若金屬氧化物粒子的含量超過99.9質量%，無法滿足金屬粒子或含金屬元素的粒子的任一粒子的較佳含量。
光觸媒更佳為擔載有金屬粒子的金屬氧化物粒子與含金屬元素的粒子的粒子混合體。
本實施方式例的光觸媒雖作用機制不確定，但可獲得高觸媒效率。
其次，本實施方式例的光觸媒的製造方法包括：擔載步驟，使發揮光觸媒作用的金屬氧化物粒子擔載具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子；以及混合步驟，將擔載有金屬粒子的金屬氧化物粒子與金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上的含金屬元素的粒子進行粒子混合。
在擔載步驟中，使金屬氧化物粒子擔載金屬粒子的方法並無特別限定，可使用含浸法、鹽析法、光析出法、電析法、濺鍍法等方法。
金屬粒子若成為奈米尺寸，凝聚分散特性會發生變化，例如，利用靜電排斥作用的分散穩定化變得困難而易產生凝聚。因此，為了利用表面電漿子共振，重要的是如何能夠使金屬粒子以均勻的狀態分散。
為了更確實地擔載金屬粒子，較佳為如下方法：對溶解有金屬粒子的前驅物即金屬錯合物的金屬氧化物粒子的分散液進行加熱，藉此，使金屬氧化物粒子擔載金屬粒子。
為了更有效地獲得表面電漿子共振的效果，光觸媒需要具備如下等的結構特性：金屬粒子的大小、形狀被控制在規定的
範圍內；金屬粒子與相鄰的金屬粒子以保持某一定以上的粒子間隔的狀態相互分離；金屬粒子相對於金屬氧化物的體積填充比率被控制在某一定的範圍；金屬粒子相對於金屬氧化物無偏在地分佈。
為了獲得滿足此種結構特性的光觸媒，進而較佳為在擔載步驟中向分散液中添加聚乙烯醇。
當使用聚乙烯醇時，與不使用聚乙烯醇的情況相比，可將金屬粒子的粒徑抑制得小，並且即便在使分散液中的金屬離子量增多的情況下，亦可防止產生凝聚粒子。認為原因在於，當金屬離子的加熱還原時，具有多個-OH基的聚乙烯醇成為電子予體，作為還原助劑發揮功能而促進金屬離子的還原，結果為與不存在聚乙烯醇的情況相比，形成更多的金屬核，且各個金屬核獨自成長而形成金屬粒子。
混合步驟可使用用以混合固體彼此的公知的方法及用以製備固體觸媒的公知的方法。例如可列舉粉末添加法、含浸法、光電沈積法、濺鍍法、物理混合法。物理混合法亦有稱作物理混合法或固體混合法的情況，且為獲得粒子混合體的方法。例如可列舉：藉由連同加入有固體試樣的容器一起旋轉或振動而進行混合的方法；利用螺旋槳(propeller)、薄片(chip)等攪拌元件進行攪拌混合的方法；使用刮勺(spatula)或研棒等以手動進行攪拌的方法；利用氣流進行攪拌的方法；利用重力進行混合的方法(有使用稱作重力摻合機(gravity blender)的裝置的情況)。
以上的方法中，較佳為物理混合法。若為物理混合法，則藉由擔載有所述金屬粒子的金屬氧化物粒子或所述含金屬元素的粒子相互作用，產生合金化、成為複合氧化物等不良情況的擔憂少。結果為，可製造更有效地獲得所述各粒子各自的效果的粒子混合體。在所述物理混合法中，亦可使擔載有所述金屬粒子的金屬氧化物粒子或所述含金屬元素的粒子的任一粒子分散於水、有機溶劑等液體介質中。
作為一例，在研缽上添加擔載有所述金屬粒子的金屬氧化物粒子、及所述含金屬元素的粒子，利用研棒等施加壓力而將凝聚的粒子一面壓碎一面混合。
[實施例]
以下，利用實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不受該些實施例的任何限定。
首先，對實施例中使用的測定方法、評價方法進行說明。
<一次粒子直徑(平均粒徑)的測定>
平均粒徑的測定是將試樣粉碎並分散於乙醇之後，將所獲得的分散液向帶碳支撐膜的金屬性網滴下而製作成基板，利用穿透式電子顯微鏡(TEM(Transmission Electron Microscopy)；日本電子公司製造，JEM-2000EX)觀測所述基板。另外，平均粒徑設為面積平均直徑。平均粒徑及粒徑的分佈是抽出任意的100個粒子，設為它們的面積平均及粒徑的分佈。
<金屬種類的鑑定>
金屬種類的鑑定是藉由使用穿透式電子顯微鏡所附帶的能量分散型X射線分析儀來分析而進行。
(實施例1)
<擔載有金屬微粒子的WO3的製作>
將加入有金屬鎢粉末35g與過氧化氫(30%水溶液)490g的1L燒杯(beaker)置於熱攪拌器(hot stirrer)上，在35℃下以300rpm一面加熱攪拌1小時左右一面進行溶解。
一面繼續攪拌所獲得的無色透明溶液，一面將熱攪拌器的溫度升溫至100℃，使水分與過氧化氫蒸發乾固。獲得認為是過氧化鎢酸[WO2(O2)H2O]的白色粉末49g。
將白色粉末11.6g逐步少量添加至裝有約200mL加熱至90℃的水的燒杯中，在90℃下以300rpm一面加熱攪拌1.5小時左右一面進行溶解。將所獲得的淡黃色透明溶液的容量濃縮至約100mL，之後，在90℃下以300rpm加熱攪拌約9小時直至已濃縮的溶液成為黃色透明溶液為止。
將黃色透明溶液置於熱攪拌器上，在100℃下以300rpm使水分蒸發乾固，而獲得橙色固體。利用刮勺取出橙色固體，利用電爐在空氣中以450℃焙燒0.5小時，而獲得認為是WO3的黃色~黃綠色的粉末(以下，稱作「WO3粉末」)9.3g。
利用SEM觀察所獲得的黃綠色粉末，結果粒子直徑為30nm~100nm。將所獲得的黃綠色粉末與市售WO3的X射線繞射
(X-ray diffraction，XRD)光譜進行比較，鑑定黃綠色粉末為單斜晶的WO3。
對所獲得的5.00g的WO3粉末添加11.22g的蒸餾水與0.53g的乙酸(關東化學公司製造)，使用磁攪拌器(magnetic stirrer)攪拌3小時，而製備WO3分散液。繼而，添加16.30g的聚乙烯醇(平均分子量為22000，聚合度為500，皂化度(saponification degree)為88%，關東化學公司製造的聚乙烯醇500)的20wt%水溶液、及溶解於2.50g的蒸餾水中的60.6mg的四氯金(III)酸四水合物(關東化學公司製造)水溶液，而製備含金錯合物的漿料(slurry)1。另外，當製備含金錯合物的漿料1時，每當分別添加各試劑時，利用磁攪拌器各進行2小時擴販。
然後，向1000ml的坩堝中加入所述含金錯合物的漿料1之後，在70℃下乾燥3分鐘及在130℃下乾燥10分鐘，進而在280℃下加熱處理10分鐘及在500℃下加熱處理1小時，藉此，製作呈淡紫灰色的擔載有金屬金微粒子的WO3 1(以下，亦將「擔載有金屬金微粒子的WO3」稱作「Au/WO3」)。
利用刮勺刮取所獲得的擔載有金屬金微粒子的WO3 1，並利用研缽進行粉碎，藉此獲得4.69g擔載有金屬金微粒子的WO3粉末1。
利用SEM觀察所獲得的擔載有金屬金微粒子的WO3粉末1，可確認粒徑約為20nm~30nm的金奈米粒子(利用能量分散型X射線分析儀(Energy Dispersive X-ray Spectrometer，EDX)進行
鑑定)以分散的狀態附著於粒徑約為30nm~100nm的WO3粒子上。
<光觸媒製作>
對所獲得的Au/WO3粉末1.5g添加CuO粉末(和光純藥，99.9%)1.5mg(0.1wt%)，使用研缽充分混合，而製作光觸媒粉末1(0.1wt% CuO/0.5wt% Au/WO3)。圖2中表示擔載有金屬金微粒子的WO3粉末1的SEM圖像。
<甲酸分解反應>
將所製作的光觸媒粉末向帶隔膜蓋(septum cap)的20mL的玻璃容器中添加大致1.4g，並蓋上玻璃容器的蓋。在保持玻璃容器的密閉狀態的狀態下，使用注射器(syringe)自隔膜蓋添加0.5mol/L的甲酸水溶液40μL(20μmol)。一面利用紫外線已被截止的0.5太陽光(SUN)的太陽模擬器(solar simulator)進行光照射(>400nm)，一面利用氣相層析儀(gas chromatography)追蹤由光觸媒反應生成的二氧化碳量的經時變化。
表1中表示所述反應結果。
(實施例2)
<擔載有金屬微粒子的WO3的製作>
以與實施例1同樣的方法製作WO3。
對所製作的2.00g的WO3粉末添加4.50g的蒸餾水與0.23g的乙酸，使用磁攪拌器攪拌3小時，而製備WO3分散液。繼而，添加6.50g的聚乙烯醇(平均分子量為22000，聚合度為500，皂化度為88%)的20wt%水溶液、及溶解於1.00g的蒸餾水中的97.00mg的四氯金(III)酸四水合物水溶液，而製備含金錯合物的漿料2。另外，當製備所述含金錯合物的漿料2時，每當分別添加各試劑時，利用磁攪拌器各進行2小時攪拌。
然後，向300ml的坩堝中添加所述含金錯合物的漿料2之後，在70℃下乾燥3分鐘及在130℃下乾燥10分鐘，進而在280℃下加熱處理10分鐘及在500℃下加熱處理1小時，藉此製作呈紫色的分散有金屬金微粒子的WO3 2。
利用刮勺刮取所獲得的擔載有金屬金微粒子的WO3 2，並利用研缽進行粉碎，藉此獲得1.83g分散有金屬金微粒子的WO3粉末2。
利用SEM觀察所獲得的分散有金屬金微粒子的WO3粉末2，可確認粒徑約為20nm~40nm的金奈米粒子(利用EDX進行鑑定)以分散的狀態附著於粒徑約為30nm~100nm的WO3粒子
WO3上。
<光觸媒製作>
對所獲得的Au/WO3粉末1.5g添加CuO粉末(和光純藥，99.9%)1.5mg(0.1wt%)，使用研缽充分混合，而製作光觸媒粉末2(0.1wt% CuO/2.0wt% Au/WO3)。
表1中表示所述反應結果。圖2中表示擔載有金屬金微粒子的WO3粉末2的SEM圖像。
(實施例3)
<擔載有金屬微粒子的WO3的製作>
以與實施例1同樣的方法製作WO3粉末。
對所製作的1.50g的WO3粉末添加3.35g的蒸餾水與0.15g的乙酸，使用磁攪拌器進行3小時攪拌，而製備WO3分散液。繼而，添加4.88g的聚乙烯醇(平均分子量為22000，聚合度為500，皂化度為88%)的20wt%水溶液、及溶解於0.75g的蒸餾水中的254.52mg的四氯金(III)酸四水合物水溶液，而製備含金錯合物的漿料3。另外，當製備含金錯合物的漿料時，每當分別添加各試劑時，利用磁攪拌器各進行2小時攪拌。
然後，向300ml的坩堝中添加所述含金錯合物的漿料3之後，在70℃下乾燥3分鐘及在130℃下乾燥10分鐘，進而在280℃下加熱處理10分鐘及在500℃下加熱處理1小時，藉此製作呈深紫色的擔載有金屬金微粒子的WO3 3。
利用刮勺刮取所獲得的擔載有金屬金微粒子的WO3 3，並利
用研缽進行粉碎，藉此獲得1.47g擔載有金屬微粒子的WO3粉末3。
利用SEM觀察所獲得的擔載有金屬微粒子的WO3粉末3，可確認粒徑約為40nm~100nm的金奈米粒子(利用EDX進行鑑定)以分散的狀態附著於粒徑約為30nm~100nm的WO3上。
<光觸媒製作>
對所獲得的Au/WO3粉末1.5g添加CuO粉末(和光純藥，99.9%)1.5mg(0.1wt%)，使用研缽充分混合，而製作光觸媒粉末3(0.1wt% CuO/7.0wt% Au/WO3)。
表1中表示所述反應結果。圖2中表示擔載有金屬金微粒子的WO3粉末3的SEM圖像。
(實施例4)
代替WO3粉末而使用TiO2粉末(日本艾羅希爾(Nippon Aerosil)製P25，平均一次粒徑為21nm)，除此以外，以與實施例1同樣的方法製作分散有金屬金微粒子的TiO2粉末4及光觸媒粉末4(混合0.1wt% CuO/0.5wt% Au/TiO2)。利用SEM觀察所獲得的擔載有金屬金微粒子的TiO2粉末4，可確認粒徑約為20nm~30nm的金奈米粒子(利用EDX進行鑑定)以分散的狀態附著於TiO2粒子上。表1中表示所述反應結果。
(實施例5)
對Au/WO3粉末1.5g添加CuO粉末(和光純藥，99.9%)15mg(1.0wt%)，除此以外，以與實施例1同樣的方法製作分散有金
屬金微粒子的WO3粉末5及光觸媒粉末5(混合1.0wt% CuO/0.5wt% Au/WO3)。利用SEM觀察所獲得的擔載有金屬金微粒子的WO3粉末5，可確認粒徑約為20nm~30nm的金奈米粒子(利用EDX進行鑑定)以分散的狀態附著於粒徑約為30nm~100nm的WO3粒子上。表1中表示所述反應結果。
(比較例1)
以與實施例1同樣的方法製作WO3粉末。
對WO3粉末1.5g添加CuO粉末(和光純藥，99.9%)1.5mg(0.1wt%)，使用研缽充分混合，而製作光觸媒粉末(混合0.1wt% CuO/WO3)。
表1中表示所述反應結果。
(比較例2)
以與實施例1同樣的方法製作WO3粉末。
然後，將硝酸銅三水合物(Cu(NO3)2‧3H2O)4.7mg溶解於水10g中，而製備硝酸銅水溶液。對WO3粉末1.5g添加硝酸銅水溶液10g(以CuO計相當於0.1wt%)，在熱板(hot plate)上一面攪拌一面蒸發乾固之後，利用電爐進行加熱。加熱是在空氣環境中以450℃進行0.5小時。獲得CuO/WO3粉末(含侵0.1wt% CuO/WO3)1.5g。
表1中表示所述反應結果。
<漫反射光譜的測定>
使用分光光度計(spectrophotometer)(日本分光製造的V670)
並安裝積分球，而對所獲得的實施例的擔載有金屬金微粒子的WO3 1~擔載有金屬金微粒子的WO3 3的漫反射光譜進行測定。光譜測定的參考(reference)是使用標準白色基板。圖1中表示它們的光譜。
根據圖1，實施例1~實施例3中越使Au的擔載量增加，則認為是源自Au奈米粒子的表面電漿子共振的吸收波峰強度越增加，且如表1所示，甲酸分解速度越會提高。
Claims (10)
- 一種光觸媒，其特徵在於包含：金屬氧化物粒子，擔載有具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子，發揮光觸媒作用；以及含金屬元素的粒子，其中所述含金屬元素的粒子的金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上。
- 如申請專利範圍第1項所述的光觸媒，其中所述金屬氧化物粒子的長波長側吸收端波長較源自所述金屬粒子的由表面電漿子共振引起的吸收的吸收波峰波長位於更靠短波長側。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光觸媒，其中所述金屬氧化物粒子包含選自氧化鈦、氧化鎢、氧化釩、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鉍、鎢酸鉍、釩酸鉍、鈦酸鍶及氮氧化鉭所組成的組群中的1種或2種以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光觸媒，其中所述金屬粒子包含選自金及銀中的至少1種以上的金屬元素。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光觸媒，其中所述含金屬元素的粒子為氧化銅、氧化鈀或鈀。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光觸媒，其中所述金屬氧化物粒子的含量為60質量%~99.9質量%，所述金屬粒子的含量為0.099質量%~30質量%，所述含金屬元素的粒子的含量為0.001質量%~10質量%。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光觸媒，其為擔載有所述金屬粒子的所述金屬氧化物粒子與所述含金屬元素的粒子 的粒子混合體。
- 一種光觸媒的製造方法，其特徵在於包括：擔載步驟，使發揮光觸媒作用的金屬氧化物粒子擔載具有由表面電漿子共振引起的吸收的金屬粒子；以及混合步驟，將擔載有所述金屬粒子的所述金屬氧化物粒子與金屬元素為選自銅、鈀及鉑所組成的組群中的1種或2種以上的含金屬元素的粒子進行粒子混合。
- 如申請專利範圍第8項所述的光觸媒的製造方法，其中在所述擔載步驟中，對溶解有所述金屬粒子的前驅物即金屬錯合物的金屬氧化物粒子的分散液進行加熱，藉此，使所述金屬氧化物粒子擔載所述金屬粒子。
- 如申請專利範圍第9項所述的光觸媒的製造方法，其中在所述擔載步驟中，向所述分散液中添加聚乙烯醇。
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