TW201606806A

TW201606806A - 透明導電膜的製造方法以及透明導電膜

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Publication number: TW201606806A
Application number: TW104115983A
Authority: TW
Inventors: Junichi Inoue
Original assignee: Dexerials Corp
Priority date: 2014-05-20
Filing date: 2015-05-20
Publication date: 2016-02-16
Also published as: WO2015177967A1; JP2015220178A

Abstract

本發明提供一種使用金屬奈米線而可容易地製造表面電阻的均勻性優異的透明導電膜的透明導電膜的製造方法，以及使用金屬奈米線的表面電阻的均勻性優異的透明導電膜。本發明的透明導電膜的製造方法的特徵在於包括：分散液製備步驟，其是製備包含金屬奈米線的分散液；分散膜形成步驟，其是使用所述分散液在基材上形成分散膜；及分散膜乾燥步驟，其是對所述基材上的分散膜施加預定方向的下向流的氣流；且所述氣流向所述分散膜的到達速度為0.5 m/秒以上且18.0 m/秒以下。

Description

透明導電膜的製造方法以及透明導電膜

本發明是有關於一種透明導電膜的製造方法以及透明導電膜，特別是有關於一種製造使用金屬奈米線（metal nanowire）的透明導電膜的透明導電膜的製造方法，以及藉由該製造方法而製造的透明導電膜。

設置於觸控面板（ touch panel ）等顯示面板（ displaypanel）的顯示面的透明導電膜、進而配置於顯示面板的顯示面側的資料輸入裝置的透明導電膜等要求光透過性的透明導電膜中，使用如銦錫氧化物（ Indium Tin Oxide，ITO）之類的金屬氧化物。然而，由於使用金屬氧化物的透明導電膜是藉由真空環境下的濺鍍（ sput）成膜等而製造，故而耗費製造成本（ cost），且容易因彎曲或撓曲等變形而產生破裂或剝離。

因此，研究可利用塗佈或印刷進行成膜且對彎曲或撓曲的耐性亦高的使用金屬奈米線的透明導電膜，來代替使用金屬氧化物的透明導電膜。使用金屬奈米線的透明導電膜作為不使用作為稀有金屬（rare metal）的銦的下一代的透明導電膜亦受到關注（例如參照專利文獻1、專利文獻2）。

且說，通常對於透明導電膜強烈要求電阻遍及其整個表面均勻地分佈。並且，自先前以來，為了達成透明導電膜的表面電阻的分佈的均勻化而進行各種研究。

例如，專利文獻3揭示有可藉由採用如下方法而製造表面電阻的分佈均勻度成為預定範圍內的透明導電性膜卷（film roll），該方法是使用固定配置有多個非接觸式表面電阻測定裝置的捲取式成膜裝置，對使用該捲取式成膜裝置而形成的透明導電膜流通渦電流，根據該渦電流、檢測該渦電流的感測器（sensor）的溫度以及該感測器與透明導電膜的間隔距離，連續地測定透明導電膜的表面電阻，反饋（feedback）其測定結果而控制表面電阻。

另外，例如專利文獻4揭示有在將基材曝露於在對向電極間成為電漿（plasma）狀態的薄膜形成氣體（gas）而在該基材上形成透明導電性薄膜時，一面監測該薄膜的可見光線透過率與電阻值一面控制導入至該對向電極間的薄膜形成氣體的流量或濃度，藉此可形成表面電阻的分佈為±10%以內的透明導電性薄膜。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特表2010-507199號公報 [專利文獻2]日本專利特表2010-525526號公報 [專利文獻3]日本專利第4981432號 [專利文獻4]日本專利特開2004-039469號公報

[發明所欲解決之課題]

然而，所述先前方法是以使用銦錫氧化物（ITO）等金屬氧化物或氣體狀的有機金屬化合物等，而並非所述金屬奈米線為前提。另外，所述先前方法需要各種線內（inline）式的測定裝置或電漿產生裝置等，因此有控制相對複雜，並且用以製造透明導電膜的費用增大的問題。

此外，金屬奈米線有時亦具有可能在濕潤狀態下引起布朗運動（Brownian motion）、可能具有彎曲的形狀、可能在液中或膜中凝聚而容易偏集存在等特性，但關於容易地將使用該金屬奈米線的透明導電膜的表面電阻均勻化的方法，此前幾乎未作報告。

本發明的課題在於解決先前的所述各種問題而達成以下目的。即，本發明的目的在於提供一種使用金屬奈米線，而可容易地製造表面電阻的均勻性優異的透明導電膜的透明導電膜的製造方法，以及使用金屬奈米線的表面電阻的均勻性優異的透明導電膜。 [解決課題之手段]

本發明者等人為了達成所述目的而進行了努力研究，結果發現，在使包含金屬奈米線的分散膜形成於基材上並進行乾燥時，藉由對該分散膜施加預定的氣流，可容易地製造表面電阻的均勻性優異的透明導電膜，從而完成本發明。

本發明是基於本發明者等人的所述見解的發明，用以解決所述課題的手段如下所述。即，＜1＞一種透明導電膜的製造方法，其特徵在於包括：分散液製備步驟，其是製備包含金屬奈米線的分散液；分散膜形成步驟，其是使用所述分散液在基材上形成分散膜；及分散膜乾燥步驟，其是對所述基材上的分散膜施加預定方向的下向流（downflow）的氣流；且所述氣流向所述分散膜的到達速度為0.5 m/秒以上且18.0 m/秒以下。此處，在本發明中，所謂「下向流的氣流」，是指在將該氣流分解為鉛垂方向的向量（vector）與水平方向的向量時，至少具有鉛垂方向下方的向量的氣流。另外此處，在本發明中，所謂「氣流向分散膜的到達速度」是指在分散膜的表面所測定的氣流的速度。在該＜1＞中記載的透明導電膜的製造方法中，分散膜乾燥步驟中所使用的預定方向的下向流的氣流有助於所獲得的透明導電膜的表面電阻的均勻性的提高。＜2＞如所述＜1＞所述的透明導電膜的製造方法，其中以施加於所述分散膜的氣流流動的方向，和與形成有所述分散膜的基材的面正交的方向所成的角度Φ定義的風向為45°以下。＜3＞如所述＜1＞或＜2＞所述的透明導電膜的製造方法，其中所述氣流的溫度為156℃以下。＜4＞如所述＜1＞至＜3＞中任一項所述的透明導電膜的製造方法，其中所述分散膜乾燥步驟中的環境溫度為122℃以下。＜5＞如所述＜1＞至＜4＞中任一項所述的透明導電膜的製造方法，其中所述分散膜乾燥步驟中，在對所述基材上的分散膜施加下向流的氣流時，進而進行紅外線乾燥。＜6＞一種透明導電膜，其是藉由如所述＜1＞至＜5＞中任一項所述的透明導電膜的製造方法所製造的透明導電膜，且表面的任意的12個部位的表面電阻值的標準偏差σ小於20 Ω/sq。 [發明的效果]

根據本發明，可解決先前的所述各種問題而達成所述目的，可提供一種使用金屬奈米線而可容易地製造表面電阻的均勻性優異的透明導電膜的透明導電膜的製造方法，以及使用金屬奈米線的表面電阻的均勻性優異的透明導電膜。

（透明導電膜的製造方法）本發明的透明導電膜的製造方法至少包括分散液製備步驟、分散膜形成步驟、及分散膜乾燥步驟，進而包括視需要適當選擇的加熱硬化處理步驟、壓光（ calender）處理步驟（加壓處理步驟）等其他步驟。

＜分散液製備步驟＞所述分散液製備步驟是製備包含金屬奈米線的分散液的步驟。

＜＜分散液＞＞所述分散液至少包含金屬奈米線，進而視需要包含碳奈米管（carbon nanotube）、透明樹脂材料（黏合劑（binder））、溶劑、分散劑、其他成分等。

所述分散液的分散方法並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可較佳地列舉：攪拌、超音波分散、珠粒（beads）分散、混練、均質機（homogenizer）處理、加壓分散處理等。

所述分散液的黏度並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為1 cP以上且50 cP以下，更佳為10 cP～40 cP。若所述分散液的黏度小於1 cP或超過50 cP，則有在分散膜形成步驟中引起分散膜的形成不良，使表面電阻的分佈不均勻的情況。另一方面，若所述分散液的黏度為所述更佳範圍內，則就可防止分散膜的形成不良而使表面電阻的分佈均勻化的方面而言有利。

所述分散液中的金屬奈米線與任意包含的碳奈米管的合計的調配量並無特別限制，可根據目的而適當選擇，在將所述分散液的質量設為100質量份的情況下，較佳為0.01質量份～10.00質量份。若所述金屬奈米線與任意的碳奈米管的合計的調配量小於0.01質量份，則有最終獲得的透明導電膜中無法獲得金屬奈米線及任意的碳奈米管的充分的單位面積重量（0.001 g/m² ～1.000 g/m² ）的情況，若超過10.00質量份，則有金屬奈米線及任意的碳奈米管的分散性劣化的情況。

-金屬奈米線- 所述金屬奈米線是使用金屬而構成且具有奈米（nm）級（order）的直徑的微細的線。所述金屬奈米線的構成元素只要為金屬元素，則並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：Ag、Au、Ni、Cu、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Fe、Co、Sn、Al、Tl、Zn、Nb、Ti、In、W、Mo、Cr、Fe、V、Ta等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。該些之中，就導電性高的方面而言，較佳為Ag或Cu。

所述金屬奈米線的平均短軸直徑並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為超過1 nm且為500 nm以下，更佳為10 nm～100 nm。若所述金屬奈米線的平均短軸直徑為1 nm以下，則有金屬奈米線的導電率劣化，包含該金屬奈米線的透明導電膜不易發揮作為導電膜的功能的情況，若超過500 nm，則有包含所述金屬奈米線的透明導電膜的全光線透過率或霧度（Haze）劣化的情況。另一方面，若所述金屬奈米線的平均短軸直徑為所述更佳範圍內，則就包含所述金屬奈米線的透明導電膜的導電性高且透明性高的方面而言有利。

所述金屬奈米線的平均長軸長度並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為1 μm～1000 μm，更佳為1 μm～100 μm。若所述金屬奈米線的平均長軸長度小於1 μm，則有金屬奈米線彼此不易連結，包含該金屬奈米線的透明導電膜不易發揮作為導電膜的功能的情況，若超過1000 μm，則有包含所述金屬奈米線的透明導電膜的全光線透過率或霧度（Haze）劣化，或者形成透明導電膜時所使用的分散液中的金屬奈米線的分散性劣化的情況。另一方面，若所述金屬奈米線的平均長軸長度為所述更佳範圍內，則就包含所述金屬奈米線的透明導電膜的導電性高且透明性高的方面而言有利。此外，金屬奈米線的平均短軸直徑及平均長軸長度是可藉由掃描式電子顯微鏡進行測定的數量平均短軸直徑及數量平均長軸長度。更具體而言，對至少100根以上的金屬奈米線進行測定，根據電子顯微鏡照片，使用圖像解析裝置，算出各個奈米線的投影直徑及投影面積。將投影直徑設為短軸直徑。另外，基於下述式算出長軸長度。長軸長度=投影面積/投影直徑平均短軸直徑是設為短軸直徑的算術平均值。平均長軸長度是設為長軸長度的算術平均值。

進而，所述金屬奈米線亦可為金屬奈米粒子連結成數珠狀而具有線（wire）形狀者。該情況下，所述金屬奈米線的長度並無限定。

所述金屬奈米線的單位面積重量並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為0.001 g/m² ～1.000 g/m² ，更佳為0.003 g/m² ～0.3 g/m² 。若所述金屬奈米線的單位面積重量小於0.001 g/m² ，則有金屬奈米線不充分地存在於金屬奈米線層中而透明導電膜的導電性劣化的情況，若超過1.000 g/m² ，則有透明導電膜的全光線透過率或霧度（Haze）劣化的情況。另一方面，若所述金屬奈米線的單位面積重量為所述更佳範圍內，則就透明導電膜的導電性高且透明性高的方面而言有利。

-金屬奈米線網狀物- 此外，所述金屬奈米線網狀物（network）是指多根金屬奈米線相互連結成網狀而形成的網狀構造。所述金屬奈米線網狀物是藉由經過後述加壓處理而形成。

-碳奈米管- 所述碳奈米管並無特別限制，可根據目的而適當選擇，可為利用先前的合成法所合成者，另外，亦可為市售者。所述碳奈米管的合成法並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉電弧放電法（arc discharge method）、雷射蒸發法（laser vaporization method）、熱化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法等。所述碳奈米管並無特別限制，可根據目的而適當選擇，可為單層碳奈米管（SWNT），亦可為多層碳奈米管（MWNT）。其中，較佳為所述單層碳奈米管。所述碳奈米管可為金屬性碳奈米管與半導體性碳奈米管的混合物，另外亦可為選擇性分離的半導體性碳奈米管。

-碳奈米管網狀物- 所述碳奈米管網狀物是指多根碳奈米管相互連結成網狀而形成的網狀構造。所述碳奈米管網狀物是藉由經過後述加壓處理而形成。

-透明樹脂材料（黏合劑）- 所述透明樹脂材料（黏合劑）是使所述金屬奈米線以及任意包含的所述碳奈米管分散者。所述透明樹脂材料（黏合劑）並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉已知的透明的天然高分子樹脂、合成高分子樹脂等，可為熱塑性樹脂，另外，亦可為利用熱、光、電子束、放射線硬化的熱（光）硬化性樹脂。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。所述熱塑性樹脂並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、硝化纖維素（nitrocellulose）、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、偏二氟乙烯、乙基纖維素、羥基丙基甲基纖維素、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮等。所述熱（光）硬化性樹脂並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：三聚氰胺丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、異氰酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸改質矽酸鹽等矽樹脂、主鏈及側鏈的至少任一者中導入有疊氮基或雙吖丙啶基（diazirine group）等感光基的聚合物（polymer）等。

-溶劑- 所述溶劑只要為使金屬奈米線及任意包含的碳奈米管分散者，則並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：水；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇等醇；環己酮（cyclohexanone）、環戊酮、環己酮（anone）等酮；N,N-二甲基甲醯胺（dimethylformamide，DMF）等醯胺；二甲基亞碸（dimethyl sulfoxide，DMSO）等硫化物等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

為了抑制使用所述分散液而形成的分散膜的乾燥不均（drying unevenness）或裂紋（crack），亦可在分散液中進而添加高沸點溶劑。藉此，可控制溶劑自分散液中的蒸發速度。所述高沸點溶劑並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：丁基溶纖劑、二丙酮醇、丁基三乙二醇（butyl triglycol）、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單異丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇二乙醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、丙二醇單丁醚、丙二醇異丙醚、二丙二醇異丙醚、三丙二醇異丙醚、甲基乙二醇（methyl glycol）等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

-分散劑- 所述分散劑並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：聚乙烯吡咯啶酮（polyvinyl pyrrolidone，PVP）；聚乙烯醯亞胺等含胺基化合物；可藉由具有磺基（包含磺酸鹽）、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基（包含羧酸鹽）、醯胺基、磷酸基（包含磷酸鹽、磷酸酯）、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、乙烯基、硫醇基、甲醇基（carbinol group）等官能基的化合物吸附於金屬者等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。亦可使所述分散劑吸附於所述金屬奈米線或任意包含的碳奈米管的表面。藉此，可使所述金屬奈米線或任意包含的碳奈米管的分散性提高。

另外，在對所述分散液添加所述分散劑的情況下，較佳為設為最終獲得的透明導電膜的導電性不會劣化的程度的添加量。藉此，可使所述分散劑以透明導電膜的導電性不會劣化的程度的量吸附於金屬奈米線或任意包含的碳奈米管。

-其他成分- 所述其他成分並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：界面活性劑、黏度調整劑、硬化促進觸媒、塑化性、抗氧化劑或抗硫化劑等穩定劑等。

＜分散膜形成步驟＞所述分散膜形成步驟是使用所述分散液製備步驟中所獲得的分散液在基材上形成分散膜的步驟。

＜＜基材＞＞所述基材並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為主要由無機材料、塑膠（plastic）材料等對可見光具有透過性的材料構成的透明基材。所述透明基材具有具備透明導電膜的透明電極所必需的膜厚，例如設為薄膜化至可實現可撓的彎曲性的程度的膜（film）狀（片（sheet）狀）、或具有可實現適度的彎曲性與剛性的程度的膜厚的平板狀。所述無機材料並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉石英、藍寶石（sapphire）、玻璃等。所述塑膠材料並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：三乙醯纖維素（triacetyl cellulose，TAC）、聚酯（熱塑性聚醚酯彈性體（thermoplastic polyether-ester elastomer，TPEE））、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate，PEN）、聚醯亞胺（polyimide，PI）、聚醯胺（polyamide，PA）、芳族聚醯胺（aramid）、聚乙烯（polyethylene，PE）、聚丙烯酸酯、聚醚碸、聚碸、聚丙烯（polyprolene，PP）、二乙醯纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂（聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate，PMMA））、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、環氧樹脂、脲樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環烯烴聚合物（cycloolefin polymer，COP）等公知的高分子材料。在使用該塑膠材料而構成透明基材的情況下，就生產性的觀點而言，較佳為將透明基材的膜厚設為5 μm～500 μm，但並不特別限定於該範圍。

＜＜分散膜＞＞所述分散膜是使用分散液而形成，該分散液如上所述。另外，所述分散液中可含的金屬奈米線、碳奈米管、透明樹脂材料（黏合劑）、溶劑、分散劑、其他成分均如上文在分散液的說明中所述。

所述分散膜在所述基材上的形成方法並無特別限制，可根據目的而適當選擇，就物性、便利性、製造成本等方面而言，較佳為濕式製膜法。所述濕式製膜法並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉塗佈法、噴霧法（spray method）、印刷法等公知的方法。所述塗佈法並無特別限定，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：微凹版塗佈法（microgravure coat method）、線棒塗佈法（wire bar coat method）、直接凹版塗佈法（direct gravure coat method）、模具塗佈法（die coat method）、浸漬法（dip method）、噴霧塗佈法（spray coat method）、逆輥塗佈法（reverse roll coat method）、簾幕式塗佈法（curtain coat method）、缺角輪塗佈法（comma coat method）、刀式塗佈法（knife coat method）、旋轉塗佈法（spin coat method）等。所述噴霧法並無特別限制，可根據目的而適當選擇。所述印刷法並無特別限定，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：凸版印刷、平板印刷（offset printing）、凹印（gravure printing）、凹版印刷、橡膠版印刷、網版印刷（screen printing）、噴墨印刷（ink jet printing）等。

所述分散膜的厚度並無特別限制，可根據目的而適當選擇，濕潤厚度較佳為3 μm～20 μm，更佳為5 μm～15 μm。若所述分散膜的濕潤厚度小於3 μm，則有難以形成分散膜的的情況，若超過20 μm，則有所獲得的透明導電膜的表面電阻的分佈變得不均勻的情況。另一方面，若所述分散膜的濕潤厚度為所述更佳範圍內，則就分散膜的良好的形成及所獲得的透明導電膜的表面電阻的分佈的均勻性的方面而言有利。

＜分散膜乾燥步驟＞所述分散膜乾燥步驟是對所述分散膜形成步驟中所形成的分散膜施加下向流的氣流而對該分散膜進行乾燥的步驟。該步驟中，可將所述分散膜中所含的溶劑去除。此處，分散膜如上所述。

＜＜下向流的氣流＞＞所述分散膜乾燥步驟中，如圖1中表示其一例般，對所述分散膜形成步驟中形成於基材2上的分散膜1施加預定方向的下向流的氣流3。藉此，可有效地抑制分散膜1內的金屬奈米線的凝聚且將溶劑去除。因此，根據本發明，可使所獲得的透明導電膜的表面電阻的均勻性提高。此處，在本發明中，所謂「下向流的氣流」，是指在將該氣流分解為鉛垂方向的向量與水平方向的向量時，至少具有鉛垂方向下方的向量的氣流。因此，所述「下向流的氣流」不包含水平方向的氣流或朝向鉛垂方向上方的氣流。

所述分散膜乾燥步驟中，亦可一面以預定速度搬送形成有分散膜的基材，一面對所述分散膜施加預定方向的下向流的氣流。該情況下，所述基材的搬送速度並無特別限制，可根據目的而適當，就將後述風向的相對變化抑制為最小限度的觀點而言，較佳為100 m/min以下，更佳為50 m/min以下，進而較佳為5 m/min以下。

對所述分散膜進行乾燥的方法只要對形成於基材上的分散膜施加下向流的氣流，則並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉如下方法：使用具備可將空氣加熱至任意溫度的加熱機構、及可將該空氣以氣流的方式供給的噴嘴（nozzle）的乾燥裝置，自該噴嘴向預定方向供給所述氣流，施加於基材上的分散膜而進行乾燥。

-紅外線乾燥- 所述分散膜乾燥步驟中，亦可僅藉由對所述基材上的分散膜施加預定方向的下向流的氣流而對分散膜進行乾燥，在對所述基材上的分散膜施加預定方向的下向流的氣流時，較佳為進而進行紅外線乾燥。所述分散膜乾燥步驟中進而進行紅外線乾燥時，就利用分散膜的更有效率的乾燥而防止乾燥不均、以及伴隨於此的表面電阻的均勻性的提高的觀點而言有利。特別是紅外線的波長接近水的吸收波長，因此在所述分散液包含水系溶劑的情況下更有利。

-氣流的成分- 所述氣流的成分並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉空氣、氮氣等。該些之中，就費用及通用性的觀點而言，較佳為空氣。

-氣流的溫度- 所述氣流的溫度並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為156℃以下，更佳為30℃～120℃。若所述下向流的氣流的溫度超過156℃，則有用以將氣流加熱的時間及費用增大，並且表面電阻高且變得不均勻的情況。另一方面，若所述下向流的氣流的溫度為所述更佳範圍內，則就抑制用以將氣流加熱的時間及費用、防止因分散膜的有效的乾燥所致的乾燥不均、以及提高表面電阻的均勻性的觀點而言有利。此外，所述氣流的溫度可藉由溫度測定中通常所使用的市售的溫度計、例如熱電偶溫度計而進行測定。

-環境溫度- 所述環境溫度是指對基材上的分散膜施加下向流的氣流時所述基材的周圍的溫度。所述環境溫度並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為122℃以下，更佳為30℃～100℃。若所述環境溫度超過122℃，則有因兼顧基材的玻璃轉移溫度（Tg）而導致基材彎曲，或無法使所獲得的透明導電膜的表面電阻充分地均勻化的情況。另一方面，若所述環境溫度為所述更佳範圍內，則就防止因分散膜的有效的乾燥所致的乾燥不均、以及降低表面電阻及提高均勻性的觀點而言有利。此處，例如若所述環境溫度與所述氣流的溫度的差大，則所述環境溫度可能經時性上升，但即便在此種情況下，亦只要為所述範圍內則有利。此外，所述環境溫度可藉由溫度的測定中通常所使用的市售的溫度計、例如熱電偶溫度計而進行測定。

-氣流的到達速度- 所述氣流向所述分散膜的到達速度只要為0.5 m/秒以上且18.0 m/秒以下則並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為0.5 m/秒以上且小於15.0 m/秒，更佳為1.0 m/秒以上且小於10.0 m/秒。若所述氣流向分散膜的到達速度小於0.5 m/秒，則無法有效地抑制分散膜內金屬奈米線的凝聚且無法將溶劑去除，結果無法使所獲得的透明導電膜的表面電阻的均勻性提高。另外，若所述氣流向分散膜的到達速度超過18.0 m/秒，則有如下情況：因所述氣流的力的作用而於分散膜本身產生偏集，由此使該分散膜中所含的金屬奈米線偏集存在，導致表面電阻的不均勻化。另一方面，若所述氣流向分散膜的到達速度為所述較佳範圍內及所述更佳範圍內的任一者，則就防止分散膜本身的偏集以及提高所獲得的透明導電膜的表面電阻的均勻性的觀點而言有利。此外，在本發明中，所謂「氣流向分散膜的到達速度」是指在分散膜的表面所測定的氣流的速度，可藉由風速的測定中通常所使用的市售的風速計而進行測定。

-風向- 如圖1的符號5所表示般，所述風向是以施加於分散膜1的氣流3流動的方向和與形成有分散膜1的基材2的面正交的方向所成的角度Φ所定義。所述風向並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為45°以下，更佳為30°以下。若所述風向超過45°，則有表面電阻高且變得不均勻的情況。另一方面，若所述風向為所述更佳範圍，則就表面電阻的降低及表面電阻的均勻性的觀點而言有利。此外，風向例如在具備可將空氣以氣流的方式供給的噴嘴的乾燥裝置中，可藉由改變該噴嘴的角度而進行調節。

-施加氣流的時間- 所述分散膜乾燥步驟中對分散膜施加氣流的時間並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為0.5分鐘～10分鐘，更佳為1分鐘～5分鐘。若所述分散膜乾燥步驟中對分散膜施加氣流的時間小於0.5分鐘，則有分散膜的乾燥變得不充分而產生乾燥不均的情況，若超過10分鐘，則有因增大乾燥裝置的尺寸（size）而使製造成本增大的情況。另一方面，若所述時間為所述更佳範圍內，則就分散膜的充分的乾燥及抑制製造成本的方面而言有利。

＜加熱硬化處理步驟＞所述加熱硬化處理步驟是在所述分散膜乾燥步驟後進行加熱硬化處理而獲得透明導電膜的步驟。所述加熱硬化處理中的加熱溫度並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為60℃～140℃，更佳為80℃～120℃，尤佳為約120℃。若所述加熱硬化處理中的加熱溫度小於60℃，則有乾燥所需的時間變長而作業性惡化的情況，若超過140℃，則有因兼顧基材的玻璃轉移溫度（Tg）而導致基材彎曲的情況。另一方面，若所述加熱硬化處理中的加熱溫度為所述更佳範圍內或所述尤佳溫度，則就金屬奈米線的網狀物形成的方面而言有利。所述加熱硬化處理中的加熱時間並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為1分鐘～30分鐘，更佳為2分鐘～10分鐘，尤佳為約5分鐘。若所述加熱硬化處理中的加熱時間小於1分鐘，則有硬化不充分的情況，若超過30分鐘，則有作業性惡化的情況。另一方面，若所述加熱硬化處理中的加熱時間為所述更佳範圍內或所述尤佳時間，則就金屬奈米線或碳奈米管的網狀物形成及作業性的方面而言有利。

＜壓光處理步驟（加壓處理步驟）＞所述壓光處理步驟（加壓處理步驟）是對所述透明導電膜進行壓光處理（加壓處理）的步驟。所述壓光處理（加壓處理）中，例如透明導電膜被由壓輥（press roll）（第1輥）與後輥（back roll）（第2輥）構成的輥對夾持而加壓。

所述加壓處理中所使用的輥並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉彈性輥、金屬輥等。根據所述加壓處理中所使用的輥的種類而適當調整所述加壓處理中的面壓、線寬、加壓（荷重）及搬送速度。另外，所述加壓處理中，為了對透明導電膜進行加壓，亦可使用「夾持輥（nip roll）」或「夾送輥（pinch roll）」。

＜＜彈性輥＞＞所述彈性輥的材質並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉主成分為氯丁二烯聚合物的橡膠、丙烯腈丁二烯橡膠（acrylonitrile butadiene rubber，NBR）、乙烯-丙烯-二烯橡膠（ethylene propylene diene monomer，EPDM）等橡膠；樹脂等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。該些之中，較佳為高硬度且具有耐溶劑性的橡膠。此外，在所述加壓處理中必需輥溫度調整的情況下，較佳為將所述彈性輥的材質設為樹脂而並非橡膠。

所述彈性輥的直徑並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為30 mm～1,000 mm，更佳為40 mm～500 mm，尤佳為50 mm～300 mm。若所述彈性輥的直徑小於30 mm，則有難以將橡膠捲繞於金屬輥而難以製作彈性輥的情況，若超過1,000 mm，則有輥的操作變得困難的情況。另一方面，若所述彈性輥的直徑為所述更佳範圍內或所述尤佳範圍內，則就輥製作及操作的方面而言有利。

＜＜金屬輥＞＞所述金屬輥並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉不鏽鋼（SUS）輥或鋼輥（steel roll）等。此處，所述金屬輥所使用的金屬例如亦可經硬鉻鍍敷加工。該些之中，較佳為加工性及耐溶劑性高的金屬。

所述金屬輥的直徑並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為30 mm～1,000 mm，更佳為40 mm～500 mm，尤佳為50 mm～300 mm。若所述金屬輥的直徑小於30 mm，則有輥的製作變得困難的情況，若超過1,000 mm，則有輥的操作變得困難的情況。另一方面，若所述金屬輥的直徑為所述更佳範圍內或所述尤佳範圍內，則就輥製作及操作的方面而言有利。

所述加壓處理步驟中，較佳為使用直徑小於200 mm的金屬輥作為壓輥（第1輥），另外，較佳為使用直徑200 mm以上的彈性輥作為後輥（第2輥）。所述加壓處理步驟中，藉由使用直徑小於200 mm的金屬輥作為壓輥（第1輥），且使用直徑200 mm以上的彈性輥作為後輥（第2輥），可增大緩衝（cushion）作用而較佳地釋放壓力。

（透明導電膜）本發明的透明導電膜是藉由所述本發明的透明導電膜的製造方法、即至少包括分散液製備步驟、分散膜形成步驟、及分散膜乾燥步驟且進而包括視需要適當選擇的其他步驟的方法而製造的透明導電膜，且表面的任意的12個部位的表面電阻值的標準偏差σ小於20 Ω/sq。本發明的透明導電膜是藉由本發明的透明導電膜的製造方法而製造，因此表面電阻的均勻性優異。此外，本發明的透明導電膜的表面電阻值的所述標準偏差σ只要小於20 Ω/sq，則並無特別限制，更佳為小於10 Ω/sq。若所述標準偏差為所述更佳範圍內，則就表面電阻的均勻性更優異而可較佳地用於顯示面板或資料輸入裝置等的方面而言有利。 [實施例]

其次，列舉實施例及比較例更具體地說明本發明，但本發明並不限制於下述實施例。

（實施例1）＜銀奈米線墨水（ink）（分散液）的製備＞以下述調配製備銀奈米線墨水（分散液）。此外，所獲得的銀奈米線墨水（分散液）的黏度為15 cP。（1）金屬奈米線：銀奈米線（海貝科技（Seashell Technology）公司製造，AgNW-25，平均短軸直徑25 nm（出廠值（maker value）），平均長軸長度23 μm（出廠值））：調配量0.05質量份（2）黏合劑（透明樹脂材料）：羥基丙基甲基纖維素（奧德里奇（Aldrich）公司製造，2%水溶液在20℃下的黏度為80 cP～120 cP（文獻值））：調配量0.15質量份（3）溶劑：（i）水：調配量89.80質量份、（ii）乙醇：調配量10.00質量份

＜分散膜的形成＞藉由線棒塗佈法以線棒（序號10）將所製備的銀奈米線墨水（分散液）塗佈於平板狀的透明基材（PET：東麗（Toray）股份有限公司製造，U34，厚度125 μm）上而形成厚度20 μm的銀奈米線分散膜。此處，將銀奈米線的單位面積重量設為約0.01 g/m² 。

＜分散膜的乾燥及加熱硬化＞其次，將形成有銀奈米線分散膜的平板狀的基材在乾燥裝置內以1.8 m/min的速度搬送，此時，對形成於該平板狀的基材上的銀奈米線分散膜整體，施加與平板狀的基材的搬送方向正交的氣流2分鐘。此時，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）設為33℃，將氣流的溫度（T_x ）設為43℃，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）設為0.5 m/秒。另外，將風向（施加於分散膜的氣流流動的方向和與形成有分散膜的平板狀的基材的面正交的方向所成的角度Φ）設為0°。此外，環境溫度（T_o ）及氣流的溫度（T_x ）是使用A&D股份有限公司製造的熱電偶溫度計AD-5601A進行測定，氣流向分散膜的到達速度（V_x ）是使用亞速旺（ASONE）股份有限公司製造的Ex袖珍風速計（Ex pocket anemometer）AM-261，使該風速計的測定部接觸於分散膜表面而進行測定。其後，在烘箱（oven）中進行120℃5分鐘的加熱硬化處理而製作銀奈米線透明導電膜。

＜銀奈米線透明導電膜的加壓處理＞針對所製作的銀奈米線透明導電膜，使用具備圓柱狀的壓輥（第1輥）及後輥（第2輥）的壓光處理裝置進行壓光處理（加壓處理）。在壓光處理（加壓處理）時，將壓輥（第1輥）及後輥兩者設為鋼製輥（製造公司名：宮川輥（MIYAKAWA ROLLER）），將加壓（荷重）設為4 kN，將搬送速度設為1 m/min。

＜電阻值的測定＞以如下方式測定經加壓處理的銀奈米線透明導電膜的電阻值。使手動式非破壞電阻測定器（納普森（NAPSON）股份有限公司製造，EC-80P）的測定探針（probe）接觸於銀奈米線分散膜表面，在透明導電膜（銀奈米線層）表面上的任意的12個部位進行電阻值測定，將其平均值設為電阻值（Ω/sq）。將測定結果示於表1。

＜電阻分佈的評價＞使用所述電阻值的測定中所測定的任意的12個部位的值，算出其標準偏差σ作為電阻分佈。將算出結果示於表1。

（實施例2）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為2.0 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例3）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為3.6 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例4）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為5.0 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例5）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為7.2 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例6）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為10.0 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例7）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為14.4 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例8）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為16.2 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例9）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為18.0 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_o ）在內，將結果示於表1。

（實施例10）在實施例4中，將風向自0°變為自平板狀的基材的搬送方向近前側觀察為順時針方向15°，除此以外，以與實施例4相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表1。

（實施例11）在實施例10中，將風向自15°變為30°，除此以外，以與實施例10相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表2。

（實施例12）在實施例10中，將風向自15°變為45°，除此以外，以與實施例10相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表2。

（實施例13）在實施例10中，將風向由自平板狀的基材的搬送方向近前側觀察為順時針方向15°變為逆時針方向15°，除此以外，以與實施例10相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表2。

（實施例14）在實施例13中，將風向自15°變為30°，除此以外，以與實施例13相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表2。

（實施例15）在實施例13中，將風向自15°變為45°，除此以外，以與實施例13相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表2。

（實施例16）在實施例4中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自35℃變為20℃，將氣流的溫度（T_x ）自45℃變為26℃，除此以外，以與實施例4相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表2。

（實施例17）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為30℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為34℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表2。

（實施例18）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為48℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為61℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表2。

（實施例19）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為66℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為82℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表2。

（實施例20）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為78℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為99℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表2。

（實施例21）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為89℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為122℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表3。

（實施例22）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為103℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為138℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表3。

（實施例23）在實施例16中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自20℃變為115℃，將氣流的溫度（T_x ）自26℃變為156℃，除此以外，以與實施例16相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表3。

（實施例24）在實施例4中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自35℃變為45℃，一面施加氣流一面進而進行紅外線乾燥，除此以外，以與實施例4相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表3。

（實施例25）在實施例24中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自45℃變為55℃，除此以外，以與實施例24相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表3。

（實施例26）在實施例24中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自45℃變為65℃，除此以外，以與實施例24相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表3。

（實施例27）在實施例24中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自45℃變為89℃，除此以外，以與實施例24相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表3。

（實施例28）在實施例24中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自45℃變為122℃，除此以外，以與實施例24相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表3。

（實施例29）在實施例24中，將乾燥裝置內的環境溫度（T_o ）自45℃變為138℃，除此以外，以與實施例24相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表3。

（比較例1）在實施例1中，代替在乾燥裝置內搬送平板狀的基材且對形成於平板狀的基材上的銀奈米線分散膜整體施加氣流2分鐘的情況，而將環境溫度（T_o ）設為20℃，進行形成於平板狀的基材上的銀奈米線分散膜的自然乾燥10分鐘，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表4。

（比較例2）在實施例1中，代替在乾燥裝置內搬送平板狀的基材且對形成於平板狀的基材上的銀奈米線分散膜整體施加氣流2分鐘的情況，而將平板狀的基材以未形成有銀奈米線分散膜的面為下側配置於加熱板（hot plate），將板溫度設為120℃、環境溫度（T_o ）設為50℃而保持5分鐘，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表4。

（比較例3）在比較例2中，將環境溫度（T_o ）自50℃變為80℃，除此以外，以與比較例2相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表4。

（比較例4）在實施例1中，將氣流向分散膜的到達速度（V_x ）自0.5 m/秒變為20.0 m/秒，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。包括此時的環境溫度（T_o ）、氣流的溫度（T_x ）在內，將結果示於表4。

（比較例5）在實施例1中，代替在乾燥裝置內搬送平板狀的基材且將環境溫度（T_o ）設為33℃、將氣流的溫度（T_x ）設為43℃並施加向分散膜的到達速度（V_x ）為0.5 m/秒的所述氣流的情況，而將環境溫度（T_o ）設為50℃、將氣流的溫度（T_x ）設為60℃並在所述氣流向分散膜的到達速度（V_x ）小於15 m/秒的亂流狀態的乾燥烘箱內保持5分鐘，除此以外，以與實施例1相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表4。

（比較例6）在比較例5中，將環境溫度（T_o ）自50℃變為80℃，將氣流的溫度（T_x ）自60℃變為95℃，除此以外，以與比較例5相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表4。

（比較例7）在比較例5中，將環境溫度（T_o ）自50℃變為110℃，將氣流的溫度（T_x ）自60℃變為140℃，除此以外，以與比較例5相同的方式製作經加壓處理的銀奈米線透明導電膜，進行電阻值的測定及電阻分佈的評價。將結果示於表4。

[表1] 表1

[表2] 表2

[表3] 表3

[表4] 表4

根據表1～表4可知，在對形成於基材上的分散膜進行乾燥時，經過將向基材的到達速度為0.5 m/秒以上且18.0 m/秒以下的下向流的氣流施加於該分散膜的步驟的實施例1～實施例29與未經過該步驟的比較例1～比較例7相比，可製造表面電阻的均勻性優異的透明導電膜。 [產業上之可利用性]

使用本發明的塗敷方法而製造的透明導電膜可較佳地用作用於筆記型個人電腦（note personal computer）、智慧型手機（smart phone）等電子設備的使用銦錫氧化物（ITO）等金屬氧化物的透明導電膜的代替物。

1‧‧‧分散膜
2‧‧‧基材
3‧‧‧下向流的氣流
4‧‧‧形成有分散膜的基材面的正交方向
5‧‧‧風向（角度Φ）

圖1 是用以說明本發明的透明導電膜的製造方法的分散膜乾燥步驟的示意圖。

1‧‧‧分散膜

2‧‧‧基材

3‧‧‧下向流的氣流

4‧‧‧形成有分散膜的基材面的正交方向

5‧‧‧風向(角度Φ)

Claims

一種透明導電膜的製造方法，其特徵在於包括：分散液製備步驟，其是製備包含金屬奈米線的分散液；分散膜形成步驟，其是使用所述分散液在基材上形成分散膜；及分散膜乾燥步驟，其是對所述基材上的所述分散膜施加預定方向的下向流的氣流；且所述氣流向所述分散膜的到達速度為0.5 m/秒以上且18.0 m/秒以下。
如申請專利範圍第1項所述的透明導電膜的製造方法，其中以施加於所述分散膜的所述氣流流動的方向，和與形成有所述分散膜的所述基材的面正交的方向所成的角度Φ定義的風向為45°以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電膜的製造方法，其中所述氣流的溫度為156℃以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電膜的製造方法，其中所述分散膜乾燥步驟中的環境溫度為122℃以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電膜的製造方法，其中在所述分散膜乾燥步驟中，在對所述基材上的所述分散膜施加下向流的所述氣流時，進而進行紅外線乾燥。
一種透明導電膜，其是藉由如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電膜的製造方法所製造的透明導電膜，且表面的任意的12個部位的表面電阻值的標準偏差σ小於20 Ω/sq。