TW201602580A - 線性檢查系統 - Google Patents

線性檢查系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201602580A
TW201602580A TW104118365A TW104118365A TW201602580A TW 201602580 A TW201602580 A TW 201602580A TW 104118365 A TW104118365 A TW 104118365A TW 104118365 A TW104118365 A TW 104118365A TW 201602580 A TW201602580 A TW 201602580A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
unit
substrate
inspection
conveyor
less
Prior art date
Application number
TW104118365A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI586963B (zh
Inventor
施勒岑杰阿薩夫
鍾聲德
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201602580A publication Critical patent/TW201602580A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI586963B publication Critical patent/TWI586963B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • H02S50/15—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells using optical means, e.g. using electroluminescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
    • G01N2201/0612—Laser diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

本發明之實施例大體而言係關於全面、可擴充基板檢查系統。檢查系統包括多個測量單元，該等測量單元經調適以檢查、偵測或量測基板之一或更多個特徵，該等特徵包括厚度、電阻率、鋸痕、幾何形狀、污點、卷屑、微裂紋、晶體分數及光致發光。可使用檢查系統識別基板上的缺陷，並在將基板處理成太陽能電池之前評估利用基板生產之太陽能電池之太陽能電池效率。可在傳送軌或輸送器上將基板移送穿過測量單元之間的檢查系統，且隨後基於檢查資料將該等基板分類。

Description

線性檢查系統
本發明之實施例大體而言係關於一種用於檢查基板(諸如半導體基板)之檢查系統。
在處理期間，在獨立檢查站處例行檢查基板(諸如半導體基板)以確保符合預定品質控制標準。不同檢查技術提供關於產品及製程之全面資料。然而，歸因於所需要之檢查站數目及在該等檢查站之間移動基板所產生之移送時間，全面檢查可能為費時的，從而降低了產量。因此，裝置製造商常常面臨在繁重檢查/移送時間下的徹底檢查或前述某些檢查製程之間作出抉擇。
因此，需要一種能夠迅速且全面地檢查基板之基板檢查系統。
本發明之實施例大體而言係關於全面、可擴充的基板檢查系統。檢查系統包括多個測量單元，該等測量單元經調適以檢查、偵測或量測基板之一或更多個特徵，該等特徵包括厚度、電阻率、鋸痕、幾何形狀、污點、卷屑、微裂紋及晶體分數。檢查系統可用於識別基板上的缺陷且在處理基板之前評估 電池效率。可在傳送軌或輸送器上將基板移送穿過測量單元之間的檢查系統，且隨後基於檢查資料將該等基板分類至各個箱中。
在一個實施例中，檢查系統包含：前端， 該前端包括機器人，該機器人經調適以自晶匣卸載基板且將基板裝載至輸送器上；及模組化單元，該模組化單元包括沿輸送器線性安置的一或更多個測量單元。一或更多個測量單元經調適以檢查由輸送器移送之基板。一或更多個測量單元包括微裂紋檢查單元、厚度量測單元、光致發光單元、幾何形狀檢查單元及鋸痕偵測單元。檢查系統進一步包括：良率分析伺服器，該良率分析伺服器經調適以接收並處理來自測量單元之檢查資料；及分類單元，該分類單元經調適以基於檢查資料將基板分類。
在另一實施例中，檢查系統包含：前端， 該前端包括機器人，該機器人經調適以自晶匣卸載基板且將基板裝載至輸送器上；及模組化單元，該模組化單元包括沿輸送器線性安置的一或更多個測量單元。一或更多個測量單元經調適以檢查由輸送器移送之基板。一或更多個測量單元包括微裂紋檢查單元及厚度量測單元，該厚度量測單元能夠在0.5微米或更小之可重複性下量測基板厚度且能夠在1%以下之可重複性下量測基板電阻率。一或更多個測量單元亦包括光致發光單元、幾何形狀檢查單元及鋸痕偵測單 元，該幾何形狀檢查單元能夠在小於約10微米之可重複性下量測基板長度。幾何形狀檢查單元包括一對U形偵測器。檢查系統亦包括：良率分析伺服器，該良率分析伺服器經調適以接收並處理來自測量單元之檢查資料；及分類單元，該分類單元經調適以基於檢查資料將基板分類。良率分析伺服器經調適以使用自光致發光單元所接收之檢查資料產生磚塊或錠塊之三維虛擬重建，該等基板自該磚塊或錠塊切割。
在另一實施例中，檢查系統包含：前端， 該前端包括機器人，該機器人經調適以自晶匣卸載基板且將基板裝載至第一輸送器上；及模組化單元，該模組化單元包括沿第一輸送器線性安置的一或更多個測量單元。一或更多個測量單元經調適以檢查由第一輸送器移送之基板。一或更多個測量單元包括微裂紋檢查單元及厚度量測單元，該厚度量測單元能夠在0.5微米或更小之可重複性下量測基板厚度且能夠在1%以下之可重複性下量測基板電阻率。一或更多個測量單元亦包括光致發光單元、鋸痕偵測單元及幾何形狀檢查單元。幾何形狀檢查單元能夠在小於約10微米之可重複性下量測基板長度，能夠在小於約40微米之可重複性下量測基板寬度，且能夠在約0.1度或更小之可重複性下量測基板正交性。幾何形狀檢查單元包括一對U形偵測器。檢查系統亦包括良率分析伺服器，該良率分析伺服器經調適以接收並處理來自 測量單元之檢查資料。良率分析伺服器經調適以使用自光致發光單元所接收之檢查資料產生磚塊或錠塊之三維虛擬重建。檢查系統亦包括分類單元，該分類單元經調適以基於檢查資料將基板分類。分類單元包括：第二輸送器；複數個箱，該等箱經側向安置在第二輸送器之邊緣外側；及複數個分類機構，該等分類機構用於將基板自第二輸送器移送至複數個箱。
100‧‧‧檢查系統
101‧‧‧前端
102‧‧‧模組化單元
103‧‧‧分類單元
104‧‧‧移送機器人
104e‧‧‧支撐元件
105‧‧‧基板
106‧‧‧輸送器
106a‧‧‧輸送器
106b‧‧‧輸送器
107a‧‧‧測量單元
107b‧‧‧測量單元
107c‧‧‧測量單元
107d‧‧‧測量單元
107e‧‧‧測量單元
109‧‧‧晶匣
115‧‧‧箱
115a‧‧‧外側向外邊緣
115b‧‧‧內側向內邊緣
116‧‧‧分類機構
130‧‧‧輸送器系統
210‧‧‧電腦
211a‧‧‧電腦
211b‧‧‧電腦
211c‧‧‧電腦
211d‧‧‧電腦
211e‧‧‧電腦
212‧‧‧存取面板
213‧‧‧存取埠
216‧‧‧存取面板
217‧‧‧良率分析伺服器
350‧‧‧流程圖
351‧‧‧操作
352‧‧‧操作
353‧‧‧操作
354‧‧‧操作
355‧‧‧操作
356‧‧‧操作
357‧‧‧操作
358‧‧‧操作
460‧‧‧曲線圖
540‧‧‧U形偵測器
541‧‧‧電纜
680‧‧‧曲線圖
681‧‧‧曲線圖
682‧‧‧曲線圖
716b‧‧‧傳送帶
716d‧‧‧驅動滾軸
716g‧‧‧導引滾軸
790‧‧‧基板接收表面
791‧‧‧支撐件
792‧‧‧可調構件
793‧‧‧致動器
793c‧‧‧導管
794‧‧‧導引件/致動器
795b‧‧‧傳送帶
795p‧‧‧滑輪
796‧‧‧支撐件
因此，以可詳細理解本發明之上述特徵之方式，可參照實施例獲得上文簡要概述之本發明之更特定描述，其中一些實施例圖示於附圖中。然而，應注意，附圖僅圖示出示例性實施例，並且因此該等圖式不欲視為本發明範疇之限制，因為本發明可允許其他同等有效之實施例。
第1圖圖示根據一個實施例的檢查系統之頂部平面圖。
第2圖圖示第1圖之檢查系統之側視圖。
第3圖圖示根據一個實施例的檢查基板之方法之流程圖。
第4圖圖示所量測電池效率與光致發光位錯百分比之間的關係。
第5圖圖示根據一個實施例的幾何形狀檢查單元之偵測器。
第6圖圖示使用表面輪廓分析以及厚度 量測分別對基板之頂表面及底表面上的鋸痕之偵測。
第7圖圖示根據一個實施例的基板至箱 之移送。
為了促進理解，在可能的情況下，已使 用相同元件符號代表諸圖共用之相同元件。應設想，一個實施例中之元件及特徵結構可有益地併入其他實施例而無需進一步贅述。
本發明之實施例大體而言係關於全面、 可擴充基板檢查系統。檢查系統包括多個測量單元，該等測量單元經調適以檢查、偵測或量測基板之一或更多個特徵，該等特徵包括厚度、電阻率、鋸痕、幾何形狀、污點、卷屑、微裂紋、晶體分數及光致發光。 可使用檢查系統識別基板上的缺陷，並在將基板處理成太陽能電池之前評估利用基板生產之太陽能電池之太陽能電池效率。可在傳送軌或輸送器上將基板移送穿過測量單元之間的檢查系統，且隨後基於檢查資料將該等基板分類。本發明之系統可用於包括半導體晶圓及太陽能電池的基板之檢查；然而，亦設想其他類型基板之檢查。
第1圖圖示根據一個實施例的檢查系統 100之頂部平面圖。檢查系統100包括前端101、模組化單元102及相對於另一者線性安置的分類單元 103。前端101包括移送機器人104，該移送機器人具有支撐元件104e，諸如抽吸元件、端效器、夾持器或夾鉗，以便夾持並移送基板105。移送機器人104經調適以將基板105自位於前端101內之一或更多個晶匣109移送至輸送器系統130。輸送器系統130可為馬達驅動輸送器系統，該輸送器系統包括一或更多個輸送器106a、106b，諸如由致動器經由滾軸及/或驅動齒輪所驅動之傳送帶或傳送軌(圖示兩個傳送帶或傳送軌)。以線性(直線)排列相繼安置輸送器106a、106b，以將自移送機器人104所接收之基板105移送穿過模組化單元102且到達分類單元103內的位置。在所示實施例中，充分靠近彼此安置輸送器106a、106b以允許基板橋接該等輸送器之間的縫隙，或可在傳送帶之間安置滾軸(未圖示)以在傳送帶之間支撐基板，且從而促進兩個輸送器之間的基板移送。
在模組化單元102內安置輸送器106a 且輸送器106a促進基板105穿過模組化單元102之移送。可在前端101與模組化單元102之間或在模組化單元102與分類單元103之間安置額外模組化單元，以促進檢查系統100之擴充。可隨後替換輸送器系統130中的一或更多個輸送器以容納額外模組化單元。模組化單元中之各者可包括一或更多個測量單元。在第1圖之實施例中，模組化單元102包括五個 測量單元107a至107e。應設想，亦可在空間允許時藉由將額外測量單元添加至模組化單元102來修改檢查系統100，而非添加第二模組化單元，從而增加所評估之產量及/或特徵。
在一個實例中，測量單元107a為微裂紋 檢查單元，該微裂紋檢查單元經調適以檢查基板105是否有裂紋，以及視情況地判定基板105之晶體分數。鄰近於前端101安置測量單元107a，且該測量單元經配置以收納由移送機器人104安置在輸送器系統130上之基板105。在發生檢查(諸如微裂紋偵測)時，以連續方式相對於測量單元107a移動基板105。
測量單元107b可為厚度量測單元，該厚 度量測單元經調適以量測基板105之基板厚度以及電阻率兩者。在測量單元107a中之檢查之後，測量單元107b接收沿輸送器106a移送之基板105。沿基板105之直線路徑安置測量單元107b，該直線路徑由測量單元107a之位置下游的輸送器106a界定，且在相對於測量單元移送基板105時，測量單元107b對基板105執行一或更多個檢查製程。在基板處於運動中的同時，執行測量單元107b處發生之檢查製程；然而，應設想，可停止基板105之運動以促進檢查準確度增加。
測量單元107c可為光致發光單元，該光 致發光單元經配置以偵測缺陷、執行雜質量測(例如，雜質之百分比)及晶體位錯量測。在測量單元107b中檢查之後，測量單元107c接收沿輸送器系統130移送之基板105。沿基板105之直線路徑安置測量單元107c，該直線路徑由測量單元107a、107b之位置下游的輸送器106a界定；且在相對於測量單元移送基板105時，測量單元107c對基板105執行一或更多個檢查製程。在基板105處於運動中的同時，執行測量單元107c處發生之檢查製程；然而，應設想，可停止基板105之運動以促進檢查準確度增加。
測量單元107d可為幾何形狀檢查單 元，該幾何形狀檢查單元經配置以分析基板105之幾何形狀及表面特性。在測量單元107c中檢查之後，測量單元107d接收沿輸送器系統130移送之基板105。沿基板105之直線路徑安置測量單元107d，該直線路徑由測量單元107a至107c之位置下游的輸送器106a界定；且在相對於測量單元移送基板105時，測量單元107d對基板105執行一或更多個檢查製程。在基板105處於運動中的同時，執行測量單元107d處發生之檢查製程；然而，應設想，可停止基板105之運動以促進檢查準確度增加。
測量單元107e可為鋸痕偵測單元。鋸痕 偵測單元經配置以在運作中執行鋸痕深度及位置之檢查，且可檢查及識別包括凹槽、階梯及雙階梯的鋸痕。沿基板之直線路徑安置測量單元107e，該直線路徑由測量單元107a至107d之位置下游的輸送器106a界定；且在相對於測量單元移送基板105時，測量單元107e對基板105執行一或更多個檢查製程。在基板105處於運動中的同時，執行測量單元107e處發生之檢查製程；然而，應設想，可停止基板105之運動以促進檢查準確度增加。
輸送器系統130將所檢查之基板自模組 化單元102輸送至分類單元103。分類單元103包括從中穿過縱向安置的輸送器106b。如第1圖中所示，輸送器106b可包括一或更多個輸送器傳送帶(圖示兩個輸送器傳送帶)。在輸送器106b之外側安置一或更多個箱115(圖示十二個箱)。在第1圖所示之實施例中，在輸送器106b之每一側上以兩個平行行縱向安置六個箱115。箱115與輸送器106b之邊緣為實質等距的。箱115經調適以自輸送器106b接收基板105。可根據測量單元107a至107e中所執行之檢查製程期間判定的特徵將基板105分類至箱115中。分類機構116鄰近每一箱115且輸送器106b以促進分類基板105至箱115中。分類機構116包括複數個傳送帶或滾軸，該等傳送帶或滾軸經調適以垂直 致動而升降來自輸送器106b之基板105，且將基板105移送至箱115中之選定一者中，而無需停止輸送器106b之運動。
儘管未圖示，但應設想，可在輸送器 106b之末端且與該輸送器成直線安置額外箱115以擷取基板105，該額外箱可從分類中無意地被忽略，從而防止損壞此類基板。儘管圖示12個箱115，但應設想，可包括多於或少於12個箱115，諸如6個、18個或24個箱。
儘管第1圖揭示檢查系統100之一個實 施例，但亦設想其他實施例。舉例而言，儘管輸送器系統130包括兩個輸送器106a、106b，但應設想，輸送器系統130可包括單個輸送器，該輸送器能夠連續傳送基板105穿過檢查系統100。或者，可使用兩個以上輸送器106a、106b。
另外，應設想，測量單元107a至107e 可為彼此之複本。舉例而言，應設想，檢查系統100可包括雙重微裂紋檢查單元、厚度量測單元、光致發光單元、幾何形狀檢查單元或鋸痕偵測單元，以增加產量。在另一實施例中，應設想，可以除了關於第1圖所描述的線性排列或操作次序以外的線性排列或操作次序配置測量單元107a至107e。在另一實施例中，應設想，可用少數電荷載子檢查單元替代測量單元107a至107e中的一或更多者。在另一實施例中， 應設想，可將少數電荷載子檢查單元作為第六測量單元添加。在又一實施例中，應設想，前端可不包括機器人104。確切而言，可藉由鄰近輸送器106a安置晶匣來在輸送器系統130上安置基板105。晶匣可隨後經索引以使得晶匣內的基板接觸輸送器106a，且由於兩者之間的相對運動自晶匣移除到輸送器106a上。進一步索引可促進額外基板之移除。
第2圖圖示第1圖之檢查系統100之側 視圖。如圖所示，以共線配置排列前端101、模組化單元102及分類單元103以使得在輸送器系統130上沿大體直線路徑以連續方式穿過系統傳送基板105(第1圖中所示)以便檢查。前端101以硬幣堆疊配置接收含有基板的一或更多個晶匣，例如每一晶匣內部包括複數個槽縫，每一槽縫經配置以固持基板，且晶匣經安置以使得一個安置於另一個地安置基板。經由機器人104將基板自晶匣移送至輸送器系統130以便移送穿過系統100。前端101包括具有圖形使用者介面的電腦210，該圖形使用者介面經調適以呈現與前端中發生之操作相關的資訊，該等資訊包括量度、批號等。在一個實例中，電腦210可包括觸控螢幕介面。
測量單元107a至107e中之各者(第1 圖中所示)亦具有相應電腦211a至211e，該相應電腦具有圖形使用者介面且該圖形使用者介面經調適 以呈現與各別單元處發生之操作相關的資訊。舉例而言，電腦211a至211e可呈現影像、曲線圖、表格或其他資料中的一或更多者。電腦211a至211e亦可包括觸控螢幕介面。電腦210及211a至211e中之各者可促進與各別前端101或測量單元107a至107e的互動，以便調整該前端或測量單元之製程參數或條件。
輸送器系統130為傳送帶之線性安置系 統，該系統經調適以將基板傳送至鄰近於測量單元107a至107e的位置以便隨即檢查基板。如第2圖中所示，鄰接測量單元107a至107e中之各者安置輸送器系統130，以促進鄰近檢查設備的基板之移送，該檢查設備諸如測量單元107a至107e中之各者之感測器或相機。模組化單元102及前端101可在上端及/或下端處具有一或更多個存取面板212，以促進對測量單元107a至107e及前端101之存取以便維護。模組化單元102亦可包括一或更多個存取埠213，以進一步促進對測量單元107a至107e之存取，以促進對輸送器系統130之存取，以在製程期間移除基板等。
在測量單元107a至107e之下游安置 分類單元103，且該分類單元經調適以基於來自測量單元107a至107e之資料將基板105分類。內部所安置的輸送器106b移送基板鄰近箱115以便基板之分 類。分類單元103包括複數個存取面板216(圖示8個存取面板)以促進分類單元103的硬體之維護。如第2圖中所示，在分類單元103之上部處的輸送器106b上方安置存取面板216，而在分類單元103之下部處的輸送器106b下方安置四個存取面板216。 分類單元103亦可包括藉由一或更多個存取面板216可存取之良率分析伺服器217。或者，應設想，可在模組化單元102中安置良率分析伺服器217及經由一或更多個存取面板212存取該良率分析伺服器。
良率分析伺服器217經耦接至前端101 及測量單元107a至107e中的一或更多者，且該良率分析伺服器經調適以接收、收集、分析、儲存及/或報告資料，該資料自前端101及一或更多個測量單元107a至107e接收且關於從中通過之每一基板。另外，系統使用者可提供與基板相關的資料，該等資料包括自其切割出基板之矽磚塊及磚塊內之基板位置，以及自其切割出磚塊之錠塊中的磚塊位置。良率分析伺服器217能夠在預定間隔上追蹤檢查資料，且可基於檢查資料產生每日或長期曲線圖及統計量。另外，良率分析伺服器217可對於特定爐室、處理腔室中所處理或用相同鋸所加工之基板追蹤資料及分組資料。類似地，良率分析伺服器可對於來自相同錠塊或磚塊之基板，或對於由分離錠塊內的相同相對位置 產生之基板追蹤及分組資料。經由良率分析伺服器217監控及處理資料促進了製造過程中品質控制問題之識別及修正。舉例而言，良率分析伺服器217及該伺服器上的軟體可識別矽澆鑄工具，或特定烘箱、鋸，或處理最大數目之缺陷基板的其他工具；且相反地，識別每一澆鑄工具、烘箱、鋸或其他工具之生產力。又，良率分析伺服器亦可追蹤製造工廠之總產值。
由良率分析伺服器217所產生之樣本資 料可包括：每鋸之最大與最小厚度變化(thickness variation；TV)；每鋸之X與Y方向上的總厚度變化(total thickness variation；TTV)；每鋸之平均TTV；每磚塊之最大與最小電阻率；每鋸及每批之TV良率；每鋸之TV良率損失；每磚塊之光致發光缺陷及雜質；每磚塊之雜質位置；每磚塊之缺陷位置；及每烘箱及每批之光致發光缺陷及雜質資訊。
第3圖圖示根據一個實施例的檢查基板 之方法之流程圖350。流程圖350從操作351開始，在該操作中，在前端(諸如檢查系統100之前端101)之裝載站處安置載運複數個基板以便檢查之晶匣。在操作352中，前端內所安置的機器人自晶匣移除基板，並在輸送器系統(諸如輸送器系統130)上安置該基板。在輸送器系統130移動穿過檢查系統100時，輸送器系統130將基板移送至沿輸送器系統130安置的複數個測量單元中之各者。
在操作353中，鄰近於第一測量單元(諸 如測量單元107a)安置基板，且藉由該第一測量單元檢查該基板。在一個實例中，測量單元107a可為微裂紋檢查單元。在相對於微裂紋檢查單元移動基板時，微裂紋檢查單元可對基板執行一或更多個操作，且隨後將檢查資料轉發至良率分析伺服器217。在操作354中，在沿輸送器系統130移送基板時，鄰近於第二測量單元107b安置基板，且藉由該第二測量單元檢查該基板。在一個實例中，測量單元107b可為厚度與電阻量測單元。在相對於厚度與電阻量測單元移動基板時，厚度與電阻量測單元可對基板執行一或更多個操作，且隨後將檢查資料轉發至良率分析伺服器217。
在操作355中，鄰近於第三測量單元(諸 如測量單元107c)安置基板，且藉由該第三測量單元檢查該基板。在一個實例中，測量單元107c可為光致發光單元。在相對於光致發光單元移動基板時，光致發光單元可對基板執行一或更多個操作，且隨後將檢查資料轉發至良率分析伺服器217。在操作356中，鄰近於第四測量單元(諸如測量單元107d)安置基板，且藉由該第四測量單元檢查該基板。在一個實例中，測量單元107d可為幾何形狀單元。在相對於幾何形狀單元移動基板時，幾何形狀單元可對基板 執行一或更多個操作，且隨後將檢查資料轉發至良率分析伺服器217。
在操作357中，鄰近於第五測量單元(諸 如測量單元107e)安置基板，且藉由該第五測量單元檢查該基板。在一個實例中，測量單元107e可為鋸痕檢查單元。在相對於鋸痕檢查單元移動基板時，鋸痕檢查單元可對基板執行一或更多個操作，且隨後將檢查資料轉發至良率分析伺服器217。
在操作358中，將基板移送至分類單元 (諸如分類單元103)，以便基於操作352至357中之一或更多者中所獲得之檢查資料分類成箱。良率分析伺服器分析所接收之檢查資料並判定其中基板經分類之特定箱。在鄰近於適當箱安置基板時，分類機構致動以將基板自輸送器系統移送至適當箱。
第3圖圖示流程圖350之一個實施例；然 而，亦設想其他實施例。舉例而言，應設想，可取決於檢查系統100中的測量單元數目省略操作353至357中的一或更多者。亦應設想，若檢查系統100包括五個以上的測量單元，則可將額外檢查操作添加至流程圖350。另外，應設想，可歸因於先前檢查操作期間所獲得之檢查結果而省略一或更多個後續檢查操作。舉例而言，若在操作353中，第一測量單元判定基板為具有缺陷的，則可省略操作354至357，且基板可行進至對應於缺陷基板之分類箱。在另一實施 例中，操作351可包括將基板識別資訊提供至良率分析伺服器217。基板識別資訊可包括批號識別、基板識別、晶匣識別及類似識別中的一或更多者，該基板識別資訊促進穿過檢查系統100的基板之追蹤及資料與基板之關聯。
微裂紋檢查單元
微裂紋檢查單元經設計以偵測基板中的微觀裂紋；若未偵測到該等微觀裂紋，則將可能在處理期間產生破損晶圓。微裂紋檢查單元亦可偵測材料包含物及孔，該等材料包含物及孔可對最終產品之效率及品質兩者具有有害影響。在一個實例中，微裂紋檢查單元利用亮場傳輸近紅外波長以偵測基板上所存在之裂紋之對比態樣。在此實例中，可在亮場發射器(諸如雷射二極體)上方安置基板。基板內部的微裂紋影響通過基板的光之紅外部分。CCD相機可經安置以偵測穿過基板的光學傳輸。CCD相機之解析度判定可偵測之最小裂紋寬度。可藉由計數CCD相機影像之關聯暗灰色像素來計算裂紋尺寸。
或者，高強度可閃爍光可傳輸光穿過基板以促進使用高解析度CCD相機擷取影像。薄裂紋散射該光且呈現為所擷取影像上的暗線，而較寬裂紋使得光穿過基板且呈現為白線。藉由量測表示裂紋的像素數目來計算微裂紋長度。亦設想微裂紋檢查之其他方法，該等方法包括掃描聲學顯微法、機械激發、使 用20kHz至90kHz頻率範圍內的外部壓電轉換器之諧振超音波振動、電子斑點圖案干涉測量法、使用空氣耦接轉換器之藍姆波空氣耦接超音波測試及鎖定溫度記錄法。
微裂紋檢查單元可偵測基板上存在之 97%或更多之裂紋，包括小至80微米或更小之針孔，其中具有小於0.3%之誤警率。微裂紋檢查單元判定裂紋位置以及裂紋尺寸(例如，裂紋之長度及/或寬度)，而使用偵測色差(例如，灰階)、影像寬度及灰階衍生物之斜率的演算法區分裂紋與顆粒邊界。在澆鑄晶圓的一個實例中，當經調適以偵測基板之晶體分數時，微裂紋檢查單元亦可量測基板之單晶分數。
適用於本文中的微裂紋檢查單元之實例 包括：VINSPEC視覺系統，可購自德國維斯巴登之Vitronic Dr.-Ing.Stein Bildverarbeitsungssysteme GmbH；HE-WI-04晶圓檢查模組，可購自德國Zulpich之Hennecke Systems GmbH；MC1-100微裂縫檢查單元，可購自匈牙利布達佩斯之SemiLab Co.Ltd.；GP MICRO-D.Cell檢查系統，可購自德國康士坦茲之GP SOLAR GMBH；及TAURUS檢查系統，可購自德國埃蘭根之Intego GmbH。亦 設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
厚度量測單元
厚度量測單元經調適以量測基板之厚度、弓形、翹曲及電阻率中的一或更多者。在一個實例中，厚度量測單元可包括近紅外超發光二極體(superluminescent diode；SLD)以促進基板量測。可使用3個感測器(例如，三個近紅外SLD)例如在3×32面積內的96個位置中量測基板之厚度，而可例如在1×32陣列中的32個位置處量測基板之電阻率。可例如使用相對於基板在中心安置的渦電流感測器量測電阻率。厚度量測單元可判定約0.5微米或更小之可重複性(例如，相同基板之多個量測處於彼此的0.5微米內)下的基板厚度、約0.5微米或更小之可重複性下的總厚度變化(total thickness variation；TTV)、約1微米或更小之可重複性下的基板翹曲及1%或更小之可重複性下的電阻率。厚度量測單元亦可判定最大與最小厚度以及最大與最小電阻率之特定位置(例如，X、Y坐標)。應理解，可重複性係在相同條件下由相同儀器對相同基板所獲得之量測變化。
適用於本文中的厚度量測單元之實例包括：WMT-3厚度與電阻率測試器，可購自匈牙利布達佩斯之SemiLab Co.Ltd.；PV-1000，可購 自紐約奧巴尼之MTI Instruments Inc.；及PV-R/PV-RT測量平臺，可購自德國KITEC Microelectronic Technologie GmbH或Woerth-Hoerlkofen。亦設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
光致發光單元
光致發光單元經配置以偵測缺陷、執行 雜質量測(例如，雜質之百分比)及位錯(例如，結晶缺陷)量測。當照射樣本以激發過量載子時，光致發光為輻射重組之量測。在光產生過量載子時，該等載子之密集度增加到一定值，該等值取決於彼區域內的缺陷、雜質及其他重組機制。光致發光強度與載子密集度成比例：因此，大體而言，亮區指示較高少數載子壽命區域，而暗區指示較高缺陷密集度。光致發光為無觸點技術，此技術允許應用於太陽能電池處理中的許多處理操作之間。在光致發光檢查操作期間，藉由雷射照射基板。電子受到光子激發，從而引發電子移動至傳導帶。在電子落回至價帶時，以不同波長發射光子。藉由減小的帶隙特徵化雜質且在圖形使用者介面上將雜質顯示為暗區，而將顆粒邊界顯示為暗線。在一個實例中，在6"×6"面積上使用具有810nm之波長及至多60W之功率的雷射二極體執行基板之照射。
位錯量測係對於多晶矽(cSi)基板之最 終電池效率之有用指示符，如第4圖之曲線圖460所示，且因此允許在完成最終裝置之前準確判定電池效率。第4圖圖示所量測電池效率與光致發光位錯百分比之間的關係。在一個實例中，使用光致發光偵測所評估之電池效率與成品裝置之所量測效率相比具有約0.15%或更小(諸如0.10%)之平均絕對誤差(mean absolute error；MAE)。
此外，光致發光單元促進除氣製程之控 制與發展，以確保藉由回應於除氣製程變量之調整提供資料來移除最大量之雜質。另外，光致發光單元識別基板缺陷(例如，位置)，且可經由經驗演算法量化缺陷之效能影響。此外，光致發光單元促進經由缺陷位置之識別移除缺陷，或者，若缺陷超出預定限度則促進基板之廢棄。因此，在經歷恢復技術之前可廢棄不可恢復的基板，該等不可恢復的基板本就終將失敗，從而最終避免此類製程之時間及費用。
光致發光單元不僅促進了低品質基板之 報廢並消除在不可銷售或不可恢復基板上浪費的可消耗品及勞力，而且光致發光單元亦允許製造商計劃及控制基板良率。此外，光致發光單元亦促進生產線之處理參數之調整，以實現具有最大效率的基板。另外，光致發光單元促進根據諸如效率之特定特徵進行基板分類，該等基板可隨後根據特徵被分組成多批。
另外，應設想，可在良率分析伺服器217 上收集及儲存多個基板之發光資料，且利用該等發光資料促進自磚塊或錠塊之子元件基板的磚塊或錠塊之3D虛擬重建。3D重建促進磚塊或錠塊內的缺陷之成像，從而可經由均勻品質問題之識別引發效率良率改良。
基板可分批進入太陽能製造廠，其中每 一基板具有識別資訊。識別資訊可僅為到達製造廠的基板堆疊中的基板之序列號(例如，晶匣中的槽號)。 另外或替代地，識別資訊可為經雷射寫於靠近基板邊緣的基板側邊上之代碼或其他標記。識別資訊促進基板所來自的錠塊之識別，及錠塊內的位置識別，以及該基板來自何基板製造商之識別。製造廠軟體(諸如與前端101、光致發光單元、良率分析伺服器217或上述之組合關聯的軟體)促進使用識別資訊貫穿處理之基板追蹤。使用識別資訊，可完成磚塊或錠塊之3D虛擬重建，因為檢查資料可與特定基板相關。
適用於本文中的光致發光單元之實例包 括：iLS-W2檢查單元，可購自澳大利亞新南威爾斯州滑鐵盧之BT Imaging；HE-PL-01光致發光模組，可購自德國Zulpich之Hennecke Systems GmbH；及PLL1001光致發光檢查單元，可購自匈牙利布達佩斯之SemiLab Co.Ltd.。亦設想其他 單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
幾何形狀檢查單元
幾何形狀檢查單元可在約10微米或更小之可重複性下量測基板長度，且可在約40微米或更小之可重複性下量測基板寬度。可在約40微米或更小之可重複性下量測基板倒角，且在約40微米以下之可重複性下量測對角線距離(例如，正方形或矩形基板之角到角距離)。可在約0.1度或更小之可重複性下量測基板之正交性。測量單元確保基板滿足預定尺寸需求。
幾何形狀檢查單元亦可經配置以在運作中橫跨基板之頂表面及底表面執行污點偵測，且另外，可執行基板之邊緣/側邊上的卷屑偵測。舉例而言，幾何形狀檢查單元可偵測具有約150微米或更小之尺寸的卷屑及污點，且具有約60微米或更小之尺寸的側邊卷屑。可在小於0.5%之誤警率下偵測位於基板之上表面及下表面上的約150微米之卷屑及污點，而可在小於0.5%之誤警率下偵測約60微米之尺寸的側邊卷屑。與包括向下面朝基板之頂部安裝式相機的先前已知卷屑檢查單元相比，本發明之幾何形狀檢查單元經配置具有U形感測器以便偵測側邊/邊緣卷屑。
第5圖圖示耦接至電纜541的一對U形 偵測器540。電纜541可促進關於U形偵測器540的功率及資料之移送。每一U形偵測器540可包括一或更多個光源及一或更多個成像裝置，諸如CCD相機。 輸送器(諸如輸送器106a)經調適以相對於U形偵測器540之內部且在該內部中移送基板，以促進藉由U形偵測器540對基板之檢查。舉例而言，可在相對的U形偵測器540內安置基板之相對側邊緣以便檢查。 在相對於U形偵測器移動基板時，每一U形偵測器540經配置以鄰近頂表面及底表面上的側邊檢查基板之外部15毫米，且另外，每一U形偵測器經配置以檢查基板之邊緣/側邊表面。因此，除位於鄰近基板邊緣的頂表面或底表面上的卷屑之外，可偵測到對頂表面或底表面不具有任何影響之卷屑。
由於檢查相機之定位，先前已知檢查單 元無法偵測到僅位於基板側邊上且對基板之上表面不具有任何影響之卷屑。與先前檢查系統之40微米像素尺寸相比，幾何形狀檢查裝置可包括具有約15微米之像素尺寸的成像裝置，以促進卷屑之識別及缺陷之成像。
適用於本文中的幾何形狀檢查單元之實 例包括：SolVi(SV)WaferVision檢查單元，可購自韓國首爾之WithRobot；及GP WAF-Q.CAM，可購自德國康士坦茲之GP SOLAR GMBH。亦設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
鋸痕偵測單元
鋸痕偵測單元經配置以在運作中執行鋸 痕深度及位置之檢查，且可檢查及識別以下類型的鋸痕：凹槽、階梯及雙階梯。本發明之鋸痕偵測單元分析基板之厚度輪廓以及基板之頂部/底部輪廓(例如，表面形態(topography))兩者。應設想，可實施過濾演算法以考慮傳送期間的自然基板運動/振動，從而允許在基板傳送期間發生鋸痕偵測。鋸痕偵測單元經配置具有高解析度感測器，該感測器具有600微米深度可重複性，及高掃描解析度(例如，X軸上3微米，或每基板超過約150000個樣本)。鋸痕偵測單元能夠偵測基板上的「雙鋸痕」之存在(例如，基板之頂部與底部兩者上的鋸痕之存在)。先前所使用之偵測設備常常無法偵測雙鋸痕，該等設備對於鋸痕偵測僅僅依賴於厚度輪廓量測。
第6圖圖示使用表面輪廓分析以及厚度 量測分別對基板之頂表面及底表面上的鋸痕之偵測。曲線圖680展示跨基板長度的基板之頂表面之相對位置。70毫米至80毫米位置之間所示之變化指示頂表面上存在鋸痕。曲線圖681展示跨基板長度的基板之底表面之相對位置。70毫米至80毫米位置之間所示之變化指示底表面上存在鋸痕(例如，雙鋸痕)。 曲線圖682展示跨基板長度的基板之厚度。曲線圖682並未指示基板之70毫米至80毫米位置之間存在鋸痕。如圖所示，僅厚度量測可能無法偵測鋸痕之存在。然而，本發明之鋸痕偵測單元使用厚度量測以及表面形態，且因此能夠更準確地偵測鋸痕(諸如雙鋸痕)之存在。應設想，鋸痕偵測單元可使用來自厚度量測單元之所量測基板厚度，而非重複厚度量測。
適用於本文中的鋸痕偵測單元之實例包 括：SolVi(SV)表面鋸痕檢查S/W，可購自韓國首爾之WithRobot；及PVS-5000，可購自匈牙利布達佩斯之SemiLab Co.Ltd.；及型號7231之太陽能晶圓鋸痕檢查器，可購自臺灣桃園縣之Chroma ATE Inc.。亦設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
少數電荷載子檢查單元
少數電荷載子檢查單元提供週期性雷射脈衝至基板以激發基板之材料，從而產生自由電荷載子，該自由電荷載子將隨後在重組中心重組。監控瞬態產生/重組製程，同時隨時間變化記錄所反射或所發射之微波功率。所反射或所發射微波功率的量取決於基板之傳導率，且因此，可評估基板之傳導率瞬態，從而促進材料品質之特徵化。
適當少數電荷載子檢查單元包括：WML-1與WML-3，可購自匈牙利布達佩斯之 SemiLab Co.Ltd.；及IL-800直線晶圓壽命測試單元，可購自科羅拉多波爾德之Sinton Instruments。亦設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
分類單元
分類單元包括輸送器與箱之系統，且分 類單元經調適以基於如由測量單元所判定之基板之一或更多個特徵將已檢查之基板分類。在一個實例中，輸送器106b(第1圖中所示)包括沿分類單元之晶圓傳送平面縱向安置的兩個平行傳送帶。傳送帶中之各者可經調適以在將基板移送穿過分類單元時支撐基板。輸送器系統亦可包括多個分類機構116(第1圖中所示)以促進移送基板入箱。分類機構116可包括與輸送器106b之傳送帶正交安置或於該等傳送帶之間安置的一或更多個滾軸或傳送帶，且視情況，一或更多個滾軸經安置於輸送器106b之傳送帶之外側向外且平行於該等傳送帶。分類機構116可自輸送器106b之傳送表面下方的一位置致動到輸送器106b之傳送表面上方的一位置。
在一或更多個箱115(第1圖中所示)附 近安置分類機構116。在鄰近分類機構116傳送基板時，分類機構116垂直致動以自輸送器106b升高基板，且將所升高基板移送至鄰近於分類機構116之箱115。分類機構116可經調適以雙向傳送基板，因此 將基板分類至位於輸送器116b之相對側上的箱115。在一替代實施例中，可用單個可致動輸送器替代主輸送器傳送帶之間安置的每對分類機構116，該單個可致動輸送器之寬度足以支撐基板。
第7圖圖示根據一個實施例之基板105 至箱115之移送。如第7圖中所示，在分類機構116之上表面下方安置箱115，以促進基板105自分類機構116至箱115之移送。另外，應設想，可相對於分類機構116之上表面成角度安置箱115之基板接收表面790以促進基板105至箱115之移送。在一個實例中，與分類機構116相關的箱115之基板接收表面790之外側向外邊緣115a經安置比基板接收表面790之內側向內邊緣115b低。因此，在將基板105移送至箱115時，基板105順著下傾的基板接收表面790向下移動，直至接觸到支撐件791。可調構件792可用於修改基板接收表面790之下傾角。
致動器793(諸如液壓或氣壓致動器) 經調適以在由導引件794導向時垂直致動箱115，以在裝載箱115時促進額外基板105至箱115之移送。一或更多個導管793c(圖示兩個管道)經調適以提供流體來促進致動器794之操作。支撐件796將致動器793耦接至箱115。傳送帶795b與滑輪795p之系統促進分類機構116之垂直致動。分類機構116可包括一或更多個驅動滾軸716d(圖示兩個驅動滾 軸)、一或更多個導引滾軸716g(圖示兩個導引滾軸)及傳送帶716b。
適當分類單元包括由以下生產商生產之 彼等單元：韓國仁川之Fortix Co.,Ltd；德國Zulpich之Hennecke Systems GmbH；匈牙利布達佩斯之SemiLab Co.Ltd.；及臺灣桃園縣之Chroma ATE Inc.。亦設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
前端
前端經調適以接收內部含有複數個基板的一或更多個晶匣(例如，呈硬幣堆疊配置)。可在晶匣固持器中安置晶匣。在一個實例中，晶匣固持器支撐至少兩個晶匣之複數個堆疊，該等晶匣獨立地向上及向下索引。可自裝載站之背面裝卸一或更多個晶匣至晶匣固持器中。經由機器人將一或更多個晶匣內的基板移送至輸送器系統130(第1圖中所示)，該機器人可經旋轉或線性變換以便安置基板以運送至輸送器系統130上。應設想，前端可包括一個以上的裝載機器人以促進基板產量增加。
適當前端包括以下生產商生產之彼等前端：加利福尼亞州聖克拉拉市之應用材料公司；韓國仁川之Fortix Co.,Ltd；德國Zulpich之Hennecke Systems GmbH之Stacker Unloader；及臺灣桃源縣之Chroma ATE Inc.。 亦設想其他單元，該等其他單元包括由其他製造商所生產之彼等單元。
本文實施例可參考電腦、伺服器等。電 腦、伺服器等大體上經設計以促進檢查系統100及其元件之控制及自動化。電腦及/或伺服器可包括中央處理單元(central processing unit；CPU)、記憶體及支援電路。CPU可為任何形式電腦處理器中之一者，該等電腦處理器用於工業設置中以便控制各種系統功能及支援硬體(例如，感測器、機器人、馬達等)，並監控製程(例如，接收、收集、移送及分析檢查資料)。記憶體經連接至CPU，且可為可易於取得之記憶體中的一或更多者，該等記憶體諸如隨機存取記憶體(random access memory；RAM)、唯讀記憶體(readonly memory；ROM)、軟碟、硬碟或任何其他形式的本端或遠端數位儲存器。可在記憶體內編碼及儲存軟體指令及資料以便指示CPU。亦將支援電路連接至CPU，用於以習知方式支援該處理器。支援電路可包括快取記憶體、電源、時脈電路、輸入/輸出電路系統、子系統等。藉由電腦可讀取之一或更多個程式(或電腦指令)判定在基板上可執行哪些任務。較佳地，該等程式為軟體，該軟體包括程式碼以執行監控相關任務、移動之執行與控制相關任務及在檢查系統100中所執行之各種製程任務。
本文所描述之實施例之益處包括檢查系 統之定製化及擴充。此外，製造商可在製造過程開始時檢查基板，以在處理之前促進缺陷基板之消除，從而避免在不滿意基板(例如，將產生不滿意最終產品的基板)上浪費資源。另外或替代地，基板製造商(諸如晶圓製造商)可在將基板裝運至消費者以供處理之前檢查基板，從而確保裝運產品滿足某些品質控制標準。藉由本文所描述之檢查系統之準確度促進缺陷基板之識別。藉由本文所描述之系統執行之全面檢查促進了裝置效率上的改良以及處理參數之調整，以提高所處理基板之良率及品質。此外，本發明之實施例促進產量增加，例如每小時多達3600個基板或更多之產量，同時能夠在小於0.1%之破損率下處理具有小於140微米之厚度的基板。
另外，本發明之實施例使得製造商能夠 對進入的基板設置額外標準，尤其是個別需求之組合，從而引發所產生之太陽能電池之更接近「分箱」(例如，基於個別需求分類至箱中)。太陽能電池製造商難以使用先前已知技術，基於電池色彩及電池輸出上的寬泛差異來將基板分箱。面板製造商使用具有相同色彩外觀(美學)及相同輸出(最低執行電池指示模組功率輸出)的電池形成面板，因此需要對基板分類。若可在裸基板位準處判定電池效能，則技術人 員可實際上實現電池之更緊密「分箱」，產生更佳之成品，例如，更密切滿足製造商所建立之標準的產品。
儘管上文所述係針對本發明之實施例， 但是可在不脫離本發明之基本範疇的情況下設計出本發明之其他及進一步實施例，且由以下申請專利範圍決定本發明之範疇。
100‧‧‧檢查系統
101‧‧‧前端
102‧‧‧模組化單元
103‧‧‧分類單元
104‧‧‧移送機器人
106‧‧‧輸送器
106a‧‧‧輸送器
106b‧‧‧輸送器
210‧‧‧電腦
211a‧‧‧電腦
211b‧‧‧電腦
211c‧‧‧電腦
211d‧‧‧電腦
211e‧‧‧電腦
212‧‧‧存取面板
213‧‧‧存取埠
216‧‧‧存取面板
217‧‧‧良率分析伺服器

Claims (20)

  1. 一種檢查系統，包含：一前端，包含一機器人，以自一晶匣卸載基板且將該等基板裝載至一第一輸送器上；一模組化單元，包含一或更多個測量單元，該一或更多個測量單元沿該第一輸送器線性安置以檢查該第一輸送器上的基板，該一或更多個測量單元包含：一微裂紋檢查單元；一厚度與電阻量測單元，以在0.5微米或更小之一可重複性下量測基板厚度；一光致發光單元；一幾何形狀檢查單元，以在小於約10微米之可重複性下量測基板長度；以及一鋸痕偵測單元；一良率分析伺服器，以接收並處理來自該等測量單元之檢查資料；以及一分類單元，以基於該等檢查資料將基板分類。
  2. 如請求項1所述之檢查系統，其中按以下相繼次序安置該等測量單元：該微裂紋檢查單元；隨後該厚度與電阻量測單元；隨後該光致發光單元；隨後 該幾何形狀檢查單元；及隨後該鋸痕偵測單元。
  3. 如請求項1所述之檢查系統，其中該分類單元包含：一第二輸送器；複數個箱，經安置在該第二輸送器之邊緣外側向外；以及複數個分類機構，用於將基板自該第二輸送器移送至該複數個箱。
  4. 如請求項3所述之檢查系統，其中該第二輸送器包含沿該分類單元之該長度安置的兩個平行傳送帶。
  5. 如請求項1所述之檢查系統，其中該厚度與電阻量測單元具有1%或更小之電阻率可重複性。
  6. 如請求項1所述之檢查系統，其中提供該良率分析伺服器以使用自該光致發光單元所接收之檢查資料產生一磚塊或錠塊之一三維虛擬重建，該等基板自該磚塊或錠塊切割。
  7. 如請求項1所述之檢查系統，其中該幾何形狀檢查單元具有小於約40微米之寬度可重複性。
  8. 如請求項1所述之檢查系統，其中該幾何形狀檢查單元具有約0.1度或更小之正交性可重複性。
  9. 如請求項1所述之檢查系統，其中該幾何形狀檢查單元具有小於40微米之角到角距離可重複性。
  10. 如請求項1所述之檢查系統，其中當偵測具有約150微米之一尺寸的污點時，該幾何形狀檢查單元具有小於0.5%之一誤警率。
  11. 如請求項1所述之檢查系統，其中當偵測具有約60微米之一尺寸的卷屑時，該幾何形狀檢查單元具有小於0.5%之一誤警率。
  12. 如請求項1所述之檢查系統，其中該幾何形狀檢查單元包括一對U形偵測器。
  13. 如請求項1所述之檢查系統，其中提供該鋸痕偵測單元以分析一基板之一頂表面及一底表面之一輪廓。
  14. 如請求項1所述之檢查系統，其中該檢查系統具有在小於0.1%之一破損率下每小時3600個基板或更多之一產量。
  15. 一種檢查系統，包含：一前端，包含一機器人，以自一晶匣卸載基板且將 該等基板裝載至一輸送器上；一模組化單元，包含一或更多個測量單元，該一或更多個測量單元沿該輸送器線性安置以檢查該輸送器上的基板，該一或更多個測量單元包含：一微裂紋檢查單元；一厚度量測單元，以在0.5微米或更小之一可重複性下量測基板厚度，及在1%以下之一可重複性下量測基板電阻率；一光致發光單元；一幾何形狀檢查單元，以在小於約10微米之可重複性下量測基板長度，該幾何形狀檢查單元包括一對U形偵測器；以及一鋸痕偵測單元；一良率分析伺服器，以接收並處理來自該等測量單元之檢查資料，且使用自該光致發光單元所接收之檢查資料產生一磚塊或錠塊之一三維虛擬重建，該等基板自該磚塊或錠塊切割；以及一分類單元，以基於該等檢查資料將基板分類。
  16. 如請求項15所述之檢查系統，其中該檢查系統具有在小於0.1%之一破損率下每小時3600個基板或更多之一產量。
  17. 如請求項16所述之檢查系統，其中當偵測具有約60微米之一尺寸的卷屑時，該幾何形 狀檢查單元具有小於0.5%之一誤警率。
  18. 如請求項16所述之檢查系統，其中該幾何形狀檢查單元具有約0.1度或更小之正交性可重複性。
  19. 如請求項16所述之檢查系統，其中該幾何形狀檢查單元具有小於約40微米之寬度可重複性。
  20. 一種檢查系統，包含：一前端，包含一機器人，以自一晶匣卸載基板且將該等基板裝載至一第一輸送器上；一模組化單元，包含一或更多個測量單元，該一或更多個測量單元沿該第一輸送器線性安置以檢查該第一輸送器上的基板，該一或更多個測量單元包含：一微裂紋檢查單元；一厚度量測單元，以在0.5微米或更小之一可重複性下量測基板厚度，及在1%以下之一可重複性下量測基板電阻率；一光致發光單元；一幾何形狀檢查單元，以在小於約10微米之可重複性下量測基板長度，在小於約40微米之可重複性下量測基板寬度，且在約0.1度或更小之可重複性下量測基板正交性，該幾何形狀檢查 單元包括一對U形偵測器；以及一鋸痕偵測單元；一良率分析伺服器，以接收並處理來自該等測量單元之檢查資料，且使用自該光致發光單元所接收之檢查資料產生一磚塊或錠塊之一三維虛擬重建，該等基板自該磚塊或錠塊切割；以及一分類單元，經調適以基於該等檢查資料將基板分類，該分類單元包含：一第二輸送器；複數個箱，經安置在該第二輸送器之邊緣外側向外；以及複數個分類機構，用於將基板自該第二輸送器移送至該複數個箱。
TW104118365A 2014-06-27 2015-06-05 線性檢查系統 TWI586963B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462018300P 2014-06-27 2014-06-27
US14/493,824 US9341580B2 (en) 2014-06-27 2014-09-23 Linear inspection system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201602580A true TW201602580A (zh) 2016-01-16
TWI586963B TWI586963B (zh) 2017-06-11

Family

ID=54930190

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104118365A TWI586963B (zh) 2014-06-27 2015-06-05 線性檢查系統
TW106109126A TWI653450B (zh) 2014-06-27 2015-06-05 線性檢查系統

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106109126A TWI653450B (zh) 2014-06-27 2015-06-05 線性檢查系統

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9341580B2 (zh)
KR (3) KR102139218B1 (zh)
CN (2) CN112530822A (zh)
SG (1) SG11201609657YA (zh)
TW (2) TWI586963B (zh)
WO (1) WO2015199930A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9754365B2 (en) * 2014-02-21 2017-09-05 Applied Materials, Inc. Wafer inspection method and software
FR3045156B1 (fr) * 2015-12-11 2017-12-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de detection de defauts et dispositif associe
JP6752638B2 (ja) * 2016-06-27 2020-09-09 株式会社ディスコ 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置
JP6697984B2 (ja) * 2016-08-31 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6765926B2 (ja) * 2016-10-07 2020-10-07 株式会社ディスコ 加工装置
CN110178075B (zh) * 2017-01-27 2022-05-03 默克专利股份有限公司 用于检测可切换光学元件的基板破裂的方法和可切换光学器件
US11143697B2 (en) * 2017-04-28 2021-10-12 Advantest Corporation Automated handling of different form factor devices under test in test cell
US10406562B2 (en) * 2017-07-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Automation for rotary sorters
US10818562B2 (en) * 2017-11-30 2020-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor structure and testing method thereof
JP7051445B2 (ja) * 2018-01-10 2022-04-11 日東電工株式会社 光学表示パネルの連続検査方法および連続検査装置、並びに、光学表示パネルの連続製造方法および連続製造システム
CN108465648A (zh) * 2018-04-23 2018-08-31 苏州香农智能科技有限公司 一种基于机器视觉的磁芯自动分拣系统
CN112005356A (zh) * 2018-05-03 2020-11-27 应用材料公司 高速旋转分类器中的基板倾斜控制
CN109245722B (zh) * 2018-07-19 2019-12-10 武汉爱疆科技有限公司 一种全自动小组件测试仪
US11488848B2 (en) * 2018-07-31 2022-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated semiconductor die vessel processing workstations
DE102018119171A1 (de) * 2018-08-07 2020-02-13 Wavelabs Solar Metrology Systems Gmbh Optoelektronisches Solarzellen-Testsystem für eine inline-Solarzellen-Produktionsanlage und Verfahren zum Optimieren der inline-Produktion von Solarzellen unter Einsatz eines solchen optoelektronischen Solarzellen-Testsystems
DE102018130595A1 (de) 2018-11-30 2020-06-04 Hennecke Systems Gmbh Sensorstation sowie Verfahren zum Vermessen von Wafern
CN109975411B (zh) * 2019-04-17 2021-09-24 江苏至上检测科技有限公司 轴零件批量相控阵超声检测流水线
US11221300B2 (en) * 2020-03-20 2022-01-11 KLA Corp. Determining metrology-like information for a specimen using an inspection tool
US11688618B2 (en) 2020-12-10 2023-06-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for continuous substrate cassette loading
CN113155193B (zh) * 2021-04-19 2022-12-13 上海磐盟电子材料有限公司 一种基于云计算的晶圆片智能检测分类方法、装置和系统
DE102021111837A1 (de) * 2021-05-06 2022-11-10 LAW-NDT Meß- und Prüfsysteme GmbH Prüfanlage für eine Mehrzahl von vereinzelbaren Prüfobjekten
KR102399076B1 (ko) * 2021-09-16 2022-05-17 주식회사 엠아이티 초음파 프로브를 이용한 불량 소자 자동 검사 장치 및 이를 이용한 검사방법
US20230349838A1 (en) * 2022-04-29 2023-11-02 Applied Materials, Inc. Edge inspection of silicon wafers by image stacking
CN117969418A (zh) * 2024-03-30 2024-05-03 江苏格林保尔光伏有限公司 一种Top-Con单晶硅电池片的色差识别设备及方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4454472A (en) 1982-02-19 1984-06-12 Rca Corporation Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors
JPS59501649A (ja) 1982-09-20 1984-09-13 コントレツクス　インコ−ポレイテツド 自動的半導体表面検査方法および装置
EP0416787B1 (en) 1989-09-01 1995-05-10 AT&T Corp. Plasma processing of III-V semiconductors, controlled by photoluminescence spectroscopy
US5396332A (en) 1993-02-08 1995-03-07 Ciszek; Theodoer F. Apparatus and method for measuring the thickness of a semiconductor wafer
US5386119A (en) 1993-03-25 1995-01-31 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for thick wafer measurement
JP2943673B2 (ja) 1995-10-31 1999-08-30 日本電気株式会社 半導体基板の製造装置及び製造方法
WO1997045698A1 (en) 1996-05-31 1997-12-04 Tropel Corporation Interferometer for measuring thickness variations of semiconductor wafers
JP2002224982A (ja) 2000-12-01 2002-08-13 Yaskawa Electric Corp 薄型基板搬送用ロボットおよび薄型基板検出方法
US6903446B2 (en) 2001-10-23 2005-06-07 Cree, Inc. Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices
US7171035B2 (en) 2002-11-06 2007-01-30 Texas Instruments Incorporated Alignment mark for e-beam inspection of a semiconductor wafer
JP4464113B2 (ja) * 2003-11-27 2010-05-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工装置
CN103185854B (zh) * 2006-05-05 2015-07-01 Bt成像股份有限公司 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统
US8098926B2 (en) * 2007-01-10 2012-01-17 Applied Materials Israel, Ltd. Method and system for evaluating an evaluated pattern of a mask
KR100782424B1 (ko) 2007-07-27 2007-12-05 (주)쎄미시스코 유리기판의 품질 검사장치
KR101347065B1 (ko) 2007-12-20 2014-01-10 주성엔지니어링(주) 기판 검사 시스템 및 방법, 및 그를 이용한 태양전지제조방법
TWI512865B (zh) * 2008-09-08 2015-12-11 Rudolph Technologies Inc 晶圓邊緣檢查技術
SG162631A1 (en) * 2008-12-17 2010-07-29 Rokko Ventures Pte Ltd System and processing of a substrate
JP2011075401A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Hitachi High-Technologies Corp インライン基板検査装置の光学系校正方法及びインライン基板検査装置
US8629411B2 (en) 2010-07-13 2014-01-14 First Solar, Inc. Photoluminescence spectroscopy
JP2012182273A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Hitachi High-Technologies Corp ガラス基板インライン検査方法及びその装置
KR101291111B1 (ko) 2011-03-23 2013-08-01 한국기계전기전자시험연구원 광 측정 시스템
CN103874918A (zh) 2011-08-12 2014-06-18 Bt成像股份有限公司 半导体晶片中掺杂变化的光致发光成像
KR101313680B1 (ko) * 2011-10-12 2013-10-02 위드로봇 주식회사 외관 측정 시스템 및 그 방법
EP2600140A1 (en) 2011-11-29 2013-06-05 Hennecke Systems GmbH Inspection system
KR20130073074A (ko) 2011-12-23 2013-07-03 주식회사 포틱스 웨이퍼 이송장치
TWI574136B (zh) * 2012-02-03 2017-03-11 應用材料以色列公司 基於設計之缺陷分類之方法及系統
HUE056308T2 (hu) 2013-03-19 2022-02-28 Hennecke Systems Gmbh Eljárás és rendszer sík félvezetõ tárgyak ellenõrzéséhez

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201609657YA (en) 2017-01-27
WO2015199930A1 (en) 2015-12-30
US20150377796A1 (en) 2015-12-31
KR20170093265A (ko) 2017-08-14
CN106463432A (zh) 2017-02-22
TW201734460A (zh) 2017-10-01
KR20170018080A (ko) 2017-02-15
KR102139218B1 (ko) 2020-07-29
US9341580B2 (en) 2016-05-17
KR20170132912A (ko) 2017-12-04
KR101767891B1 (ko) 2017-08-14
CN112530822A (zh) 2021-03-19
TWI586963B (zh) 2017-06-11
KR101804331B1 (ko) 2017-12-04
TWI653450B (zh) 2019-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI586963B (zh) 線性檢查系統
US8902428B2 (en) Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers
TWI634323B (zh) 使用光致發光成像檢驗發光半導體裝置之方法及設備
JP5241245B2 (ja) 検査装置及び検査方法
US9322786B2 (en) Solar cell inspection apparatus and solar cell processing apparatus
JP5923172B2 (ja) 板ガラスの検査ユニット及び製造設備
JP4713278B2 (ja) 多結晶半導体ウエハの外観検査方法および外観検査装置
WO2017002369A1 (ja) 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JP2011227049A (ja) 光透過性矩形板状物の端面検査方法及び端面検査装置
KR101569853B1 (ko) 기판 결함 검사 장치 및 방법
JP2017015483A (ja) 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JP5194040B2 (ja) 表示装置、及び検査装置
JP5657039B2 (ja) 試料搭載装置
JP2017015479A (ja) 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JP2010085145A (ja) 検査装置及び検査方法
JP2017015482A (ja) 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JP2011107159A (ja) 自動化ウェハ欠陥検査システムおよびこのような検査を実行する方法
Stamper et al. Advanced excursion control and diagnostics for CMP process monitoring
TW202121524A (zh) 製備半導體晶圓的方法
Tröger et al. Automated tool for measuring nanotopography of 300 mm wafers at early stages of wafer production
JP2010245358A (ja) 半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法
JP2004258035A (ja) 薄層測定装置及び方法
TWM403650U (en) Inspection device for detecting shift amount of LED grain