JP2010245358A - 半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法 - Google Patents
半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010245358A JP2010245358A JP2009093494A JP2009093494A JP2010245358A JP 2010245358 A JP2010245358 A JP 2010245358A JP 2009093494 A JP2009093494 A JP 2009093494A JP 2009093494 A JP2009093494 A JP 2009093494A JP 2010245358 A JP2010245358 A JP 2010245358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser chip
- light source
- elevation angle
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】個片化された半導体レーザチップの端面を該端面に傷や欠けを生じることなく明瞭に合否判定できる半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法を提供する。
【解決方法】半導体レーザチップ端面検査装置は、ステージ6と光源2a,2bと検出器5等を具備しており、光源2a,2bおよび検出器5が所定の仰角となるように配置された状態で、光源2a,2bそれぞれの照射下に、シート1に保持された半導体レーザチップ4の端面部分を撮像して第1および第2の撮像画像を取得し、前記第1の撮像画像と第2の撮像画像とを基に前記半導体レーザチップ4の端面の形状を検査するように構成されている。
【選択図】図1
【解決方法】半導体レーザチップ端面検査装置は、ステージ6と光源2a,2bと検出器5等を具備しており、光源2a,2bおよび検出器5が所定の仰角となるように配置された状態で、光源2a,2bそれぞれの照射下に、シート1に保持された半導体レーザチップ4の端面部分を撮像して第1および第2の撮像画像を取得し、前記第1の撮像画像と第2の撮像画像とを基に前記半導体レーザチップ4の端面の形状を検査するように構成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、個片化後の半導体レーザチップ端面を検査する半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法に関する。
半導体レーザ製品の製造においては、拡散工程完了後のウェーハを結晶の特定方向に割るヘキ開によってバー状に加工し、該バーをそのヘキ開面をコーティングした後に更にヘキ開することで半導体レーザチップ(以下、単にチップともいう)へと加工している。その際には、ウェーハをポリオレフィン系の支持体とアクリル系粘着剤とからなるシートに貼り付けたうえで、ヘキ開のきっかけとなる傷入れを2方向に行ない、圧力を加えてヘキ開させることでバー状を経て個片化し、個片化したチップを各種検査工程を経て半導体レーザ製品へと組立てている。
ところが、拡散工程終了から組立工程に至る迄のヘキ開工程や接触型の各種検査工程の過程で、作業者や装置によりチップ端面にヘキ開不良及び欠陥が生じ、半導体レーザ製品の発光特性が悪化することがある。
従来の検査技術の主なものとしては、ウェーハの端面を複数の反射ミラーとケーラー照明とを用いて検査するべく、光学観察装置に検査装置等を搭載して用いるものがある。例えば特許文献1には、ウェーハの端面から端面近傍までを検査する端面検査装置が開示されている。
個片化したチップの端面のヘキ開不良や欠陥は、該端面の検査をチップ組立工程直前に行なうことで検出しており、現状では、作業者が上述のシートからチップを個々に取り外して接触型の目視検査を行なうのが主流である。
特許文献1記載の端面検査装置による欠陥検査方法は、当然ながら、ウェーハの端面及び端面近傍の検査に限定されるので、個片化したチップの端面の検査に適用することはできない。
一方、個片化したチップの端面を目視検査する上記の方法では、接触型であるがゆえにチップ端面に傷や欠けが生じる可能性が払拭できず、且つ、作業者の個人差による合否判定の不明瞭さもある。
本発明は上記問題を解決するもので、個片化された半導体レーザチップの端面を該端面に傷や欠けを生じることなく明瞭に合否判定できる半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の半導体レーザチップ端面検査装置は、相対的に移動自在なステージと第1および第2の光源と第1および第2の偏光器と撮像可能な検出器と、演算機能を有する制御部とを具備しており、前記第1および第2の光源は、前記ステージの設置面に対する前記第1の光源の仰角が前記第2の光源の仰角よりも小さくなるように配置され、前記第1および第2の偏光器は、前記第1および第2の光源と前記ステージとの間に配置され、前記検出器は、その仰角が前記第1の光源の仰角より大きく前記第2の光源の仰角より小さくなるように配置されて、シート上に保持されて前記ステージの設置面に所定の向きで設置された検査対象の半導体レーザチップの端面部分を、前記第1および第2の光源からの中赤外光を前記第1および第2の偏光器によって前記シートの吸収帯域を避けた単色光に偏光して別途に照射し、前記検出器で検出して第1および第2の撮像画像を取得し、前記第1および第2の撮像画像をそれぞれ数値変換し、両数値の差が予め決めた域値を超えたときに前記半導体レーザチップの端面の形状に欠陥ありと判定するように構成されていることを特徴とする。
また本発明の半導体レーザチップ端面検査方法は、半導体レーザチップを保持したシートをステージに設置する工程と、前記ステージの設置面に対して所定の仰角をなすように配置された第1の光源により前記半導体レーザチップの端面部分を照射し、前記第1の光源よりも大きい所定の仰角をなすように配置された検出器で検出して第1の撮像画像を得る工程と、前記ステージの設置面に対して前記検出器よりも大きい所定の仰角をなすように配置された第2の光源により前記半導体レーザチップの端面部分を照射し、前記検出器で検出して第2の撮像画像を得る工程と、前記第1の撮像画像と第2の撮像画像をそれぞれ数値変換し、両数値の差が予め決めた域値を超えたときに前記半導体レーザチップの端面の形状に欠陥ありと判定する工程とを有することを特徴とする。
本発明の半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法は、シート上に保持された半導体レーザチップの端面部分を撮像し、その撮像画像を基に該端面の形状を検査し良否判定するので、該端面に検査に起因するダメージが生じることはなく、ヘキ開不良などの欠陥を作業者の個人差なく明瞭に検出することができる。よって、半導体レーザチップを用いる半導体レーザ製品の発光特性不良を低減できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は本発明の一実施形態の半導体レーザチップ端面検査装置の概略構成を示す。
この半導体レーザチップ端面検査装置は、ステージ6と光源2(2a,2b)と偏光器3(3a、3b)と検出器5と、これらを移動させる駆動部9と、光源2と偏光器3と検出器5と駆動部9とに接続した制御部8と、制御部8に対して作業者の指示やデータを入力するためのタッチパネルやキーボード等からなる入力部11と、制御部8からの出力データを表示するモニター10とを備えている。
図1は本発明の一実施形態の半導体レーザチップ端面検査装置の概略構成を示す。
この半導体レーザチップ端面検査装置は、ステージ6と光源2(2a,2b)と偏光器3(3a、3b)と検出器5と、これらを移動させる駆動部9と、光源2と偏光器3と検出器5と駆動部9とに接続した制御部8と、制御部8に対して作業者の指示やデータを入力するためのタッチパネルやキーボード等からなる入力部11と、制御部8からの出力データを表示するモニター10とを備えている。
検査対象物たる半導体レーザチップ4は、図2にも示すように、シート1上に複数個貼付された状態にあり、このシート1がシート保持具7上に治具(図示せず)により取り付けられ、さらにこのシート保持具7がステージ6上の所定位置に設置されている。
詳細には、複数個の半導体レーザチップ4は、シート1(つまりはシート保持具7)のY方向に長振器を一致させて、互いの間に間隔をあけて、X方向Y方向に配列されている。各半導体レーザチップ4の検査対象の端面にはコーティングによる反射膜が形成されている。
シート1は、半導体レーザチップ4がその上でへき開されて個片化されたシートであって、ポリオレフィン系材料からなり、鏡面としての役割も担う。ポリオレフィン系材料は、製造しようとする半導体製品にダメージを入れることなくダイシングを行うことのできるシートフィルム材として一般的な素材であり、その具体例に、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等がある。
ステージ6は、上面(X−Y平面)に検査対象物等が設置されるもので、XYZ方向に移動自在且つ軸廻りに回転自在である。
光源2a,2bはそれぞれ、半導体レーザチップ4の端面部分を照射できるようにY―Z平面上で移動可能である。検出器5は、光源2a,2bの照射下の光像を撮像するもので、Y―Z平面上で移動可能である。
光源2a,2bはそれぞれ、半導体レーザチップ4の端面部分を照射できるようにY―Z平面上で移動可能である。検出器5は、光源2a,2bの照射下の光像を撮像するもので、Y―Z平面上で移動可能である。
これら光源2a,2bおよび検出器5は、ステージ6の上面(X−Y平面)を基準にした光源2aの仰角が光源2bの仰角よりも小さく、検出器5の仰角が光源2aの仰角と光源2bの仰角との間となるように配置される。
詳細には、光源2aは仰角がたとえば仰角が10°以上45°以下となるように配置される。光源2bは仰角がたとえば仰角が45°以上100°以下となるように配置される。検出器5は、仰角が光源2aの仰角と光源2bの仰角との間になるように、たとえば仰角が10°以上60°以下となるように配置される。
偏光器3a、3bはそれぞれY―Z平面上で移動可能であって、光源2a,2bとステージ6との間に配置されて、光源2a、2bからの中赤外光を特定波長光に、すなわちシート1の吸収帯域を避けた単色光に変換する。
光源2a,2b、偏光器3a、3b、検出器5の配置を決定するに際し、光源2a(及び偏光器3)の仰角θ(入射角)は、図3に示すように、検査対象の半導体レーザチップ4a端面とそれに対向した半導体レーザチップ4b端面との間隔Xと、半導体レーザチップ4a,4bの高さHとに基いて、次式を用いて決定される。
θ=tan−1(H/X)
たとえば、X=0.50mm、H=0.13mmの場合は、θ=15°となるので、光源2aは半導体レーザチップ4aを基点にシート1上面から仰角15°(実際にはそれよりやや大きく)となるように配置される。また検出器5は半導体レーザチップ4aを基点にシート1上面から仰角45°に配置され、光源2bは半導体レーザチップ4aを基点にシート1上面から仰角90°に配置される。
たとえば、X=0.50mm、H=0.13mmの場合は、θ=15°となるので、光源2aは半導体レーザチップ4aを基点にシート1上面から仰角15°(実際にはそれよりやや大きく)となるように配置される。また検出器5は半導体レーザチップ4aを基点にシート1上面から仰角45°に配置され、光源2bは半導体レーザチップ4aを基点にシート1上面から仰角90°に配置される。
制御部8は少なくとも、ステージ6の移動及び回転、光源2a、2b、偏光器3a、3b、検出器5の制御のための演算処理等を行なうCPU等を備えていて、検出器5による撮像画像を基に半導体レーザチップ4の端面の形状を検査するように構成されている。
以下、上記の半導体レーザチップ端面検査装置による検査方法を説明する。
再び図1から図3を参照する。半導体レーザチップ4(4a、4b)が貼付されたシート1を取り付けたシート保持具7をステージ6上に保持具座標とステージ中心座標とを合わせて設置する。このステージ中心座標はステージ6の物理的中心座標に一致させる必要はない。
再び図1から図3を参照する。半導体レーザチップ4(4a、4b)が貼付されたシート1を取り付けたシート保持具7をステージ6上に保持具座標とステージ中心座標とを合わせて設置する。このステージ中心座標はステージ6の物理的中心座標に一致させる必要はない。
この状態で、上述のように配置された光源2aからの光を偏光器3aにより偏光して半導体レーザチップ4aの端面に照射し、その反射光を検出器5で検出することで第1の撮像画像を得る。また光源2bからの光を偏光器3bにより例えば中赤外線領域の波長に偏光して半導体レーザチップ4aの近傍のシート1上に照射し、その反射光を検出器5で検出することで第2の撮像画像を得る。
図5(a)は光源2aを用いて撮像した第1の撮像画像を示す。図中の12は、光源2a、偏光器3aによる単色光がシート1で反射して検出器5で撮像された半導体レーザチップ4端面の画像である。13aは光源2a、偏光器3aによる光が半導体レーザチップ4の端面で反射して検出器5で撮像されたシート1の画像である。図5(b)は光源2bを用いて撮像した第2の撮像画像を示す。図中の13bは光源2b、偏光器3bによる単色光が半導体レーザチップ4の端面で反射し更にシート1で反射し検出器5で撮像された画像を示す。
なお光源2aを用いて撮像した画像は、例えば輝度のスケールを8ビットで処理した場合に連続する128点の値が全て30以上のときに、半導体レーザチップ4a端面であると判定を行なう。光源2bを用いて撮像した画像は、連続する128点の値が全て235以下のときにシート1であると判定を行なう。半導体レーザチップ4aの端面の欠陥を自動的に検出するためである。
次に、検出した半導体レーザチップ端面画像12、シート画像13a及びシート画像13bの数値変換を制御部8で行なう。
図6(a)(b)(c)はそれぞれ数値変換処理後の強度分布図である。図6(a)において、15は、半導体レーザチップ端面画像12を行列変換で規格化を行ない数値変換したデータと、シート画像13aを上下反転と行列変換で規格化を行ない数値変換したデータとを重ね合わせて得た強度分布を表す。図6(b)において、16は、シート画像13bを上下反転と行列変換で規格化を行ない数値変換して得た強度分布を表す。
図6(a)(b)(c)はそれぞれ数値変換処理後の強度分布図である。図6(a)において、15は、半導体レーザチップ端面画像12を行列変換で規格化を行ない数値変換したデータと、シート画像13aを上下反転と行列変換で規格化を行ない数値変換したデータとを重ね合わせて得た強度分布を表す。図6(b)において、16は、シート画像13bを上下反転と行列変換で規格化を行ない数値変換して得た強度分布を表す。
図6(c)において、17は、図6(a)および図6(b)のそれぞれに表された結果の差分を表す。つまり、半導体レーザチップ端面画像12とシート画像13aとの合成画像の強度分布15から、シート画像13bの強度分布16を差し引くことで、シート1の表面形状等のデータが除外された、半導体レーザチップ4aの端面の表面形状のみの強度分布17を得ている。
以上のような強度分布17が得られた後、該強度分布17の中の各値を、ステージ6のX−Y平面座標の比較演算方向の前後左右の数値(たとえばX軸方向あるいはY軸方向といった一軸方向に沿った各座標での数値)と比較し、且つ、欠陥と正常な表面状態を識別するために予め設定した閾値18と比較し、閾値18を上回る数値があれば欠陥19有りと判定する。
詳述すると、図6(c)に表れているように、他のところよりも強度が突出する異常部分がある一方で、正常部分は統計的な揺らぎを強度方向に持つため平均値付近に広がりを持ち、その広がりは正規分布と考えられる。そこで正規分布の分散の3倍、つまり3σを閾値18と設定する。
判定に際しては、一方向(たとえばX軸方向)に数値(たとえばZ軸方向)を読み取り、閾値18よりも大きいか小さいかを判断し、大きい場合に異常(キズ、欠け)と仮に判定し、さらにその読み取り方向に直交する方向(たとえばY軸方向)に隣り合う座標について同様にして判断を行って異常有りのときに、欠陥19と判定する。例えば3×3の正方形の中心の座標で異常があると判断した場合、隣り合う少なくとも1つの座標でも異常があると判断したときに初めて、欠陥19と判断する。これは、撮像される画像には一般にエラーが含まれており、検出されたものが検出器(撮影機器)のエラーであるのか、それとも検査対象物の異常であるのかが不明であるため、それを判定する為にかかる比較演算法を取り入れているのである。
図示したように閾値18から外れた欠陥19を持つ半導体レーザチップは不良品と判定し、閾値18内に留まる場合は良品と判定する。この半導体レーザチップ4の位置座標、判定結果は制御部8に記憶する。
以上のようにして1個の半導体レーザチップ4の端面の形状の良否判定が完了したら、制御部8に記憶された位置座標と検査走査経路とに従って、たとえば図4に示したシート保持具7の座標系にて検査走査経路14を描くようにステージ6が移動されて、他の半導体レーザチップ4が順次に上記と同様にして検査される。そして全ての半導体レーザチップ4の検査が終了した後に、制御部8によって検査結果が保存されるとともにモニター10に表示される。
モニター10には、不良と判定された半導体レーザチップの座標確認を容易に行なえるように、ステージ6の座標を用いて表示される。このことにより、作業者が、不良と判定された半導体レーザチップにマーキングを行なうことで、或いはその座標データを次工程の設備に転送することで、次工程において不良品を容易に除去することができる。
なお上述の閾値18を設定するには、予め正常な端面について8ビット出力値(輝度)の平均値が98となるように光源2aを調整して撮像を行なう。そうすると、取得される出力値は統計的な揺らぎ(正規分布)即ちZ軸方向の揺らぎを持つので、その正規分布の3σ(分散)を閾値とする。光学系は1画素の大きさが1μmになるよう設定する。
輝度を98程度に調整する理由について説明する。強度を8ビットで処理する場合、図7に示すように、最大値が255、最小値が0となる。検査対象の半導体レーザチップ端面以外のノイズ成分を除去する値を30と設定した場合(ここでは8ビット処理での分解能を向上させる目的で設定した)、中央値128から30を減算した98が半導体レーザチップ端面の揺らぎとなる。この揺らぎは統計学上の正規分布を示すので、揺らぎの3σ(99.7%)から外れる強度が検出されたときに、異常、欠陥と判定する。ここまで1次元方向について説明したが2次元平面についても同様に考えることができる。
以上説明した本発明の検査装置および検査方法によれば、欠陥を数値化して客観的に判定するので、良品と不良品とを明確に判別することが可能であり、端面欠陥を持った不良品の流出を殆ど0にまで抑えることが可能である。またこの検査装置および検査方法は、現状の生産工程に容易に組み込むことが可能である。さらに従来は作業者がチップを1個ずつ取出して目視検査を行なっていたため、個人の能力や経験という主観的要素が影響し、良品と不良品の判別にバラツキがあったのに比べて、バラツキがなく、利便性も非常に高い。半導体レーザチップをシートから取り外すことなく検査するので、検査のための取り外しに起因する欠け等も防止できる。
本発明の半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法は、半導体レーザチップの端面の欠陥を自動的かつ客観的に判定できるので、半導体レーザ製品の製造に非常に有用である。
1 シート
2a、2b 光源
3a、3b 偏光器
4、4a、4b 半導体レーザチップ
5 検出器
6 ステージ
7 シート保持具
8 制御部
9 駆動部
10 モニター
11 入力部
12 半導体レーザチップ端面の画像
13a、13b シート画像
14 検査走査経路
15、16、17 強度分布
18 閾値
19 欠陥
θ 入射角
2a、2b 光源
3a、3b 偏光器
4、4a、4b 半導体レーザチップ
5 検出器
6 ステージ
7 シート保持具
8 制御部
9 駆動部
10 モニター
11 入力部
12 半導体レーザチップ端面の画像
13a、13b シート画像
14 検査走査経路
15、16、17 強度分布
18 閾値
19 欠陥
θ 入射角
Claims (7)
- 相対的に移動自在なステージと第1および第2の光源と第1および第2の偏光器と撮像可能な検出器と、演算機能を有する制御部とを具備しており、前記第1および第2の光源は、前記ステージの設置面に対する前記第1の光源の仰角が前記第2の光源の仰角よりも小さくなるように配置され、前記第1および第2の偏光器は、前記第1および第2の光源と前記ステージとの間に配置され、前記検出器は、その仰角が前記第1の光源の仰角より大きく前記第2の光源の仰角より小さくなるように配置されて、シート上に保持されて前記ステージの設置面に所定の向きで設置された検査対象の半導体レーザチップの端面部分を、前記第1および第2の光源からの中赤外光を前記第1および第2の偏光器によって前記シートの吸収帯域を避けた単色光に偏光して別途に照射し、前記検出器で検出して第1および第2の撮像画像を取得し、前記第1および第2の撮像画像をそれぞれ数値変換し、両数値の差が予め決めた域値を超えたときに前記半導体レーザチップの端面の形状に欠陥ありと判定するように構成されていることを特徴とする半導体レーザチップ端面検査装置。
- 前記第1の光源の仰角は10°以上45°以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザチップ端面検査装置。
- 前記第2の光源の仰角は45°以上100°以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザチップ端面検査装置。
- 前記検出器の仰角は10°以上60°以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザチップ端面検査装置。
- 前記シートは前記半導体レーザチップがその上でヘキ開されて個片化されたシートであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザチップ端面検査装置。
- 前記シートはポリオレフィン系材料からなることを特徴とする請求項1または請求項5のいずれかに記載の半導体レーザチップ端面検査装置。
- 半導体レーザチップを保持したシートをステージに設置する工程と、前記ステージの設置面に対して所定の仰角をなすように配置された第1の光源により前記半導体レーザチップの端面部分を照射し、前記第1の光源よりも大きい所定の仰角をなすように配置された検出器で検出して第1の撮像画像を得る工程と、前記ステージの設置面に対して前記検出器よりも大きい所定の仰角をなすように配置された第2の光源により前記半導体レーザチップの端面部分を照射し、前記検出器で検出して第2の撮像画像を得る工程と、前記第1の撮像画像と第2の撮像画像をそれぞれ数値変換し、両数値の差が予め決めた域値を超えたときに前記半導体レーザチップの端面の形状に欠陥ありと判定する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザチップ端面検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009093494A JP2010245358A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | 半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009093494A JP2010245358A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | 半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010245358A true JP2010245358A (ja) | 2010-10-28 |
Family
ID=43098031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009093494A Pending JP2010245358A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | 半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010245358A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111353223A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-30 | 太原理工大学 | 一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法 |
-
2009
- 2009-04-08 JP JP2009093494A patent/JP2010245358A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111353223A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-30 | 太原理工大学 | 一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法 |
CN111353223B (zh) * | 2020-02-25 | 2023-06-16 | 太原理工大学 | 一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10935503B2 (en) | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces | |
US7068363B2 (en) | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen | |
US8599379B2 (en) | Method for inspecting defects and defect inspecting apparatus | |
US7728965B2 (en) | Systems and methods for inspecting an edge of a specimen | |
JP2007501942A (ja) | 好適に円形エッジを有する物体の品質を光学的に制御する光学的試験方法及び光学的試験装置 | |
US20120262723A1 (en) | Surface inspection tool and surface inspection method | |
JPWO2008139735A1 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
US7477370B2 (en) | Method of detecting incomplete edge bead removal from a disk-like object | |
US9719943B2 (en) | Wafer edge inspection with trajectory following edge profile | |
CN110954007B (zh) | 晶圆检测系统及检测方法 | |
WO2010058680A1 (ja) | シリコンウェハ欠陥検査装置 | |
US7602481B2 (en) | Method and apparatus for inspecting a surface | |
JP2019049520A (ja) | マルチモードシステムおよび方法 | |
JP2010245358A (ja) | 半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法 | |
CN116053155A (zh) | 用于检测硅片表面损伤层深度的方法和系统 | |
US8577119B2 (en) | Wafer surface observing method and apparatus | |
KR20220158572A (ko) | 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법 | |
TWI846338B (zh) | 用於檢測矽片表面損傷層深度的方法和系統 | |
KR102687100B1 (ko) | 멀티 모드 시스템 및 방법 | |
JPH09218162A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
Weng et al. | Combining vision inspection and bare die packaging for high volume manufacturing | |
JP2004361243A (ja) | 光沢面検査装置及び方法 | |
JPH11274250A (ja) | 検査装置 |