TWI846338B - 用於檢測矽片表面損傷層深度的方法和系統 - Google Patents
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Abstract
本發明是關於用於檢測矽片表面損傷層深度的方法和系統，該方法包括：沿直徑方向對矽片進行解理以獲得半圓形的矽片部分；使用雷射光束對矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射；在雷射光束經由側部的被照射的部位發生反射的反射方向上對被照射的部位進行拍攝；以及對拍攝形成的圖像進行分析以獲得矽片的表面在該部位處的損傷層深度。
Description
本發明屬於半導體加工製造技術領域，具體地，是關於用於檢測矽片表面損傷層深度的方法和系統。
在矽片製造過程中，例如滾磨、切片、研磨、拋光的機械加工過程會不可避免地在矽片表面引入機械損傷。這些機械損傷破壞了原有的單晶層，如不能及時去除會對後續加工製程生產的產品的品質造成不利影響。在這種情況下，需要能夠準確測量出機械損傷的深度，以便據此確定後續流程中去除損傷層時所關係的去除量等參數。
已知這種機械損傷的深度較小，不易靠諸如顯微鏡、紅外光譜儀之類的相關技術中的設備直接準確檢測出具體深度，目前，經常採用例如「角度拋光法」來進行檢測。在角度拋光法中，需要先將矽片按其解理方向分裂成多片以作為測量樣片，然後以一斜角對該測量樣片進行角度拋光以形成斜面，並利用腐蝕液對該斜面進行刻蝕，以使該矽片表面損傷能夠在該斜面上更好地顯現出來，這裡，角度拋光起到相當於「放大器」的作用，通過利用顯微鏡測量出損傷在該斜面上的長度並乘以該拋光角度的正弦值，便可以得出損傷層的深度。
然而，上述「角度拋光法」需要首先將矽片分裂成多個小的樣片才能進行後續檢測，並且在檢測中，還須對樣片進行豎立、拋光、刻蝕等操作，這導致該檢測是有損的，由此產生較高成本，而且整個操作流程也比較複雜，由此造成檢測時間較長，不利於及時將檢測結果回饋到生產前端以便根據該檢測結果進行產品品質的調整。
本部分提供了本發明的總體概要，而不是對本發明的全部範圍或所有特徵的全面公開。
本發明的一個目的在於提供一種能夠減小檢測成本的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法。
本發明的另一目的在於提供一種能夠縮短檢測時間的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法。
為了實現上述目的中的一個或多個，根據本發明的一個方面，提供了一種用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其包括：
沿直徑方向對矽片進行解理以獲得半圓形的矽片部分；
使用雷射光束對矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射；
在雷射光束經由側部的被照射的部位發生反射的反射方向上對被照射的部位進行拍攝；以及
對拍攝形成的圖像進行分析以獲得矽片的表面在該部位處的損傷層深度。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，使用雷射光束對矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射可以包括使用雷射光束沿垂直於解理面的方向對該部位進行照射。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，使用雷射光束對矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射可以包括使用雷射光束對側部的多個部位進行照射。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，該多個部位可以相對於矽片部分的圓心對稱地分佈。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，雷射光束能夠與解理面在與直徑邊平行的方向上相對移動，使得雷射光束能夠對整個側部進行照射。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，沿直徑方向對矽片進行解理可以包括在直徑方向上沿晶向＜110＞對矽片進行解理。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，沿直徑方向對矽片進行解理可以包括在解理過程中向解理面吹氮氣以防止雜質附著在解理面上。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的方法中，雷射光束可以被聚焦成使得在照射到側部時呈微米級的光斑。
根據本發明的另一方面，提供了一種用於檢測矽片表面損傷層深度的系統，其包括：
解理單元，其用於沿直徑方向對矽片進行解理以獲得半圓形的矽片部分；
照射單元，其用於使用雷射光束對矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射；
拍攝單元，其用於在雷射光束經由側部的被照射的部位發生反射的反射方向上對被照射的部位進行拍攝；以及
處理單元，其用於對拍攝形成的圖像進行分析以獲得矽片的表面在該部位處的損傷層深度。
在上述用於檢測矽片表面損傷層深度的系統中，還可以包括移動單元，其用於使照射單元和拍攝單元能夠相對於解理面在與直徑邊平行的方向上同步移動。
根據本發明的檢測方法，通過對半圓形的矽片部分的解理面進行雷射光束照射並利用明暗區的識別來確定矽片表面損傷層的深度。該方法僅需將矽片裂解成兩個半圓形的矽片部分並選擇一個進行檢測即可，不用將矽片解理成許多小片，因此減小了對矽片的損壞，而另一個半圓形的矽片部分還可以再被回收利用，因此也減小了檢測成本。此外，本發明的檢測方法所使用的解理程式相對更少，不用進行拋光、刻蝕等操作，因此整個操作流程更加簡單，檢測時間更短，而且不用進一步解理即可進行多位置檢測，也進一步縮短了檢測時間，由此有利於及時將檢測結果回饋到生產前端以便根據該檢測結果進行產品品質的調整。
通過以下結合附圖對本發明的示範性實施方式的詳細說明，本發明的上述特徵和優點以及其他特徵和優點將更加清楚。
下面參照附圖、借助於示範性實施方式對本發明進行詳細描述。要注意的是，對本發明的以下詳細描述僅僅是出於說明目的，而絕不是對本發明的限制。
針對矽片表面損傷層深度的測量，目前經常採用「角度拋光法」，然而，如之前提到的，使用角度拋光法必須要對矽片進行裂片且需要裂片成許多小的樣片，因此該檢測是將矽片嚴重損壞的，很難再進行回收利用，由此導致高的檢測成本。此外，對小樣片進行角度拋光法檢測，還須對樣片進行豎立、拋光、刻蝕等操作，操作流程複雜，導致檢測時間較長，在進行多位置檢測的情況下，總體檢測耗時會更長，不利於及時將檢測結果回饋到生產前端以便根據該檢測結果進行產品品質的調整。
為此，參照圖1至圖6，根據本發明的一方面，提供了一種用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其包括：
沿直徑方向對矽片1進行解理以獲得半圓形的矽片部分2；
使用雷射光束3對矽片部分2的解理面21的鄰近直徑邊10的側部21a進行照射；
在雷射光束3經由側部21a的被照射的部位A發生反射的反射方向上對被照射的部位A進行拍攝；以及
對拍攝形成的圖像進行分析以獲得矽片1的表面11在該部位A處的損傷層深度。
注意到的是，在用雷射光束對矽片表面進行照射的情況下，對於無損傷的或者說理想的矽片表面，雷射光束會被完全反射，即只會在反射方向上產生反射光，在這種情況下，當在反射方向上觀察時，被照射的部位會呈現全明亮的狀態。然而，在表面存在損傷的情況下，由於損傷會造成表面折射率突變，當雷射光束照射到存在損傷的部位時，由於損傷會引發散射光，鐳射不會被完全反射，即除了在反射方向上產生反射光外，還會在其他方向上產生反射光，從而當在反射方向上觀察時，被照射的部位不會呈現全明亮狀態，而是損傷處的亮度會變暗，以此方式，可以根據相對較暗區域的位置識別出該損傷位置。
為了測量矽片表面損傷層的深度，本發明的方案還對矽片進行了解理以獲得半圓形的矽片部分，由此可以使矽片表面損傷在解理面上在其與矽片表面垂直的延伸方向上被暴露出來，如圖6中以從直徑邊10向下延伸的短線所示，這樣，可以通過對該損傷在延伸方向上所處的解理面的鄰近直徑邊的側部進行雷射光束照射來根據被照射的部位的明暗變化來確定出損傷層的深度。換句話說，當用雷射光束照射解理面時，雷射光束會照射到損傷在延伸方向上的整個長度，由於損傷處相對於無損傷處會變暗，因此，可以根據暗區的長度來獲得矽片的表面在被照射的部位處的損傷層深度。
通過這種方式，僅需將矽片裂解成兩個半圓形的矽片部分並選擇一個進行檢測即可，不用將矽片解理成許多小片，因此減小了對矽片的損壞，而另一個半圓形的矽片部分還可以再被回收利用，因此也減小了檢測成本。此外，本發明的檢測方法所使用的解理程式相對更少，不用進行拋光、刻蝕等操作，因此整個操作流程更加簡單，檢測時間更短，而且不用進一步解理即可進行多位置檢測，也進一步縮短了檢測時間，由此有利於及時將檢測結果回饋到生產前端以便根據該檢測結果進行產品品質的調整。
具體而言，在本發明的檢測方法中，如圖2和圖3中所示，矽片1被沿以虛線表示的直徑方向解理成兩個半圓形的矽片部分2，並且這兩個半圓形的矽片部分2中的任一個可以被選擇作為檢測物件。如上文提到的，通過解理而獲得解理面21會使矽片表面損傷在其與矽片表面垂直的延伸方向上被暴露出來，由此允許通過本發明的檢測方法來檢測損傷層在該延伸方向上的深度。
需要注意的是，在該檢測方法中，不對矽片1進行任何熱處理或氧化處理。本發明的檢測方法針對的是矽片表面損傷，而熱處理或氧化處理會使矽片內部的缺陷成核長大，這會使矽片內部缺陷與表面缺陷同時顯現，由此對表面損傷的分辨造成困難，嚴重影響到對矽片表面損傷層深度的檢測。
可以設想的是，由於晶向＜110＞上的位錯較少從而在該晶向上進行解理不容易發生碎片等問題，因此沿直徑方向對矽片1進行解理可以包括在直徑方向上沿晶向＜110＞對矽片1進行解理。
此外，可以在解理過程中向解理面21吹氮氣，這可以防止雜質附著在解理面21上並由此對後續的雷射光束照射檢測造成不利影響。
在本發明的檢測方法中，如圖4中所示，可以利用例如雷射器的照射單元100來產生雷射光束3，雷射光束3在矽片部分2所處於的平面中對解理面21進行照射，雷射光束3可以相對於解理面21呈一定角度入射，並且可以利用例如光學成像設備的拍攝單元200在反射方向上對被雷射光束3照射的部位A進行拍攝，由此，可以實現對矽片1表面的損傷層厚度的檢測。
可以理解的是，該角度可以是大於0且小於180°的任意角度，只要能夠照射到解理面上且經由其上的被照射的部位發生反射即可。
在本發明的實施方式中，如圖5中所示，可以使雷射光束3沿垂直於解理面21的方向對部位A進行照射。
在這種情況下，可以在同樣為垂直於解理面21的方向的反射方向上拍攝到被雷射光束3照射的部位A的圖像，使得能夠以最佳視角觀察被雷射光束3照射的部位A，以便更方便和準確地確定矽片表面損傷層的深度。
在本發明的實施方式中，可以使用雷射光束3對解理面21的鄰近直徑邊10的側部21a的多個部位進行照射。以此方式，可以實現對矽片1表面的在直徑方向上的多個部位處的損傷層深度的檢測，以便更準確地評估矽片表面損傷情況。
可以設想的是，該多個部位可以是相對於矽片部分2的圓心對稱地分佈的。進一步地，該多個部位可以是在直徑方向（或解理方向）上等距分佈的，或者，該多個部位可以根據需要集中分佈在想要進行檢測的位置處。由此，便於獲得更準確的評估結果。
還可以設想的是，可以根據上述檢測方式在解理方向上對整個側部21a進行檢測，即該多個部位可以是側部21a在解理方向上的所有部位。
對此，可以設想的是，雷射光束3能夠與解理面21在與直徑邊10平行的方向上相對移動，使得雷射光束3能夠對整個側部21a進行照射。
對此，一方面，可以使雷射光束3能夠相對於解理面21在與直徑邊10平行的方向上移動，以使得能夠對整個側部21a進行照射。
在這種情況下，可以理解的是，隨著雷射光束3的移動，雷射光束3會照射到解理面21的側部21a在與直徑邊10平行的方向上的所有部位，即隨著上述移動而沿上述方向（即解理方向）照射到整個側部21a，而另一方面，對被照射的部位A進行拍攝的位置也須隨著雷射光束3的移動而同步移動，以便始終保持在反射方向上對部位A進行拍攝。
另一方面，也可以使解理面21相對於雷射光束3在與直徑邊10平行的方向上移動，使得雷射光束3能夠對整個側部21a進行照射。
在這種情況下，雷射光束3和對被照射的部位A進行拍攝的位置可以固定不動，僅需移動矽片部分2即移動矽片部分2的解理面21即可。
此外，還可以設想的是，在雷射光束3相對於解理面21以非直角的角度入射的情況下，產生雷射光束3的光源的位置可以是固定的，僅需調整雷射光束3相對於解理面21的角度來實現對整個側部21a的照射，並移動對被照射的部位A進行拍攝的位置以使其始終處於反射方向上即可。
在本發明的實施方式中，雷射光束3可以被聚焦成使得在照射到側部21a時呈微米級的光斑。
通常，矽片的厚度為775μm，使用的雷射光束的直徑可能例如為100μm左右，而矽片表面損傷的深度一般僅為幾微米，甚至不足1μm，這種情況下，當利用雷射光束3照射到側部21的部位A時，表徵損傷深度的暗區的尺寸可能也僅有幾微米，不利於清楚地觀察和確定損傷的深度。在本發明的實施方式中，通過使雷射光束3聚焦成微米級光斑，可以使表徵損傷深度的暗區在光斑中被更清楚地顯現出來，從而有利於清楚且準確地確定出損傷的深度。
根據本發明的另一方面，還提供了一種用於檢測矽片表面損傷層深度的系統，其包括：
解理單元，其用於沿直徑方向對矽片進行解理以獲得半圓形的矽片部分；
照射單元，其用於使用雷射光束對矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射；
拍攝單元，其用於在雷射光束經由側部的被照射的部位發生反射的反射方向上對被照射的該部位進行拍攝；以及
處理單元，其用於對拍攝形成的圖像進行分析以獲得矽片的表面在該部位處的損傷層深度。
在本發明的實施方式中，該系統還可以包括移動單元，其用於使照射單元和拍攝單元能夠相對於解理面在與直徑邊平行的方向上同步移動。
也就是說，移動單元可以使照射單元和拍攝單元能夠相對於解理面在與直徑邊平行的方向上移動，且照射單元和拍攝單元的移動是同步進行的。還可以想到的是，移動單元還可以構造成使得解理面能夠相對於照射單元和拍攝單元在與直徑邊平行的方向上移動，且照射單元和拍攝單元的相對位置是固定的。
以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的通常知識者在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以申請專利範圍的保護範圍為準。
100:照射單元
200:拍攝單元
1:矽片
10:直徑邊
2:矽片部分
21:解理面
21a:側部21a
3:雷射光束
A:部位
圖1為根據本發明的實施方式的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法的流程圖；
圖2以俯視圖示意性地示出了待檢測的矽片，其中，以虛線示出了解理方向；
圖3以立體圖示意性地示出了通過解理獲得的半圓形的矽片部分；
圖4示意性地示出了矽片表面損傷層深度的檢測原理；
圖5示意性地示出了雷射光束以垂直於解理面的方向進行照射時的檢測過程；以及
圖6為解理面的俯視圖，其中，示意性地示出了反映在解理面上的矽片表面損傷。
Claims (8)
- 一種用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，包括：沿直徑方向對矽片進行解理以獲得半圓形的矽片部分；使用雷射光束對該矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射；在該雷射光束經由該側部的被照射的部位發生反射的反射方向上對被照射的該部位進行拍攝；以及對拍攝形成的圖像進行分析以獲得該矽片的表面在該部位處的損傷層深度；其中，使矽片表面損傷在解理面上在其與矽片表面垂直的延伸方向上被暴露出來；通過對該表面損傷在延伸方向上所處的解理面的鄰近直徑邊的側部進行雷射光束照射來根據被照射的部位的明暗變化來確定出損傷層的深度；其中，該使用雷射光束對該矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射包括使用該雷射光束對該側部的多個部位進行照射；該多個部位相對於該矽片部分的圓心對稱地分佈；且該多個部位在直徑方向上等距分佈，或者該多個部位根據需要集中分佈在想要進行檢測的位置處。
- 如請求項1所述的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其中，該使用雷射光束對該矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射包括使用該雷射光束沿垂直於該解理面的方向對該部位進行照射。
- 如請求項1或2所述的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其中，該雷射光束能夠與該解理面在與該直徑邊平行的方向上相對移動，使得該雷射光束能夠對整個該側部進行照射。
- 如請求項1或2所述的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其中，該沿直徑方向對矽片進行解理包括在直徑方向上沿晶向<110>對該矽片進行解理。
- 如請求項1或2所述的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其中，該沿直徑方向對矽片進行解理包括在解理過程中向該解理面吹氮氣以防止雜質附著在該解理面上。
- 如請求項1或2所述的用於檢測矽片表面損傷層深度的方法，其中，該雷射光束被聚焦成使得在照射到該側部時呈微米級的光斑。
- 一種用於檢測矽片表面損傷層深度的系統，包括：解理單元，其用於沿直徑方向對矽片進行解理以獲得半圓形的矽片部分；照射單元，其用於使用雷射光束對該矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射；拍攝單元，其用於在該雷射光束經由該側部的被照射的部位發生反射的反射方向上對被照射的該部位進行拍攝；以及處理單元，其用於對拍攝形成的圖像進行分析以獲得該矽片的表面在該部位處的損傷層深度；其中，使矽片表面損傷在解理面上在其與矽片表面垂直的延伸方向上被暴露出來；通過對該表面損傷在延伸方向上所處的解理面的鄰近直徑邊的側部進行雷射光束照射來根據被照射的部位的明暗變化來確定出損傷層的深度；其中，該使用雷射光束對該矽片部分的解理面的鄰近直徑邊的側部進行照射包括使用該雷射光束對該側部的多個部位進行照射；該多個部位相對於該矽 片部分的圓心對稱地分佈；且該多個部位在直徑方向上等距分佈，或者該多個部位根據需要集中分佈在想要進行檢測的位置處。
- 如請求項7所述的用於檢測矽片表面損傷層深度的系統，其中，還包括移動單元，其用於使該照射單元和該拍攝單元能夠相對於該解理面在與該直徑邊平行的方向上同步移動。
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