TW201600614A - 鋁箔、使用其之電子零件布線基板、及鋁箔之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種具有對焊料之較高之密接性之鋁箔。本發明之鋁箔係含有Sn及Bi中之至少一者之鋁箔，並且Sn及Bi之合計質量相對於鋁箔之總質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下。

Description

鋁箔、使用其之電子零件布線基板、及鋁箔之製造方法
本發明係關於一種鋁箔、使用其之電子零件佈線基板、及鋁箔之製造方法。
鋁通常於其表面形成有氧化覆膜。由於該氧化覆膜與焊料之密接性較低，故而無法對鋁使用一般之銅用之焊料進行焊接。因此，於對包含鋁之基材進行焊接之情形時，必須使用活性高為可去除氧化皮膜之程度之特殊的助焊劑，或者如日本專利特開2004-263210號公報(專利文獻1)中所揭示般使用在表面鍍敷有不同種類之金屬之鋁作為基材。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-263210號公報
然而，於使用上述活性較高之特殊之助焊劑之情形時，必須藉由對焊接後之基材進行洗淨處理等，而去除助焊劑。其原因在於：於焊接後殘留之助焊劑存在腐蝕鋁之傾向。又，為使用鍍敷有不同種類之金屬之鋁，必須預先對鋁實施鍍敷處理。因此，先前，為對鋁進行焊接，存在與銅、銀等其他金屬相比處理所需之步驟數或時間增加之傾向。
又，期待利用鋁箔作為電子零件之佈線等，但例如於使用上述鋁用之活性較高之特殊之助焊劑的情形時，於安裝電子零件後需要洗淨步驟，因此存在步驟變得複雜，並且引起電子零件之異常之顧慮。
本發明係鑒於如上所述之現狀而完成者，其目的在於提供一種即便對一般之銅用之焊料亦具有較高之密接性的鋁箔、使用其之電子零件佈線基板、及鋁箔之製造方法。
為解決上述問題，本發明者等人對鋁箔之組成反覆努力研究，以便可不使用為一般之鋁用而開發之活性較高之特殊的助焊劑或者不對鋁箔實施鍍敷處理，而使鋁箔自身對焊料具有較高之密接性。
而且，發現於製造鋁箔時，藉由使Sn及Bi中之至少一者混合於鋁熔液內，可提高所製造之鋁箔對焊料之密接性，並進一步反覆努力研究，藉此完成本發明。
即，本發明之一態樣之鋁箔係含有Sn及Bi中之至少一者之鋁箔，並且Sn及Bi之合計質量相對於鋁箔之總質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下。
於上述鋁箔中，較佳為Sn及Bi之合計表面積相對於鋁箔之總表面積之比率為0.01%以上且65%以下，且合計表面積之比率為Sn及Bi之合計體積相對於Al之體積之比率的5倍以上。
又，較佳為上述鋁箔被調質為由JIS-H0001規定之O至1/4H之範圍。
進而，上述鋁箔可用於焊接用之鋁箔。
又，本發明之一態樣亦涉及使用上述鋁箔製造之電子零件佈線基板。
本發明之一態樣之鋁箔之製造方法包括如下步驟：準備鋁熔液；藉由在鋁熔液中添加Sn及Bi中之至少一者，而製作Sn及Bi之合計質量 之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下之混合熔液；使用混合熔液形成鑄塊或鑄造板；藉由軋壓鑄塊或鑄造板，而製造Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下、且被調質為由JIS-H0001規定之3/4H至H之範圍的鋁箔；及於230℃以上之溫度下，對該經調質之鋁箔實施熱處理而進行調質。
根據本發明，可提供一種即便對一般之銅用之焊料亦具有較高之密接性的鋁箔。
<鋁箔>
本實施形態之鋁箔係含有Sn及Bi中之至少一者之鋁箔，並且Sn及Bi之合計質量相對於鋁箔之總質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下。
此處，所謂「鋁」，包括99.0質量%以上由Al構成之「純鋁」、及包含未達99.0質量%之Al與1.0質量%以上之任意之添加元素的「鋁合金」。作為任意之添加元素，可列舉矽(Si)、鐵(Fe)、銅(Cu)等，任意之添加元素之總量之上限值為2.0質量%。
因此，於本發明之「鋁箔」中包含「鋁合金箔」，就包含如上所述之含量之Sn或Bi或者上述兩者之觀點而言，亦可稱為「鋁合金箔」。
鋁箔中之Sn、Bi、任意之添加元素及不可避免之雜質之含量(質量)可藉由全反射螢光X射線(Total Reflection X-Ray Fluorescence，TXRF)法、ICP(inductively coupled plasma，感應耦合電漿)發光分光分析(ICP)法、感應耦合電漿質量分析(ICP-MS)法等而測定。
本實施形態之鋁箔由於對焊料之密接性高於先前之鋁箔，故而於 焊接之情形時，無須使用為一般之鋁用而開發之活性較高之特殊的助焊劑或者對鋁箔實施鍍敷處理。因此，可以較高之精度進行焊接。
再者，用於本實施形態之鋁箔之焊接之「焊料」並無特別限制，可使用一般作為銅用而使用之公知之焊料，可例示以鉛(Pb)及Sn為主成分之有鉛焊料、無鉛之焊料等。就保護環境之觀點而言，較佳為使用無鉛之無鉛焊料實施本實施形態之鋁箔之焊接。
於本實施形態之鋁箔中，於Sn及Bi之合計質量相對於鋁箔之總質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下之情形時與焊料之密接性提高之原因並不明確，但本發明者等人推測為如下。
藉由鋁箔含有Sn及Bi中之至少一者，於鋁箔之表面附近存在Sn或Bi、或者上述兩者。由於存在該等之部分與焊料之密接性較不存在該等之部分(即，先前之鋁箔)與焊料之密接性更良好，故而結果鋁箔與焊料之密接性提高。認為此種密接性之提高與Sn為一般之有鉛焊料之成分且Sn及Bi為無鉛焊料之成分有關。
於本實施形態之鋁箔中，上述合計質量之比率較佳為0.01質量%以上且10質量%以下。
再者，於鋁箔含有Sn且不含有Bi之情形時，上述合計質量相當於鋁箔中所含有之Sn之質量，於鋁箔不含有Sn且含有Bi之情形時，上述合計質量相當於鋁箔中所含有之Bi之質量。下述合計表面積及合計體積亦相同。
於本實施形態之鋁箔中，較佳為Sn及Bi之合計表面積相對於鋁箔之總表面積之比率為0.01%以上且65%以下，且該合計表面積之比率為Sn及Bi之合計體積相對於Al之體積之比率的5倍以上。於上述合計表面積之比率未達0.01%之情形時，存在與焊料之密接性降低之傾向，於超過65%之情形時，存在Sn及Bi容易自經焊接之鋁箔脫落之傾向。又，於上述合計表面積之比率未達上述合計體積之比率之5倍之情形時，存 在與焊料之密接性降低之傾向。
此處，所謂「Sn及Bi之合計表面積相對於鋁箔之總表面積之比率」係指於藉由目視或者使用光學顯微鏡觀察鋁箔之情形時Sn及Bi之各面積之合計即合計表面積於所觀察之圖像之面積中所占的比率。具體而言，於使用光學顯微鏡觀察鋁箔時，將於目視之圖像中縱橫地擴展之二維之面積設為鋁箔之表面，Sn及Bi之合計表面積於該表面之面積中所占之比率成為Sn及Bi之合計表面積相對於鋁箔之總表面積的比率。此種合計表面積之比率可使用掃描式電子顯微鏡(SEM)拍攝至可由目視或光學顯微鏡觀察到之程度之深度，並藉由基於所獲得之圖像之對比度之二值化處理而算出。
又，鋁箔中之「Sn及Bi之合計體積相對於Al之體積之比率」係以如下方式規定。於鋁箔中含有Sn且不含有Bi之情形時，使鋁箔中所含有之Sn之質量相對於Al之質量之比率(Sn/Al×100)(%)乘以Al之比重(2.7)並除以Sn之比重(7.3)所得的數值成為上述合計體積之比率。於鋁箔中不含有Sn且含有Bi之情形時，使鋁箔中所含有之Bi之質量相對於Al之質量之比率(Bi/Al×100)(%)乘以Al之比重並除以Bi之比重(9.8)所得的數值成為上述合計體積之比率。於鋁箔中含有Sn及Bi之情形時，使鋁箔中所含有之Sn及Bi之合計質量相對於Al之質量的比率{(Sn+Bi)/Al×100}(%)乘以Al之比重並除以Sn及Bi之混合物之比重(處於7.3至9.8之間，根據Sn與Bi之混合比率而變化)所得的數值成為上述合計體積之比率。
又，所謂「Sn及Bi之合計表面積相對於鋁箔之總表面積之比率為Sn及Bi之合計體積相對於Al之體積之比率的5倍以上」係指「合計表面積之比率」除以「合計體積之比率」所得之數值(表面積/體積)為5倍以上。
於本實施形態之鋁箔中，上述合計表面積之比率較佳為0.1質量% 以上且63.5質量%以下。又，上述合計表面積之比率除以上述合計體積之比率所得之數值較佳為30倍以下，更佳為10倍以上且20倍以下。
本實施形態之鋁箔之調質度較佳為被調質為由JIS-H0001規定之O至1/4H之範圍。本發明者等人確認到於以此方式進行調質之情形時對焊料之密接性充分高。
此處，由JIS-H0001規定之「1/4H」及「O」等符號(字母、或一併記載有字母與數字者)係表示鋁箔之調質之程度者，可藉此瞭解鋁箔之硬度。本實施形態之鋁箔係藉由對成為鋁箔之原料之鑄塊或鑄造板進行軋壓並對其進行熱處理而製造，可根據該熱處理之溫度條件變更調質之程度，以此可調整其硬度。
所謂被調整為「O至1/4H之範圍」之鋁箔，意圖包含被調質為O之軟質之鋁箔、被調質為1/4H之鋁箔、及調質之程度包含於O至1/4H之範圍內之鋁箔。又，所謂被調質為「3/4H至H之範圍」之鋁箔，意圖包含被調質為3/4H之鋁箔、被調質為H之硬質鋁箔、及調質之程度包含於3/4H至H之範圍內之鋁箔。
本實施形態之鋁箔由於對焊料之密接性較高，故而可較佳地利用於焊接。尤其是於鋁箔之厚度為3μm以上且200μm以下之情形時，可較佳地利用於對精密之電子零件等之焊接。作為具體之利用方法，可列舉利用鋁箔作為電子裝置或半導體裝置之零件或佈線之方法。就發揮更高之密接性之方面而言，本實施形態之鋁箔之厚度更佳為30μm以上且200μm以下，進而較佳為30μm以上且100μm以下。
<鋁箔之製造方法>
本實施形態之鋁箔之製造方法包括：準備鋁熔液之步驟(鋁熔液準備步驟)；藉由在鋁熔液中添加Sn及Bi中之至少一者，而製作Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下之混合熔液的步驟(混合熔液製作步驟)；使用混合熔液形成鑄塊或鑄造板之步驟(鑄 造步驟)；藉由軋壓鑄塊或鑄造板，而製造Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下、且被調質為由JIS-H0001規定之3/4H至H之範圍之鋁箔的步驟(軋壓步驟)；及對該經調質之鋁箔進行熱處理之步驟(熱處理步驟)。以下，依序對各步驟進行說明。
(鋁熔液準備步驟)
首先，準備鋁熔液。鋁熔液包含上述純鋁或鋁合金之熔融液。
(混合熔液準備步驟)
繼而，藉由在鋁熔液中添加Sn及Bi中之至少一者，而製作Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下之混合熔液。具體而言，針對鋁熔液，以Sn及Bi之合計質量相對於鋁熔液之質量與Sn及Bi之合計質量之和的比率成為0.0075質量%以上且15質量%以下之方式，向鋁熔液內投入Sn或Bi或者上述兩者之粉末或塊或者母合金，而使Sn或Bi或者上述兩者熔入。此時，較佳為攪拌鋁熔液。再者，該混合熔液準備步驟亦可與上述鋁熔液準備步驟同時實施。
(鑄造步驟)
繼而，使用混合熔液形成鑄塊或鑄造板。具體而言，使混合熔液流入鑄模，藉由將其冷卻而製造作為長方體之塊之鑄塊，或者利用使混合熔液通過2根冷卻輥間之方法等進行急速冷卻，藉此製造鑄造板。藉由在形成鑄塊或鑄造板前，實施混合熔液之脫氣處理、過濾處理等，可形成均質之鑄塊或鑄造板。
(軋壓步驟)
繼而，藉由軋壓鑄塊或鑄造板，而製造Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下、且被調質為由JIS-H0001規定之3/4H至H之範圍的鋁箔。具體而言，於將經由上述步驟而獲得之鑄塊之表面切削去除後將其軋壓，或將經由上述步驟而獲得之鑄造板軋壓，而製造上述被調質為由JIS-H0001規定之3/4H至H之範圍之鋁箔。
(熱處理步驟)
繼而，於230℃以上之溫度下，對經由以上之步驟之經調質之鋁箔實施熱處理，而製造調質為O至1/4H之鋁箔。具體而言，首先，將經調質之鋁箔配置於爐中，並使爐內之溫度自室溫(25℃)升溫至230℃以上之目標溫度。該升溫速度並無特別限制，較佳為花費1小時~24小時左右之時間逐漸地升溫至目標溫度。升溫後，維持目標溫度10分鐘~168小時，其後，藉由自然冷卻，使爐內溫度下降至室溫(25℃)為止。然而，未必需要使配置有經調質之鋁箔之爐之爐內溫度下降至室溫，亦可於保持目標溫度特定時間之後，立即將鋁箔自爐內取出。
藉由上述熱處理，對經調質為由JIS-H0001規定之3/4H至H之範圍之鋁箔進行調質，而使其成為硬度被調質為O至1/4H之範圍者。即，成為本發明之鋁箔。
於上述熱處理中，於熱處理之溫度未達230℃之情形時，所獲得之鋁箔對焊料之密接性低於上述熱處理後之鋁箔。其原因並不明確，但本發明者等人推測為如下。
本發明者等人藉由各種研究，確認到於熱處理之溫度未達230℃之情形時，Sn或Bi或者上述兩者於熱處理後向鋁箔表面之偏析較少，熱處理後之Sn及Bi之合計表面積相對於鋁箔之總表面積之比率難以成為0.01%以上且65%以下，且該合計表面積之比率難以成為上述合計體積之比率之5倍以上。因此，推測鋁箔之表面積中之上述合計表面積之比率、及Sn或Bi或上述兩者於表面之分佈狀態等與鋁箔對焊料之密接性有關，且其等根據熱處理之溫度而變化。再者，於熱處理之溫度超過500℃之情形時，設備投資或能源成本變高，故而並不推薦。
[實施例]
以下，列舉實施例，對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不限定於該等。
<實施例1>
以如下方式製造鋁箔。首先，準備使包含JIS-AlN90材料之鋁(純度99.98質量%以上)熔融而成之鋁熔液(鋁熔液準備步驟)。繼而，向鋁熔液中投入Sn，製作Sn之含量為10質量%之混合熔液(混合熔液製作步驟)。繼而，使用該混合熔液形成鑄塊(鑄造步驟)。繼而，於將鑄塊之表面切削去除後，於室溫(25℃)下對其進行冷軋，製造厚度分別為30μm、50μm、100μm之鋁箔(軋壓步驟)。繼而，於空氣環境中且於400℃下對鋁箔實施熱處理。再者，該鋁箔係調質度被調質為O者。
<實施例2~7及比較例1~5>
實施例2~7、比較例1及2除如表1所示般變更混合熔液中之Sn之混合比率以外，藉由與實施例1相同之方法，製造厚度分別為30μm、50μm、100μm之鋁箔。
比較例3除未混合Sn以外，藉由與實施例1相同之方法，製造厚度分別為30μm、50μm、100μm之鋁箔。又，比較例4及比較例5除分別使用包含JIS-AlN30材料之鋁(純度99.3質量%)及包含JIS-A8079材料之鋁合金(純度98.9質量%)且未混合Sn以外，藉由與實施例1相同之方法，製造厚度分別為30μm、50μm、100μm之鋁箔。再者，實施例2~7、比較例1~5之鋁箔係調質度被調質為O之鋁箔。
將於實施例1~7及比較例1~5中使用之成為原料之鋁的種類、鋁箔中之Sn之含有比率、調質之程度、厚度示於表1。再者，於表1中不包含該等者之情形時，標記為「-」。
<評價>
對實施例1~7及比較例1~5之鋁箔焊接晶片電阻，並評價鋁箔與晶片電阻之密接性。
具體而言，準備焊膏(商品名：「BI57 LRA-5 AMQ」，日本Superior股份有限公司製造)。將該焊膏以中心距離成為3.5mm、各者之直徑成 為2mm且各者之重量成為1.5mg之方式塗佈於鋁箔上，並且以均勻地橫跨2點之方式配置3216型晶片電阻。使用近紅外線聚焦爐(「IR-HP2-6」，米倉製作所股份有限公司製造)對其加熱並實施焊接。加熱時之條件係將氮流量設為1L/分鐘，將最高到達溫度設為175℃±1℃，將50℃至最高到達溫度之設定時間設為2分鐘31秒。又，設為加熱後焊料自然冷卻至凝固為止，冷卻速度約為-13℃/分鐘。
繼而，對焊接於鋁箔上之晶片電阻，實施剪切強度測定，評價鋁箔與經由焊料而接合之晶片電阻之密接性。評價方法係使用黏合力測試機(Nordson dage系列4000)測定剪切強度。具體而言，藉由雙面膠帶將焊接有晶片電阻之鋁箔固定於平滑之基板，並以工具移動距離0.3mm/秒實施測定。
剪切強度係以各樣品測定3次，將其平均值為30N以上者設為「A」，又，將於剪切強度測定中晶片電阻、焊料及鋁箔不分別剝離而鋁箔斷裂者設為「B」，將鋁箔未斷裂且剪切強度之平均值未達30N者設為「C」。即，A之密接性優異，B為鋁箔斷裂之程度之充分之強度而密接性優異，C之密接性最低。將該結果示於表1。
又，對實施例1~7及比較例1~5之鋁箔，測定Sn於其表面積中所占之比率(%)。關於Sn於表面積中所占之比率，使用掃描式電子顯微鏡以100倍之倍率拍攝鋁箔之表面，並進行基於所獲得之圖像之對比度之二值化處理。再者，由掃描式電子顯微鏡觀察之鋁箔之厚度(深度)設為達到可由光學顯微鏡觀察到之程度之深度。而且，將白色或亮灰色之區域設為Sn所占之面積，將暗灰色或黑色之區域設為鋁所占之面積，而算出Sn於鋁箔之表面積中所占之比率(%)。再者，所獲得之圖像中包含的鋁箔之實際之面積為1.28mm×0.96mm。將其結果示於表1。
參照表1，於實施例1~7中，鋁箔與晶片電阻經由焊料以充分之強度接合，相對於此，於比較例1~5中，晶片電阻未以充分之強度與鋁箔接合。又，藉由目視觀察焊接於鋁箔上之焊料，結果發現於比較例1~5中，焊料僅附著於晶片電阻之側面，相對於此，於實施例1~7中，焊料擴展而密接於鋁箔面及晶片電阻兩者。又，確認到Sn於鋁箔之表面積中所占之比率(%)於比較例1中超過65%，於比較例2中未達0.01%。
<實施例8>
除於鋁熔液準備步驟中對鋁進一步添加1質量%之Cu以外，藉由與實施例1相同之方法，製造厚度為30μm、50μm、100μm之鋁箔，從而製造實施例8之鋁箔。
<評價>
對實施例8之鋁箔，藉由與實施例1相同之方法焊接晶片電阻，並測定剪切強度。將其結果示於表2。又，對實施例8之鋁箔，測定Sn於其表面積中所占之比率(%)。將其結果示於表2。
參照表2，於實施例8中，鋁箔與晶片電阻經由焊料以充分之強度接合。又，藉由目視觀察焊接於鋁箔上之焊料，結果發現於實施例8中，焊料擴展而密接於鋁箔面及晶片電阻兩者。
<實施例9>
除於混合熔液製作步驟中對鋁添加5質量%之Bi代替Sn以外，藉由與實施例2相同之方法，製造厚度為30μm、50μm、100μm之鋁箔，從而製造實施例9之鋁箔。
<評價>
對實施例9之鋁箔，藉由與實施例1相同之方法焊接晶片電阻，並測定剪切強度。將其結果示於表3。又，對實施例9之鋁箔，測定Bi於其表面積中所占之比率(%)。將其結果示於表3。再者，於藉由掃描式電子顯微鏡拍攝之圖像中，將白色或亮灰色之區域設為Bi所占之面積，將暗灰色或黑色之區域設為鋁所占之面積，而算出Bi於鋁箔之表 面積中所占之比率(%)。
參照表3，於實施例9中，鋁箔與晶片電阻經由焊料以充分之強度接合。又，藉由目視觀察焊接於鋁箔上之焊料，結果發現於實施例9中，焊料擴展而密接於鋁箔面及晶片電阻兩者。
<實施例10、11及比較例6>
除於熱處理步驟中將退火溫度變更為250℃以外，藉由與實施例3相同之方法，製造厚度為30μm、50μm、100μm之鋁箔，從而製造實施例10之鋁箔。又，除於熱處理步驟中將退火溫度變更為300℃以外，藉由與實施例3相同之方法，製造厚度為30μm、50μm、100μm之鋁箔，從而製造實施例11之鋁箔。又，除於熱處理步驟中將退火溫度變更為200℃以外，藉由與實施例3相同之方法，製造厚度為30μm、50μm、100μm之鋁箔，從而製造比較例6之鋁箔。
<評價>
對實施例10、11及比較例6之鋁箔，藉由與實施例1相同之方法焊接晶片電阻，並測定剪切強度。將其結果示於表4。又，對實施例10、11及比較例6之鋁箔，算出Sn之表面積於上述鋁箔之表面積中所占之比率(%)、及Sn之體積相對於Al之體積之比率(%)，而評價Sn之表面積之比率是否為Sn之體積相對於Al之體積之比率(%)的5倍以上。將其結果示於表4。將Sn之表面積之比率為Sn之體積相對於Al之體積之比率(%)的5倍以上者記為X，將未達5倍者記為Y。
參照表4，於實施例10及11中，鋁箔與晶片電阻經由焊料以充分之強度接合，相對於此，於比較例6中，晶片電阻未以充分之強度與鋁箔接合。又，藉由目視觀察焊接於鋁箔上之焊料，結果發現於比較例6中，焊料僅附著於晶片電阻之側面，相對於此，於實施例10及11中，焊料擴展而密接於鋁箔面及晶片電阻兩者。又，對Sn之表面積於鋁箔之表面積中所占之比率(%)、與Sn之體積相對於鋁箔之Al之體積所占之比率(%)進行比較，結果確認到於比較例6中Sn之表面積之比率(%)未達Sn之體積相對於Al之體積所占之比率(%)的5倍。
<實施例12>
將實施例6之厚度30μm之鋁箔經由接著劑貼合於厚度35μm之聚醯亞胺膜，進而對鋁箔之表面印刷抗蝕圖案。抗蝕圖案設為線寬1mm、線間距2mm。將經印刷之鋁箔與聚醯亞胺膜之貼合品浸漬於酸系蝕刻液中，於藉由蝕刻去除無抗蝕劑印刷之部分之鋁箔後進行水洗並乾燥，從而製造實施例12之鋁箔構成體。
<評價>
對實施例12之鋁箔構成體，將上述焊膏於藉由蝕刻而殘留之鋁之2條線分別各塗佈1.5mg，並配置上述晶片電阻。進而，藉由與實施例1相同之方法焊接晶片電阻，並測定剪切強度。將其結果示於表5。
參照表5，於實施例12中，鋁箔構成體與晶片電阻經由焊料以充分之強度接合。又，藉由目視觀察焊接於鋁箔構成體上之焊料，結果為於實施例12中，焊料擴展而密接於鋁箔面及晶片電阻兩者。
如以上般對本發明之實施形態及實施例進行了說明，將上述各實施形態及實施例之構成適當組合亦為原本所預定。
應認為此次所揭示之實施形態及實施例於所有方面均為例示而並非限制性者。本發明之範圍係藉由申請專利範圍表示而非上述說明，意圖包含與申請專利範圍均等之意義及範圍內之所有變更。

Claims (6)

  1. 一種鋁箔，其係含有Sn及Bi中之至少一者之鋁箔，並且Sn及Bi之合計質量相對於上述鋁箔之總質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下。
  2. 如請求項1之鋁箔，其中於上述鋁箔中，Sn及Bi之合計表面積相對於上述鋁箔之總表面積之比率為0.01%以上且65%以下，且上述合計表面積之比率為Sn及Bi之合計體積相對於Al之體積之比率的5倍以上。
  3. 如請求項1之鋁箔，其中上述鋁箔被調質為由JIS-H0001規定之O至1/4H之範圍。
  4. 如請求項1之鋁箔，其中上述鋁箔為焊接用之鋁箔。
  5. 一種電子零件佈線基板，其係使用如請求項1至4中任一項之鋁箔而製造。
  6. 一種鋁箔之製造方法，其包括如下步驟：準備鋁熔液；藉由在上述鋁熔液中添加Sn及Bi中之至少一者，而製作Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下之混合熔液；使用上述混合熔液形成鑄塊或鑄造板；藉由軋壓上述鑄塊或鑄造板，製造Sn及Bi之合計質量之比率為0.0075質量%以上且15質量%以下、且被調質為由JIS-H0001規定之3/4H至H之範圍的鋁箔；及於230℃以上之溫度下，對上述經調質之鋁箔實施熱處理而進行調質。
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