CN106029922B - 铝箔、使用了它的电子部件布线基板、以及铝箔的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，页面提取自‑提供对焊料具有高密合性的铝箔。本发明的铝箔是含有Sn及Bi的至少一者的铝箔，相对于铝箔的总质量的Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下。

Description

铝箔、使用了它的电子部件布线基板、以及铝箔的制造方法
技术领域
本发明涉及铝箔、使用了它的电子部件布线基板、以及铝箔的制造方法。
背景技术
铝通常在其表面形成有氧化覆膜。由于该氧化覆膜与焊料的密合性低，因此无法使用用于普通的铜的焊料对铝进行焊接。因此，在对包含铝的基材进行焊接的情况下，需要以可以除去氧化覆膜的程度使用活性高的特殊的助熔剂，或如日本特开2004-263210号公报(专利文献1)中公开的那样，将在表面镀敷有异种金属的铝作为基材使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-263210号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，在使用上述的活性高的特殊的助熔剂的情况下，需要通过对焊接后的基材进行清洗处理等，由此除去助熔剂。这是因为，焊接后残留的助熔剂有腐蚀铝的趋势。另外，由于使用镀敷有异种金属的铝，因此需要预先对铝实施镀敷处理。因此，以往，为了对铝进行焊接，与铜、银等其他金属相比处理所需的工序数、时间有增加的趋势。
另外，虽然可以期待将铝箔作为电子部件的布线等来利用，然而例如在使用了上述铝用的活性高的特殊的助熔剂的情况下，在电子部件的安装后需要清洗工序，由此会使得工序变得复杂，并且有可能引起电子部件的不佳状况。
本发明是鉴于如上所述的现状而完成的，其目的在于，提供对于普通的铜用的焊料也具有高密合性的铝箔、使用了它的电子部件布线基板、以及铝箔的制造方法。
用于解决问题的方法
为了解决上述的问题，本发明人等以可以不用使用为用于普通的铝而开发的活性高的特殊的助熔剂、或不用对铝箔实施镀敷处理，而使得铝箔本身对于焊料可以具有高密合性的方式，对铝箔的组成进行了深入研究。
此后发现，在制造铝箔时，通过向铝熔液内混合Sn及Bi的至少一者，可以提高所制造的铝箔对于焊料的密合性，通过进一步反复深入研究，完成了本发明。
即，本发明的一个方式的铝箔是含有Sn及Bi的至少一者的铝箔，相对于铝箔的总质量的Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下。
在上述铝箔中，优选相对于铝箔的总表面积的Sn与Bi的合计表面积的比例为0.01％以上且65％以下，并且合计表面积的比例为相对于Al的体积的Sn与Bi的合计体积的比例的5倍以上。
另外，上述铝箔优选被调质处理为JIS-H0001中规定的O到1/4H的范围。
此外，上述铝箔可以用于焊接用的铝箔中。
另外，本发明的一个方式还涉及使用上述铝箔制造的电子部件布线基板。
本发明的一个方式的铝箔的制造方法具备：准备铝熔液的工序、通过向铝熔液中添加Sn及Bi的至少一者而制作Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下的混合熔液的工序、使用混合熔液形成铸锭或铸造板的工序、通过轧制铸锭或铸造板而制造Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下并且被调质处理为JIS-H0001中规定的3/4H到H的范围的铝箔的工序、和对该被调质处理了的铝箔在230℃以上的温度实施热处理而进行调质处理的工序。
发明效果
根据本发明，可以提供对普通的铜用的焊料也具有高密合性的铝箔。
具体实施方式
<铝箔>
本实施方式的铝箔是含有Sn及Bi的至少一者的铝箔，相对于铝箔的总质量的Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下。
此处，所谓“铝”，包括99.0质量％以上由Al构成的“纯铝”、和由小于99.0质量％的Al和1.0质量％以上的任意的添加元素构成的“铝合金”。作为任意的添加元素，可以举出硅(Si)、铁(Fe)、铜(Cu)等，任意的添加元素的总量的上限值为2.0质量％。
因而，本发明的“铝箔”中，包括“铝合金箔”，从含有如上所述的含量的Sn或Bi或其两者的观点考虑，也可以称作“铝合金箔”。
铝箔中的Sn、Bi、任意的添加元素及不可避免的杂质的含量(质量)可以利用全反射荧光X射线(TXRF)法、ICP发光光谱分析(ICP)法、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法等进行测定。
本实施方式的铝箔对于焊料的密合性与以往的铝箔相比更高，因此在进行焊接的情况下，不需要使用为用于普通的铝而开发的活性高的特殊的助熔剂，或不用对铝箔实施镀敷处理。因此，可以实现高精度的焊接。
而且，本实施方式的铝箔的焊接中所用的“焊料”没有特别限制，可以使用一般作为铜用而使用的公知的焊料，可以例示出以铅(Pb)和Sn作为主成分的有铅焊料、不含铅的焊料等。从环境保护的观点考虑，优选使用不含铅的无铅焊料来实施本实施方式的铝箔的焊接。
本实施方式的铝箔中，在相对于铝箔的总质量的Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下的情况下，与焊料的密合性提高的理由还不明确，然而本发明人等如下所示地推测。
因铝箔含有Sn及Bi的至少一者，而在铝箔的表面附近存在Sn、或Bi、或其两者。存在有这些物质的部分与焊料的密合性好于不存在的部分(即以往的铝箔)与焊料的密合性，因此其结果是铝箔与焊料的密合性提高。这样的密合性的提高被认为与Sn为普通的有铅焊料的成分、Sn及Bi为不含铅的焊料的成分有关。
本实施方式的铝箔中，上述合计质量的比例优选为0.01质量％以上且10质量％以下。
而且，在铝箔含有Sn、不含有Bi的情况下，上述合计质量相当于铝箔中所含的Sn的质量，在铝箔不含有Sn、含有Bi的情况下，上述合计质量相当于铝箔中所含的Bi的质量。对于后述的合计表面积及合计体积也相同。
在本实施方式的铝箔中，优选相对于铝箔的总表面积的Sn与Bi的合计表面积的比例为0.01％以上且65％以下，并且该合计表面积的比例为相对于A1的体积的Sn与Bi的合计体积的比例的5倍以上。在上述合计表面积的比例小于0.01％的情况下，与焊料的密合性有降低的趋势，在大于65％的情况下，有Sn及Bi容易从被焊接的铝箔脱落的趋势。另外，在上述合计表面积的比例小于上述合计体积的比例的5倍的情况下，与焊料的密合性有降低的趋势。
此处，所谓“相对于铝箔的总表面积的Sn与Bi的合计表面积的比例”，是指在利用目视、或使用光学显微镜观察铝箔的情况下，作为Sn与Bi的各面积的合计的合计表面积在所观察的图像的面积中所占的比例。具体而言，在使用光学显微镜观察铝箔时，将在目视观察到的图像中沿纵横方向展开的二维的面积设为铝箔的表面，Sn与Bi的合计表面积在该表面的面积中所占的比例是相对于铝箔的总表面积的Sn与Bi的合计表面积的比例。对于这样的合计表面积的比例，可以使用扫描型电子显微镜(SEM)拍摄至利用目视或光学显微镜可以观察的程度的深度，利用基于所得的图像的对比度的二值化处理来算出。
另外，铝箔的所谓“相对于Al的体积的Sn与Bi的合计体积的比例”，被如下所示地规定。在铝箔中含有Sn、不含有Bi的情况下，在相对于铝箔中所含的Al的质量的Sn的质量的比例(Sn/Al×100)(％)上，乘以Al的比重(2.7)，并除以Sn的比重(7.3)，所得的数值为上述合计体积的比例。在铝箔中不含有Sn、含有Bi的情况下，在相对于铝箔中所含的Al的质量的Bi的质量的比例(Bi/Al×100)(％)上，乘以Al的比重，并除以Bi的比重(9.8)，所得的数值为上述合计体积的比例。在铝箔中含有Sn及Bi的情况下，在相对于铝箔中所含的Al的质量的Sn与Bi的合计质量的比例{(Sn+Bi)/Al×100}(％)上，乘以Al的比重，并除以Sn与Bi的混合物的比重(7.3到9.8之间，随着Sn与Bi的混合比率而变化)，所得的数值为上述合计体积的比例。
另外，所谓“相对于铝箔的总表面积的Sn与Bi的合计表面积的比例为相对于Al的体积的Sn与Bi的合计体积的比例的5倍以上”，是指将“合计表面积的比例”除以“合计体积的比例”而得的数值(表面积/体积)为5倍以上。
在本实施方式的铝箔中，上述合计表面积的比例优选为0.1质量％以上且63.5质量％以下。另外，将上述合计表面积的比例除以上述合计体积的比例而得的数值优选为30倍以下，更优选为10倍以上且20倍以下。
本实施方式的铝箔的回火标识优选被调质处理为JIS-H0001中规定的O到1/4H的范围。本发明人等确认，在像这样被调质处理的情况下，对于焊料的密合性足够高。
此处，JIS-H0001中规定的“1/4H”及“O”等记号(字母、或同时记载有字母和数字的记号)是表示铝箔的调质处理的程度的记号，由此，可以知道铝箔的硬度。本实施方式的铝箔是通过轧制成为铝箔的原料的铸锭或铸造板、并对其进行热处理而制造，利用该热处理的温度条件，可以变更调质处理的程度，由此可以调整其硬度。
所谓被调质处理为“O到1/4H的范围”的铝箔，是包括调质处理为O的软质的铝箔、调质处理为1/4H的铝箔、以及调质处理的程度包含于O到1/4H的范围内的铝箔的意图。另外，所谓被调质处理为“3/4H到H的范围”的铝箔，是包括被调质处理为3/4H的铝箔、被调质处理为H的硬质铝箔、以及调质处理的程度包含于3/4H到H的范围内的铝箔的意图。
本实施方式的铝箔由于对焊料的密合性高，因此可以适用于焊接。特别是，在铝箔的厚度为3μm以上且200μm以下的情况下，可以适用于对精密的电子部件等的焊接。作为具体的利用方法，可以举出将铝箔作为电子设备或半导体设备的部件或布线来利用的方法。对于本实施方式的铝箔的厚度，从发挥更高的密合性的方面考虑，更优选为30μm以上且200μm以下，进一步优选为30μm以上且100μm以下。
<铝箔的制造方法>
本实施方式的铝箔的制造方法具备：准备铝熔液的工序(铝熔液准备工序)、通过向铝熔液中添加Sn及Bi的至少一者而制作Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下的混合熔液的工序(混合熔液制作工序)、使用混合熔液形成铸锭或铸造板的工序(铸造工序)、通过轧制铸锭或铸造板而制造Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下、并且被调质处理为JIS-H0001中规定的3/4H到H的范围的铝箔的工序(轧制工序)、和对该被调质处理了的铝箔进行热处理的工序(热处理工序)。以下，对各工序依次进行说明。
(铝熔液准备工序)
首先，准备铝熔液。铝熔液由上述的纯铝或铝合金的熔融液构成。
(混合熔液准备工序)
然后，通过向铝熔液中添加Sn及Bi的至少一者，而制作Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下的混合熔液。具体而言，对于铝熔液以使相对于铝熔液的质量与Sn与Bi的合计质量的和的Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下的方式，向铝熔液内投入Sn或Bi或其两者的粉末或块或母合金，使Sn或Bi或其两者熔化。此时，优选搅拌铝熔液。而且，该混合熔液准备工序也可以与所述的铝熔液准备工序同时地实施。
(铸造工序)
然后，使用混合熔液形成铸锭或铸造板。具体而言，将混合熔液灌入铸模，并将其冷却，由此制造作为长方体的块的铸锭，或者利用使混合熔液通过2根冷却辊之间的方法等进行急速冷却，由此制造铸造板。在形成铸锭或铸造板前，实施混合熔液的脱气处理、过滤器处理等，由此可以形成均匀的铸锭或铸造板。
(轧制工序)
然后，轧制铸锭或铸造板，由此制造Sn与Bi的合计质量的比例为0.0075质量％以上且15质量％以下、并且被调质处理为JIS-H0001中规定的3/4H到H的范围的铝箔。具体而言，将经过上述工序得到的铸锭的表面切削除去后对其进行轧制，或者轧制经过上述工序得到的铸造板，制造被调质处理为上述的JIS-H0001中规定的3/4H到H的范围的铝箔。
(热处理工序)
然后，对经过以上的工序的、被调质处理了的铝箔在230℃以上的温度实施热处理，制造调质处理为O到1/4H的铝箔。具体而言，首先，将被调质处理了的铝箔配置于炉子中，使炉内的温度从室温(25℃)升温到230℃以上的目标的温度。该升温速度没有特别限制，然而优选用1小时～24小时左右的时间慢慢地升温到目标的温度。升温后，将目标的温度维持10分钟～168小时，其后，利用自然冷却使炉内温度降低到室温(25℃)。但是，不一定需要将配置有被调质处理了的铝箔的炉子的炉内温度降低到室温，也可以在将目标的温度保持给定时间后，立即从炉内取出铝箔。
被调质处理为JIS-H0001中规定的3/4H到H的范围的铝箔被利用上述热处理进行调质处理，成为其硬度被调质处理为O到1/4H的范围的铝箔。即，成为本发明的铝箔。
在上述热处理中，在热处理的温度低于230℃的情况下，所得的铝箔对焊料的密合性与上述的热处理后的铝箔相比降低。虽然其理由并不明确，然而本发明人等如下所示地推测。
本发明人等利用各种研究确认，在热处理的温度低于230℃的情况下，Sn或Bi或其两者向热处理后的铝箔表面的偏析少，相对于热处理后的铝箔的总表面积而言的Sn与Bi的合计表面积的比例很难达到0.01％以上且65％以下，并且该合计表面积的比例很难达到上述合计体积的比例的5倍以上。基于该情况可以推测，铝箔的表面积中的上述合计表面积的比例、表面中的Sn或Bi或其两者的分布状态等与铝箔对焊料的密合性有关联，它们随着热处理的温度而变化。而且，在热处理的温度高于500℃的情况下，设备投资、能量成本变高，因此不推荐。
实施例
以下，举出实施例而对本发明进行更详细的说明，然而本发明并不限定于它们。
<实施例1>
如下所示地制造出铝箔。首先，准备了使由JIS-A1N90材料构成的铝(纯度99.98质量％以上)溶融而得的铝熔液(铝熔液准备工序)。然后，向铝熔液中投入Sn，制作出Sn的含量为10质量％的混合熔液(混合熔液制作工序)。此后，使用该混合熔液形成铸锭(铸造工序)。然后，切削除去铸锭的表面后，将其在室温(25℃)下冷轧，制造出厚30μm、50μm、100μm的各个铝箔(轧制工序)。然后，对铝箔在空气气氛中在400℃实施了热处理。而且，该铝箔是其回火标识被调质处理为O的铝箔。
<实施例2～7及比较例1～5>
实施例2～7、比较例1及2除了将混合熔液中的Sn的混合比例如表1所示地变更以外，利用与实施例1相同的方法，制造出厚30μm、50μm、100μm的各个铝箔。
比较例3除了没有混合Sn以外，利用与实施例1相同的方法，制造出厚30μm、50μm、100μm的各个铝箔。另外，比较例4及比较例5除了分别使用由JIS-A1N30材料构成的铝(纯度99.3质量％)及由JIS-A8079材料构成的铝合金(纯度98.9质量％)，并且没有混合Sn以外，利用与实施例1相同的方法，制造出厚30μm、50μm、100μm的各个铝箔。而且，实施例2～7、比较例1～5的铝箔是其回火标识被调质处理为O的铝箔。
对于成为实施例1～7及比较例1～5中所用的原料的铝的种类、铝箔中的Sn的含有比例、调质处理的程度、厚度表示于表1中。而且，在表1中不含有对应的部分的情况下表示为“-”。
<评价>
对实施例1～7及比较例1～5的铝箔焊接芯片电阻，评价了铝箔与芯片电阻的密合性。
具体而言，准备了焊膏(商品名：“BI57 LRA-5 A M O”、株式会社日本Superior公司制)。将该焊膏涂布在铝箔上，使得中心间距离为3.5mm，各自的直径为2mm，各自的重量为1.5mg，均匀地延至2点地配置了3216型芯片电阻。将其用近红外线图像炉(“IR-HP2-6”、株式会社米仓制作所制)加热而实施了焊接。加热时的条件是将氮气流量设为1L/分钟，将最高到达温度设为175℃±1℃，将从50℃到最高到达温度的设定时间设为2分31秒。另外，加热后自然冷却到焊料凝固，是约-13℃/分钟的冷却速度。
接下来，对焊接在铝箔上的芯片电阻，实施了剪切强度测定，评价了铝箔与借助焊料接合的芯片电阻的密合性。评价方法是使用结合强度试验机(Nordson dage系列4000)测定出剪切强度。具体而言，将焊接有芯片电阻的铝箔用双面胶带固定于平滑的基板上，以工具移动距离0.3mm/秒实施了测定。
在各样品中测定3次剪切强度，将其平均值为30N以上的样品设为“A”，另外将在剪切强度测定中芯片电阻与焊料与铝箔分别未剥离而铝箔断裂的样品设为“B”，将铝箔未断裂、并且剪切强度的平均值小于30N的样品设为“C”。即，A的密合性优异，B在足以使铝箔断裂的程度的强度下密合性优异，C的密合性最低。将该结果表示于表1中。
另外，对实施例1～7及比较例1～5的铝箔，测定出Sn在其表面积中所占的比例(％)。关于Sn在表面积中所占的比例，使用扫描型电子显微镜以100倍的倍率拍摄铝箔的表面，进行基于所得的图像的对比度的二值化处理。而且，利用扫描型电子显微镜观察的铝箔的厚度(深度)达到可以利用光学显微镜观察的程度的深度。此外，将白色或亮灰色的区域设为Sn所占据的面积，将暗灰色或黑色的区域设为铝所占据的面积，算出Sn在铝箔的表面积中所占的比例(％)。而且，所得的图像中所含的铝箔的实际的面积为1.28mm×0.96mm。将该结果表示于表1中。
[表1]
参照表1，在实施例1～7中，铝箔与芯片电阻被借助焊料以足够的强度接合，然而在比较例1～5中，芯片电阻没有被以足够的强度与铝箔接合。另外，利用目视观察焊接在铝箔上的焊料，其结果是，在比较例1～5中，焊料仅附着于芯片电阻的侧面，然而在实施例1～7中，焊料扩展到铝箔面及芯片电阻的两者而密合。另外确认，Sn在铝箔的表面积中所占的比例(％)在比较例1中大于65％，在比较例2中小于0.01％。
<实施例8>
除了在铝熔液准备工序中，相对于铝又添加了1质量％的Cu以外，利用与实施例1相同的方法，制造厚30μm、50μm、100μm的铝箔，制造出实施例8的铝箔。
<评价>
对实施例8的铝箔，利用与实施例1相同的方法，焊接了芯片电阻，测定出剪切强度。将其结果表示于表2中。另外，对实施例8的铝箔，测定出Sn在其表面积中所占的比例(％)。将其结果表示于表2中。
[表2]
参照表2，在实施例8中，铝箔与芯片电阻被借助焊料以足够的强度接合。另外，利用目视观察了焊接在铝箔上的焊料，其结果是，在实施例8中，焊料扩展到铝箔面及芯片电阻的两者而密合。
<实施例9>
除了在混合熔液制作工序中，取代Sn而相对于铝添加了5质量％的Bi以外，利用与实施例2相同的方法，制造厚30μm、50μm、100μm的铝箔，制造出实施例9的铝箔。
<评价>
对实施例9的铝箔，利用与实施例1相同的方法，焊接了芯片电阻，测定出剪切强度。将其结果表示于表3中。另外，对实施例9的铝箔，测定出Bi在其表面积中所占的比例(％)。将其结果表示于表3中。而且，在利用扫描型电子显微镜拍摄的图像中，将白色或亮灰色的区域设为Bi所占据的面积，将暗灰色或黑色的区域设为铝所占据的面积，算出Bi在铝箔的表面积中所占的比例(％)。
[表3]
参照表3，在实施例9中，铝箔与芯片电阻被借助焊料以足够的强度接合。另外，利用目视观察了焊接在铝箔上的焊料，其结果是，在实施例9中，焊料扩展到铝箔面及芯片电阻的两者而密合。
<实施例10、11及比较例6>
除了在热处理工序中，将退火温度变更为250℃以外，利用与实施例3相同的方法，制造厚30μm、50μm、100μm的铝箔，制造出实施例10的铝箔。另外，除了在热处理工序中，将退火温度变更为300℃以外，利用与实施例3相同的方法，制造厚30μm、50μm、100μm的铝箔，制造出实施例11的铝箔。另外，除了在热处理工序中，将退火温度变更为200℃以外，利用与实施例3相同的方法，制造厚30μm、50μm、100μm的铝箔，制造出比较例6的铝箔。
<评价>
对实施例10、11及比较例6的铝箔，利用与实施例1相同的方法，焊接芯片电阻，测定出剪切强度。将其结果表示于表4中。另外，对实施例10、11及比较例6的铝箔，算出Sn的表面积在其表面积中所占的比例(％)、和相对于Al的体积的Sn的体积的比例(％)，评价Sn的表面积的比例是否是相对于Al的体积的Sn的体积的比例(％)的5倍以上。将其结果表示于表4中。对于Sn的表面积的比例为相对于Al的体积的Sn的体积的比例(％)的5倍以上的样品表示为X，将小于5倍的样品表示为Y。
[表4]
参照表4，在实施例10及11中，铝箔与芯片电阻被借助焊料以足够的强度接合，然而在比较例6中，芯片电阻没有被以足够的强度与铝箔接合。另外，利用目视观察了焊接在铝箔上的焊料，其结果是，在比较例6中，焊料仅附着于芯片电阻的侧面，然而在实施例10及11中，焊料扩展到铝箔面及芯片电阻的两者而密合。另外，比较了Sn的表面积在铝箔的表面积中所占的比例(％)、和Sn的体积在铝箔的Al的体积中所占的比例(％)，其结果是确认，比较例6中Sn的表面积的比例(％)小于Sn的体积在Al的体积中所占的比例(％)的5倍。
<实施例12>
将实施例6的厚30μm的铝箔借助胶粘剂在厚35μm的聚酰亚胺膜上进行贴合，再在铝箔的表面印刷了抗蚀剂图案。抗蚀剂图案的线宽设为1mm，线间距设为2mm。将印刷了的铝箔与聚酰亚胺膜的贴合品浸渍于酸系蚀刻液中，将没有印刷抗蚀剂的部分的铝箔利用蚀刻除去后进行水洗并干燥，制造出实施例12的铝箔构成体。
<评价>
对实施例12的铝箔构成体，在蚀刻后残留的铝的2条线上分别涂布1.5mg的上述的焊膏，配置了上述的芯片电阻。再利用与实施例1相同的方法焊接芯片电阻，测定出剪切强度。将其结果表示于表5中。
[表5]
参照表5，在实施例12中，铝箔构成体与芯片电阻被借助焊料以足够的强度接合。另外，利用目视观察了焊接在铝箔构成体上的焊料，其结果是，在实施例12中，焊料扩展到铝箔面及芯片电阻的两者而密合。
如上所述对本发明的实施方式及实施例进行了说明，然而从最初开始就预先设定也可以将上述的各实施方式及实施例的构成适当地组合。
应当认为，本次公开的实施方式及实施例在所有的方面都是示例性的，而非限制性的。本发明的范围不由上述的说明给出，而由权利要求给出，意图包含与权利要求均等的意思及范围内的所有变更。

Claims (5)

1.一种铝箔，是含有Sn及Bi的至少一者的铝箔，
相对于所述铝箔的总质量的Sn与Bi的合计质量的比例为0.1质量％以上且15质量％以下，
在所述铝箔中，相对于所述铝箔的总表面积的Sn与Bi的合计表面积的比例为0.01％以上且65％以下，并且所述合计表面积的比例为相对于Al的体积的Sn与Bi的合计体积的比例的5倍以上。
2.根据权利要求1所述的铝箔，其中，
所述铝箔被调质处理为JIS－H0001中规定的O到1/4H的范围。
3.根据权利要求1所述的铝箔，其中，
所述铝箔为钎焊用的铝箔。
4.一种电子部件布线基板，其使用权利要求1所述的铝箔制造。
5.一种铝箔的制造方法，其具备：
准备铝熔液的工序、
通过向所述铝熔液中添加Sn及Bi的至少一者而制作Sn与Bi的合计质量的比例为0.1质量％以上且15质量％以下的混合熔液的工序、
使用所述混合熔液形成铸锭或铸造板的工序、
通过轧制所述铸锭或铸造板而制作Sn与Bi的合计质量的比例为0.1质量％以上且15质量％以下、并且被调质处理为JIS－H0001中规定的3/4H到H的范围的铝箔的工序、以及
对所述被调质处理了的铝箔在230℃以上的温度实施热处理而进行调质处理的工序。
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