JPWO2015182589A1 - アルミニウム箔、これを用いた電子部品配線基板、およびアルミニウム箔の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の目的は、はんだに対する高い密着性を有するアルミニウム箔を提供することにある。本発明のアルミニウム箔は、ＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を含有するアルミニウム箔であって、アルミニウム箔の全質量に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合は、０．００７５質量％以上１５質量％以下である。

Description

本発明は、アルミニウム箔、これを用いた電子部品配線基板、およびアルミニウム箔の製造方法に関する。

アルミニウムは、通常、その表面に酸化被膜が形成されている。この酸化被膜は、はんだとの密着性が低いため、アルミニウムに一般的な銅用のはんだを用いてはんだ付けをすることができない。このため、アルミニウムからなる基材にはんだ付けする場合には、酸化皮膜を除去できる程度に活性が高い特殊なフラックスを用いたり、特開２００４−２６３２１０号公報（特許文献１）に開示されるように、表面に異種金属がめっきされたアルミニウムを基材として用いたりする必要がある。

特開２００４−２６３２１０号公報

しかし、上記の活性が高い特殊なフラックスを用いる場合、はんだ付け後の基材に対して洗浄処理等を行うことにより、フラックスを除去する必要がある。これは、はんだ付け後に残ったフラックスがアルミニウムを腐食する傾向があるためである。また、異種金属がめっきされたアルミニウムを用いるためには、予めアルミニウムに対してめっき処理を実施する必要がある。このため、従来、アルミニウムにはんだ付けをするためには、銅、銀などの他の金属に比して処理に要する工程数や時間が増加する傾向があった。

また、アルミニウム箔を電子部品の配線等として利用することが期待されるが、たとえば上記のアルミニウム用の活性が高い特殊なフラックスを用いた場合、電子部品の実装後に洗浄工程が必要となり、これによって工程が複雑になるとともに、電子部品の不具合を引き起こすことが懸念される。

本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、一般的な銅用のはんだに対しても高い密着性を有するアルミニウム箔、これを用いた電子部品配線基板、およびアルミニウム箔の製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明者らは、一般的なアルミニウム用に開発された活性が高い特殊なフラックスを使用したり、アルミニウム箔にめっき処理を施したりすることなく、アルミニウム箔そのものがはんだに対して高い密着性を有することができるように、その組成について鋭意検討を重ねた。

そして、アルミニウム箔を製造する際に、アルミニウム溶湯内にＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を混合させることによって、製造されるアルミニウム箔のはんだに対する密着性が向上し得ることを知見し、さらに鋭意検討を重ねることによって、本発明を完成させた。

すなわち、本発明の一態様に係るアルミニウム箔は、ＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を含有するアルミニウム箔であって、アルミニウム箔の全質量に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合は、０．００７５質量％以上１５質量％以下である。

上記アルミニウム箔において、アルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合は、０．０１％以上６５％以下であり、かつ合計表面積の割合は、Ａｌの体積に対するＳｎおよびＢｉの合計体積の割合の５倍以上であることが好ましい。

また、上記アルミニウム箔は、ＪＩＳ−Ｈ０００１で規定されるＯから１／４Ｈの範囲に調質されていることが好ましい。

さらに、上記アルミニウム箔は、はんだ付け用のアルミニウム箔に用いることができる。

また、本発明の一態様は、上記アルミニウム箔を用いて製造された電子部品配線基板にも及ぶ。

本発明の一態様に係るアルミニウム箔の製造方法は、アルミニウム溶湯を準備する工程と、アルミニウム溶湯にＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を添加することによって、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下の混合溶湯を作製する工程と、混合溶湯を用いて鋳塊または鋳造板を形成する工程と、鋳塊または鋳造板を圧延することにより、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下であり、かつＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される３／４ＨからＨの範囲に調質されたアルミニウム箔を製造する工程と、該調質されたアルミニウム箔に対して２３０℃以上の温度で熱処理を実施して調質する工程を備える。

本発明によれば、一般的な銅用のはんだに対しても高い密着性を有するアルミニウム箔を提供することができる。

＜アルミニウム箔＞
本実施形態に係るアルミニウム箔は、ＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を含有するアルミニウム箔であって、アルミニウム箔の全質量に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合は、０．００７５質量％以上１５質量％以下である。

ここで、「アルミニウム」とは、９９．０質量％以上がＡｌからなる「純アルミニウム」と、９９．０質量％未満のＡｌと、１．０質量％以上の任意の添加元素からなる「アルミニウム合金」とを含む。任意の添加元素としては、ケイ素（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）などが挙げられ、任意の添加元素の全量の上限値は２．０質量％である。

したがって、本発明の「アルミニウム箔」には、「アルミニウム合金箔」が含まれ、上記のような含有量のＳｎまたはＢｉまたはその両方を含むという観点からは、「アルミニウム合金箔」ということもできる。

アルミニウム箔中のＳｎ、Ｂｉ、任意の添加元素および不可避不純物の含有量（質量）は、全反射蛍光Ｘ線（ＴＸＲＦ）法、ＩＣＰ発光分光分析（ＩＣＰ）法、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）法等により測定することができる。

本実施形態に係るアルミニウム箔は、はんだに対する密着性が従来のアルミニウム箔と比して高いため、はんだ付けする場合に、一般的なアルミニウム用に開発された活性が高い特殊なフラックスを使用したり、アルミニウム箔にめっき処理を施したりする必要がない。このため、高い精度でのはんだ付けが可能となる。

なお、本実施形態に係るアルミニウム箔のはんだ付けに用いる「はんだ」は特に制限されず、一般的に銅用として用いられている公知のはんだを用いることができ、鉛（Ｐｂ）とＳｎを主成分とした有鉛はんだ、鉛フリーのはんだ等が例示される。環境保全の観点からは、鉛フリーの無鉛はんだを用いて、本実施形態に係るアルミニウム箔のはんだ付けが実施されることが好ましい。

本実施形態に係るアルミニウム箔において、アルミニウム箔の全質量に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下である場合に、はんだとの密着性が向上する理由は明確ではないが、本発明者らは、次のように推察する。

アルミニウム箔がＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を含むことにより、アルミニウム箔の表面近傍にＳｎ、またはＢｉ、またはその両方が存在することとなる。これらが存在する部分とはんだとの密着性が、存在しない部分（すなわち従来のアルミニウム箔）とはんだとの密着性よりも良好であるために、結果的にアルミニウム箔とはんだとの密着性が向上する。このような密着性の向上は、Ｓｎが一般的な有鉛はんだの成分であり、ＳｎおよびＢｉが鉛フリーはんだの成分であることが関係していると考えられる。

本実施形態に係るアルミニウム箔において、上記合計質量の割合は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましい。

なお、アルミニウム箔がＳｎを含有し、Ｂｉを含有しない場合には、上記合計質量は、アルミニウム箔に含有されるＳｎの質量に相当し、アルミニウム箔がＳｎを含有せず、Ｂｉを含有する場合には、上記合計質量は、アルミニウム箔に含有されるＢｉの質量に相当する。後述する合計表面積および合計体積についても同様である。

本実施形態に係るアルミニウム箔において、アルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合は、０．０１％以上６５％以下であり、かつこの合計表面積の割合は、Ａｌの体積に対するＳｎおよびＢｉの合計体積の割合の５倍以上であることが好ましい。上記合計表面積の割合が０．０１％未満の場合には、はんだとの密着性が低くなる傾向があり、６５％を超える場合には、はんだ付けされたアルミニウム箔からＳｎおよびＢｉが脱落し易くなる傾向がある。また、上記合計表面積の割合が、上記合計体積の割合の５倍未満の場合には、はんだとの密着性が低くなる傾向がある。

ここで、「アルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合」とは、目視により、または光学顕微鏡を用いてアルミニウム箔を観察した場合に、観察される画像の面積中に占めるＳｎおよびＢｉの各面積の合計である合計表面積の割合を意味する。具体的には、アルミニウム箔を光学顕微鏡を用いて観察した際に、目視される画像中に縦横に拡がる二次元の面積をアルミニウム箔の表面とし、この表面の面積中に占めるＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合が、アルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合となる。このような合計表面積の割合は、目視または光学顕微鏡により観察される程度の深さまでを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮像し、得られた画像のコントラストに基づいた二値化処理によって算出することができる。
また、アルミニウム箔における「Ａｌの体積に対するＳｎおよびＢｉの合計体積の割合」とは、次のように規定される。アルミニウム箔にＳｎが含まれ、Ｂｉが含まれない場合、アルミニウム箔に含まれるＡｌの質量に対するＳｎの質量の割合（Ｓｎ／Ａｌ×１００）（％）に、Ａｌの比重（２．７）を乗じ、Ｓｎの比重（７．３）で除した数値が、上記合計体積の割合となる。アルミニウム箔にＳｎが含まれず、Ｂｉが含まれる場合、アルミニウム箔に含まれるＡｌの質量に対するＢｉの質量の割合（Ｂｉ／Ａｌ×１００）（％）に、Ａｌの比重を乗じ、Ｂｉの比重（９．８）で除した数値が、上記合計体積の割合となる。アルミニウム箔にＳｎおよびＢｉが含まれる場合、アルミニウム箔に含まれるＡｌの質量に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合{（Ｓｎ＋Ｂｉ）／Ａｌ×１００}（％）に、Ａｌの比重を乗じ、ＳｎおよびＢｉの混合物の比重（７．３から９．８の間で、ＳｎとＢｉの混合比率によって変化する）で除した数値が、上記合計体積の割合となる。

また、「アルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合が、Ａｌの体積に対するＳｎおよびＢｉの合計体積の割合の５倍以上」とは、「合計表面積の割合」を「合計体積の割合」で除した数値（表面積／体積）が５倍以上であることを意味する。

本実施形態に係るアルミニウム箔において、上記合計表面積の割合は、０．１質量％以上６３．５質量％以下であることが好ましい。また、上記合計表面積の割合を上記合計体積の割合で除した数値は、３０倍以下であることが好ましく、１０倍以上２０倍以下であることがより好ましい。

本実施形態に係るアルミニウム箔の質別は、ＪＩＳ−Ｈ０００１で規定されるＯから１／４Ｈの範囲に調質されていることが好ましい。本発明者らは、このように調質された場合に、はんだに対する密着性が十分に高いことを確認している。

ここで、ＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される「１／４Ｈ」および「Ｏ」等の記号（アルファベット、またはアルファベットと数字を併記したもの）は、アルミニウム箔の調質の程度を示すものであり、これにより、アルミニウム箔の硬度を知ることができる。本実施形態に係るアルミニウム箔は、アルミニウム箔の原料となる鋳塊または鋳造板を圧延し、これを熱処理することによって製造されるが、この熱処理の温度条件によって、調質の程度を変更することができ、もってその硬度を調整することができる。

「Ｏから１／４Ｈの範囲」に調質されたアルミニウム箔とは、Ｏに調質された軟質のアルミニウム箔、１／４Ｈに調質されたアルミニウム箔、および調質の程度がＯから１／４Ｈの範囲内に含まれるアルミニウム箔を含む意図である。また、「３／４ＨからＨの範囲」に調質されたアルミニウム箔とは、３／４Ｈに調質されたアルミニウム箔、Ｈに調質された硬質アルミニウム箔、および調質の程度が３／４ＨからＨの範囲内に含まれるアルミニウム箔を含む意図である。

本実施形態に係るアルミニウム箔は、はんだに対する密着性が高いため、はんだ付けに好適に利用することができる。特に、アルミニウム箔の厚さが３μｍ以上２００μｍ以下の場合、精密な電子部品等へのはんだ付けに好適に利用することができる。具体的な利用方法としては、アルミニウム箔を電子デバイスや半導体デバイスの部品や配線として利用する方法が挙げられる。本実施形態に係るアルミニウム箔の厚さは、より高い密着性を発揮する点で、３０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。

＜アルミニウム箔の製造方法＞
本実施形態に係るアルミニウム箔の製造方法は、アルミニウム溶湯を準備する工程（アルミニウム溶湯準備工程）と、アルミニウム溶湯にＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を添加することによって、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下の混合溶湯を作製する工程（混合溶湯作製工程）と、混合溶湯を用いて鋳塊または鋳造板を形成する工程（鋳造工程）と、鋳塊または鋳造板を圧延することにより、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下であり、かつＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される３／４ＨからＨの範囲に調質されたアルミニウム箔を製造する工程（圧延工程）と、該調質されたアルミニウム箔を熱処理する工程（熱処理工程）、とを備える。以下、各工程について順に説明する。

（アルミニウム溶湯準備工程）
まず、アルミニウム溶湯を準備する。アルミニウム溶湯は、上述の純アルミニウムまたはアルミニウム合金の融液からなる。

（混合溶湯準備工程）
次に、アルミニウム溶湯にＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を添加することによって、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下の混合溶湯を作製する。具体的には、アルミニウム溶湯に対して、アルミニウム溶湯の質量とＳｎおよびＢｉの合計質量との和に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下となるように、アルミニウム溶湯内にＳｎまたはＢｉまたはその両方の粉末または塊または母合金を投入し、ＳｎまたはＢｉまたはその両方を溶け込ませる。このとき、アルミニウム溶湯は撹拌されていることが好ましい。なお、この混合溶湯準備工程は、前記のアルミニウム溶湯準備工程と同時に実施することもできる。

（鋳造工程）
次に、混合溶湯を用いて鋳塊または鋳造板を形成する。具体的には、混合溶湯を鋳型に流し込み、これを冷却することによって直方体の塊としての鋳塊を製造する、または混合溶湯を２本の冷却ロール間を通す方法などで急速冷却し、これによって鋳造板を製造する。鋳塊または鋳造板を形成する前に、混合溶湯の脱ガス処理、フィルタ処理等を実施することにより、均質な鋳塊または鋳造板を形成することができる。

（圧延工程）
次に、鋳塊または鋳造板を圧延することにより、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下であり、かつＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される３／４ＨからＨの範囲に調質されたアルミニウム箔を製造する。具体的には、上記工程を経て得られた鋳塊の表面を切削除去した後にこれを圧延し、または上記工程を経て得られた鋳造板を圧延し、上記のＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される３／４ＨからＨの範囲に調質されたアルミニウム箔を製造する。

（熱処理工程）
次に、以上の工程を経た、調質されたアルミニウム箔に対して２３０℃以上の温度で熱処理を実施して、Ｏから１／４Ｈに調質したアルミニウム箔を製造する。具体的には、まず、調質されたアルミニウム箔を炉の中に配置し、炉内の温度を室温（２５℃）から２３０℃以上の目的の温度にまで昇温させる。この昇温速度は特に制限されないが、１時間〜２４時間程度の時間をかけて徐々に目的の温度にまで昇温させることが好ましい。昇温後、目的の温度を１０分〜１６８時間維持し、その後、自然冷却により炉内温度を室温（２５℃）にまで低下させる。ただし、必ずしも調質されたアルミニウム箔が配置された炉の炉内温度を室温まで下げる必要はなく、目的の温度を所定時間保持した直後に、炉内からアルミニウム箔を取り出してもよい。

上記熱処理により、ＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される３／４ＨからＨの範囲に調質されたアルミニウム箔が調質され、その硬度がＯから１／４Ｈの範囲に調質されたものとなる。すなわち、本発明のアルミニウム箔となる。

上記熱処理において、熱処理の温度が２３０℃未満の場合、得られるアルミニウム箔のはんだに対する密着性は、上記の熱処理後のアルミニウム箔と比して低くなる。この理由は明確ではないが、本発明者らは、以下のように推測する。

本発明者らは、種々の検討により、熱処理の温度が２３０℃未満の場合は、熱処理後のアルミニウム箔表面へのＳｎまたはＢｉまたはその両方の偏析が少なく、熱処理後のアルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合が０．０１％以上６５％以下となり難く、かつこの合計表面積の割合が、上記合計体積の割合の５倍以上となり難いことを確認している。このことから、アルミニウム箔の表面積における上記合計表面積の割合や、表面でのＳｎまたはＢｉまたはその両方の分布状態等が、アルミニウム箔のはんだに対する密着性に関与しており、これらは熱処理の温度によって変化すると推察される。なお、熱処理の温度が５００℃を超える場合は、設備投資やエネルギーコストが高くなるため推奨されない。

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜実施例１＞
以下のようにしてアルミニウム箔を製造した。まず、ＪＩＳ−Ａ１Ｎ９０材からなるアルミニウム（純度９９．９８質量％以上）を溶融させたアルミニウム溶湯を準備した（アルミニウム溶湯準備工程）。次に、アルミニウム溶湯にＳｎを投入し、Ｓｎの含有量が１０質量％である混合溶湯を作製した（混合溶湯作製工程）。そして、この混合溶湯を用いて鋳塊を形成した（鋳造工程）。次に、鋳塊の表面を切削除去した後、これを室温（２５℃）にて冷間圧延し、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍそれぞれのアルミニウム箔を製造した（圧延工程）。次に、アルミニウム箔を空気雰囲気中で４００℃で熱処理を実施した。なお、このアルミニウム箔は、その質別がＯに調質されたものであった。

＜実施例２〜７および比較例１〜５＞
実施例２〜７、比較例１および２は、混合溶湯におけるＳｎの混合割合を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのそれぞれのアルミニウム箔を製造した。

比較例３は、Ｓｎを混合しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍそれぞれのアルミニウム箔を製造した。また、比較例４および比較例５は、それぞれＪＩＳ−Ａ１Ｎ３０材からなるアルミニウム（純度９９．３質量％）およびＪＩＳ−Ａ８０７９材からなるアルミニウム合金（純度９８．９質量％）を用い、かつＳｎを混合しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのそれぞれのアルミニウム箔を製造した。なお、実施例２〜７、比較例１〜５のアルミニウム箔は、その質別がＯに調質されたアルミニウム箔であった。

実施例１〜７および比較例１〜５で用いた原料となるアルミニウムの種類、アルミニウム箔におけるＳｎの含有割合、調質の程度、厚さについて表１に示す。なお、表１において該当のものを含まない場合には「−」を表記した。

＜評価＞
実施例１〜７および比較例１〜５のアルミニウム箔に対してチップ抵抗をはんだ付けし、アルミニウム箔とチップ抵抗との密着性を評価した。

具体的には、はんだペースト（商品名：「ＢＩ５７ ＬＲＡ−５ Ａ Ｍ Ｑ」、株式会社日本スペリア社製）を準備した。このはんだペーストを、アルミニウム箔上に、中心間距離３．５ｍｍ、それぞれの直径が２ｍｍ、それぞれの重量が１．５ｍｇとなるよう塗布し、２点に均一にまたがるよう３２１６型チップ抵抗を配置した。これを、近赤外線イメージ炉（「ＩＲ−ＨＰ２−６」、株式会社米倉製作所製）を用いて加熱しはんだ付けを実施した。加熱時の条件は、窒素流量を１Ｌ／分、最高到達温度を１７５℃±１℃、５０℃から最高到達温度までの設定時間を２分３１秒とした。また加熱後ははんだが凝固するまで自然冷却としたが、約−１３℃／分の冷却速度であった。

続いて、アルミニウム箔上にはんだ付けされたチップ抵抗に対し、シェア強度測定を実施し、アルミニウム箔とはんだを介して接合されたチップ抵抗との密着性を評価した。評価方法は、ボンドテスター（Ｎｏｒｄｓｏｎ ｄａｇｅシリーズ４０００）を使用してシェア強度を測定した。具体的には、チップ抵抗をはんだ付けしたアルミニウム箔を平滑な基板に両面テープで固定し、ツール移動距離０．３ｍｍ／秒で測定を実施した。

シェア強度は各サンプルで３回測定しその平均値が３０Ｎ以上のものを「Ａ」とし、またシェア強度測定中にチップ抵抗とはんだとアルミニウム箔がそれぞれ剥離せずにアルミニウム箔が破断したものを「Ｂ」とし、アルミニウム箔が破断せずに、かつシェア強度の平均値が３０Ｎ未満であったものを「Ｃ」とした。すなわち、Ａは密着性に優れており、Ｂはアルミニウム箔が破断する程度に充分な強度で密着性に優れており、Ｃが最も密着性が低いことになる。その結果を表１に示す。

また、実施例１〜７および比較例１〜５のアルミニウム箔に対し、その表面積に占めるＳｎの割合（％）を測定した。表面積に占めるＳｎの割合に関しては、走査型電子顕微鏡を用いて１００倍の倍率でアルミニウム箔の表面を撮像し、得られた画像のコントラストに基づいた二値化処理を行った。なお、走査型電子顕微鏡により観察するアルミニウム箔の厚み（深さ）は、光学顕微鏡により観察される程度の深さまでとした。そして、白色または明灰色の領域をＳｎが占める面積とし、暗灰色または黒色の領域をアルミニウムが占める面積として、アルミニウム箔の表面積に占めるＳｎの割合（％）を算出した。なお、得られた画像に含まれるアルミニウム箔の実際の面積は、１．２８ｍｍ×０．９６ｍｍである。その結果を表１に示す。

表１を参照し、実施例１〜７において、アルミニウム箔とチップ抵抗がはんだを介して充分な強度で接合されていたのに対し、比較例１〜５において、チップ抵抗はアルミニウム箔と充分な強度で接合されていなかった。また、アルミニウム箔上にはんだ付けされたはんだを目視により観察したところ、比較例１〜５において、はんだはチップ抵抗の側面にのみ付着していたのに対し、実施例１〜７においては、はんだはアルミニウム箔面およびチップ抵抗の双方に拡がって密着していた。また、アルミニウム箔の表面積に占めるＳｎの割合（％）は、比較例１では６５％を超えており、比較例２では０．０１％未満であることが確認された。

＜実施例８＞
アルミニウム溶湯準備工程において、アルミニウムに対してさらに１質量％のＣｕを添加した以外は、実施例１と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのアルミニウム箔を製造して、実施例８のアルミニウム箔を製造した。

＜評価＞
実施例８のアルミニウム箔に対し、実施例１と同様の方法により、チップ抵抗をはんだ付けし、シェア強度を測定した。その結果を表２に示す。また、実施例８のアルミニウム箔に対し、その表面積に占めるＳｎの割合（％）を測定した。その結果を表２に示す。

表２を参照し、実施例８において、アルミニウム箔とチップ抵抗がはんだを介して充分な強度で接合されていた。また、アルミニウム箔上にはんだ付けされたはんだを目視により観察したところ、実施例８においては、はんだはアルミニウム箔面およびチップ抵抗の双方に拡がって密着していた。

＜実施例９＞
混合溶湯作製工程において、Ｓｎに代えてアルミニウムに対して５質量％のＢｉを添加した以外は、実施例２と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのアルミニウム箔を製造して、実施例９のアルミニウム箔を製造した。

＜評価＞
実施例９のアルミニウム箔に対し、実施例１と同様の方法により、チップ抵抗をはんだ付けし、シェア強度を測定した。その結果を表３に示す。また、実施例９のアルミニウム箔に対し、その表面積に占めるＢｉの割合（％）を測定した。その結果を表３に示す。なお、走査型電子顕微鏡により撮像された画像において、白色または明灰色の領域をＢｉが占める面積とし、暗灰色または黒色の領域をアルミニウムが占める面積として、アルミニウム箔の表面積に占めるＢｉの割合（％）を算出した。

表３を参照し、実施例９において、アルミニウム箔とチップ抵抗がはんだを介して充分な強度で接合されていた。また、アルミニウム箔上にはんだ付けされたはんだを目視により観察したところ、実施例９においては、はんだはアルミニウム箔面およびチップ抵抗の双方に拡がって密着していた。

＜実施例１０、１１および比較例６＞
熱処理工程において、焼鈍温度を２５０℃に変更した以外は、実施例３と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのアルミニウム箔を製造して、実施例１０のアルミニウム箔を製造した。また、熱処理工程において、焼鈍温度を３００℃に変更した以外は、実施例３と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのアルミニウム箔を製造して、実施例１１のアルミニウム箔を製造した。また、熱処理工程において、焼鈍温度を２００℃に変更した以外は、実施例３と同様の方法により、厚さ３０μｍ、５０μｍ、１００μｍのアルミニウム箔を製造して、比較例６のアルミニウム箔を製造した。

＜評価＞
実施例１０、１１および比較例６のアルミニウム箔に対し、実施例１と同様の方法により、チップ抵抗をはんだ付けし、シェア強度を測定した。その結果を表４に示す。また、実施例１０、１１および比較例６のアルミニウム箔に対し、その表面積に占めるＳｎの表面積の割合（％）と、Ａｌの体積に対するＳｎの体積の割合（％）とを算出し、Ｓｎの表面積の割合が、Ａｌの体積に対するＳｎの体積の割合（％）の５倍以上であるか否かを評価した。その結果を表４に示す。Ｓｎの表面積の割合が、Ａｌの体積に対するＳｎの体積の割合（％）の５倍以上のものについてＸと表記し、５倍未満のものをＹと表記した。

表４を参照し、実施例１０および１１において、アルミニウム箔とチップ抵抗がはんだを介して充分な強度で接合されていたのに対し、比較例６において、チップ抵抗はアルミニウム箔と充分な強度で接合されていなかった。また、アルミニウム箔上にはんだ付けされたはんだを目視により観察したところ、比較例６において、はんだはチップ抵抗の側面にのみ付着していたのに対し、実施例１０および１１においては、はんだはアルミニウム箔面およびチップ抵抗の双方に拡がって密着していた。また、アルミニウム箔の表面積に占めるＳｎの表面積の割合（％）と、アルミニウム箔のＡｌの体積に占めるＳｎの体積の割合（％）とを比較したところ、比較例６ではＳｎの表面積の割合（％）が、Ａｌの体積に占めるＳｎの体積の割合（％）の５倍未満であることが確認された。

＜実施例１２＞
実施例６の厚さ３０μｍのアルミニウム箔を、厚さ３５μｍのポリイミドフィルムに接着剤を介して貼り合わせを行い、さらにアルミニウム箔の表面に、レジストパターンを印刷した。レジストパターンは、線幅１ｍｍ、線間２ｍｍとした。印刷したアルミニウム箔とポリイミドフィルムの貼り合わせ品を、酸系エッチング液に浸漬し、レジスト印刷がない部分のアルミニウム箔をエッチングにより除去した後に水洗して乾燥し、実施例１２のアルミニウム箔構成体を製造した。

＜評価＞
実施例１２のアルミニウム箔構成体に対し、エッチングで残ったアルミニウムの２本の線にそれぞれ上記のハンダペーストを１．５ｍｇずつ塗布し、上記のチップ抵抗を配置した。さらに実施例１と同様の方法でチップ抵抗をはんだ付けし、シェア強度を測定した。その結果を表５に示す。

表５を参照し、実施例１２において、アルミニウム箔構成体とチップ抵抗がはんだを介して充分な強度で接合されていた。また、アルミニウム箔構成体上にはんだ付けされたはんだを目視により観察したところ、実施例１２においては、はんだはアルミニウム箔面およびチップ抵抗の双方に拡がって密着していた。

以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Claims (6)

1. ＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を含有するアルミニウム箔であって、
   前記アルミニウム箔の全質量に対するＳｎおよびＢｉの合計質量の割合は、０．００７５質量％以上１５質量％以下である、アルミニウム箔。
2. 前記アルミニウム箔において、前記アルミニウム箔の全表面積に対するＳｎおよびＢｉの合計表面積の割合は、０．０１％以上６５％以下であり、かつ前記合計表面積の割合は、Ａｌの体積に対するＳｎおよびＢｉの合計体積の割合の５倍以上である、請求項１に記載のアルミニウム箔。
3. 前記アルミニウム箔は、ＪＩＳ−Ｈ０００１で規定されるＯから１／４Ｈの範囲に調質されている、請求項１または２に記載のアルミニウム箔。
4. 前記アルミニウム箔は、はんだ付け用のアルミニウム箔である、請求項１から３のいずれかに記載のアルミニウム箔。
5. 請求項１から４のいずれかのアルミニウム箔を用いて製造された、電子部品配線基板。
6. アルミニウム溶湯を準備する工程と、
   前記アルミニウム溶湯にＳｎおよびＢｉの少なくとも一方を添加することによって、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下の混合溶湯を作製する工程と、
   前記混合溶湯を用いて鋳塊または鋳造板を形成する工程と、
   前記鋳塊または鋳造板を圧延することにより、ＳｎおよびＢｉの合計質量の割合が０．００７５質量％以上１５質量％以下であり、かつＪＩＳ−Ｈ０００１で規定される３／４ＨからＨの範囲に調質されたアルミニウム箔を製造する工程と、
   前記調質されたアルミニウム箔に対して２３０℃以上の温度で熱処理を実施して調質する工程と、を備えるアルミニウム箔の製造方法。