TW201539800A - 波長轉換的半導體發光裝置 - Google Patents

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Abstract

根據本發明之實施例之一結構包含用於發射具有一第一峰值波長之光之一發光裝置。一波長轉換層經安置於由該發光裝置發射之光之一路徑中。該波長轉換層吸收由該發光裝置發射之光且發射具有一第二峰值波長之光。該波長轉換層包含一波長轉換材料、一透明材料及一黏合材料之一混合物，其中該黏合材料不多於該波長轉換層之重量的15%。

Description

波長轉換的半導體發光裝置
本發明關於一種波長轉換的半導體發光裝置，諸如一發光二極體。
當前可得之最有效的光源包括半導體發光裝置，包含發光二極體(LED)、諧振腔發光二極體(RCLED)、垂直腔雷射二極體(VCSEL)及邊射型雷射。當前所關注之製造能夠跨可見光譜操作之高亮度發光裝置的材料系統包含III至V族半導體，特定言之鎵、鋁、銦及氮之二元、三元及四元合金，其等亦被稱作III族氮化物材料。通常，可藉由憑藉金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)、分子束磊晶法(MBE)或其他磊晶技術在一藍寶石、碳化矽、III族氮化物或其他合適之基板上磊晶生長具有不同組成物及摻雜劑濃度之一堆疊半導體層以製造III族氮化物發光裝置。該堆疊通常包含形成於基板上之摻雜(例如)Si之一或多個n型層、形成於該或該等n型層上且處於一作用區域中之一或多個發光層及形成於作用區域上之摻雜(例如)Mg之一或多個p型層。電接觸件形成於n型或p型區域上。
圖1繪示在US2011/0057205中更詳細描述之一結構。一LED 282及一瞬態電壓抑制(TVS)晶片284附接至一基台(submount)280。(未展示基台280上連接介於LED 282之電源線之間的TVS晶片284之金屬跡 線)。在一電壓突波後，諸如由於靜電放電(ESD)，TVS晶片284中之電路即使得對地瞬態電壓短路以繞過LED 282。否則，可損壞LED 282。TVS電路已為人熟知。圖1中所展示之基台280係其上安裝有LED及TVS晶粒之諸多配對的一晶圓之部分。隨後將鋸切基台晶圓以單一化LED/TVS對。一模具具有填充有含有磷光體顆粒之液體聚矽氧的壓痕。將基台晶圓及模具置於一起，使得各LED/TVS對處於一單一壓痕中之聚矽氧內，且接著固化聚矽氧。基台晶圓接著與模具分隔開，且產生圖1之結構。模製磷光體透鏡286囊封兩個晶片。依所要之顏色溫度特性判定所使用之磷光體的(多種)類型、(多個)磷光體之密度及透鏡286之形狀。在一實施例中，透鏡286中之磷光體係YAG及紅色磷光體之一混合物，以在藉由藍色LED 282通電時產生一暖白光。
本發明之一目標係提供一種具有熱效能經改良之一波長轉換層的裝置。
根據本發明之實施例之一結構包含用於發射具有一第一峰值波長之光的一發光裝置。一波長轉換層安置於由該發光裝置發射之光的一路徑中。該波長轉換層吸收由該發光裝置發射之光且發射具有一第二峰值波長之光。該波長轉換層包含一波長轉換材料、一透明材料及一黏合材料之一混合物，其中該黏合材料不多於該波長轉換層之重量的15%。
根據本發明之實施例之一方法包含：將複數個發光裝置附接至一基板；在該複數個發光裝置上形成一波長轉換層，該波長轉換層包含一波長轉換材料、一透明材料及一黏合材料；藉由切割該波長轉換層以使該等發光裝置分隔開；移除該基板。
1‧‧‧LED
10‧‧‧生長基板
12‧‧‧III族氮化物半導體結構
16‧‧‧n型區域
18‧‧‧發光或作用區域
20‧‧‧p型區域
21‧‧‧p型接觸件
22‧‧‧n型接觸件
24‧‧‧介電層
25‧‧‧間隙
26‧‧‧互連件
27‧‧‧間隙
28‧‧‧互連件/接觸件
30‧‧‧波長轉換層
40‧‧‧基板
42‧‧‧溝道
44‧‧‧側壁
46‧‧‧晶片
48‧‧‧第二基板
50‧‧‧反射層
51a‧‧‧開口
51b‧‧‧開口
52‧‧‧介電層
54‧‧‧形成接觸墊之金屬層
54a‧‧‧接觸墊/導電接觸墊
54b‧‧‧導電接觸墊
56‧‧‧溝道
60‧‧‧反射材料
62‧‧‧開口
63‧‧‧介電層
64‧‧‧部分
66‧‧‧部分
280‧‧‧基台
282‧‧‧LED
284‧‧‧瞬態電壓抑制(TVS)晶片
286‧‧‧模製磷光體透鏡
401‧‧‧主體
402‧‧‧接觸件
403‧‧‧接觸件
520‧‧‧開口
522‧‧‧開口
523‧‧‧開口
524‧‧‧開口
圖1繪示一基台上之一先前技術LED及TVS晶片，其中在該LED 及TVS晶片上模製一含有磷光體之透鏡。
圖2繪示一III族氮化物LED之一實例。
圖3係根據本發明之實施例之具有一波長轉換層的一LED之一橫截面圖。
圖4係圖3中所繪示之結構之一仰視圖。
圖5係圖3中所繪示之結構之一俯視圖。
圖6繪示附接至一基板之LED。
圖7繪示在於LED上模製一波長轉換層之後圖6之結構。
圖8繪示在將LED分隔開之後圖7之結構。
圖9繪示在自基板移除LED之後圖8之結構。
圖10係包含一LED及一額外晶片之一結構之一橫截面。
圖11繪示附接至一基板之LED及額外晶片。
圖12繪示在於LED及額外晶片上模製一波長轉換層之後圖11之結構。
圖13繪示在釋放附接一第二基板之第一基板之後圖12的結構。
圖14係圖13中所繪示之LED及額外晶片之一者的一仰視圖。
圖15繪示在形成一發射層之後圖13之結構。
圖16係在形成圖15中所繪示之發射層之後LED及額外晶片的一者之一仰視圖。
圖17繪示在形成一介電層之後圖15之結構。
圖18係在形成圖17中所繪示之介電層之後LED及額外晶片的一者之一仰視圖。
圖19繪示在形成接觸墊之後圖17之結構。
圖20係在添加圖19中所繪示之接觸墊之後LED及額外晶片的一者之一仰視圖。
圖21繪示在將LED分隔開之後圖19之結構。
圖22繪示在自基板移除LED之後圖21之結構。
圖23係一LED及一額外晶片上之一反射層之替代配置的一仰視圖。
圖24繪示在形成一介電層之後圖23之結構。
儘管在下文實例中，半導體發光裝置係發射藍色或UV(紫外)光之III族氮化物LED，然而可使用除LED外之半導體發光裝置(諸如雷射二極體)及由其他材料系統(諸如其他III至V族材料、III族磷化物、III族砷化物、II至VI族材料、ZnO或矽基材料)製成之半導體發光裝置。
在本發明之實施例中，一波長轉換層係形成於一發光裝置(諸如一LED)上，使得該波長轉換層於五個側面環繞LED晶粒。波長轉換層可包含一波長轉換材料、一透明材料及一黏合材料。該波長轉換層可具有高導熱率。另外，因為材料(例如)係藉由模製形成於裝置上，波長轉換層(即，波長轉換材料及透明材料)之顆粒含量可非常高；例如，在一些實施例中，其重量高達波長轉換層之90%。儘管下文實例指代模製波長轉換層，然而可使用除模製化合物外之黏合材料及除模製外之技術來形成波長轉換層，且係在本發明之實施例的範疇內。例如，在本發明之實施例中，波長轉換層包含波長轉換材料、透明材料及一溶膠凝膠黏合材料。可藉由以液體形式施配波長轉換層、接著固化溶膠凝膠材料，以形成此一波長轉換層。
圖2繪示可用於本發明之實施例中之一III族氮化物LED。可使用任意合適之半導體發光裝置，且本發明之實施例不限於圖2中所繪示之裝置。如在此項技術中已知，藉由在一生長基板10上生長一III族氮化物半導體結構12以形成圖2之裝置。生長基板通常係藍寶石，但可係任何合適之基板，諸如(例如)SiC、Si、GaN或一複合基板。在生 長之前，可圖案化、粗糙化或紋理化生長基板之一表面(在該表面上生長III族氮化物半導體結構)，此可改良自裝置之光提取。在生長之前或之後，可圖案化、粗糙化或紋理化生長基板之與生長表面對置之一表面(即，在一覆晶組態中大量光透過其經提取之表面)，此可改良自裝置之光提取。
半導體結構包含夾置於介於n型與p型區域之間之一發光或作用區域。可首先生長一n型區域16，且n型區域16可包含具有不同組成物及摻雜劑濃度之多個層，該多個層包含(例如)備製層(諸如緩衝層或晶核層)及/或經設計以有利於移除生長基板之可係n型或非有意摻雜層，及針對發光區域所需以有效發光之特定光學、材料或電性質設計之n型或甚至p型裝置層。在n型區域上生長一發光或作用區域18。合適之發光區域之實例包含一單一厚或薄發光層，或包含由障壁層分隔開之多個薄或厚發光層之一多量子井發光區域。接著可在發光區域上生長一p型區域20。類似於n型區域，p型區域可包含具有不同組成物、厚度及摻雜劑濃度之多個層，包含非有意摻雜層或n型層。
在生長之後，一p型接觸件形成於p型區域之表面上。p型接觸件21通常包含多個導電層，諸如一反射金屬及可防止或減少反射金屬之電遷移的一防護金屬。反射金屬通常係銀，但可使用任意合適之一或多個材料。在形成p型接觸件21之後，移除p型接觸件21、p型區域20及作用區域18之一部分，以暴露其上形成有一n型接觸件22之n型區域16的一部分。n型接觸件22及p型接觸件21藉由一間隙25彼此電隔離，該間隙25可填充有一介電質(諸如一矽之氧化物或任意其他合適之材料)。可形成多個n型接觸件通孔；n型接觸件22及p型接觸件21不限於圖2中所繪示之配置。如此項技術中已知，可重新分佈n型接觸件及p型接觸件具有一介電質/金屬堆疊之接合墊。
為形成至LED之電連接，一或多個互連件26及28形成於n型接觸 件22及p型接觸件21上或電連接至n型接觸件22及p型接觸件21。在圖2中，互連件26電連接至n型接觸件22。互連件28電連接至p型接觸件21。互連件26及28與n型接觸件22及p型接觸件21電隔離且藉由介電層24及間隙27彼此電隔離。互連件26及28可係(例如)焊料、凸塊、金層或任意其他合適之結構。諸多個別LED形成於一單一晶圓上接著自裝置之一晶圓經切割。在下列圖式中半導體結構與n型接觸件22及p型接觸件21由方塊12表示。
圖3、圖4及圖5繪示根據本發明之例示性實施例之具有安置於五個側面上的一波長轉換層之一LED。在其中橫截面與LED之基板10相交之一平面中，圖3係一橫截面圖，圖4係一仰視圖且圖5係自頂部所得之一橫截面圖。LED 1可係圖2中所繪示之LED或任意其他合適之裝置。波長轉換層30如在圖3中所繪示般覆蓋LED 1之頂部，且如在圖4及圖5中所繪示般覆蓋LED 1之全部側面。(因為LED 1如圖3、圖4及圖5中所繪示般係矩形，所以其具有四個側面及由波長轉換層30覆蓋之基板側。其他形狀之LED屬於本發明之範疇內；一些實施例中之波長轉換層30將覆蓋任意形狀之一LED的全部側面)。在結構之底部表面上，暴露互連件26及28以有利於一使用者將結構附接至另一結構，諸如一PC板。
一先前技術封裝LED之一實例包含具有將LED附接至一模製引線框杯之一引線接合的一垂直LED。在形成引線接合之後，該杯填充有一聚矽氧或磷光體漿料。此架構可被稱作「杯中膠狀半流體(goop in cup)」。杯中膠狀半流體架構成本低且容易製造。然而，由於LED晶粒、引線接合及磷光體/聚矽氧材料(「膠狀半流體」)之高熱阻(高達~20C/W)，杯中膠狀半流體架構限於可靠處置之高輸入功率密度。覆晶型LED亦可安置於杯中膠狀半流體架構中。一覆晶之一優勢在於LED及典型覆晶互連件之熱阻相對較低(通常<5C/W)。然而，磷光體/ 聚矽氧材料之熱阻仍較高且因此裝置不可可靠地處置高功率密度。
在圖3、圖4及圖5中所繪示之結構中，因為波長轉換層30藉由一技術形成於LED上(不同於在上文所描述之杯中膠狀半流體架構中般施配於LED上)，與用於杯中膠狀半流體裝置中的一磷光體/聚矽氧材料相比，該技術允許波長轉換層30具有高顆粒含量。因此，波長轉換層30可具有一高顆粒含量及高導熱率，此可改善波長轉換層30之導熱率且因此改善結構之導熱率。
在一些實施例中，波長轉換層30包含三個組分：一波長轉換材料、一透明材料及一黏合材料。
波長轉換材料可係(例如)習知的磷光體、有機磷光體、量子點、有機半導體、II至VI族或III至V族半導體、II至VI族或III至V族半導體量子點或奈米晶體、染料、聚合物或其他發光材料。波長轉換材料吸收由LED發射之光，且發射一或多個不同波長之光。由LED發射之未轉換光通常係自結構提取之光之最終光譜的部分，然而其不需如此。常見組合之實例包含：組合一發黃光之波長轉換材料之一發藍光的LED；組合發綠光及發紅光之波長轉換材料之一發藍光的LED；組合發藍光及發黃光之波長轉換材料之一發UV光的LED；及組合發藍光、發綠光及發紅光之波長轉換材料之一發UV光的LED。可添加發射其他顏色光之波長轉換材料以調適自結構發射之光的光譜，例如可使用發紅光之材料來擴增一發黃光之材料。
透明材料可係(例如)一粉末、顆粒或具有一高導熱率之其他材料；例如，波長轉換材料或黏合劑具有一更高之導熱率。在一些實施例中，透明材料具有比常用聚矽氧材料更高之一導熱率，其可具有大約0.1至0.2W/mK之一導熱率。在一些實施例中，如下文所描述，透明材料之折射率實質上匹配黏合材料之折射率。例如，在一些實施例中，透明材料及黏合材料之折射率的變化可小於10%。在一些實施例 中，透明材料之折射率係至少1.5。合適之透明材料的實例包含玻璃顆粒或玻璃珠。
黏合材料可係將透明材料及波長轉換材料黏合在一起的任何材料。在一些實施例中，可選擇具有至少1.5之一折射率之黏合材料。在一些實施例中，黏合材料係一可模製、熱固性材料。合適之材料的實例包含聚矽氧、環氧樹脂及玻璃。黏合材料及透明材料通常係不同材料或不同形式之相同材料，然而其等不需如此。例如，透明材料可係玻璃顆粒，而黏合材料可係模製玻璃。在一些實施例中，黏合材料係一溶膠凝膠。在其中黏合材料係一溶膠凝膠之實施例中，波長轉換材料、透明材料及溶膠凝膠液體之一混合物可被施配於LED 1上，接著水自溶膠凝膠液體蒸發，留有一矽酸網狀物，該矽酸網狀物基本上係具有嵌入矽酸網狀物中之波長轉換材料及透明材料之一玻璃。
在一些實施例中，波長轉換層30大部分係透明材料，具有相對較少之波長轉換材料及黏合材料。在一些實施例中，波長轉換層30可係依重量計至少50%之透明材料，在一些實施例中，60%之透明材料，且在一些實施例中，不多於70%之透明材料。在一些實施例中，波長轉換層30可係依重量計至少20%之波長轉換材料，在一些實施例中，至少30%之波長轉換材料，且在一些實施例中，可不多於40%之波長轉換材料。在一些實施例中，波長轉換層30可係依重量計至少5%之黏合材料，在一些實施例中，10%之黏合材料，且在一些實施例中，不多於20%之黏合材料。
在一些實施例中，波長轉換層30之導熱率可係至少0.5W/mK，且在一些實施例中可係至少1W/mK。相較之下，杯中膠狀半流體架構中之膠狀半流體通常具有不大於0.1W/mK之一導熱率。
可根據圖6、圖7、圖8及圖9中所繪示之方法形成圖3、圖4及圖5中所繪示之結構。在LED形成且與LED之一晶圓分隔開之後，其等經 「分色(bin)」，意謂根據對於波長轉換的LED符合一給定應用之一規格而言必需之波長轉換材料的特性，將具有相似峰值發光波長之LED分組。在圖6中，來自一單一分色之個別LED安置於一基板40上。基板40係一臨時處置基板。可使用任意合適之材料，諸如載體帶。儘管在圖7中繪示單一LED，然而LED 1可自一晶圓經切割為群組而非作為單一LED。
在圖7中，如上文所描述，在LED 1上模製波長轉換層30。例如，可將一模具(未在圖7中展示)安置於一群組之LED 1上，接著填充模製材料。波長轉換層30可包含液體形式之一熱固性黏合材料。例如藉由加熱以處理結構以將熱固性黏合材料轉變為一固體。接著移除模具。波長轉換層30安置於LED 1之頂部上且介於相鄰LED 1之間。
在圖8中，例如藉由切割介於溝道42中之相鄰LED之間的波長轉換層30以使個別LED分隔開。可使用任意合適之切割技術，諸如金剛石鋸切或雷射切割。較佳地，切割技術不應切穿基板40。如在圖8中所繪示，在一些實施例中，圖8中所繪示之切割可導致實質上垂直之側壁44。在一些實施例中，側壁44經成角度或以其它方式經塑形，(例如)以增強來自波長轉換層30之光提取。
在圖9中，藉由任意合適之方法(包含(例如)熱釋放、傳遞至一第二基板或直接拾取)以自基板40釋放經分隔LED。個別LED可經測試且以其它方式準備好以由一使用者安裝至一結構，諸如一PC板。例如藉由焊接或任意合適之安裝技術透過LED 1底部上的互連件28及26以將LED安裝於另一結構上。
在一些實施例中，如在圖10中所繪示，一晶片46透過波長轉換層30機械連接至LED 1。晶片46可包含用於瞬態電壓抑制(TVS)之一裝置、功率調節電路、其他電路或用於任意其他合適之功能的一裝置。晶片46可包含(例如)一主體401與接觸件402及403。(在圖10中所 繪示之橫截面中僅繪示一接觸件(接觸件402)。在圖14、圖16、圖18及圖20中所繪示之仰視圖中可看見接觸件402及403兩者)。一反射層50安置於波長轉換層30之底部上。反射層50中之一開口51a環繞LED 1。反射層50中之一開口51b環繞晶片46。一介電層52安置於反射層50下方。介電層52中之開口提供電連接至LED 1上之接觸件28及晶片46上之接觸件402。安置於介電層52下方之一接合墊54a將LED 1上之接觸件28電連接至晶片46上之接觸件402。在圖10中所繪示之平面外部，安置於介電層52下方的一第二接合墊將LED 1上之接觸件26電連接至晶片46上之接觸件403。
相較於圖1中所繪示之裝置，其中LED 282及TVS晶片284透過一基台280電學上且機械連接，在圖10中所繪示之裝置中，透過波長轉換層30機械連接LED 1及晶片46。
可如圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17、圖18、圖19、圖20、圖21及圖22中所繪示般形成圖10中所繪示之結構。儘管在此等圖式中展示3個群組之LED 1及晶片46，然而可將此等方法應用至任意數目個群組之LED 1及晶片46。
在圖11中，LED 1及晶片46安置於一基板40上，該基板40可係(例如)上文參考圖6所描述之載體帶。
在圖12中，如上文參考圖7所展示，在LED 1及晶片46上模製波長轉換層30。
在圖13中，將圖12之結構傳遞至一第二基板48。類似於基板40，基板48可係適用於臨時處置包含LED 1、晶片46及波長轉換層30之結構的任意材料。例如，基板48可係載體帶。通常將第二基板48連接至對置於基板40之波長轉換層30之一表面，隨後將基板40與LED 1及晶片46分隔開。在移除基板40之後，暴露LED 1及晶片46之接觸件用於進一步處理。
圖14繪示包含至少一單一LED 1及一單一晶片46之一機械連接群組之接觸件側。圖14中所繪示之圖係如圖13中所繪示之結構的頂部及如圖12中所繪示之結構的底部之一圖。在下列描述中，因為通常使用接觸件將成品結構安裝於底部上使得自頂部提取光，所以圖14中所繪示之圖被稱作結構之底部。
在圖14中，LED 1上之金屬互連件28及26可實質上與晶片46上之金屬接觸件402及403對準。波長轉換層30圍繞LED 1及晶片46安置。
在圖15中，一反射層50形成於圖13中所繪示之結構上。圖16繪示在形成反射層50之後一單一LED及晶片46之一仰視圖。反射層50在圖式中由自圖式之底部左側延伸至頂部右側之剖面線表示。如在圖15中所繪示，反射層50經圖案化以形成開口51a及51b。開口51a環繞LED 1，且開口51b環繞晶片46。反射層50可係任意合適之反射材料，諸如一金屬(Ag、Al)、一反射塗層或一反射塗料。反射層50通常導電，然而其不需如此。可藉由任意合適之技術(諸如，例如濺鍍)形成，且可藉由任意合適之技術(諸如，例如光微影術)圖案化反射層50。
在圖17中，一介電層形成於圖15中所繪示之結構上。圖18繪示在形成介電層52之後一單一LED 1及晶片46之一仰視圖。介電層52由自圖式之頂部左側延伸至底部右側之剖面線表示。介電層52經圖案化以形成有利於電連接至LED 1上之互連件及晶片46上之接觸件的開口。開口520形成於互連件28上；開口522形成於互連件26上；開口523形成於接觸件402上；且開口524形成於接觸件403上。介電層52可係藉由任意合適之技術形成的任意合適之材料，諸如(例如)一或多種矽之氧化物、一或多種矽之氮化物、介電質或苯并環丁烯。
在圖19中，形成導電接觸墊54a及54b(在側視圖中僅展示墊54a)之一金屬層54形成於圖17中所繪示之結構上。圖20繪示在形成接觸墊 54a及54b之後一單一LED 1及晶片46之一仰視圖。(在圖19中，形成接觸墊之金屬層標記為54。在圖20中，繪示個別接觸墊54a及54b)。接觸墊54a透過介電層52中之開口520電連接至LED 1上之互連件28。接觸墊54a亦透過介電層52中之開口523電連接至晶片46上之接觸件402。接觸墊54b透過介電層52中之開口522電連接至LED 1上之互連件26。接觸墊54b亦透過介電層52中之開口524電連接至晶片46上之接觸件403。接觸墊54a及54b藉由其等之間之一間隔且藉由介電層52彼此電隔離。接觸墊54a及54b可係任意合適之導電材料。接觸墊54a及54b通常係金屬，諸如Au或Ag。可藉由任意合適之技術形成且圖案化接觸墊54a及54b。例如，可藉由濺鍍沈積(例如)CuN之一晶種層，接著電鍍一Au或Ag層，以形成接觸墊54a及54b。接觸墊54a、54b、互連件28、26、接觸件402、406及開口520、522、523及524不一定按比例繪製且可具有不同於圖20中所繪示之比例。如在圖19及圖20中所繪示，可圖案化接觸墊54a及54b，所以其等不如圖20中所繪示般延伸直至裝置之頂部及底部，然而不作要求。
在圖21中，如上文參考圖8所描述，例如藉由切割介於溝道56中之相鄰LED之間的波長轉換層30，以使得LED 1與晶片46分隔開。
在圖22中，如上文參考圖9所描述，自基板48移除經分隔裝置。可由一使用者藉由焊料附接或以其它方式將墊54a及54b電學上及機械連接至結構，將裝置倒裝於且安裝於一合適之結構，諸如一PC板。
圖23及圖24繪示包含一LED 1及一晶片46之一替代結構。在圖23中，一反射材料60安置於圖13中所繪示之結構上。反射材料60經圖案化以形成使裝置之兩側上之兩個反射材料區域分隔開的一開口62。反射材料可係(例如)圖15及圖16中所描述之上文列出用於反射材料50之材料的一者。反射材料60係一導電材料。反射材料60的左側部分與LED 1上之互連件28及晶片46上之接觸件402的一部分直接接觸。反 射材料60的右側部分與LED 1上之互連件26及晶片46上之接觸件403的一部分直接接觸。
在圖24中，一介電層63形成於結構之中心上。可係(例如)圖17及圖18中所描述之上文列出用於介電材料52之材料的一者之介電層63覆蓋介於反射材料60之左側與右側部分之間的開口62。介電層63亦覆蓋反射材料60之左側及右側部分之各者的一部分。介電層63限於使得介電層63不覆蓋裝置之左側上之反射材料60的一部分64，且介電層63不覆蓋裝置之右側上之反射材料60的一部分66之程度。
在圖21及圖22中之分隔之後，可由一使用者藉由焊料附接或以其它方式將反射材料60之部分64及66電學上及機械連接至結構，將圖24中所繪示之裝置安裝於一結構上，諸如一PC板。用以將圖24之結構附接至一結構(諸如一PC板)之一互連件(諸如，例如焊料)可補償部分64及66與介電層63之間的高度差。
已詳細描述本發明，熟習此項技術者將明白，鑑於本發明，在不背離本文所描述之發明概念之精神的情況下可進行修改。因此，其並非希望本發明之範疇限於所繪示且所描述之特定實施例。
1‧‧‧LED
10‧‧‧生長基板
12‧‧‧III族氮化物半導體結構
28‧‧‧互連件/接觸件
30‧‧‧波長轉換層
46‧‧‧晶片
50‧‧‧反射層
51a‧‧‧開口
51b‧‧‧開口
52‧‧‧介電層
54a‧‧‧接觸墊/導電接觸墊
401‧‧‧主體
402‧‧‧接觸件

Claims (15)

  1. 一種結構，其包括：一發光裝置，用於發射具有一第一峰值波長之光；一波長轉換層，其經安置於由該發光裝置發射之光之一路徑中，該波長轉換層用於吸收由該發光裝置發射之光且發射具有一第二峰值波長之光，該波長轉換層包括以下之一混合物：一波長轉換材料；一透明材料；及一黏合材料，其中該黏合材料為不多於該波長轉換層之重量的15%。
  2. 如請求項1之結構，其中該發光裝置具有一頂部表面、一底部表面及至少一側表面，其中該波長轉換層覆蓋該發光裝置之該頂部表面及每一側表面。
  3. 如請求項1之結構，其中在該發光裝置上模製該波長轉換層。
  4. 如請求項1之結構，進一步包括用於抑制瞬態電壓之一晶片，其中該發光裝置僅透過該波長轉換層機械附接至該晶片。
  5. 如請求項4之結構，其中該波長轉換層係安置於該晶片上且係安置於介於該晶片之一側壁與該發光裝置之一側壁之間之一區域中。
  6. 如請求項1之結構，其中該波長轉換材料為不多於該波長轉換層之該重量的40%。
  7. 如請求項1之結構，其中該黏合劑係聚矽氧、環氧樹脂、溶膠凝膠材料及玻璃中之一者。
  8. 如請求項1之結構，進一步包括經安置於該波長轉換層之一部分之一底部表面上之一反射器，該波長轉換層係安置於該發光裝 置之一側表面上。
  9. 如請求項1之結構，其中該透明材料及該黏合材料係不同材料。
  10. 一種方法，其包括：將複數個發光裝置附接至一基板；在該複數個發光裝置上形成一波長轉換層，該波長轉換層包括一波長轉換材料、一透明材料及一黏合材料；藉由切割該波長轉換層來使該複數個發光裝置分隔開；及移除該基板。
  11. 如請求項10之方法，其中該波長轉換層具有至少0.5W/mK之一導熱率。
  12. 如請求項10之方法，其中在該切割之後，該波長轉換層具有一實質上垂直之側壁。
  13. 如請求項10之方法，進一步包括在該複數個發光裝置上形成一波長轉換層之後，於該波長轉換層之一底部表面上形成一反射器。
  14. 如請求項10之方法，進一步包括：將用於抑制瞬態電壓之一晶片附接至介於該複數個發光裝置之兩者之間的該基板；及在該複數個發光裝置上形成一波長轉換層之後，形成將該複數個發光裝置之一者上之一互連件電連接至該晶片上之一接觸件之一導電墊。
  15. 如請求項10之方法，其中：在該複數個發光裝置上形成一波長轉換層包括模製該波長轉換層；及該黏合材料係一熱固性材料。
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